DE10324139B4 - Mikroelektromechanisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
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Abstract
Mikroelektromechanisches
Bauteil, das folgende Merkmale aufweist:
– einen Halbleiterchip (2) mit
– einem druckempfindlichen Bereich (3) auf seiner aktiven Oberseite (4)
– einer gummielastischen Schicht (5) auf dem druckempfindlichen Bereich (3)
– Kontaktflächen (6) außerhalb des druckempfindlichen Bereichs (3),
– ein vorgefertigtes Gehäuse (7) mit elektrischen Verbindungen (8) zwischen Außenanschlüssen (9) des Bauteils (1) und den Kontaktflächen (6) des Halbleiterchips (2)
– eine gummielastische Abdeckung (10), welche die Oberseite (4) des Halbleiterchips (2), Teilbereiche der elektrische Verbindungen im Inneren des Hohlraumgehäuses und Innenseiten (11) des Hohlraumgehäuses (7) abdeckt,
– eine Kunststoffumhüllung (12), welche die gummielastische Abdeckmasse der Abdeckung (4,10) umhüllt und eine Öffnung (14) zu der gummielastischen Schicht (5) auf dem druckempfindlichen Bereich (3) des Halbleiterchips (2) aufweist,
dadurch gekennzeichnet, dass
das vorgefertigte Gehäuse (7) ein einseitig offenes Hohlraumgehäuse ist und die gummielastische Schicht (5) gegenüber der gummielastischen Abdeckung (10) vergleichsweise...
– einen Halbleiterchip (2) mit
– einem druckempfindlichen Bereich (3) auf seiner aktiven Oberseite (4)
– einer gummielastischen Schicht (5) auf dem druckempfindlichen Bereich (3)
– Kontaktflächen (6) außerhalb des druckempfindlichen Bereichs (3),
– ein vorgefertigtes Gehäuse (7) mit elektrischen Verbindungen (8) zwischen Außenanschlüssen (9) des Bauteils (1) und den Kontaktflächen (6) des Halbleiterchips (2)
– eine gummielastische Abdeckung (10), welche die Oberseite (4) des Halbleiterchips (2), Teilbereiche der elektrische Verbindungen im Inneren des Hohlraumgehäuses und Innenseiten (11) des Hohlraumgehäuses (7) abdeckt,
– eine Kunststoffumhüllung (12), welche die gummielastische Abdeckmasse der Abdeckung (4,10) umhüllt und eine Öffnung (14) zu der gummielastischen Schicht (5) auf dem druckempfindlichen Bereich (3) des Halbleiterchips (2) aufweist,
dadurch gekennzeichnet, dass
das vorgefertigte Gehäuse (7) ein einseitig offenes Hohlraumgehäuse ist und die gummielastische Schicht (5) gegenüber der gummielastischen Abdeckung (10) vergleichsweise...
Description
- Die Erfindung betrifft ein mikroelektromechanisches Bauteil und ein Verfahren zu seiner Herstellung. Das mikroelektromechanische Bauteil weist einen Halbleiterchip mit einem druckempfindlichen Bereich auf. Der Halbleiterchip ist in einem vorgefertigten, einseitig offenen Hohlraumgehäuse angeordnet, wobei sein druckempfindlicher Bereich dem Außendruck durch das vorgefertigte einseitig offene Hohlraumgehäuse ausgesetzt werden kann.
- Ein derartiges elektronisches Bauteil ist aus der Druckschrift
DE 42 03 832 A1 bekannt. Der bekannte Halbleitersensor ist in einer äußeren Umhüllung aus Epoxidharz eingebettet, wobei der druckempfindliche Bereich in Form einer Membran auf der aktiven Oberseite des Halbleiters frei zugänglich ist. Der gesamte Halbleiterchip ist auf einem Träger, der ebenfalls in die Umhüllung eingegossen ist, angeordnet. Ein derartiger Sensor hat den Nachteil, dass er in aggressiven Medien nicht einsetzbar ist, zumal die druckempfindliche Fläche des Halbleiterchips ungeschützt der Umgebung ausgesetzt ist. - Ein weiteres mikroelektromechanisches Bauteil ist aus der Druckschrift
US 6,401,545 B1 bekannt, bei dem der druckempfindliche Bereich des Halbleiterchips durch eine gummielastische Abdeckung vor Beschädigungen und aggressiven Medien geschützt wird. - Aus der
US 6,254,815 B1 ist ein mikroelektromechanisches Bauteil und ein Verfahren zu seiner Herstellung gemäß dem Oberbegriff der Patentansprüche 1 und 4 bekannt, wobei das mikroelektronische Bauteil eine Kunststoffumhüllung aufweist, in der der Halbleiterchip in einer gummielastischen Kunststoffmasse eingebettet ist. Die zwei Seiten einer druckempfindlichen Membran sind dabei von dieser Kunststoffmasse umgeben, so dass während der Herstellung einer Kunststoffumhüllung der Druck auf den zwei Seiten der Membran ausgeglichen wird. - Aus der
DE 102 16 019 A1 ferner ein Gehäuse für ein Sensorbauteil bekannt, das ein einseitig offenes vorgefertigtes Hohlraumgehäuse mit einem Deckel ist. Die Oberseite des Behälters weist eine Nut auf, die überflüssiges Schutzmaterial auffangen kann, um eine zuverlässigere Befestigung des Deckels auf dem Behälter vorzusehen. - Eine derartige Lösung hat jedoch den Nachteil, dass diese Abdeckung den gesamten Hohlraum eines Hohlraumgehäuses abdeckt, und dass bei hohen Druckwechseln die gummielastische Schicht dazu neigt zu reißen und Luftblaseneinschlüsse zu bilden. Diese Luftblaseneinschlüsse verschlechtern die Sensitivität des druckempfindlichen Bereichs und die Gesamtstabilität des Sensors.
- Aufgabe der Erfindung ist es, ein mikroelektromechanisches Bauteil anzugeben, bei dem die Luftblasenbildung unter extremen Betriebsbedingungen, wie hohen Druckwechseln, vermindert wird und die Sensitivität über die gesamte Lebensdauer des mikroelektromechanischen Bauteils ohne Degradation erhalten bleibt.
- Gelöst wird diese Aufgabe mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
- Erfindungsgemäß wird ein mikroelektromechanisches Bauteil angegeben, das einen Halbleiterchip mit einem druckempfindlichen Bereich auf seiner aktiven Oberseite aufweist. Der druckempfindliche Bereich ist von einer gummielastischen Schicht bedeckt, während außerhalb des druckempfindlichen Bereichs Kontaktflächen auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips angeordnet sind.
- Darüber hinaus weist das mikroelektromechanische Bauteil ein vorgefertigtes, einseitig offenes Hohlraumgehäuse mit elektrischen Verbindungen zwischen Außenanschlüssen des Bauteils und den Kontaktflächen des Halbleiterchips auf. Diese elektrischen Verbindungen werden beim Fertigen des Hohlraumgehäuses, das heißt beim Spritzgießen der Seitenwände des Hohlraumgehäuses, in diese mit eingegossen. Dieses Eingießen erfolgt in der Weise, dass sich nach außen Außenanschlüsse erstrecken und dass nach innen zum Hohlraum hin Teilbereiche der elektrischen Verbindungen in Form von Kontaktanschlussflächen vorhanden sind. Eine gummielastische Abdeckung, wel che die Oberseite des Halbleiterchips, Teilbereiche der elektrischen Verbindungen im Inneren des Hohlraumgehäuses und Innenseiten des Hohlraumgehäuses abdeckt, ist in dem einseitig offenen Hohlraumgehäuse über dem Halbleiterchip angeordnet.
- Um zu vermeiden, dass sich in der gummielastischen Abdeckung Luftblasen und Risse bilden, insbesondere bei hohen Beschleunigungsbeanspruchungen, ist dieser Bereich des mikroelektromechanischen Bauteils mit einer steifen Kunststoffumhüllung bedeckt, die nicht nur die gummielastische Abdeckung schützt, sonder auch die Außenseiten des vorgefertigten Hohlraumgehäuses abdeckt.
- Lediglich eine Öffnung, deren Größe dem druckempfindlichen Bereich entspricht, ist in der Kunststoffumhüllung freigehalten und weist eine Öffnungstiefe auf, so dass der druckempfindliche Bereich des Halbleiterchips lediglich von einer gegenüber der gummielastischen Abdeckung vergleichsweise dünnen, gummielastischen Schicht bedeckt bleibt. Derartige dünne, gummielastische Schichten neigen nicht zur Bildung von Luftblasen und gewährleisten eine sichere Funktion des druckempfindlichen Bereichs auch bei höchsten Belastungen. Die gummielastische Schicht ist somit dünn gegenüber der gummielastischen Abdeckung, und die Größe der gummielastischen Schicht entspricht der Größe der Öffnung in der Kunststoffumhüllung und der Größe des druckempfindlichen Bereichs des Halbleiterchips.
- Diese aufeinander abgestimmten Größen und Dicken verbessern die Lebensdauer des druckempfindlichen Halbleiterchips und damit auch die Lebensdauer des mikroelektromechanischen Bauteils. Dabei wirkt die Kunststoffumhüllung wie eine Klammer, die eine hohe Formstabilität gewährleistet und die gummiela stische Abdeckung formstabil umschließt. Damit wird ein mikroelektromechanisches Bauteil realisiert, das im Prinzip eine doppelwandige Hohlraumform aufweist, wobei lediglich eine Öffnung in dieser doppelwandigen Hohlraumform dem zu messenden Medium ausgesetzt wird, und zwar in exakt der Größe, die dem Sensorbereich des Halbleiterchips entspricht.
- Um die Drucksignale von dem Sensorbereich des Halbleiterchips an die Außenanschlüsse zu transportieren, weist der Halbleiterchip, auf seiner aktiven Oberseite, Kontaktflächen auf, die über Bonddrähte zu Teilbereichen in Form von Kontaktanschlussflächen der elektrischen Verbindungen führen, welche durch die Doppelwand des Hohlraumgehäuses mit Umhüllung hindurchgehen und mit Außenanschlüssen elektrisch verbunden sind.
- Zur Verankerung des Hohlraumgehäuses in der Kunststoffumhüllung weist das vorgefertigte Hohlraumgehäuse auf seinen Außenseiten, Verankerungselemente auf. Die Verankerungselemente sind formschlüssig mit der Kunststoffumhüllung verzahnt, so dass ein sicherer Sitz des vorgefertigten Hohlraumgehäuses in der Kunststoffumhüllung gewährleistet bleibt. Während das vorgefertigte Hohlraumgehäuse und die Kunststoffumhüllung aus einem Epoxidharz hergestellt sind, weist die gummielastische Abdeckung und die gummielastische Schicht einen Silikongummi beziehungsweise ein Silikongel auf, das einen in der Öffnung der Kunststoffumhüllung anstehenden Druck auf den druckempfindlichen Bereich auf der aktiven Oberseite des Halbleiterchips spannungsfrei überträgt.
- Über entsprechende Leiterbahnen vom druckempfindlichen Bereich, zu außerhalb des Druckbereichs angeordneten Kontaktflächen, werden die Sensorsignale über Bonddrähte auf die elektrischen Verbindungen zu den Außenanschlüssen geführt. Das erfindungsgemäße mikroelektromechanische Bauteil hat den Vorteil einer erhöhten Lebensdauer und wird selbst bei hohen Druckwechseln, sowie bei hohen Beschleunigungskräften nicht beschädigt.
- Ein Verfahren zur Herstellung eines mikroelektromechanischen Bauteils mit einem druckempfindlichen Halbleiterchip weist die nachfolgenden Verfahrensschritte auf. Zunächst wird ein Halbleiterchip mit einem druckempfindlichen Bereich auf seiner aktiven Oberseite und mit Kontaktflächen außerhalb des druckempfindlichen Bereichs bereitgestellt. Außerdem wird ein einseitig offenes Hohlraumgehäuse mit Seitenwänden und einem Hohlraumboden spritzgegossen. In die Spritzgussform für das Hohlraumgehäuse werden elektrische Durchführungen eingelegt, die Außenanschlüsse und innere Kontaktanschlussflächen aufweisen und in die Seitenwände des Hohlraumgehäuses beim Spritzgießen mit eingegossen werden. Anschließend wird der Halbleiterchip auf dem Hohlraumboden angeordnet und fixiert, wobei druckfeste Klebstoffschichten zum Einsatz kommen. Nach dem Fixieren des druckempfindlichen Halbleiterchips auf dem Hohlraumboden werden elektrische Verbindungen zwischen den Kontaktanschlussflächen des Hohlraumgehäuses und den Kontaktflächen des Halbleiterchips hergestellt. Dieses kann durch Einbringen von Bondverbindungen erfolgen.
- Nach dem elektrischen Verdrahten des Halbleiterchips in dem Hohlraumgehäuse wird eine gummielastische Abdeckmasse in das Hohlraumgehäuse unter Auffüllen des Hohlraums mit einer Abdeckung eingebracht. Diese Abdeckung bettet sowohl die Bondverbindungen als auch den Halbleiterchip mit seinem druckempfindlichen Bereich in die Abdeckmasse ein, die vorzugsweise ein Silikongel aufweist. Danach wird das Hohlraumgehäuse mit Abdeckmasse in eine geöffnete Spritzgussform unter Beibehaltung eines Abstands zu den Innenseiten der Spritzgussform eingebaut.
- Die Spritzgussform weist einen Stempel zum Eintauchen in die gummielastische Abdeckmasse auf. Dieser Stempel ist derart angeordnet, dass er beim Eintauchen in die gummielastische Abdeckmasse den druckempfindlichen Bereich des Halbleiterchips abdeckt, jedoch einen Abstand zu diesem druckempfindlichen Bereich einhält. Beim Schließen der Spritzgussform bildet sich, somit einem dem Abstand entsprechende, gummielastische Schicht zwischen dem Stempel und dem druckempfindlichen Bereich des Halbleiterchips. Die Dicke dieser gummielastischen Schicht entspricht dem Abstand zwischen Stempel und druckempfindlichen Bereich und ist dünn gegenüber der gummielastischen Abdeckung auf dem übrigen Halbleiterchipbereich, sowie dem verbliebenen Hohlraum des vorgefertigten Hohlraumgehäuses. Nach dem Schließen der Spritzgussform wird eine Kunststoffmasse als Kunststoffumhüllung in die Spritzgussform eingelassen. Dabei werden die Außenseiten des vorgefertigten Hohlraumgehäuses und die gummielastische Abdeckung von der Kunststoffmasse umhüllt. Es bildet sich im Bereich des Stempels eine Öffnung zu der gummielastischen Schicht auf dem druckempfindlichen Bereich des Halbleiterchips aus. Nach einem Aushärten der Kunststoffumhüllung unter thermischer Behandlung des Epoxidharzes der Kunststoffumhüllung wird die Spritzgussform auseinandergefahren und das fertige mikroelektromechanische Bauteil kann der Spritzgussform entnommen werden.
- Zusammenfassend ist festzustellen, dass das mikroelektromechanische Bauteil entsprechend der Erfindung ein doppeltes Gehäuse aufweist, nämlich ein vorgefertigtes Hohlraumgehäuse und eine dieses Hohlraumgehäuse und den mit Gel aufgefüllten Hohlraum umschließende Kunststoffumhüllung. Der mit Gel aufgefüllte Hohlraum dient als Spannungspuffer, das heißt auf den Halbleiterchip wirken keine mechanischen Vorspannungen. Die Kunststoffumhüllung dient dem Schutz gegen äußere mechanische Einflüsse und schützt insbesondere die gummielastische, gelartige Abdeckmasse vor Luftblasenbildung, Rissbildung und chemomechanischer Zersetzung.
- Des weiteren ist festzustellen, dass die beiden Gehäuse ineinander mechanisch fest verankert sind, zumal die Außenseiten des Hohlraumgehäuses Ankerelemente aufweisen, welche in die Kunststoffumhüllung eingegossen sind. Schließlich wird beim Spitzgießen durch den Stempel eine Öffnung erzeugt, die einerseits in ihrer Größe dem druckempfindlichen Bereich des Halbleiterchips entspricht und andererseits eine Gelschichtdicke unmittelbar über der druckempfindlichen Membran herstellt, die stark reduziert ist und somit bei hohen Beschleunigungen keine Signalverfälschung bewirkt, wie es unter Beibehaltung der Dicke der Abdeckmasse auftreten würde.
- Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.
-
1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein mikroelektromechanisches Bauteil einer Ausführungsform der Erfindung, -
2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine geöffnete Spritzgussform mit eingesetztem mikroelektromechanischen Bauteil mit einem Hohlraumgehäuse und gummielastischer Silikongel-Abdeckung, -
3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine geschlossene Spritzgussform gemäß2 vor einem Einspritzen einer Kunststoffumhüllung, -
4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine geschlossene Spritzgussform gemäß3 nach Einspritzen der Kunststoffumhüllung, -
5 zeigt einen schematischen Querschnitt des mikroelektromechanischen Bauteils nach Entnahme aus der Spritzgussform gemäß4 . -
1 zeigt einen schematischen Querschnitt durch ein mikroelektromechanisches Bauteil1 einer Ausführungsform der Erfindung. Dieses mikroelektromechanische Bauteil weist zwei ineinander geschachtelte Gehäuse auf. In einem äußeren Bereich besitzt es als äußeres Gehäuse eine Kunststoffumhüllung12 aus einem Epoxidharz und darin eingebettet als inneres Gehäuse ein Hohlraumgehäuse7 . Das Hohlraumgehäuse7 ist einstückig und weist Hohlraumwände16 und einen Hohlraumboden17 auf. - Der Hohlraum des Hohlraumgehäuses
7 ist mit einem gummielastischen Silicongel aufgefüllt. In diesem Silicongel ist der Halbleiterchip2 spannungsfrei mit seinem druckempfindlichen Bereich3 eingebettet. Das Silicongel bildet eine gummielastische Abdeckung10 , die im druckempfindlichen Bereich3 des Halbleiterchips2 auf eine gummielastische Schicht5 reduziert ist. Die Dicke der gummielastischen Schicht ist geringer, als die Dicke der gummielastischen Abdeckung10 . Die Größe der gummielastischen Schicht5 entspricht der Größe des druckempfindlichen Bereichs3 auf der aktiven Oberseite4 des Halbleiterchips2 . Außerdem korrespondiert die Größe der gum mielastischen Schicht5 mit der Größe einer Öffnung14 in der Kunststoffumhüllung12 . - Über diese auf die Größe des druckempfindlichen Bereichs
3 reduzierten Öffnung, in dem sonst nach oben hin offenen Hohlraumgehäuse7 , kann ein Druckaustausch zwischen der Umgebung und dem druckempfindlichen Bereich3 spannungsfrei stattfinden, da der Halbleiterchip auf seiner gesamten Oberseite eine gummielastische Abdeckschicht10 aufweist. Die gummielastische Abdeckung bedeckt teilweise aud die Innenseiten11 des Hohlraumgehäuses7 . Durch die Verminderung der Dicke der Abdeckung10 auf die Dicke der gummielastischen Schicht5 ist die Wahrscheinlichkeit einer Beschädigung durch Risse oder Blasenbildung in der Schicht5 bei Belastungen durch hohe Beschleunigungen vermindert. - Durch die starre Kunststoffumhüllung wird darüber hinaus erreicht, dass sich auch in der gummielastischen Abdeckschicht keine Blasen bilden, welche die Empfindlichkeit des Sensors vermindern und eine Ursache für Signalverfälschungen sind. Der druckempfindliche Bereich
