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Einsatz- und Ausführungsarten der Erfindung betreffen die elektrisch programmierbaren und löschbaren Nur-Lese-Speicherzellen, EEPROM-Speicher genannt, und insbesondere die Kontrolle der richtigen oder falschen Abwicklung des Schreibvorgangs.
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DE 10 2004 025 123 A1 betrifft ein Hörhilfegerät mit einem Eingangswandler, einer Signalverarbeitungseinheit, einem Ausgangswandler, einer Spannungsquelle und Mitteln zur Bedienung des Hörhilfegeräts.
US 2002/0041527 A1 betrifft einen nichtflüchtigen Speicher mit einer verkürzten Gesamtschreibzeit.
US 6011721 A betrifft einen EEPROM, welcher eine Vielzahl von Feldeffekttransistor-Speicherzellen mit jeweils einer Source, einem Drain, einem Floating-Gate und einem Control-Gate beinhaltet.
EP 0976302 B1 betrifft ein Gerät und Verfahren zur Programmierung eines Hörhilfegerätes.
EP 2908556 A1 betrifft ein Hörgerät mit Warnung bei niedrigem Ladezustand.
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Die Erfindung betrifft auf vorteilhafte aber nicht beschränkende Weise die Kontrolle des Ladestatus eines Versorgungsmittels, beispielsweise einer Batterie oder von Akkus, die ein Gerät versorgen, das einen oder mehrere dieser Speicher umfasst. Dies ist beispielsweise der Fall bei den Hörgeräten, die sich als besonders „akkuintensiv“ herausstellen. Daher würde es das Vorhandensein einer Anzeige des Ladestatus dieser Akkus ermöglichen, sie nur zu laden, wenn dies notwendig ist, insbesondere wenn der Ladestatus beispielsweise einen ordnungsgemäßen Ablauf eines Schreibvorgangs in den EEPROM-Speicher nicht mehr ermöglicht.
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Nach einer Einsatz- und Ausführungsart wird eine neue, einfach einzusetzende Lösung vorgeschlagen, um den richtigen oder falschen Ablauf eines Schreibvorgangs in eine Speicherzelle vom Typ EEPROM zu Erfassen und somit eine Anzeige eines geringen oder guten Ladestatus des Versorgungsmittels, das die Speicherzelle und ihren zugehörigen Schaltkreis versorgt, zu liefern.
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Eine Speicherzelle vom Typ EEPROM umfasst im Allgemeinen einen Transistor mit schwebendem Gate, das die Speicherung des Datums ermöglicht, ein Steuer-Gate, einen Source- und einen Drain-Bereich. Eine solche Speicherzelle verwendet das Prinzip des nicht-flüchtigen Speicherns von Ladungen auf dem schwebenden Gate des Transistors. Herkömmlicherweise umfasst der Schreibvorgang oder -zyklus einen Schritt des Löschens, gefolgt von einem Programmierschritt.
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Die Programmierung erfolgt durch Flower-Nordheim-Effekt unter Verwendung eines Spannungsimpulses, umfassend eine Rampe, gefolgt von einer Spannungsfläche mit einem hohen Wert, typischerweise von ungefähr 13 bis 15 Volt, und umfasst das Einleiten von Elektronen durch Tunneleffekt von dem schwebenden Gate zu dem Drain, während das Löschen, das ebenfalls durch Fowler-Nordheim-Effekt erfolgt, ein Einleiten von Elektronen von dem Drain zu dem schwebenden Gate durch Tunneleffekt umfasst und ebenfalls unter Verwendung eines Löschimpulses von ähnlicher Form wie jener des Programmierimpulses erfolgt.
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Nach einem Aspekt wird ein Verfahren zur Kontrolle eines Schreibvorgangs mindestens eines Datums in mindestens eine Speicherzelle vom Typ elektrisch programmierbarer und löschbarer Nur-Lese-Speicher, umfassend mindestens einen Schritt des Löschens oder des Programmierens der Zelle durch einen entsprechenden Lösch- oder Programmierimpuls.
