DE102011081514A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

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Abstract

Es wird eine Halbleitervorrichtung angegeben, welche Folgendes aufweist: eine Wärmeableitungsrippe (13, 14); eine Isolationsschicht (4), die an die obere Oberfläche der Wärmeableitungsrippe (13, 14) gebunden ist, wobei ein Teil der oberen Oberfläche freiliegt; einen Wärmeverteiler (2), der auf der Isolationsschicht (4) gelegen ist; ein Leistungselement (1), welches auf dem Wärmeverteiler (2) gelegen ist; und ein Transfergießharz (8), welches so gelegen ist, dass es eine vorgegebene Oberfläche bedeckt, welche den Teil der oberen Oberfläche der Wärmeableitungsrippe (13, 14), die Isolationsschicht (4), den Wärmeverteiler (2) und das Leistungselement (1) umfasst, wobei die obere Oberfläche der Wärmeableitungsrippe (13, 14) eine Vorsprungsform und/oder eine Vertiefungsform aufweist, die so gelegen ist, dass sie eine Kante der Isolationsschicht (4) einbindet.

Description

  • Die Erfindung betrifft die Struktur einer Halbleitervorrichtung des Leistungsmodultyps.
  • Bei herkömmlichen Leistungsmodul-Halbleitervorrichtungen sind eine Halbleiterpackungseinheit, welche Leistungselemente enthält, und eine Wärmeableitungsrippe zur Ableitung der von den Leistungselementen erzeugten Wärme getrennt vorhanden.
  • Um die Halbleiterpackungseinheit und die Wärmeableitungsrippe eng miteinander zu verbinden, beschreibt beispielsweise die offengelegte japanische Patentanmeldung 2008-42039 , dass Fett oder dergleichen zwischen diesen aufgebracht wird und dass Löcher zum Befestigen in der Halbleiterpackungseinheit vorgesehen werden, um die Halbleiterpackungseinheit eng mit der Wärmeableitungsrippe zu verbinden.
  • Selbst Halbleitervorrichtungen der obigen Konfiguration vermögen es nicht, eine ausreichend hohe Haftung zwischen Halbleiterpackungseinheit und der Wärmeableitungsrippe zu erzielen, was es erschwert, eine ausreichende Wärmeableitung zu erzielen.
  • Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine Halbleitervorrichtung anzugeben, welche die Haftung zwischen der Halbleiterpackungseinheit und einer Wärmeableitungsrippe ausreichend verbessern kann und die Wärmeableitung verbessert.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 gelöst. Fortbildungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Eine Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung umfasst Folgendes: mindestens eine Wärmeableitungsrippe; eine Isolationsschicht, die an die obere Oberfläche der mindestens einen Wärmeableitungsrippe gebondet ist, wobei ein Teil der oberen Oberfläche freiliegt; einen Wärmeverteiler, der sich auf der Isolationsschicht befindet; ein Leistungselement, das auf dem Wärmeverteiler gelegen ist; und ein Transfergießharz, das so gelegen ist, dass es eine vorgegebene Oberfläche bedeckt, die den Teil der oberen Oberfläche der mindestens einen Wärmeableitungsrippe, die Isolationsschicht, den Wärmeverteiler und das Leistungselement umfasst. Die obere Oberfläche der mindestens einen Wärmeableitungsrippe hat eine Vorsprungsform bzw. vorstehende Form und/oder eine Vertiefungsform bzw. zurückgenommene Form, welche so gelegen ist, dass sie eine Kante der Isolationsschicht einfasst.
  • Gemäß der Halbleitervorrichtung der Erfindung kann die Isolationsschicht temporär fixiert werden, was es ermöglicht, die Genauigkeit der Positionierung und der Fixierung der Wärmeableitungsrippe und des Transfergießharzes zu verbessern. Deshalb ist es möglich, die Haftung zwischen der Halbleiterpackungseinheit und der Wärmeableitungsrippe zu verbessern und die Wärmeableitung zu verbessern.