3 erzeugt ein Drucksignal, das über Leiterbahnen auf der aktiven Oberseite4 des Halbleiterchips2 zu den Kontaktflächen6 in einem Bereich außerhalb des druckempfindlichen Bereichs übertragen wird. Von dort werden die Seusorsignale über führen Bondverbindungen23 zu Kontaktanschlussflächen19 der elektrischen Verbindungen8 über Durchführungen18 zu Außenanschlüssen9 des mikroelektromechanischen Bauteils1 geführt. Um ein sicheres Bonden zu gewährleisten, sind die Kontaktanschlussflächen19 auf einem sockelartigen Vorsprung im Inneren des Hohlraumgehäuses7 angeordnet und mit einer bondbaren Schicht bedeckt. Das Hohlraumgehäuse7 mit den elektrischen Verbindungen8 wird einstückig in einem einzigen Spritzguss-Schritt gegossen. In ei nem weiteren Spritzguss-Schritt wird dann nach Aufbringen der gummielastischen Abdeckung die Kunststoffumhüllung aufgebracht. Mit Hilfe von Verankerungselementen15 auf den Außenseiten13 des Hohlraumgehäuses7 werden Hohlraumgehäuse7 und Kunststoffumhüllung12 miteinander verankert. Bis auf die Öffnung14 deckt die Kunststoffumhüllung12 auch die gummielastische Abdeckung10 im Hohlraum des Hohlraumgehäuses7 ab, so dass die Abdeckmasse der gummiartigen Abdeckung10 vor Beschädigungen wie Blasenbildung und/oder Rissbildung geschützt bleibt. -
2 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine geöffnete Spritzgussform20 mit eingesetztem mikroelektromechanischen Bauteil1 mit einem Hohlraumgehäuse7 und gummiartiger Silikongel-Abdeckung10 . Diese Spritzgussform20 weist eine erste Moldwerkzeughälfte24 auf, in die das Hohlraumgehäuse7 mit Hilfe der Außenanschlüsse9 eingehängt und ausgerichtet werden kann. Dabei verbleibt ein Zwischenraum25 zwischen dem Hohlraumgehäuse7 und den Innenseiten21 der ersten Moldwerkzeughälfte24 . Darüber hinaus weist die Spritzgussform20 eine zweite Moldwerkzeughälfte26 auf, die einen Stempel22 besitzt, der bei geöffneter Spritzgussform20 über der gummielastischen Abdeckung10 angeordnet ist und einen Querschnitt aufweist, welcher der Größe des druckempfindlichen Bereichs3 des Halbleiterchips2 entspricht. Dieser Stempel22 ist auf den druckempfindlichen Bereich3 ausgerichtet. -
3 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine geschlossene Spritzgussform20 gemäß2 vor einem Einspritzen einer Kunststoffumhüllung. Bei dem Zusammenfahren der beiden Moldwerkzeughälften24 und26 dringt der Stempel22 in die gummielastische Abdeckung10 ein und verdrängt die se bis auf eine gummielastische Schicht5 über dem druckempfindlichen Bereich3 des Halbleiterchips2 . Bei geschlossener Spritzgussform20 bildet sich ein Zwischenraum25 zwischen den Innenwänden21 der Spritzgussform20 und dem Hohlraumgehäuse7 mit gummielastischer Abdeckung10 , der in einem weiteren Verfahrensschritt mit einer Kunststoffumhüllung aufgefüllt wird. -
4 zeigt einen schematischen Querschnitt durch eine geschlossene Spritzgussform20 gemäß3 nach Einspritzen der Kunststoffumhüllung12 . Bei dem Einspritzen der Kunststoffumhüllung12 entsteht gleichzeitig, aufgrund des Stempels22 der zweiten Moldwerkzeughälfte26 , eine Öffnung in der Kunststoffumhüllung12 , die aufgrund der Länge des Stempels22 durckempfindlichen Bereich3 des Halbleiterchips2 reicht. -
5 zeigt einen schematischen Querschnitt durch das mikroelektromechanische Bauteil1 nach Entnahme aus der Spritzgussform20 gemäß4 , wobei nun die Kunststoffumhüllung12 das Bauteil1 vollständig bis auf die Öffnung14 und die Außenanschlüsse9 umschließt, wobei lediglich eine dünne gummielastische Schicht5 nach Abzug des Stempels auf dem druckempfindlichen Bereich3 des Halbleiterchips2 verbleibt. -
