WO2015117947A1 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung - Google Patents

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WO2015117947A1
WO2015117947A1 PCT/EP2015/052176 EP2015052176W WO2015117947A1 WO 2015117947 A1 WO2015117947 A1 WO 2015117947A1 EP 2015052176 W EP2015052176 W EP 2015052176W WO 2015117947 A1 WO2015117947 A1 WO 2015117947A1
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chip
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contact
optoelectronic component
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PCT/EP2015/052176
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Christian GATZHAMMER
Martin Brandl
Tobias Gebuhr
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Publication date
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    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • the present invention relates to an optoelectronic component according to patent claim 1 and to a method for producing an optoelectronic component according to patent claim 11.
  • the dependent claims specify various developments.
  • An optoelectronic component comprises an optoelectronic ⁇ African semiconductor chip having a first electrical contact and a second electrical contact, a first conductor frame portion having a first chip contact surface and the first chip contact surface opposite first Lötkon ⁇ tact surface, and a second lead frame portion, a second Chip contact surface and one of the second chip ⁇ contact surface opposite second solder pad has up.
  • the first electrical contact is electrically conductively connected to the first chip contact surface and the second electrical contact electrically conductively connected to the second chip ⁇ contact surface.
  • the first lead frame portion and the second lead frame portion are so embedded in a housing that at least parts of the first solder pad and the second solder pad on an underside of Ge ⁇ reheatuses are accessible.
  • solder stop element is arranged which extends between the first solder pad and the second solder pad.
  • solder resist ⁇ element causes the underside of the housing of this optoelectronic component arranged solder resist ⁇ element an electrical insulation between the first solder ⁇ pad of the first lead frame portion and the two ⁇ th solder pad of the second lead frame portion.
  • the arranged on the underside of the housing solder resist also prevents in particular a flow of solder between the first solder pad and the second LötWallet ⁇ surface of the optoelectronic device. As a result, an undesired short circuit between the first solder contact area and the second solder contact area of the optoelectronic component is advantageously prevented.
  • the first solder pad and the second solder contact ⁇ surface have a spacing of less than 200 ym.
  • the opto-electronic device thereby be made very compact.
  • the opto ⁇ electronic semiconductor chip of the optoelectronic component can be made very compact, since the optoelectronic semiconductor chip only a distance of less than 200 ym between the first solder contact surface of the first lead frame and the second LötWallet formula the second Lei ⁇ terrahmenab songs of the optoelectronic device via ⁇ must bridge.
  • the solder stop element partially covers the first solder contact area and / or the second solder contact area.
  • Stötstoppelement characterized a wirksa ⁇ men distance between the first solder pad and the second solder pad, resulting in an undesirable short circuit between the first solder pad and the second solder pad of the optoelectronic component advantageous ⁇ adhesive enough, despite a small distance between the first solder pad and the second solder pad can be prevented.
  • the solder stop element has an edge length of at least 200 ym.
  • this can largely undge ⁇ provides that there is no flow of solder between the first solder pad and the second solder pad and thereby to an electrical short circuit between the first solder pad and the second solder pad of the optoelectronic device during a surface mounting of the optoelectronic device.
  • the optoelectronic component In one embodiment of the optoelectronic component, the first solder pad and the second clock Lötkon ⁇ surface flush with the underside of the housing. In front- Partially, the optoelectronic component is thereby particularly well suited for surface mounting.
  • the housing has a cavity on an upper side opposite the underside. In this case, at least parts of the first chip contact area and the second chip contact area in the cavity are accessible.
  • the optoelectronic semiconductor chip is arranged in the cavity.
  • the cavity of the housing of the optoelectronic component can serve for a mechanical protection of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the cavity can serve as an optical reflector for electromagnetic radiation emitted by the optoelectronic semiconductor chip of the optoelectronic component.
  • the cavity may also serve for receiving the optoelekt ⁇ tronic semiconductor chip einbettendem potting material.
  • a potting material is arranged in the cavity.
  • the molding material may also include embedded converter particles which are intended to convert a wavelength of a light emitted by the optoelekt ⁇ tronic semiconductor chip electromagnetic radiation.
  • the first electrical contact and the second electrical contact are arranged on a common surface of the optoelectronic semiconductor chip.
  • the optoelectronic half ⁇ conductor chip may be formed, for example, as a flip chip.
  • the optoelectronic semiconductor chip is designed as volume-emitting formed sapphire flip chip.
  • the optoelectronic semiconductor chip can thereby be formed with particularly compact dimensions.
  • the surface of the optoelectronic semiconductor chip having the electrical contacts faces the chip contact surfaces.
  • the electrical contacts may be connected via solder connections to the chip contact surfaces. A use of bonding wires is advantageously not required.
  • a method of manufacturing an optoelectronic device comprising the steps of embedding a first lead frame portion having a first solder pad and a second lead frame portion having a second solder contact ⁇ surface in a housing such that at least parts of the first solder pad and the second solder pad remain accessible to an underside of the housing , And for arranging a Lötstoppelements at the bottom of the housing between see the first solder pad and the second LötWallet ⁇ area.
  • this method makes it possible to produce an optoelectronic component with extremely compact dimensions.
  • this comprises a further step for arranging an optoelectronic semiconductor chip in a cavity on a top side of the housing opposite the underside.
  • the optoelectronic semiconductor chip can be formed with extremely compact external dimensions.
  • the Lötstoppele ⁇ ment will be applied ⁇ on the underside of the housing as a solder resist.
  • the method is characterized ⁇ cost feasible and is suitable for a Massen.i ⁇ on.
  • the solder stop element is arranged by means of a mask.
  • the method is thereby simple and inexpensive to carry out and is suitable for mass production.
  • the method is therefore easy and kos ⁇ -effectively carried out and is suitable for a mass pro ⁇ production.
  • 1 is a sectional side view of a optoelektroni ⁇ rule component.
  • Fig. 2 is a sectional side view of the optoelectronic device after mounting on a circuit board.
  • Fig. 1 shows a schematic sectional side view of egg ⁇ nes optoelectronic component 10.
  • the optoelectronic component 10 can be for example a light-emitting diode device.
  • the optoelectronic component 10 has an optoelectronic ⁇ African semiconductor chip 100.
  • the optoelectronic semi ⁇ conductor chip 100 can be for example a light emitting diode chip (LED chip).
  • the optoelectronic semiconductor chip 100 may be formed, for example, as a flip chip. In particular, the optoelectronic semiconductor chip 100 may be formed, for example, as a volume-emitting sapphire flip-chip.
  • the optoelectronic semiconductor chip 100 has an TERMS ⁇ onsseite one hundred and first
  • the optoelectronic semiconductor chip 100 is adapted at its emitting side 101 ⁇ electro magnetic radiation, for example visible light to emit.
  • the optoelectronic semiconductor chip 100 is designed as a volume emitter, then the optoelectronic ⁇ African semiconductor chip 100 except on the emission side 101 to emit electromagnetic radiation on other surfaces.
  • the optoelectronic semiconductor chip 100 has a EMIS ⁇ sion side 101 opposite contact side 102nd On the contact side 102 of the optoelectronic semiconductor chip 100, a first electrical contact 110 and a second electrical contact 120 are arranged. Between the first electrical contact 110 and the second electrical contact 120, an electrical voltage can be applied to the optoelectronic semiconductor chip 100 in order to cause the optoelectronic semiconductor chip 100 to emit electromagnetic radiation.
  • the first electrical contact 110 may be formed, for example, as an anode.
  • the second electrical ⁇ specific contact 120 may be formed for example as a cathode. But it can also be the first electrical contact 110 as Cathode and the second electrical contact 120 may be formed as an anode ⁇ .
  • the optoelectronic component 10 has a housing 400.
  • the housing 400 has an electrically insulating mate rial ⁇ , preferably a plastic material.
  • the housing 400 may comprise an epoxy resin.
  • the housing 400 can be produced, for example, by a molding process (molding process), in particular, for example, by an injection molding process (injection molding).
  • the housing 400 has a top surface 401 and one of the upper ⁇ side 401 opposite bottom 402. At the upper ⁇ page 401 of the housing 400. This has a cavity 410th
  • the cavity 410 may be formed, for example, as a funnel-shaped (conically) tapered recess.
  • a first leadframe section 200 and a second leadframe section 300 are embedded.
  • the first Porterrahmenab ⁇ section 200 and the second leadframe portion 300 each comprise an electrically conductive material, preferably a metal.
  • the first lead frame portion 200 and the second lead frame portion 300 are spaced apart and electrically insulated from each other.
  • the first Porterrahmenab ⁇ section 200 and the second lead frame section 300 are preferably already embedded during the manufacture of the housing 400 in the material of the housing 400.
  • the first conductor ⁇ frame section 200 and the second lead frame section 300 may be formed by sections of a common lead frame.
  • the first conductor frame portion 200 has a first Chipkon ⁇ clock face 210 and one of the first chip contact surface 210 overall genüberovide first solder pad 220th
  • Lead frame portion 300 has a second chip contact surface 310 and a second chip contact surface 310 decadelie ⁇ constricting second solder pad 320 on.
  • the first chip contact "
  • die bond pads 210, 310 of the lead frame portions 200, 300 and the solder contact ⁇ surfaces 220, 320 of the lead frame portions 200, 300 are in each case at least partially not covered by the material of the Gezzau ⁇ ses 400th
  • the Chipkon ⁇ clock surfaces 210, 310 are of the lead frame portions 200, 300 oriented in the same direction in space as the top surface 401 of the housing 400th
  • the first solder contact surface 220 and the second solder contact surface 320 preferably terminate flush with the underside 402 of the housing 400.
  • the solder contact ⁇ surfaces 220, 320 of the lead frame portions 200, 300 of the optoelectronic component 10 are for electrical contact clocking of the optoelectronic component 10.
  • the optoelectronic component 10 may be suitable, for example, for surface mounting. In this case, the solder pads 220, 320 may be electrically contacted by, for example, reflow soldering.
  • the optoelectronic semiconductor chip 100 of the optoelectronic component 10 is arranged in the cavity 410 of the housing 400 above the first chip contact surface 210 of the first leadframe section 200 and the second chip contact surface 310 of the second leadframe section 300.
  • the contact side 102 of the optoelectronic semiconductor chip 100 faces the chip contact surfaces 210, 310.
  • the emission side 101 of the optoelectronic semiconductor chip 100 is oriented in the same spatial direction as the top side 401 of FIG Housing 400.
  • On the emission side 101 of the optoelectronic semiconductor chip 100 ⁇ 's emitted electromagnetic
  • the first electrical contact 110 on the contact side 102 of the optoelectronic semiconductor chip 100 is electrically conductively connected to the first chip contact surface 210 of the first conductor frame section 200.
  • the second electrical contact 120 on the contact side 102 of the optoelectronic semiconductor chip 100 is electrically connected to the second die pad ⁇ surface 310 of the second lead frame portion 300 of the opto ⁇ electronic component 10 is connected.
  • the connection between the electrical contacts 110, 120 and the chip contact surfaces 210, 310 may comprise, for example, an electrically conductive solder or an electrically conductive adhesive.
  • the first chip contact surface 210 of the first Porterrahmenab ⁇ section 200 and the second chip contact surface 310 of the second lead frame section 300 have a distance 250 voneinan ⁇ on.
  • the distance 250 is preferably less than 200 ym.
  • the first electrical contact 110 and the second electrical contact 120 of the optoelectronic half ⁇ conductor chip 100 may have a small distance from each other, which makes it possible to form the optoelectronic semiconductor chip 100 with small dimensions.
  • the first electrical contact 110 of the optoelectronic semiconductor chip 100 and the second electrical contact 120 of the optoelectronic semiconductor chip 100 preferably also have a distance of less than 200 ⁇ m from one another.
  • the first solder contact surface 220 and the second solder contact surface 320 may also be a small distance apart.
  • the distance between the first solder pad 220 and the second solder pad 320 may be substantially the distance 250 between the first chip pad 210 and the second chip pad 310.
  • a solder stop element 500 is arranged, which extends between the first solder pad 220 and the second solder pad 320.
  • the Lötstoppelement 500 be ⁇ covers a part of the first solder pad 220, a part of the bottom 402 of the housing 400 and part of the second solder pad 320.
  • 500 includes the Lötstoppelement in a connection direction between the first solder pad 220 and the second solder pad 320 has a Edge length 510.
  • the edge length 510 is greater than the distance 250 between the chip contact surfaces 210, 310.
  • the edge length 510 is greater than 200 ym.
  • the Lötstoppelement 500 includes an electrically insulating Ma ⁇ material which has is not wetted by solder.
  • the Lötstoppele ⁇ element 500 may be 400 angeord ⁇ net, for example by means of a mask in the form of solder resist on the underside 402 of the housing.
  • a potting material 420 is arranged in the cavity 410 of the housing 400 of the optoelectronic component 10.
  • the optoelectronic semiconductor chip 100 is embedded in the Vergussmate ⁇ rial 420.
  • the potting material 420 may, for example ⁇ have a silicone.
  • the potting material 420 may serve to protect the optoelectronic semiconductor chip 100 from being damaged by external mechanical influences.
  • the molding material 420 may also include embedded Kon ⁇ verterpizate, which are intended to convert a Wel ⁇ lenmother an emitted by the optoelectronic semiconductor chip 100 electromagnetic radiation.
  • embedded in the potting material 420 converter particles may be adapted to convert elekt ⁇ romagnetician radiation having a wavelength in the ultra-violet or blue spectral ⁇ in white light.
  • the potting 420 may also have other embedded ⁇ particles, such as scattering particles.
  • the potting material 420 can also completely ent ⁇ fall.
  • the arranged at the bottom 402 of the housing 400 of the optoelectronic component 10 Lötstoppelement ⁇ rule 500 may serve as a reflector for light emitted by the optoelectronic semiconductor chip 100 toward the bottom 402 of the housing 400 electromagnetic radiation.
  • the electromagnetic radiation reflected Gezzau ⁇ se 400 of the optoelectronic component 10 again pres ⁇ fen and are radiated at the top 401 of the housing 400th As a result, light losses of the optoelectronic component 10 can advantageously be reduced.
  • Fig. 2 shows a further schematic sectioned soan ⁇ view of the optoelectronic component 10.
  • the optoelectronic component 10 is arranged on a printed circuit board 600.
  • the PCB 600 can also be as a circuit board or PCB be ⁇ records.
  • a first solder contact surface 610 and a second solder contact surface 620 are arranged on a top side of the printed circuit board 600.
  • the first solder pad 610 and the second solder pad 620 can represent ⁇ asked conductors and other electrically conductive connections to be connected to other circuit parts on in FIG. 2 does not.
  • the optoelectronic component 10 is arranged above the upper side of the printed circuit board 600 ⁇ that the bottom 402 of the housing 400 of the optoelectronic component 10 faces the upper surface of the circuit board 600th
  • the first solder pad 220 of the first lead frame portion 200 of the optoelectronic component 10 is electrically conductively connected to the first solder pad 610 of the printed circuit board 600 ver ⁇ prevented.
  • the second solder contact surface 320 of the second conductor ⁇ frame portion 300 of the optoelectronic device 10th is electrically conductively connected to the second solder pad 620 of the circuit board 600.
  • solder pads 220, 320 of the optoelectronic component 10 can ⁇ example, by reflow soldering (reflow soldering), or any other method of surface mounting with the Lötkon ⁇ clock surfaces 610, 620 have been connected to the circuit board 600th
  • the first solder pad 610 and the second solder pad 620 of the circuit board 600 have a spacing 630 vonei ⁇ Nander.
  • the magnitude of the distance 630 preferably corresponds approximately to the edge length 510 of the Lötstoppelements 500. Insbeson ⁇ particular, the distance 630 between the solder pads 610, 620 of the circuit board 600 is preferably greater than 200 ym.
  • the solder joints between the solder contact areas 220, 320 of the optoelectronic component 10 and the solder pads 610, 620 of the circuit board 600 prevents solder between the first solder pad 610 and the second solder pad 620 of the circuit board 600 or zwi ⁇ tween the first solder pad 220 and the second Lötkon ⁇ contact surface 320 of the optoelectronic device 10 passes and causes a short circuit between the first solder pads 220, 610 and the second solder pads 320, 620.

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Abstract

Ein optoelektronisches Bauelement (10) umfasst einen Halbleiterchip (100) mit einem ersten elektrischen Kontakt und einem zweiten elektrischen Kontakt, einen ersten Leiterrahmenabschnitt (200), der eine erste Chipkontaktfläche (210) und eine der ersten Chipkontaktfläche gegenüberliegende erste Lötkontaktfläche (220) aufweist, und einen zweiten Leiterrahmenabschnitt (300), der eine zweite Chipkontaktfläche (310) und eine der zweiten Chipkontaktfläche gegenüberliegende zweite Lötkontaktfläche (320) aufweist. Der erste elektrische Kontakt ist elektrisch leitend mit der ersten Chipkontaktfläche verbunden. Der zweite elektrische Kontakt ist elektrisch leitend mit der zweiten Chipkontaktfläche verbunden. Der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt sind derart in ein Gehäuse eingebettet, dass zumindest Teile der ersten Lötkontaktfläche und der zweiten Lötkontaktfläche an einer Unterseite des Gehäuses zugänglich sind. An der Unterseite des Gehäuses ist ein Lötstoppelement (500) angeordnet, das sich zwischen der ersten Lötkontaktfläche und der zweiten Lötkontaktfläche erstreckt.

Description

Beschreibung
Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Her¬ stellung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement gemäß Patentanspruch 1 sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß Patentanspruch 11.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2014 101 556.8, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Es ist bekannt, dass bei für eine Oberflächenmontage vorgese¬ henen elektronischen und optoelektronischen Bauelementen ( SMD-Bauelementen) einander benachbarte Lötkontaktflächen einen Mindestabstand von 200 ym nicht unterschreiten sollten. Andernfalls kann es während einer Lötmontage des Bauelements zu einem Zusammenfließen von Lot und dadurch zu einem
elektrischen Kurzschluss zwischen den elektrischen Kontaktflächen kommen. Weiter ist es bekannt, elektrische Kontakt¬ flächen von SMD-Bauelementen durch in ein Kunststoffgehäuse eingebettete Leiterrahmenabschnitte zu bilden. Elektronische und optoelektronische Halbleiterchips solcher Bauelemente können derart auf den Leiterrahmenabschnitten angeordnet werden, dass elektrische Kontaktflächen der Halbleiterchips un¬ mittelbar mit den Leiterrahmenabschnitten verbunden sind. Da der erforderliche Mindestabstand zwischen den Lötkontaktflä- chen im Stand der Technik einen Mindestabstand zwischen den Leiterrahmenabschnitten festlegt, ergibt sich hieraus auch eine Mindestgröße des Halbleiterchips, die einer weiteren Mi¬ niaturisierung im Wege steht. Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkma¬ len des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorlie- genden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 11 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Wei- terbildungen angegeben.
Ein optoelektronisches Bauelement umfasst einen optoelektro¬ nischen Halbleiterchip mit einem ersten elektrischen Kontakt und einem zweiten elektrischen Kontakt, einen ersten Leiter- rahmenabschnitt, der eine erste Chipkontaktfläche und eine der ersten Chipkontaktfläche gegenüberliegende erste Lötkon¬ taktfläche aufweist, und einen zweiten Leiterrahmenabschnitt, der eine zweite Chipkontaktfläche und eine der zweiten Chip¬ kontaktfläche gegenüberliegende zweite Lötkontaktfläche auf- weist. Dabei ist der erste elektrische Kontakt elektrisch leitend mit der ersten Chipkontaktfläche und der zweite elektrische Kontakt elektrisch leitend mit der zweiten Chip¬ kontaktfläche verbunden. Der erste Leiterrahmenabschnitt und der zweite Leiterrahmenabschnitt sind derart in ein Gehäuse eingebettet, dass zumindest Teile der ersten Lötkontaktfläche und der zweiten Lötkontaktfläche an einer Unterseite des Ge¬ häuses zugänglich sind. An der Unterseite des Gehäuses ist ein Lötstoppelement angeordnet, das sich zwischen der ersten Lötkontaktfläche und der zweiten Lötkontaktfläche erstreckt. Vorteilhafterweise bewirkt das an der Unterseite des Gehäuses dieses optoelektronischen Bauelements angeordnete Lötstopp¬ element eine elektrische Isolation zwischen der ersten Löt¬ kontaktfläche des ersten Leiterrahmenabschnitts und der zwei¬ ten Lötkontaktfläche des zweiten Leiterrahmenabschnitts. Das an der Unterseite des Gehäuses angeordnete Lötstoppelement verhindert außerdem insbesondere ein Verfließen von Lot zwischen der ersten Lötkontaktfläche und der zweiten Lötkontakt¬ fläche des optoelektronischen Bauelements. Dadurch wird ein unerwünschter Kurzschluss zwischen der ersten Lötkontaktflä- che und der zweiten Lötkontaktfläche des optoelektronischen Bauelements vorteilhafterweise verhindert. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weisen die erste Lötkontaktfläche und die zweite Lötkontakt¬ fläche einen Abstand von weniger als 200 ym auf. Vorteilhaf¬ terweise kann das optoelektronische Bauelement dadurch sehr kompakt ausgebildet sein. Insbesondere kann auch der opto¬ elektronische Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements sehr kompakt ausgebildet sein, da der optoelektronische Halbleiterchip lediglich einen Abstand von weniger als 200 ym zwischen der ersten Lötkontaktfläche des ersten Leiterrahmen- abschnitts und der zweiten Lötkontaktfläche des zweiten Lei¬ terrahmenabschnitts des optoelektronischen Bauelements über¬ brücken muss.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements bedeckt das Lötstoppelement die erste Lötkontaktfläche und/oder die zweite Lötkontaktfläche teilweise. Vorteilhaf¬ terweise vergrößert das Lötstoppelement dadurch einen wirksa¬ men Abstand zwischen der ersten Lötkontaktfläche und der zweiten Lötkontaktfläche, wodurch ein unerwünschter Kurz- schluss zwischen der ersten Lötkontaktfläche und der zweiten Lötkontaktfläche des optoelektronischen Bauelements vorteil¬ hafterweise trotz eines geringen Abstands zwischen der ersten Lötkontaktfläche und der zweiten Lötkontaktfläche verhindert werden kann.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Lötstoppelement eine Kantenlänge von mindestens 200 ym auf. Vorteilhafterweise kann dadurch weitgehend sicherge¬ stellt werden, dass es während einer Oberflächenmontage des optoelektronischen Bauelements nicht zu einem Verfließen von Lot zwischen der ersten Lötkontaktfläche und der zweiten Lötkontaktfläche und dadurch zu einem elektrischen Kurzschluss zwischen der ersten Lötkontaktfläche und der zweiten Lötkontaktfläche des optoelektronischen Bauelements kommt.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements schließen die erste Lötkontaktfläche und die zweite Lötkon¬ taktfläche bündig mit der Unterseite des Gehäuses ab. Vor- teilhafterweise eignet sich das optoelektronische Bauelement dadurch besonders gut für eine Oberflächenmontage.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements weist das Gehäuse an einer der Unterseite gegenüberliegenden Oberseite eine Kavität auf. Dabei sind zumindest Teile der ersten Chipkontaktfläche und der zweiten Chipkontaktfläche in der Kavität zugänglich. Der optoelektronische Halbleiterchip ist in der Kavität angeordnet. Vorteilhafterweise kann die Kavität des Gehäuses des optoelektronischen Bauelements einem mechanischen Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips dienen. Außerdem kann die Kavität als optischer Reflektor für durch den optoelektronischen Halbleiterchip des optoelektronischen Bauelements emittierte elektromagnetische Strahlung dienen. Die Kavität kann auch zur Aufnahme von den optoelekt¬ ronischen Halbleiterchip einbettendem Vergussmaterial dienen.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist in der Kavität ein Vergussmaterial angeordnet. Vorteil¬ hafterweise kann das Vergussmaterial einen Schutz des opto¬ elektronischen Halbleiterchips vor einer Beschädigung durch äußere mechanische Einwirkungen bewirken. Das Vergussmaterial kann auch eingebettete Konverterpartikel aufweisen, die dazu vorgesehen sind, eine Wellenlänge einer durch den optoelekt¬ ronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements sind der erste elektrische Kontakt und der zweite elektrische Kontakt auf einer gemeinsamen Oberfläche des optoelektronischen Halbleiterchips angeordnet. Der optoelektronische Halb¬ leiterchip kann dabei beispielsweise als Flipchip ausgebildet sein. Vorteilhafterweise ergibt sich dadurch eine besonders kompakte Ausführung des optoelektronischen Halbleiterchips und des optoelektronischen Bauelements.
In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist der optoelektronische Halbleiterchip als volumenemittie- render Saphir-Flipchip ausgebildet. Vorteilhafterweise kann der optoelektronische Halbleiterchip dadurch mit besonders kompakten Abmessungen ausgebildet sein. In einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die die elektrischen Kontakte aufweisende Oberfläche des optoelektronischen Halbleiterchips den Chipkontaktflächen zugewandt. Dadurch können direkte elektrisch leitende Verbindungen zwischen den elektrischen Kontakten des optoelektroni- sehen Halbleiterchips und den Chipkontaktflächen der Leiterrahmenabschnitte des optoelektronischen Bauelements bestehen. Beispielsweise können die elektrischen Kontakte über Lötverbindungen mit den Chipkontaktflächen verbunden sein. Eine Verwendung von Bonddrähten ist vorteilhafterweise nicht er- forderlich.
Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Einbetten eines ersten Leiterrahmenabschnitts mit einer ersten Lötkontaktfläche und eines zweiten Leiterrahmenabschnitts mit einer zweiten Lötkontakt¬ fläche in ein Gehäuse derart, dass zumindest Teile der ersten Lötkontaktfläche und der zweiten Lötkontaktfläche an einer Unterseite des Gehäuses zugänglich bleiben, und zum Anordnen eines Lötstoppelements an der Unterseite des Gehäuses zwi- sehen der ersten Lötkontaktfläche und der zweiten Lötkontakt¬ fläche. Vorteilhafterweise ermöglicht dieses Verfahren eine Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit äußerst kompakten Abmessungen. Dabei wird durch das an der Unterseite des Gehäuses angeordnete Lötstoppelement trotz der möglichen kompakten Abmessungen des optoelektronischen Bauelements sichergestellt, dass es während einer Montage des optoelektro¬ nischen Bauelements nicht zu einem Verfließen von Lot zwischen der ersten Lötkontaktfläche und der zweiten Lötkontakt¬ fläche und einem sich daraus ergebenden elektrischen Kurz- schluss zwischen der ersten Lötkontaktfläche und der zweiten Lötkontaktfläche kommt. In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips in einer Kavität an einer der Unterseite gegen- überliegenden Oberseite des Gehäuses. Vorteilhafterweise kann der optoelektronische Halbleiterchip mit äußerst kompakten äußeren Abmessungen ausgebildet sein .
In einer Ausführungsform des Verfahrens wird das Lötstoppele¬ ment als Lötstopplack auf die Unterseite des Gehäuses aufge¬ bracht. Vorteilhafterweise ist das Verfahren dadurch kosten¬ günstig durchführbar und eignet sich für eine Massenprodukti¬ on .
In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Anordnen des Lötstoppelements mittels einer Maske. Vorteilhafterweise ist das Verfahren dadurch einfach und kostengünstig durchführbar und eignet sich für eine Massenproduktion.
In einer Ausführungsform des Verfahrens erfolgt das Einbetten des ersten Leiterrahmenabschnitts und des zweiten Leiterrah¬ menabschnitts in das Gehäuse durch ein Spritzgussverfahren. Vorteilhafterweise ist das Verfahren dadurch einfach und kos¬ tengünstig durchführbar und eignet sich für eine Massenpro¬ duktion .
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung
Fig. 1 eine geschnittene Seitenansicht eines optoelektroni¬ schen Bauelements; und
Fig. 2 eine geschnittene Seitenansicht des optoelektronischen Bauelements nach einer Montage auf einer Leiterplatte. Fig. 1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht ei¬ nes optoelektronischen Bauelements 10. Das optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise ein Leuchtdioden-Bauelement sein.
Das optoelektronische Bauelement 10 weist einen optoelektro¬ nischen Halbleiterchip 100 auf. Der optoelektronische Halb¬ leiterchip 100 kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip (LED- Chip) sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 100 kann beispielsweise als Flipchip ausgebildet sein. Insbesondere kann der optoelektronische Halbleiterchip 100 beispielsweise als volumenemittierender Saphir-Flipchip ausgebildet sein. Der optoelektronische Halbleiterchip 100 weist eine Emissi¬ onsseite 101 auf. Der optoelektronische Halbleiterchip 100 ist dazu ausgebildet, an seiner Emissionsseite 101 elektro¬ magnetische Strahlung, beispielsweise sichtbares Licht, zu emittieren. Falls der optoelektronische Halbleiterchip 100 als Volumenemitter ausgebildet ist, so kann der optoelektro¬ nische Halbleiterchip 100 außer an der Emissionsseite 101 auch an anderen Oberflächen elektromagnetische Strahlung emittieren . Der optoelektronische Halbleiterchip 100 weist eine der Emis¬ sionsseite 101 gegenüberliegende Kontaktseite 102 auf. An der Kontaktseite 102 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 sind ein erster elektrischer Kontakt 110 und ein zweiter elektrischer Kontakt 120 angeordnet. Zwischen dem ersten elektrischen Kontakt 110 und dem zweiten elektrischen Kontakt 120 kann eine elektrische Spannung an den optoelektronischen Halbleiterchip 100 angelegt werden, um den optoelektronischen Halbleiterchip 100 zur Emission elektromagnetischer Strahlung zu veranlassen. Der erste elektrische Kontakt 110 kann bei- spielsweise als Anode ausgebildet sein. Der zweite elektri¬ sche Kontakt 120 kann beispielsweise als Kathode ausgebildet sein. Es kann aber auch der erste elektrische Kontakt 110 als Kathode und der zweite elektrische Kontakt 120 als Anode aus¬ gebildet sein.
Das optoelektronische Bauelement 10 weist ein Gehäuse 400 auf. Das Gehäuse 400 weist ein elektrisch isolierendes Mate¬ rial auf, bevorzugt ein Kunststoffmaterial . Beispielsweise kann das Gehäuse 400 ein Epoxidharz aufweisen. Das Gehäuse 400 kann beispielsweise durch ein Formverfahren (Moldverfah- ren) hergestellt sein, insbesondere beispielsweise durch ein Spritzgussverfahren (Injection Molding).
Das Gehäuse 400 weist eine Oberseite 401 und eine der Ober¬ seite 401 gegenüberliegende Unterseite 402 auf. An der Ober¬ seite 401 des Gehäuses 400 weist dieses eine Kavität 410 auf. Die Kavität 410 kann beispielsweise als sich trichterförmig (konisch) verjüngende Vertiefung ausgebildet sein.
In das Gehäuse 400 des optoelektronischen Bauelements 10 sind ein erster Leiterrahmenabschnitt 200 und ein zweiter Leiter- rahmenabschnitt 300 eingebettet. Der erste Leiterrahmenab¬ schnitt 200 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 300 weisen jeweils ein elektrisch leitendes Material auf, bevorzugt ein Metall. Der erste Leiterrahmenabschnitt 200 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 300 sind voneinander beabstandet und elektrisch gegeneinander isoliert. Der erste Leiterrahmenab¬ schnitt 200 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 300 werden bevorzugt bereits während der Herstellung des Gehäuses 400 in das Material des Gehäuses 400 eingebettet. Der erste Leiter¬ rahmenabschnitt 200 und der zweite Leiterrahmenabschnitt 300 können dabei durch Abschnitte eines gemeinsamen Leiterrahmens gebildet werden.
Der erste Leiterrahmenabschnitt 200 weist eine erste Chipkon¬ taktfläche 210 und eine der ersten Chipkontaktfläche 210 ge- genüberliegende erste Lötkontaktfläche 220 auf. Der zweite
Leiterrahmenabschnitt 300 weist eine zweite Chipkontaktfläche 310 und eine der zweiten Chipkontaktfläche 310 gegenüberlie¬ gende zweite Lötkontaktfläche 320 auf. Die erste Chipkontakt- „
y
fläche 210 und die zweite Chipkontaktfläche 310 können auch als Bondpads bezeichnet werden. Die Chipkontaktflächen 210, 310 der Leiterrahmenabschnitte 200, 300 und die Lötkontakt¬ flächen 220, 320 der Leiterrahmenabschnitte 200, 300 sind je- weils zumindest teilweise nicht durch das Material des Gehäu¬ ses 400 bedeckt.
Teile der ersten Chipkontaktfläche 210 des ersten Leiterrah¬ menabschnitts 200 und Teile der zweiten Chipkontaktfläche 310 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 liegen im Bereich der Kavität 410 des Gehäuses 400 frei. Dabei sind die Chipkon¬ taktflächen 210, 310 der Leiterrahmenabschnitte 200, 300 in dieselbe Raumrichtung orientiert wie die Oberseite 401 des Gehäuses 400.
Teile der ersten Lötkontaktfläche 220 des ersten Leiterrah¬ menabschnitts 200 und der zweiten Lötkontaktfläche 320 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 liegen an der Unterseite 402 des Gehäuses 400 frei. Bevorzugt schließen die erste Löt- kontaktfläche 220 und die zweite Lötkontaktfläche 320 bündig mit der Unterseite 402 des Gehäuses 400 ab. Die Lötkontakt¬ flächen 220, 320 der Leiterrahmenabschnitte 200, 300 des optoelektronischen Bauelements 10 sind zur elektrischen Kon- taktierung des optoelektronischen Bauelements 10 vorgesehen. Das optoelektronische Bauelement 10 kann sich beispielsweise für eine Oberflächenmontage eignen. In diesem Fall können die Lötkontaktflächen 220, 320 beispielsweise durch Wiederauf- schmelzlöten (Reflow-Löten) elektrisch kontaktiert werden. Der optoelektronische Halbleiterchip 100 des optoelektronischen Bauelements 10 ist in der Kavität 410 des Gehäuses 400 über der ersten Chipkontaktfläche 210 des ersten Leiterrahmenabschnitts 200 und der zweiten Chipkontaktfläche 310 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 angeordnet. Dabei ist die Kontaktseite 102 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 den Chipkontaktflächen 210, 310 zugewandt. Dadurch ist die Emissionsseite 101 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 in dieselbe Raumrichtung orientiert wie die Oberseite 401 des Gehäuses 400. An der Emissionsseite 101 des optoelektroni¬ schen Halbleiterchips 100 emittierte elektromagnetische
Strahlung kann an der Oberseite 401 des Gehäuses 400 abge¬ strahlt werden.
Der erste elektrische Kontakt 110 an der Kontaktseite 102 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 ist elektrisch leitend mit der ersten Chipkontaktfläche 210 des ersten Leiterrahmenabschnitts 200 verbunden. Der zweite elektrische Kontakt 120 an der Kontaktseite 102 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 ist elektrisch leitend mit der zweiten Chipkontakt¬ fläche 310 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 des opto¬ elektronischen Bauelements 10 verbunden. Die Verbindung zwischen den elektrischen Kontakten 110, 120 und den Chipkon- taktflächen 210, 310 kann beispielsweise ein elektrisch leitendes Lot oder einen elektrisch leitenden Kleber umfassen.
Die erste Chipkontaktfläche 210 des ersten Leiterrahmenab¬ schnitts 200 und die zweite Chipkontaktfläche 310 des zweiten Leiterrahmenabschnitts 300 weisen einen Abstand 250 voneinan¬ der auf. Der Abstand 250 ist bevorzugt kleiner als 200 ym. Dadurch können auch der erste elektrische Kontakt 110 und der zweite elektrische Kontakt 120 des optoelektronischen Halb¬ leiterchips 100 einen geringen Abstand voneinander aufweisen, was es ermöglicht, den optoelektronischen Halbleiterchip 100 mit geringen Abmessungen auszubilden. Bevorzugt weisen auch der erste elektrische Kontakt 110 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 und der zweite elektrische Kontakt 120 des optoelektronischen Halbleiterchips 100 voneinander einen Abstand von weniger als 200 ym auf.
Durch den geringen Abstand 250 zwischen der ersten Chipkontaktfläche 210 und der zweiten Chipkontaktfläche 310 können auch die erste Lötkontaktfläche 220 und die zweite Lötkon- taktfläche 320 einen kleinen Abstand voneinander aufweisen. Der Abstand zwischen der ersten Lötkontaktfläche 220 und der zweiten Lötkontaktfläche 320 kann im Wesentlichen dem Abstand 250 zwischen der ersten Chipkontaktfläche 210 und der zweiten Chipkontaktfläche 310 entsprechen.
An der Unterseite 402 des Gehäuses 400 des optoelektronischen Bauelements 10 ist ein Lötstoppelement 500 angeordnet, das sich zwischen der ersten Lötkontaktfläche 220 und der zweiten Lötkontaktfläche 320 erstreckt. Das Lötstoppelement 500 be¬ deckt einen Teil der ersten Lötkontaktfläche 220, einen Teil der Unterseite 402 des Gehäuses 400 und einen Teil der zwei- ten Lötkontaktfläche 320. Dabei weist das Lötstoppelement 500 in einer Verbindungsrichtung zwischen der ersten Lötkontaktfläche 220 und der zweiten Lötkontaktfläche 320 eine Kanten¬ länge 510 auf. Die Kantenlänge 510 ist größer als der Abstand 250 zwischen den Chipkontaktflächen 210, 310. Bevorzugt ist die Kantenlänge 510 größer als 200 ym.
Das Lötstoppelement 500 weist ein elektrisch isolierendes Ma¬ terial auf, das von Lot nicht benetzt wird. Das Lötstoppele¬ ment 500 kann beispielsweise mittels einer Maske in Form von Lötstopplack an der Unterseite 402 des Gehäuses 400 angeord¬ net werden.
In der Kavität 410 des Gehäuses 400 des optoelektronischen Bauelements 10 ist ein Vergussmaterial 420 angeordnet. Der optoelektronische Halbleiterchip 100 ist in das Vergussmate¬ rial 420 eingebettet. Das Vergussmaterial 420 kann beispiels¬ weise ein Silikon aufweisen. Das Vergussmaterial 420 kann ei¬ nem Schutz des optoelektronischen Halbleiterchips 100 vor einer Beschädigung durch äußere mechanische Einwirkungen die- nen. Das Vergussmaterial 420 kann außerdem eingebettete Kon¬ verterpartikel aufweisen, die dazu vorgesehen sind, eine Wel¬ lenlänge einer durch den optoelektronischen Halbleiterchip 100 emittierten elektromagnetischen Strahlung zu konvertieren. Beispielsweise können die in das Vergussmaterial 420 eingebetteten Konverterpartikel dazu ausgebildet sein, elekt¬ romagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge aus dem ultra¬ violetten oder blauen Spektralbereich in weißes Licht zu konvertieren. Alternativ oder zusätzlich zu eingebetteten Kon- verterpartikeln kann das Vergussmaterial 420 auch andere ein¬ gebettete Partikel aufweisen, beispielsweise Streupartikel. Das Vergussmaterial 420 kann allerdings auch vollständig ent¬ fallen .
Das an der Unterseite 402 des Gehäuses 400 des optoelektroni¬ schen Bauelements 10 angeordnete Lötstoppelement 500 kann als Reflektor für durch den optoelektronischen Halbleiterchip 100 in Richtung der Unterseite 402 des Gehäuses 400 emittierte elektromagnetische Strahlung dienen. An dem Lötstoppelement
500 reflektierte elektromagnetische Strahlung kann das Gehäu¬ se 400 des optoelektronischen Bauelements 10 erneut durchlau¬ fen und an der Oberseite 401 des Gehäuses 400 abgestrahlt werden. Dadurch können vorteilhafterweise Lichtverluste des optoelektronischen Bauelements 10 reduziert werden.
Fig. 2 zeigt eine weitere schematische geschnittene Seitenan¬ sicht des optoelektronischen Bauelements 10. In der Darstel¬ lung der Fig. 2 ist das optoelektronische Bauelement 10 auf einer Leiterplatte 600 angeordnet.
Die Leiterplatte 600 kann auch als Platine oder als PCB be¬ zeichnet werden. An einer Oberseite der Leiterplatte 600 sind eine erste Lötkontaktfläche 610 und eine zweite Lötkontakt- fläche 620 angeordnet. Die erste Lötkontaktfläche 610 und die zweite Lötkontaktfläche 620 können über in Fig. 2 nicht dar¬ gestellte Leiterbahnen und andere elektrisch leitende Verbindungen mit weiteren Schaltungsteilen verbunden sein. Das optoelektronische Bauelement 10 ist derart über der Ober¬ seite der Leiterplatte 600 angeordnet, dass die Unterseite 402 des Gehäuses 400 des optoelektronischen Bauelements 10 der Oberseite der Leiterplatte 600 zugewandt ist. Die erste Lötkontaktfläche 220 des ersten Leiterrahmenabschnitts 200 des optoelektronischen Bauelements 10 ist elektrisch leitend mit der ersten Lötkontaktfläche 610 der Leiterplatte 600 ver¬ bunden. Die zweite Lötkontaktfläche 320 des zweiten Leiter¬ rahmenabschnitts 300 des optoelektronischen Bauelements 10 ist elektrisch leitend mit der zweiten Lötkontaktfläche 620 der Leiterplatte 600 verbunden. Die Lötkontaktflächen 220, 320 des optoelektronischen Bauelements 10 können beispiels¬ weise durch Wiederaufschmelzlöten (Reflow-Löten) oder über ein anderes Verfahren zur Oberflächenmontage mit den Lötkon¬ taktflächen 610, 620 der Leiterplatte 600 verbunden worden sein .
Die erste Lötkontaktfläche 610 und die zweite Lötkontaktflä- che 620 der Leiterplatte 600 weisen einen Abstand 630 vonei¬ nander auf. Die Größe des Abstands 630 entspricht bevorzugt etwa der Kantenlänge 510 des Lötstoppelements 500. Insbeson¬ dere ist der Abstand 630 zwischen den Lötkontaktflächen 610, 620 der Leiterplatte 600 bevorzugt größer als 200 ym.
Durch den Abstand 630 zwischen der ersten Lötkontaktfläche 610 und der zweiten Lötkontaktfläche 620 der Leiterplatte 600 und durch das zwischen der ersten Lötkontaktfläche 220 und der zweiten Lötkontaktfläche 320 des optoelektronischen Bau- elements 10 angeordnete Lötstoppelement 500 wurde während der Herstellung der Lötverbindungen zwischen den Lötkontaktflächen 220, 320 des optoelektronischen Bauelements 10 und den Lötkontaktflächen 610, 620 der Leiterplatte 600 verhindert, dass Lot zwischen die erste Lötkontaktfläche 610 und die zweite Lötkontaktfläche 620 der Leiterplatte 600 bzw. zwi¬ schen die erste Lötkontaktfläche 220 und die zweite Lötkon¬ taktfläche 320 des optoelektronischen Bauelements 10 gelangt und einen Kurzschluss zwischen den ersten Lötkontaktflächen 220, 610 und den zweiten Lötkontaktflächen 320, 620 verur- sacht.
Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbei¬ spiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen . Bezugs zeichenliste
10 optoelektronisches Bauelement
100 optoelektronischer Halbleiterchip
101 Emissionsseite
102 Kontaktseite
110 erster elektrischen Kontakt
120 zweiter elektrischen Kontakt
200 erster Leiterrahmenabschnitt
210 erste Chipkontaktfläche
220 erste Lötkontaktfläche 250 Abstand
300 zweiter Leiterrahmenabschnitt 310 zweite Chipkontaktfläche
320 zweite Lötkontaktfläche
400 Gehäuse
401 Oberseite
402 Unterseite
410 Kavität
420 Vergussmaterial
500 Lötstoppelement
510 Kantenlänge 600 Leiterplatte
610 erste Lötkontaktfläche
620 zweite Lötkontaktfläche
630 Abstand

Claims

Patentansprüche
1. Optoelektronisches Bauelement (10)
mit einem optoelektronischen Halbleiterchip (100) mit ei- nem ersten elektrischen Kontakt (110) und einem zweiten elektrischen Kontakt (120),
einem ersten Leiterrahmenabschnitt (200), der eine erste Chipkontaktfläche (210) und eine der ersten Chipkontakt¬ fläche (210) gegenüberliegende erste Lötkontaktfläche (220) aufweist,
und einem zweiten Leiterrahmenabschnitt (300), der eine zweite Chipkontaktfläche (310) und eine der zweiten Chip¬ kontaktfläche (310) gegenüberliegende zweite Lötkontakt¬ fläche (320) aufweist,
wobei der erste elektrische Kontakt (110) elektrisch lei¬ tend mit der ersten Chipkontaktfläche (210) und der zwei¬ te elektrische Kontakt (120) elektrisch leitend mit der zweiten Chipkontaktfläche (310) verbunden ist,
wobei der erste Leiterrahmenabschnitt (200) und der zwei- te Leiterrahmenabschnitt (300) derart in ein Gehäuse
(400) eingebettet sind, dass zumindest Teile der ersten Lötkontaktfläche (220) und der zweiten Lötkontaktfläche (320) an einer Unterseite (402) des Gehäuses (400) zu¬ gänglich sind,
wobei an der Unterseite (402) des Gehäuse (400) ein Löt¬ stoppelement (500) angeordnet ist, das sich zwischen der ersten Lötkontaktfläche (220) und der zweiten Lötkontakt¬ fläche (320) erstreckt. 2. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 1,
wobei die erste Chipkontaktfläche (210) und die zweite Chipkontaktfläche (310) einen Abstand (250) von weniger als 200 ym aufweisen. 3. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vor¬ hergehenden Ansprüche,
wobei das Lötstoppelement (500) die erste Lötkontaktflä- che (220) und/oder die zweite Lötkontaktfläche (320) teilweise bedeckt.
Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vor¬ hergehenden Ansprüche,
wobei das Lötstoppelement (500) eine Kantenlänge (510) von mindestens 200 ym aufweist.
Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vor¬ hergehenden Ansprüche,
wobei die erste Lötkontaktfläche (220) und die zweite Lötkontaktfläche (320) bündig mit der Unterseite (402) des Gehäuses (400) abschließen.
Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vor¬ hergehenden Ansprüche,
wobei das Gehäuse (400) an einer der Unterseite (402) ge¬ genüberliegenden Oberseite (401) eine Kavität (410) auf¬ weist,
wobei zumindest Teile der ersten Chipkontaktfläche (210) und der zweiten Chipkontaktfläche (310) in der Kavität (410) zugänglich sind,
wobei der optoelektronische Halbleiterchip (100) in der Kavität (410) angeordnet ist.
Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 6, wobei in der Kavität (410) ein Vergussmaterial (420) an¬ geordnet ist.
Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vor¬ hergehenden Ansprüche,
wobei der erste elektrische Kontakt (110) und der zweite elektrische Kontakt (120) auf einer gemeinsamen Oberflä¬ che (102) des optoelektronischen Halbleiterchips (100) angeordnete sind.
9. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 8, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (100) als vo¬ lumenemittierender Saphir-Flipchip ausgebildet ist.
10. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der An¬ sprüche 6 und 7 sowie einem der Ansprüche 8 und 9, wobei die die elektrischen Kontakte (110, 120) aufweisen¬ de Oberfläche (102) des optoelektronischen Halbleiterchips (100) den Chipkontaktflächen (210, 310) zugewandt ist .
11. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10)
mit den folgenden Schritten:
- Einbetten eines ersten Leiterrahmenabschnitts (200) mit einer ersten Lötkontaktfläche (220) und eines zweiten Lei¬ terrahmenabschnitts (300) mit einer zweiten Lötkontakt¬ fläche (320) in ein Gehäuse (400) derart, dass zumindest Teile der ersten Lötkontaktfläche (220) und der zweiten Lötkontaktfläche (320) an einer Unterseite (402) des Ge¬ häuses zugänglich bleiben;
- Anordnen eines Lötstoppelements (500) an der Unterseite (402) des Gehäuse (400) zwischen der ersten Lötkontakt¬ fläche (220) und der zweiten Lötkontaktfläche (320).
12. Verfahren gemäß Anspruch 11,
wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt um- fasst :
- Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (100) in einer Kavität (410) an einer der Unterseite (402) ge¬ genüberliegenden Oberseite (401) des Gehäuses (400).
13. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11 und 12,
wobei das Lötstoppelement (500) als Lötstopplack auf die Unterseite (402) des Gehäuses (400) aufgebracht wird.
14. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei das Anordnen des Lötstoppelements (500) mittels ei¬ ner Maske erfolgt. 15. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11 bis 14,
wobei das Einbetten des ersten Leiterrahmenabschnitts (200) und des zweiten Leiterrahmenabschnitts (300) in das Gehäuse (400) durch ein Spritzgussverfahren erfolgt.
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