DE102014201306A1

DE102014201306A1 - Leistungselektronikmodul mit 3D-gefertigtem Kühler

Info

Publication number: DE102014201306A1
Application number: DE102014201306.2A
Authority: DE
Inventors: Kai Kriegel; Karl Weidner
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 2014-01-24
Filing date: 2014-01-24
Publication date: 2015-07-30

Abstract

Ein erster Erfindungsaspekt führt ein Herstellungsverfahren für ein Leistungselektronikmodul (1) ein. Das erfindungsgemäße Verfahren verfügt wenigstens über folgende Schritte: – Bereitstellen eines Leistungselektronikbauteils (8); und – Auftragen einer Kühlstruktur (9) direkt auf das Leistungselektronikbauteil (8) mittels eines dreidimensionalen schichtweisen Auftragsverfahrens. Ein zweiter Erfindungsaspekt betrifft das durch das erfindungsgemäße Verfahren hergestellte oder herstellbare Leistungselektronikmodul (1).

Description

Technisches Gebiet
Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für ein Leistungselektronikmodul und ein mit diesem Herstellungsverfahren hergestelltes oder herstellbares Leistungselektronikmodul.
Technischer Hintergrund
Leistungselektronikbauteile werden für vielfältige Anwendungen verwendet, beispielsweise um starke elektrische Ströme innerhalb kurzer Zeiten zu schalten, wie es in Wechselrichtern üblich ist. Solche Leistungselektronikbauteile können eine Vielzahl von Schalttransistoren wie beispielsweise IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) umfassen, die auf einem flächigen Substrat nebeneinander zu einer Leistungselektronikschaltung angeordnet sind. Hierzu findet beispielsweise die DBC- oder auch DCB-Technik (Direct Bonded Copper) weite Verwendung, bei der ein Keramiksubstrat beidseitig mit strukturierten Kupferlagen versehen und die Schalttransistoren auf einer der strukturierten Kupferlagen angeordnet und dadurch zu einer Leistungselektronikschaltung verbunden werden.
Aufgrund der hohen fließenden Ströme und zu schaltenden Lasten entsteht dabei Abwärme, die zum Schutz der Leistungselektronikschaltung vor Überhitzung abgeführt werden muss. Hierzu wird das Leistungselektronikbauteil mit einem Kühler zu einem Leistungselektronikmodul kombiniert. Bei der DCB- Technik wird zudem die verbleibende strukturierte Kupferlage für eine Ableitung und Verteilung der punktuell unterschiedlich stark anfallenden Abwärme und für eine Kontrolle der aufgrund der ungleichmäßig verteilten Abwärme entstehenden mechanischen Spannungen verwendet und für diesen Zweck geeignet strukturiert.
Der oder die Kühler eines Leistungselektronikmoduls können auf einer beliebigen Seite eines DCB-Substrates angeordnet sein. Diese Kühler können als Mikrokanalkühler ausgeführt sein, die die Abwärme der Leistungselektronikschaltung aufnehmen und an ein flüssiges Kühlmittel, das den Mikrokanalkühler durchströmt, abgeben.
Durch die Kühlmaßnahmen wird eine möglichst hohe Packungsdichte der Leistungselektronikmodule und somit eine möglichst große schaltbare elektrische Leistung in einem gegebenen Volumen erreicht, ohne eine Überhitzung der Leistungselektronikmodule befürchten zu müssen.
Die Erfindung macht es sich zur Aufgabe, ein verbessertes Herstellungsverfahren für Leistungselektronikmodule und verbesserte Leistungselektronikmodule einzuführen.
Zusammenfassung der Erfindung
Ein erster Erfindungsaspekt führt daher ein Herstellungsverfahren für ein Leistungselektronikmodul ein. Das erfindungsgemäße Verfahren verfügt wenigstens über folgende Schritte:

– Bereitstellen eines Leistungselektronikbauteils; und
– Auftragen einer Kühlstruktur direkt auf das Leistungselektronikbauteil mittels eines dreidimensionalen schichtweisen Auftragsverfahrens.

Das Verfahren der Erfindung bietet eine Mehrzahl von Vorteilen. So ist es durch die Verwendung eines dreidimensionalen schichtweisen Auftragsverfahrens, wie es aus dem Rapid Prototyping oder dem sogenannten 3D-Drucken bekannt ist, möglich, komplexe Kühlstrukturen aufzubauen, die sich in klassischer Bauart eines Mikrokanalkühlers nicht realisieren ließen. Dies ist deshalb vorteilhaft, weil sich Durchmesser, Verästelungen und Positionierung von Kühlmittelkanälen in der Kühlstruktur und auch Turbulenzen des Kühlmittels in den Kühlmittelkanälen strömungstechnisch optimieren lassen, so dass eine bestmögliche Verteilung des Kühlmittels entlang der zu kühlenden Oberfläche gemäß den durch die räumliche Anordnung der Leistungselektronikschaltung bedingten Gegebenheiten der Abwärmeverteilung erfolgen kann. Die Kühlmittelkanäle der Kühlstruktur können mit Verfahren der CFD (computational fluid dynamics) berechnet und optimiert werden.
Ein weiterer Vorteil der Erfindung besteht in seiner schnellen Durchführung, dass die Produktionszeit verkürzt. Zudem kann ein besonders guter wärmeleitender Kontakt zwischen der Kühlstruktur und dem Leistungselektronikbauteil hergestellt werden, indem die Kühlstruktur direkt auf dem Leistungselektronikbauteil aufgebaut und dadurch mit dem Leistungselektronikbauteil verbunden wird. Im Unterschied hierzu werden die bekannten Kühler mit Wärmeleitpasten oder dergleichen auf die Leistungselektronikbauteile aufgebracht. Dies hat jedoch einen verhältnismäßig schlechten Wärmeleitwert von ungefähr 3 bis 10 W/mK zur Folge.
Besonders bevorzugt wird für das dreidimensionale schichtweise Auftragsverfahren ein Pulverauftragsverfahren verwendet. Bei bevorzugten Beispielen solcher Pulverauftragsverfahren werden dünne Pulverschichten eines zu wählenden Materials, meist metallisches Material oder Kunststoff, auf das für das Auftragsverfahren als Substrat dienende Leistungselektronikbauteil aufgetragen und anschließend durch einen Energiestrahl, beispielsweise einen Laser- oder Elektronenstrahl, selektiv verhärtet. Indem jede Schicht geeignet selektiv verhärtet wird, entsteht aus der Vielzahl der Schichten schließlich die gewünschte Form der Kühlstruktur. Abschließend wird das Pulver von den nicht verhärteten Stellen entfernt.
Es sind jedoch auch flüssigkeitsbasierte Auftragsverfahren anwendbar, beispielsweise galvanische Verfahren unter Verwendung von photolithographischen Stukturierungsverfahren.
In dem dreidimensionalen schichtweisen Auftragsverfahren für den Aufbau der Kühlstruktur kann wenigstens eine Kunststoffschicht oder eine Kunststoffteilschicht aufgetragen werden. Eine solche Kunststoffschicht kann insbesondere in Verbindung mit einer Mehrzahl von metallischen Schichten oder Teilschichten genutzt werden, um die Kühlstruktur elektrisch von dem Leistungselektronikbauteil zu isolieren. Außerdem können etwaige in der Kühlstruktur enthaltene Kühlmittelkanäle auf diese Weise mit Kunststoff beschichtet werden, was dem Korrosionsschutz dienen kann. Dies ist insbesondere bei einem Aufbau der Kühlstruktur aus Kupfer und/oder einer Verwendung von Wasser als Kühlmittel beziehungsweise wasserhaltigen Kühlmitteln vorteilhaft. Allerdings kann die Beschichtung der Kühlmittelkanäle mit Kunststoff auch mit anderen Verfahren erreicht werden. Ebenso ist es denkbar, die Kühlmittelkanäle aus Aluminium oder einem anderen korrosionsfesten metallischen Material auszuführen.
In vorteilhaften Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens kann in dem dreidimensionalen schichtweisen Auftragsverfahren eine Mehrzahl von unterschiedlichen Materialien in einer ausgewählten Schicht aufgetragen werden. Dies kann beispielsweise für den oben beschriebenen Aufbau von korrosionsfesten Kühlmittelkanälen innerhalb einer Kühlstruktur aus korrosionsanfälligem Material verwendet werden. Es ist aber auch denkbar, eine Kühlstruktur aus einem gewählten Material (beispielsweise mit besonders guten Wärmeleiteigenschaften) zu deren Schutz mit einem Gehäuse (z.B. aus Edelstahl) zu versehen, indem entsprechend für unterschiedliche Bereiche jeder ausgewählten Schicht die unterschiedlichen Materialien verwendet und strukturiert werden.
Besonders bevorzugt wird in dem Schritt des Auftragens der Kühlstruktur wenigstens ein Kühlmittelkanal in der Kühlstruktur geformt. Der wenigstens eine Kühlmittelkanal kann mit Anschlüssen für das Kühlmittel versehen sein. Solche Anschlüsse können gegebenenfalls direkt durch das dreidimensionale schichtweise Auftragsverfahren, beispielsweise unter Verwendung eines Kunststoffmaterials, realisiert werden.
Der Schritt des Bereitstellens des Leistungselektronikbauteils kann einen Schritt umfassen, in dem ein Leistungshalbleiterchip des Leistungselektronikbauteils durch ein Planares Interconnect-Verfahren kontaktiert wird. Hierbei ist insbesondere das sogenannte SiPLIT-Verfahren (Siemens PLanar Interconnect Technology), wie es beispielsweise in WO03/030247 A2 beschrieben ist, geeignet. Dieses Verfahren bietet den Vorteil, dass die Schalttransistoren (oder sonstigen aktiven Elemente wie Dioden etc.) der Leistungselektronikschaltung direkt und flächig kontaktiert werden, wodurch sich eine im wesentlichen ebene Oberfläche des Leistungselektronikbauteils ergibt, auf die die Kühlstruktur im Rahmen des erfindungsgemäßen Verfahrens aufgetragen werden kann. Die Kühlstruktur kann jedoch auch (oder zusätzlich) auf die Rückseite des Substrates, also der Leistungselektronikschaltung gegenüberliegend, aufgetragen werden. Dies bietet den Vorteil einer ebenen Substratfläche, auf der die Kühlstruktur einfach aufgebaut werden kann, bringt jedoch bei Verwendung von Substraten mit einer Keramikschicht wie DCB-Substraten oder Aluminiumsubstraten den Nachteil einer durch die Keramikschicht bewirkten Wärmebarriere.
Ein weiterer Vorteil der Kombination eines Planaren Interconnect-Verfahrens wie SiPLIT und des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt darin, dass die Kühlstruktur in besonders geringem Abstand zu den Schalttransistoren angeordnet werden kann. Bei Leistungselektronikschaltungen, die mit dem traditionellen Bonding mittels kurzer Drähte kontaktiert werden, werden diese Drähte üblicherweise durch Aufgießen einer verhältnismäßig dicken, meist silikonhaltigen, Harzschicht mechanisch stabilisiert, was eine bedeutende Wärmebarriere darstellt, die die Kühlung nach oben erheblich erschwert. Im Gegensatz hierzu kann bei Verwendung eines planaren Interconnect-Verfahrens eine verhältnismäßig dünne Isolationsschicht auf das Leistungselektronikbauteil aufgebracht werden, beispielsweise in Form einer auflaminierten Folie, wie sie auch im Rahmen des SiPLIT-Verfahrens verwendet wird, auf der dann direkt die Kühlstruktur aufgebaut wird. Diese Isolationsschicht kann auch im Rahmen des dreidimensionalen schichtweisen Auftragsverfahrens selbst erzeugt werden, wie weiter oben erklärt wird.
Nach dem Schritt des Auftragens der Kühlstruktur kann ein Deckel auf der Kühlstruktur befestigt werden. Dies kann beispielsweise durch Laserschweißen oder entsprechende Verfahren erfolgen. Der Deckel kann dazu dienen, die Kühlstruktur abzuschließen und dadurch zu schützen. Außerdem kann es dazu dienen, offene Kühlmittelkanäle fluidisch abzudichten, wobei freilich Bohrungen in dem Deckel für Kühlmittelzu- und -ableitungen vorgesehen sein können. Es ist aber auch möglich, ein zweites Leistungselektronikmodul auf dem ersten zu befestigen. Hierbei können beide Leistungselektronikmodule räumlich gleich ausgerichtet sein, so dass die Rückseite des einen auf der Vorderseite des anderen befestigt wird, wodurch Stapel von mehreren Leistungselektronikmodulen möglich sind. Solche Stapel ermöglichen eine besonders hohe Packungsdichte.
Alternativ können die beiden Leistungselektronikmodule voneinander wegweisen, so dass die Kühlstrukturen der beiden Leistungselektronikmodule aufeinander angeordnet werden. Dabei ist es denkbar, die Kühlstrukturen der beiden Leistungselektronikmodule funktional und räumlich miteinander zu verbinden, so dass auch ein Kühlmittelaustausch zwischen den Leistungselektronikmodulen möglich ist. Beispielsweise kann jedes der Leistungselektronikmodule eine obere beziehungsweise untere Hälfte eines einzigen Kühlmittelkanals aufweisen, der durch die Befestigung der beiden Leistungselektronikmodule aneinander vervollständigt wird. Ebenso ist es vorstellbar, dass jede Kühlstruktur als Abdichtung der Kühlmittelkanäle der jeweils anderen Kühlstruktur dient.
Ein zweiter Erfindungsaspekt betrifft das durch das erfindungsgemäße Verfahren hergestellte oder herstellbare Leistungselektronikmodul. Ein solches Leistungselektronikmodul kann beispielsweise von herkömmlichen anhand der Kristallstruktur der Kühlstruktur, der Formgebung von Kühlmittelkanälen oder der Abwesenheit von Wärmeleitpasten oder -klebern zwischen dem Leistungselektronikbauteil und der Kühlstruktur unterschieden werden.
Kurzbeschreibung der Abbildungen
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Abbildungen von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
1 eine Querschnittszeichnung durch ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Leistungselektronikmodul;
2 ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung; und
3 ein drittes Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Ausführliche Beschreibung der Abbildungen
1 zeigt eine Querschnittszeichnung durch ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Leistungselektronikmodul 1. Das Leistungselektronikmodul 1 umfasst ein Leistungselektronikbauteil 8 und eine Kühlstruktur 9, die direkt auf das Leistungselektronikbauteil 8 durch ein dreidimensionales schichtweises Auftragsverfahren aufgebracht worden ist.
Im gezeigten Ausführungsbeispiel ist das Leistungselektronikbauteil 8 als ein SiPLIT-Leistungselektronikbauteil gefertigt, wie es in WO 03/030247 A2 in den 1 und 2 und der Beschreibung auf Seite 9, Zeile 30, bis Seite 13, Zeile 20, die in diese Beschreibung durch Verweis aufgenommen werden, beschrieben wird. Das Leistungselektronikbauteil 8 kann jedoch auch in anderen Fertigungstechniken hergestellt werden.
Das SiPLIT-Leistungselektronikbauteil 8 umfasst ein Substrat, das vorliegend als DBC-Substrat einen flächigen Keramikträger 2 aufweist, der auf seinen beiden Seiten mit Kupfermetallisierungen 3 und 4 versehen ist. Die Kupfermetallisierung 4 ist für den Aufbau einer leistungselektronischen Schaltung strukturiert worden. Die gegenüberliegende Kupfermetallisierung 3 kann ebenfalls strukturiert werden, dient jedoch üblicherweise der Verteilung und Ableitung der Abwärme des Leistungselektronikbauteils 8. Auf der strukturierten Kupfermetallisierung 4 sind Halbleiterchips 5 aufgebracht, die die Kupfermetallisierung 4 flächig kontaktieren. Solche Halbleiterchips 5 können beispielsweise IGBTs sein, wie sie für das Schalten von großen Lasten weite Verbreitung haben. Die jeweils freien Oberflächenstellen des Keramikträgers 2, der Kupfermetallisierung 4 und der Halbleiterchips 5 werden gemäß dem SiPLIT-Verfahren mit einer Isolatorfolie 6 bedeckt, die an den gewünschten Stellen beispielsweise per Laser strukturiert wird, um elektrische Anschlüsse der leistungselektronischen Schaltung für die nachfolgende flächige Metallisierung zugänglich zu machen. Mit der flächigen Metallisierung, die beispielsweise in einer Kombination von galvanischen und photolithographischen Schritten erfolgen kann, werden Kontakte und Verbindungen 7 geschaffen, durch die die Halbleiterchips 5 zu der gewünschten leistungselektronischen Schaltung verbunden werden.
Erfindungsgemäß wird direkt auf das Leistungselektronikbauteil 8 unter Verwendung eines dreidimensionalen schichtweisen Auftragsverfahrens eine Kühlstruktur 9 aufgebaut. In dem Beispiel von 1 wird die Kühlstruktur 9 auf die der leistungselektronischen Schaltung gegenüberliegenden Seite des DCB-Substrates aufgebracht. Es ist aber auch möglich, die Kühlstruktur 9 auf die andere oder auf beide Seiten des Substrates aufzubringen. Hierfür kann beispielsweise eine zusätzliche Schicht auf das Leistungselektronikbauteil 8 aufgebracht werden, die eine möglichst ebene Oberfläche für das Auftragen der Kühlstruktur bereitstellt.
In dem gezeigten Ausführungsbeispiel besitzt die Kühlstruktur 9 einen beispielsweise aus Kupfer geformten Hauptkörper 10, in dem ein Kühlmittelkanal 11 angeordnet ist. Der Hauptkörper 10 ist an seinen Seiten durch eine Umrahmung 16, beispielsweise aus Edelstahl, eingefasst und so mechanisch und chemisch geschützt. Der Hauptkörper 10 wird vorzugsweise gleichzeitig mit der Umrahmung 16 schichtweise aufgetragen, was beispielsweise in einem Pulverauftragsverfahren geschehen kann, in dem für jedes der verwendeten Materialien ein entsprechender Pulverspender zur Verfügung steht. Für jede Schicht werden dabei die entsprechenden Pulver an den gewünschten Stellen aufgetragen und die entstehende Pulverschicht mit einem Energiestrahl wie einem Laser strukturiert, beispielsweise selektiv aufgeschmolzen.
Der Kühlmittelkanal 11 besitzt eine Zuleitung 12 und eine Ableitung 13, die lediglich beispielhaft dargestellt sind. Die Erfindung besitzt den Vorteil einer besonders einfachen Fertigung von Kühlstrukturen 9 mit komplexer Geometrie der Kühlmittelkanäle 11, so dass Kühlstrukturen 9 möglich sind, die eine Mehrzahl von Kühlmittelkanälen 9 mit Verzweigungen, variierenden Durchmessern und einer größeren Anzahl von Anschlüssen für das Kühlmittel vorsehen.
Bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel ist der Kühlmittelkanal 11 vorteilhaft mit einer Kunststoffschicht 14 ausgekleidet, die ebenfalls durch das dreidimensionale schichtweise Auftragsverfahren aufgebracht worden sein kann. Es ist aber auch möglich, den Kühlmittelkanal 11 mit einer solchen Kunststoffschicht 14 zu versehen, indem der Kühlmittelkanal 11 nach der Vollendung des Hauptkörpers 10 mit einer Kunststofflösung oder dergleichen durchgespült und aus der Kunststofflösung eine Kunststoffschicht 14 abgeschieden wird. Wird der Hauptkörper 10 der Kühlstruktur hingegen aus Aluminium oder einem anderen korrosionsfesten Material gefertigt, kann eine solche Kunststoffschicht 14 auch entfallen. Ebenso ist es möglich, den Kühlmittelkanal 11 aus einem korrosionsfesten Material, beispielsweise Aluminium, zu fertigen. Die genaue Wahl der Materialien kann nach der Verträglichkeit der verschiedenen Metalle etc. der Kühlstruktur 9, der Metallisierungen des Leistungselektronikbauteils 8 sowie insbesondere auch der Metallisierung 3 des Substrates untereinander vom Fachmann getroffen werden.
Bei dem in 1 gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Kühlstruktur 9 mit einem Deckel 15 versehen, welcher beispielsweise aus Edelstahl hergestellt sein kann. Der Deckel 15 kann mit einem Laserschweißverfahren oder dergleichen befestigt werden und Bohrungen für die Anschlüsse 12, 13 des Kühlmittelkanals 11 aufweisen. Natürlich ist es auch möglich, die Anschlüsse 12, 13 seitlich aus der Kühlstruktur 9 herauszuführen. Anstelle eines Deckels 15 können auch Schichten aus einem widerstandsfähigen Material wie Edelstahl zum Abschluss des dreidimensionalen schichtweisen Auftragsverfahrens aufgebracht werden, die dann als Deckel fungieren.
2 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung. Hier wurden zwei erfindungsgemäße Leistungselektronikmodule 1 miteinander kombiniert, indem die jeweiligen Kühlstrukturen 9 aufeinander angeordnet wurden. Die Kühlstrukturen 9 können beispielsweise miteinander verschweißt werden. Dieser Aufbau erlaubt eine besonders platzgünstige Anordnung. Um eine größere Anzahl von Leistungselektronikmodulen 1 miteinander zu kombinieren, können mehrere solcher Paare von Leistungselektronikmodulen 1 aufeinander angeordnet werden.
In vorteilhaften Ausführungsformen der Erfindung kann durch die Befestigung der Kühlstrukturen 9 aufeinander ein Kühlmittelkanal oder mehrere Kühlmittelkanäle fluidisch bis auf die entsprechenden Anschlüsse abgedichtet werden. Das heißt, während des dreidimensionalen schichtweisen Auftragsverfahrens werden offenliegende Kühlmittelkanäle geformt, die entsprechend spiegelbildlich in beiden Leistungselektronikmodulen 1 vorhanden sind und bei Befestigung der beiden Kühlstrukturen 9 aufeinander vollständige Kühlmittelkanäle bilden.
3 zeigt ein drittes Ausführungsbeispiel der Erfindung, bei dem zwei erfindungsgemäße Leistungselektronikmodule 1 aufeinander angeordnet worden sind, indem die Kühlstruktur 9 des einen Leistungselektronikmoduls 1 auf dem Leistungselektronikbauteil 8 des anderen Leistungselektronikmoduls 1 be- festigt wird. Dadurch entsteht eine Stapelstruktur, in der auch mehr als zwei Leistungselektronikmodule 1 kombiniert werden können.
Obwohl die Erfindung im Detail durch bevorzugte Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Variationen können vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung, wie er in den anhängenden Ansprüchen definiert ist, zu verlassen.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

WO 03/030247 A2 [0015, 0025]

Claims

Ein Herstellungsverfahren für ein Leistungselektronikmodul (1) und mit den Schritten: – Bereitstellen eines Leistungselektronikbauteils (8); und – Auftragen einer Kühlstruktur (9) direkt auf das Leistungselektronikbauteil (8) mittels eines dreidimensionalen schichtweisen Auftragsverfahrens.
Das Verfahren des vorhergehenden Anspruchs, bei dem das dreidimensionale schichtweise Auftragsverfahren ein Pulverauftragsverfahren ist.
Das Verfahren eines der vorhergehenden Ansprüche, bei dem in dem dreidimensionalen schichtweisen Auftragsverfahren für den Aufbau der Kühlstruktur (9) eine Mehrzahl von metallischen Schichten aufgetragen werden.
Das Verfahren eines der vorhergehenden Ansprüche, bei dem in dem dreidimensionalen schichtweisen Auftragsverfahren für den Aufbau der Kühlstruktur (9) wenigstens eine Kunststoffschicht (14) oder eine Kunststoffteilschicht aufgetragen wird.
Das Verfahren eines der vorhergehenden Ansprüche, bei dem in dem dreidimensionalen schichtweisen Auftragsverfahren eine Mehrzahl von unterschiedlichen Materialien in einer ausgewählten Schicht aufgetragen wird.
Das Verfahren eines der vorhergehenden Ansprüche, bei dem in dem Schritt des Auftragens der Kühlstruktur (9) wenigstens ein Kühlmittelkanal (11) in der Kühlstruktur (9) geformt wird.
Das Verfahren des vorhergehenden Anspruchs, bei dem der wenigstens eine Kühlmittelkanal (11) im Schritt des Auftragens der Kühlstruktur (9) aus einem Metall, insbesondere Aluminium oder Kupfer, oder aus einem Kunststoff geformt wird.
Das Verfahren eines der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Schritt des Bereitstellens des Leistungselektronikbauteils (8) einen Schritt umfasst, in dem ein Leistungshalbleiterchip (5) des Leistungselektronikbauteils (8) durch ein Planares Interconnect-Verfahren kontaktiert wird.
Das Verfahren eines der vorhergehenden Ansprüche, bei dem nach dem Schritt des Auftragens der Kühlstruktur (9) ein Deckel (15) auf der Kühlstruktur (9) befestigt wird.
Ein durch das Verfahren eines der vorhergehenden Ansprüche hergestelltes oder herstellbares Leistungselektronikmodul (1).