- 1
- Bauteil
- 2
- Halbleiterchip
- 3
- druckempfindlicher Bereich
- 4
- aktive Oberseite
- 5
- gummielastische Schicht
- 6
- Kontaktflächen
- 7
- Hohlraumgehäuse
- 8
- elektrische Verbindung
- 9
- Außenanschluss
- 10
- gummielastische Abdeckung
- 11
- Innenseiten des Hohlraumgehäuses
- 12
- Kunststoffumhüllung
- 13
- Außenseiten des Hohlraumgehäuses
- 14
- Öffnung
- 15
- Verankerungselemente
- 16
- Seitenwände des Hohlraumgehäuses
- 17
- Hohlraumboden
- 18
- Durchführungen durch Seitenwände
- 19
- Kontaktanschlussflächen
- 20
- Spritzgussform
- 21
- Innenseiten der Spritzgussform
- 22
- Stempel
- 23
- Bondverbindung
- 24
- erste Moldwerkzeughälfte
- 25
- Zwischenraum
- 26
- zweite Moldwerkzeughälfte
Claims (4)
- Mikroelektromechanisches Bauteil, das folgende Merkmale aufweist: – einen Halbleiterchip (
2 ) mit – einem druckempfindlichen Bereich (3 ) auf seiner aktiven Oberseite (4 ) – einer gummielastischen Schicht (5 ) auf dem druckempfindlichen Bereich (3 ) – Kontaktflächen (6 ) außerhalb des druckempfindlichen Bereichs (3 ), – ein vorgefertigtes Gehäuse (7 ) mit elektrischen Verbindungen (8 ) zwischen Außenanschlüssen (9 ) des Bauteils (1 ) und den Kontaktflächen (6 ) des Halbleiterchips (2 ) – eine gummielastische Abdeckung (10 ), welche die Oberseite (4 ) des Halbleiterchips (2 ), Teilbereiche der elektrische Verbindungen im Inneren des Hohlraumgehäuses und Innenseiten (11 ) des Hohlraumgehäuses (7 ) abdeckt, – eine Kunststoffumhüllung (12 ), welche die gummielastische Abdeckmasse der Abdeckung (4 ,10 ) umhüllt und eine Öffnung (14 ) zu der gummielastischen Schicht (5 ) auf dem druckempfindlichen Bereich (3 ) des Halbleiterchips (2 ) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass das vorgefertigte Gehäuse (7 ) ein einseitig offenes Hohlraumgehäuse ist und die gummielastische Schicht (5 ) gegenüber der gummielastischen Abdeckung (10 ) vergleichsweise dünn ist, und dass die Größe der gummielastischen Schicht (5 ) der Größe der Öffnung (14 ) zu der gummielastischen Schicht (5 ) auf dem druckempfindlichen Bereich (3 ) des Halbleiterchips (2 ) und der Größe des druckempfindlichen Bereichs (3 ) des Halbleiterchips (2 ) entspricht. - Bauteil nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass die Größe der Öffnung (
14 ) in der Kunststoffumhüllung (12 ) der Größe des druckempfindlichen Bereichs (3 ) entspricht. - Bauteil nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Hohlraumgehäuse (
7 ) auf den Außenseiten (13 ) Verankerungselemente (15 ) aufweist, die formschlüssig das Hohlraumgehäuse (7 ) und die Kunststoffumhüllung (12 ), mechanisch miteinander verbinden. - Verfahren zur Herstellung eines mikroelektromechanischen Bauteils (
1 ) mit einem druckempfindlichen Halbleiterchip (2 ), wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – Bereitstellen eines Halbleiterchips (2 ) mit einem druckempfindlichen Bereich (3 ) auf einer aktiven Oberseite (4 ) und mit Kontaktflächen (6 ) außerhalb des druckempfindlichen Bereichs (3 ), – Spritzgiessen eines Gehäuses (7 ) mit Außenanschlüssen (9 ) zu inneren Kontaktanschlußflächen (19 ), – Anordnen des Halbleiterchips (2 ) auf dem Gehäuseboden (17 ), – Herstellen elektrischer Verbindungen (8 ) zwischen den Kontaktanschlußflächen (19 ) und den Kontaktflächen (6 ), – Einbringen einer gummielastischen Abdeckmasse in das Gehäuse (7 ), – Einbauen des Gehäuses (7 ) mit Abdeckmasse in eine geöffnete Spritzgussform (20 ) unter Beibehaltung eines Abstandes zu den Innenseiten (21 ) der Spritzgussform (20 ), wobei die Spritzgussform (20 ) einen Stempel (22 ) zum Eintauchen in die gummielastische Abdeckmasse aufweist und wobei der Stempel den druckempfindlichen Bereich (3 ) des Halbleiterchips (2 ) unter Aufrechterhalten eines Abstandes abdeckt, – Schließen der Spritzgussform (20 ) unter Bilden einer gummielastischen Schicht (5 ) zwischen Stempel (22 ) und druckempfindlichem Bereich (3 ) des Halbleiterchips (2 ), – Einspritzen einer Kunststoffmasse als Kunststoffumhüllung (12 ), welche Außenseiten (13 ) des vorgefertigten Gehäuses und die gummielastische Abdeckung (10 ) umhüllt und eine Öffnung (14 ) zu der gummielastischen Schicht (5 ) auf dem druckempfindlichen Bereich (3 ) des Halbleiterchips (2 ) freilässt, dadurch gekennzeichnet, dass das Gehäuse (7 ) ein einseitig offenes Hohlraumgehäuse mit Seitenwänden (16 ) und einem Hohlraumboden (17 ) ist, und dass mit dem Schließen der Spritzgussform (20 ) eine gummielastische Schicht (5 ) zwischen Stempel (22 ) und druckempfindlichem Bereich (3 ) des Halbleiterchips (2 ) gebildet wird, die gegenüber der gummielastischen Abdeckung (10 ) vergleichsweise dünn ist, und dass die Größe der gummielastischen Schicht (5 ) der Größe der Öffnung (14 ) zu der gummielastischen Schicht (5 ) auf dem druckempfindlichen Bereich (3 ) des Halbleiterchips (2 ) und der Größe des druckempfindlichen Bereichs (3 ) des Halbleiterchips (2 ) entspricht.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10324139A DE10324139B4 (de) | 2003-05-26 | 2003-05-26 | Mikroelektromechanisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
PCT/DE2004/001080 WO2004106222A1 (de) | 2003-05-26 | 2004-05-24 | Mikroelektromechanischer drucksensor und verfahren zu seiner herstellung |
US10/558,114 US7462919B2 (en) | 2003-05-26 | 2004-05-24 | Microelectromechanical component and method for the production thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10324139A DE10324139B4 (de) | 2003-05-26 | 2003-05-26 | Mikroelektromechanisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10324139A1 DE10324139A1 (de) | 2005-01-05 |
DE10324139B4 true DE10324139B4 (de) | 2005-07-21 |
Family
ID=33482231
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10324139A Expired - Fee Related DE10324139B4 (de) | 2003-05-26 | 2003-05-26 | Mikroelektromechanisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7462919B2 (de) |
DE (1) | DE10324139B4 (de) |
WO (1) | WO2004106222A1 (de) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005036955A1 (de) * | 2005-08-05 | 2007-02-22 | Robert Bosch Gmbh | Gemoldeter mikromechanischer Kraft-/Druckwandler sowie ein entsprechendes Herstellungsverfahren |
DE102006011753B4 (de) | 2006-03-13 | 2021-01-28 | Infineon Technologies Ag | Halbleitersensorbauteil, Verfahren zur Herstellung eines Nutzens und Verfahren zur Herstellung von Halbleitersensorbauteilen |
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US7632698B2 (en) | 2006-05-16 | 2009-12-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Integrated circuit encapsulation and method therefor |
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-
2003
- 2003-05-26 DE DE10324139A patent/DE10324139B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-05-24 WO PCT/DE2004/001080 patent/WO2004106222A1/de active Application Filing
- 2004-05-24 US US10/558,114 patent/US7462919B2/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2004106222A1 (de) | 2004-12-09 |
DE10324139A1 (de) | 2005-01-05 |
US7462919B2 (en) | 2008-12-09 |
US20070090473A1 (en) | 2007-04-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |