DE102011007228A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents
Halbleitervorrichtung Download PDFInfo
- Publication number
- DE102011007228A1 DE102011007228A1 DE102011007228A DE102011007228A DE102011007228A1 DE 102011007228 A1 DE102011007228 A1 DE 102011007228A1 DE 102011007228 A DE102011007228 A DE 102011007228A DE 102011007228 A DE102011007228 A DE 102011007228A DE 102011007228 A1 DE102011007228 A1 DE 102011007228A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- housing
- cover
- projection
- base plate
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Eine Halbleitervorrichtung weist Folgendes auf: eine Grundplatte (10); ein Gehäuse (12) auf der Grundplatte (10); einen Vorsprung (14) auf einer Innenwand des Gehäuses (12); eine Halbleiterelement (18) auf der Grundplatte (10) in dem Gehäuse (12); einen Anschluss (20, 22), welcher vom Vorsprung (14) gehalten wird und mit dem Halbleiterelement (18) verbunden ist; Gel (26), welches in das Gehäuse (12) injiziert ist; eine Abdeckung (28), welche an dem Gehäuse (12) angebracht ist und das Halbleiterelement (18) und das Gel (26) einkapselt; und eine Stütze (30) mit einem Bodenende, das die Grundplatte (10) berührt, und einem Kopfende, das eine untere Oberfläche der Abdeckung (28) berührt, und welche die Abdeckung (28) am Gehäuse (12) befestigt, wobei eine kopfseitige Oberfläche des Vorsprungs (14) getrennt von der unteren Oberfläche der Abdeckung (28) ist.
Description
- Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung, bei der das Innere eines Gehäuses mit Gel gefüllt und durch eine Abdeckung verkapselt ist, und insbesondere eine Halbleitervorrichtung, welche es ermöglicht zu verhindern, dass das Silikongel nach oben zur Kopfseite der Abdeckung kriecht.
- Um Isolationseigenschaften zu gewährleisten, wird eine Halbleitervorrichtung verwendet, welche durch Anbringung eines Halbleiterelements in einem Gehäuse, dessen Inneres mit Gel gefüllt und durch einen Deckel abgekapselt ist, konfiguriert (siehe
JP-A-2004-103936 - Es existiert das Problem, dass, wenn das Gel gehärtet wird, es aufgrund der Kapillarkräfte durch einen Spalt zwischen dem Gehäuse und der Abdeckung nach oben zur Kopfseite der Abdeckung kriecht.
- Im Hinblick auf die vorstehend erwähnten Probleme ist es eine Aufgabe der Erfindung, eine Halbleitervorrichtung anzugeben, welche es ermöglicht zu verhindern, dass das Silikongel nach oben zur Kopfseite der Abdeckung kriecht.
- Diese Aufgabe wird durch eine Halbleitervorrichtung gemäß den unabhängigen Ansprüchen 1 und 3 gelöst. Bevorzugte Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
- Gemäß der Erfindung umfaßt eine Halbleitervorrichtung Folgendes: eine Grundplatte; eine Gehäuse auf der Grundplatte; einen Vorsprung auf einer Innenwand des Gehäuses; ein Halbleiterelement auf der Grundplatte in dem Gehäuse; einen Anschluss, der durch den Vorsprung gehalten wird und mit dem Halbleiterelement verbunden ist; Gel, das in das Gehäuse injiziert ist; eine Abdeckung, welche an dem Gehäuse angebracht ist und das Halbleiterelement und das Gel einkapselt; eine Stütze, welche ein Bodenende, das die Grundplatte berührt, und ein kopfseitiges Ende, das eine untere Oberfläche der Abdeckung berührt, aufweist und die Abdeckung am Gehäuse befestigt, wobei eine kopfseitige Oberfläche des Vorsprungs getrennt von der unteren Oberfläche des Abdeckung ist.
- Die Erfindung ermöglicht es zu verhindern, dass das Silikongel nach oben zur Kopfseite der Abdeckung kriecht.
- Andere und weitere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der Erfindung gehen vollständiger aus der folgenden Beschreibung hervor.
- Kurze Beschreibung der Zeichnungen
-
1 ist eine Querschnittsansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform veranschaulicht. -
2 ist eine perspektivische Ansicht, welche das Innere eines Gehäuses der in1 gezeigten Halbleitervorrichtung veranschaulicht. -
3 ist eine perspektivische Ansicht, welche eine Situation veranschaulicht, in der ein Anschluss an dem in1 gezeigten Gehäuse angebracht wird. -
4 ist eine Querschnittsansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel veranschaulicht. -
5 ist eine Querschnittsansicht, welche ein modifiziertes Beispiel der Halbleitervorrichtung der ersten Ausführungsform veranschaulicht. -
6 ist eine perspektivische Ansicht, welche die untere Oberfläche der Abdeckung der in5 gezeigten Halbleitervorrichtung veranschaulicht. -
7 ist eine Querschnittsansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform veranschaulicht. - Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
- Eine Halbleitervorrichtung gemäß den Ausführungsformen der Erfindung wird mit Bezug auf die Zeichnungen beschrieben. Die gleichen Komponenten werden durch die gleichen Symbole gekennzeichnet und die Wiederholung ihrer Beschreibung wird ausgelassen.
- Erste Ausführungsform
-
1 ist eine Querschnittsansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführungsform veranschaulicht.2 ist eine perspektivische Ansicht, welche das Innere eines Gehäuses der in1 gezeigten Halbleitervorrichtung veranschaulicht.3 ist eine perspektivische Ansicht, welche eine Situation veranschaulicht, in der ein Anschluss an dem in1 gezeigten Gehäuse angebracht wird. - Ein Muttergehäuse bzw. Hauptgehäuse
12 ist auf einer Grundplatte10 vorhanden. Ein Vorsprung14 ist auf einer Innenwand des Muttergehäuses12 vorhanden. In dem Muttergehäuse12 ist ein Halbleiterelement18 mittels eines isolierenden Substrats16 auf der Grundplatte10 bereitgestellt bzw. angebracht. - Wie in
3 gezeigt ist, können ein Stecker20 oder ein Anschlussstift und Schraubblockanschluss bzw. eine Schraubblockklemme22 frei in den Vorsprung14 , der auf der Innenwand des Muttergehäuses12 ausgebildet ist, eingeschoben werden. Der Vorsprung14 hält den Stecker20 und die Schraubblockklemme22 . Der Stecker20 und die Schraubblockklemme22 sind über Drähte24 mit dem Halbleiterelement18 verbunden. Das Innere des Muttergehäuses12 ist mit Silikongel26 gefüllt. Eine Abdeckung28 ist an dem Muttergehäuse12 angebracht. Die Abdeckung28 kapselt das Halbleiterelement18 und das Silikongel26 ein. - Darüber hinaus ist eine Stütze
30 im Muttergehäuse12 gemäß dieser Ausführungsform vorhanden. Das Bodenende der Stütze30 berührt die Grundplatte10 und das kopfseitige Ende der Stütze30 berührt die untere Oberfläche (innere Oberfläche des Gehäuses) der Abdeckung28 . Die Stütze30 befestigt die Abdeckung28 am Muttergehäuse12 . Die kopfseitige Oberfläche bzw. Deckfläche des Muttergehäuses12 ist zu der kopfseitigen Oberfläche der Abdeckung28 ausgerichtet und die kopfseitige Oberfläche des Vorsprungs14 ist von der unteren Oberfläche der Abdeckung28 in diesem Zustand getrennt. Um die Herstellung und den Zusammenbau zu erleichtern, ist die Stütze30 vorzugsweise an der unteren Oberfläche der Abdeckung28 befestigt oder einstückig mit dieser ausgebildet. - Effekte der vorliegenden Ausführungsform werden in Bezug auf ein Vergleichsbeispiel beschrieben.
4 ist eine Querschnittsansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einem Vergleichsbeispiel veranschaulicht. In dem Vergleichsbeispiel stützt der Vorsprung14 auf der Innenwand des Muttergehäuses12 die Bodenoberfläche der Abdeckung28 . Deshalb kriecht das Silikongel26 , wenn es aushärtet, nach oben zur Kopfseite der Abdeckung28 , indem es aufgrund von Kapillarkräften durch den Spalt zwischen der kopfseitigen Oberfläche des Vorsprungs14 und der unteren Oberfläche der Abdeckung28 und den Spalt zwischen der Innenwand des Muttergehäuses12 und der Außenwand der Abdeckung28 tritt. - Andererseits ist gemäß der vorliegenden Ausführungsform der Kontaktteil zwischen dem Muttergehäuse
12 und der Abdeckung28 von der kopfseitigen Oberfläche des Silikongels26 getrennt. Ein Zwischenraum32 zwischen der kopfseitigen Oberfläche des Vorsprungs14 und der unteren Oberfläche der Abdeckung28 stellt einen Rückhalteabschnitt für das Gel dar. Dies verhindert, dass das Silikongel26 nach oben zur Kopfseite der Abdeckung28 kriecht. -
5 ist eine Querschnittsansicht, welche ein Modifikationsbeispiel einer Halbleitervorrichtung gemäß der ersten Ausführungsform zeigt.6 ist eine perspektivische Ansicht, welche die untere Oberseite der Abdeckung der Halbleitervorrichtung, die in5 gezeigt ist, veranschaulicht. Um die Stütze30 herum ist eine Wand34 auf der unteren Oberfläche der Abdeckung28 von der Stütze30 getrennt vorhanden. Selbst wenn das Silikongel26 , das die Stütze30 entlang nach oben kriecht, die untere Oberfläche der Abdeckung28 erreicht, bewegt sich das Silikongel26 entlang der Wand34 und fällt nach unten. Dies gewährleistet weiter, dass verhindert wird, dass das Silikongel26 nach oben zur Kopfseite der Abdeckung28 kriecht. - Zweite Ausführungsform
-
7 ist eine Querschnittsansicht, welche eine Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform zeigt. Bei dieser Ausführungsform ist eine Gummidichtung36 anstelle der Stütze30 der ersten Ausführungsform vorhanden. Die Gummidichtung36 füllt den Spalt zwischen der Innenwand des Muttergehäuses12 und der Außenwand der Abdeckung28 und befestigt auch die Abdeckung28 an dem Muttergehäuse12 . Dies kann verhindern, dass das Silikongel26 nach oben zur Kopfseite der Abdeckung28 kriecht. - Darüber hinaus ist, wenn die Abdeckung
28 am Muttergehäuse12 durch die Gummidichtung36 befestigt ist, die kopfseitige Oberfläche des Vorsprungs14 vorzugsweise getrennt von der unteren Oberfläche der Abdeckung28 . Dies gewährleistet weiter, dass verhindert wird, dass das Silikongel26 nach oben zur Kopfseite der Abdeckung28 kriecht. - Der gleiche Effekt wird ungeachtet der Tatsache erhalten, ob die Gummidichtung
36 an der Abdeckung28 oder dem Muttergehäuse12 angebracht ist. - ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
- Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
- Zitierte Patentliteratur
-
- JP 2004-103936 A [0002]
Claims (4)
- Halbleitervorrichtung, aufweisend: eine Grundplatte (
10 ); ein Gehäuse (12 ) auf der Grundplatte (10 ); einen Vorsprung (14 ) auf einer Innenwand des Gehäuses (12 ); ein Halbleiterelement (18 ) auf der Grundplatte (10 ) in dem Gehäuse (12 ); einen Anschluss (20 ,22 ), welcher vom Vorsprung (14 ) gehalten wird und mit dem Halbleiterelement (18 ) verbunden ist; Gel (26 ), welches in das Gehäuse (12 ) injiziert ist; eine Abdeckung (28 ), welche an dem Gehäuse (12 ) angebracht ist und das Halbleiterelement (18 ) und das Gel (26 ) einkapselt; und eine Stütze (30 ) mit einem Bodenende, das die Grundplatte (10 ) berührt, und einem Kopfende, das eine untere Oberfläche der Abdeckung (28 ) berührt, wobei die Stütze (30 ) die Abdeckung (28 ) am Gehäuse (12 ) befestigt, wobei eine kopfseitige Oberfläche des Vorsprungs (14 ) getrennt von der unteren Oberfläche der Abdeckung (28 ) ist. - Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, weiter aufweisend eine Wand (
