DE102015103041A1 - Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component - Google Patents

Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component Download PDF

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Michael Popp
Dieter Musa
Simon Schicktanz
Benjamin Krummacher
Jörg Farrnbacher
Erwin Lang
Nina Riegel
Andreas Rausch
Ulrich Niedermeier
Daniel Riedel
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Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen werden ein optoelektronisches Bauelement (1) und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (1) bereitgestellt. Das optoelektronische Bauelement (1) weist eine erste Elektrode (20), eine organische funktionelle Schichtenstruktur (22) mit mehreren nebeneinander angeordneten Schichtenstruktursegmenten (50, 52, 54) auf der ersten Elektrode (20), und eine Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur (5b) zwischen zumindest zwei lateral benachbarten Schichtenstruktursegmenten (50, 52) auf. Die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur (5b) ist in körperlichem Kontakt mit der ersten Elektrode (20) und bildet eine laterale Feuchtigkeits-Diffusionsbarriere für mindestens eines der Schichtenstruktursegmente (50, 52, 54).In various exemplary embodiments, an optoelectronic component (1) and a method for producing an optoelectronic component (1) are provided. The optoelectronic component (1) has a first electrode (20), an organic functional layer structure (22) with a plurality of juxtaposed layer structure segments (50, 52, 54) on the first electrode (20), and a moisture diffusion barrier structure (5b) between at least two laterally adjacent layer structure segments (50, 52). The moisture diffusion barrier structure (5b) is in physical contact with the first electrode (20) and forms a lateral moisture diffusion barrier for at least one of the layer structure segments (50, 52, 54).

Description

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit einer organischen funktionellen Schichtenstruktur und ein Verfahren zum Herstellen eines derartigen optoelektronischen Bauelements.The invention relates to an optoelectronic component having an organic functional layer structure and to a method for producing such an optoelectronic component.

Optoelektronische Bauelemente, die Licht emittieren, können beispielsweise Leuchtdioden (LEDs) oder organische Leuchtdioden (OLEDs) sein. Eine OLED kann eine Anode und eine Kathode mit einem organischen funktionellen Schichtensystem dazwischen aufweisen. Das organische funktionelle Schichtensystem kann aufweisen eine oder mehrere Emitterschichten, in denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten („charge generating layer”, CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie eine oder mehrere Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als Lochtransportschicht(en) („hole transport layer” – HTL), und eine oder mehrere Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht(en) („electron transport layer” – ETL), um den Stromfluss zu richten.Optoelectronic components that emit light can be, for example, light-emitting diodes (LEDs) or organic light-emitting diodes (OLEDs). An OLED may have an anode and a cathode with an organic functional layer system therebetween. The organic functional layer system may comprise one or more emitter layers in which electromagnetic radiation is generated, a charge carrier pair generation layer structure each consisting of two or more charge generating layers (CGL) for charge carrier pair generation, and one or more Electron block layers, also referred to as hole transport layer (HTL), and one or more hole block layers, also referred to as electron transport layer (s) (ETL), for directing the flow of current.

Optoelektronische Bauelemente, beispielsweise OLEDs, können segmentiert sein und daher mehrere OLED-Elemente aufweisen. Die OLED-Elemente können beispielsweise elektrisch parallel oder auch seriell geschaltet sein und/oder sich zumindest eine gemeinsame Elektrode teilen. Beispielsweise weisen zwei OLED-Elemente dieselbe Kathode auf, haben jedoch voneinander getrennte organische funktionelle Schichtenstrukturen und entsprechend voneinander getrennte Anoden.Optoelectronic components, for example OLEDs, can be segmented and therefore have a plurality of OLED elements. The OLED elements can, for example, be electrically connected in parallel or else serially and / or share at least one common electrode. For example, two OLED elements have the same cathode, but have separate organic functional layer structures and correspondingly separate anodes.

Trotz aufwändiger Qualitätskontrollen von OLEDs kann nicht vollständig ausgeschlossen werden, dass die OLEDs oder zumindest einzelne OLED-Elemente in ihrer Anwendung spontan ausfallen. Insbesondere enthalten OLEDs leicht oxidierbare Schichten, womit ein typisches Fehlerbild für Spontanausfälle das Eindringen von Feuchtigkeit in die OLED ist.Despite complex quality controls of OLEDs can not be completely ruled out that the OLEDs or at least individual OLED elements in their application spontaneously fail. In particular, OLEDs contain easily oxidizable layers, whereby a typical failure pattern for spontaneous failures is the penetration of moisture into the OLED.

Herkömmlicherweise findet eine Dünnfilmverkapselung Verwendung, die verhindern soll, dass Feuchte in das optoelektronische Bauelement eindringt. Häufig enthält eine derartige Verkapselung jedoch feine, porenartige Defekte, sogenannte Pin Holes, durch die Wassermoleküle in das optoelektronische Bauelement diffundieren können. Die eindringende Feuchte macht sich im Leuchtbild des optoelektronischen Bauelements durch einen stetig wachsenden dunklen Fleck, einem sogenannten Dark Spot bemerkbar. Ein optoelektronisches Bauelement wird dann als Ausfall gewertet, sobald ein solcher dunkler Fleck mit bloßem menschlichen Auge erkennbar beziehungsweise sichtbar ist.Traditionally, thin film encapsulation has been used to prevent moisture from entering the optoelectronic device. Frequently, however, such an encapsulation contains fine, pore-like defects, so-called pin holes, through which water molecules can diffuse into the optoelectronic component. The penetrating moisture is noticeable in the illuminated image of the optoelectronic component by a constantly growing dark spot, a so-called dark spot. An optoelectronic component is then rated as a failure as soon as such a dark spot is recognizable or visible to the naked human eye.

Es ist bekannt, das Eindringen von Feuchte durch eine Verkapselung des optoelektronischen Bauelements zu verhindern. Verkapselungsdefekte, die in der Praxis unweigerlich auftreten, können dadurch jedoch nicht vermieden beziehungsweise derart eingegrenzt werden, dass kein Ausfall eintritt.It is known to prevent the ingress of moisture by encapsulation of the optoelectronic component. Encapsulation defects that inevitably occur in practice, however, can not be avoided or limited in such a way that no failure occurs.

Aus der Druckschrift US 2002/0003403 A1 ist ein optoelektronisches Bauelement, insbesondere eine OLED-Dispay-Vorrichtung bekannt, die eine derartige Verkapselung aufweist.From the publication US 2002/0003403 A1 is an optoelectronic device, in particular an OLED Dispay device is known which has such encapsulation.

Die Aufgabe der Erfindung ist es, ein optoelektronisches Bauelement anzugeben, das ein Ausbreiten von in das optoelektronische Bauelement eingedrungener Feuchtigkeit auf einfache Weise verhindert, insbesondere ohne hierzu einen Ausfall zu erzeugen, und/oder sich durch eine große Zuverlässigkeit des optoelektronischen Bauelements auszeichnet.The object of the invention is to specify an optoelectronic component which prevents propagation of moisture penetrated into the optoelectronic component in a simple manner, in particular without producing a failure, and / or is distinguished by a high reliability of the optoelectronic component.

Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben, das sich durch eine hohe Fertigungsausbeute auszeichnet, und das insbesondere die Gefahr eines Ausfalls des optoelektronischen Bauelements, insbesondere basierend auf einem Ausbreiten von Feuchte in dem optoelektronischen Bauelement, reduziert.A further object of the invention is to provide a method for producing an optoelectronic component, which is characterized by a high manufacturing yield, and in particular reduces the risk of failure of the optoelectronic component, in particular based on a spreading of moisture in the optoelectronic component.

Die Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch ein optoelektronisches Bauelement aufweisend eine erste Elektrode, eine strukturierte organische funktionelle Schichtenstruktur mit mehreren nebeneinander angeordneten Schichtenstruktursegmenten auf der ersten Elektrode und eine Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur zwischen zumindest zwei lateral benachbarten Schichtenstruktursegmenten. Die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur ist in körperlichem Kontakt mit der ersten Elektrode, insbesondere unmittelbar an diese angrenzend ausgebildet, und bildet eine laterale Feuchtigkeits-Diffusionsbarriere für mindestens eines der Schichtenstruktursegmente.The object is achieved according to one aspect of the invention by an optoelectronic component having a first electrode, a structured organic functional layer structure having a plurality of juxtaposed layer structure segments on the first electrode and a moisture diffusion barrier structure between at least two laterally adjacent layer structure segments. The moisture diffusion barrier structure is in physical contact with the first electrode, in particular directly adjacent thereto, and forms a lateral moisture diffusion barrier for at least one of the layer structure segments.

Das optoelektronische Bauelement enthält also eine integrierte Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur, die zwischen den zumindest zwei benachbarten Schichtenstruktursegmenten angeordnet ist. Die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur verhindert das Ausbreiten von Feuchte und/oder Luft in der empfindlichen organischen funktionellen Schichtenstruktur, insbesondere durch ein Unterbrechen der leicht oxidierbaren beziehungsweise feuchtetransportierenden Schichten des optoelektronischen Bauelements mittels der Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur. Dringt beispielsweise Feuchte in die organische funktionelle Schichtenstruktur ein, so wird lediglich das betroffene Schichtenstruktursegment zerstört, wobei das benachbarte Schichtenstruktursegment durch die dazwischen angeordnete Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur verschont bleibt. Ein Ausfall eines Schichtenstruktursegments bedingt so nicht zwangsläufig den Ausfall des gesamten optoelektronischen Bauelements. Eine hohe Fertigungsausbeute und eine hohe Zuverlässigkeit des optoelektronischen Bauelements kann so erzielt werden.The optoelectronic component thus contains an integrated moisture diffusion barrier structure, which is arranged between the at least two adjacent layer structure segments. The moisture-diffusion barrier structure prevents the spread of moisture and / or air in the sensitive organic functional layer structure, in particular by interrupting the easily oxidizable or moisture-transporting layers of the optoelectronic component by means of the moisture-diffusion barrier structure. For example, penetrates moisture into the organic functional layer structure, so only the affected layer structure segment is destroyed, wherein the adjacent layer structure segment is spared by the disposed therebetween moisture diffusion barrier structure. A failure of a layer structure segment does not necessarily cause the failure of the entire optoelectronic device. A high production yield and high reliability of the optoelectronic component can be achieved.

Die erste Elektrode ist dafür vorgesehen, die organische funktionelle Schichtenstruktur elektrisch zu kontaktieren. Beispielsweise ist die erste Elektrode als elektrisch leitfähige Elektrodenschicht oder als Teil einer elektrisch leitfähigen Elektrodenschicht ausgebildet. Die erste Elektrode ist dabei bevorzugt zur gemeinsamen elektrischen Kontaktierung der Schichtenstruktursegmente vorgesehen. Alternativ kann jedem Schichtenstruktursegment eine separate elektrisch leitfähige erste Elektrode zugeordnet sein.The first electrode is intended to electrically contact the organic functional layer structure. For example, the first electrode is formed as an electrically conductive electrode layer or as part of an electrically conductive electrode layer. The first electrode is preferably provided for common electrical contacting of the layer structure segments. Alternatively, each layer structure segment may be assigned a separate electrically conductive first electrode.

Die organische funktionelle Schichtenstruktur ist dazu ausgebildet, elektrische Energie in Licht oder Licht in elektrische Energie umzuwandeln. Beispielsweise ist das optoelektronische Bauelement eine OLED und die organische funktionelle Schichtenstruktur ist ein optisch aktiver Bereich der OLED, der insbesondere segmentiert beziehungsweise strukturiert ausgebildet ist. Beispielsweise weist die organische funktionelle Schichtenstruktur durch ihre Segmentierung eine matrizenartige Ausbildung, insbesondere Anordnung der Schichtenstruktursegmente, auf.The organic functional layer structure is designed to convert electrical energy into light or light into electrical energy. By way of example, the optoelectronic component is an OLED and the organic functional layer structure is an optically active region of the OLED, which is designed in particular segmented or structured. For example, the segmentation of the organic functional layer structure results in a matrix-like configuration, in particular arrangement of the layer structure segments.

Die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur ist insbesondere zum Schutz der organischen funktionellen Schichtenstruktur vorgesehen und weist demnach schützende Eigenschaften in Form von feuchtigkeitsundurchlässigen Eigenschaften auf. Hierbei ist die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur direkt zwischen einzelnen Schichtenstruktursegmenten angeordnet, insbesondere in direktem körperlichem Kontakt und unmittelbar an diese angrenzend ausgebildet. Die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur dient insbesondere als Barriere für eine Diffusion und/oder Ausbreitung von Feuchtigkeit von einem Schichtenstruktursegment zu dem benachbarten Schichtenstruktursegment.The moisture diffusion barrier structure is particularly intended to protect the organic functional layer structure and accordingly has protective properties in the form of moisture-impermeable properties. Here, the moisture diffusion barrier structure is arranged directly between individual layer structure segments, in particular in direct physical contact and formed directly adjacent to this. In particular, the moisture diffusion barrier structure serves as a barrier to diffusion and / or propagation of moisture from one layer structure segment to the adjacent layer structure segment.

Gemäß einer Weiterbildung weist die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur hermetisch abdichtende Eigenschaften auf. Insbesondere ist die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur feuchtigkeitsdicht beziehungsweise für Feuchtigkeit undurchdringlich ausgebildet und/oder luftdicht. Dadurch kann eine Ausbreitung von Feuchtigkeit und/oder Luft zwischen den benachbarten Schichtenstruktursegmenten mittels der Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur unterbunden beziehungsweise verhindert werden.According to a development, the moisture-diffusion barrier structure has hermetically sealing properties. In particular, the moisture-diffusion barrier structure is moistureproof or impermeable to moisture and / or airtight. Thereby, a propagation of moisture and / or air between the adjacent layer structure segments by means of the moisture diffusion barrier structure can be prevented or prevented.

Gemäß einer Weiterbildung weist das optoelektronische Bauelement weiter eine zweite Elektrode auf der strukturierten organischen funktionellen Schichtenstruktur und auf der Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur sowie eine Verkapselungsschicht auf der zweiten Elektrode auf.According to a further development, the optoelectronic component further has a second electrode on the structured organic functional layer structure and on the moisture diffusion barrier structure as well as an encapsulation layer on the second electrode.

Die zweite Elektrode ist dafür vorgesehen, die organische funktionelle Schichtenstruktur elektrisch zu kontaktieren. Beispielsweise ist die zweite Elektrode als elektrisch leitfähige Elektrodenschicht oder als Teil einer elektrisch leitfähigen Elektrodenschicht ausgebildet. Die zweite Elektrode ist dabei bevorzugt zur gemeinsamen elektrischen Kontaktierung der Schichtenstruktursegmente vorgesehen. Alternativ kann jedem Schichtenstruktursegment eine separate elektrisch leitfähige zweite Elektrode zugeordnet sein.The second electrode is intended to electrically contact the organic functional layer structure. For example, the second electrode is formed as an electrically conductive electrode layer or as part of an electrically conductive electrode layer. The second electrode is preferably provided for common electrical contacting of the layer structure segments. Alternatively, each layer structure segment may be assigned a separate electrically conductive second electrode.

Die Verkapselungsschicht ist dafür vorgesehen, die organische funktionelle Schichtenstruktur beziehungsweise dessen Schichtenstruktursegmente hermetisch zum Beispiel gegenüber Luft abzudichten und/oder vor Feuchtigkeit und/oder mechanischen Einfüssen zu schützen. Dabei ist die Verkapselungsschicht in direktem Kontakt beziehungsweise unmittelbar auf der zweiten Elektrode aufgebracht. Ein weiterer Schutz vor eindringende Feuchtigkeit in die organische funktionelle Schichtenstruktur kann so erzielt werden.The encapsulation layer is intended to hermetically seal the organic functional layer structure or its layer structure segments, for example against air, and / or to protect them from moisture and / or mechanical penetration. In this case, the encapsulation layer is applied in direct contact or directly on the second electrode. Further protection against penetrating moisture into the organic functional layer structure can thus be achieved.

Gemäß einer Weiterbildung ist zwischen allen lateral benachbarten Schichtenstrukturensegmenten jeweils die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur ausgebildet und bildet jeweils eine laterale Feuchtigkeits-Diffusionsbarriere für die einzelnen Schichtenstruktursegmente. Dadurch kann ein Ausbreiten von Feuchtigkeit in den feuchtigkeitsempfindlichen Schichten des optoelektronischen Bauelements, insbesondere zwischen allen benachbarten Schichtenstruktursegmenten, unterbunden werden. Insbesondere kann eine Undichtigkeit im optoelektronischen Bauelement durch die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur auf beispielsweise ein Schichtenstruktursegment eingegrenzt werden.According to a further development, in each case the moisture diffusion barrier structure is formed between all the laterally adjacent layer structure segments and forms in each case a lateral moisture diffusion barrier for the individual layer structure segments. As a result, the spread of moisture in the moisture-sensitive layers of the optoelectronic component, in particular between all adjacent layer structure segments, can be prevented. In particular, a leak in the optoelectronic component can be limited by the moisture-diffusion barrier structure to, for example, a layer structure segment.

Gemäß einer Weiterbildung weist das optoelektronische Bauelement weiter zumindest eine Metallstegestruktur auf, wobei die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur zumindest bereichsweise auf der Metallstegestruktur angeordnet ist. Insbesondere bedeckt beziehungsweise umschließt die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur die Metallstegestruktur. Dabei steht die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur weiter zumindest bereichsweise in direktem Kontakt mit der ersten Elektrode, beispielsweise an Seitenbereichen der Metallstegestruktur. Die Metallstegestruktur ist unmittelbar auf der ersten Elektrode angeordnet und mit dieser elektrisch und mechanisch verbunden und dient insbesondere als sogenannte Busbar-Struktur, die die elektrische Leitfähigkeit der ersten Elektrode erhöht.According to a further development, the optoelectronic component further has at least one metal web structure, wherein the moisture diffusion barrier structure is arranged at least in regions on the metal web structure. In particular, the moisture diffusion barrier structure covers the metal stem structure. In this case, the moisture diffusion barrier structure is at least partially in direct contact with the first electrode, for example on side regions of the Metal coil structure. The metal web structure is arranged directly on the first electrode and electrically and mechanically connected thereto and serves in particular as a so-called busbar structure, which increases the electrical conductivity of the first electrode.

Gemäß einer Weiterbildung enthält die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur eine Fritte, aufgeschmolzenes Glaspulver, ein sonstiges Glaslot, ein sonstiges Lot und/oder Metallstege. Die Schichtenstruktursegmente werden demnach voneinander hermetisch isoliert durch die interne Fritte, das aufgeschmolzene Glaspulver, das Lot und/oder die als Busbar dienenden Metallstege.According to a development, the moisture-diffusion barrier structure contains a frit, molten glass powder, another glass solder, another solder and / or metal webs. The layer structure segments are therefore hermetically isolated from each other by the internal frit, the molten glass powder, the solder and / or serving as a bus bar metal webs.

Gemäß einer Weiterbildung enthält die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur zumindest ein Oxid, beispielsweise Al2O3, SiOx, TiO2, ein Nitrid, beispielsweise SiN, und/oder ein Karbid, beispielweise SiC. Die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur ist hierbei also zumindest teilweise aus dielektrischen Schichten gebildet oder setzt sich daraus zusammen. Die genannten möglichen Materialien der Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur können dabei einzeln Verwendung finden oder sich aus einem Materialgemisch der verschieden genannter Materialien zusammensetzen. Zudem sind für die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur auch Materialien verwendbar, die dem Fachmann bekannt sind für herkömmlich bekannte Verkapselungsschichten und/oder Dünnfilmverkapselungen, inklusive organischer Verkapselungsschichten.According to a development, the moisture-diffusion barrier structure contains at least one oxide, for example Al 2 O 3 , SiO x , TiO 2 , a nitride, for example SiN, and / or a carbide, for example SiC. The moisture-diffusion barrier structure is thus at least partially formed of dielectric layers or is composed of them. The said possible materials of the moisture-diffusion barrier structure can be used individually or can be composed of a material mixture of the materials mentioned differently. In addition, materials which are known to the person skilled in the art for conventionally known encapsulation layers and / or thin-film encapsulations, including organic encapsulation layers, can also be used for the moisture-diffusion barrier structure.

Gemäß einer Weiterbildung ist die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur in einem Randbereich des optoelektronischen Bauelements angeordnet. Gerade im Randbereich des optoelektronischen Bauelements bilden sich kritische Bereiche aus, die das Eindringen und Ausbreiten von Feuchtigkeit in der organischen funktionellen Schichtenstruktur betreffen. Ein lokales Einbringen der Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur in diesen kritischen Bereichen verringert das Risiko eines Ausfalls des optoelektronischen Bauelements drastisch.According to a development, the moisture-diffusion barrier structure is arranged in an edge region of the optoelectronic component. Especially in the edge area of the optoelectronic component, critical areas are formed which affect the penetration and spreading of moisture in the organic functional layer structure. Locally introducing the moisture diffusion barrier structure in these critical areas drastically reduces the risk of failure of the optoelectronic device.

Gemäß einer Weiterbildung weisen die Schichtenstruktursegmente jeweils eine laterale Abmessung von kleiner 1000 μm, insbesondere von kleiner 200 μm, insbesondere von kleiner 50 μm auf. Schichtenstruktursegmente in diesen genannten Größenbereichen, die beispielsweise aufgrund von eingedrungener Feuchte ausfallen, bedingen keinen Ausfall des gesamten optoelektronischen Bauelements. Insbesondere sind Ausfälle der Schichtenstruktursegmente in der genannten Größe für das menschliche Auge nicht oder kaum wahrnehmbar. Findet das optoelektronische Bauelement beispielsweise für die Allgemeinbeleuchtung Verwendung, so sind Dark Spots mit Abmessungen von bis zu einigen 100 μm noch tolerabel.According to a development, the layer structure segments each have a lateral dimension of less than 1000 .mu.m, in particular of less than 200 .mu.m, in particular of less than 50 .mu.m. Layer structure segments in these mentioned size ranges, which fail, for example, due to penetrated moisture, do not cause failure of the entire optoelectronic device. In particular, failures of the layer structure segments in the stated size are not or barely perceptible to the human eye. If the optoelectronic component is used, for example, for general lighting, dark spots with dimensions of up to a few 100 μm are still tolerable.

Gemäß einer Weiterbildung weist das optoelektronische Bauelement weiter einen Träger auf, auf dem die erste Elektrode angeordnet ist, wobei der Träger eine weitere Feuchtigkeits-Diffusionsbarriere bildet. Träger, die eine ausreichende Feuchtigkeits-Diffusionsbarriere bilden, enthalten beispielsweise Glas oder Metall oder bestehen daraus. Durch einen derartigen Träger kann die organische funktionelle Schichtenstruktur auch von Seiten des Trägers hermetisch abgedichtet beziehungsweise gegen das Eindringen von Feuchtigkeit geschützt sein.According to a development, the optoelectronic component further has a carrier, on which the first electrode is arranged, wherein the carrier forms a further moisture diffusion barrier. Carriers that form a sufficient moisture diffusion barrier include, for example, glass or metal, or consist thereof. By such a carrier, the organic functional layer structure may also be hermetically sealed or protected against the ingress of moisture by the wearer.

Gemäß einer alternativen Weiterbildung weist das optoelektronische Bauelement weiter einen Träger auf, auf dem die erste Elektrode angeordnet ist, wobei der Träger feuchtedurchlässig ist und auf einer der ersten Elektrode abgewandten Seite eine Dünnfilmverkapselung aufweist, die eine weitere Feuchtigkeits-Diffusionsbarriere bildet. In diesem Fall ist der Träger also feuchtedurchlässig, beispielsweise aus Plastik. Der Schutz der organischen funktionellen Schichtenstruktur vor eindringender Feuchte von Seiten des Trägers wird durch die Dünnfilmverkapselung erzeugt.According to an alternative development, the optoelectronic component further has a carrier on which the first electrode is arranged, wherein the carrier is moisture-impermeable and has on a side facing away from the first electrode a thin-film encapsulation, which forms a further moisture diffusion barrier. In this case, the carrier is thus moisture-permeable, for example made of plastic. The protection of the organic functional layer structure from penetrating moisture from the side of the support is produced by the thin-film encapsulation.

Gemäß einer Weiterbildung ist in dem Träger und/oder auf dem Träger zumindest eine lichtstreuende Schicht oder Folie ausgebildet. Die Sichtbarkeit von Dark Spots kann durch die lichtstreuende Schicht beziehungsweise Folie weiter kaschiert werden, sodass diese mit dem menschlichen Auge kaum oder nicht wahrnehmbar sind.According to a development, at least one light-scattering layer or film is formed in the carrier and / or on the carrier. The visibility of dark spots can be further concealed by the light-scattering layer or film, so that they are barely or not perceptible to the human eye.

Die Aufgabe wird weiter gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements, beispielsweise des im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Bauelements. Bei dem Verfahren wird die erste Elektrode ausgebildet, die strukturierte organische funktionelle Schichtenstruktur mit mehreren nebeneinander angeordneten Schichtenstruktursegmenten wird auf der ersten Elektrode ausgebildet, die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur wird zwischen zumindest zwei lateral benachbarten Schichtenstruktursegmenten ausgebildet, wobei die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur in körperlichen Kontakt gebracht wird mit der ersten Elektrode und eine laterale Feuchtigkeits-Diffusionsbarriere für mindestens eines der Schichtenstruktursegmente bildet.The object is further achieved by a method for producing an optoelectronic component, for example the optoelectronic component explained above. In the method, the first electrode is formed, the structured organic functional layer structure having a plurality of juxtaposed layer structure segments is formed on the first electrode, the moisture diffusion barrier structure is formed between at least two laterally adjacent layer structure segments, wherein the moisture diffusion barrier structure is brought into physical contact with forms the first electrode and a lateral moisture diffusion barrier for at least one of the layer structure segments.

Das Verfahren zeichnet sich insbesondere durch seine hohe Fertigungsausbeute sowie durch seine reduzierte Gefahr eines Ausfalls des optoelektronischen Bauelements, insbesondere basierend auf einem Ausbreiten von Feuchte in dem optoelektronischen Bauelement, aus.The method is characterized in particular by its high production yield and by its reduced risk of failure of the optoelectronic component, in particular based on a spreading of moisture in the optoelectronic component.

Alternative Ausführungen und/oder Vorteile betreffend die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur, die organische funktionelle Schichtenstruktur, das optoelektronische Bauelement und/oder jeweils Komponenten hiervon sind bereits in Zusammenhang mit dem jeweiligen Erzeugnis weiter oben in der Anmeldung ausgeführt und finden bei dem Herstellungsverfahren natürlich entsprechend Anwendung, ohne hier explizit nochmals aufgeführt zu sein.Alternative embodiments and / or advantages relating to the moisture diffusion barrier structure, the organic functional Layer structure, the optoelectronic component and / or in each case components thereof are already carried out in connection with the respective product above in the application and find in the manufacturing process, of course, according to application, without being explicitly listed again here.

Gemäß einer Weiterbildung wird die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur ganzflächig auf der ersten Elektrode aufgebracht und anschließend beispielsweise mittels eines lithografischen Verfahrens und eines Ätzverfahrens lateral strukturiert.According to a development, the moisture-diffusion barrier structure is applied over the entire surface of the first electrode and then laterally structured, for example, by means of a lithographic process and an etching process.

Gemäß einer Weiterbildung wird die strukturierte organische funktionelle Schichtenstruktur ganzflächig auf der ersten Elektrode und/oder der Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur aufgebracht und anschließend strukturiert. Insbesondere wird die ganzflächig aufgebrachte organische funktionelle Schichtenstruktur zum Beispiel mittels Laserablation über der Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur entfernt, sodass die separierten Schichtenstruktursegmente entstehen, die bevorzugt nicht miteinander in direktem Kontakt sind, sodass eine Ausbreitung von eingedrungener Feuchtigkeit zwischen den einzelnen Schichtenstruktursegmenten nicht oder nur begrenzt möglich ist. Die zweite Elektrode kann dabei ebenfalls ganzflächig auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur aufgebracht und anschließend entsprechend der Strukturierung der organischen funktionellen Schichtenstruktur strukturiert werden.According to a development, the structured organic functional layer structure is applied over the whole area to the first electrode and / or the moisture-diffusion barrier structure and then patterned. In particular, the organic functional layer structure applied over the entire surface area is removed, for example, by means of laser ablation above the moisture diffusion barrier structure, so that the separated layer structure segments are formed, which are preferably not in direct contact with each other, so that penetration of penetrated moisture between the individual layer structure segments is not possible or only to a limited extent possible , The second electrode can also be applied over the entire area of the organic functional layer structure and then structured according to the structuring of the organic functional layer structure.

Gemäß einer alternativen Weiterbildung wird die strukturierte organische funktionelle Schichtenstruktur strukturiert auf der ersten Elektrode aufgebracht. Insbesondere wird die erste Elektrode zwischen der Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur mit der organischen funktionellen Schichtenstruktur und bevorzugt mit der zweiten Elektrode strukturiert beschichtet, beispielsweise mit Hilfe von Schattenmasken, Inkjet-Drucken, Stempeldrucken oder laserinduziertem thermischen Imaging.According to an alternative development, the structured organic functional layer structure is applied in a structured manner on the first electrode. In particular, the first electrode is structuredly coated between the moisture-diffusion barrier structure having the organic functional layer structure and preferably the second electrode, for example by means of shadow masks, inkjet printing, stamp printing or laser-induced thermal imaging.

Gemäß einer Weiterbildung wird die organische funktionelle Schichtenstruktur und die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur mit der zweiten Elektrode und/oder der Verkapselungsschicht ganzflächig beschichtet. Hierbei weist die zweite Elektrode bevorzugt eine hohe Elektronegativität auf.According to a development, the organic functional layer structure and the moisture-diffusion barrier structure are coated over the whole area with the second electrode and / or the encapsulation layer. In this case, the second electrode preferably has a high electronegativity.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert.Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below.

Es zeigenShow it

1 eine seitliche Schnittdarstellung eines herkömmlichen optoelektronischen Bauelements; 1 a side sectional view of a conventional optoelectronic device;

2A eine seitliche Schnittdarstellung eines herkömmlichen optoelektronischen Bauelements; 2A a side sectional view of a conventional optoelectronic device;

2B eine Aufsicht auf das herkömmliche optoelektronische Bauelement der 2A; 2 B a plan view of the conventional optoelectronic device of 2A ;

3A eine seitliche Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements; 3A a side sectional view of an embodiment of an optoelectronic device;

3B eine Aufsicht auf das Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauelements der 3A; 3B a plan view of the embodiment of the optoelectronic component of 3A ;

4A eine Aufsicht auf ein Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements; 4A a plan view of an embodiment of an optoelectronic device;

4B eine Sicht auf die Außenkontaktierung des Ausführungsbeispiels des optoelektronischen Bauelements der 4A; 4B a view of the external contact of the embodiment of the optoelectronic component of 4A ;

5A eine seitliche Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements; 5A a side sectional view of an embodiment of an optoelectronic device;

5B eine seitliche Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines optoelektronischen Bauelements. 5B a side sectional view of an embodiment of an optoelectronic device.

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben”, „unten”, „vorne”, „hinten”, „vorderes”, „hinteres”, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen Figur(en) verwendet. Da Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert.In the following detailed description, reference is made to the accompanying drawings, which form a part of this specification, and in which is shown by way of illustration specific embodiments in which the invention may be practiced. In this regard, directional terminology such as "top", "bottom", "front", "back", "front", "rear", etc. is used with reference to the orientation of the described figure (s). Because components of embodiments may be positioned in a number of different orientations, the directional terminology is illustrative and is in no way limiting. It should be understood that other embodiments may be utilized and structural or logical changes may be made without departing from the scope of the present invention. It should be understood that the features of the various embodiments described herein may be combined with each other unless specifically stated otherwise. The following detailed description is therefore not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined by the appended claims.

Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe ”verbunden”, ”angeschlossen” sowie ”gekoppelt” verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist.For the purposes of this description, the terms "connected,""connected," and "coupled" are used to describe both a direct and indirect connection, a direct or indirect connection, and a direct or indirect coupling. In the figures, identical or similar elements are provided with identical reference numerals, as appropriate.

Ein optoelektronisches Bauelement kann ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement oder ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement sein. Ein elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine organische Solarzelle oder eine organische Photozelle sein. Ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode (organic light emitting diode, OLED) oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. Das lichtemittierende Bauelement kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen Teil einer integrierten Schaltung sein. Weiterhin kann eine Mehrzahl von lichtemittierenden Bauelementen vorgesehen sein, beispielsweise untergebracht in einem gemeinsamen Gehäuse.An optoelectronic component may be an electromagnetic radiation emitting component or an electromagnetic radiation absorbing component. An electromagnetic radiation absorbing component may be, for example, an organic solar cell or an organic photocell. In various embodiments, a component emitting electromagnetic radiation can be embodied as an organic electromagnetic radiation emitting diode (OLED) or as an organic electromagnetic radiation emitting transistor. The radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light. The light emitting device may be part of an integrated circuit in various embodiments. Furthermore, a plurality of light-emitting components may be provided, for example housed in a common housing.

1 zeigt ein herkömmliches optoelektronisches Bauelement 1. Das optoelektronische Bauelement 1 weist einen Träger 12 auf. Der Träger 12 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Der Träger 12 dient als Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente. Der Träger 12 kann beispielsweise Kunststoff, Metall, Glas, Quarz und/oder ein Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger 12 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 12 kann mechanisch rigide oder mechanisch flexibel ausgebildet sein. 1 shows a conventional optoelectronic device 1 , The optoelectronic component 1 has a carrier 12 on. The carrier 12 can be translucent or transparent. The carrier 12 serves as a carrier element for electronic elements or layers, for example light-emitting elements. The carrier 12 For example, plastic, metal, glass, quartz and / or a semiconductor material can have or be formed from it. Furthermore, the carrier can 12 comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films. The carrier 12 can be mechanically rigid or mechanically flexible.

Auf dem Träger 12 ist eine optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet. Die optoelektronische Schichtenstruktur weist eine erste Elektrodenschicht 14 auf, die einen ersten Kontaktabschnitt 16, einen zweiten Kontaktabschnitt 18 und eine erste Elektrode 20 aufweist. Der Träger 12 mit der ersten Elektrodenschicht 14 kann auch als Substrat bezeichnet werden. Zwischen dem Träger 12 und der ersten Elektrodenschicht 14 kann eine erste nicht dargestellte Barriereschicht, beispielsweise eine erste Barrieredünnschicht, ausgebildet sein.On the carrier 12 an optoelectronic layer structure is formed. The optoelectronic layer structure has a first electrode layer 14 on that a first contact section 16 , a second contact section 18 and a first electrode 20 having. The carrier 12 with the first electrode layer 14 can also be referred to as a substrate. Between the carrier 12 and the first electrode layer 14 For example, a first barrier layer (not shown), for example a first barrier thin layer, may be formed.

Die erste Elektrode 20 ist von dem ersten Kontaktabschnitt 16 mittels einer elektrischen Isolierungsbarriere 21 elektrisch isoliert. Der zweite Kontaktabschnitt 18 ist mit der ersten Elektrode 20 der optoelektronischen Schichtenstruktur elektrisch gekoppelt. Die erste Elektrode 20 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die erste Elektrode 20 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Die erste Elektrode 20 weist ein elektrisch leitfähiges Material auf, beispielsweise Metall und/oder ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einen Schichtenstapel mehrerer Schichten, die Metalle oder TCOs aufweisen. Die erste Elektrode 20 kann beispielsweise einen Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs aufweisen, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten. Die erste Elektrode 20 kann alternativ oder zusätzlich zu den genannten Materialien aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren, Graphen-Teilchen und -Schichten und/oder Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten.The first electrode 20 is from the first contact section 16 by means of an electrical insulation barrier 21 electrically isolated. The second contact section 18 is with the first electrode 20 the optoelectronic layer structure electrically coupled. The first electrode 20 may be formed as an anode or as a cathode. The first electrode 20 can be translucent or transparent. The first electrode 20 has an electrically conductive material, for example, metal and / or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of several layers comprising metals or TCOs. The first electrode 20 For example, a layer stack may comprise a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa. An example is a silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers. The first electrode 20 may alternatively or in addition to the materials mentioned include: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag, networks of carbon nanotubes, graphene particles and layers and / or networks of semiconducting nanowires.

Über der ersten Elektrode 20 ist eine optisch funktionelle Schichtenstruktur, beispielsweise eine organische funktionelle Schichtenstruktur 22, der optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 kann beispielsweise eine, zwei oder mehr Teilschichten aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine Elektronentransportschicht und/oder eine Elektroneninjektionsschicht aufweisen. Die Lochinjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen erster Elektrode und Lochtransportschicht. Bei der Lochtransportschicht ist die Lochleitfähigkeit größer als die Elektronenleitfähigkeit. Die Lochtransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Bei der Elektronentransportschicht ist die Elektronenleitfähigkeit größer als die Lochleitfähigkeit. Die Elektronentransportschicht dient zum Transportieren der Elektronen. Die Elektroneninjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen zweiter Elektrode und Elektronentransportschicht. Ferner kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten aufweisen, die jeweils die genannten Teilschichten und/oder weitere Zwischenschichten aufweisen.Above the first electrode 20 is an optically functional layer structure, for example an organic functional layer structure 22 , the optoelectronic layer structure formed. The organic functional layer structure 22 For example, it may have one, two or more sublayers. For example, the organic functional layer structure 22 a hole injection layer, a hole transport layer, an emitter layer, an electron transport layer and / or an electron injection layer. The hole injection layer serves to reduce the band gap between the first electrode and hole transport layer. In the hole transport layer, the hole conductivity is larger than the electron conductivity. The hole transport layer serves to transport the holes. In the electron transport layer, the electron conductivity is larger than the hole conductivity. The electron transport layer serves to transport the electrons. The electron injection layer serves to reduce the band gap between the second electrode and the electron transport layer. Furthermore, the organic functional layer structure 22 one, two or more functional layer structure units each having the said sub-layers and / or further intermediate layers.

Das optoelektronische Bauelement 1 weist mindestens zwei, beispielsweise drei oder mehr Schichtenstruktursegmente 50, 52, 54 auf. In anderen Worten ist das optoelektronische Bauelement 1 segmentiert. Die Schichtenstruktursegmente 50, 52, 54 weisen voneinander getrennte Segmente der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 und voneinander getrennte Segmente der ersten Elektrodenschicht 20 auf. Insbesondere weist die erste Elektrodenschicht 20 eine erste Elektrode 51 des ersten Schichtenstruktursegments 50, eine erste Elektrode 53 des zweiten Schichtenstruktursegments 52 und eine erste Elektrode 55 des dritten Schichtenstruktursegments 54 auf. Falls das optoelektronische Bauelement 1 mehr oder weniger Segmente aufweist, so weist die erste Elektrodenschicht 20 entsprechend mehr bzw. weniger erste Elektroden 51, 53, 55 auf. Optional teilen sich die Schichtenstruktursegmente 50, 52, 54 eine zweite Elektrodenschicht 23, die nicht segmentiert ist. Alternativ dazu kann bei den Schichtenstruktursegmenten 50, 52, 54 die zweite Elektrodenschicht 23 segmentiert sein und/oder die erste Elektrodenschicht 20 kann nicht segmentiert und/oder einstückig ausgebildet sein. Die ersten Elektroden 51, 53, 55 können mit nicht dargestellten verschiedenen, voneinander elektrisch isolierten, Bereichen des zweiten Kontaktabschnitts 18 elektrisch gekoppelt sein, so dass die Schichtenstruktursegmente 50, 52, 54 unabhängig voneinander betrieben werden können.The optoelectronic component 1 has at least two, for example three or more layer structure segments 50 . 52 . 54 on. In other words, the optoelectronic component 1 segmented. The layer structure segments 50 . 52 . 54 have separate segments of the organic functional layer structure 22 and separate segments of the first electrode layer 20 on. In particular, the first electrode layer 20 a first electrode 51 of the first layer structure segment 50 , a first electrode 53 of the second layer structure segment 52 and a first electrode 55 of the third Layer structure segment 54 on. If the optoelectronic component 1 has more or fewer segments, so has the first electrode layer 20 correspondingly more or less first electrodes 51 . 53 . 55 on. Optionally, the layer structure segments divide 50 . 52 . 54 a second electrode layer 23 that is not segmented. Alternatively, in the layered structure segments 50 . 52 . 54 the second electrode layer 23 be segmented and / or the first electrode layer 20 can not be segmented and / or formed in one piece. The first electrodes 51 . 53 . 55 can with different, not shown, electrically isolated regions of the second contact portion 18 be electrically coupled, so that the layer structure segments 50 . 52 . 54 can be operated independently of each other.

Über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 ist die zweite Elektrode 23 der optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet, die elektrisch mit dem ersten Kontaktabschnitt 16 gekoppelt ist. Die zweite Elektrode 23 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 20 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 20 und die zweite Elektrode 23 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die erste Elektrode 20 dient beispielsweise als Anode oder Kathode der optoelektronischen Schichtenstruktur. Die zweite Elektrode 23 dient korrespondierend zu der ersten Elektrode als Kathode bzw. Anode der optoelektronischen Schichtenstruktur.Over the organic functional layer structure 22 is the second electrode 23 of the optoelectronic layer structure, which is electrically connected to the first contact section 16 is coupled. The second electrode 23 may according to one of the embodiments of the first electrode 20 be formed, wherein the first electrode 20 and the second electrode 23 may be the same or different. The first electrode 20 serves, for example, as the anode or cathode of the optoelectronic layer structure. The second electrode 23 serves corresponding to the first electrode as the cathode or anode of the optoelectronic layer structure.

Die optoelektronische Schichtenstruktur ist ein elektrisch und/oder optisch aktiver Bereich. Der aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des optoelektronischen Bauelements, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen Bauelements fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert wird. Auf oder über dem aktiven Bereich kann eine Getter-Struktur (nicht dargestellt) angeordnet sein. Die Getter-Schicht kann transluzent, transparent oder opak ausgebildet sein. Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, das Stoffe, die schädlich für den aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet.The optoelectronic layer structure is an electrically and / or optically active region. The active region is, for example, the region of the optoelectronic component in which electrical current flows for operation of the optoelectronic component and / or in which electromagnetic radiation is generated or absorbed. On or above the active area, a getter structure (not shown) may be arranged. The getter layer can be translucent, transparent or opaque. The getter layer may include or be formed of a material that absorbs and binds substances that are detrimental to the active area.

Über der zweiten Elektrode 23 und teilweise über dem ersten Kontaktabschnitt 16 und teilweise über dem zweiten Kontaktabschnitt 18 ist eine Verkapselungsschicht 24 der optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet, die die optoelektronische Schichtenstruktur verkapselt. Die Verkapselungsschicht 24 kann als zweite Barriereschicht, beispielsweise als zweite Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 kann auch als Dünnschichtverkapselung bezeichnet werden. Die Verkapselungsschicht 24 bildet eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff. Die Verkapselungsschicht 24 kann als eine einzelne Schicht, ein Schichtstapel oder eine Schichtstruktur ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 kann aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly(p-phenylenterephthalamid), Karbide oder Verbindungen davon, Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben. Gegebenenfalls kann die erste Barriereschicht auf dem Träger 12 korrespondierend zu einer Ausgestaltung der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet sein.Above the second electrode 23 and partially over the first contact portion 16 and partially over the second contact portion 18 is an encapsulation layer 24 the optoelectronic layer structure is formed, which encapsulates the optoelectronic layer structure. The encapsulation layer 24 may be formed as a second barrier layer, for example as a second barrier thin layer. The encapsulation layer 24 can also be referred to as thin-layer encapsulation. The encapsulation layer 24 forms a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture) and oxygen. The encapsulation layer 24 may be formed as a single layer, a layer stack or a layer structure. The encapsulation layer 24 may comprise or be formed from: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum oxide, lanthania, silica, silicon nitride, silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), carbides or compounds thereof, nylon 66 , as well as mixtures and alloys thereof. Optionally, the first barrier layer on the carrier 12 corresponding to a configuration of the encapsulation layer 24 be educated.

In der Verkapselungsschicht 24 sind über dem ersten Kontaktabschnitt 16 eine erste Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 und über dem zweiten Kontaktabschnitt 18 eine zweite Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet. In der ersten Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ist ein erster Kontaktbereich 32 freigelegt und in der zweiten Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ist ein zweiter Kontaktbereich 34 freigelegt. Der erste Kontaktbereich 32 dient zum elektrischen Kontaktieren des ersten Kontaktabschnitts 16 und der zweite Kontaktbereich 34 dient zum elektrischen Kontaktieren des zweiten Kontaktabschnitts 18.In the encapsulation layer 24 are above the first contact section 16 a first recess of the encapsulation layer 24 and over the second contact portion 18 a second recess of the encapsulation layer 24 educated. In the first recess of the encapsulation layer 24 is a first contact area 32 exposed and in the second recess of the encapsulation layer 24 is a second contact area 34 exposed. The first contact area 32 serves for electrically contacting the first contact section 16 and the second contact area 34 serves for electrically contacting the second contact section 18 ,

Über der Verkapselungsschicht 24 ist eine Klebeschicht 36 ausgebildet. Die Klebeschicht 36 weist beispielsweise ein Haftmittel, beispielsweise einen Klebstoff, beispielsweise einen Laminierklebstoff, einen Lack und/oder ein Harz auf. Die Klebeschicht 36 kann beispielsweise Partikel aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel.Above the encapsulation layer 24 is an adhesive layer 36 educated. The adhesive layer 36 has, for example, an adhesive, for example an adhesive, for example a laminating adhesive, a lacquer and / or a resin. The adhesive layer 36 For example, it may comprise particles which scatter electromagnetic radiation, for example light-scattering particles.

Über der Klebeschicht 36 ist eine Abdeckung 38 ausgebildet. Die Klebeschicht 36 dient zum Befestigen der Abdeckung 38 an der Verkapselungsschicht 24. Die Abdeckung 38 weist beispielsweise Kunststoff und/oder Metall auf. Beispielsweise kann die Abdeckung 38 im Wesentlichen aus Glas gebildet sein und eine dünne Metallschicht, beispielsweise eine Metallfolie, und/oder eine Graphitschicht, beispielsweise ein Graphitlaminat, auf dem Glaskörper aufweisen. Die Abdeckung 38 dient zum Schützen des herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 1, beispielsweise vor mechanischen Krafteinwirkungen von außen. Ferner kann die Abdeckung 38 zum Verteilen und/oder Abführen von Hitze dienen, die in dem herkömmlichen optoelektronischen Bauelement 1 erzeugt wird. Beispielsweise kann das Glas der Abdeckung 38 als Schutz vor äußeren Einwirkungen dienen und die Metallschicht der Abdeckung 38 kann zum Verteilen und/oder Abführen der beim Betrieb des herkömmlichen optoelektronischen Bauelements 1 entstehenden Wärme dienen.Over the adhesive layer 36 is a cover 38 educated. The adhesive layer 36 used to attach the cover 38 at the encapsulation layer 24 , The cover 38 has, for example, plastic and / or metal. For example, the cover 38 may be formed essentially of glass and a thin metal layer, such as a metal foil, and / or a graphite layer, such as a graphite laminate, on the glass body. The cover 38 serves to protect the conventional optoelectronic device 1 , for example, from mechanical forces from the outside. Furthermore, the cover 38 serve for distributing and / or dissipating heat, which in the conventional optoelectronic device 1 is produced. For example, the glass of the cover 38 serve as protection against external influences and the metal layer of the cover 38 can be used to distribute and / or dissipate during operation of the conventional optoelectronic device 1 serve arising heat.

