DE102015112681A1

DE102015112681A1 - Organic optoelectronic component and method for producing an organic optoelectronic component

Info

Publication number: DE102015112681A1
Application number: DE102015112681.8A
Authority: DE
Inventors: Popp Michael; Richard Baisl
Original assignee: Osram Oled GmbH
Current assignee: Pictiva Displays International Ltd
Priority date: 2015-08-03
Filing date: 2015-08-03
Publication date: 2017-02-09
Also published as: WO2017021372A1

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein organisches optoelektronisches Bauelement (1) bereitgestellt. Das organische optoelektronische Bauelement (1) weist auf ein Substrat, das mindestens eine erste Elektrode (20) aufweist, eine dielektrische Isolatorschichtstruktur, die auf dem Substrat angeordnet ist und die in direktem körperlichen Kontakt mit der ersten Elektrode (20) ist, eine dielektrische Barriereschicht (40), die direkt auf der Isolatorschichtstruktur und zumindest teilweise direkt auf der ersten Elektrode (20) ausgebildet ist und die laterale Seitenflächen der Isolatorschichtstruktur bedeckt, eine organische funktionelle Schichtenstruktur (22), die über der ersten Elektrode (20) und auf der dielektrischen Barriereschicht (40) ausgebildet ist, und eine zweite Elektrode (23), die über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) ausgebildet ist.In various embodiments, an organic optoelectronic device (1) is provided. The organic optoelectronic component (1) has a dielectric barrier layer on a substrate having at least a first electrode (20), a dielectric insulator layer structure disposed on the substrate and in direct physical contact with the first electrode (20) (40) formed directly on the insulator layer structure and at least partially directly on the first electrode (20) and covering the lateral side surfaces of the insulator layer structure, an organic functional layer structure (22) overlying the first electrode (20) and on the dielectric Barrier layer (40) is formed, and a second electrode (23) which is formed over the organic functional layer structure (22).

Description

Die Erfindung betrifft ein organisches optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements. The invention relates to an organic optoelectronic component and to a method for producing an organic optoelectronic component.

Optoelektronische Bauelemente auf organischer Basis, sogenannte organische optoelektronische Bauelemente, finden zunehmend verbreitete Anwendung. Beispielsweise halten organische Leuchtdioden (organic light emitting diode – OLED) zunehmend Einzug in die Allgemeinbeleuchtung, beispielsweise als Flächenlichtquellen. Organic-based optoelectronic components, so-called organic optoelectronic components, are increasingly being used. For example, organic light-emitting diodes (organic light-emitting diode (OLED) are increasingly being used in general lighting, for example as area light sources.

Ein organisches optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine OLED, kann eine Anode und eine Kathode und dazwischen ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen. Das organische funktionelle Schichtensystem kann aufweisen eine oder mehrere Emitterschichten, in denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichten („charge generating layer“, CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie eine oder mehrere Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als Lochtransportschichten („hole transport layer“ – HTL), und eine oder mehrere Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschichten („electron transport layer“ – ETL), um den Stromfluss zu richten. Die einzelnen Schichten können lateral strukturiert sein. An organic optoelectronic component, for example an OLED, may comprise an anode and a cathode and, between them, an organic functional layer system. The organic functional layer system may comprise one or more emitter layers in which electromagnetic radiation is generated, a charge carrier pair generation layer structure each consisting of two or more charge generating layers (CGL) for charge carrier pair generation, and one or more Electron block layers, also referred to as hole transport layers (HTL), and one or more hole block layers, also referred to as electron transport layers (ETLs), for directing the flow of current. The individual layers can be laterally structured.

Um bei einer großflächigen OLED über die gesamte Fläche eine gleichmäßige und hohe Effizienz zu erreichen, ist eine gleichmäßige Stromverteilung über die entsprechende Fläche der OLED erforderlich. Dünne transparente Elektroden sind häufig bezüglich ihrer elektrischen Leitfähigkeit limitiert und weisen dann für großflächige Anwendungen eine unzureichende Stromleitfähigkeit auf, was im Betrieb der OLED beispielsweise zu einer lateral ungleichmäßigen Leuchtdichte und dadurch bedingt zu einem lateral ungleichmäßigen Leuchtbild führen kann. Um dies zu vermeiden, werden dünne metallische Sammelschienen (Busbars) auf den entsprechenden Elektroden ausgebildet. Diese Busbars sind hochleitfähige Zuleitungsstrukturen und erhöhen die Stromtragfähigkeit im Vergleich zur Verwendung einer entsprechenden Elektrode ohne Busbars. Die Busbars tragen so zu einer ausreichenden Stromverteilung über die gesamte Fläche der OLED bei, was zu einer gleichmäßigen Leuchtdichte und damit zu einem gleichmäßigen Leuchtbild beitragen kann. In order to achieve uniform and high efficiency over the entire area of a large-area OLED, a uniform current distribution over the corresponding area of the OLED is required. Thin transparent electrodes are often limited in their electrical conductivity and then have an insufficient current conductivity for large-area applications, which may, for example, lead to a laterally uneven luminance during operation of the OLED and thus to a laterally uneven illumination image. To avoid this, thin metallic busbars are formed on the respective electrodes. These busbars are highly conductive lead structures and increase current carrying capacity compared to using a corresponding electrode without busbars. The busbars thus contribute to a sufficient current distribution over the entire surface of the OLED, which can contribute to a uniform luminance and thus to a uniform illumination.

Die Busbars können beispielsweise mittels Sputterns oder in einem PVD-Verfahren und einem oder mehreren anschließenden Lithographieprozessen ausgebildet werden. Die Busbars können Metallschichtstrukturen, wie beispielsweise alternierende Schichten von Cr-Al-Cr oder Mo-Al-Mo, oder Einzelschichten, beispielsweise aus Kupfer, aufweisen oder davon gebildet sein. Diese Strukturen werden mit einem organischen Isolator, insbesondere einen Resist, beispielsweise mit Kunstharz, überzogen, um eine Ladungsträgerinjektion von der entsprechenden Elektrode in die organischen funktionellen Schichten ausschließlich durch die entsprechende Elektrode zu ermöglichen. Dies hat jedoch den Nachteil, dass durch den Fertigungsprozess bedingt Zersetzungsprodukte des organischen Isolators aus in für die Abstrahleigenschaften der OLED wichtige Bereiche, insbesondere in die organischen funktionellen Schichten, eindringen können, wodurch die Lebensdauer der OLED verringert werden kann und/oder eine Leuchtflächeneinengung und/oder ein Pixelschrumpfen erfolgen kann, bei dem die Leuchtfläche der OLED im Laufe der Zeit vom Rand her nach innen dunkler wird. The busbars can be formed, for example, by sputtering or in a PVD method and one or more subsequent lithography processes. The busbars may include or be formed of metal layer structures, such as alternating layers of Cr-Al-Cr or Mo-Al-Mo, or single layers, for example of copper. These structures are coated with an organic insulator, in particular a resist, for example with synthetic resin, in order to allow a charge carrier injection from the corresponding electrode into the organic functional layers exclusively through the corresponding electrode. However, this has the disadvantage that due to the manufacturing process decomposition products of the organic insulator can penetrate into areas which are important for the emission properties of the OLED, in particular into the organic functional layers, whereby the lifetime of the OLED can be reduced and / or a luminous area constriction and / or or a pixel shrinkage can take place, in which the luminous area of the OLED darkens inwardly from the edge over time.

Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein organisches optoelektronisches Bauelement bereitzustellen, das eine gleichmäßige Leuchtdichteverteilung und ein gleichmäßiges Leuchtbild über seine optisch aktive Fläche hat und das eine lange Lebensdauer hat. An object of the invention is to provide an organic optoelectronic component which has a uniform luminance distribution and a uniform luminous image over its optically active surface and which has a long life.

Eine Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements bereitzustellen, das einfach und/oder kostengünstig durchführbar ist und/oder das dazu beiträgt, dass das organische optoelektronische Bauelement im Betrieb eine gleichmäßige Leuchtdichteverteilung und ein gleichmäßiges Leuchtbild über seine optisch aktive Fläche hat und eine lange Lebensdauer hat. An object of the invention is to provide a method for producing an organic optoelectronic component which is simple and / or inexpensive to carry out and / or which contributes to the fact that the organic optoelectronic component has a uniform luminance distribution and a uniform luminous image via its optically active Surface and has a long life.

Die Aufgabe wird gemäß einem Aspekt der Erfindung gelöst durch ein organisches optoelektronisches Bauelement, mit einem Substrat, das mindestens eine erste Elektrode aufweist, einer dielektrischen Isolatorschichtstruktur, die auf dem Substrat angeordnet ist und die in direktem körperlichen Kontakt mit der ersten Elektrode ist, einer dielektrischen Barriereschicht, die direkt auf der Isolatorschichtstruktur und zumindest teilweise direkt auf der ersten Elektrode ausgebildet ist und die laterale Seitenflächen der Isolatorschichtstruktur bedeckt, einer organischen funktionellen Schichtenstruktur, die über der ersten Elektrode und auf der dielektrischen Barriereschicht ausgebildet ist, und einer zweiten Elektrode, die über der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet ist. The object is achieved in accordance with an aspect of the invention by an organic optoelectronic component having a substrate which has at least one first electrode, a dielectric insulator layer structure which is arranged on the substrate and which is in direct physical contact with the first electrode, a dielectric A barrier layer formed directly on the insulator layer structure and at least partially directly on the first electrode and covering the lateral side surfaces of the insulator layer structure, an organic functional layer structure formed over the first electrode and on the dielectric barrier layer, and a second electrode over the organic functional layer structure is formed.

Somit können die dielektrische Barriereschicht und das Substrat in Zusammenwirken die Isolatorschichtstruktur vollständig umschließen und/oder einbetten, zumindest im Bereich der organischen funktionellen Schichtenstruktur. Durch die flächige Überformung der Isolatorschichtstruktur wird eine Entweichung von Zerlegungsprodukten des Materials der Isolatorschichtstruktur während der Herstellung des organischen optoelektronischen Bauelements und während des Betriebs des organischen optoelektronischen Bauelements reduziert und/oder verhindert. Insbesondere werden Entweichungen von Zerlegungsprodukten des Materials der Isolatorschichtstruktur, die aufgrund einer, beispielsweise für eine transparente erste Elektrode, optimierte Prozessführung entstanden sind, verringert und/oder verhindert. Dies trägt dazu bei, dass beispielsweise bei einer OLED eine Leuchtdichte über die aktive Fläche und ein Leuchtbild gleichmäßig sind und dass eine Leuchtfeldeinengung verringert und/oder verhindert wird. Dies trägt dazu bei, dass eine Lebensdauer der des organischen optoelektronischen Bauelements besonders hoch ist. Thus, in cooperation, the dielectric barrier layer and the substrate may completely enclose and / or embed the insulator layer structure, at least in the region of the organic functional layer structure. By the Flat overmolding of the insulator layer structure reduces and / or prevents leakage of decomposition products of the material of the insulator layer structure during production of the organic optoelectronic component and during operation of the organic optoelectronic component. In particular, leakages of decomposition products of the material of the insulator layer structure which have arisen due to an optimized process control, for example for a transparent first electrode, are reduced and / or prevented. This contributes to the fact that, for example, in the case of an OLED, a luminance over the active area and a luminous image are uniform and that a narrowing of the luminous field is reduced and / or prevented. This contributes to a particularly high lifetime of the organic optoelectronic component.

Zusätzlich kann eine Robustheit des organischen optoelektronischen Bauelements erhöht werden, da auf dem Substrat vorhandene Partikel von der dielektrischen Barriereschicht umschlossen werden können und dann weniger oder gar nicht mehr schädlich sind, wodurch eine Ausbeute bei der Herstellung des organischen optoelektronischen Bauelements erhöht werden kann. In addition, a robustness of the organic optoelectronic component can be increased because particles present on the substrate can be enclosed by the dielectric barrier layer and then less or no longer harmful, whereby a yield in the production of the organic optoelectronic component can be increased.

Das Material, das die Isolatorschichtstruktur aufweist oder von dem die Isolatorschichtstruktur gebildet ist, kann beispielsweise ein organisches Material sein, insbesondere ein organischer Resist, insbesondere Kunstharz. Das Material der dielektrischen Barriereschicht ist elektrisch isolierend ausgebildet. Die dielektrische Barriereschicht kann jedoch derart dünn ausgebildet sein, dass ihre elektrische Funktion, insbesondere ihre elektrisch isolierende Funktion nicht oder zumindest näherungsweise nicht gegeben ist. Insbesondere kann die dielektrische Barriereschicht derart dünn ausgebildet sein, dass zumindest theoretisch Ladungsträger ungehindert oder zumindest nahezu ungehindert durch sie hindurchtunneln können. Die dielektrische Barriereschicht dient somit im Wesentlichen zum Verhindern des Ausgasens von Zersetzungsstoffen aus der Isolatorschichtstruktur und nicht zum elektrischen Isolieren der Isolatorschichtstruktur. The material having the insulator layer structure or of which the insulator layer structure is formed may be, for example, an organic material, in particular, an organic resist, in particular, a synthetic resin. The material of the dielectric barrier layer is formed electrically insulating. However, the dielectric barrier layer may be formed so thin that its electrical function, in particular its electrically insulating function is not or at least approximately not given. In particular, the dielectric barrier layer may be formed so thin that at least theoretically charge carriers can tunnel through them unhindered or at least almost unhindered. The dielectric barrier layer thus essentially serves to prevent the outgassing of decomposition substances from the insulator layer structure and not to electrically isolate the insulator layer structure.

Gemäß einer Weiterbildung weist das Substrat einen ersten Kontaktabschnitt auf, der elektrisch mit der zweiten Elektrode gekoppelt ist und der zum elektrischen Kontaktieren der zweiten Elektrode dient. Die dielektrische Isolatorschichtstruktur weist eine erste Isolierungsbarriere auf, die die erste Elektrode von dem ersten Kontaktabschnitt elektrisch isoliert. Die dielektrische Barriereschicht ist direkt auf der ersten Isolierungsbarriere ausgebildet und bedeckt laterale Seitenflächen der ersten Isolierungsbarriere. Somit ist die erste Isolierungsbarriere von dem Substrat und der dielektrischen Barriereschicht vollständig umschlossen, zumindest im Bereich der organischen funktionellen Schichtenstruktur. Dies trägt dazu bei, zu verhindern, dass Zersetzungsstoffe des Materials der ersten Isolierungsbarriere ausgasen und in die darüber und/oder daneben liegende organische funktionelle Schichtenstruktur eindringen. According to a development, the substrate has a first contact section, which is electrically coupled to the second electrode and which serves for electrically contacting the second electrode. The dielectric insulator layer structure has a first isolation barrier electrically insulating the first electrode from the first contact portion. The dielectric barrier layer is formed directly on the first isolation barrier and covers lateral side surfaces of the first isolation barrier. Thus, the first isolation barrier is completely enclosed by the substrate and the dielectric barrier layer, at least in the region of the organic functional layer structure. This helps to prevent decomposition materials of the material from outgassing the first isolation barrier and penetrating into the overlying and / or adjacent organic functional layer structure.

Optional kann der erste Kontaktabschnitt ganz oder teilweise von der dielektrischen Barriereschicht bedeckt sein. Über dem ersten Kontaktabschnitt ist gegebenenfalls die dielektrische Barriereschicht derart dünn ausgebildet, dass bei einem elektrischen Kontaktieren des ersten Kontaktabschnitts über die dielektrische Barriereschicht Ladungsträger von dem ersten Kontaktabschnitt durch die dielektrische Barriereschicht hin zu dem entsprechenden elektrischen Kontakt tunneln können. Das Bedecken des ersten Kontaktabschnitts mit der dielektrischen Barriereschicht kann dazu beitragen, eine Oxidation des ersten Kontaktabschnitts zu verringern oder zu verhindern. Optionally, the first contact portion may be completely or partially covered by the dielectric barrier layer. If appropriate, the dielectric barrier layer is formed so thinly over the first contact section that, when the first contact section is electrically contacted via the dielectric barrier layer, charge carriers can tunnel from the first contact section through the dielectric barrier layer to the corresponding electrical contact. Covering the first contact portion with the dielectric barrier layer may help to reduce or prevent oxidation of the first contact portion.

Das Material, das die erste Isolierungsbarriere aufweist oder von dem die erste Isolierungsbarriere gebildet ist, kann beispielsweise ein organisches Material sein, insbesondere ein organischer Resist, insbesondere Kunstharz. Das Material der ersten Isolierungsbarriere ist elektrisch isolierend ausgebildet. The material having the first isolation barrier or of which the first isolation barrier is formed may, for example, be an organic material, in particular an organic resist, in particular synthetic resin. The material of the first insulation barrier is designed to be electrically insulating.

Gemäß einer Weiterbildung weist das Substrat eine Stromverteilungsstruktur auf, die direkt auf der ersten Elektrode ausgebildet ist. Die dielektrische Isolatorschichtstruktur weist Isolatorschichten auf, die direkt auf der Stromverteilungsstruktur ausgebildet sind und die laterale Seitenflächen der Stromverteilungsstruktur bedecken. Die dielektrische Barriereschicht ist direkt auf den Isolatorschichten ausgebildet und bedeckt laterale Seitenflächen der Isolatorschichten. Die Stromverteilungsstruktur dient dazu, Ladungsträger gleichmäßig über die gesamte Fläche der ersten Elektrode zu verteilen. Das Material der Stromverteilungsstruktur weist eine hohe elektrische Leitfähigkeit auf. Die Isolatorschichten dienen dazu, zu verhindern, dass Ladungsträger direkt von der Stromverteilungsstruktur in die organische funktionelle Schichtenstruktur eindringen ohne die erste Elektrode zu durchwandern. Die Stromverteilungsstruktur kann eine oder mehrere Stromsammelschienen und/oder Busbars aufweisen, die jeweils von einer der Isolatorschichten bedeckt sind. Somit ist die Stromverteilungsstruktur von den Isolatorschichten bedeckt und die Isolatorschichten sind von der ersten Elektrode und von der dielektrischen Barriereschicht vollständig umschlossen, zumindest im Bereich der organischen funktionellen Schichtenstruktur. Dies trägt dazu bei, zu verhindern, dass Zersetzungsstoffe des Materials der Isolatorschichten ausgasen und in die darüber und/oder daneben liegende organische funktionelle Schichtenstruktur eindringen. According to a development, the substrate has a current distribution structure which is formed directly on the first electrode. The dielectric insulator layer structure has insulator layers formed directly on the current distributing structure and covering the lateral side surfaces of the power distribution structure. The dielectric barrier layer is formed directly on the insulator layers and covers lateral side surfaces of the insulator layers. The current distribution structure serves to distribute charge carriers uniformly over the entire area of the first electrode. The material of the power distribution structure has a high electrical conductivity. The insulator layers serve to prevent charge carriers from penetrating directly from the current distribution structure into the organic functional layer structure without passing through the first electrode. The power distribution structure may include one or more busbars and / or busbars each covered by one of the insulator layers. Thus, the current distribution structure is covered by the insulator layers and the insulator layers are completely enclosed by the first electrode and by the dielectric barrier layer, at least in the region of the organic functional layer structure. This helps to prevent decomposition materials of the material of the insulator layers from outgassing and penetrating into the overlying and / or adjacent organic functional layer structure.

Das Material, das die Isolatorschichten aufweisen oder von dem die Isolatorschichten gebildet sind, kann beispielsweise ein organisches Material sein, insbesondere ein organischer Resist, insbesondere Kunstharz. Das Material der Isolatorschichten ist elektrisch isolierend ausgebildet. The material having the insulator layers or of which the insulator layers are formed may be, for example, an organic material, in particular an organic resist, in particular synthetic resin. The material of the insulator layers is formed electrically insulating.

Die dielektrische Barriereschicht, die die Isolatorschichten bedeckt, kann derart dünn ausgebildet sein, dass sie keinerlei elektrische Funktion hat, insbesondere nicht elektrisch isolierend wirkt, und dass zumindest theoretisch Ladungsträger durch die dielektrische Barriereschicht hindurch tunneln können. Die dielektrische Barriereschicht hat somit im Wesentlichen die Wirkung, zu verhindern, dass Zersetzungsstoffe des Materials der Isolatorschichten in die umliegende organische funktionelle Schichtenstruktur eindringen können. The dielectric barrier layer that covers the insulator layers may be made so thin that it has no electrical function, in particular does not have an electrically insulating effect, and that at least theoretically charge carriers can tunnel through the dielectric barrier layer. The dielectric barrier layer thus has, in essence, the effect of preventing decomposition substances of the material of the insulator layers from penetrating into the surrounding organic functional layer structure.

Gemäß einer Weiterbildung weist das Substrat einen zweiten Kontaktabschnitt auf, der elektrisch mit der ersten Elektrode gekoppelt ist und der zum elektrischen Kontaktieren der ersten Elektrode dient. Zwischen dem zweiten Kontaktabschnitt und der organischen funktionellen Schichtenstruktur und/oder der zweiten Elektrode kann eine zweite Isolierungsbarriere ausgebildet sein. Die zweite Isolierungsbarriere kann von der dielektrischen Barriereschicht bedeckt sein, wodurch ein Ausgasen von Zersetzungsstoffen von der zweiten Isolierungsbarriere verhindert und/oder verringert werden kann. According to a development, the substrate has a second contact section, which is electrically coupled to the first electrode and which serves for electrically contacting the first electrode. A second isolation barrier may be formed between the second contact section and the organic functional layer structure and / or the second electrode. The second isolation barrier may be covered by the dielectric barrier layer, whereby outgassing of decomposition substances from the second isolation barrier may be prevented and / or reduced.

Optional kann der zweite Kontaktabschnitt ganz oder teilweise von der dielektrischen Barriereschicht bedeckt sein. Über dem zweiten Kontaktabschnitt ist gegebenenfalls die dielektrische Barriereschicht derart dünn ausgebildet, dass bei einem elektrischen Kontaktieren des zweiten Kontaktabschnitts über die dielektrische Barriereschicht Ladungsträger von dem zweiten Kontaktabschnitt durch die dielektrische Barriereschicht hin zu dem entsprechenden elektrischen Kontakt tunneln können. Das Bedecken des zweiten Kontaktabschnitts mit der dielektrischen Barriereschicht kann dazu beitragen, eine Oxidation des zweiten Kontaktabschnitts zu verringern oder zu verhindern. Optionally, the second contact portion may be completely or partially covered by the dielectric barrier layer. If appropriate, the dielectric barrier layer is formed so thinly over the second contact section that, when the second contact section is electrically contacted via the dielectric barrier layer, charge carriers can tunnel from the second contact section through the dielectric barrier layer to the corresponding electrical contact. Covering the second contact portion with the dielectric barrier layer may help to reduce or prevent oxidation of the second contact portion.

Das Material, das die zweite Isolierungsbarriere aufweist oder von dem die zweite Isolierungsbarriere gebildet ist, kann beispielsweise ein organisches Material sein, insbesondere ein organischer Resist, insbesondere Kunstharz. Das Material der zweiten Isolierungsbarriere ist elektrisch isolierend ausgebildet. The material having the second isolation barrier or of which the second isolation barrier is formed may be, for example, an organic material, in particular an organic resist, in particular synthetic resin. The material of the second isolation barrier is designed to be electrically insulating.

Gemäß einer Weiterbildung ist die dielektrische Barriereschicht über der gesamten ersten Elektrode ausgebildet. Über der ersten Elektrode ist die dielektrische Barriereschicht derart dünn ausgebildet, dass im Betrieb des organischen optoelektronischen Bauelements über die dielektrische Barriereschicht Ladungsträger von der ersten Elektrode durch die dielektrische Barriereschicht hin zu der organischen funktionellen Schichtenstruktur oder in die entgegengesetzte Richtung tunneln können. Das Bedecken der ersten Elektrode mit der dielektrischen Barriereschicht kann dazu beitragen, dass das Ausbilden der dielektrischen Barriereschicht besonders einfach ist, da die dielektrische Barriereschicht nur wenig oder gar nicht strukturiert werden muss. According to a development, the dielectric barrier layer is formed over the entire first electrode. Over the first electrode, the dielectric barrier layer is so thin that, during operation of the organic optoelectronic component, charge carriers can tunnel from the first electrode through the dielectric barrier layer to the organic functional layer structure or in the opposite direction via the dielectric barrier layer. Covering the first electrode with the dielectric barrier layer may help to make the formation of the dielectric barrier layer particularly easy since the dielectric barrier layer may have little or no patterning.

Gemäß einer Weiterbildung ist die dielektrische Barriereschicht über dem gesamten Substrat ausgebildet. Das Substrat weist die erste Elektrode und optional den ersten und/oder den zweiten Kontaktabschnitt und/oder gegebenenfalls die erste und/oder zweite Isolierungsbarriere und/oder gegebenenfalls die Stromverteilungsstruktur und die Isolatorschichten auf. In anderen Worten kann das Substrat als die Grundlage verstanden werden, auf der die organische funktionelle Schichtenstruktur ausgebildet wird. Die erste Elektrode, die Kontaktabschnitte die Isolatorschichten und/oder die Isolierungsbarrieren können jeweils über und/oder auf einem Träger ausgebildet sein. Alternativ dazu kann die erste Elektrode selbst als Träger dienen. Das Bedecken des Substrats mit der dielektrischen Barriereschicht kann dazu beitragen, dass das Ausbilden der dielektrischen Barriereschicht besonders einfach ist, da die dielektrische Barriereschicht einfach vollflächig ausgebildet wird und nicht strukturiert werden muss. According to a development, the dielectric barrier layer is formed over the entire substrate. The substrate has the first electrode and optionally the first and / or the second contact section and / or optionally the first and / or second insulation barrier and / or optionally the current distribution structure and the insulator layers. In other words, the substrate may be understood as the basis on which the organic functional layer structure is formed. The first electrode, the contact portions, the insulator layers and / or the isolation barriers may each be formed above and / or on a carrier. Alternatively, the first electrode itself may serve as a carrier. Covering the substrate with the dielectric barrier layer may help to make the formation of the dielectric barrier layer particularly easy because the dielectric barrier layer is easily formed over the entire area and does not need to be patterned.

Gemäß einer Weiterbildung weist die dielektrische Barriereschicht eine Dicke auf von 0,1 nm bis 20 nm, beispielsweise von 1 nm bis 10 nm, beispielsweise von 2 nm bis 7 nm. Dies trägt dazu bei, dass die dielektrische Barriereschicht keine oder zumindest nur eine vernachlässigbare elektrische Funktion hat. Dies ermöglicht, die dielektrische Barriereschicht vollflächig über der ersten Elektrode und/oder vollflächig über dem Substrat auszubilden. According to a development, the dielectric barrier layer has a thickness of from 0.1 nm to 20 nm, for example from 1 nm to 10 nm, for example from 2 nm to 7 nm. This contributes to the fact that the dielectric barrier layer has no or at least only a negligible one has electrical function. This makes it possible to form the dielectric barrier layer over the entire surface over the first electrode and / or over the entire surface over the substrate.

Gemäß einer Weiterbildung weist die dielektrische Barriereschicht Al₂O₃, TiO₂, ZrO_x, ZnO_x, HfO_x und/oder Alucone, Titanocone oder eine selbstausrichtende Monoschicht (Self Assembling Mono layer – SAM) auf oder ist daraus gebildet. According to a refinement _2, the dielectric barrier layer Al O _3, TiO _2, ZrO _x, ZnO _x, HfO _x and / or Alucone, Titanocone or a self-aligning monolayer (self-assembling monolayer - SAM) or is formed therefrom.

Die Aufgabe wird gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements. Bei dem Verfahren wird das Substrat, das zumindest die erste Elektrode aufweist, ausgebildet. Die dielektrische Isolatorschichtstruktur wird auf dem Substrat in direktem körperlichen Kontakt mit der ersten Elektrode ausgebildet. Die dielektrische Barriereschicht wird direkt auf der Isolatorschichtstruktur und zumindest teilweise direkt auf der ersten Elektrode so ausgebildet wird, dass sie laterale Seitenflächen der Isolatorschichtstruktur bedeckt. Die organische funktionelle Schichtenstruktur wird über der ersten Elektrode und auf der dielektrischen Barriereschicht ausgebildet. Die zweite Elektrode wird über der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet. The object is achieved according to a further aspect of the invention by a method for producing an organic optoelectronic component. In the method, the substrate having at least the first electrode is formed. The dielectric insulator layer structure is formed on the substrate in direct physical contact with the first electrode. The dielectric barrier layer is formed directly on the insulator layer structure and at least partially directly on the first electrode so as to have lateral side surfaces of the insulator layer structure covered. The organic functional layer structure is formed over the first electrode and on the dielectric barrier layer. The second electrode is formed over the organic functional layer structure.

Die im Vorhergehenden genannten Weiterbildungen und/oder Vorteile des organischen optoelektronischen Bauelements können ohne weiteres auf das Verfahren zum Herstellen des organischen optoelektronischen Bauelements übertragen werden. The aforementioned refinements and / or advantages of the organic optoelectronic component can be readily transferred to the method for producing the organic optoelectronic component.

Da die dielektrische Barriereschicht vor dem Aufbringen der organischen funktionellen Schichtenstruktur ausgebildet wird, kann das Substrat vor dem Aufbringen der dielektrischen Barriereschicht erhitzt werden und/oder die dielektrische Barriereschicht kann bei einer hohen Temperatur ausgebildet werden. Since the dielectric barrier layer is formed prior to the application of the organic functional layer structure, the substrate may be heated prior to the application of the dielectric barrier layer and / or the dielectric barrier layer may be formed at a high temperature.

Gemäß einer Weiterbildung wird das Substrat so ausgebildet, dass es den ersten Kontaktabschnitt aufweist, der elektrisch mit der zweiten Elektrode gekoppelt ist und der zum elektrischen Kontaktieren der zweiten Elektrode dient. Die dielektrische Isolatorschichtstruktur wird so ausgebildet, dass sie die erste Isolierungsbarriere aufweist, die die erste Elektrode von dem ersten Kontaktabschnitt elektrisch isoliert. Die dielektrische Barriereschicht wird direkt auf der ersten Isolierungsbarriere so ausgebildet, dass sie laterale Seitenflächen und eine vertikale Oberfläche der ersten Isolierungsbarriere bedeckt. According to a development, the substrate is formed such that it has the first contact section, which is electrically coupled to the second electrode and which serves for electrically contacting the second electrode. The dielectric insulator layer structure is formed to have the first isolation barrier electrically insulating the first electrode from the first contact portion. The dielectric barrier layer is formed directly on the first isolation barrier so as to cover lateral side surfaces and a vertical surface of the first isolation barrier.

Gemäß einer Weiterbildung wird das Substrat so ausgebildet, dass es die Stromverteilungsstruktur aufweist, die direkt auf der ersten Elektrode ausgebildet ist. die dielektrische Isolatorschichtstruktur wird so ausgebildet, dass sie Isolatorschichten aufweist, die direkt auf der Stromverteilungsstruktur ausgebildet sind und die laterale Seitenflächen der Stromverteilungsstruktur bedecken. Die dielektrische Barriereschicht wird direkt auf den Isolatorschichten so ausgebildet, dass sie laterale Seitenflächen und vertikale Oberflächen der Isolatorschichten bedeckt. According to a development, the substrate is formed so that it has the current distribution structure which is formed directly on the first electrode. the dielectric insulator layer structure is formed to have insulator layers formed directly on the current distributing structure and covering the lateral side surfaces of the power distribution structure. The dielectric barrier layer is formed directly on the insulator layers so as to cover lateral side surfaces and vertical surfaces of the insulator layers.

Gemäß einer Weiterbildung wird die dielektrische Barriereschicht über der gesamten ersten Elektrode ausgebildet. According to a development, the dielectric barrier layer is formed over the entire first electrode.

Gemäß einer Weiterbildung wird die dielektrische Barriereschicht über dem gesamten Substrat ausgebildet. According to a development, the dielectric barrier layer is formed over the entire substrate.

Gemäß einer Weiterbildung wird die dielektrische Barriereschicht in einem ALD-Verfahren, einem MLD-Verfahren, einem MVD-Verfahren oder einem PECVD-Verfahren ausgebildet. According to a development, the dielectric barrier layer is formed in an ALD method, an MLD method, an MVD method or a PECVD method.

Gemäß einer Weiterbildung bleibt die dielektrische Isolatorschichtstruktur nach ihrem Ausbilden für eine vorgegebene Zeitdauer frei bevor die dielektrische Barriereschicht auf ihr ausgebildet wird. Dies bewirkt, dass besonders viele Zersetzungsstoffe noch vor dem Ausbilden der dielektrischen Barriereschicht aus dem Material der Isolatorschichtstruktur ausgasen können. Dies trägt dazu bei, dass eine Wahrscheinlichkeit, dass nach dem Ausbilden der dielektrischen Barriereschicht Zersetzungsstoffe in die organische funktionelle Schichtenstruktur eindringen können, besonders gering ist. Die vorgegebene Zeitdauer kann beispielsweise ca. 2 Stunden betragen. According to a further development, the dielectric insulator layer structure remains free for a predetermined period of time after it has been formed before the dielectric barrier layer is formed on it. This causes a particularly large number of decomposition substances to outgas from the material of the insulator layer structure even before the formation of the dielectric barrier layer. This contributes to the fact that a probability that decomposition substances can penetrate into the organic functional layer structure after the formation of the dielectric barrier layer is particularly low. The predetermined period of time may be, for example, about 2 hours.

Gemäß einer Weiterbildung werden das Substrat und/oder die Isolatorschichtstruktur vor und/oder während dem Aufbringen der dielektrischen Barriereschicht beheizt. Dadurch können das Substrat bzw. die Isolatorschichtstruktur beim Aufbringen der dielektrischen Barriereschicht eine gegenüber der Raumtemperatur deutlich erhöhte Temperatur haben. Dies kann dazu beitragen, dass eine Dichte der dielektrischen Barriereschicht im Vergleich zu einer bei niedrigeren Temperaturen, beispielsweise bei Zimmertemperatur oder weniger, erzeugten dielektrischen Barriereschicht erhöht ist, wodurch die Barrierewirkung gegenüber den Zersetzungsstoffen besonders gut ist. Insbesondere kann so die Temperatur für die Herstellung der dünnen dielektrischen Barriereschicht, beispielsweise aus Al₂O₃ und/oder hergestellt in einem ALD-Verfahren, beispielsweise mit einer Dicke von 4 nm bis 6 nm, zum Erreichen einer besonders dichten Barriereschicht optimiert werden. Darüber hinaus bewirkt das Erhöhen der Temperatur des Materials der Isolatorschichtstruktur ein verstärktes Ausgasen der Zersetzungsstoffe aus dem Material der Isolatorschichtstruktur vor dem Aufbringen der dielektrischen Barriereschicht. Dies bewirkt, dass zum Zeitpunkt des Aufbringens der dielektrischen Barriereschicht nur noch wenige Zersetzungsstoffe in dem Material der Isolatorschichtstruktur vorhanden sind, wodurch eine Wahrscheinlichkeit, dass die Zersetzungsstoffe die dielektrische Barriereschicht durchdringen, aufgrund deren geringer Anzahl besonders gering ist. According to a development, the substrate and / or the insulator layer structure are heated before and / or during the application of the dielectric barrier layer. As a result, when the dielectric barrier layer is applied, the substrate or the insulator layer structure can have a temperature that is significantly higher than the room temperature. This can contribute to a density of the dielectric barrier layer being increased as compared with a dielectric barrier layer formed at lower temperatures, for example, at room temperature or less, whereby the barrier effect against the decomposition substances is particularly good. In particular, the temperature for the production of the thin dielectric barrier layer, for example of Al ₂ O ₃ and / or produced in an ALD process, for example with a thickness of 4 nm to 6 nm, can thus be optimized to achieve a particularly dense barrier layer. In addition, increasing the temperature of the material of the insulator layer structure causes increased outgassing of the decomposition materials from the material of the insulator layer structure prior to the application of the dielectric barrier layer. This causes that at the time of applying the dielectric barrier layer, only a few decomposition substances are present in the material of the insulator layer structure, whereby a probability that the decomposers penetrate the dielectric barrier layer, due to their small number is particularly low.

Ferner kann eine Qualität der ersten Elektrode, insbesondere falls sie eine TCO Schicht aufweist oder davon gebildet ist, mittels der erhöhten Temperatur verbessert werden. Eine weitere Verbesserung kann durch Zugabe von Sauerstoff kurz vor dem Aufbringen der dielektrischen Barriereschicht erzielt werden. Furthermore, a quality of the first electrode, in particular if it has a TCO layer or is formed thereof, can be improved by means of the elevated temperature. Further improvement can be achieved by adding oxygen just prior to the application of the dielectric barrier layer.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below.

Es zeigen: Show it:

1 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines organischen optoelektronischen Bauelements; 1 a sectional view of an embodiment of an organic optoelectronic device;

2 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines organischen optoelektronischen Bauelements; 2 a sectional view of an embodiment of an organic optoelectronic device;

3 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines organischen optoelektronischen Bauelements; 3 a sectional view of an embodiment of an organic optoelectronic device;

4 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines organischen optoelektronischen Bauelements; 4 a sectional view of an embodiment of an organic optoelectronic device;

5 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines organischen optoelektronischen Bauelements; 5 a sectional view of an embodiment of an organic optoelectronic device;

6 eine Schnittdarstellung eines Ausführungsbeispiels eines organischen optoelektronischen Bauelements; 6 a sectional view of an embodiment of an organic optoelectronic device;

7 eine Detaildarstellung eines Ausführungsbeispiels eines organischen optoelektronischen Bauelements; 7 a detailed representation of an embodiment of an organic optoelectronic device;

8 eine Detaildarstellung eines Ausführungsbeispiels eines organischen optoelektronischen Bauelements; 8th a detailed representation of an embodiment of an organic optoelectronic device;

9 ein Beispiel eines Spannung-Leuchtstärke-Diagramms; 9 an example of a voltage-luminance diagram;

10 ein Beispiel eines Spannung-Stromdichte-Diagramms; 10 an example of a voltage-current density diagram;

11 ein Beispiel eines Spannung-Leuchteffizienz-Diagramms; 11 an example of a voltage-light efficiency diagram;

12 ein Ablaufdiagramm eines Ausführungsbeispiels eines Verfahrens zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements. 12 a flowchart of an embodiment of a method for producing an organic optoelectronic device.

In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser Beschreibung bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. Da Komponenten von Ausführungsbeispielen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Es versteht sich, dass andere Ausführungsbeispiele benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen Ausführungsbeispiele miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. In den Figuren sind identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist. In the following detailed description, reference is made to the accompanying drawings, which form a part of this specification, and in which is shown by way of illustration specific embodiments in which the invention may be practiced. Because components of embodiments may be positioned in a number of different orientations, the directional terminology is illustrative and is in no way limiting. It should be understood that other embodiments may be utilized and structural or logical changes may be made without departing from the scope of the present invention. It should be understood that the features of the various embodiments described herein may be combined with each other unless specifically stated otherwise. The following detailed description is therefore not to be taken in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined by the appended claims. In the figures, identical or similar elements are provided with identical reference numerals, as appropriate.

Ein organisches optoelektronisches Bauelement kann ein organisches elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement oder ein organisches elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement sein. Ein organisches elektromagnetische Strahlung absorbierendes Bauelement kann beispielsweise eine Solarzelle sein. Ein organisches elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement kann ein organisches elektromagnetische Strahlung emittierendes Halbleiter-Bauelement sein und/oder als eine organische elektromagnetische Strahlung emittierende Diode oder als ein organischer elektromagnetische Strahlung emittierender Transistor ausgebildet sein. Die Strahlung kann beispielsweise Licht im sichtbaren Bereich, UV-Licht und/oder Infrarot-Licht sein. In diesem Zusammenhang kann das organische elektromagnetische Strahlung emittierende Bauelement beispielsweise als organische Licht emittierende Diode (Organic Light Emitting Diode, OLED) oder als organischer Licht emittierender Transistor ausgebildet sein. An organic optoelectronic device may be an organic electromagnetic radiation emitting device or an organic electromagnetic radiation absorbing device. An organic electromagnetic radiation absorbing component may for example be a solar cell. An organic electromagnetic radiation emitting device may be an organic electromagnetic radiation emitting semiconductor device and / or be formed as a organic electromagnetic radiation emitting diode or as an organic electromagnetic radiation emitting transistor. The radiation may, for example, be light in the visible range, UV light and / or infrared light. In this context, the organic electromagnetic radiation emitting device may be formed, for example, as an organic light emitting diode (OLED) or as an organic light emitting transistor.

1 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines organischen optoelektronischen Bauelements 1. Das organische optoelektronische Bauelement 1 weist einen Träger 12 auf. Der Träger 12 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Der Träger 12 dient als Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente. Der Träger 12 kann beispielsweise Kunststoff, Metall, Glas, Quarz und/oder ein Halbleitermaterial aufweisen oder daraus gebildet sein. Ferner kann der Träger 12 eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Der Träger 12 kann mechanisch rigide oder mechanisch flexibel ausgebildet sein. 1 shows an embodiment of an organic optoelectronic device 1 , The organic optoelectronic component 1 has a carrier 12 on. The carrier 12 can be translucent or transparent. The carrier 12 serves as a carrier element for electronic elements or layers, for example light-emitting elements. The carrier 12 For example, plastic, metal, glass, quartz and / or a semiconductor material can have or be formed from it. Furthermore, the carrier can 12 comprise or be formed from a plastic film or a laminate with one or more plastic films. The carrier 12 can be mechanically rigid or mechanically flexible.

Auf dem Träger 12 ist eine optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet. Die optoelektronische Schichtenstruktur weist eine erste Elektrodenschicht 14 auf, die eine erste Elektrode 20 aufweist. Ein erster Kontaktabschnitt 16 und ein zweiter Kontaktabschnitt 18 sind lateral außen liegend auf der ersten Elektrodenschicht 14 ausgebildet. Zwischen dem Träger 12 und der ersten Elektrodenschicht 14 kann eine erste Barrieredünnschicht ausgebildet sein. On the carrier 12 an optoelectronic layer structure is formed. The optoelectronic layer structure has a first electrode layer 14 on that a first electrode 20 having. A first contact section 16 and a second contact section 18 are laterally outward lying on the first electrode layer 14 educated. Between the carrier 12 and the first electrode layer 14 a first barrier thin film may be formed.

Die erste Elektrode 20 ist von dem ersten Kontaktabschnitt 16 mittels einer ersten Isolierungsbarriere 21 elektrisch isoliert. Der zweite Kontaktabschnitt 18 ist mit der ersten Elektrode 20 der optoelektronischen Schichtenstruktur elektrisch gekoppelt. Die erste Elektrode 20 kann als Anode oder als Kathode ausgebildet sein. Die erste Elektrode 20 kann transluzent oder transparent ausgebildet sein. Die erste Elektrode 20 weist ein elektrisch leitfähiges Material auf, beispielsweise Metall und/oder ein leitfähiges transparentes Oxid (transparent conductive oxide, TCO) oder einen Schichtenstapel mehrerer Schichten, die Metalle oder TCOs aufweisen. Die erste Elektrodenschicht 14 und insbesondere die erste Elektrode 20 können beispielsweise einen Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs aufweisen, oder umgekehrt. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten. Die erste Elektrodenschicht 14 und insbesondere die erste Elektrode 20 können alternativ oder zusätzlich zu den genannten Materialien aufweisen: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag, Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren, Graphen-Teilchen und -Schichten und/oder Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten. The first electrode 20 is from the first contact section 16 by means of a first isolation barrier 21 electrically isolated. The second contact section 18 is with the first electrode 20 the optoelectronic layer structure electrically coupled. The first electrode 20 may be formed as an anode or as a cathode. The first electrode 20 can be translucent or transparent. The first electrode 20 has an electrically conductive material, for example, metal and / or a conductive conductive oxide (TCO) or a layer stack of several layers comprising metals or TCOs. The first electrode layer 14 and in particular the first electrode 20 For example, a layer stack may comprise a combination of a layer of a metal on a layer of a TCO, or vice versa. An example is a silver layer deposited on an indium tin oxide (ITO) layer (Ag on ITO) or ITO-Ag-ITO multilayers. The first electrode layer 14 and in particular the first electrode 20 may alternatively or in addition to the materials mentioned include: networks of metallic nanowires and particles, for example of Ag, networks of carbon nanotubes, graphene particles and layers and / or networks of semiconducting nanowires.

Über der ersten Elektrode 20 ist eine organische funktionelle Schichtenstruktur 22 der optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet. Die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 kann beispielsweise eine, zwei oder mehr Teilschichten aufweisen. Beispielsweise kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Emitterschicht, eine Elektronentransportschicht und/oder eine Elektroneninjektionsschicht aufweisen. Die Lochinjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen erster Elektrode und Lochtransportschicht. Bei der Lochtransportschicht ist die Lochleitfähigkeit größer als die Elektronenleitfähigkeit. Die Lochtransportschicht dient zum Transportieren der Löcher. Bei der Elektronentransportschicht ist die Elektronenleitfähigkeit größer als die Lochleitfähigkeit. Die Elektronentransportschicht dient zum Transportieren der Elektronen. Die Elektroneninjektionsschicht dient zum Reduzieren der Bandlücke zwischen zweiter Elektrode und Elektronentransportschicht. Ferner kann die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 ein, zwei oder mehr funktionelle Schichtenstruktur-Einheiten, die jeweils die genannten Teilschichten und/oder weitere Zwischenschichten aufweisen. Above the first electrode 20 is an organic functional layered structure 22 the optoelectronic layer structure is formed. The organic functional layer structure 22 For example, it may have one, two or more sublayers. For example, the organic functional layer structure 22 a hole injection layer, a hole transport layer, an emitter layer, an electron transport layer and / or an electron injection layer. The hole injection layer serves to reduce the band gap between the first electrode and hole transport layer. In the hole transport layer, the hole conductivity is larger than the electron conductivity. The hole transport layer serves to transport the holes. In the electron transport layer, the electron conductivity is larger than the hole conductivity. The electron transport layer serves to transport the electrons. The electron injection layer serves to reduce the band gap between the second electrode and the electron transport layer. Furthermore, the organic functional layer structure 22 one, two or more functional layer structure units, each having said sub-layers and / or further intermediate layers.

Über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 ist eine zweite Elektrode 23 der optoelektronischen Schichtenstruktur ausgebildet, die elektrisch mit dem ersten Kontaktabschnitt 16 gekoppelt ist. Der zweite Kontaktabschnitt 18 ist von der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 und von der zweiten Elektrode 23 mittels einer zweiten Isolierungsbarriere 23 elektrisch isoliert. Die zweite Elektrode 23 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode 20 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode 20 und die zweite Elektrode 23 gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein können. Die erste Elektrode 20 dient beispielsweise als Anode oder Kathode der optoelektronischen Schichtenstruktur. Die zweite Elektrode 23 dient korrespondierend zu der ersten Elektrode als Kathode bzw. Anode der optoelektronischen Schichtenstruktur. Der Träger 12 mit der ersten Elektrodenschicht 14, also mit der ersten Elektrode 20, dem ersten Kontaktabschnitt 16, dem zweiten Kontaktabschnitt 18 und mit den Isolierungsbarrieren 21, 23 kann als Substrat bezeichnet werden. Over the organic functional layer structure 22 is a second electrode 23 of the optoelectronic layer structure, which is electrically connected to the first contact section 16 is coupled. The second contact section 18 is from the organic functional layer structure 22 and from the second electrode 23 by means of a second isolation barrier 23 electrically isolated. The second electrode 23 may according to one of the embodiments of the first electrode 20 be formed, wherein the first electrode 20 and the second electrode 23 may be the same or different. The first electrode 20 serves, for example, as the anode or cathode of the optoelectronic layer structure. The second electrode 23 serves corresponding to the first electrode as the cathode or anode of the optoelectronic layer structure. The carrier 12 with the first electrode layer 14 So with the first electrode 20 , the first contact section 16 , the second contact section 18 and with the isolation barriers 21 . 23 may be referred to as a substrate.

Die optoelektronische Schichtenstruktur ist ein elektrisch und/oder optisch aktiver Bereich. Der aktive Bereich ist beispielsweise der Bereich des organischen optoelektronischen Bauelements 1, in dem elektrischer Strom zum Betrieb des organischen optoelektronischen Bauelements 1 fließt und/oder in dem elektromagnetische Strahlung erzeugt oder absorbiert wird. Auf oder über dem aktiven Bereich kann eine Getter-Struktur (nicht dargestellt) angeordnet sein. Die Getter-Schicht kann transluzent, transparent oder opak ausgebildet sein. Die Getter-Schicht kann ein Material aufweisen oder daraus gebildet sein, das Stoffe, die schädlich für den aktiven Bereich sind, absorbiert und bindet. The optoelectronic layer structure is an electrically and / or optically active region. The active region is, for example, the region of the organic optoelectronic component 1 in which electrical current for operation of the organic optoelectronic component 1 flows and / or in which electromagnetic radiation is generated or absorbed. On or above the active area, a getter structure (not shown) may be arranged. The getter layer can be translucent, transparent or opaque. The getter layer may include or be formed of a material that absorbs and binds substances that are detrimental to the active area.

Über der zweiten Elektrode 23 und teilweise über dem ersten Kontaktabschnitt 16 und teilweise über dem zweiten Kontaktabschnitt 18 ist eine Verkapselungsschicht 24 der optoelektronische Schichtenstruktur ausgebildet, die die optoelektronische Schichtenstruktur verkapselt. Die Verkapselungsschicht 24 kann als zweite Barrieredünnschicht, ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 kann auch als Dünnschichtverkapselung bezeichnet werden. Die Verkapselungsschicht 24 bildet eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff. Die Verkapselungsschicht 24 kann als eine einzelne Schicht, ein Schichtstapel oder eine Schichtstruktur ausgebildet sein. Die Verkapselungsschicht 24 kann aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly(p-phenylenterephthalamid), Nylon 66, sowie Mischungen und Legierungen derselben. Gegebenenfalls kann die erste Barriereschicht auf dem Träger 12 korrespondierend zu einer Ausgestaltung der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet sein. Above the second electrode 23 and partially over the first contact portion 16 and partially over the second contact portion 18 is an encapsulation layer 24 the optoelectronic layer structure is formed, which encapsulates the optoelectronic layer structure. The encapsulation layer 24 may be formed as a second barrier thin film. The encapsulation layer 24 can also be referred to as thin-layer encapsulation. The encapsulation layer 24 forms a barrier to chemical contaminants or atmospheric substances, in particular to water (moisture) and oxygen. The encapsulation layer 24 may be formed as a single layer, a layer stack or a layer structure. The encapsulation layer 24 may include or be formed from: alumina, zinc oxide, zirconia, titania, hafnia, tantalum lanthania, silica, silicon nitride, silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66, and mixtures and alloys thereof , Optionally, the first barrier layer on the carrier 12 corresponding to a configuration of the encapsulation layer 24 be educated.

In der Verkapselungsschicht 24 sind über dem ersten Kontaktabschnitt 16 eine erste Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 und über dem zweiten Kontaktabschnitt 18 eine zweite Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ausgebildet. In der ersten Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ist ein erster Kontaktbereich 32 freigelegt und in der zweiten Ausnehmung der Verkapselungsschicht 24 ist ein zweiter Kontaktbereich 34 freigelegt. Der erste Kontaktbereich 32 dient zum elektrischen Kontaktieren des ersten Kontaktabschnitts 16 und der zweite Kontaktbereich 34 dient zum elektrischen Kontaktieren des zweiten Kontaktabschnitts 18. In the encapsulation layer 24 are above the first contact section 16 a first Recess of the encapsulation layer 24 and over the second contact portion 18 a second recess of the encapsulation layer 24 educated. In the first recess of the encapsulation layer 24 is a first contact area 32 exposed and in the second recess of the encapsulation layer 24 is a second contact area 34 exposed. The first contact area 32 serves for electrically contacting the first contact section 16 and the second contact area 34 serves for electrically contacting the second contact section 18 ,

Über der Verkapselungsschicht 24 ist eine Haftmittelschicht 36 ausgebildet. Die Haftmittelschicht 36 weist beispielsweise ein Haftmittel, beispielsweise einen Klebstoff, beispielsweise einen Laminierklebstoff, einen Lack und/oder ein Harz auf. Die Haftmittelschicht 36 kann beispielsweise Partikel aufweisen, die elektromagnetische Strahlung streuen, beispielsweise lichtstreuende Partikel. Above the encapsulation layer 24 is an adhesive layer 36 educated. The adhesive layer 36 has, for example, an adhesive, for example an adhesive, for example a laminating adhesive, a lacquer and / or a resin. The adhesive layer 36 For example, it may comprise particles which scatter electromagnetic radiation, for example light-scattering particles.

Über der Haftmittelschicht 36 ist ein Abdeckkörper 38 ausgebildet. Die Haftmittelschicht 36 dient zum Befestigen des Abdeckkörpers 38 an der Verkapselungsschicht 24. Der Abdeckkörper 38 weist beispielsweise Kunststoff, Glas und/oder Metall auf. Beispielsweise kann der Abdeckkörper 38 im Wesentlichen aus Glas gebildet sein und eine dünne Metallschicht, beispielsweise eine Metallfolie, und/oder eine Graphitschicht, beispielsweise ein Graphitlaminat, auf dem Glaskörper aufweisen. Der Abdeckkörper 38 dient zum Schützen des organischen optoelektronischen Bauelements 1, beispielsweise vor mechanischen Krafteinwirkungen von außen. Ferner kann der Abdeckkörper 38 zum Verteilen und/oder Abführen von Hitze dienen, die in dem organischen optoelektronischen Bauelement 1 erzeugt wird. Beispielsweise kann das Glas des Abdeckkörpers 38 als Schutz vor äußeren Einwirkungen dienen und die Metallschicht des Abdeckkörpers 38 kann zum Verteilen und/oder Abführen der beim Betrieb des organischen optoelektronischen Bauelements 1 entstehenden Wärme dienen. Over the adhesive layer 36 is a cover body 38 educated. The adhesive layer 36 serves to fasten the cover body 38 at the encapsulation layer 24 , The cover body 38 has, for example, plastic, glass and / or metal. For example, the cover body 38 may be formed essentially of glass and a thin metal layer, such as a metal foil, and / or a graphite layer, such as a graphite laminate, on the glass body. The cover body 38 serves to protect the organic optoelectronic device 1 , for example, from mechanical forces from the outside. Furthermore, the cover body 38 serve for distributing and / or removing heat, in the organic optoelectronic device 1 is produced. For example, the glass of the cover body 38 serve as protection against external influences and the metal layer of the cover body 38 can be used to distribute and / or dissipate during operation of the organic optoelectronic device 1 serve arising heat.

Die Isolierungsbarrieren 21, 23 sind Teil einer Isolatorschichtstruktur. Über dem Substrat und direkt auf der Isolatorschichtstruktur und insbesondere den Isolierungsbarrieren 21, 23 ist jeweils eine dielektrische Barriereschicht 40 derart ausgebildet, dass in 1 oben liegende vertikale Oberflächen und laterale Seitenflächen der Isolatorschichtstruktur und insbesondere der Isolierungsbarrieren 21, 23 von der dielektrischen Barriereschicht 40 vollständig bedeckt sind. In anderen Worten sind die Isolierungsbarrieren 21, 23 vollständig von dem Substrat und der dielektrischen Barriereschicht 40 umschlossen. Mit dem Begriff „vertikale Oberfläche“ werden in dieser Beschreibung Oberflächen von Strukturen bezeichnet, die in den Figuren in vertikaler Richtung oben liegen, sich jedoch in horizontaler Richtung erstrecken. Somit bezieht sich der Begriff „vertikal“ in diesem Zusammenhang nicht auf die Erstreckungsrichtung der entsprechenden Oberfläche sondern auf deren Position in den Figuren. The isolation barriers 21 . 23 are part of an insulator layer structure. Above the substrate and directly on the insulator layer structure and in particular the isolation barriers 21 . 23 each is a dielectric barrier layer 40 designed such that in 1 top vertical surfaces and lateral side surfaces of the insulator layer structure and in particular the isolation barriers 21 . 23 from the dielectric barrier layer 40 are completely covered. In other words, the isolation barriers 21 . 23 completely from the substrate and the dielectric barrier layer 40 enclosed. The term "vertical surface" in this description refers to surfaces of structures that are at the top in the figures in the vertical direction but extend in the horizontal direction. Thus, the term "vertical" in this context does not refer to the direction of extension of the corresponding surface but to its position in the figures.

Das Material, das die Isolatorschichtstruktur und insbesondere die Isolierungsbarrieren 21, 23 aufweisen oder von dem die Isolatorschichtstruktur und die Isolierungsbarrieren 21, 23 gebildet sind, kann beispielsweise ein organisches Material sein, insbesondere ein organischer Resist, insbesondere Kunstharz. The material that the insulator layer structure and in particular the isolation barriers 21 . 23 or of which the insulator layer structure and the isolation barriers 21 . 23 may be formed, for example, an organic material, in particular an organic resist, in particular synthetic resin.

Das Material der dielektrischen Barriereschicht 40 ist elektrisch isolierend ausgebildet. Die dielektrische Barriereschicht 40 ist derart dünn ausgebildet, dass ihre elektrische Funktion, insbesondere ihre elektrisch isolierende Funktion nicht oder zumindest näherungsweise nicht gegeben ist. Insbesondere ist die dielektrische Barriereschicht 40 derart dünn ausgebildet, dass zumindest theoretisch Ladungsträger ungehindert oder zumindest nahezu ungehindert durch sie hindurchtunneln können. Insbesondere weist die dielektrische Barriereschicht 40 eine Dicke auf von 0,1 nm bis 20 nm, beispielsweise von 1 nm bis 10 nm, beispielsweise von 2 nm bis 7 nm. The material of the dielectric barrier layer 40 is formed electrically insulating. The dielectric barrier layer 40 is formed so thin that its electrical function, in particular its electrically insulating function is not or at least approximately not given. In particular, the dielectric barrier layer is 40 formed so thin that at least theoretically charge carriers can tunnel through them unhindered or at least almost unhindered. In particular, the dielectric barrier layer has 40 a thickness of from 0.1 nm to 20 nm, for example from 1 nm to 10 nm, for example from 2 nm to 7 nm.

Die dielektrische Barriereschicht 40 dient zum Verhindern des Ausgasens von Zersetzungsstoffen aus der Isolatorschichtstruktur und insbesondere den Isolierungsbarrieren 21, 23. Die dielektrische Barriereschicht 40 ist somit so dünn, dass die dielektrische Barriereschicht 40 unabhängig von dem für die dielektrische Barriereschicht 40 verwendeten Material elektrisch und/oder optisch inaktiv ist und dennoch ausreichend Schutz davor bietet, dass Zersetzungsstoffe aus der darunterliegenden Isolatorschichtstruktur in die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 drängen. The dielectric barrier layer 40 serves to prevent the outgassing of decomposition substances from the insulator layer structure and in particular the isolation barriers 21 . 23 , The dielectric barrier layer 40 is thus so thin that the dielectric barrier layer 40 regardless of that for the dielectric barrier layer 40 used material is electrically and / or optically inactive and yet provides sufficient protection against decomposition substances from the underlying insulator layer structure in the organic functional layer structure 22 pushing.

Die dielektrische Barriereschicht 40 kann direkt auf dem Substrat und der Isolatorschichtstruktur abgeschieden werden, insbesondere aus der Gasphase, beispielsweise in einem ALD-Verfahren. Die dielektrische Barriereschicht 40 kann alternativ eine MLD-Schicht, eine MVD-Schicht oder eine PECVD-Schicht sein, wobei grundsätzlich die dielektrische Barriereschicht 40 aus der Gasphase abgeschieden wird. Alternativ dazu kann die dielektrische Barriereschicht 40 mittels Sputterns ausgebildet sein. The dielectric barrier layer 40 can be deposited directly on the substrate and the insulator layer structure, in particular from the gas phase, for example in an ALD method. The dielectric barrier layer 40 may alternatively be an MLD layer, an MVD layer or a PECVD layer, wherein in principle the dielectric barrier layer 40 is deposited from the gas phase. Alternatively, the dielectric barrier layer 40 be formed by sputtering.

Die dielektrische Barriereschicht 40 weist beispielsweise Al₂O₃, TiO₂, ZrO_x, ZnO_x, HfO_x und/oder Alucone, Titanocone oder eine selbstausrichtende Monoschicht (Self Assembling Mono layer – SAM) auf oder ist daraus gebildet. The dielectric barrier layer 40 has, for example, Al ₂ O ₃ , TiO ₂ , ZrO _x , ZnO _x , HfO _x and / or Alucone, Titanocone or a self-aligning monolayer (SAM) or is formed therefrom.

Beispielsweise ist die dielektrische Barriereschicht 40 eine ALD-Schicht aus Al₂O₃ mit einer Dicke von 4 nm bis 6 nm und hat im Betrieb kurzfristig, insbesondere instantan, keinen nennenswerten Einfluss auf das elektrooptische Verhalten des organischen optoelektronischen Bauelements 1, verhindert jedoch mittel- und langfristig das Ausgasen der Zersetzungsstoffe des Materials der Isolatorschichtstruktur. Die dielektrische Barriereschicht 40 hat somit mittel- bis langfristig eine positive Auswirkung auf eine gleichmäßige Leuchtdichte und ein gleichmäßiges Leuchtbild und auf die Lebensdauer des organischen optoelektronischen Bauelements 1. For example, the dielectric barrier layer 40 an ALD layer of Al ₂ O ₃ with a Thickness of 4 nm to 6 nm and has in operation for a short time, especially instantane, no significant influence on the electro-optical behavior of the organic optoelectronic device 1 However, prevents the medium and long term outgassing of the decomposition of the material of the insulator layer structure. The dielectric barrier layer 40 Thus, in the medium to long term has a positive effect on a uniform luminance and a uniform illumination and on the life of the organic optoelectronic device 1 ,

2 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines organischen optoelektronischen Bauelements, das beispielsweise weitgehend dem in 1 gezeigten Ausführungsbeispiel entspricht. Das optoelektronische Bauelement 1 weist die dielektrische Barriereschicht 40 auf, die sich in diesem Ausführungsbeispiel nicht nur über die Isolierungsbarrieren 21, 23 sondern auch über die gesamte erste Elektrode 20 erstreckt. Die elektrische Funktion der ersten Elektrode bleibt jedoch unverändert oder zumindest näherungsweise unverändert, da die dielektrische Barriereschicht der 40 derart dünn ausgebildet ist, dass die Ladungsträger durch sie hindurchtunneln können. 2 shows an embodiment of an organic optoelectronic device, for example, the largely in 1 shown embodiment corresponds. The optoelectronic component 1 has the dielectric barrier layer 40 on, in this embodiment, not only on the isolation barriers 21 . 23 but also over the entire first electrode 20 extends. However, the electrical function of the first electrode remains unchanged or at least approximately unchanged, since the dielectric barrier layer of the 40 is formed so thin that the charge carriers can tunnel through them.

Insbesondere ist die dielektrische Barriereschicht 40 aus einem elektrisch isolierenden Material gebildet und so dünn ausgebildet, dass Ladungsträger, beispielsweise Löcher oder Elektronen, von der darunter liegenden ersten Elektrode 20 zu der über der dielektrischen Barriereschicht 40 liegenden organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 oder genau andersherum gelangen können, beispielsweise über Tunneleffekte, obwohl die dielektrische Barriereschicht 40 als flächige geschlossene Schicht ausgebildet ist. In particular, the dielectric barrier layer is 40 formed of an electrically insulating material and formed so thin that charge carriers, such as holes or electrons, from the underlying first electrode 20 to the over the dielectric barrier layer 40 lying organic functional layer structure 22 or the other way round, for example via tunneling effects, although the dielectric barrier layer 40 is formed as a flat closed layer.

3 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines organischen optoelektronischen Bauelements, das beispielsweise weitgehend dem in 2 gezeigten Ausführungsbeispiel entspricht. Das optoelektronische Bauelement 1 weist die dielektrische Barriereschicht 40 auf, die sich in diesem Ausführungsbeispiel nicht nur über die Isolierungsbarrieren 21, 23 und die erste Elektrode 20 sondern auch über den ersten und zweiten Kontaktabschnitt 16, 18 erstreckt. Die elektrische Funktion der ersten Elektrode und der Kontaktabschnitte 16, 18 bleibt jedoch unverändert oder zumindest näherungsweise unverändert, da die dielektrische Barriereschicht 40 derart dünn ausgebildet ist, dass die Ladungsträger durch sie hindurchtunneln können. 3 shows an embodiment of an organic optoelectronic device, for example, the largely in 2 shown embodiment corresponds. The optoelectronic component 1 has the dielectric barrier layer 40 on, in this embodiment, not only on the isolation barriers 21 . 23 and the first electrode 20 but also on the first and second contact section 16 . 18 extends. The electrical function of the first electrode and the contact sections 16 . 18 However, it remains unchanged or at least approximately unchanged, since the dielectric barrier layer 40 is formed so thin that the charge carriers can tunnel through them.

Insbesondere ist die dielektrische Barriereschicht 40 aus einem elektrisch isolierenden Material gebildet und so dünn ausgebildet, dass Ladungsträger, beispielsweise Löcher oder Elektronen, von den darunter liegenden Kontaktabschnitten 16, 18 zu in 3 nicht gezeigten über der dielektrischen Barriereschicht 40 liegenden elektrischen Kontakten zum elektrischen Kontaktieren des organischen optoelektronischen Bauelements 1 oder genau andersherum gelangen können, beispielsweise über Tunneleffekte, obwohl die dielektrische Barriereschicht 40 als flächige geschlossene Schicht ausgebildet ist. Außerdem kann die dielektrische Barriereschicht 40 dazu beitragen, zu verhindern, dass der erste Kontaktbereich 32 und/oder der zweite Kontaktbereich 34 oxidieren. In particular, the dielectric barrier layer is 40 formed of an electrically insulating material and formed so thin that charge carriers, such as holes or electrons, from the underlying contact portions 16 . 18 to in 3 not shown above the dielectric barrier layer 40 lying electrical contacts for electrically contacting the organic optoelectronic device 1 or the other way round, for example via tunneling effects, although the dielectric barrier layer 40 is formed as a flat closed layer. In addition, the dielectric barrier layer 40 help to prevent the first contact area 32 and / or the second contact area 34 oxidize.

4 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines organischen optoelektronischen Bauelements, das beispielsweise weitgehend dem in 1 gezeigten Ausführungsbeispiel entspricht. Das optoelektronische Bauelement 1 weist die dielektrische Barriereschicht 40 auf, die sich in diesem Ausführungsbeispiel nicht nur über die Isolierungsbarrieren 21, 23 sondern auch über eine Stromverteilungsstruktur 42 und Isolatorschichten 44 erstreckt. 4 shows an embodiment of an organic optoelectronic device, for example, the largely in 1 shown embodiment corresponds. The optoelectronic component 1 has the dielectric barrier layer 40 on, in this embodiment, not only on the isolation barriers 21 . 23 but also via a power distribution structure 42 and insulator layers 44 extends.

Die Stromverteilungsstruktur 42 weist mehrere Stromsammelschienen, die auch als Busbars bezeichnet werden, auf oder ist davon gebildet. Die Stromverteilungsstruktur 42 und insbesondere die Busbars sind von jeweils einer der Isolatorschichten 44 bedeckt. Insbesondere bedecken die Isolatorschichten 44 in 4 oben liegende vertikale Oberflächen, die sich jeweils in lateraler Richtung erstrecken, und laterale Seitenflächen, die sich in vertikaler Richtung erstrecken, der Stromverteilungsstruktur 42. Die Isolatorschichten 44 weisen ein elektrisch isolierendes Material auf und sind derart dick ausgebildet, dass sie verhindern, dass Ladungsträger aus der Stromverteilungsstruktur 42 direkt in die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 treten können und nur über die erste Elektrode 20 hin zu der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 gelangen können. The power distribution structure 42 has a plurality of busbars, which are also referred to as busbars, or is formed thereof. The power distribution structure 42 and in particular the busbars are each one of the insulator layers 44 covered. In particular, the insulator layers cover 44 in 4 upper vertical surfaces each extending in the lateral direction and lateral side surfaces extending in the vertical direction of the power distribution structure 42 , The insulator layers 44 have an electrically insulating material and are formed thick enough to prevent charge carriers from the current distribution structure 42 directly into the organic functional layer structure 22 can occur and only over the first electrode 20 towards the organic functional layer structure 22 can reach.

Die Stromverteilungsstruktur 42 und die Isolatorschichten 44 sind Teil des Substrats des organischen optoelektronischen Bauelements 1. The power distribution structure 42 and the insulator layers 44 are part of the substrate of the organic optoelectronic component 1 ,

Die Isolatorschichten 44 sind von der dielektrischen Barriereschicht 40 bedeckt. Insbesondere bedeckt die dielektrische Barriereschicht 40 in 4 oben liegende vertikale Oberflächen, die sich jeweils in lateraler Richtung erstrecken, und laterale Seitenflächen, die sich in vertikaler Richtung erstrecken, der Isolatorschichten 44. Die dielektrische Barriereschicht 40 verhindert ein Ausgasen von Zersetzungsstoffen aus dem Material der Isolatorschichtstruktur, insbesondere der Isolatorschichten 44. The insulator layers 44 are from the dielectric barrier layer 40 covered. In particular, the dielectric barrier layer covers 40 in 4 upper vertical surfaces each extending in the lateral direction and lateral side surfaces extending in the vertical direction of the insulator layers 44 , The dielectric barrier layer 40 prevents outgassing of decomposition substances from the material of the insulator layer structure, in particular the insulator layers 44 ,

Optional kann die dielektrische Barriereschicht 40 ausschließlich über den Isolatorschichten 44 ausgebildet sein und nicht über den Isolierungsbarrieren 21, 23. Optionally, the dielectric barrier layer 40 exclusively over the insulator layers 44 be trained and not over the isolation barriers 21 . 23 ,

5 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines organischen optoelektronischen Bauelements, das beispielsweise weitgehend dem in 2 gezeigten Ausführungsbeispiel entspricht. Das optoelektronische Bauelement 1 weist die dielektrische Barriereschicht 40 auf, die sich in diesem Ausführungsbeispiel nicht nur über die Isolierungsbarrieren 21, 23 und über die Stromverteilungsstruktur 42 und die Isolatorschichten 44 erstreckt sondern auch über die erste Elektrode 20. 5 shows an embodiment of an organic optoelectronic device, for example, the largely in 2 shown embodiment corresponds. The optoelectronic component 1 has the dielectric barrier layer 40 on, in this embodiment, not only on the isolation barriers 21 . 23 and on the power distribution structure 42 and the insulator layers 44 extends but also over the first electrode 20 ,

6 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines organischen optoelektronischen Bauelements, das beispielsweise weitgehend dem in 3 gezeigten Ausführungsbeispiel entspricht. Das optoelektronische Bauelement 1 weist die dielektrische Barriereschicht 40 auf, die sich in diesem Ausführungsbeispiel nicht nur über die Isolierungsbarrieren 21, 23, über die Stromverteilungsstruktur 42 und die Isolatorschichten 44 und über die erste Elektrode 20 erstreckt sondern auch über die Kontaktabschnitte der 16, 18. In anderen Worten erstreckt sich die dielektrische Barriereschicht 40 über das gesamte Substrat des organischen optoelektronischen Bauelements 1. 6 shows an embodiment of an organic optoelectronic device, for example, the largely in 3 shown embodiment corresponds. The optoelectronic component 1 has the dielectric barrier layer 40 on, in this embodiment, not only on the isolation barriers 21 . 23 , about the power distribution structure 42 and the insulator layers 44 and over the first electrode 20 extends but also on the contact sections of the 16 . 18 , In other words, the dielectric barrier layer extends 40 over the entire substrate of the organic optoelectronic component 1 ,

7 zeigt eine Detaildarstellung eines Ausführungsbeispiels eines organischen optoelektronischen Bauelements, beispielsweise eines der im Vorhergehenden mit Bezug zu den 4, 5 und 6 erläuterten organischen optoelektronischen Bauelemente 1. Insbesondere zeigt 7 eine Detailansicht der Stromverteilungsstruktur 42, insbesondere eines Busbars der Stromverteilungsstruktur 42, und der entsprechenden Isolatorschicht 44. 7 shows a detailed representation of an embodiment of an organic optoelectronic device, for example, one of the above with reference to the 4 . 5 and 6 explained organic optoelectronic devices 1 , In particular shows 7 a detailed view of the power distribution structure 42 , in particular a busbar of the power distribution structure 42 , and the corresponding insulator layer 44 ,

Die Stromverteilungsstruktur 42 weist drei übereinanderliegende Schichten auf, insbesondere eine erste Busbarschicht 46, die direkt auf der ersten Elektrode 20 ausgebildet ist, eine zweite Busbarschicht 48, die auf der ersten Busbarschicht 46 ausgebildet ist, und eine dritte Busbarschicht 50, die auf der zweiten Busbarschicht 48 ausgebildet ist. Die erste Busbarschicht 46 weist beispielsweise Molybdän auf oder ist davon gebildet, die zweite Busbarschicht 48 weist beispielsweise Aluminium auf oder ist davon gebildet und die dritte Busbarschicht 50 weist beispielsweise Molybdän auf oder ist davon gebildet. The power distribution structure 42 has three superimposed layers, in particular a first busbar layer 46 directly on the first electrode 20 is formed, a second busbar layer 48 that on the first busbar layer 46 is formed, and a third busbar layer 50 on the second busbar layer 48 is trained. The first busbar layer 46 has, for example, molybdenum or is formed thereof, the second busbar layer 48 For example, aluminum has or is formed from and the third busbar layer 50 has, for example, molybdenum or is formed thereof.

Im Querschnitt umschließen die erste Elektrode 20 und die Isolatorschichten 44 die Stromverteilungsstruktur 42, insbesondere den Busbars, vollständig. In cross section, the first electrode enclose 20 and the insulator layers 44 the power distribution structure 42 , especially the busbars, completely.

8 zeigt eine Detaildarstellung eines Ausführungsbeispiels eines organischen optoelektronischen Bauelements, beispielsweise des mit Bezug zu 7 erläuterten organischen optoelektronischen Bauelements 1, wobei auf der ersten Elektrode 20 und der Isolatorschicht 44 die dielektrische Barriereschicht 40 ausgebildet ist und wobei auf der dielektrischen Barriereschicht 40 die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 ausgebildet ist. 8th shows a detailed representation of an embodiment of an organic optoelectronic device, for example with reference to 7 explained organic optoelectronic device 1 , wherein on the first electrode 20 and the insulator layer 44 the dielectric barrier layer 40 is formed and wherein on the dielectric barrier layer 40 the organic functional layer structure 22 is trained.

Im Querschnitt umschließen die dielektrische Barriereschicht 40 und die erste Elektrode 20 die Isolatorschichtstruktur, insbesondere die Isolatorschicht 44, vollständig. Die Isolatorschicht 44 um die Stromverteilungsstruktur 42 verhindert, dass Ladungsträger direkt von der Stromverteilungsstruktur 42 in die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 gelangen. Die Ladungsträger gelangen ausschließlich über Ladungsträgerpfade 52 von der Stromverteilungsstruktur 42 in die organische funktionelle Schichtenstruktur 22. Dabei können die Ladungsträger ungehindert oder zumindest nahezu ungehindert durch die dielektrische Barriereschicht 40 tunneln, da diese dementsprechend dünn ausgebildet ist. Dennoch verhindert oder verringert die dielektrische Barriereschicht 40 das Ausgasen von Zersetzungsstoffen aus der Isolatorschichtstruktur, insbesondere der Isolatorschicht 44 in die organische funktionelle Schichtenstruktur 22. In cross section, the dielectric barrier layer enclose 40 and the first electrode 20 the insulator layer structure, in particular the insulator layer 44 , Completely. The insulator layer 44 around the power distribution structure 42 prevents charge carriers directly from the power distribution structure 42 into the organic functional layer structure 22 reach. The charge carriers arrive exclusively via charge carrier paths 52 from the power distribution structure 42 into the organic functional layer structure 22 , The charge carriers can pass unhindered or at least almost unhindered through the dielectric barrier layer 40 tunnel, since this is accordingly thin. Nevertheless, the dielectric barrier layer prevents or reduces 40 the outgassing of decomposition substances from the insulator layer structure, in particular the insulator layer 44 into the organic functional layer structure 22 ,

Beispielsweise weist die dielektrische Barriereschicht AlO_X oder TiO_X auf oder ist davon gebildet und/oder weist eine Dicke in einem Bereich von beispielsweise 2 nm bis 7 nm auf. For example, the dielectric barrier layer comprises or is formed of AlO _x or TiO _x and / or has a thickness in a range of, for example, 2 nm to 7 nm.

9 zeigt ein Beispiel eines Spannung-Leuchtstärke-Diagramms. In dem Spannung-Leuchtstärke-Diagramm sind mehrere Messkurven eingezeichnet, die eine Leuchtstärke in Abhängigkeit von einer an das organische optoelektronische Bauelement 1 angelegten Spannung zeigen. 9 shows an example of a voltage-luminance diagram. In the voltage-luminous intensity diagram, several measurement curves are drawn, which have a luminous intensity as a function of a to the organic optoelectronic component 1 show applied voltage.

Die verschiedenen Messkurven beziehen sich auf verschiedene Stromverteilungsstrukturen 42, insbesondere Stromverteilungsstrukturen 42 mit verschiedenen Busbars, insbesondere verschieden bezüglich des Materials, aus dem sie gebildet sind, und verschiedenen darauf ausgebildeten dielektrischen Barriereschichten 40, insbesondere verschieden bezüglich des verwendeten Materials, aus dem sie gebildet sind, wobei die dielektrischen Barriereschichten 40 alle eine Dicke im Bereich von 2 nm bis 7 nm haben. The different measurement curves refer to different power distribution structures 42 , in particular power distribution structures 42 with different busbars, in particular different with respect to the material from which they are formed, and various dielectric barrier layers formed thereon 40 , in particular different with respect to the material used, from which they are formed, wherein the dielectric barrier layers 40 all having a thickness in the range of 2 nm to 7 nm.

Die Messkurven liegen derart nah beieinander, dass sie in dem dargestellten Maßstab nicht voneinander getrennt dargestellt werden können. Aus dem Spannung-Leuchtstärke-Diagramm geht somit hervor, dass die dielektrische Barriereschicht 40 keinen nennenswerten oder zumindest nur vernachlässigbaren Einfluss auf die Leuchtstärke des organischen optoelektronischen Bauelements 1 hat. The measured curves are so close to each other that they can not be shown separated from each other on the scale shown. The voltage-light intensity diagram thus shows that the dielectric barrier layer 40 no appreciable or at least negligible influence on the luminous intensity of the organic optoelectronic component 1 Has.

10 zeigt ein Beispiel eines Spannung-Stromdichte-Diagramms. In dem Spannung-Stromdichte-Diagramm sind mehrere Messkurven eingezeichnet, die eine Stromdichte eines Stroms, der im Betrieb über das organische optoelektronische Bauelement 1 fließt, in Abhängigkeit von einer an das organische optoelektronische Bauelement 1 angelegten Spannung zeigen. 10 shows an example of a voltage-current density diagram. In the voltage-current density diagram, several measurement curves are plotted, which show a current density of a current in the Operation via the organic optoelectronic component 1 flows, depending on a to the organic optoelectronic device 1 show applied voltage.

Die verschiedenen Messkurven beziehen sich auf verschiedene Stromverteilungsstrukturen 42, insbesondere Stromverteilungsstrukturen 42 mit verschiedenen Busbars, insbesondere verschieden bezüglich des Materials, aus dem sie gebildet sind, und verschiedenen darauf ausgebildeten dielektrischen Barriereschichten 40, insbesondere verschieden bezüglich des verwendeten Materials, aus dem sie gebildet sind, wobei die dielektrischen Barriereschichten 40 alle eine Dicke von 2 nm oder 3 nm haben. The different measurement curves refer to different power distribution structures 42 , in particular power distribution structures 42 with different busbars, in particular different with respect to the material from which they are formed, and various dielectric barrier layers formed thereon 40 , in particular different with respect to the material used, from which they are formed, wherein the dielectric barrier layers 40 all have a thickness of 2 nm or 3 nm.

Die Messkurven liegen im relevanten Betriebsbereich ab 6 V zumindest teilweise derart nah beieinander, dass sie in dem relevanten Betriebsbereich in dem dargestellten Maßstab nicht voneinander getrennt dargestellt werden können. Aus dem Spannung-Stromdichte-Diagramm geht somit hervor, dass die dielektrische Barriereschicht 40 keinen nennenswerten oder zumindest nur vernachlässigbaren Einfluss auf die Stromdichte in dem organischen optoelektronischen Bauelement 1 hat. The measured curves lie in the relevant operating range from 6 V at least partially so close to each other that they can not be shown separated from each other in the relevant operating range on the scale shown. It can thus be seen from the voltage-current density diagram that the dielectric barrier layer 40 no appreciable or at least only negligible influence on the current density in the organic optoelectronic component 1 Has.

11 zeigt ein Beispiel eines Spannung-Leuchteffizienz-Diagramms. In dem Spannung-Leuchteffizienz-Diagramm sind mehrere Messkurven eingezeichnet, die eine Leuchteffizienz des organischen optoelektronischen Bauelement 1 in Abhängigkeit von einer an das organische optoelektronische Bauelement 1 angelegten Spannung zeigen. 11 shows an example of a voltage-luminous efficiency diagram. In the voltage-light efficiency diagram, several measurement curves are drawn, which are a luminous efficiency of the organic optoelectronic component 1 as a function of a to the organic optoelectronic component 1 show applied voltage.

Die Messkurven liegen im relevanten Betriebsbereich zwischen 6 V und 12 V zumindest teilweise derart nah beieinander, dass sie in dem relevanten Betriebsbereich in dem dargestellten Maßstab nicht voneinander getrennt dargestellt werden können. Aus dem Spannung-Leuchteffizienz-Diagramm geht somit hervor, dass die dielektrische Barriereschicht 40 keinen nennenswerten oder zumindest nur vernachlässigbaren Einfluss auf die Leuchteffizienz des organischen optoelektronischen Bauelements 1 hat. The measured curves lie in the relevant operating range between 6 V and 12 V at least partially so close to each other that they can not be displayed separately from each other in the relevant operating range on the scale shown. The voltage-light efficiency diagram thus shows that the dielectric barrier layer 40 no appreciable or at least only negligible influence on the luminous efficiency of the organic optoelectronic component 1 Has.

12 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements, beispielsweise des im Vorhergehenden erläuterten optoelektronischen Bauelements 1. 12 shows a flowchart of a method for producing an organic optoelectronic device, for example, the above-explained optoelectronic device 1 ,

In einem Schritt S2 wird ein Substrat mit einer ersten Elektrode ausgebildet. Beispielsweise wird das Substrat mit der ersten Elektrode 20 ausgebildet. Optional kann das Substrat so ausgebildet werden, dass es die erste Elektrodenschicht 14, insbesondere die erste Elektrode 20, und die Kontaktabschnitte 16, 18 aufweist. Ferner kann optional in dem Schritt S2 bereits ein Teil der Isolatorschichtstruktur 42 ausgebildet werden, insbesondere können die Isolierungsbarrieren 21, 23 ausgebildet werden. Die Isolierungsbarrieren 21, 23 können Teile des Substrats sein. In a step S2, a substrate is formed with a first electrode. For example, the substrate becomes the first electrode 20 educated. Optionally, the substrate may be formed to be the first electrode layer 14 , in particular the first electrode 20 , and the contact sections 16 . 18 having. Furthermore, optionally in step S2 already a part of the insulator layer structure 42 be formed, in particular, the isolation barriers 21 . 23 be formed. The isolation barriers 21 . 23 may be parts of the substrate.

In einem optionalen Schritt S4 kann eine Stromverteilungsstruktur ausgebildet werden. Beispielsweise kann in dem Schritt S4 die Stromverteilungsstruktur 42 auf der ersten Elektrode 20 ausgebildet werden. In an optional step S4, a power distribution structure may be formed. For example, in step S4, the power distribution structure 42 on the first electrode 20 be formed.

In einem Schritt S6 wird eine Isolatorschichtstruktur ausgebildet. Beispielsweise wird die im Vorhergehenden erläuterte Isolatorschichtstruktur 42 ausgebildet. Die Isolatorschichtstruktur 42 weist die Isolierungsbarrieren 21, 23 und/oder die Isolatorschichten 44 auf. Insbesondere können in dem Schritt S6 die Isolatorschichten 44 auf den entsprechenden Busbars der Isolatorschichtstruktur 42 ausgebildet werden. In a step S6, an insulator layer structure is formed. For example, the above-described insulator layer structure becomes 42 educated. The insulator layer structure 42 indicates the isolation barriers 21 . 23 and / or the insulator layers 44 on. In particular, in the step S6, the insulator layers 44 on the corresponding busbars of the insulator layer structure 42 be formed.

In einem Schritt S8 wird eine dielektrische Barriereschicht ausgebildet. Beispielsweise wird die im Vorhergehenden erläuterte dielektrische Barriereschicht 40 ausgebildet. Die dielektrische Barriereschicht 40 kann über dem gesamten Substrat ausgebildet werden. Alternativ dazu kann die dielektrische Barriereschicht 40 lediglich über der Isolatorschichtstruktur, insbesondere den Isolierungsbarrieren 21, 23 und/oder den Isolatorschichten 44, und/oder der ersten Elektrode 20 ausgebildet werden. Die dielektrische Barriereschicht 40 wird aus der Gasphase direkt auf dem Substrat abgeschieden, insbesondere in einem ALD-Verfahren. Alternativ dazu kann die dielektrische Barriereschicht 40 in einem MLD-Verfahren, einem MVD-Verfahren oder einem PECVD-Verfahren abgeschieden werden oder mittels Sputterns ausgebildet werden. In a step S8, a dielectric barrier layer is formed. For example, the dielectric barrier layer explained above becomes 40 educated. The dielectric barrier layer 40 can be formed over the entire substrate. Alternatively, the dielectric barrier layer 40 only over the insulator layer structure, in particular the isolation barriers 21 . 23 and / or the insulator layers 44 , and / or the first electrode 20 be formed. The dielectric barrier layer 40 is deposited from the gas phase directly on the substrate, in particular in an ALD process. Alternatively, the dielectric barrier layer 40 in an MLD process, an MVD process or a PECVD process or are formed by sputtering.

Optional kann nach dem Ausbilden der Isolatorschichtstruktur für eine vorgegebene Zeitdauer verweilt werden, bevor die dielektrische Barriereschicht 40 darüber ausgebildet wird. Während dieser vorgegebenen Zeitdauer können die Zersetzungsstoffe ungehindert aus der Isolatorschichtstruktur ausgasen, ohne eine Gefahr für die organische funktionelle Schichtenstruktur darzustellen. Dies verringert die Anzahl der Zersetzungsstoffe in der Isolatorschichtstruktur noch vor dem Ausbilden der dielektrischen Barriereschicht 40. Die vorgegebene der Zeitdauer kann beispielsweise zwischen 1 und 3 Stunden betragen, beispielsweise ungefähr 2 Stunden sein. Während dieser vorgegebenen Zeitdauer kann das Substrat mit der dielektrischen Barriereschicht 40 beheizt werden, wodurch das Ausgasen der Zersetzungsstoffe vor dem Ausbilden der dielektrischen Barriereschicht 40 begünstigt wird. Optionally, after the formation of the insulator layer structure, it is possible to dwell for a predetermined period of time before the dielectric barrier layer 40 is trained about it. During this predetermined period of time, the decomposers may outgas freely from the insulator layer structure without posing a threat to the organic functional layer structure. This reduces the number of decomposition substances in the insulator layer structure even before the formation of the dielectric barrier layer 40 , The predetermined duration may be, for example, between 1 and 3 hours, for example about 2 hours. During this predetermined period of time, the substrate with the dielectric barrier layer 40 be heated, whereby the outgassing of the decomposition substances before forming the dielectric barrier layer 40 is favored.

In einem Schritt S10 wird eine Organik, insbesondere eine organische funktionelle Schichtenstruktur, ausgebildet. Beispielsweise wird in dem Schritt S10 die organische funktionelle Schichtenstruktur 22 über dem Substrat und über der dielektrischen Barriereschicht 40 ausgebildet. In a step S10, an organic, in particular an organic functional layer structure is formed. For example, in step S10, the organic functional layer structure becomes 22 above the substrate and over the dielectric barrier layer 40 educated.

In einem Schritt S12 wird eine zweite Elektrode ausgebildet. Insbesondere wird die zweite Elektrode 23 über der organischen funktionellen Schichtenstruktur 22 ausgebildet. In a step S12, a second electrode is formed. In particular, the second electrode becomes 23 over the organic functional layer structure 22 educated.

In einem optionalen Schritt S14 kann eine Abdeckung über der zweiten Elektrode ausgebildet oder angeordnet werden. Beispielsweise kann die Abdeckung die Verkapselungsschicht 24, die Haftmittelschicht 36 und/oder den Abdeckkörper 38 aufweisen. In an optional step S14, a cover may be formed or disposed over the second electrode. For example, the cover may be the encapsulation layer 24 , the adhesive layer 36 and / or the cover body 38 exhibit.

Die Erfindung ist nicht auf die angegebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Beispielsweise kann bei allen Ausführungsbeispielen auf eine der Isolierungsbarrieren 21, 23, beispielsweise auf die zweite Isolierungsbarriere 23, verzichtet werden. Des Weiteren kann die Isolatorschichtstruktur weitere isolierende Strukturen aufweisen, die von dem Material gebildet sind, das im Laufe der Zeit Zersetzungsstoffe ausgast, und die entsprechenden isolierenden Strukturen können ebenfalls von der dielektrischen Barriereschicht 40 bedeckt sein. The invention is not limited to the specified embodiments. For example, in all embodiments, one of the isolation barriers 21 . 23 on the second isolation barrier, for example 23 , be waived. Furthermore, the insulator layer structure may have further insulating structures formed from the material that outgases decomposition agents over time, and the corresponding insulating structures may also be from the dielectric barrier layer 40 be covered.

Claims

Organisches optoelektronisches Bauelement (1), mit einem Substrat, das mindestens eine erste Elektrode (20) aufweist, einer dielektrischen Isolatorschichtstruktur, die auf dem Substrat angeordnet ist und die in direktem körperlichen Kontakt mit der ersten Elektrode (20) ist, einer dielektrischen Barriereschicht (40), die direkt auf der Isolatorschichtstruktur und zumindest teilweise direkt auf der ersten Elektrode (20) ausgebildet ist und die laterale Seitenflächen der Isolatorschichtstruktur bedeckt, einer organischen funktionellen Schichtenstruktur (22), die über der ersten Elektrode (20) und auf der dielektrischen Barriereschicht (40) ausgebildet ist, und einer zweiten Elektrode (23), die über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) ausgebildet ist. Organic optoelectronic component ( 1 ), with a substrate having at least a first electrode ( 20 ), a dielectric insulator layer structure disposed on the substrate and in direct physical contact with the first electrode (10). 20 ), a dielectric barrier layer ( 40 ) directly on the insulator layer structure and at least partially directly on the first electrode ( 20 ) and covers the lateral side surfaces of the insulator layer structure, an organic functional layer structure ( 22 ) above the first electrode ( 20 ) and on the dielectric barrier layer ( 40 ) is formed, and a second electrode ( 23 ) above the organic functional layer structure ( 22 ) is trained.

Organisches optoelektronisches Bauelement (1) nach Anspruch 1, bei dem das Substrat einen ersten Kontaktabschnitt (16) aufweist, der elektrisch mit der zweiten Elektrode (23) gekoppelt ist und der zum elektrischen Kontaktieren der zweiten Elektrode (23) dient, und die dielektrische Isolatorschichtstruktur eine erste Isolierungsbarriere (21) aufweist, die die erste Elektrode (20) von dem ersten Kontaktabschnitt (16) elektrisch isoliert, und die dielektrische Barriereschicht (40) direkt auf der ersten Isolierungsbarriere (21) ausgebildet ist und laterale Seitenflächen der ersten Isolierungsbarriere (21) bedeckt. Organic optoelectronic component ( 1 ) according to claim 1, wherein the substrate has a first contact section ( 16 ) electrically connected to the second electrode ( 23 ) and for electrically contacting the second electrode ( 23 ), and the dielectric insulator layer structure has a first isolation barrier ( 21 ) having the first electrode ( 20 ) from the first contact section ( 16 ) electrically isolated, and the dielectric barrier layer ( 40 ) directly on the first isolation barrier ( 21 ) is formed and lateral side surfaces of the first isolation barrier ( 21 ) covered.

Organisches optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das Substrat eine Stromverteilungsstruktur (42) aufweist, die direkt auf der ersten Elektrode (20) ausgebildet ist, die dielektrische Isolatorschichtstruktur Isolatorschichten (44) aufweist, die direkt auf der Stromverteilungsstruktur (42) ausgebildet sind und die laterale Seitenflächen der Stromverteilungsstruktur (42) bedecken und die dielektrische Barriereschicht (40) direkt auf den Isolatorschichten (44) ausgebildet ist und laterale Seitenflächen der Isolatorschichten (44) bedeckt. Organic optoelectronic component ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the substrate has a current distribution structure ( 42 ) directly on the first electrode ( 20 ), the dielectric insulator layer structure insulator layers ( 44 ) directly on the power distribution structure ( 42 ) are formed and the lateral side surfaces of the power distribution structure ( 42 ) and the dielectric barrier layer ( 40 ) directly on the insulator layers ( 44 ) is formed and lateral side surfaces of the insulator layers ( 44 ) covered.

Organisches optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem das Substrat einen zweiten Kontaktabschnitt (18) aufweist, der elektrisch mit der ersten Elektrode (20) gekoppelt ist und der zum elektrischen Kontaktieren der ersten Elektrode (20) dient. Organic optoelectronic component ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the substrate has a second contact section ( 18 ) electrically connected to the first electrode ( 20 ) and for electrically contacting the first electrode ( 20 ) serves.

Organisches optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die dielektrische Barriereschicht (40) über der gesamten ersten Elektrode (20) ausgebildet ist. Organic optoelectronic component ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the dielectric barrier layer ( 40 ) over the entire first electrode ( 20 ) is trained.

Organisches optoelektronisches Bauelement (1) nach Anspruch 5, bei dem die dielektrische Barriereschicht (40) über dem gesamten Substrat ausgebildet ist. Organic optoelectronic component ( 1 ) according to claim 5, wherein the dielectric barrier layer ( 40 ) is formed over the entire substrate.

Organisches optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die dielektrische Barriereschicht (40) eine Dicke aufweist von 0,1 nm bis 20 nm, beispielsweise von 1 nm bis 10 nm, beispielsweise von 2 nm bis 7 nm. Organic optoelectronic component ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the dielectric barrier layer ( 40 ) has a thickness of from 0.1 nm to 20 nm, for example from 1 nm to 10 nm, for example from 2 nm to 7 nm.

Organisches optoelektronisches Bauelement (1) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die dielektrische Barriereschicht (40) Al₂O₃, TiO₂, ZrO_x, ZnO_x, HfO_x und/oder Alucone, Titanocone oder eine selbstausrichtende Monoschicht aufweist oder daraus gebildet ist. Organic optoelectronic component ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the dielectric barrier layer ( 40 ) Al ₂ O ₃ , TiO ₂ , ZrO _x , ZnO _x , HfO _x and / or Alucone, Titanocone or a self-aligning monolayer comprises or is formed therefrom.

Verfahren zum Herstellen eines organischen optoelektronischen Bauelements (1), bei dem ein Substrat, das mindestens eine erste Elektrode (20) aufweist, ausgebildet wird, eine dielektrische Isolatorschichtstruktur auf dem Substrat in direktem körperlichen Kontakt mit der ersten Elektrode (20) ausgebildet wird, eine dielektrische Barriereschicht (40) direkt auf der Isolatorschichtstruktur und zumindest teilweise direkt auf der ersten Elektrode (20) so ausgebildet wird, dass sie laterale Seitenflächen der Isolatorschichtstruktur bedeckt, eine organische funktionelle Schichtenstruktur (22) über der ersten Elektrode (20) und auf der dielektrischen Barriereschicht (40) ausgebildet wird, und eine zweite Elektrode (23) über der organischen funktionellen Schichtenstruktur (22) ausgebildet wird. Method for producing an organic optoelectronic component ( 1 ), in which a substrate, the at least one first electrode ( 20 ) is formed, a dielectric insulator layer structure on the substrate in direct physical contact with the first electrode ( 20 ), a dielectric barrier layer ( 40 ) directly on the insulator layer structure and at least partially directly on the first electrode ( 20 ) is formed so as to cover lateral side surfaces of the insulator layer structure, an organic functional layer structure ( 22 ) over the first electrode ( 20 ) and on the dielectric barrier layer ( 40 ), and a second electrode ( 23 ) over the organic functional layer structure ( 22 ) is formed.

Verfahren nach Anspruch 9, bei dem das Substrat so ausgebildet wird, dass es einen ersten Kontaktabschnitt (16) aufweist, der elektrisch mit der zweiten Elektrode (23) gekoppelt ist und der zum elektrischen Kontaktieren der zweiten Elektrode (23) dient, die dielektrische Isolatorschichtstruktur so ausgebildet wird, dass sie eine erste Isolierungsbarriere (21) aufweist, die die erste Elektrode (20) von dem ersten Kontaktabschnitt (16) elektrisch isoliert, und die dielektrische Barriereschicht (40) direkt auf der ersten Isolierungsbarriere (21) so ausgebildet wird, dass sie laterale Seitenflächen und eine vertikale Oberfläche der ersten Isolierungsbarriere (21) bedeckt. The method of claim 9, wherein the substrate is formed to have a first contact portion (Fig. 16 ) electrically connected to the second electrode ( 23 ) and for electrically contacting the second electrode ( 23 ), the dielectric insulator layer structure is formed so that it has a first insulation barrier ( 21 ) having the first electrode ( 20 ) from the first contact section ( 16 ) electrically isolated, and the dielectric barrier layer ( 40 ) directly on the first isolation barrier ( 21 ) is formed so that it has lateral side surfaces and a vertical surface of the first isolation barrier ( 21 ) covered.

Verfahren nach einem der Ansprüche 9 oder 10, bei dem das Substrat so ausgebildet wird, dass es eine Stromverteilungsstruktur (42) aufweist, die direkt auf der ersten Elektrode (20) ausgebildet ist, die dielektrische Isolatorschichtstruktur so ausgebildet wird, dass sie Isolatorschichten (44) aufweist, die direkt auf der Stromverteilungsstruktur (42) ausgebildet sind und die laterale Seitenflächen der Stromverteilungsstruktur (42) bedecken und die dielektrische Barriereschicht (40) direkt auf den Isolatorschichten (44) so ausgebildet wird, dass sie laterale Seitenflächen und vertikale Oberflächen der Isolatorschichten (44) bedeckt. Method according to one of claims 9 or 10, wherein the substrate is formed so that it has a current distribution structure ( 42 ) directly on the first electrode ( 20 ), the dielectric insulator layer structure is formed so that it insulator layers ( 44 ) directly on the power distribution structure ( 42 ) are formed and the lateral side surfaces of the power distribution structure ( 42 ) and the dielectric barrier layer ( 40 ) directly on the insulator layers ( 44 ) is formed so that it lateral lateral surfaces and vertical surfaces of the insulator layers ( 44 ) covered.

Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 11, bei dem die dielektrische Barriereschicht (40) über der gesamten ersten Elektrode (20) ausgebildet wird. Method according to one of Claims 9 to 11, in which the dielectric barrier layer ( 40 ) over the entire first electrode ( 20 ) is formed.

Verfahren nach Anspruch 12, bei dem die dielektrische Barriereschicht (40) über dem gesamten Substrat ausgebildet wird. Method according to claim 12, wherein the dielectric barrier layer ( 40 ) is formed over the entire substrate.

Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 13, bei dem die dielektrische Barriereschicht (40) in einem ALD-Verfahren, einem MLD-Verfahren, einem MVD-Verfahren oder einem PECVD-Verfahren ausgebildet wird. Method according to one of Claims 9 to 13, in which the dielectric barrier layer ( 40 ) is formed in an ALD method, an MLD method, an MVD method or a PECVD method.

Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 14, bei dem die dielektrische Isolatorschichtstruktur nach ihrem Ausbilden für eine vorgegebene Zeitdauer frei bleibt bevor die dielektrische Barriereschicht (40) auf ihr ausgebildet wird. Method according to one of Claims 9 to 14, in which the dielectric insulator layer structure remains free for a predetermined time after it has been formed before the dielectric barrier layer ( 40 ) is trained on her.

Verfahren nach einem der Ansprüche 9 bis 15, bei dem das Substrat und/oder die Isolatorschichtstruktur vor und/oder während dem Aufbringen der dielektrischen Barriereschicht beheizt werden. Method according to one of claims 9 to 15, wherein the substrate and / or the insulator layer structure are heated before and / or during the application of the dielectric barrier layer.