DE102011081514A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents
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Abstract
Es wird eine Halbleitervorrichtung angegeben, welche Folgendes aufweist: eine Wärmeableitungsrippe (13, 14); eine Isolationsschicht (4), die an die obere Oberfläche der Wärmeableitungsrippe (13, 14) gebunden ist, wobei ein Teil der oberen Oberfläche freiliegt; einen Wärmeverteiler (2), der auf der Isolationsschicht (4) gelegen ist; ein Leistungselement (1), welches auf dem Wärmeverteiler (2) gelegen ist; und ein Transfergießharz (8), welches so gelegen ist, dass es eine vorgegebene Oberfläche bedeckt, welche den Teil der oberen Oberfläche der Wärmeableitungsrippe (13, 14), die Isolationsschicht (4), den Wärmeverteiler (2) und das Leistungselement (1) umfasst, wobei die obere Oberfläche der Wärmeableitungsrippe (13, 14) eine Vorsprungsform und/oder eine Vertiefungsform aufweist, die so gelegen ist, dass sie eine Kante der Isolationsschicht (4) einbindet.
Description
- Die Erfindung betrifft die Struktur einer Halbleitervorrichtung des Leistungsmodultyps.
- Bei herkömmlichen Leistungsmodul-Halbleitervorrichtungen sind eine Halbleiterpackungseinheit, welche Leistungselemente enthält, und eine Wärmeableitungsrippe zur Ableitung der von den Leistungselementen erzeugten Wärme getrennt vorhanden.
- Um die Halbleiterpackungseinheit und die Wärmeableitungsrippe eng miteinander zu verbinden, beschreibt beispielsweise die offengelegte
japanische Patentanmeldung 2008-42039 - Selbst Halbleitervorrichtungen der obigen Konfiguration vermögen es nicht, eine ausreichend hohe Haftung zwischen Halbleiterpackungseinheit und der Wärmeableitungsrippe zu erzielen, was es erschwert, eine ausreichende Wärmeableitung zu erzielen.
- Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine Halbleitervorrichtung anzugeben, welche die Haftung zwischen der Halbleiterpackungseinheit und einer Wärmeableitungsrippe ausreichend verbessern kann und die Wärmeableitung verbessert.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 gelöst. Fortbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
- Eine Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung umfasst Folgendes: mindestens eine Wärmeableitungsrippe; eine Isolationsschicht, die an die obere Oberfläche der mindestens einen Wärmeableitungsrippe gebondet ist, wobei ein Teil der oberen Oberfläche freiliegt; einen Wärmeverteiler, der sich auf der Isolationsschicht befindet; ein Leistungselement, das auf dem Wärmeverteiler gelegen ist; und ein Transfergießharz, das so gelegen ist, dass es eine vorgegebene Oberfläche bedeckt, die den Teil der oberen Oberfläche der mindestens einen Wärmeableitungsrippe, die Isolationsschicht, den Wärmeverteiler und das Leistungselement umfasst. Die obere Oberfläche der mindestens einen Wärmeableitungsrippe hat eine Vorsprungsform bzw. vorstehende Form und/oder eine Vertiefungsform bzw. zurückgenommene Form, welche so gelegen ist, dass sie eine Kante der Isolationsschicht einfasst.
- Gemäß der Halbleitervorrichtung der Erfindung kann die Isolationsschicht temporär fixiert werden, was es ermöglicht, die Genauigkeit der Positionierung und der Fixierung der Wärmeableitungsrippe und des Transfergießharzes zu verbessern. Deshalb ist es möglich, die Haftung zwischen der Halbleiterpackungseinheit und der Wärmeableitungsrippe zu verbessern und die Wärmeableitung zu verbessern.
- Diese und andere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der Erfindung gehen deutlicher aus der folgenden detaillierten Beschreibung der Erfindung zusammen mit den beigefügten Zeichnungen hervor.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
- Die
1 und2 sind Querschnittsansichten einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform; -
3 ist eine Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform; -
4 ist eine andere Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform; -
5 ist eine andere Teilquerschnittsansicht der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform; -
6 ist eine Ansicht, welche partiell die Form einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform zeigt; - Die
7 bis9 sind Querschnittsansichten einer Halbleitervorrichtung gemäß der zugrunde liegenden Technologie. - Beschreibung der Ausführungsformen
-
7 ist eine Querschnittsansicht, welche eine erste Halbleitervorrichtung gemäß der der Erfindung zugrunde liegenden Technologie zeigt. - Bei dieser Halbleitervorrichtung ist eine Mehrzahl an Halbleiterelementen
1 auf einem Wärmeverteiler2 vorhanden und über Aluminiumdrähte3 mit einem Signalanschluss7 und einem Hauptanschluss12 verbunden. Der Wärmeverteiler2 ist auf einer Isolationsschicht4 angeordnet, und darüber hinaus ist die Isolationsschicht4 durch Fett5 an die Wärmeableitungsrippe6 gebunden. - Die Leistungselemente
1 , der Wärmeverteiler2 , die Aluminiumdrähte3 , die Isolationsschicht4 und das Fett5 sind mit einem Transfergießharz8 (Epoxidharz) bedeckt. Darüber hinaus verläuft eine Schraube9 durch das Transfergießharz8 , um die Wärmeableitungsrippe6 über ein Schraubenloch zu erreichen, das im Transfergießharz8 und einer Federplatte11 vorhanden ist, so dass die Halbleiterpackungseinheit, die mit dem Transfergießharz8 bedeckt ist, und die Wärmeableitungsrippe6 aneinander haften. - Wie in der vorstehend beschriebenen Struktur gezeigt ist, werden das Fett
5 und die Schraube9 für eine Bindung zwischen der Halbleiterpackungseinheit und der Wärmeableitungsrippe6 verwendet. Darüber hinaus ist es erforderlich, dass die Verbindungsoberfläche sehr flach ist. -
8 ist eine Querschnittsansicht, welche eine zweite Halbleitervorrichtung gemäß der der Erfindung zugrunde liegenden Technologie zeigt. - Im Unterschied zur Struktur der Halbleitervorrichtung, die in
7 gezeigt ist, ist das Fett5 nicht auf der Verbindungsoberfläche zwischen der Isolationsschicht4 und der Wärmeableitungsrippe6 vorhanden, und es existiert ein Bereich, in dem das Transfergießharz8 und die Wärmeableitungsrippe6 direkt aneinander gebunden sind. Als Wärmeableitungsrippe6 ist eine relativ preiswerte luftgekühlte Wärmeableitungsrippe eingesetzt, ebenso wie in dem in7 gezeigten Fall. - Die Anbindung ohne das Fett
5 verringert die Komponenten, eliminiert das Risiko des Auftretens von Leerräumen im Fett und macht den Schritt des Aufbringens des Fetts5 überflüssig, was eine Miniaturisierung und Kostenverringerung einer Vorrichtung ermöglicht. Zusätzlich können das Transfergießharz8 und die Wärmeableitungsrippe6 integral durch Druckkontakt oder dergleichen ausgebildet werden. Darüber hinaus ist es möglich, eine Halbleitervorrichtung zu erhalten, welche einen niedrigen thermischen Widerstand aufweist und bei hohen Temperaturen einsetzbar ist. -
9 ist eine Querschnittsansicht, welche eine dritte Halbleitervorrichtung gemäß der der Erfindung zugrunde liegenden Technologie zeigt. - Im Unterschied zur Struktur der Halbleitervorrichtung, die in
8 gezeigt ist, ist die Wärmeableitungsrippe10 eine wassergekühlte Wärmeableitungsrippe. - Mit dem Einsatz der wassergekühlten Wärmeableitungsrippe
10 kann die Vorrichtung miniaturisiert werden. Es ist anzumerken, dass es möglicht ist, bei einer Wärmeableitungsrippe zwischen der luftgekühlten und der wassergekühlten, beispielsweise entsprechend dem Einsatz der Halbleitervorrichtung, zu wechseln. - Selbst die Halbleitervorrichtung mit der vorstehend beschriebenen Konfiguration kann keine ausreichend hohe Haftung zwischen der Halbleiterpackungseinheit (einschließlich der Leistungselemente
1 , des Wärmeverteilers2 , welcher beispielsweise an die Halbleiterelemente1 gebunden ist, und der Wärmeisolationsschicht4 ) und der Wärmeableitungsrippe erreicht werden, und dementsprechend ist es schwierig, eine ausreichende Wärmeableitung zu erreichen. - Bevorzugte Ausführungsformen beschreiben nachstehend Halbleitervorrichtungen, welche die Haftung zwischen einer Halbleiterpackungseinheit und einer Wärmeableitungsrippe verbessern können und durch ein einfaches Verfahren die Wärmeableitung ausreichend erhöhen können.
- A. Erste Ausführungsform
- A-1. Konfiguration
-
1 ist eine Querschnittsansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung zeigt. Wie in1 gezeigt ist, sind bei der Halbleitervorrichtung Leistungselemente1 auf einem Wärmeverteiler2 vorhanden und sind jeweils mit einem Signalanschluss7 und einem Hauptanschluss12 über Aluminiumdrähte3 verbunden. Als das Leistungselement1 kann beispielsweise SiC, welches ein Halbleiter mit großem Bandabstand ist, auch in der nachstehenden Ausführungsform eingesetzt werden. Der Wärmeverteiler2 ist auf einer Isolationsschicht4 angeordnet und darüber hinaus ist die Isolationsschicht4 direkt an die Wärmeableitungsrippe13 gebunden. Die Isolationsschicht4 ist an die obere Oberfläche der Wärmeableitungsrippe13 gebunden, wobei ein Teil der oberen Oberfläche derselben freiliegt. - Eine Oberfläche, die den Teil der oberen Oberfläche der Wärmeableitungsrippe
13 , die Leistungselemente1 , den Wärmeverteiler2 , die Aluminiumdrähte3 und die Isolationsschicht4 umfasst, ist mit einem Transfergießharz8 (Epoxidharz) bedeckt. - Die obere Oberfläche der Wärmeableitungsrippe
13 weist eine vorspringende Form auf, die dafür ausgebildet ist, die Isolationsschicht4 so zu umgeben, dass die Kante der Isolationsschicht4 eingebunden ist. - Die vorspringende Form ist auf der oberen Oberfläche der Wärmeableitungsrippe
13 ausgebildet, wie vorstehend beschrieben, wodurch es ermöglicht wird, die Isolationsschicht4 temporär zu fixieren, was die Genauigkeit der Positionierung der Wärmeableitungsrippe13 und des Transfergießharzes8 verbessert. Dementsprechend ist es möglich, die Wärmeableitungsrippe13 und das Transfergießharz8 um die Isolationsschicht4 herum genau aneinander zu binden und zu fixieren. Dies ermöglicht es, die Haftung zwischen der Halbleiterpackungseinheit und der Wärmeableitungsrippe zu verbessern und die Wärmeableitung zu verbessern. -
2 ist eine Querschnittsansicht, welche die Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt, welche sich von derjenigen der1 dadurch unterscheidet, dass die Oberfläche einer Wärmeableitungsrippe14 direkt an die Isolationsschicht4 gebunden ist, eine Vertiefungsform aufweist, und dass die Isolationsschicht4 in die Vertiefungsform eingefüllt ist. - Die Vertiefungsform, in welche die Isolationsschicht
4 gefüllt ist, ermöglicht es, dass die Isolationsschicht4 temporär fixiert wird, was die Genauigkeit der Positionierung der Wärmeableitungsrippe14 und des Transfergießharzes8 verbessert. Dementsprechend ist es möglich, die Wärmeableitungsrippe14 und das Transfergießharz8 um die Isolationsschicht4 herum genau aneinander zu binden und zu fixieren. Dies ermöglicht es, die Haftung zwischen der Halbleiterpackungseinheit und der Wärmeableitungsrippe zu erhöhen und die Wärmeableitung zu verbessern. - Es ist anzumerken, dass eine Vorsprungsform, wie sie in
1 gezeigt ist, darüber hinaus auf der in2 gezeigten Wärmeableitungsrippe14 vorgesehen werden kann. -
3 ist eine Teilquerschnittsansicht, welche die Halbleitervorrichtung der Erfindung zeigt, die sich von derjenigen von2 dadurch unterscheidet, dass die Oberfläche (obere Oberfläche) einer Wärmeableitungsrippe15 , welche direkt an die Isolationsschicht4 gebunden ist, eine Vertiefungsform aufweist, und dass die innere Seitenoberfläche derselben, welche an das Transfergießharz8 gebunden ist, eine konkav-konvexe Form aufweist. In einigen Fällen kann in dieser Struktur eine Vorsprungsform auf der oberen Oberfläche der Wärmeableitungsrippe15 ausgebildet sein. - Die konkav-konvexe Form ist auf der inneren Seitenoberfläche der Wärmeableitungsrippe
15 vorhanden, welche, wie vorstehend beschrieben, an das Transfergießharz8 gebunden ist, was es ermöglicht, die Haftung zwischen der Wärmeableitungsrippe15 und dem Transfergießharz8 zu verbessern und die Wärmeableitung zu verbessern. -
4 ist eine Querschnittsansicht, welche die Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt, die sich von derjenigen von2 dadurch unterscheidet, dass die äußere Seitenoberfläche einer Wärmeableitungsrippe16 , die an das Transfergießharz8 gebunden ist, eine Vorsprungsform aufweist und dass die Seitenoberfläche der Wärmeableitungsrippe16 mit dem Transfergießharz8 bedeckt ist. D. h., dass eine solche Struktur vorhanden ist, dass das Transfergießharz8 eine Breite aufweist, die größer ist als die Breite der Wärmeableitungsrippe16 und die Seitenoberflächen der Wärmeableitungsrippe16 bedeckt. In einigen Fällen kann die Struktur so sein, dass eine Vorsprungsform oder eine konkav-konvexe Form auf der oberen Oberfläche der Wärmeableitungsrippe16 ausgebildet sein kann. - Die Breite des Transfergießharzes
8 wird so eingestellt, dass sie größer ist als die Breite der Wärmeableitungsrippe16 , wie vorstehend beschrieben, was das Gewährleisten eines Kriechabstands und eines Freiraums (Isolationsabstands) erleichtert und die Bindung des Transfergießharzes8 und der Wärmeableitungsrippe16 sicherstellt. Dementsprechend ist es möglich, eine Halbleitervorrichtung zu erhalten, welche eine hohe Zuverlässigkeit sowie eine lange Lebensdauer aufweist. - Es ist anzumerken, dass in einigen Fällen eine konkav-konvexe Form oder dergleichen in der Struktur ausgebildet sein kann, die in
4 gezeigt ist, ähnlich der in3 gezeigten Wärmeableitungsrippe15 . -
5 ist ein Teilquerschnittsansicht, welche die Halbleitervorrichtung der Erfindung zeigt, welche sich von1 dadurch unterscheidet, dass ein Loch auf der Oberfläche einer Wärmeableitungsrippe17 ausgebildet ist, die an das Transfergießharz8 gebunden ist, und dass das Transfergießharz8 in das Loch für eine Bindung zwischen diesen eingefüllt ist. - Das Loch ist auf der Oberfläche ausgebildet, die an das Transfergießharz
8 gebunden werden soll, und die Wärmeableitungsrippe17 und das Transfergießharz8 sind auf diese Weise aneinander gebunden, was die Haftung zwischen diesen sowie die Wärmeableitung verbessert. Es ist anzumerken, dass es möglich ist, auf geeignete Weise die Ausbildung einer konkav-konvexen Form auf der Seitenoberfläche der Wärmeableitungsrippe oder die Ausbildung einer konkav-konvexen Form auf deren oberer Oberfläche auszuwählen. - Darüber hinaus ist die Wärmeableitungsrippe
17 in5 als eine wassergekühlte dargestellt, sie kann jedoch auch eine luftgekühlte sein. - A-2. Effekte
- Gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung umfasst die Halbleitervorrichtung die Wärmeableitungsrippe
13 ,14 ; die Isolationsschicht4 , die an die obere Oberfläche der Wärmeableitungsrippe13 ,14 gebunden ist, wobei ein Teil der oberen Oberfläche freiliegt; den Wärmeverteiler2 , welcher auf der Isolationsschicht4 gelegen ist; das Leistungselement1 , welches auf dem Wärmeverteiler2 gelegen ist; und das Transfergießharz8 , das dafür ausgebildet ist, eine vorgegebene Oberfläche zu bedecken, welche die obere Oberfläche der Wärmeableitungsrippe13 ,14 , die Isolationsschicht4 , den Wärmeverteiler2 und das Leistungselement1 umfasst, wobei die obere Oberfläche der Wärmeableitungsrippe13 ,14 eine vorspringende Form und/oder eine Vertiefungsform aufweist, die so gelegen ist, dass sie die Kante der Isolationsschicht4 einfasst. Dementsprechend ist es möglich, die Isolationsschicht4 temporär zu fixieren, was die Genauigkeit der Positionierung und die Fixierung der Wärmeableitungsrippe13 und des Transfergießharzes8 verbessert. Dies ermöglicht es, die Haftung zwischen der Halbleiterpackungseinheit und der Wärmeableitungsrippe zu verbessern und die Wärmeableitung zu verbessern. - Darüber hinaus umfasst bei der ersten Ausführungsform der Erfindung die Wärmeableitungsrippe
15 ,16 in der Halbleitervorrichtung eine innere und/oder äußere Seitenoberfläche, die mit dem Transfergießharz8 bedeckt ist, wobei die Seitenoberfläche eine Vorsprungsform und/oder eine Vertiefungsform aufweist. Dementsprechend kann die Genauigkeit der Positionierung und Fixierung der Wärmeableitungsrippe und des Transfergießharzes8 durch Verankerungseffekte verbessert werden. Dies ermöglicht es, die Haftung zwischen Halbleiterpackungseinheit und der Wärmeableitungsrippe zu verbessern und die Wärmeableitung zu verbessern. Deshalb ist es möglich, die Zuverlässigkeit der Vorrichtung zu erhöhen und die Lebensdauer zu verlängern. - Darüber hinaus ist bei der ersten Ausführungsform der Erfindung in der Halbleitervorrichtung die Wärmeableitungsrippe
17 eine wassergekühlte Wärmeableitungsrippe. Deshalb kann die Vorrichtung sowohl miniaturisiert als auch verschlankt werden. - Darüber hinaus weist gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung das Transfergießharz
8 in der Halbleitervorrichtung eine Breite auf, die größer ist als die Breite der Wärmeableitungsrippe16 , so dass es beide Seitenoberflächen der Wärmeableitungsrippe16 bedeckt. Dies ermöglicht es, den Kriechabstand und den Zwischenraum (Isolationsabstand) zwischen dem Hauptanschluss12 und der Wärmeableitungsrippe16 auf einfache Weise zu gewährleisten, und gewährleistet die Bindung zwischen dem Transfergießharz8 und der Wärmeableitungsrippe16 , wodurch des möglich ist, eine Halbleitervorrichtung mit hoher Zuverlässigkeit und langer Lebensdauer zu erhalten. - B. Zweite Ausführungsform
- B-1. Konfiguration
-
6 ist eine Teilquerschnittsansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung zeigt. Wie teilweise in6 gezeigt ist, hat die Halbleitervorrichtung eine Struktur, in welcher eine Wärmeableitungsrippe18 als eine erste Rippe vorhanden ist, und darüber hinaus ist eine Wärmeableitungsrippe19 als eine zweite Rippe vorhanden, wobei die Wärmeableitungsrippe19 durch Verstemmung der Wärmeableitungsrippe18 hinzugefügt und an dieser fixiert ist. Die andere Konfiguration ist ähnlich derjenigen der ersten Ausführungsform, und eine detaillierte Beschreibung derselben wird ausgelassen. - In diesem Fall ist die Wärmeableitungsrippe
18 beispielsweise eine wassergekühlte und umfasst eine Rippe mit verstemmter Form, wie in6 gezeigt ist. Dementsprechend kann, selbst in einem Fall, gemäß dem eine Wärmeableitungsrippe hinzugefügt werden muss, um die Wärmeableitungsfunktion weiter zu verbessern, die Wärmeableitungsrippe19 einfach an die Wärmeableitungsrippe18 gebunden werden kann, indem sie in verstemmter Form eingepasst wird, was es ermöglicht, die Wärmeableitungsfunktion zu erreichen. - B-2. Effekte
- Gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung umfassen bei der Halbleitervorrichtung die Wärmeableitungsrippen die Wärmeableitungsrippe
18 als erste Rippe und die Wärmeableitungsrippe19 als zweite Rippe, die in verstemmter Form bzw. durch Verstemmung fixiert ist. Deshalb ist es möglich, die Wärmeableitungsrippe19 auf einfache Weise die an Wärmeableitungsrippe18 zu binden, in dem sie in verstemmter Form eingepasst wird, um die Wärmeableitungsfunktion auch in dem Fall zu realisieren, in dem das Hinzufügen einer weiteren Wärmeableitungsrippe nötig ist, um die Wärmeableitungsfunktion zu verbessern. - Die äußere Form der Halbleitervorrichtung wird durch eine Gießform einer Spritzgießmaschine begrenzt. Deshalb ist es, selbst wenn eine verbesserte Wärmeableitung auf dem Markt verlangt wird, schwierig, die äußere Form einer Vorrichtung zum Erlangen einer Halbleitervorrichtung mit den Wärmeeigenschaften zu erhalten, die für das Zufriedenstellen der Anforderungen des Markts erforderlich sind. In einem solchen Fall ermöglicht es die Struktur der Erfindung, eine verbesserte Wärmeableitung zu erhalten.
- ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
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Claims (6)
- Halbleitervorrichtung, aufweisend: mindestens eine Wärmeableitungsrippe (
13 ,14 ); eine Isolationsschicht (4 ), die an die obere Oberfläche der Wärmeableitungsrippe (13 ,14 ) gebunden ist, wobei ein Teil der oberen Oberfläche freiliegt; einen Wärmeverteiler (2 ), der auf der Isolationsschicht (4 ) gelegen ist; ein Leistungselement (1 ), welches auf dem Wärmeverteiler (2 ) gelegen ist; und ein Transfergießharz (8 ), welches so gelegen ist, dass es eine vorgegebene Oberfläche bedeckt, welche den Teil der oberen Oberfläche der mindestens einen Wärmeableitungsrippe (13 ,14 ), die Isolationsschicht (4 ), den Wärmeverteiler (2 ) und das Leistungselement (1 ) umfasst, wobei die obere Oberfläche der mindestens einen Wärmeableitungsrippe (13 ,14 ) eine Vorsprungsform und/oder eine Vertiefungsform aufweist, die so gelegen ist, dass sie eine Kante der Isolationsschicht (4 ) einbindet. - Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die mindestens eine Wärmeableitungsrippe (
13 ,14 ) eine innere und/oder äußere Seitenoberfläche umfasst, die mit dem Transfergießharz (8 ) bedeckt ist, wobei die Seitenoberfläche eine Vorsprungsform und/oder eine Vertiefungsform aufweist. - Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die mindestens eine Wärmeableitungsrippe (
17 ) eine wassergekühlte Wärmeableitungsrippe ist. - Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Leistungselement (
1 ) ein Element ist, das einen Halbleiter mit großem Bandabstand umfasst. - Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die mindestens eine Wärmeableitungsrippe (
18 ,19 ) eine erste Rippe (18 ) und eine zweite Rippe (19 ), die an der ersten Rippe (18 ) in verstemmter Form fixiert ist, umfasst. - Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Transfergießharz (
8 ) eine Breite aufweist, die größer ist als die Breite der mindestens einen Wärmeableitungsrippe (16 ), so dass es die Seitenoberflächen der mindestens einen Wärmeableitungsrippe (16 ) bedeckt.
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