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In manchen Fällen kann nämlich in Abhängigkeit von dem logischen Wert des zu schreibenden Datums oder Wortes der Schreibvorgang nur einen Schritt des Löschens oder nur einen Schritt des Programmierens umfassen.
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Wenn somit beispielsweise das zu schreibende Wort nur „0“ enthält, ist nur ein Löschschritt erforderlich.
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Ebenso ist, wenn das Wort 0F (in Hexadezimalschreibweise) durch das Wort 1F ersetzt werden soll, der Löschschritt unnötig.
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Das Verfahren nach diesem Aspekt umfasst auch eine Analyse der Form des Lösch- oder Programmierimpulses während des entsprechenden Schrittes des Löschens oder Programmierens, wobei das Ergebnis dieser Analyse für einen richtigen oder falschen Ablauf des Schreibvorgangs repräsentativ ist.
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Während somit im Stand der Technik eine EEPROM-Zelle „blind“ geschrieben wird, d.h. dass der Schreibvorgang nicht algorithmisch und ohne Kontrolle während des eigentlichen Schreibvorgangs ist, sieht das Verfahren nach diesem Aspekt vor, eine Kontrolle während des Schreibvorgangs (Schritt des Löschens oder des Programmierens) durchzuführen, wobei die Form des entsprechenden Lösch- oder Programmierimpulses analysiert wird.
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Und eine solche Analyse ist einfacher einzusetzen als eine herkömmliche Kontrolle eines richtigen oder falschen Schreibens, die nach dem Schreiben ein neuerliches Lesen des geschriebenen Datums mit modifizierten Leseparametern vorsieht.
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Wenn der Schreibvorgang den Löschschritt gefolgt von dem Programmierschritt der Zelle umfasst, umfasst das Verfahren ferner eine Analyse der Form jedes der Impulse während des entsprechenden Schrittes, wobei das Ergebnis dieser Analyse für einen richtigen oder falschen Ablauf des Schreibvorgangs repräsentativ ist.
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Ein Nominallöschimpuls und/oder ein Nominalprogrammierimpuls umfasst eine Rampe, gefolgt von einer Fläche, die eine Nominalspannung hat, und die Formanalyse umfasst nun vorteilhafterweise eine Bestimmung der Dauer der Fläche, wobei eine Fläche, die eine kürzere Dauer als eine Grenzdauer hat, für einen falschen Ablauf des Schreibvorgangs repräsentativ ist.
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Nach einer Einsatzart umfasst die Bestimmung der Dauer der Fläche eine Bestimmung des Zeitpunktes des Auftretens der Fläche und einen Vergleich dieses Zeitpunktes des Auftretens mit einem Referenzzeitpunkt entsprechend einem Prozentsatz der Dauer des entsprechenden Nominalimpulses, wobei ein Zeitpunkt des Auftretens kleiner oder gleich dem Referenzzeitpunkt für einen richtigen Ablauf des Schreibvorgangs repräsentativ ist, und ein Zeitpunkt des Auftretens größer als der Referenzzeitpunkt für einen falschen Ablauf des Schreibvorgangs repräsentativ ist.
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Der Referenzzeitpunkt entspricht beispielsweise 80% der Dauer des Nominalimpulses.
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Nach einem weiteren Aspekt wird eine Anwendung des Verfahrens, wie vorher definiert, für die Kontrolle des Ladestatus eines Versorgungsmittels vorgeschlagen, das eine Speichervorrichtung, die mindestens eine Speicherzelle vom Typ EEPROM enthält, versorgt.
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Nach einem weiteren Aspekt wird eine Speichervorrichtung vorgeschlagen, umfassend eine Speicherebene, die mindestens eine Speicherzelle vom Typ elektrisch programmierbarer oder löschbarer Nur-Lese-Speicher enthält, und Kontrollmittel, die derart ausgeführt sind, dass sie den Ablauf eines Schreibvorgangs mindestens eines Datums in die mindestens eine Speicherzelle, umfassend mindestens einen Schritt des Löschens oder des Programmierens der Zelle durch einen entsprechenden Lösch- oder Programmierimpuls, kontrollieren, wobei die Kontrollmittel Analysemittel umfassen, die derart ausgeführt sind, dass sie eine Analyse der Form des Lösch- oder Programmierimpulses während des entsprechenden Lösch- oder Programmierschrittes durchführen und einen repräsentativen Hinweis für den richtigen oder falschen Ablauf des Schreibvorgangs in Abhängigkeit von dem Ergebnis dieser Analyse liefern.
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Nach einer Ausführungsart, bei der der Schreibvorgang den Löschschritt, gefolgt von dem Programmierschritt der Zelle umfasst, sind die Analysemittel derart ausgeführt, dass sie eine Analyse der Form jedes der Impulse während des entsprechenden Schrittes durchführen und den repräsentativen Hinweis für den richtigen oder falschen Ablauf des Schreibvorgangs in Abhängigkeit vom Ergebnis dieser Analyse liefern.
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Nach einer Ausführungsart, bei der ein Nominallöschimpuls und/oder ein Nominalprogrammierimpuls eine Rampe, gefolgt von einer Fläche mit einer Nominalspannung umfasst, umfassen die Analysemittel Bestimmungsmittel, die derart ausgeführt sind, dass sie die Dauer der Fläche bestimmen, wobei eine Fläche, die eine kürzere Dauer als die Grenzdauer hat, für einen falschen Ablauf des Schreibvorgangs repräsentativ ist.
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Nach einer Ausführungsart umfassen die Bestimmungsmittel ein Erfassungsmodul, das derart ausgeführt ist, dass es den Zeitpunkt des Auftretens der Fläche erfasst, und Vergleichsmittel, die derart ausgeführt sind, dass sie diesen Zeitpunkt des Auftretens mit einem Referenzzeitpunkt entsprechend einem Prozentsatz der Dauer des entsprechenden Nominalimpulses vergleichen, wobei ein Zeitpunkt des Auftretens kleiner oder gleich dem Referenzzeitpunkt für einen richtigen Ablauf des Schreibvorgangs repräsentativ ist, und ein Zeitpunkt des Auftretens größer oder gleich dem Referenzzeitpunkt für einen falschen Ablauf des Schreibvorgangs repräsentativ ist.
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Nach einem weiteren Aspekt wird ein Gerät vorgeschlagen, umfassend eine Speichervorrichtung, wie vorher definiert, ein Versorgungsmittel, das dazu ausgeführt ist, die Speichervorrichtung zu versorgen, und Anzeigemittel des Ladestatus des Versorgungsmittels, wobei diese Anzeigemittel die Kontrollmittel einschließen.
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Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung gehen aus der Studie der detaillierten Beschreibung von Einsatz- und Ausführungsarten, die keineswegs beschränkend sind, und der beiliegenden Zeichnungen hervor, wobei:
- - die 1 bis 6 schematisch verschiedene Einsatz- und Ausführungsarten der Erfindung darstellen.
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In 1 bezeichnet das Bezugszeichen APP ein Gerät, beispielsweise ein Hörgerät, umfassend ein Versorgungsmittel ALM, beispielsweise eine Batterie oder Akkus, das insbesondere eine Nur-Lese-Speichervorrichtung DIS vom Typ EEPROM versorgt.
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Die Speichervorrichtung DIS umfasst auch Kontrollmittel MCTRL, die, wie später nachstehend im Detail zu sehen sein wird, derart ausgeführt sind, dass sie den Ablauf eines Schreibvorgangs eines Datums in mindestens eine Speicherzelle der Speicherebene PM der Speichervorrichtung kontrollieren und einen Hinweis IND liefern, der für den Ladestatus des Versorgungsmittels ALM repräsentativ ist.
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Das Gerät APP umfasst auch Anzeigemittel MDNCH, die die Kontrollmittel MTRL sowie beispielsweise einen Mikrokontroller einschließen und dazu bestimmt sind, bei Vorliegen des Hinweises IND einen Signalton beispielsweise, insbesondere ein oder mehrere regelmäßige „Pieptöne“ mit Hilfe eines Minilautsprecher HP zu liefern.
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In der Praxis und als nicht beschränkendes Beispiel können die Akkus, solange der Minilautsprecher leise ist, nicht geladen werden. Wenn hingegen der oder die „Pieptöne“ entsandt werden, sind die Akkus ALM zu laden.
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In der Praxis sind der Mikrokontroller und der Minilautsprecher im Allgemeinen bereits in einem Hörgerät vorhanden und können auch einem Signalverarbeitungsprozessor zugeordnet werden. In diesem Fall ist es einfach, einen „System“ Ton in den Hörinhalt, der in das Ohr geliefert wird, einzubetten, und der Signalton kann beispielsweise eine spezifischer Satz vom Typ „bitte die Akkus tauschen“ sein.
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Die Speicherebene PM von herkömmlicher Struktur und an sich bekannt, umfasst Speicherzellen CEL vom Typ EEPROM.
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Ein Spaltendecoder XDCD und ein Zeilendecoder YDCD ermöglichen es, die Speicherebene PM zu adressieren.
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Diese Decoder werden selbst von einem Adressen-Schieberegister ADRG adressiert.
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Die Speichervorrichtung DIS umfasst auch ein Daten-Schieberegister DRG, das an die Speicherebene durch den Spaltendecoder XDCD angeschlossen ist.
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Die Adressen und Daten können von den Adress- ADRG bzw. Datenregistern DRG eingegeben werden, und die Daten können mit Hilfe des Datenregisters DRG entnommen werden.
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Die Speichervorrichtung DIS umfasst auch ein Statusregister SRG, das mit dem Datenregister DRG verbunden ist.
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Die Gesamtheit dieser Mittel wird durch eine Steuerlogik LG gesteuert.
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Schließlich ermöglichen es Mittel zur Erzeugung einer Hochspannung MGHV, insbesondere umfassend eine Ladepumpe und ihre zugehörige Regelung, die Hochspannung von typischerweise ungefähr 15 Volt zu erzeugen, um den Schreibvorgang der Daten in den Speicher zu ermöglichen, der typischerweise einen Schritt des Löschens, gefolgt von einem Schritt des Programmierens umfasst.
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Hier ist zu erwähnen, dass eine Speicherzelle vom Typ EEPROM einen Transistor umfasst, der auf herkömmliche Weise ein Steuergate, ein schwebendes Gate, einen Drain-Bereich und einen Source-Bereich umfasst.
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Eine solche Zelle ist löschbar und programmierbar durch Fowler-Nordheim-Effekt.
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Wie vorher angeführt, umfasst das Schreiben eines Datums in eine solche Zelle vom Typ EEPROM im Allgemeinen einen Schritt des Löschens, der vor einem Schritt des Programmierens erfolgt.
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In dem Löschschritt werden Drain und Source des Transistors an die Masse gekoppelt, und wird an das Steuergate eine Steuerspannung mit einem Löschwert von typischerweise ungefähr 15 Volt angelegt.
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Was die Programmierung der Zelle betrifft, erfolgt sie auf herkömmliche Weise durch Verbinden des Steuergates mit der Masse und Anlegen einer Programmierspannung an den Drain von typischerweise ebenfalls ungefähr 15 Volt. Was die Source betrifft, kann die Source entweder schwebend gelassen oder auf eine Vorladespannung ungleich Null vorgeladen werden.