2A zeigt ein herkömmliches optoelektronisches Bauelement 1, das beispielsweise weitgehend dem in 1 gezeigten optoelektronischen Bauelement 1 entsprechen kann. Zusätzlich ist auf einer von den Schichten des optoelektronischen Bauelements 1 abgewandten Seite des Trägers 12 eine lichtstreuende Schicht 6 angeordnet, beispielsweise eine Auskoppelfolie, insbesondere ein Diffusor. Das optoelektronische Bauelement 1 ist insbesondere als Bottom-Emitter ausgebildet. 2A shows a conventional optoelectronic device 1 , which for example largely corresponds to the in 1 shown optoelectronic component 1 can correspond. In addition, on one of the layers of the optoelectronic device 1 opposite side of the carrier 12 a light-scattering layer 6 arranged, for example, a decoupling film, in particular a diffuser. The optoelectronic component 1 is designed in particular as a bottom emitter.

Weiter zusätzlich sind auf der ersten Elektrode 20 in direktem Kontakt mit dieser Metallstege 4 angeordnet, die die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 in Schichtenstruktursegmente unterteilen. Die Metallstege 4 sind beispielsweise in Form eines matrixartigen Gitters auf der ersten Elektrode 20 aufgebracht und mit dieser in elektrischem und mechanischem Kontakt. Die Metallstege 4 erhöhen als Busbars die elektrische Leitfähigkeit der ersten Elektrode 20. Die Metallstege 4 sind mit einer Lackschicht 5a bedeckt beziehungsweise von dieser umschlossen. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 ist zwischen den Metallstegen 4 sowie auf der Lackschicht 5a angeordnet und geht daher über der Lackschicht 5a von einem Schichtenstruktursegment zu einem benachbarten Schichtenstruktursegment übergangslos über.Next addition are on the first electrode 20 in direct contact with these metal bars 4 arranged the organic functional layer structure 22 subdivide into layer structure segments. The metal bars 4 are for example in the form of a matrix-like grating on the first electrode 20 applied and with this in electrical and mechanical contact. The metal bars 4 increase as busbars the electrical conductivity of the first electrode 20 , The metal bars 4 are with a varnish layer 5a covered or enclosed by this. The organic functional layer structure 22 is between the metal bars 4 as well as on the lacquer layer 5a arranged and therefore goes over the paint layer 5a transition from a layer structure segment to an adjacent layer structure segment via seamlessly.

Tritt nun Feuchtigkeit aufgrund eines sogenannten Pin holes 2 durch die Verkapselungsschicht 24, entsteht in der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 ein sogenannter Dark Spot 3. Dieser Dark spot 3 kann sich ungehindert in der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 ausbreiten und damit diese organische funktionelle Schichtenstruktur 22 beschädigen. Ein stetig anwachsender dunkler Fleck kann in dem optoelektronischen Bauelement 1 entstehen, der zu einem Ausfall des optoelektronischen Bauelements 1 führen kann.Occurs now moisture due to a so-called pin holes 2 through the encapsulation layer 24 , arises in the organic functional layer structure 22 a so-called dark spot 3 , This dark spot 3 can be unhindered in the organic functional layer structure 22 spread and thus this organic functional layer structure 22 to damage. A steadily growing dark spot may be present in the optoelectronic device 1 arise, leading to a failure of the optoelectronic device 1 can lead.

2B zeigt das herkömmliche optoelektronische Bauelement 1 der 1 in Aufsicht. Der feuchtegeschädigte Bereich der organischen funktionellen Schichtenstruktur, insbesondere der Dark spot 3, setzt sich aufgrund der ungehinderten Feuchtediffusion in der organischen funktionellen Schichtenstruktur weiter fort, womit der geschädigte Bereich und damit der im Leuchtbild sichtbare Dark spot 3 stetig wächst, was unausweichlich einen Ausfall des optoelektronischen Bauelements 1 bedeutet. 2 B shows the conventional optoelectronic device 1 of the 1 in supervision. The moisture-damaged area of the organic functional layer structure, in particular the dark spot 3 , continues due to the unimpeded moisture diffusion in the organic functional layer structure on, thus the damaged area and thus visible in the light image dark spot 3 steadily growing, which inevitably causes a failure of the optoelectronic device 1 means.

3A zeigt ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 1, das beispielsweise weitgehend dem in 2A gezeigten optoelektronischen Bauelement 1 entsprechen kann. Das optoelektronische Bauelement 1 weist auf dem Träger 12, der insbesondere als Glassubstrat ausgebildet ist, die ersten Elektrode 20 auf, die insbesondere eine ITO-Schicht ist und als Anode dient, die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 auf der ersten Elektrode 20, die zweite Elektrode 23 auf der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22, die insbesondere eine Al-Schicht ist und als Kathode dient, die Verkapselungsschicht 24, die insbesondere eine TFE-Schicht ist, auf der zweiten Elektrode 23, die Klebeschicht 36 auf der Verkapselungsschicht 24, und die Abdeckung 38. 3A shows an embodiment of an optoelectronic component 1 , which for example largely corresponds to the in 2A shown optoelectronic component 1 can correspond. The optoelectronic component 1 points to the carrier 12 , which is formed in particular as a glass substrate, the first electrode 20 which is in particular an ITO layer and serves as an anode, the organic functional layer structure 22 on the first electrode 20 , the second electrode 23 on the organic functional layer structure 22 , which is in particular an Al layer and serves as a cathode, the encapsulation layer 24 , which is in particular a TFE layer, on the second electrode 23 , the adhesive layer 36 on the encapsulation layer 24 , and the cover 38 ,

Der Träger 12 dient als Trägerelement für die weiteren, darauf angeordneten Schichten. Auf einer von diesen Schichten abgewandten Seite weist der Träger 12 eine lichtstreuende Schicht 6, beispielsweise eine Auskoppelfolie, insbesondere einen Diffuser, auf. Das optoelektronische Bauelement 1 ist insbesondere als Bottom-Emitter ausgebildet.The carrier 12 serves as a carrier element for the further layers arranged thereon. On a side facing away from these layers, the carrier 12 a light-scattering layer 6 , For example, a decoupling film, in particular a diffuser on. The optoelectronic component 1 is designed in particular as a bottom emitter.

Die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 kann eine, zwei oder mehr Teilschichten aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 die Lochinjektionsschicht, die Lochtransportschicht, die Emitterschicht, die Elektronentransportschicht und/oder die Elektroneninjektionsschicht aufweisen. Die Lochinjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen erster Elektrode und Lochtransportschicht. Bei der Lochtransportschicht ist die Lochleitfähigkeit größer als die Elektronenleitfähigkeit. Die Lochtransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Bei der Elektronentransportschicht ist die Elektronenleitfähigkeit größer als die Lochleitfähigkeit. Die Elektronentransportschicht dient zum Transportieren der Elektronen. Die Elektroneninjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen zweiter Elektrode und Elektronentransportschicht. Ferner kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten, die jeweils die genannten Teilschichten und/oder weitere Zwischenschichten aufweisen.The organic functional layer structure 22 may have one, two or more sublayers. For example, the organic functional layer structure 22 the hole injection layer, the hole transport layer, the emitter layer, the electron transport layer and / or the electron injection layer. The hole injection layer serves to reduce the band gap between the first electrode and hole transport layer. In the hole transport layer, the hole conductivity is larger than the electron conductivity. The hole transport layer serves to transport the holes. In the electron transport layer, the electron conductivity is larger than the hole conductivity. The electron transport layer serves to transport the electrons. The electron injection layer serves to reduce the band gap between the second electrode and the electron transport layer. Furthermore, the organic functional layer structure 22 one, two or more functional layer structure units, each having said sub-layers and / or further intermediate layers.

Die Verkapselungsschicht 24 kann als Barriereschicht, beispielsweise als Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 kann auch als Dünnschichtverkapselung bezeichnet werden. Die Verkapselungsschicht 24 bildet eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff. Die Verkapselungsschicht 24 kann als eine einzelne Schicht, ein Schichtstapel oder eine Schichtstruktur ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 kann aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly(p-phenylenterephthalamid), Karbide oder Verbindungen damit, Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben oder Tetrafluorethylen (TFE).The encapsulation layer 24 may be formed as a barrier layer, for example as a barrier thin layer. The encapsulation layer 24 can also be referred to as thin-layer encapsulation. The encapsulation layer 24 forms a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture) and oxygen. The encapsulation layer 24 may be formed as a single layer, a layer stack or a layer structure. The encapsulation layer 24 may comprise or be formed from: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum lanthania, silica, silicon nitride, silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), carbides or compounds therewith, nylon 66 , as well as mixtures and alloys thereof or tetrafluoroethylene (TFE).

Die Klebeschicht 36 dient zum Befestigen der Abdeckung 38 auf der Verkapselungsschicht 24. Die Abdeckung 38 dient zum Schützen des optoelektronischen Bauelements 1, beispielsweise vor mechanischen Krafteinwirkungen von außen. Ferner kann die Abdeckung 38 zum Verteilen und/oder Abführen von Hitze dienen, die in dem optoelektronischen Bauelement 1 erzeugt wird. Die Abdeckung 38 kann insbesondere eine Metallschicht oder eine Metallfolie aufweisen oder sein, beispielsweise eine Aluminiumfolie. The adhesive layer 36 used to attach the cover 38 on the encapsulation layer 24 , The cover 38 serves to protect the optoelectronic device 1 , for example, from mechanical forces from the outside. Furthermore, the cover 38 serve for distributing and / or dissipating heat, which in the optoelectronic device 1 is produced. The cover 38 may in particular comprise or be a metal layer or a metal foil, for example an aluminum foil.

Auf der ersten Elektrode 20 sind in direktem Kontakt Metallstege 4 angeordnet, die die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 in Schichtenstruktursegmente unterteilen. Die Metallstege 4 sind beispielsweise in Form eines matrixartigen Gitters auf der ersten Elektrode 20 aufgebracht und mit dieser in elektrischem und mechanischem Kontakt. Die Metallstege 4 erhöhen als Busbars die elektrische Leitfähigkeit der ersten Elektrode 20. Die Metallstege 4 sind mit einer Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur 5b bedeckt beziehungsweise von dieser umschlossen. Die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur 5b ist somit zwischen den einzelnen Schichtenstruktursegmenten angeordnet und grenzt diese jeweils vollumrundend ein. Dabei ist die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur 5b bereichsweise in körperlichem Kontakt mit der ersten Elektrode 20 und bildet eine laterale Feuchtigkeits-Diffusionsbarriere für jedes der Schichtenstruktursegmente aus.On the first electrode 20 are in direct contact metal bars 4 arranged the organic functional layer structure 22 subdivide into layer structure segments. The metal bars 4 are for example in the form of a matrix-like grating on the first electrode 20 applied and with this in electrical and mechanical contact. The metal bars 4 increase as busbars the electrical conductivity of the first electrode 20 , The metal bars 4 are with a moisture diffusion barrier structure 5b covered or enclosed by this. The moisture diffusion barrier structure 5b is thus arranged between the individual layer structure segments and adjoins these in each case completely around. Here, the moisture diffusion barrier structure is 5b partially in physical contact with the first electrode 20 and forms a lateral moisture diffusion barrier for each of the layered structure segments.

Die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 ist lediglich zwischen den Metallstegen 4 angeordnet und insbesondere nicht oberhalb der Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur 5b, sodass die Schichtenstruktursegmente nicht ineinander übergehen und insbesondere in keinem körperlichen direkten Kontakt zueinander stehen. Insbesondere grenzt die zweite Elektrode 23 unmittelbar an die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur 5b an, sodass der Metallsteg 4, die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur 5b und die zweite Elektrode 23 eine die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 unterbrechende und abgrenzende Funktion erfüllen.The organic functional layer structure 22 is only between the metal bars 4 arranged and in particular not above the moisture diffusion barrier structure 5b such that the layer structure segments do not merge into each other and, in particular, are not physically in direct contact with each other. In particular, the second electrode is adjacent 23 directly to the moisture diffusion barrier structure 5b on, so the metal bar 4 , the moisture diffusion barrier structure 5b and the second electrode 23 one the organic functional layer structure 22 perform interrupting and delimiting function.

Tritt nun Feuchtigkeit durch einen sogenannten Pin hole 2 durch die Verkapselungsschicht 24, entsteht in der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 zwar ebenfalls ein sogenannter Dark Spot 3. Dieser Dark spot 3 kann sich jedoch augrund der Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur 5b nicht ungehindert in der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 ausbreiten, sondern wird in dem auftretenden Schichtenstruktursegment lokal begrenzt. Das optoelektronische Bauelement 1 fällt trotz einem Fehler in der Verkapselungsschicht 24 nicht aus.Now kick in moisture through a so-called pin hole 2 through the encapsulation layer 24 , arises in the organic functional layer structure 22 Although also a so-called dark spot 3 , This dark spot 3 however, may be due to the moisture diffusion barrier structure 5b not unhindered in the organic functional layer structure 22 but is localized in the occurring layer structure segment. The optoelectronic component 1 falls despite a bug in the encapsulation layer 24 not from.

Die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur 5b ist beispielsweise aus dielektrischen Stegen gebildet, zum Beispiel aus Oxiden (beispielsweise Al2O3, SiOx, TiO2), Nitriden (beispielsweise SiN), Karbiden (beispielsweise SiC) oder Kombinationen davon. Alternativ kann die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur 5b eine Fritte sein, Glaspulver und/oder Metallpulver enthalten.The moisture diffusion barrier structure 5b is formed, for example, of dielectric lands, for example of oxides (for example Al 2 O 3 , SiO x , TiO 2 ), nitrides (for example SiN), carbides (for example SiC) or combinations thereof. Alternatively, the moisture diffusion barrier structure 5b a frit, glass powder and / or metal powder included.

Die Größe der einzelnen Schichtenstruktursegmente ist so ausgelegt, dass der Ausfall eines Schichtenstruktursegments nicht den Ausfall des gesamten optoelektronischen Bauelements 1 nach sich zieht. Beispielsweise weisen die Schichtenstruktursegmente jeweils eine laterale Abmessung von kleiner 1000 μm, insbesondere von kleiner 200 μm, insbesondere von kleiner 50 μm auf.The size of the individual layer structure segments is designed such that the failure of a layer structure segment does not cause the failure of the entire optoelectronic component 1 pulls. For example, the layer structure segments each have a lateral dimension of less than 1000 .mu.m, in particular of less than 200 .mu.m, in particular of less than 50 .mu.m.

3B zeigt das Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauelements 1 der 3A in einer Aufsicht. Der feuchtegeschädigte Bereich der organischen funktionellen Schichtenstruktur, insbesondere der Dark spot 3, setzt sich aufgrund der Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur 5b in der organischen funktionellen Schichtenstruktur nicht ungehindert fort. Insbesondere wird die Feuchtediffusion in benachbarte Schichtenstruktursegmente 50 durch die laterale Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur 5b gehindert. Die Gefahr eines Ausfalls des gesamten optoelektronischen Bauelements 1 kann so reduziert werden. 3B shows the embodiment of the optoelectronic device 1 of the 3A in a supervision. The moisture-damaged area of the organic functional layer structure, in particular the dark spot 3 , is due to the moisture diffusion barrier structure 5b in the organic functional layer structure does not continue unhindered. In particular, the moisture diffusion into adjacent layer structure segments 50 through the lateral moisture diffusion barrier structure 5b prevented. The risk of failure of the entire optoelectronic device 1 can be reduced that way.

Die Schichtenstruktursegmente 50 können quadratisch, rechteckig oder hexagonal ausgebildet sein. Alternativ sind beliebige andere gewünschte Formen der Schichtenstruktursegmente 50 möglich, die sich weiter alternativ von Schichtenstruktursegment 50 zu Schichtenstruktursegment 50 unterscheiden können. Vorteilhaft sind Formen, die den Ausfall eines Schichtenstruktursegments 50 kaschieren.The layer structure segments 50 can be square, rectangular or hexagonal. Alternatively, any other desired shapes of the layered structure segments 50 possible, which is further alternatively layered segment 50 to layer structure segment 50 can distinguish. Advantageous forms are the failure of a layered structure segment 50 conceal.

4A zeigt das Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauelements 1 der 3A in einer Aufsicht in einer alternativen Ausgestaltung. Die organische funktionelle Schichtenstruktur weist eine Strukturierung und insbesondere eine Segmentierung lediglich im Randbereich R des optoelektronischen Bauelements 1 auf. Zwischen den einzelnen Schichtenstruktursegmenten 50 ist wiederum die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur 5b angeordnet und derart ausgebildet, dass eine vollständige Unterbrechnung der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet ist. 4A shows the embodiment of the optoelectronic device 1 of the 3A in a plan view in an alternative embodiment. The organic functional layer structure has a structuring and in particular a segmentation only in the edge region R of the optoelectronic component 1 on. Between the individual layer structure segments 50 again is the moisture diffusion barrier structure 5b arranged and formed such that a complete interruption of the organic functional layer structure is formed.

Gerade der Randbereich R zeichnet sich als kritische Stelle für Pin holes aus. Durch das Segmentieren der organischen funktionellen Schichtenstruktur und insbesondere durch das Ausbilden von der Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur gerade im Randbereich R kann eine Ausbreitung von eingedrungener Feuchtigkeit in der organischen funktionellen Schichtenstruktur verhindert werden.Especially the edge region R stands out as a critical point for pin holes. By segmenting the organic functional layer structure and in particular by forming the moisture diffusion barrier structure just in the edge region R, a propagation of Ingress of moisture in the organic functional layer structure can be prevented.

4b zeigt das Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Bauelements 1 der 4A in einer Untersicht. Insbesondere ist hier die mögliche elektrische Kontaktierung der einzelnen Schichtenstruktursegmenten dargestellt. Eine elektrische Außenkontaktierung A ist in Form eines Streifenmusters ausgebildet. Die Streifen sind dabei in ihrer Größe derart ausgebildet, dass diese für das menschliche Auge ab einer gewissen Entfernung nicht sichtbar sind. Zusätzlich kann eine lichtstreuende Schicht, beispielsweise eine Auskoppelfolie Verwendung finden, durch die auftretende Dark spots für den Betrachter nicht mehr sichtbar sind. 4b shows the embodiment of the optoelectronic device 1 of the 4A in a soffit. In particular, the possible electrical contacting of the individual layer structure segments is shown here. An electrical external contact A is in the form of a stripe pattern. The strips are designed in size such that they are not visible to the human eye from a certain distance. In addition, a light-scattering layer, for example, a decoupling film can be used by the emerging dark spots are no longer visible to the viewer.

5A zeigt ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 1, das beispielsweise weitgehend dem in 3A gezeigten optoelektronischen Bauelement 1 entsprechen kann. Das optoelektronische Bauelement 1 weist die Schichtenstruktursegmente 50, 52 auf, die vorliegend jeweils einen elektrisch voneinander unabhängigen beziehungsweise isolierten Bereich der ersten Elektrode 20 aufweisen. Eine separate elektrische Ansteuerung der einzelnen Schichtenstruktursegmente 50, 52 ermöglicht sich so. Elektrische Kontakte der einzelnen Schichtenstruktursegmente 50, 52 können auf dem Träger 12 zusammengeführt werden, außerhalb der Abdeckung 38 durch Flex/PCB Kontakte kontaktiert werden und/oder kombiniert werden mit einer robusten zweiten Elektrode 23, die beispielsweise eine weiche Schicht, eine reaktive Schicht und/oder eine Nanopartikelschicht ist. 5A shows an embodiment of an optoelectronic component 1 , which for example largely corresponds to the in 3A shown optoelectronic component 1 can correspond. The optoelectronic component 1 has the layer structure segments 50 . 52 in the present case in each case an electrically independent or isolated region of the first electrode 20 exhibit. A separate electrical control of the individual layer structure segments 50 . 52 makes it possible. Electrical contacts of the individual layer structure segments 50 . 52 can on the carrier 12 be merged, outside the cover 38 be contacted by Flex / PCB contacts and / or combined with a robust second electrode 23 which is, for example, a soft layer, a reactive layer and / or a nanoparticle layer.

5B zeigt ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements 1, das beispielsweise weitgehend dem in 5A gezeigten optoelektronischen Bauelement 1 entsprechen kann. Das optoelektronische Bauelement 1 weist die Schichtenstruktursegmente 50, 52 auf, die vorliegend eine gemeinsame erste Elektrode 20 aufweisen. Externe Kontakte können dabei seitlich aus der Abdeckung 38 herausgeführt sein. 5B shows an embodiment of an optoelectronic component 1 , which for example largely corresponds to the in 5A shown optoelectronic component 1 can correspond. The optoelectronic component 1 has the layer structure segments 50 . 52 in the present case a common first electrode 20 exhibit. External contacts can be removed laterally from the cover 38 be led out.

Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise können eine Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen 1 nebeneinander zu einer optoelektronischen Baugruppe angeordnet sein.The invention is not limited to the specified embodiments. For example, a plurality of optoelectronic components 1 be arranged side by side to form an optoelectronic assembly.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • US 2002/0003403 A1 [0007] US 2002/0003403 A1 [0007]

Claims (15)

Optoelektronisches Bauelement (1), aufweisend; • eine erste Elektrode (20); • eine strukturierte organische funktionelle Schichtenstruktur (22) mit mehreren nebeneinander angeordneten Schichtenstruktursegmenten (50, 52, 54) auf der ersten Elektrode (20); • eine Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur (5b) zwischen zumindest zwei lateral benachbarten Schichtenstruktursegmenten (50, 52), wobei die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur (5b) in körperlichem Kontakt ist mit der ersten Elektrode (20) und eine laterale Feuchtigkeits-Diffusionsbarriere für mindestens eines der Schichtenstruktursegmente (50, 52, 54) bildet.Optoelectronic component ( 1 ) having; A first electrode ( 20 ); A structured organic functional layer structure ( 22 ) with a plurality of juxtaposed layer structure segments ( 50 . 52 . 54 ) on the first electrode ( 20 ); A moisture diffusion barrier structure ( 5b ) between at least two laterally adjacent layer structure segments ( 50 . 52 ), wherein the moisture diffusion barrier structure ( 5b ) is in physical contact with the first electrode ( 20 ) and a lateral moisture diffusion barrier for at least one of the layer structure segments ( 50 . 52 . 54 ). Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß Anspruch 1, wobei die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur (5b) hermetisch abdichtende Eigenschaften aufweist.Optoelectronic component ( 1 ) according to claim 1, wherein said moisture diffusion barrier structure ( 5b ) has hermetically sealing properties. Optoelektronisches Bauelement gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter aufweisend eine zweite Elektrode (23) auf der strukturierten organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) und auf der Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur (5b), und eine Verkapselungsschicht (24) auf der zweiten Elektrode (23).Optoelectronic component according to one of the preceding claims, further comprising a second electrode ( 23 ) on the structured organic functional layer structure ( 22 ) and on the moisture diffusion barrier structure ( 5b ), and an encapsulation layer ( 24 ) on the second electrode ( 23 ). Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei zwischen allen lateral benachbarten Schichtenstrukturensegmenten (50, 52, 54) jeweils die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur (5b) ausgebildet ist und jeweils eine laterale Feuchtigkeits-Diffusionsbarriere für die einzelnen Schichtenstruktursegmente (50, 52, 54) bildet.Optoelectronic component ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein between all laterally adjacent layer structure segments ( 50 . 52 . 54 ) each the moisture diffusion barrier structure ( 5b ) and in each case a lateral moisture diffusion barrier for the individual layer structure segments ( 50 . 52 . 54 ). Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter aufweisend zumindest eine Metallstegestruktur (4), wobei die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur (5b) zumindest bereichsweise auf der Metallstegestruktur (4) angeordnet ist.Optoelectronic component ( 1 ) according to one of the preceding claims, further comprising at least one metal web structure ( 4 ), wherein the moisture diffusion barrier structure ( 5b ) at least partially on the metal web structure ( 4 ) is arranged. Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur (5b) eine Fritte, aufgeschmolzenes Glaspulver und/oder Metallstege enthält.Optoelectronic component ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein the moisture diffusion barrier structure ( 5b ) contains a frit, molten glass powder and / or metal bars. Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 5, wobei die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur (5b) zumindest ein Oxid, ein Nitrid und/oder ein Karbid enthält.Optoelectronic component ( 1 ) according to one of the preceding claims 1 to 5, wherein the moisture diffusion barrier structure ( 5b ) contains at least one oxide, a nitride and / or a carbide. Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur (5b) in einem Randbereich (R) des optoelektronischen Bauelements (1) angeordnet ist.Optoelectronic component ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein the moisture diffusion barrier structure ( 5b ) in an edge region (R) of the optoelectronic component ( 1 ) is arranged. Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Schichtenstruktursegmente (50, 52, 54) jeweils eine laterale Abmessung von kleiner 1000 μm, insbesondere von kleiner 200 μm, insbesondere von kleiner 50 μm aufweisen.Optoelectronic component ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein the layer structure segments ( 50 . 52 . 54 ) each have a lateral dimension of less than 1000 .mu.m, in particular of less than 200 .mu.m, in particular of less than 50 microns. Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, weiter aufweisend einen Träger (12), auf dem die erste Elektrode (20) angeordnet ist, wobei der Träger (12) • eine weitere Feuchtigkeits-Diffusionsbarriere bildet; oder • feuchtedurchlässig ist und auf einer der ersten Elektrode (20) abgewandten Seite eine Dünnfilmverkapselung aufweist, die eine weitere Feuchtigkeits-Diffusionsbarriere bildet.Optoelectronic component ( 1 ) according to any one of the preceding claims, further comprising a carrier ( 12 ) on which the first electrode ( 20 ), wherein the carrier ( 12 ) • forms another moisture diffusion barrier; or • impermeable to moisture and on one of the first electrodes ( 20 ) has a thin film encapsulation which forms another moisture diffusion barrier. Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß Anspruch 10, wobei die erste Elektrode (20) strukturiert ist, und die Feuchtigkeits-Diffusionsbarriere in körperlichem Kontakt mit dem Träger (12) ist.Optoelectronic component ( 1 ) according to claim 10, wherein the first electrode ( 20 ) and the moisture diffusion barrier in physical contact with the carrier ( 12 ). Optoelektronisches Bauelement (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche 10 oder 11, wobei in dem Träger (12) und/oder auf dem Träger (12) zumindest eine lichtstreuende Schicht (6) ausgebildet ist.Optoelectronic component ( 1 ) according to one of the preceding claims 10 or 11, wherein in the carrier ( 12 ) and / or on the carrier ( 12 ) at least one light-scattering layer ( 6 ) is trained. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (1), bei dem • eine erste Elektrode (20) ausgebildet wird; • eine strukturierte organische funktionelle Schichtenstruktur (22) mit mehreren nebeneinander angeordneten Schichtenstruktursegmenten (50, 52, 54) auf der ersten Elektrode (20) ausgebildet wird; • eine Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur (5b) zwischen zumindest zwei lateral benachbarten Schichtenstruktursegmenten (50, 52) ausgebildet wird, wobei die Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur (5b) in körperlichen Kontakt gebracht wird mit der ersten Elektrode (20) oder einem Träger (12) und eine laterale Feuchtigkeits-Diffusionsbarriere für mindestens eines der Schichtenstruktursegmente (50, 52, 54) bildet.Method for producing an optoelectronic component ( 1 ), in which • a first electrode ( 20 ) is formed; A structured organic functional layer structure ( 22 ) with a plurality of juxtaposed layer structure segments ( 50 . 52 . 54 ) on the first electrode ( 20 ) is formed; A moisture diffusion barrier structure ( 5b ) between at least two laterally adjacent layer structure segments ( 50 . 52 ), wherein the moisture diffusion barrier structure ( 5b ) is brought into physical contact with the first electrode ( 20 ) or a carrier ( 12 ) and a lateral moisture diffusion barrier for at least one of the layer structure segments ( 50 . 52 . 54 ). Verfahren gemäß Anspruch 13, wobei die strukturierte organische funktionelle Schichtenstruktur (22) ganzflächig auf der ersten Elektrode (20) und/oder der Feuchtigkeits-Diffusionsbarrierenstruktur (5b) aufgebracht und anschließend strukturiert wird.The method of claim 13, wherein the structured organic functional layer structure ( 22 ) over the entire surface of the first electrode ( 20 ) and / or the moisture diffusion barrier structure ( 5b ) is applied and then structured. Verfahren nach Anspruch 13, wobei die strukturierte organische funktionelle Schichtenstruktur (22) strukturiert auf der ersten Elektrode (20) aufgebracht wird. The method of claim 13, wherein the structured organic functional layer structure ( 22 ) structured on the first electrode ( 20 ) is applied.
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