  • Diese und andere Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der Erfindung gehen deutlicher aus der folgenden detaillierten Beschreibung der Erfindung zusammen mit den beigefügten Zeichnungen hervor.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Die 1 und 2 sind Querschnittsansichten einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform;
  • 3 ist eine Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform;
  • 4 ist eine andere Querschnittsansicht der Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform;
  • 5 ist eine andere Teilquerschnittsansicht der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform;
  • 6 ist eine Ansicht, welche partiell die Form einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform zeigt;
  • Die 7 bis 9 sind Querschnittsansichten einer Halbleitervorrichtung gemäß der zugrunde liegenden Technologie.
  • Beschreibung der Ausführungsformen
  • 7 ist eine Querschnittsansicht, welche eine erste Halbleitervorrichtung gemäß der der Erfindung zugrunde liegenden Technologie zeigt.
  • Bei dieser Halbleitervorrichtung ist eine Mehrzahl an Halbleiterelementen 1 auf einem Wärmeverteiler 2 vorhanden und über Aluminiumdrähte 3 mit einem Signalanschluss 7 und einem Hauptanschluss 12 verbunden. Der Wärmeverteiler 2 ist auf einer Isolationsschicht 4 angeordnet, und darüber hinaus ist die Isolationsschicht 4 durch Fett 5 an die Wärmeableitungsrippe 6 gebunden.
  • Die Leistungselemente 1, der Wärmeverteiler 2, die Aluminiumdrähte 3, die Isolationsschicht 4 und das Fett 5 sind mit einem Transfergießharz 8 (Epoxidharz) bedeckt. Darüber hinaus verläuft eine Schraube 9 durch das Transfergießharz 8, um die Wärmeableitungsrippe 6 über ein Schraubenloch zu erreichen, das im Transfergießharz 8 und einer Federplatte 11 vorhanden ist, so dass die Halbleiterpackungseinheit, die mit dem Transfergießharz 8 bedeckt ist, und die Wärmeableitungsrippe 6 aneinander haften.
  • Wie in der vorstehend beschriebenen Struktur gezeigt ist, werden das Fett 5 und die Schraube 9 für eine Bindung zwischen der Halbleiterpackungseinheit und der Wärmeableitungsrippe 6 verwendet. Darüber hinaus ist es erforderlich, dass die Verbindungsoberfläche sehr flach ist.
  • 8 ist eine Querschnittsansicht, welche eine zweite Halbleitervorrichtung gemäß der der Erfindung zugrunde liegenden Technologie zeigt.
  • Im Unterschied zur Struktur der Halbleitervorrichtung, die in 7 gezeigt ist, ist das Fett 5 nicht auf der Verbindungsoberfläche zwischen der Isolationsschicht 4 und der Wärmeableitungsrippe 6 vorhanden, und es existiert ein Bereich, in dem das Transfergießharz 8 und die Wärmeableitungsrippe 6 direkt aneinander gebunden sind. Als Wärmeableitungsrippe 6 ist eine relativ preiswerte luftgekühlte Wärmeableitungsrippe eingesetzt, ebenso wie in dem in 7 gezeigten Fall.
  • Die Anbindung ohne das Fett 5 verringert die Komponenten, eliminiert das Risiko des Auftretens von Leerräumen im Fett und macht den Schritt des Aufbringens des Fetts 5 überflüssig, was eine Miniaturisierung und Kostenverringerung einer Vorrichtung ermöglicht. Zusätzlich können das Transfergießharz 8 und die Wärmeableitungsrippe 6 integral durch Druckkontakt oder dergleichen ausgebildet werden. Darüber hinaus ist es möglich, eine Halbleitervorrichtung zu erhalten, welche einen niedrigen thermischen Widerstand aufweist und bei hohen Temperaturen einsetzbar ist.
  • 9 ist eine Querschnittsansicht, welche eine dritte Halbleitervorrichtung gemäß der der Erfindung zugrunde liegenden Technologie zeigt.
  • Im Unterschied zur Struktur der Halbleitervorrichtung, die in 8 gezeigt ist, ist die Wärmeableitungsrippe 10 eine wassergekühlte Wärmeableitungsrippe.
  • Mit dem Einsatz der wassergekühlten Wärmeableitungsrippe 10 kann die Vorrichtung miniaturisiert werden. Es ist anzumerken, dass es möglicht ist, bei einer Wärmeableitungsrippe zwischen der luftgekühlten und der wassergekühlten, beispielsweise entsprechend dem Einsatz der Halbleitervorrichtung, zu wechseln.
  • Selbst die Halbleitervorrichtung mit der vorstehend beschriebenen Konfiguration kann keine ausreichend hohe Haftung zwischen der Halbleiterpackungseinheit (einschließlich der Leistungselemente 1, des Wärmeverteilers 2, welcher beispielsweise an die Halbleiterelemente 1 gebunden ist, und der Wärmeisolationsschicht 4) und der Wärmeableitungsrippe erreicht werden, und dementsprechend ist es schwierig, eine ausreichende Wärmeableitung zu erreichen.
  • Bevorzugte Ausführungsformen beschreiben nachstehend Halbleitervorrichtungen, welche die Haftung zwischen einer Halbleiterpackungseinheit und einer Wärmeableitungsrippe verbessern können und durch ein einfaches Verfahren die Wärmeableitung ausreichend erhöhen können.
  • A. Erste Ausführungsform
  • A-1. Konfiguration
  • 1 ist eine Querschnittsansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung zeigt. Wie in 1 gezeigt ist, sind bei der Halbleitervorrichtung Leistungselemente 1 auf einem Wärmeverteiler 2 vorhanden und sind jeweils mit einem Signalanschluss 7 und einem Hauptanschluss 12 über Aluminiumdrähte 3 verbunden. Als das Leistungselement 1 kann beispielsweise SiC, welches ein Halbleiter mit großem Bandabstand ist, auch in der nachstehenden Ausführungsform eingesetzt werden. Der Wärmeverteiler 2 ist auf einer Isolationsschicht 4 angeordnet und darüber hinaus ist die Isolationsschicht 4 direkt an die Wärmeableitungsrippe 13 gebunden. Die Isolationsschicht 4 ist an die obere Oberfläche der Wärmeableitungsrippe 13 gebunden, wobei ein Teil der oberen Oberfläche derselben freiliegt.
  • Eine Oberfläche, die den Teil der oberen Oberfläche der Wärmeableitungsrippe 13, die Leistungselemente 1, den Wärmeverteiler 2, die Aluminiumdrähte 3 und die Isolationsschicht 4 umfasst, ist mit einem Transfergießharz 8 (Epoxidharz) bedeckt.
  • Die obere Oberfläche der Wärmeableitungsrippe 13 weist eine vorspringende Form auf, die dafür ausgebildet ist, die Isolationsschicht 4 so zu umgeben, dass die Kante der Isolationsschicht 4 eingebunden ist.
  • Die vorspringende Form ist auf der oberen Oberfläche der Wärmeableitungsrippe 13 ausgebildet, wie vorstehend beschrieben, wodurch es ermöglicht wird, die Isolationsschicht 4 temporär zu fixieren, was die Genauigkeit der Positionierung der Wärmeableitungsrippe 13 und des Transfergießharzes 8 verbessert. Dementsprechend ist es möglich, die Wärmeableitungsrippe 13 und das Transfergießharz 8 um die Isolationsschicht 4 herum genau aneinander zu binden und zu fixieren. Dies ermöglicht es, die Haftung zwischen der Halbleiterpackungseinheit und der Wärmeableitungsrippe zu verbessern und die Wärmeableitung zu verbessern.
  • 2 ist eine Querschnittsansicht, welche die Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt, welche sich von derjenigen der 1 dadurch unterscheidet, dass die Oberfläche einer Wärmeableitungsrippe 14 direkt an die Isolationsschicht 4 gebunden ist, eine Vertiefungsform aufweist, und dass die Isolationsschicht 4 in die Vertiefungsform eingefüllt ist.
  • Die Vertiefungsform, in welche die Isolationsschicht 4 gefüllt ist, ermöglicht es, dass die Isolationsschicht 4 temporär fixiert wird, was die Genauigkeit der Positionierung der Wärmeableitungsrippe 14 und des Transfergießharzes 8 verbessert. Dementsprechend ist es möglich, die Wärmeableitungsrippe 14 und das Transfergießharz 8 um die Isolationsschicht 4 herum genau aneinander zu binden und zu fixieren. Dies ermöglicht es, die Haftung zwischen der Halbleiterpackungseinheit und der Wärmeableitungsrippe zu erhöhen und die Wärmeableitung zu verbessern.
  • Es ist anzumerken, dass eine Vorsprungsform, wie sie in 1 gezeigt ist, darüber hinaus auf der in 2 gezeigten Wärmeableitungsrippe 14 vorgesehen werden kann.
  • 3 ist eine Teilquerschnittsansicht, welche die Halbleitervorrichtung der Erfindung zeigt, die sich von derjenigen von 2 dadurch unterscheidet, dass die Oberfläche (obere Oberfläche) einer Wärmeableitungsrippe 15, welche direkt an die Isolationsschicht 4 gebunden ist, eine Vertiefungsform aufweist, und dass die innere Seitenoberfläche derselben, welche an das Transfergießharz 8 gebunden ist, eine konkav-konvexe Form aufweist. In einigen Fällen kann in dieser Struktur eine Vorsprungsform auf der oberen Oberfläche der Wärmeableitungsrippe 15 ausgebildet sein.
  • Die konkav-konvexe Form ist auf der inneren Seitenoberfläche der Wärmeableitungsrippe 15 vorhanden, welche, wie vorstehend beschrieben, an das Transfergießharz 8 gebunden ist, was es ermöglicht, die Haftung zwischen der Wärmeableitungsrippe 15 und dem Transfergießharz 8 zu verbessern und die Wärmeableitung zu verbessern.
  • 4 ist eine Querschnittsansicht, welche die Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt, die sich von derjenigen von 2 dadurch unterscheidet, dass die äußere Seitenoberfläche einer Wärmeableitungsrippe 16, die an das Transfergießharz 8 gebunden ist, eine Vorsprungsform aufweist und dass die Seitenoberfläche der Wärmeableitungsrippe 16 mit dem Transfergießharz 8 bedeckt ist. D. h., dass eine solche Struktur vorhanden ist, dass das Transfergießharz 8 eine Breite aufweist, die größer ist als die Breite der Wärmeableitungsrippe 16 und die Seitenoberflächen der Wärmeableitungsrippe 16 bedeckt. In einigen Fällen kann die Struktur so sein, dass eine Vorsprungsform oder eine konkav-konvexe Form auf der oberen Oberfläche der Wärmeableitungsrippe 16 ausgebildet sein kann.
  • Die Breite des Transfergießharzes 8 wird so eingestellt, dass sie größer ist als die Breite der Wärmeableitungsrippe 16, wie vorstehend beschrieben, was das Gewährleisten eines Kriechabstands und eines Freiraums (Isolationsabstands) erleichtert und die Bindung des Transfergießharzes 8 und der Wärmeableitungsrippe 16 sicherstellt. Dementsprechend ist es möglich, eine Halbleitervorrichtung zu erhalten, welche eine hohe Zuverlässigkeit sowie eine lange Lebensdauer aufweist.
  • Es ist anzumerken, dass in einigen Fällen eine konkav-konvexe Form oder dergleichen in der Struktur ausgebildet sein kann, die in 4 gezeigt ist, ähnlich der in 3 gezeigten Wärmeableitungsrippe 15.
  • 5 ist ein Teilquerschnittsansicht, welche die Halbleitervorrichtung der Erfindung zeigt, welche sich von 1 dadurch unterscheidet, dass ein Loch auf der Oberfläche einer Wärmeableitungsrippe 17 ausgebildet ist, die an das Transfergießharz 8 gebunden ist, und dass das Transfergießharz 8 in das Loch für eine Bindung zwischen diesen eingefüllt ist.
  • Das Loch ist auf der Oberfläche ausgebildet, die an das Transfergießharz 8 gebunden werden soll, und die Wärmeableitungsrippe 17 und das Transfergießharz 8 sind auf diese Weise aneinander gebunden, was die Haftung zwischen diesen sowie die Wärmeableitung verbessert. Es ist anzumerken, dass es möglich ist, auf geeignete Weise die Ausbildung einer konkav-konvexen Form auf der Seitenoberfläche der Wärmeableitungsrippe oder die Ausbildung einer konkav-konvexen Form auf deren oberer Oberfläche auszuwählen.
  • Darüber hinaus ist die Wärmeableitungsrippe 17 in 5 als eine wassergekühlte dargestellt, sie kann jedoch auch eine luftgekühlte sein.
  • A-2. Effekte
  • Gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung umfasst die Halbleitervorrichtung die Wärmeableitungsrippe 13, 14; die Isolationsschicht 4, die an die obere Oberfläche der Wärmeableitungsrippe 13, 14 gebunden ist, wobei ein Teil der oberen Oberfläche freiliegt; den Wärmeverteiler 2, welcher auf der Isolationsschicht 4 gelegen ist; das Leistungselement 1, welches auf dem Wärmeverteiler 2 gelegen ist; und das Transfergießharz 8, das dafür ausgebildet ist, eine vorgegebene Oberfläche zu bedecken, welche die obere Oberfläche der Wärmeableitungsrippe 13, 14, die Isolationsschicht 4, den Wärmeverteiler 2 und das Leistungselement 1 umfasst, wobei die obere Oberfläche der Wärmeableitungsrippe 13, 14 eine vorspringende Form und/oder eine Vertiefungsform aufweist, die so gelegen ist, dass sie die Kante der Isolationsschicht 4 einfasst. Dementsprechend ist es möglich, die Isolationsschicht 4 temporär zu fixieren, was die Genauigkeit der Positionierung und die Fixierung der Wärmeableitungsrippe 13 und des Transfergießharzes 8 verbessert. Dies ermöglicht es, die Haftung zwischen der Halbleiterpackungseinheit und der Wärmeableitungsrippe zu verbessern und die Wärmeableitung zu verbessern.
  • Darüber hinaus umfasst bei der ersten Ausführungsform der Erfindung die Wärmeableitungsrippe 15, 16 in der Halbleitervorrichtung eine innere und/oder äußere Seitenoberfläche, die mit dem Transfergießharz 8 bedeckt ist, wobei die Seitenoberfläche eine Vorsprungsform und/oder eine Vertiefungsform aufweist. Dementsprechend kann die Genauigkeit der Positionierung und Fixierung der Wärmeableitungsrippe und des Transfergießharzes 8 durch Verankerungseffekte verbessert werden. Dies ermöglicht es, die Haftung zwischen Halbleiterpackungseinheit und der Wärmeableitungsrippe zu verbessern und die Wärmeableitung zu verbessern. Deshalb ist es möglich, die Zuverlässigkeit der Vorrichtung zu erhöhen und die Lebensdauer zu verlängern.
  • Darüber hinaus ist bei der ersten Ausführungsform der Erfindung in der Halbleitervorrichtung die Wärmeableitungsrippe 17 eine wassergekühlte Wärmeableitungsrippe. Deshalb kann die Vorrichtung sowohl miniaturisiert als auch verschlankt werden.
  • Darüber hinaus weist gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung das Transfergießharz 8 in der Halbleitervorrichtung eine Breite auf, die größer ist als die Breite der Wärmeableitungsrippe 16, so dass es beide Seitenoberflächen der Wärmeableitungsrippe 16 bedeckt. Dies ermöglicht es, den Kriechabstand und den Zwischenraum (Isolationsabstand) zwischen dem Hauptanschluss 12 und der Wärmeableitungsrippe 16 auf einfache Weise zu gewährleisten, und gewährleistet die Bindung zwischen dem Transfergießharz 8 und der Wärmeableitungsrippe 16, wodurch des möglich ist, eine Halbleitervorrichtung mit hoher Zuverlässigkeit und langer Lebensdauer zu erhalten.
  • B. Zweite Ausführungsform
  • B-1. Konfiguration
  • 6 ist eine Teilquerschnittsansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung zeigt. Wie teilweise in 6 gezeigt ist, hat die Halbleitervorrichtung eine Struktur, in welcher eine Wärmeableitungsrippe 18 als eine erste Rippe vorhanden ist, und darüber hinaus ist eine Wärmeableitungsrippe 19 als eine zweite Rippe vorhanden, wobei die Wärmeableitungsrippe 19 durch Verstemmung der Wärmeableitungsrippe 18 hinzugefügt und an dieser fixiert ist. Die andere Konfiguration ist ähnlich derjenigen der ersten Ausführungsform, und eine detaillierte Beschreibung derselben wird ausgelassen.
  • In diesem Fall ist die Wärmeableitungsrippe 18 beispielsweise eine wassergekühlte und umfasst eine Rippe mit verstemmter Form, wie in 6 gezeigt ist. Dementsprechend kann, selbst in einem Fall, gemäß dem eine Wärmeableitungsrippe hinzugefügt werden muss, um die Wärmeableitungsfunktion weiter zu verbessern, die Wärmeableitungsrippe 19 einfach an die Wärmeableitungsrippe 18 gebunden werden kann, indem sie in verstemmter Form eingepasst wird, was es ermöglicht, die Wärmeableitungsfunktion zu erreichen.
  • B-2. Effekte
  • Gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung umfassen bei der Halbleitervorrichtung die Wärmeableitungsrippen die Wärmeableitungsrippe 18 als erste Rippe und die Wärmeableitungsrippe 19 als zweite Rippe, die in verstemmter Form bzw. durch Verstemmung fixiert ist. Deshalb ist es möglich, die Wärmeableitungsrippe 19 auf einfache Weise die an Wärmeableitungsrippe 18 zu binden, in dem sie in verstemmter Form eingepasst wird, um die Wärmeableitungsfunktion auch in dem Fall zu realisieren, in dem das Hinzufügen einer weiteren Wärmeableitungsrippe nötig ist, um die Wärmeableitungsfunktion zu verbessern.
  • Die äußere Form der Halbleitervorrichtung wird durch eine Gießform einer Spritzgießmaschine begrenzt. Deshalb ist es, selbst wenn eine verbesserte Wärmeableitung auf dem Markt verlangt wird, schwierig, die äußere Form einer Vorrichtung zum Erlangen einer Halbleitervorrichtung mit den Wärmeeigenschaften zu erhalten, die für das Zufriedenstellen der Anforderungen des Markts erforderlich sind. In einem solchen Fall ermöglicht es die Struktur der Erfindung, eine verbesserte Wärmeableitung zu erhalten.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2008-42039 [0003]

Claims (6)

  1. Halbleitervorrichtung, aufweisend: mindestens eine Wärmeableitungsrippe (13, 14); eine Isolationsschicht (4), die an die obere Oberfläche der Wärmeableitungsrippe (13, 14) gebunden ist, wobei ein Teil der oberen Oberfläche freiliegt; einen Wärmeverteiler (2), der auf der Isolationsschicht (4) gelegen ist; ein Leistungselement (1), welches auf dem Wärmeverteiler (2) gelegen ist; und ein Transfergießharz (8), welches so gelegen ist, dass es eine vorgegebene Oberfläche bedeckt, welche den Teil der oberen Oberfläche der mindestens einen Wärmeableitungsrippe (13, 14), die Isolationsschicht (4), den Wärmeverteiler (2) und das Leistungselement (1) umfasst, wobei die obere Oberfläche der mindestens einen Wärmeableitungsrippe (13, 14) eine Vorsprungsform und/oder eine Vertiefungsform aufweist, die so gelegen ist, dass sie eine Kante der Isolationsschicht (4) einbindet.
  2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die mindestens eine Wärmeableitungsrippe (13, 14) eine innere und/oder äußere Seitenoberfläche umfasst, die mit dem Transfergießharz (8) bedeckt ist, wobei die Seitenoberfläche eine Vorsprungsform und/oder eine Vertiefungsform aufweist.
  3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die mindestens eine Wärmeableitungsrippe (17) eine wassergekühlte Wärmeableitungsrippe ist.
  4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Leistungselement (1) ein Element ist, das einen Halbleiter mit großem Bandabstand umfasst.
  5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die mindestens eine Wärmeableitungsrippe (18, 19) eine erste Rippe (18) und eine zweite Rippe (19), die an der ersten Rippe (18) in verstemmter Form fixiert ist, umfasst.
  6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Transfergießharz (8) eine Breite aufweist, die größer ist als die Breite der mindestens einen Wärmeableitungsrippe (16), so dass es die Seitenoberflächen der mindestens einen Wärmeableitungsrippe (16) bedeckt.
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