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Obwohl eine Speicherzelle vom Typ EEPROM zwei Hauptfunktionsmodi besitzt, nämlich einen Lesemodus und einen Schreibmodus, ist der Schreibvorgang der erste, der fehlerhaft ist, wenn die Versorgungsspannung Vdd abnimmt, bis sie ein sehr niedriges Niveau erreicht. Der Schritt des Löschens oder der Schritt des Programmierens erfordert nämlich die interne Erzeugung der hohen Spannung von typischerweise 15 Volt durch mehrere Ladepumpenstufen.
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Während somit der Lesevorgang funktionell bis zu 1,3 Volt richtig sein kann, wird der Schreibvorgang im Allgemeinen bis zu 1,6 Volt als richtig betrachtet und kann dann von 1,6 Volt auf 1,4 Volt herabgestuft werden, um sofort als fehlerhaft unter 1,4 Volt betrachtet zu werden.
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Überdies kann eine Zelle, die in einem herabgestuften Betriebsmodus geschrieben wird, zum Zeitpunkt t=0 richtig gelesen werden und dann sofort danach fehlerhaft sein.
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2 stellt einen Schreibvorgang dar, der durch die Verwendung eines Löschimpulses 1MP1, gefolgt von einem Programmierimpuls 1MP2 eingesetzt wird. Der Maximalwert der Dauer des Schreibvorgangs, der im Wesentlichen gleich der Summe der Dauern der Impulse 1MP1 und 1MP2 ist, befindet sich in den Spezifikationen des Speichers.
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Jeder Impuls Spannung/Zeit weist eine Rampe auf, die den Tunnelstrom der Zelle kontrolliert, gefolgt von einer Fläche PLT, typischerweise auf einem Nominalniveau von 15 Volt.
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3 ist eine Zoom-Ansicht eines der Impulse IMP1 oder IMP2, und dieser Impuls IMPN stellt hier einen Nominalimpuls mit Trapezform mit einer Fläche mit Nominalmerkmalen PLTN dar. Im Nominalfall ist die Dauer des Impulses IMPN feststehend, beispielsweise gleich 1,5 ms, und ist die Dauer der Fläche PLTN beispielsweise gleich 1 ms.
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Wie vorher angeführt, ist es, während der Schreibvorgang im Allgemeinen einen Löschschritt, gefolgt von einem Programmierschritt umfasst, in manchen Fällen möglich, dass ein einziger Lösch- oder Programmierschritt notwendig ist, um ein Wort in den Speicher zu schreiben.
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Wenn somit das zu schreibende Wort nur „0“ enthält, ist nur ein Löschschritt erforderlich.
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Ebenso, wenn das Wort 0F (in Hexadezimalschreibweise) durch das Wort 1F ersetzt werden soll, ist der Löschschritt unnötig.
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Wie vorher angeführt, umfassen die Mittel zur Erzeugung der Hochspannung, die die Erzeugung der Impulse IMP1 und/oder IMP2 ermöglichen, eine oder mehrere Ladepumpenstufen, die einer Ladepumpenregulierung, umfassend beispielsweise einen Oszillator, zugeordnet sind.
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Die Regulierung ermöglicht es, die Ausgangsspannung der Ladepumpe zu kontrollieren. Der Oszillator wird gestoppt, wenn der Ausgang der Ladepumpe eine obere Referenz überschreitet. Die Ausgangsspannung der Ladepumpe beginnt nun auf Grund des Ladens abzunehmen. Sobald die Ausgangsspannung der Ladepumpe geringer als eine untere Referenz ist, startet der Oszillator wieder. Der Spannungsunterschied zwischen den unteren und oberen Referenzen (Hysterese) sichert die Stabilität. Dieser Spannungsunterschied beträgt beispielsweise ungefähr 100 Millivolt.
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Das Regulierungsniveau der Ladepumpe ist beispielsweise das Spannungsniveau der Fläche PLT, beispielsweise 15 Volt. Die Laderampe wird beispielsweise durch einen analogen Integrator erzeugt, der am Eingang die Flächenspannung aufnimmt.
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Die Dauer des Impulses (Rampe + Fläche) wird durch ein analoges oder digitales Chronometer („timer“) gesteuert.
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Zum Beispiel kann ein digitales Chronometer einen Oszillator mit feststehender Frequenz umfassen, der an deinen Zähler angeschlossen ist. Der Zähler startet, wenn die Ladepumpe startet, und das Ende des Zählens kennzeichnet das Ende des Impulses.
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Wie dies herkömmlich ist, wird der Programmier- oder Löschimpuls, der von der oder den Ladepumpenstufen und der zugehörigen Regulierung erzeugt wird, an eine Schaltung angelegt, die eine kapazitive Ladung sowie Leckageströme aufweist.
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Wenn die Versorgungsspannung sinkt, sinkt die Ausgangsfächerung der Ladepumpe stark.
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Und wenn die Ausgangsfächerung der Ladepumpe schwach ist, kann ihr Strom beispielsweise geringer als der für die kapazitive Ladung erforderliche Strom sein, in welchem Fall die Rampe einen Verlauf wie den in 4 dargestellten annimmt, wobei sie sich verlangsamt und eine gekrümmte Form annimmt, wobei die Fläche natürlich verkürzt wird.
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Wenn die Ausgangsfächerung der Ladepumpe schwach ist, kann ihr Strom auch geringer als die Leckageströme sein, und die Nominalspannung der Fläche wird in diesem Fall nicht erreicht.
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Diese beiden Alternativen können auch kumulieren.
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Nach einem Aspekt der Erfindung wird der richtige oder falsche Ablauf des Schreibvorgangs eines Datums in eine Speicherzelle und ganz allgemein der richtige Ablauf des Schreibens mindestens eines Wortes in die Speicherebene PM, wobei während des Schreibvorgangs die Form des Löschimpulses und/oder des Programmierimpulses während des entsprechenden Lösch- und/oder Programmierschrittes analysiert wird.
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In diesem Zusammenhang kann diese Formanalyse vorteilhafterweise durch eine Bestimmung der Dauer der Fläche des entsprechenden Impulses eingesetzt werden.
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So ist eine Fläche, die eine kürzere Dauer als die Grenzdauer hat, für einen falschen Ablauf des Schreibvorgangs repräsentativ.
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Um diese Dauer der Fläche zu bestimmen, kann beispielsweise der Zeitpunkt des Auftretens der Fläche, d.h. der Zeitpunkt, zu dem die Rampe endet, d.h. der Zeitpunkt, zu dem das Spannungsniveau des Impulses das Niveau der Fläche erreicht, bestimmt werden.
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Und dies ist insbesondere deshalb möglich, weil der Schaltkreis zur Erzeugung des Lösch- oder Programmierimpulses die Erfassung des Zeitpunktes ermöglicht, zu dem die Fläche erreicht ist, d.h. des Zeitpunktes, zu dem die momentane Amplitude des Impulses während der Rampe den festgesetzten maximalen Amplitudensollwert des Impulses (der jener der Fläche ist) erreicht.
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Nun kann dieser Zeitpunkt des Auftretens mit einem Referenzzeitpunkt verglichen werden, der einen Prozentsatz der Dauer des entsprechenden Impulses, beispielsweise 80% der Dauer eines Nominalimpulses, entspricht.
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Und wenn dieser Zeitpunkt des Auftretens kleiner oder gleich dem Referenzzeitpunkt ist, wird in diesem Fall der Ablauf des Schreibvorgangs als richtig betrachtet, während, wenn dieser Zeitpunkt des Auftretens größer als der Referenzzeitpunkt ist, wird in diesem Fall der Ablauf des Schreibvorgangs als unrichtig betrachtet.
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Dies ist detaillierter insbesondere unter Bezugnahme auf die 4 und 5 dargestellt.
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In diesen Figuren wird angenommen, dass eine Situation mit geringer Versorgungsspannung vorhanden ist, die zu einer Begrenzung der Ladepumpe führt.
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Wie vorher erklärt, ist die Rampe nun langsamer als die gerade Rampe des Nominalfalles und hat die Form einer Ladekurve eines kapazitiven Widerstandskreises RC.
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In diesen beiden Figuren bezeichnet treg den Zeitpunkt des Auftretens der Fläche und bezeichnet tref den Referenzzeitpunkt gleich einem Prozentsatz der Nominaldauer eines Impulses, beispielsweise 80% von 1,5 ms.
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In 4 ist zu sehen, dass sich der Zeitpunkt des Auftretens treg der Fläche PLTB des Impulses IMPB vor dem Zeitpunkt tref befindet. In diesem Fall wird die Dauer der Fläche PLTB als ausreichend betrachtet, um ein richtiges Schreiben des Wortes in den Speicher zu gewährleisten.
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In dieser Situation wird der Ablauf des Schreibvorgangs somit als richtig betrachtet.
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In 5 hingegen befindet sich der Zeitpunkt des Auftretens treg der Fläche PTM des Impulses IMPM nach dem Referenzzeitpunkt tref.
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Folglich ist die Dauer der Fläche PLTM nicht ausreichend, um ein richtiges Schreiben des Wortes in den Speicher zu gewährleisten, und somit wird der Schreibvorgang als einen unrichtigen Ablauf aufweisend betrachtet.
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Der Referenzzeitpunkt tref wird beispielsweise im Werk bei der Kennzeichnungsphase des Speichers bestimmt.
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Wie in 6 dargestellt, umfassen in der Praxis die Analysemittel MAL, die dazu vorgesehen sind, die Form des Lösch- und/oder Programmierimpulses zu analysieren, ein Erfassungsmodul MCM, das dazu vorgesehen ist, den Zeitpunkt treg auf Basis der Ausgangsspannung der Einheit PCH (Ladepumpe + Regulierung) zu erfassen.
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Zu diesem Zeitpunkt wird der Wert des Zählers CPT abgelesen und beispielsweise in einer Kippschaltung gespeichert.
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Ein Komparator CMP vergleicht nun diesen Wert des Zählers zum Referenzzeitpunkt tref und liefert nun den Hinweis IND, der für einen richtigen Ablauf des Schreibvorgangs oder nicht repräsentativ ist.
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Dieser Hinweis IND kann beispielsweise ein Bit sein, das den Wert „1“ für einen unrichtigen Ablauf und den Wert „0“ für einen richtigen Ablauf des Schreibvorgangs annimmt.
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Wenn sich somit beispielsweise die Nominaldauer eines Lösch- und/oder Schreibimpulses in einem Zähler mit einem Wert gleich 1024 zeigt, kann der Zeitpunkt tref als mit einem Zählerwert gleich 800 gleichwertig betrachtet werden.
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Der Wert des Bits IND kann durch einen Bus vom Typ STI beispielsweise unter Verwendung eines der nicht verwendeten Bits eines Statuswortes, das in dem Statusregister SRG vorhanden ist, zugänglich sein.
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Dieses Bit IND kann ein bei jedem Anhalten der Funktion des Geräts APP auf „0“ gesetztes flüchtiges Bit sein.
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Wie vorher angeführt, wenn der dem EEPROM-Speicher zugeordnete Mikrokontroller das Vorhandensein eines Bits IND gleich „1“ erfasst, kann er in diesem Fall beschließen, ein oder mehrere „Pieptöne“ und/oder einen spezifischen Satz über den Lautsprecher HP zu entsenden, die dem Benutzer anzeigen, dass die Batterie dringend getauscht werden muss. Der Mikrokontroller kann auch beschließen, jede neue Schreibsteuerung in den EEPROM-Speicher zu untersagen, um jede Fehlfunktion zu verhindern.