34 ) auf der unteren Oberfläche der Abdeckung (28 ) getrennt von der Stütze (30 ) um die Stütze (30 ) herum. - Halbleitervorrichtung, aufweisend: eine Grundplatte (
10 ); ein Gehäuse (12 ) auf der Grundplatte (10 ); ein Halbleiterelement (18 ) auf der Grundplatte (10 ) in dem Gehäuse (12 ); Gel (26 ), das in das Gehäuse (12 ) injiziert ist; eine Abdeckung (28 ), welche an dem Gehäuse (12 ) angebracht ist und das Halbleiterelement (18 ) und das Gel (26 ) einkapselt; und eine Gummidichtung (26 ), welche einen Spalt zwischen einer Innenwand des Gehäuses (12 ) und einer äußeren Wand der Abdeckung (28 ) füllt und die Abdeckung (28 ) am Gehäuse (12 ) befestigt. - Halbleitervorrichtung nach Anspruch 3, weiter aufweisend: einen Vorsprung (
14 ) auf einer Innenwand des Gehäuses (12 ); und einen Anschluss (20 ,22 ), welcher vom Vorsprung (14 ) gehalten wird und mit dem Halbleiterelement (18 ) verbunden ist, wobei eine kopfseitige Oberfläche des Vorsprungs (14 ) getrennt von einer unteren Oberfläche der Abdeckung (28 ) ist.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010115526A JP5229271B2 (ja) | 2010-05-19 | 2010-05-19 | 半導体装置 |
JP2010-115526 | 2010-05-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102011007228A1 true DE102011007228A1 (de) | 2011-11-24 |
DE102011007228B4 DE102011007228B4 (de) | 2019-08-22 |
Family
ID=44900590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102011007228.4A Active DE102011007228B4 (de) | 2010-05-19 | 2011-04-12 | Halbleitervorrichtung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5229271B2 (de) |
CN (1) | CN102254878B (de) |
DE (1) | DE102011007228B4 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4270469A1 (de) * | 2022-04-29 | 2023-11-01 | Infineon Technologies AG | Leistungshalbleitermodul |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101346650B (zh) | 2005-12-23 | 2010-09-29 | 3M创新有限公司 | 包含热塑性有机硅嵌段共聚物的多层膜 |
JP6848802B2 (ja) | 2017-10-11 | 2021-03-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP6861622B2 (ja) * | 2017-12-19 | 2021-04-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び電力変換装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004103936A (ja) | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 電力半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4079511A (en) * | 1976-07-30 | 1978-03-21 | Amp Incorporated | Method for packaging hermetically sealed integrated circuit chips on lead frames |
DE3308720A1 (de) | 1983-03-11 | 1984-09-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiterbauelement mit scheibenfoermigem gehaeuse |
JPS6329957A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-08 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の封止形態 |
JPS63164345A (ja) | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Nec Corp | 半導体集積回路用パツケ−ジ |
JPH02307250A (ja) * | 1989-05-23 | 1990-12-20 | Mitsubishi Electric Corp | 混成集積回路パツケージ |
JP3357220B2 (ja) | 1995-07-07 | 2002-12-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP4432319B2 (ja) | 2001-01-23 | 2010-03-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
EP1494278A1 (de) | 2003-07-04 | 2005-01-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektronisches Leistungsmodul mit Gummidichtung und entsprechendes Herstellungsverfahren |
CN100361317C (zh) * | 2004-02-27 | 2008-01-09 | 矽品精密工业股份有限公司 | 具有支撑体的感光半导体封装件及其制法 |
DK1768182T3 (da) | 2005-09-27 | 2011-09-19 | Semikron Elektronik Gmbh | Effekthalvledermodul med overstrømsbeskyttelsesindretning |
JP4242401B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2009-03-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
CN101101880A (zh) * | 2006-07-03 | 2008-01-09 | 矽品精密工业股份有限公司 | 散热型封装结构及其制法 |
JP4858336B2 (ja) * | 2007-07-10 | 2012-01-18 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
DE102008051560A1 (de) | 2007-10-18 | 2009-04-23 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleitermodul |
-
2010
- 2010-05-19 JP JP2010115526A patent/JP5229271B2/ja active Active
-
2011
- 2011-04-12 DE DE102011007228.4A patent/DE102011007228B4/de active Active
- 2011-04-15 CN CN201110104259.7A patent/CN102254878B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004103936A (ja) | 2002-09-11 | 2004-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | 電力半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4270469A1 (de) * | 2022-04-29 | 2023-11-01 | Infineon Technologies AG | Leistungshalbleitermodul |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102011007228B4 (de) | 2019-08-22 |
CN102254878A (zh) | 2011-11-23 |
JP2011243798A (ja) | 2011-12-01 |
JP5229271B2 (ja) | 2013-07-03 |
CN102254878B (zh) | 2015-01-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102017212238A1 (de) | Bürstenloser gleichstrommotor mit eingebautem inverter | |
DE102014118044A1 (de) | Elektronische Steuervorrichtung für ein Kraftfahrzeug unter Verwendung eines Kopplungsgliedes sowie Verfahren zu deren Herstellung | |
DE102010030326A1 (de) | Befestigung von Einzelmagneten eines Maschinenteils einer elektrischen Maschine | |
DE2712543A1 (de) | In harz vergossene halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE112014001079T5 (de) | Kabelstrang | |
DE112008001928T5 (de) | Steckverbinder | |
DE102011075365A1 (de) | Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür | |
DE102013002629A1 (de) | Deckelelement und Gehäusevorrichtung zur Verwendung des Deckelelements | |
DE102018214519A1 (de) | Aufbau zum temporären Halten eines Anschlusses | |
DE102011007228A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE102014200015B4 (de) | Wasserdichter Hauptanschluss | |
EP2850700A1 (de) | Steckverbindergehäuse und steckverbinder | |
DE102014206453A1 (de) | Elektronische Steuereinheit | |
DE60104575T2 (de) | Bürstenhalteranordnung | |
EP3477777A1 (de) | Elektrische leitung mit schirmausleitung | |
DE102017219080A1 (de) | Verbinder | |
DE102014217266A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
DE2655127A1 (de) | Kabelklemme | |
DE102017100490A1 (de) | Rohrmontagekomponente und Anordnung mit einem Rohrende | |
DE102007007224A1 (de) | Leistungshalbleitermodul | |
DE2257888A1 (de) | Abschlussleiste fuer steckbare bauelemente | |
DE102014217596A1 (de) | Schwingungsfeste Elektronikbauteilanordnung | |
DE102011085313B4 (de) | Halbleitervorrichtung | |
EP3734782B1 (de) | Kabeldurchführung | |
DE3122611A1 (de) | Verschlusskappe fuer elektrische kontaktsysteme |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R012 | Request for examination validly filed | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R084 | Declaration of willingness to licence | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |