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Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und auf eine Halbleitervorrichtung, bei der Kunststoffgrate berücksichtigt werden.
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Beim Herstellen einer Packung eines Leistungshalbleiters muss eine Leitungsbildung (ein Biegen) gemäß den technischen Zeichnungen der Packung durchgeführt werden. Die japanische Patentoffenlegungsschrift JP H06- 232 309 A und die japanische Patentoffenlegungsschrift JP H06- 283 642 A offenbaren die Technik zum Durchführen des Biegens (nachfolgend Stand der Technik A).
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Beim Stand der Technik A wird jedoch die Leitungsbildung (das Biegen) ohne Berücksichtigung eines Bereichs durchgeführt, in dem Kunststoffgrate einer Halbleiterpackung auftreten. Dies bringt ein Problem mit sich, dass ein Kunststoffgrat im Stand der Technik A die Tendenz hat, aufgrund einer Biegespannung einer Leitung bei der Leitungsbildung abzufallen.
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Der abgefallene Kunststoffgrat kann zum Beispiel als Fremdkörpermaterial verstärkt Fehlfunktionen der Produkte und Vorrichtungen in einer Produktionslinie verursachen. Falls ein Kunststoffgrat auf eine Fügefläche mit einer Lamelle fällt, wird die Adhäsion mit der Lamelle verringert, und eine Wärmeabstrahlungseigenschaft verschlechtert sich, was zu einer Reduzierung der Zuverlässigkeit des Produkts führt. Das Abfallen eines Kunststoffgrats ist nämlich ein ernsthaftes Problem bei der Leitungsbildung (Biegen).
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JP H06- 283 642 A offenbart ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, mit Schritten zum Abdichten einer inneren Leitung eines Leitungsrahmens mit einem Kunststoff; und zum Biegen eines Zielbiegebereichs, in dem keine Spannung durch Biegen auf einen Kunststoffgrat aufgebracht wird, der bei dem Abdichtschritt erzeugt wird, wobei der Zielbiegebereich dem Biegen bei zumindest einem in dem Leitungsrahmen enthaltenen Anschluss ausgesetzt wird.
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Ein weiteres Verfahren ist aus der
US 2004 / 0 094 827 A1 bekannt.
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JP S63- 70 548 A beschreibt einen Anschlussrahmen, der in einem Montageprozess eines Halbleiterbauelements verwendet wird und der mit einem Verbindungssteg versehen ist. Der Verbindungssteg verbindet die äußeren Anschlüsse außerhalb eines Versiegelungsharzes. Der Verbindungssteg hat eine Innenseite, die sich der Seitenfläche des Versiegelungsharzes nähert, und ist in der Nähe des äußeren Anschlusses vorgesehen. Der Anschlussrahmen weist eine Vielzahl von Löchern und an einer Stelle, an der der Verbindungssteg zwischen einem Loch und der Seitenfläche des Versiegelungsharzes abgeschnitten wird, einem Scherschnitt auf.
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Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung und dergleichen vorzusehen, das verhindern kann, dass ein Kunststoffgrat beim Biegen herab fällt.
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Diese Aufgabe wird durch das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 sowie durch eine Halbleitervorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 3 gelöst. Die Erfindung ist so weitergebildet, wie es in den Unteransprüchen definiert ist.
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Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beinhaltet die folgenden Schritte: Abdichten einer inneren Leitung eines Leitungsrahmens mit einem Kunststoff; und Biegen eines Zielbiegebereichs, in dem keine Spannung durch das Biegen auf einen Kunststoffgrat aufgebracht wird, der bei dem Abdichtschritt erzeugt wird, wobei der Zielbiegebereich einem Biegen in zumindest einem Anschluss ausgesetzt ist, der in dem Leitungsrahmen enthalten ist.
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Das Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung beinhaltet die Schritte zum Dichten der inneren Leitung des Rahmens mit einem Kunststoff und zum Biegen eines Zielbiegebereichs, in dem keine Spannung durch Biegen auf einen Kunststoffgrat aufgebracht wird, der bei dem Abdichtschritt erzeugt wird.
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Dementsprechend wird keine Spannung auf einen Kunststoffgrat beim Biegen aufgebracht, was es ermöglicht, das Abfallen des Kunststoffgrats zu verhindern. Daher kann verhindert werden, dass der Kunststoffgrat beim Biegen abfällt.
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Diese und weitere Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden, detaillierten Beschreibung der vorliegenden Erfindung im Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen ersichtlich.
- 1 zeigt eine schematische Ansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel;
- 2 zeigt eine Ansicht der inneren Struktur der Halbleitervorrichtung gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel;
- 3 zeigt ein Flussdiagramm eines Prozesses zum Herstellen eines Halbleiters;
- 4 zeigt eine Ansicht zum Beschreiben des Biegens;
- 5 zeigt eine Ansicht zum speziellen Beschreiben des Biegens;
- 6 zeigt eine Ansicht einer Position einer Biegeachse beim Biegen;
- 7 zeigt eine Ansicht zum Beschreiben des Biegens;
- 8 zeigt eine Ansicht der Position der Biegeachse beim Biegen;
- 9 zeigt eine Ansicht einer Position einer Biegeachse beim Biegen gemäß einem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel;
- 10 zeigt eine Ansicht zum Beschreiben eines Biegens gemäß einem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel;
- 11 zeigt eine Ansicht zum Beschreiben einer unregelmäßigen Form; und
- 12 zeigt eine Ansicht zum Beschreiben eines eigentlichen Problems beim Biegen bei einem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung als ein Vergleichsbeispiel.
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Nachfolgend werden bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. In der folgenden Beschreibung bezeichnen dieselben Bezugszeichen ähnliche Elemente, was bezüglich deren Namen und Funktionen gilt. Somit wird deren detaillierte Beschreibung manchmal weggelassen.
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Die Maße, Materialien und Formen der Komponenten und relative Anordnungen davon, die in den bevorzugten Ausführungsbeispielen dargestellt sind, können in Abhängigkeit von den Konfigurationen der Vorrichtungen, auf die die vorliegende Erfindung angewendet wird, und in Abhängigkeit von verschiedenen Bedingungen angemessen geändert werden, und die vorliegende Erfindung ist nicht auf diese Darstellungen beschränkt. Außerdem können sich die Maße der Komponenten in den Zeichnungen von den tatsächlichen Maßen unterscheiden.
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<Vergleichsbeispiel>
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Nachfolgend wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel beschrieben.
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Die 12 zeigt eine Ansicht zum Beschreiben eines eigentlichen Problems beim Biegen bei einem Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß dem Vergleichsbeispiel. Der Teil (a) in der 12 zeigt den Zustand eines Anschlusses 9, bevor er dem Biegen ausgesetzt wird. Der Teil (b) in der 12 zeigt eine Ansicht des Zustands des Anschlusses 9, während das Biegen durchgeführt wird.
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Unter Bezugnahme auf den Teil (a) in der 12 tritt ein Kunststoffgrat 3 an dem Rand einer Packung 8 auf, die bei einem Abdichtschritt erzeugt wird. Falls der Anschluss 9 einem Biegen ohne Berücksichtigung eines Bereichs ausgesetzt wird, in dem der Kunststoffgrat aufgetreten ist, wie dies im Teil (b) in der 12 gezeigt ist, reißt daher der Kunststoffgrat 3 und fällt ab.
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<Erstes bevorzugtes Ausführungsbeispiel>
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Dieses bevorzugte Ausführungsbeispiel löst das Problem, das bei dem obigen Vergleichsbeispiel beschrieben ist.
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Die 1 zeigt eine schematische Ansicht (Konzeptansicht) einer Halbleitervorrichtung 100 gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel. Die Halbleitervorrichtung 100 ist ein Leistungshalbleiter. Die Halbleitervorrichtung 100 ist nicht auf einen Leistungshalbleiter beschränkt, und sie kann ein Halbleiter für eine andere Verwendung sein.
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Die 1 zeigt außerdem die Konfiguration der Halbleitervorrichtung 100, die einem nachfolgend beschriebenen Abdichtschritt ausgesetzt wurde und noch einem nachfolgend beschriebenen Schneidschritt auszusetzen ist.
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In der 1 sind die X-, Y- und Z-Richtungen orthogonal zueinander. Die X-, Y- und Z-Richtungen in den folgenden Zeichnungen sind ebenfalls orthogonal zueinander. Nachfolgend wird die Richtung einschließlich der X-Richtung und der Richtung (-X-Richtung) entgegen der X-Richtung auch als eine X-Achsenrichtung bezeichnet, und die Richtung einschließlich der Y-Richtung und der Richtung (-Y-Richtung) entgegen der Y-Richtung wird auch als eine Y-Achsenrichtung bezeichnet, und die Richtung einschließlich der Z-Richtung und der Richtung (-Z-Richtung) entgegen der Z-Richtung wird auch als eine Z-Achsenrichtung bezeichnet.
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Wie dies in der 1 gezeigt ist, hat die Halbleitervorrichtung 100 eine Packung 8 und einen Leitungsrahmen 1. Der Leitungsrahmen 1 innerhalb der Packung 8 wird als eine innere Leitung bezeichnet. Der Leitungsrahmen 1 außerhalb der Packung 8 wird als eine äußere Leitung bezeichnet.
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Der größte Teil der Packung 8 ist aus einem Kunststoff ausgebildet. Der Leitungsrahmen 1 hat viele Anschlüsse 9 und einen Verbindungssteg 2. Die Anschlüsse 9 erstrecken sich in der Y-Achsenrichtung. Der Verbindungssteg 2 erstreckt sich in einer vorbestimmten Richtung (X-Achsenrichtung), um so die vielen Anschlüsse 9 zu verbinden. Der Verbindungssteg 2 erstreckt sich nämlich in der Richtung (X-Achsenrichtung) senkrecht zu jener Richtung, in der sich die Anschlüsse 9 erstrecken, und er verbindet die Anschlüsse 9. Der Verbindungssteg 2 verbindet nämlich die vielen Anschlüsse 9, die in dem Leitungsrahmen 1 enthalten sind. Ein Teil des Verbindungsstegs 2 ist in dem Anschluss 9 enthalten. Ein Kunststoffgrat 3 haftet an einem Teil des Leitungsrahmens 1.
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Die 2 zeigt eine Ansicht der inneren Struktur der Halbleitervorrichtung 100 gemäß dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel. Die 2 zeigt die Konfiguration der Halbleitervorrichtung 100, die dem nachfolgend beschriebenen Abdichtschritt ausgesetzt wurde und die noch dem nachfolgend beschriebenen Schneidschritt auszusetzen ist.
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Wie dies in der 2 gezeigt ist, hat die Halbleitervorrichtung 100 des Weiteren ein Werkzeugpolster 10 und Chips 5.
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Die Chips 5 sind in dem Werkzeugpolster 10 angebracht. Das Elektrodenpolster (nicht gezeigt) des Chips 5 und der Leitungsrahmen 1 sind über Drähte 4 elektrisch verbunden. Mit dem Chip 5 ist eine innere Leitung 7 durch ein Lötmittel 6 verbunden. Die innere Leitung 7 ist ein Teil des Leitungsrahmens 1. Das Werkzeugpolster 10, die Drähte 4, die Chips 5 und die innere Leitung 7 wird mit einem Kunststoff abgedichtet, wodurch die Packung 8 ausgebildet wird.
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Als nächstes wird ein Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung 100 beschrieben (das nachfolgend auch als ein Halbleiterherstellungsprozess bezeichnet wird).
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Die 3 zeigt ein Flussdiagramm des Halbleiterherstellungsprozesses. Bei dem Halbleiterherstellungsprozess wird hauptsächlich der Prozess im Hinblick auf die vorliegende Erfindung während der Herstellung des Halbleiters beschrieben, und andere allgemeine Prozesse werden nicht beschrieben.
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Zunächst wird der Abdichtschritt durchgeführt (S110). Bei dem Abdichtschritt werden das Werkzeugpolster 10, die Drähte 4, die Chips 5, die innere Leitung 7 und dergleichen mit einem Kunststoff abgedichtet. Bei dem Abdichtschritt werden nämlich Komponenten (wie zum Beispiel das Werkzeugpolster 10, die Drähte 4 und die Chips 5), die mit den vielen Anschlüssen 9 zu verbinden sind, die bei dem Leitungsrahmen 1 enthalten sind, mit einem Kunststoff abgedichtet. Das Abdichten mit einem Kunststoff wird im Allgemeinen durch einen Transfergießprozess durchgeführt.
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Die Packung 8 wird durch den Abdichtschritt ausgebildet. Wie dies in der 1 gezeigt ist, haftet Kunststoffgrat 3 an dem Randabschnitt der Packung 8 in dem Leitungsrahmen 1. Der Kunststoffgrat 3 wird nämlich angrenzend an der Packung 8 ausgebildet.
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Als nächstes wird der Schneidschritt durchgeführt (S120). Bei dem Schneidschritt wird der Verbindungssteg 2 geschnitten, der sich zwischen den benachbarten beiden Anschlüssen 9 befindet. Infolgedessen dient jeder der Anschlüsse 9 als ein individueller Anschluss, der den Verbindungssteg 2 beinhaltet.
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Als nächstes wird ein Biegeschritt (S130) durchgeführt. Bei dem Biegeschritt wird ein Zielbiegebereich in dem Leitungsrahmen 1 einem Biegen ausgesetzt. Der Teil (a) in der 4 ist eine vergrößerte Ansicht eines Bereichs R10 in der 1, nachdem der Schneidschritt durchgeführt wurde.
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Hierbei befindet sich der Zielbiegebereich innerhalb des Bereichs R11 in dem Teil (a) in der 4. Der Zielbiegebereich ist jener Bereich, der dem Biegen des Anschlusses 9 ausgesetzt wird, und er ist außerdem jener Bereich, in dem eine Spannung aufgrund des Biegens nicht auf den Kunststoffgrat 3 aufgebracht wird, der bei dem vorstehend beschriebenen Abdichtschritt verursacht wird. Der Teil (b) in der 4 zeigt den Anschluss 9, bei dem der Zielbiegebereich dem Biegen ausgesetzt wurde.
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Die vorbestimmte Richtung (X-Achsenrichtung), in der sich der Verbindungssteg 2 erstreckt, ist orthogonal zu jener Richtung, in der der Zielbiegebereich beim Biegen gebogen wird.
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Nachfolgend wird der Bereich, in dem der Kunststoffgrat 3 vorhanden ist, auch als ein Kunststoffgratbereich X bezeichnet. Der Bereich R11 in dem Teil (a) in der 4 befindet sich an der Spitzenseite hinsichtlich des Kunststoffgratbereichs X in dem Leitungsrahmen 1 (Anschluss 9) .
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Die 5 zeigt eine Ansicht zum speziellen Beschreiben des Biegens. Der Teil (a) in der 5 zeigt den Anschluss 9, bevor er dem Biegen ausgesetzt wird, und den Rand des Anschlusses 9. Der Teil (b) in der 5 zeigt den Zustand des Anschlusses 9, der dem Biegen ausgesetzt wurde. Nachfolgend wird der Zielbiegebereich bei dem Anschluss 9, der dem Biegen ausgesetzt wurde, auch als ein gebogener Bereich bezeichnet.
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Nachfolgend wird der Bereich in dem Zielbiegebereich, der sich an der Außenseite (an der Außenfläche) des Anschlusses 9 befindet, der beim Biegen gebogen wurde, auch als ein äußerer Biegebereich R1 bezeichnet. Der äußere Biegebereich R1 ist nämlich ein Bereich in dem Zielbiegebereich, der einen großen Krümmungsradius beim Biegen hat. Nachfolgend wird währenddessen der Bereich in dem Zielbiegebereich, der sich an der inneren Seite (an der inneren Fläche) des Anschlusses 9 befindet, der beim Biegen gebogen wurde, auch als ein innerer Biegebereich R2 bezeichnet.
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Der äußere Biegebereich R1 ist ein Bereich mit dem größten Biegeabstand. Der innere Biegebereich R2 ist ein Bereich mit dem kleinsten Biegeabstand.
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Der Anschluss 9 in dem Teil (a) in der 5 wird so gebogen, dass der Spitzenabschnitt des Anschlusses 9 zu der Z-Richtung gerichtet wird, wie dies in dem Teil (b) in der 5 gezeigt ist, und zwar um eine Biegeachse L1. In diesem Fall sind der äußere Biegebereich R1 und der innere Biegebereich R2 hinsichtlich der Biegeachse L1 so angeordnet, wie dies in dem Teil (a) in der 5 gezeigt ist.
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Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird das Biegen bei dem Biegeschritt so durchgeführt, dass sich der äußere Biegebereich R1 nicht mit dem Kunststoffgratbereich X überlappt. Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel befindet sich der Zielbiegebereich bei dem Biegeschritt in dem Verbindungssteg 2, der bei dem Anschluss 9 enthalten ist, der dem Schneidschritt ausgesetzt wurde. Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird die Breite des Verbindungsstegs 2 in der Y-Achsenrichtung auf eine Größe derart festgelegt, dass sich der äußere Biegebereich R1 nicht mit dem Kunststoffgratbereich X überlappt, in dem der Kunststoffgrat 3 vorhanden ist. Durch den Biegeschritt ändert sich in diesem Fall der Anschluss 9 so, wie dies in dem Teil (b) in der 4 und in dem Teil (b) in der 5 gezeigt ist.
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Dementsprechend wird keine Spannung durch Biegen (Leitungsbiegespannung) auf den Kunststoffgrat 3 bei dem Biegeschritt aufgebracht, was es ermöglicht, das Reißen des Kunststoffgrats 3 zu verhindern. Daher kann das Abfallen des Kunststoffgrats 3 beim Biegen verhindert werden.
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Wie dies in der 6 gezeigt ist, kann die Biegeachse L1 beim Biegen in dem Biegeschritt ein mittlerer Abschnitt (im Wesentlichen die Mitte) in der Breitenrichtung (Y-Achsenrichtung) des Verbindungsstegs 2 sein.
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Die 7 zeigt eine Ansicht des Zustands des Anschlusses 9 in einem Fall, bei dem sich die Biegeachse L1 an dem mittleren Abschnitt in der Breitenrichtung (Y-Achsenrichtung) des Verbindungsstegs 2 befindet. Der Teil (a) in der 7 ist ähnlich der 6 und wird somit hier nicht noch einmal beschrieben. Der Teil (b) in der 7 zeigt den Anschluss 9, der dem Biegen bei den Bedingungen ausgesetzt wurde, die in dem Teil (a) in der 7 gezeigt sind.
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Der Anschluss 9 wird gemäß der vorstehenden Beschreibung an dem mittleren Abschnitt des Verbindungsstegs 2 gebogen, wodurch eine stabile Biegegenauigkeit auch in jenen Bereichen erzielt werden kann, die unterschiedliche Ausschnittflächen der Anschlüsse (Rahmen) nach dem Schneiden des Verbindungsstegs (nach dem Schneidschritt) haben. Zusätzlich wird die Biegegenauigkeit des Anschlusses 9 (der Leitung) verbessert. Des Weiteren ist die Leitungsbildbarkeit (Biegegenauigkeit) auch dann stabil, wenn ein großer Abschnitt des Verbindungsstegs in dem Anschluss 9 nach dem Schneidschritt belassen wird.
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Die Halbleitervorrichtung 100 wird durch den vorstehend beschriebenen Halbleiterherstellungsprozess hergestellt.
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Wie dies gemäß diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel vorstehend beschrieben ist, wird keine Spannung durch Biegen auf den Kunststoffgrat 3 bei dem Biegeschritt aufgebracht. Dies ermöglicht es, das Reißen des Kunststoffgrats 3 zu verhindern. Dementsprechend kann verhindert werden, dass der Kunststoffgrat 3 beim Biegen abfällt. Diese Konfiguration ist in einem Fall einer Verwendung eines Kunststoffs mit starker Haftung wirksam, der durch hydraulische Entgratung nicht entfernt werden kann. Außerdem kann das Abfallen eines Grats bei dem Biegeschritt (Leitungsbildungsschritt) verhindert werden. Dies führt zum Beispiel zu Vorteilen, dass die Häufigkeit zum Reinigen einer Gießform vermindert wird, und dass eine Gießform frei von Spannungen durch Fremdkörpereinschluss ist. Daher ist es möglich, das Auftreten einer Fehlfunktion zu verhindern, die durch Abfallen eines Kunststoffgrats beim Biegen verursacht wird.
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<Veränderung des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels>
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Die Biegeachse beim Biegen kann an einer nachfolgenden Position festgelegt sein. Die 8 zeigt eine Ansicht der Position der Biegeachse beim Biegen. Wie dies in der 8 gezeigt ist, wird die Biegeachse L1 beim Biegen im Biegeschritt an einer Position näher zu der Spitzenseite des Anschlusses 9 hinsichtlich einer Mitte C1 in der Breitenrichtung (Y-Achsenrichtung) des Verbindungsstegs 2 festgelegt. Bei dem Biegeschritt befindet sich der Zielbiegebereich innerhalb des Verbindungsstegs 2, der bei dem Anschluss 9 enthalten ist, der dem Schneidschritt ausgesetzt wurde. Die Breite in der Y-Achsenrichtung des Verbindungsstegs 2 wird so festgelegt, dass der vorstehend erwähnte äußere Biegebereich R1 sich nicht mit dem Kunststoffgratbereich X überlappt, in dem der Kunststoffgrat 3 vorhanden ist.
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Auch im Fall der vorstehend beschriebenen Festlegung können ähnliche Wirkungen erzielt werden, wie sie vorstehend beschrieben wurden. Das Abfallen des Kunststoffgrats 3 beim Biegen kann nämlich verhindert werden. Bei dem Biegeschritt befindet sich ein Zielbiegebereich innerhalb des Verbindungsstegs 2, der bei dem Anschluss 9 enthalten ist, der dem Schneidschritt ausgesetzt wurde. Daher kann eine stabile Biegegenauigkeit erzielt werden.
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Die Breite des Verbindungsstegs 2 muss in einem Fall nicht besonders festgelegt werden, bei dem die Biegeachse L1 beim Biegen im Biegeschritt an einer Position näher zu der Spitzenseite des Anschlusses 9 hinsichtlich der Mitte C1 in der Breitenrichtung (Y-Achsenrichtung) des Verbindungsstegs 2 festgelegt wird.
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Dementsprechend ist es nicht erforderlich, die Genauigkeit der Biegeposition beim Biegen präzise festzulegen. Die Genauigkeit der Biegeposition ist nämlich nicht streng festzulegen. Dies ermöglicht es, zum Beispiel verschiedene Einstellungen zum Durchführen des Biegeschritts zu vereinfachen. Auch in diesem Fall kann verhindert werden, dass der Kunststoffgrat 3 beim Biegen abfällt.
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<Zweites bevorzugtes Ausführungsbeispiel>
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Auch bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird der Halbleiterherstellungsprozess wie bei dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel durchgeführt. Dieses bevorzugte Ausführungsbeispiel beschreibt den Fall, bei dem der Zielbiegebereich bei dem Biegeschritt (S130) der Randbereich des Verbindungsstegs 2 ist, der bei dem Anschluss 9 enthalten ist. Die Konfiguration des Leitungsrahmens 1 ist ähnlich jener des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels. Die Konfigurationen des Verbindungsstegs 2 und des Anschlusses 9 gemäß diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel sind nämlich ähnlich jenen des ersten bevorzugten Ausführungsbeispiels.
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Die 9 zeigt eine Ansicht der Position der Biegeachse beim Biegen gemäß dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel. Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird bei dem Biegeschritt die Biegeachse beim Biegen in dem Bereich zwischen dem Verbindungssteg 2, der bei dem Anschluss 9 enthalten ist, der dem Schneidschritt ausgesetzt wurde, und der Spitze des Anschlusses 9 festgelegt.
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Insbesondere wird die Biegeachse beim Biegen zum Beispiel an einer Position einer Biegeachse L1a oder an einer Position einer Biegeachse L1b festgelegt. Falls die Biegeachse beim Biegen an der Position der Biegeachse L1b festgelegt wird, bezieht sich dies auf einen Fall, bei dem die Biegeachse beim Biegen an dem Spitzenabschnitt des Anschlusses 9 festgelegt wird.
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Mit der vorstehend beschriebenen Konfiguration können ähnliche Wirkungen wie bei der Konfiguration in der 8 erzielt werden. Die Genauigkeit der Biegeposition muss nämlich nicht streng festgelegt sein. Dies ermöglicht es zum Beispiel, verschiedene Einstellungen zum Durchführen des Biegeschritts zu vereinfachen. Auch in diesem Fall kann verhindert werden, dass der Kunststoffgrat 3 beim Biegen abfällt.
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<Drittes bevorzugtes Ausführungsbeispiel>
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Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird der Anschluss 9 (die Leitung) gebogen, und dann wird die Position, an der der Anschluss 9 gebogen wird, so bestimmt, dass der Biegebereich nicht in dem Kunststoffgratbereich X enthalten ist. Das Biegen wird nämlich so durchgeführt, dass sich der Zielbiegebereich, der dem Biegen ausgesetzt wurde, an einer Position befindet, an der sich der Zielbiegebereich nicht mit dem Kunststoffgratbereich X überlappt. Dieses bevorzugte Ausführungsbeispiel beschreibt speziell das vorstehend beschriebene Biegen mit einer Formel. Auch bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird der Halbleiterherstellungsprozess wie bei dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel durchgeführt. Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel befindet sich der Zielbiegebereich in dem Bereich R11, wie dies innerhalb des Teils (a) in der 4 dargestellt ist.
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Die 10 zeigt eine Ansicht zum Beschreiben eines Biegens gemäß dem dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel. In der 10 ist eine Biegeachse L2 die Biegeachse beim Biegen im Biegeschritt (S130) gemäß diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel. Die Biegeachse L2 ist ein Mittelpunkt in einem Zielbiegebereich vor dem Biegen. Nachfolgend wird der Punkt von den Mittelpunkten (Biegeachse L2) in dem Zielbiegebereich vor dem Biegen, der sich an dem Anschluss 9 befindet, auch als ein Mittelpunkt C2 beschrieben.
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Eine Biegeachse L2a ist eine Achse, nachdem sich die Biegeachse L2 beim Biegen im Biegeschritt (S130) bewegt hat. Die Biegeachse L2a ist nämlich ein Mittelpunkt des Zielbiegebereichs nach dem Biegen. Nachfolgend wird der Punkt von den Mittelpunkten (Biegeachse L2a) in dem Zielbiegebereich nach dem Biegen, der sich an dem Anschluss 9 befindet, auch als ein Mittepunkt C2a bezeichnet.
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Wie dies im Teil (b) in der
10 gezeigt ist, wird der Anschluss
9 hier beim Biegen im Biegeschritt (
S130) gebogen. Der Biegeradius beim Biegen wird als r bezeichnet. Die Dicke des Leitungsrahmens
1 (Anschluss
9) wird als d bezeichnet. Der Abstand in der Y-Achsenrichtung zwischen dem Ende der Packung
8 und dem Mittelpunkt in der Dickenrichtung (Y-Achsenrichtung) an dem Spitzenabschnitt des Anschlusses
9 nach dem Biegen wird als m bezeichnet. Der Abstand zwischen dem Mittelpunkt
C2 in dem Zielbiegebereich vor dem Biegen und dem Mittelpunkt C2a in dem Zielbiegebereich nach dem Biegen wird als Z = 2 n(r+d/2) × 1/8 bezeichnet. In dem Teil (b) in der
10 ist Z mit einer Bogenform gezeigt. Die Breite in der Y-Achsenrichtung des Kunststoffgratbereichs X, in dem der Kunststoffgrat
3 vorhanden ist, wird als x1 bezeichnet. Der Abstand zwischen dem Ende der Packung
8 und dem Mittelpunkt
C2 in dem Zielbiegebereich vor dem Biegen wird durch n bezeichnet. In diesem Fall wird nachfolgende Formel 1 erfüllt.
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Bei diesem bevorzugten Ausführungsbeispiel wird das Biegen derart durchgeführt, dass sich bei dem Biegeschritt (S130) der Mittelpunkt C2 (Biegeachse beim Biegen) in dem Zielbiegebereich vor dem Biegen an einer Position befindet, die von dem Ende der Packung 8 um den Abstand n oder mehr beabstandet ist.
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Dementsprechend befindet sich der Zielbiegebereich, der dem Biegen ausgesetzt wurde, an einer Position, an der sich der Zielbiegebereich nicht mit dem Kunststoffgratbereich X überlappt. Dies ermöglicht es, ähnliche Wirkungen wie bei dem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel zu erzielen. Es kann nämlich verhindert werden, dass der Kunststoffgrat 3 beim Biegen abfällt.
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<Andere Änderungen>
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Die vorstehend beschriebenen bevorzugten Ausführungsbeispiele können folgendermaßen abgewandelt werden.
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Bei dem ersten bis dritten bevorzugten Ausführungsbeispiel wird die Form des Bereichs, an dem der Kunststoffgrat 3 haftet, durch den Abdichtschritt (S110) jeweils unregelmäßig. Dies wird insbesondere nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung beschrieben.
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Die 11 zeigt eine Ansicht zum Beschreiben einer unregelmäßigen Form. Der Teil (a) in der 11 ist eine Seitenansicht der Nähe des Kunststoffgratbereichs X. Der Teil (b) in der 11 zeigt eine Querschnittsansicht des Anschlusses 9 entlang der Linie A1-A2 in dem Teil (a) in der 11.
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Wie dies in dem Teil (b) in der 11 gezeigt ist, hat der Kunststoffgratbereich X des Anschlusses 9, an dem der Kunststoffgrat 3 bei dem Abdichtschritt haftet, eine unregelmäßige Form. Der Bereich des Anschlusses 9, der sich an dem Rand der Packung 8 befindet, hat nämlich eine unregelmäßige Form. Dementsprechend wird ein Kunststoff in Ausnehmungen des Anschlusses 9 gefüllt, was zu einer Verstärkung der Haftung aufgrund des Ankereffekts führt.
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Die vorstehend beschriebene Konfiguration ist zum Verhindern dessen wirksam, dass der Kunststoffgrat aufgrund einer Spannung abfällt, wenn die Anschlussbiegeposition (Biegeachse beim Biegen) an dem Kunststoffgratbereich X angrenzt. Zusätzlich ist die vorstehend beschriebene Konfiguration in einem Fall wirksam, bei dem die Anschlussbiegeposition des Anschlusses 9 näher zur Seite der Packung 8 bewegt wird, um die Packung 8 zu verkleinern. Des Weiteren ist die vorstehend beschriebene Konfiguration in einem Fall wirksam, bei dem die Genauigkeit der Anschlussbiegeposition schlecht und veränderlich ist.
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Alle numerischen Werte, die bei den vorstehend beschriebenen bevorzugten Ausführungsbeispielen verwendet werden, sind lediglich Beispiele, um die vorliegende Erfindung speziell zu beschreiben. Die numerischen Werte der vorliegenden Erfindung sind nämlich nicht auf die numerischen Werte beschränkt, die bei den bevorzugten Ausführungsbeispielen verwendet werden.
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Die vorliegende Erfindung kann als ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung verwendet werden, die verhindern kann, dass ein Kunststoffgrat beim Biegen abfällt.
