DE102011075365B4 - Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür - Google Patents
Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür Download PDFInfo
- Publication number
- DE102011075365B4 DE102011075365B4 DE102011075365.6A DE102011075365A DE102011075365B4 DE 102011075365 B4 DE102011075365 B4 DE 102011075365B4 DE 102011075365 A DE102011075365 A DE 102011075365A DE 102011075365 B4 DE102011075365 B4 DE 102011075365B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor device
- layer
- electrode pads
- substrate
- polysilicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 41
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 37
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims abstract description 17
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 69
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/0045—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure
- B81B7/0051—Packages or encapsulation for reducing stress inside of the package structure between the package lid and the substrate
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P1/00—Details of instruments
- G01P1/02—Housings
- G01P1/023—Housings for acceleration measuring devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0228—Inertial sensors
- B81B2201/0235—Accelerometers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2203/00—Forming microstructural systems
- B81C2203/01—Packaging MEMS
- B81C2203/0154—Moulding a cap over the MEMS device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
Halbleitervorrichtung (10), aufweisend: ein Substrat (18); ein Element (24, 26, 28, 30), das auf dem Substrat (18) ausgebildet ist; eine Nitridschicht (20), die auf dem Substrat (18) ausgebildet ist; eine Ablöseverhinderungsschicht (22), welche unmittelbar auf der Nitridschicht (20) ausgebildet ist; und ein vergossenes Harz (36), welches unmittelbar die Ablöseverhinderungsschicht (22) und das Element (24, 26, 28, 30) bedeckt; wobei die Ablöseverhinderungsschicht (22) eine Druckeigenspannung aufweist und ein Polysilizium oder amorphes Silizium ist, wobei die Halbleitervorrichtung weiter eine Mehrzahl an Elektrodenanschlussflecken (32), die auf dem Substrat (18) ausgebildet und mit dem vergossenen Harz (36) bedeckt sind, aufweist, wobei die Ablöseverhinderungsschicht (22) zwischen dem Element (24, 26, 28, 30) und der Mehrzahl an Elektrodenanschlussflecken (32) und zwischen den einzelnen der Mehrzahl an Elektrodenanschlussflecken (32) zusammenhängend so ausgebildet ist, dass sie das Element und die Mehrzahl an Elektrodenanschlussflecken umschließt.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung, welche ein vergossenes Harz umfaßt, und ein Verfahren zum Herstellen der Vorrichtung.
-
DE 10 2005 028 704 A1 beschreibt ein Halbleiterbauteil mit in einer Kunststoffgehäusemasse eingebetteten Halbleiterbauteilkomponenten, wobei die Oberflächen der Halbleiterbauteilkomponenten teilweise eine Haftvermittlerschicht aufweisen. -
JP 2008-089327 A -
DE 101 96 531 B4 beschreibt einen Beschleunigungssensor, der einen Sensorhauptkörper, eine mit einem Anschlussflächenbereich des Sensorhauptkörpers elektrisch verbundene Zuleitung sowie ein aus Harz gebildetes Dichtungselement, das den Sensorhauptkörper dicht umschließt bzw. einkapselt, aufweist. Der Sensorhauptkörper weist eine Basis und eine an der Basis angebrachte Abdeckung auf. -
JP 2007-322271 A -
US 2003/0159513 A1 - Einige Halbleitervorrichtungen umfassen ein Element oder eine Komponente, das/die auf einem Substrat ausgebildet ist, und ein vergossenes Harz, das sowohl das Substrat als auch das Element bedeckt. Das vergossene Harz dient dazu, das Element gegen externe Feuchtigkeit und Fremdstoffe zu schützen. Es ist anzumerken, dass sich das vergossene Harz, welches das Substrat und das Element bedeckt, typischerweise über der Nitridschicht erstreckt, welche auf dem Substrat oder dem Element ausgebildet ist, wobei die Schicht als Oberflächenschutzschicht dient. Die japanische Offenlegungsschrift
JP 2006-310508 A - Nitridschichten werden weit verbreitet als Oberflächenschutzschichten verwendet, da sie eine überlegene Feuchtigkeitsbeständigkeit und mechanische Festigkeit aufweisen. Es wurde jedoch herausgefunden, dass sich, da Nitridschichten eine hohe Zugeigenspannung aufweisen, das vergossene Harz, wenn ein solches vorhanden ist, das die Schichten bedeckt, ablösen kann.
- Die Erfindung wurde zur Lösung dieses Problems gemacht. Es ist deshalb eine Aufgabe der Erfindung, eine Halbleitervorrichtung anzugeben, welche ein vergossenes Harz über einer Nitridschicht aufweist, die als Oberflächenschutzschicht dient, und welche eine Konstruktion aufweist, die die Ablösung des vergossenen Harzes verhindert. Eine andere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Halbleitervorrichtung anzugeben.
- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1 sowie ein Verfahren nach Anspruch 6 gelöst. Weitere Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
- Andere und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen vollständiger aus der folgenden Beschreibung hervor.
-
1 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einer nicht erfindungsgemäßen Variante; -
2 ist eine Draufsicht auf die Halbleitervorrichtung der nicht erfindungsgemäßen Variante; -
3 ist ein Flussdiagramm, welches ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht; -
4 ist eine Darstellung, welche das Polysilizium nach dessen Ausbildung auf der Nitridschicht zeigt; -
5 ist eine Darstellung, welche die Opferschicht nach deren Ausbildung zeigt; -
6 ist eine Darstellung, welche den beweglichen Teil, die Stützen und das Dichtelement nach deren Ausbildung zeigt; -
7 ist eine Darstellung, welche die Elektrodenanschlussflecken nach deren Ausbildung zeigt; -
8 ist eine Darstellung, welche die Struktur zeigt, nachdem die Opferschicht durch die Fluorwasserstoffsäure weggeätzt wurde; -
9 ist eine Darstellung, welche die Glasabdeckung nach deren Anbringung zeigt; -
10 ist eine Draufsicht auf eine nicht erfindungsgemäße Variante der Halbleitervorrichtung; -
11 ist eine Draufsicht auf eine Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform; und -
12 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten nicht erfindungsgemäßen Variante. -
1 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung10 gemäß einer nicht erfindungsgemäßen Variante zweiten nicht erfindungsgemäßen Variante. zur Erläuterung der Erfindung. Diese Halbleitervorrichtung10 ist ein Beschleunigungssensor. Die Halbleitervorrichtung10 umfaßt eine Siliziumplatte12 . Eine isolierende Schicht14 ist über der Siliziumplatte12 ausgebildet. Eine Verdrahtungsschicht16 ist auf der Oberfläche der isolierenden Schicht14 ausgebildet. Die Oberfläche der isolierenden Schicht14 und die Oberfläche der Verdrahtungsschicht16 bilden eine kontinuierliche, nicht-unregelmäßige Oberfläche. Es ist anzumerken, dass die Siliziumplatte12 , die isolierende Schicht14 und die Verdrahtungsschicht16 nachstehend zusammen als das Substrat18 bezeichnet werden können. - Eine Nitridschicht
20 ist auf der isolierenden Schicht14 und auf der Verdrahtungsschicht16 ausgebildet. Die Nitridschicht20 weist Öffnungen auf, welche Abschnitte der Verdrahtungsschicht16 freilegen. Polysilizium22 ist auf der Nitridschicht20 ausgebildet. Das Polysilizium22 weist eine Druckeigenspannung auf. - Die Halbleitervorrichtung
10 umfaßt einen beweglichen Teil24 , welcher auch als Ausleger für den Beschleunigungssensor dient. Stützen26 sind ausgebildet, um den beweglichen Teil24 zu stützen. Die Stützen26 erstrecken sich durch Öffnungen der Nitridschicht20 und sind in Kontakt mit der Verdrahtungsschicht16 . Ein Dichtelement28 ist auf der Nitridschicht20 ausgebildet und umgibt den beweglichen Teil24 und die Stützen26 . Eine Glasabdeckung30 ist auf der Oberseite des Dichtelements28 befestigt. Das Dichtelement28 und die Glasabdeckung30 definieren einen Zwischenraum34 . Der bewegliche Teil24 und die Stützen26 sind innerhalb des Zwischenraums34 eingekapselt. Es ist anzumerken, dass der bewegliche Teil24 , die Stützen26 , das Dichtelement28 und die Glasabdeckung30 nachstehend gemeinsam als die Sensoreinheit bezeichnet werden können. - Elektrodenanschlussflecken
32 sind auf der Nitridschicht20 ausgebildet. Die Elektrodenanschlussflecken32 werden dazu verwendet, eine elektrische Verbindung mit einer externen Vorrichtung herzustellen. Abschnitte der Elektrodenanschlussflecken32 erstrecken sich durch Öffnungen der Nitridschicht20 und sind in Kontakt mit der Verdrahtungsschicht16 . Deshalb sind die Elektrodenanschlussflecken32 elektrisch mit den Stützen26 durch die Verdrahtungsschicht16 verbunden. Ein vergossenes Harz36 bedeckt das Polysilizium22 , die Sensoreinheit und die Elektrodenanschlussflecken32 . Das vergossene Harz36 dient dazu, die Sensoreinheit und die Elektrodenanschlussflecken32 vor Feuchtigkeit und Fremdstoffen zu schützen. -
2 ist eine Draufsicht auf die Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform. Das vergossene Harz36 wurde in2 weggelassen. Wie in2 gezeigt ist, ist das Polysilizium22 zwischen der Sensoreinheit und den Elektrodenanschlussflecken32 und zwischen den Elektrodenanschlussflecken32 ausgebildet. -
3 ist ein Flussdiagramm, welches ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform veranschaulicht. Das Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung10 wird mit Bezug auf3 beschrieben. Das Verfahren beginnt durch Ausbilden des Polysiliziums22 auf der Nitridschicht20 (Schritt50 ).4 ist eine Darstellung, welche das Polysilizium22 zeigt, nachdem es auf der Nitridschicht20 ausgebildet wurde. - Als nächstes wird eine Opferschicht
70 auf der Nitridschicht20 ausgebildet (Schritt52 ). Die Opferschicht70 wird dazu verwendet, die Formen des beweglichen Teils24 , der Stützen26 und des Dichtelements28 zu definieren. Die Opferschicht70 wird nach der Verwendung entfernt.5 ist eine Darstellung, welche die Opferschicht70 nach ihrer Ausbildung zeigt. - Der bewegliche Teil
24 , die Stützen26 und das Dichtelement28 werden anschließend ausgebildet (Schritt54 ). Der bewegliche Teil24 , die Stützen26 und das Dichtelement28 sind Leiter.6 ist eine Darstellung, welche den beweglichen Teil24 , die Stützen26 und das Dichtelement28 nach deren Ausbildung zeigt. Als nächstes werden die Elektrodenanschlussflecken32 ausgebildet (Schritt56 ).7 ist eine Darstellung, welche die Elektrodenanschlussflecken32 nach deren Ausbildung zeigt. - Dann wird die Opferschicht
70 entfernt (Schritt58 ). Genauer ausgedrückt, wird die Opferschicht70 durch Ätzen in Fluorwasserstoffsäure entfernt. Zu diesem Zeitpunkt verbleibt das Polysilizium22 , da es durch die Behandlung mit Fluorwasserstoffsäure nicht geätzt wird.8 ist eine Darstellung, welche die Struktur zeigt, nachdem die Opferschicht70 durch die Fluorwasserstoffsäure weggeätzt wurde. - Als nächstes wird die Glasabdeckung
30 auf dem Dichtelement28 angebracht (Schritt60 ).9 ist eine Darstellung, welche die Glasabdeckung30 veranschaulicht, nachdem sie angebracht wurde. Schließlich wird der vergossene Harzabschnitt36 ausgebildet (Schritt62 ). Somit wird durch das Verfahren die Halbleitervorrichtung10 , welche in1 gezeigt ist, hergestellt. - Im Übrigen wurde herausgefunden, dass sich das vergossene Harz, wenn ein solches existiert, das die Schichten bedeckt, ablösen kann, da Nitridschichten eine hohe Zugeigenspannung aufweisen. Jedoch verhindert die Konstruktion der Halbleitervorrichtung
10 der ersten Ausführungsform das Ablösen des vergossenen Harzes. Im Übrigen wird, da das Polysilizium22 auf der Nitridschicht20 ausgebildet ist, die Zugeigenspannung in der Nitridschicht20 durch die Druckeigenspannung im Polysilizium22 ausgeglichen oder reduziert. Mit dieser Anordnung wird das vergossene Harz36 bereitgestellt, um das Polysilizium22 , das einen relativ geringen Zug aufweist, zu bedecken. Deshalb verhindert diese Konstruktion der Halbleitervorrichtung10 das Ablösen des vergossenen Harzes36 , welches die Nitridschicht20 bedeckt. - Das Polysilizium
22 ist zwischen der Sensoreinheit und den Elektrodenanschlussflecken32 und zwischen den Elektrodenanschlussflecken32 ausgebildet, wie vorstehend mit Bezug auf2 beschrieben. Deshalb wird bei der Halbleitervorrichtung10 der ersten Ausführungsform das Ablösen des vergossenen Harzes zwischen der Sensoreinheit und den Elektrodenanschlussflecken32 verhindert, wodurch ein Kurzschluss zwischen der Sensoreinheit und den Elektrodenanschlussflecken32 verhindert wird. Darüber hinaus wird auch das Ablösen des vergossenen Harzes zwischen den Elektrodenanschlussflecken32 verhindert, wodurch ein Kurzschluss zwischen diesen Elektrodenanschlussflecken verhindert wird. - Um das Ablösen des vergossenen Harzes zu verhindern, muss auch das Auswählen der Linearexpansionskoeffizienten des vergossenen Harzes und der Materialien, die mit dem vergossenen Harz in Kontakt sind, mit Sorgfalt erfolgen. Bei der Halbleitervorrichtung
10 der ersten Ausführungsform weisen das vergossene Harz36 , das Polysilizium22 und die Nitridschicht20 die Linearexpansionskoeffizienten von etwa 17 ppm/K, 2,5 ppm/K bzw. 2,8 ppm/K auf. Somit ist der Linearexpansionskoeffizient des vergossenen Harzes36 nahe an demjenigen des Polysiliziums22 und an demjenigen der Nitridschicht20 , die mit dem vergossenen Harz36 in Kontakt sind, wodurch die Möglichkeit des Ablösens des vergossenen Harzes36 aufgrund einer Differenz zwischen den Linearexpansionskoeffizienten des vergossenen Harzes36 und der benachbarten Materialien eliminiert wird. - Das Polysilizium
22 ist durch Fluorwasserstoffsäure nicht ätzbar, wodurch es ermöglicht wird, dass das Polysilizium22 vor der Fluorwasserstoffsäurebehandlung ausgebildet wird. Dies bedeutet, dass das Polysilizium22 auf der Oberfläche der Nitridschicht20 genau nach der Ausbildung der Schicht ausgebildet werden kann, wenn die Oberfläche im Wesentlichen flach ist. Dies erleichtert das Verarbeiten des Polysiliziums22 , wie beispielsweise die Strukturierung des Polysiliziums22 . -
10 ist eine Draufsicht auf eine nicht erfindungsgemäße Variante der Halbleitervorrichtung. In dieser Halbleitervorrichtung ist Polysilizium72 so ausgebildet, dass es die Elektrodenanschlussflecken32 umgibt. Dies verhindert das Ablösen des vergossenen Harzes um die Elektrodenanschlussflecken32 herum.11 ist eine Draufsicht auf eine Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform. In dieser Halbleitervorrichtung ist Polysilizium74 so ausgebildet, dass es die Sensoreinheit und die Elektrodenanschlussflecken32 umgibt. Dies verhindert das Ablösen des vergossenen Harzes um die Sensoreinheit und um die Elektrodenanschlussflecken32 herum. - Obwohl die Halbleitervorrichtung
10 ein Beschleunigungssensor ist, ist anzumerken, dass die Erfindung nicht auf diese besondere Art von Halbleitervorrichtungen beschränkt ist. D. h., die Erfindung kann in einer großen Vielzahl anderer Verwendungen eingesetzt werden, in denen ein vergossenes Harz über einer Nitridschicht vorhanden ist. Darüber hinaus kann die Sensoreinheit der ersten Ausführungsform unter Einsatz einer beliebigen geeigneten Vorrichtung implementiert werden. - Obwohl in der Halbleitervorrichtung
10 der ersten Ausführungsform das Polysilizium22 als Ablöseverhinderungsschicht zum Verhindern des Ablösens des vergossenen Harzes36 eingesetzt wird, ist anzumerken, dass die Erfindung nicht auf dieses spezielle Material beschränkt ist. Es ist anzumerken, dass die Ablöseverhinderungsschicht die folgenden Eigenschaften aufweisen muss: Druckeigenspannung; einen Linearexpansionskoeffizienten, der nahe bei demjenigen der Nitridschicht und des vergossenen Harzes liegt; und keine Ätzbarkeit durch Fluorwasserstoffsäure. Deshalb kann jede Art von Ablöseverhinderungsschicht, die diese Eigenschaften aufweist, verwendet werden. Beispielsweise kann die Ablöseverhinderungsschicht eine amorphe Siliziumschicht sein. Es ist weiter anzumerken, dass die Ablöseverhinderungsschicht aus einem Material sein kann, das durch Fluorwasserstoffsäure ätzbar ist, wenn die Schicht nicht vor der Behandlung mit Fluorwasserstoffsäure ausgebildet werden muss. -
12 ist eine Querschnittsansicht einer Halbleitervorrichtung76 gemäß einer zweiten nicht erfindungsgemäßen Variante. Die folgende Beschreibung dieser Halbleitervorrichtung76 ist nur auf die Unterschiede zur Halbleitervorrichtung10 der ersten Ausführungsform gerichtet, da diese Halbleitervorrichtungen viele Merkmale gemein haben. Die Halbleitervorrichtung76 umfaßt Polysilizium78 . Das Polysilizium78 ist nicht nur zwischen der Sensoreinheit und den Elektrodenanschlussflecken32 ausgebildet, sondern auch unmittelbar unterhalb des Dichtelements28 . Dies bedeutet, dass sowohl die Nitridschicht20 als auch das Polysilizium78 zwischen dem Dichtelement28 und der Verdrahtungsschicht16 ausgebildet sind. - In der Halbleitervorrichtung der zweiten Variante sind, selbst wenn die Nitridschicht
20 Defekte wie z. B. Poren aufweist, diese durch das Polysilizium78 mit hohem Widerstand bedeckt werden, welches nach der Ausbildung der Nitridschicht20 ausgebildet wird. Dies verhindert zuverlässig einen Kurzschluss zwischen dem Dichtelement28 und der Verdrahtungsschicht16 , obwohl die Verdrahtungsschicht16 direkt unterhalb des Dichtelements28 liegt. Es ist anzumerken, dass die Halbleitervorrichtung76 Änderungen unterzogen werden kann, die gleich denjenigen sind, welche an der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform vorgenommen werden können, oder welche diesen entsprechen, woraus entsprechend zur ersten Ausführungsform erfindungsgemäße oder nicht erfindungsgemäße Varianten der Halbleitervorrichtung der zweiten Ausführungsform resultieren. - Somit ermöglicht es die Erfindung, das Ablösen des vergossenen Harzes zu verhindern, das eine Nitridschicht bedeckt, welche als Oberflächenschutzschicht ausgebildet ist.
Claims (6)
- Halbleitervorrichtung (
10 ), aufweisend: ein Substrat (18 ); ein Element (24 ,26 ,28 ,30 ), das auf dem Substrat (18 ) ausgebildet ist; eine Nitridschicht (20 ), die auf dem Substrat (18 ) ausgebildet ist; eine Ablöseverhinderungsschicht (22 ), welche unmittelbar auf der Nitridschicht (20 ) ausgebildet ist; und ein vergossenes Harz (36 ), welches unmittelbar die Ablöseverhinderungsschicht (22 ) und das Element (24 ,26 ,28 ,30 ) bedeckt; wobei die Ablöseverhinderungsschicht (22 ) eine Druckeigenspannung aufweist und ein Polysilizium oder amorphes Silizium ist, wobei die Halbleitervorrichtung weiter eine Mehrzahl an Elektrodenanschlussflecken (32 ), die auf dem Substrat (18 ) ausgebildet und mit dem vergossenen Harz (36 ) bedeckt sind, aufweist, wobei die Ablöseverhinderungsschicht (22 ) zwischen dem Element (24 ,26 ,28 ,30 ) und der Mehrzahl an Elektrodenanschlussflecken (32 ) und zwischen den einzelnen der Mehrzahl an Elektrodenanschlussflecken (32 ) zusammenhängend so ausgebildet ist, dass sie das Element und die Mehrzahl an Elektrodenanschlussflecken umschließt. - Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Ablöseverhinderungsschicht (
72 ) so ausgebildet ist, dass sie die Mehrzahl an Elektrodenanschlussflecken (32 ) umgibt. - Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Ablöseverhinderungsschicht (
74 ) so ausgebildet ist, dass sie die Mehrzahl an Elektrodenanschlussflecken (32 ) und das Element (24 ,26 ,28 ,30 ) umgibt. - Halbleitervorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass: das Element (
24 ,26 ,28 ,30 ) eine Sensoreinheit eines Beschleunigungssensors ist; das Substrat (18 ) eine Verdrahtungsschicht (16 ) aufweist, die darin ausgebildet ist; die Sensoreinheit elektrisch mit der Mehrzahl an Elektrodenanschlussflecken (32 ) durch die Verdrahtungsschicht (16 ) verbunden ist; und die Ablöseverhinderungsschicht (22 ) durch Fluorwasserstoffsäure nicht ätzbar ist. - Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass: das Element (
24 ,26 ,28 ,30 ) einen Leiter (28 ) aufweist, der auf der Ablöseverhinderungsschicht (78 ) ausgebildet ist; und in dem Substrat (18 ) eine Verdrahtungsschicht (16 ) ausgebildet ist, welche direkt unterhalb des Leiters liegt. - Verfahren, bei dem eine Halbleitervorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche hergestellt wird, aufweisend die folgenden Schritte: Ausbilden einer Nitridschicht (
20 ) auf einem Substrat (18 ); Ausbilden eines Polysiliziums (22 ) oder amorphen Siliziums auf einem Teil der Nitridschicht; Ausbilden einer Opferschicht (70 ) auf der Nitridschicht und dem Polysilizium oder dem amorphen Silizium; Ausbilden eines Leiters (24 ,26 ,28 ) unter Verwendung der Opferschicht (70 ); Entfernen der Opferschicht (70 ) mit Fluorwasserstoffsäure; und Gießen eines Harzes (36 ) auf das Polysilizium (22 ) oder das amorphe Silizium.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010-131964 | 2010-06-09 | ||
JP2010131964A JP5540911B2 (ja) | 2010-06-09 | 2010-06-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102011075365A1 DE102011075365A1 (de) | 2011-12-15 |
DE102011075365B4 true DE102011075365B4 (de) | 2016-06-09 |
Family
ID=45020205
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102011075365.6A Active DE102011075365B4 (de) | 2010-06-09 | 2011-05-05 | Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8390121B2 (de) |
JP (1) | JP5540911B2 (de) |
KR (1) | KR20110134830A (de) |
CN (1) | CN102280416B (de) |
DE (1) | DE102011075365B4 (de) |
TW (1) | TWI431731B (de) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5842929B2 (ja) * | 2011-11-22 | 2016-01-13 | 富士通株式会社 | 電子部品およびその製造方法 |
US9025294B2 (en) * | 2012-02-24 | 2015-05-05 | Hamilton Sundstrand Corporation | System and method for controlling solid state circuit breakers |
US9176089B2 (en) | 2013-03-29 | 2015-11-03 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Integrated multi-sensor module |
US9618653B2 (en) | 2013-03-29 | 2017-04-11 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Microelectronic environmental sensing module |
US9082681B2 (en) | 2013-03-29 | 2015-07-14 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Adhesive bonding technique for use with capacitive micro-sensors |
GB2514547A (en) * | 2013-05-23 | 2014-12-03 | Melexis Technologies Nv | Packaging of semiconductor devices |
US9000542B2 (en) * | 2013-05-31 | 2015-04-07 | Stmicroelectronics Pte Ltd. | Suspended membrane device |
US10254261B2 (en) | 2016-07-18 | 2019-04-09 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Integrated air quality sensor that detects multiple gas species |
US10429330B2 (en) | 2016-07-18 | 2019-10-01 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Gas analyzer that detects gases, humidity, and temperature |
US10557812B2 (en) | 2016-12-01 | 2020-02-11 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Gas sensors |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030159513A1 (en) * | 2002-02-18 | 2003-08-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor acceleration sensor |
DE10196531B4 (de) * | 2001-06-21 | 2005-06-30 | Mitsubishi Denki K.K. | Beschleunigungssensor und Herstellungsverfahren dafür |
DE102005028704A1 (de) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil mit in Kunststoffgehäusemasse eingebetteten Halbleiterbauteilkomponenten |
JP2007322271A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | 慣性力センサ及びその製造方法 |
JP2008089327A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2649157B2 (ja) | 1987-03-10 | 1997-09-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JPH06104268A (ja) | 1992-09-21 | 1994-04-15 | Mitsubishi Electric Corp | ゲッタリング効果を持たせた半導体基板およびその製造方法 |
JPH06267935A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH07297560A (ja) | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Hitachi Ltd | 多層プリント配線基板およびその実装構造体 |
JPH08178768A (ja) * | 1994-12-20 | 1996-07-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 力学量センサ |
JPH08316442A (ja) * | 1995-05-24 | 1996-11-29 | Mitsubishi Materials Corp | Soi基板及びその製造方法 |
JP3050193B2 (ja) * | 1997-11-12 | 2000-06-12 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6049365A (en) * | 1998-05-07 | 2000-04-11 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Liquid crystal displaying apparatus with a converter not exposed to liquid crystal |
JP2001119040A (ja) | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Denso Corp | 半導体力学量センサとその製造方法 |
CN1795610B (zh) | 2003-05-26 | 2011-11-16 | 株式会社村田制作所 | 压电电子元件,其制造工序,和通信装置 |
JP4608993B2 (ja) * | 2004-08-06 | 2011-01-12 | ソニー株式会社 | 微小電気機械素子とその製造方法、及び電子機器 |
JP2006310508A (ja) | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4633574B2 (ja) * | 2005-08-08 | 2011-02-16 | 三菱電機株式会社 | 薄膜構造体およびその製造方法 |
JP2007274096A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Yamaha Corp | ダイヤフラム及びその製造方法 |
KR101004574B1 (ko) * | 2006-09-06 | 2010-12-30 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 반도체 센서 장치 및 그 제조 방법 |
JP2009016717A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2010
- 2010-06-09 JP JP2010131964A patent/JP5540911B2/ja active Active
-
2011
- 2011-02-09 TW TW100104251A patent/TWI431731B/zh active
- 2011-02-11 US US13/025,633 patent/US8390121B2/en active Active
- 2011-05-05 DE DE102011075365.6A patent/DE102011075365B4/de active Active
- 2011-06-01 KR KR1020110052558A patent/KR20110134830A/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-06-08 CN CN201110165501.1A patent/CN102280416B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10196531B4 (de) * | 2001-06-21 | 2005-06-30 | Mitsubishi Denki K.K. | Beschleunigungssensor und Herstellungsverfahren dafür |
US20030159513A1 (en) * | 2002-02-18 | 2003-08-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor acceleration sensor |
DE102005028704A1 (de) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil mit in Kunststoffgehäusemasse eingebetteten Halbleiterbauteilkomponenten |
JP2007322271A (ja) * | 2006-06-01 | 2007-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | 慣性力センサ及びその製造方法 |
JP2008089327A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Mitsubishi Electric Corp | 加速度センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102280416B (zh) | 2014-04-09 |
KR20110134830A (ko) | 2011-12-15 |
CN102280416A (zh) | 2011-12-14 |
TWI431731B (zh) | 2014-03-21 |
JP2011258751A (ja) | 2011-12-22 |
US20110303992A1 (en) | 2011-12-15 |
TW201208009A (en) | 2012-02-16 |
DE102011075365A1 (de) | 2011-12-15 |
US8390121B2 (en) | 2013-03-05 |
JP5540911B2 (ja) | 2014-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102011075365B4 (de) | Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür | |
DE102014114014B4 (de) | Drucksensor-Package mit integrierter Dichtung sowie Herstellungsverfahren dafür | |
DE10324139B4 (de) | Mikroelektromechanisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE68910738T2 (de) | Hohle Plastikpackung für Halbleiteranordnungen. | |
DE102013217349B4 (de) | Mikromechanische Sensoranordnung und entsprechendes Herstellungsverfahren | |
DE10216019A1 (de) | Behälter für Halbleitersensor, Verfahren zu dessen Herstellung und Halbleitersensorvorrichtung | |
DE102019117326A1 (de) | Mikroelektromechanische Struktur enthaltendes Halbleiterbauelement; MEMS-Sensor und Verfahren | |
DE102007054717B4 (de) | Transmitter und Verfahren zur Herstellung eines Transmitters | |
DE19936610B4 (de) | Halbleiterbeschleunigungssensor und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE102011053434A1 (de) | Bauteil zur Verwendung als doppelseitiges Sensorgehäuse | |
DE102014202821A1 (de) | Gehäuse für ein mikromechanisches Sensorelement | |
DE102004027960B4 (de) | Elektrische Leistungs-Halbleitervorrichtung | |
DE102019127007B4 (de) | Stapel elektrischer bauelemente und verfahren zur herstellung desselben | |
DE102014217266A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE102011007228A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
EP1821091B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von elektronischen Bauelementen und Drucksensor | |
DE112018003765B4 (de) | Halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen der halbleitervorrichtung | |
DE102010008618A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE102010042382A1 (de) | Kontaktelement und Verwendung eines Kontaktelements in einem elektronischen Bauteil | |
DE102014203075A1 (de) | Magnetsensor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
EP3520585B1 (de) | Verfahren zum herstellen einer elektronischen baugruppe und elektronische baugruppe, insbesondere für ein getriebesteuermodul | |
DE102010038810B4 (de) | Verfahren zum Verkappen eines mikromechanischen Bauelements | |
DE102012219616B4 (de) | Mikromechanisches Bauelement mit Bondverbindung | |
DE19756179B4 (de) | Für einen Halbleiterchip-Baustein bestimmter Leiterrahmen mit einem vorgeformten Montageplatz aus einer Epoxid-Giessverbindung | |
DE102020122784B4 (de) | Leistungselektronische Schalteinrichtung mit einem dreidimensional vorgeformten Isolationsformkörper und Verfahren zu deren Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R084 | Declaration of willingness to licence | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |