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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Flüssigkeitsbearbeitungsverfahren,
eine Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung und ein Speichermedium,
die zum Ausführen einer Flüssigkeitsbearbeitung
verwendet werden, um eine Hartmaskenschicht, die beispielsweise
zum Ätzen eines organischen Films mit niedriger Dielektrizitätskonstante
(Low-k-Film) verwendet wird, zu entfernen.
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In
jüngster Zeit war es aufgrund der Nachfrage nach Verbesserungen
bezüglich der Arbeitsgeschwindigkeit von Halbleitereinrichtungen
und der Miniaturisierung und des Integrationsniveaus von Verbindungsmustern
erforderlich, die Kapazität zwischen Verbindungsleitungen
zu verringern, die Leitfähigkeit von Verbindungsleitungen
zu erhöhen und den Elektromigrationswiderstand von Verbindungsleitungen
zu verbessern. Als eine Technik zum Angehen dieser Fragen hat eine
Cu-Multischicht-Verbindungsleitungstechnik Aufmerksamkeit erregt,
in der Kupfer (Cu) als ein Verbindungsleitungsmaterial verwendet
wird und ein Film mit niedriger Dielektrizitätskonstante
(Low-k-Film) als ein Zwischenniveau-Isolierfilm verwendet wird.
Die Leitfähigkeit und der Migrationswiderstand von Kupfer
(Cu) sind höher als bei Aluminium (Al) und Wolfram (W).
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Eine
Cu-Multischicht-Verbindungsleitungstechnik kann ein Dual-Damaszierungsverfahren
anwenden, das einen Schritt des Ausbildens einer Nut und einer Öffnung
für eine Verbindungsleitung in einem Low-k-Film und einen
Schritt des Einbettens von Cu in die Nut und Öffnung umfasst.
Ein Low-k- Film wird oft für diesen Zweck verwendet, und
eine anorganische Hartmaske (HM), die beispielsweise aus einem Ti-Film
oder TiN-Film ausgebildet ist, wird als eine Maske zum Ätzen
des organischen Low-k-Films verwendet, da ein Photolackfilm, der
auch ein organischer Film ist, keine ausreichende Ätzselektivität
relativ zum organischen Low-k-Film bereitstellen kann. In dieser
Bearbeitung wird die HM zunächst gemäß einem
vorbestimmten Muster unter Verwendung einer Photolackmaske geätzt,
und anschließend wird der Low-k-Film unter Verwendung der
HM geätzt, der somit als eine Maske nachgebildet wird.
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Nach
dem Ätzen ist es notwendig, den Restteil der HM zu entfernen.
Dieses HM-Entfernen kann in einer Einzelsubstratreinigungsvorrichtung
unter Verwendung einer chemischen Flüssigkeit ausgeführt
werden, welche dem HM-Entfernen zugeordnet ist. Im Allgemeinen wird
eine Reinigungsbearbeitung dieser Art durch kontinuierliches Zuführen
einer chemischen Flüssigkeit auf das Zentrum eines Halbleiterwafers
oder Zielsubstrats ausgeführt, während der Halbleiterwafer
gedreht wird, sodass die chemische Flüssigkeit durch eine
Zentrifugalkraft über die gesamte Vorderoberfläche
des Halbleiterwafers W verteilt wird (beispielsweise
japanische Patentanmeldung KOKAI Veröffentlichungs-Nr.
2004-146594 ).
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Im Übrigen,
da chemische Flüssigkeiten für eine HM-Entfernung
dieser Art teuer sind, wurden Versuche unternommen, eine chemische
Flüssigkeit in einem Tank aufzufangen, um diese wiederzuverwenden,
nachdem die Flüssigkeit auf einen Halbleiterwafer zugeführt
wurde und für eine Reinigungsbearbeitung verwendet wurde.
Allerdings enthält die chemische Flüssigkeit,
die in der Reinigungsbearbeitung verwendet wird, Komponenten der
HM und/oder Einrichtung. Wenn der Betrag solcher Komponenten groß wird,
werden Komponenten der chemischen Flüssigkeit zersetzt
und es ist schwierig, die chemische Flüssigkeit in der
Praxis wiederzuverwenden.
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Folglich
können bei den vorliegenden Umständen, chemische
Flüssigkeiten für eine HM-Entfernung nicht wiederverwendet
werden sondern müssen entfernt, was hohe Kosten zur Folge
hat.
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Eine
Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Flüssigkeitsbearbeitungsverfahren bereitzustellen,
das ein Auffangen und eine Wiederverwendung einer chemischen Flüssigkeit
ermöglicht, nachdem die chemische Flüssigkeit
zum Entfernen einer Hartmaske verwendet wurde, und eine Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung
zum Ausführen des Flüssigkeitsbearbeitungsverfahrens.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein
Computer-lesbares Speichermedium bereitzustellen, das ein Programm
zum Ausführen des Flüssigkeitsbearbeitungsverfahrens
speichert.
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Gemäß einem
ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Flüssigkeitsbearbeitungsverfahren
zum Ausführen einer Flüssigkeitsbearbeitung bereitgestellt,
nachdem ein Ätzzielfilm, der auf einer Oberfläche
eines Substrats ausgebildet ist, durch eine Hartmaskenschicht, die
als eine Ätzmaske verwendet wird, geätzt ist und
ein vorbestimmtes darauf ausgebildetes Muster aufweist, wobei das
Flüssigkeitsverfahren zum Entfernen der Hartmaskenschicht
und eines Polymers, das aufgrund des Ätzens abgelagert
ist, verwendet wird, wobei das Verfahren umfasst: einen ersten Schritt
des Ausführens des Entfernens der Hartmaskenschicht durch
Zuführen einer chemischen Flüssigkeit auf das
Substrat während einer Drehung des Substrats, während
die chemische Flüssigkeit, die in der Flüssigkeitsbearbeitung
verwendet wird, unter Verwendung einer Entfernungsseite entfernt
wird; einen zweiten Schritt des Umschaltens von der Entfernungsseite
zu einer Auffangseite zum Auffangen der chemischen Flüssigkeit,
die in der Flüssigkeitbearbeitung verwendet wird, und Recyceln
der chemischen Flüssigkeit in der Flüssigkeitsbearbeitung,
wenn die Hartmaskenschicht durch den ersten Schritt auf einen Restbetrag entfernt
ist, bei dem die chemische Flüssigkeit, die in der Flüssigkeitsbearbeitung
verwendet wird, für eine Wiederverwendung auffangbar wird;
und einen dritten Schritt des anschließenden Ausführens
einer Entfernung eines Restteils der Hartmaskenschicht und des Polymers,
oder des Polymers, durch Zuführen der chemischen Flüssigkeit
auf das Substrat während einer Drehung des Substrats, während
die chemische Flüssigkeit, die in der Flüssigkeitsbearbeitung
verwendet wird, unter Verwendung der Auffangseite aufgefangen und
wiederverwendet wird.
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In
dem ersten Aspekt, kann der erste Schritt ein intermittierendes
Zuführen der chemischen Flüssigkeit auf das Substrat
umfassen, während das Substrat gedreht wird, wobei aber
die Oberfläche des Substrats mit der chemischen Flüssigkeit
während Stoppperioden der chemischen Flüssigkeit
des Nicht-Zuführens der chemischen Flüssigkeit
zwischen Zufuhrperioden der chemischen Flüssigkeit des
Zuführens der chemischen Flüssigkeit benetzt gehalten
wird, und der dritte Schritt ein kontinuierliches Zuführen
der chemischen Flüssigkeit auf das Substrat umfassen kann,
während das Substrat gedreht wird. In diesem Fall kann
der erste Schritt zunächst das Zuführen der chemischen
Flüssigkeit, um einen Flüssigkeitsfilm auf dem
Substrat auszubilden, und ein anschließendes abwechselndes
Wiederholen der Stoppperioden der chemischen Flüssigkeit und
der Zufuhrperioden der chemischen Flüssigkeit umfassen.
Der erste Schritt kann so vorgesehen sein, dass jede der Stoppperioden
der chemischen Flüssigkeit in einen Bereich von 10 bis
30 Sekunden fällt und jede der Zufuhrperioden der chemischen Flüssigkeit
in einen Bereich von 1 bis 5 Sekunden fällt. Der erste
Schritt kann vorgesehen sein, um das Substrat mit einer Drehgeschwindigkeit
von 50 bis 300 U/min zu drehen.
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In
dem ersten Aspekt kann sowohl der erste Schritt als auch der dritte
Schritt ein kontinuierliches Zuführen der chemischen Flüssigkeit
auf das Substrat umfassen, während das Substrat gedreht
wird, sodass eine Zufuhrströmungsrate der chemischen Flüssigkeit,
die in dem ersten Schritt angewendet wird, kleiner als eine Zufuhrströmungsrate
der chemischen Flüssigkeit ist, die in dem dritten Schritt
angewendet wird.
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In
dem ersten Aspekt kann der zweite Schritt vorgesehen sein, um zu
einer Zeit von der Entfernungsseite zur Auffangseite umgeschaltet
zu werden, wenn oder nachdem eine Zeitdauer abgelaufen ist, die
im Voraus für die Hartmaskenschicht erhalten wird, die
um ein vorbestimmtes Verhältnis innerhalb eines Bereichs
von 60 bis 100 zu entfernen ist.
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Gemäß einem
zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung
zum Ausführen einer Flüssigkeitsbearbeitung bereitgestellt,
nachdem ein Ätzzielfilm, der auf einer Oberfläche
eines Substrats ausgebildet ist, durch eine Hartmaskenschicht, die
als eine Ätzmaske verwendet wird, geätzt ist und
ein vorbestimmtes Muster aufweist, das darin ausgebildet ist, wobei
die Flüssigkeitsbearbeitung zum Entfernen der Hartmaskenschicht
und eines Polymers, das aufgrund des Ätzens abgelagert
ist, verwendet wird, wobei die Vorrichtung umfasst: einen Haltemechanismus,
der aufgebaut ist, um sich zusammen mit dem Substrat, das darauf
gehalten ist, zu drehen; einen Drehmechanismus, der aufgebaut ist,
um den Haltemechanismus zu drehen; einen Zufuhrmechanismus der chemischen
Flüssigkeit, der aufgebaut ist, um eine chemische Flüssigkeit
auf die Oberfläche des Substrats, das auf dem Haltemechanismus
gehalten wird, zuzuführen; einen Ablaufbehälter,
der aufgebaut ist, um einen Rand des Substrats, das auf dem Haltemechanismus
gehalten wird, zu umgeben und die chemische Flüssigkeit,
die in der Flüssigkeitsbearbeitung verwendet wird und von
dem Substrat abgeschleudert wird, zu empfangen; eine Ablaufleitung,
die aufgebaut ist, um die chemische Flüssigkeit, die in
der Flüssigkeitsbearbeitung verwendet wird und von dem Ablaufbehälter
empfangen wird, abzugeben; einen Auffangmechanismus, der aufgebaut
ist, um die chemische Flüssigkeit, die in der Flüssigkeitsbearbeitung
verwendet wird und von dem Ablaufbehälter abgegeben wird,
für eine Wiederverwendung aufzufangen; einen Umschaltmechanismus,
der aufgebaut ist, um zwischen einer Entfernungsseite zum Entfernen der
chemischen Flüssigkeit, die in der Flüssigkeitsbearbeitung
verwendet wird, durch die Ablaufleitung, und einer Auffangseite
der chemischen Flüssigkeit, die in der Flüssigkeitsbearbeitung
verwendet wird, durch Auffangmechanismus, umzuschalten; und einen
Steuerabschnitt, der aufgebaut ist, um den Drehmechanismus, den
Zufuhrmechanismus der chemischen Flüssigkeit und den Umschaltmechanismus
zu steuern, wobei der Steuerabschnitt voreingestellt ist, um auszuführen,
einen ersten Schritt des Ausführens einer Entfernung der
Hartmaskenschicht durch Zuführen der chemischen Flüssigkeit
von dem Zufuhrmechanismus der chemischen Flüssigkeit auf
das Substrat, während das Substrat von dem Drehmechanismus
gedreht wird, während die chemische Flüssigkeit,
die in der Flüssigkeitsbearbeitung verwendet wird, unter
Verwendung der Entfernungsseite, die von dem Umschaltmechanismus
eingestellt ist, entfernt wird, einen zweiten Schritt des Umschaltens
von der Entfernungsseite zur Auffangseite durch den Umschaltmechanismus,
wenn die Hartmaskenschicht durch den ersten Schritt bis zu einer
Restmenge entfernt ist, bei der die chemische Flüssigkeit, die
in der Flüssigkeitsbearbeitung verwendet wird, für eine
Wiederverwendung auffangbar wird und einen dritten Schritt des anschließenden
Durchführens einer Entfernung eines Restteils der Hartmaskenschicht
und des Polymers, oder des Polymers, durch Zuführen der
chemischen Flüssigkeit von dem Zuführmechanismus
der chemischen Flüssigkeit auf das Substrat, während
das Substrat von dem Drehmechanismus gedreht wird, währen
die chemische Flüssigkeit, die in der Flüssigkeitsbearbeitung
verwendet wird, aufgefangen und wiederverwendet wird, unter Verwendung
der Auffangseite, die mittels des Umschaltmechanismus eingestellt
ist.
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In
dem zweiten Aspekt kann der Steuerabschnitt voreingestellt sein,
um den ersten Schritt, um einintermittierendes Zuführen
der chemischen Flüssigkeit von dem Zuführmechanismus
der chemischen Flüssigkeit auf das Substrat zu umfassen, während
das Substrat von dem Drehmechanismus gedreht wird, wobei aber die
Oberfläche des Substrats mit der chemischen Flüssigkeit
während Stoppperioden der chemischen Flüssigkeit
des Nicht-Zuführens der chemischen Flüssigkeit
zwischen den Zufuhrperioden der chemischen Flüssigkeit
des Zuführens der chemischen Flüssigkeit benetzt
gehalten wird, und den dritten Schritt auszuführen, um
ein kontinuierliches Zuführen der chemischen Flüssigkeit
auf das Substrat zu umfassen, während das Substrat von dem
Drehmechanismus gedreht wird. In diesem Fall ist der Steuerabschnitt
vorzugsweise voreingestellt, um den ersten Schritt auszuführen,
um zunächst ein Zuführen der chemischen Flüssigkeit,
um einen Flüssigkeitsfilm auf dem Substrat auszubilden,
und anschließendes abwechselndes Wiederholen der Stoppperioden
der chemischen Flüssigkeit und der Zufuhrperioden der chemischen
Flüssigkeit zu umfassen.
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In
dem zweiten Aspekt kann der Steuerabschnitt voreingestellt sein,
um sowohl den ersten Schritt als auch den dritten Schritt auszuführen,
um ein kontinuierliches Zuführen der chemischen Flüssigkeit
auf das Substrat zu umfassen, während das Substrat von
dem Drehmechanismus gedreht wird, sodass eine Zufuhrströmungsrate
der chemischen Flüssigkeit, die in dem ersten Schritt angewendet wird,
kleiner als eine Zufuhrströmungsrate der chemischen Flüssigkeit
ist, die in dem dritten Schritt angewendet wird.
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In
dem zweiten Aspekt kann der Steuerabschnitt voreingestellt sein,
um den zweiten Schritt auszuführen, um durch den Umschaltmechanismus zu
einer Zeit von der Entfernungsseite zur Auffangseite umzuschalten,
wenn oder nachdem eine Zeitdauer abgelaufen ist, die im Voraus für
die Hartmaskenschicht erhalten wird, die um ein vorbestimmtes Verhältnis
innerhalb eines Bereichs von 60 bis 100% zu entfernen ist.
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Gemäß einem
dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Computer-lesbares
Speichermedium bereitgestellt, das ein Programm zum Ausführen
auf einem Computer speichert, das zum Steuern einer Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung
verwendet wird, wobei das Programm, wenn es ausgeführt
wird, den Computer veranlasst, die Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung
zu steuern, um das Flüssigkeitsbearbeitungsverfahren gemäß dem
ersten Aspekt auszuführen.
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Diese
Zusammenfassung der Erfindung beschreibt nicht notwendigerweise
alle notwendigen Merkmale, sodass die Erfindung auch eine Unterkombination
dieser beschriebenen Merkmale sein kann.
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Die
Erfindung kann aus der folgenden detaillierten Beschreibung besser
verstanden werden, wenn diese in Verbindung mit den begleitenden Zeichnungen
genommen wird, in denen:
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1 eine
Schnittansicht ist, die schematisch die Struktur einer Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung
gemäß einer Ausführung der vorliegenden Erfindung
zeigt;
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2 ein
Blockdiagramm ist, das die Struktur eines Steuerabschnitts zeigt,
der in der Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung, die in 1 gezeigt ist,
verwendet wird;
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3A, 3B und 3C Schnittansichten
zum Erläutern von Schritten einer Bearbeitung zum Ätzen
eines organischen Low-k-Films unter Verwendung einer Hartmaske sind;
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4 ein
Flussdiagramm ist, das eine Sequenz zum Entfernen der Hartmaskenschicht
und von Polymeren von dem Zustand zeigt, der in 3C gezeigt
ist;
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5 eine
Ansicht zum Erläutern eines Zustands der Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung
in dem ersten Schritt ist;
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6 eine
Ansicht zum Erläutern eines Zustands des Umschaltens von
der Entfernungsseite zur Auffangseite in dem zweiten Schritt ist;
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7A und 7B Schnittansichten
zum Erläutern entsprechend des ersten Schritts und dritten
Schritts sind;
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8 ein
Ablaufdiagramm ist, das ein bevorzugtes Beispiel einer Zufuhr einer
chemischen Flüssigkeit in dem ersten Schritt zeigt;
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9 eine
Ansicht ist, welche das Zufuhrtiming der chemischen Flüssigkeit
und eine Zufuhrströmungsrate in einem bevorzugten Verfahren
zum Entfernen der Hartmaskenschicht und von Polymeren zeigt; und
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10 eine
Ansicht ist, welche die Zufuhrströmungsrate der chemischen
Flüssigkeit in einem weiteren bevorzugten Verfahren zum
Entfernen der Hartmaskenschicht und von Polymeren zeigt.
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Es
wird im Folgenden eine Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung mit Bezug auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben.
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1 ist
eine Schnittansicht, welche die Struktur einer Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung gemäß einer
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung schematisch
zeigt. Diese Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung 1 ist
gestaltet, um eine Bearbeitung zum Entfernen einer Hartmaske (HM)
auf der Oberfläche eines Zielsubstrats, wie beispielsweise einem
Halbleiterwafer (der einfach als Wafer bezeichnet werden kann),
unter Verwendung einer chemischen Flüssigkeit auszuführen.
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Diese
Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung 1 enthält
eine Kammer (nicht gezeigt) mit einer Basisplatte 2, die
als die Basis der Kammer dient, und ein Drehfutter 3, das
in der Kammer vorgesehen ist. Das Drehfutter 3 enthält
eine Drehplatte 11 und eine Drehwelle 12, die
mit dem Zentrum der Drehplatte 11 verbunden ist. Die Drehplatte 11 ist
mit Haltepins 13 vorgesehen, die entsprechend an drei äquidistanten Positionen
in der Nähe des Rands angeordnet sind, um einen Wafer W
zu halten. Die Haltepins 13 sind aufgebaut, um den Wafer
W etwas getrennt von der Drehplatte 11 in einem horizontalen
Zustand zu halten. Jeder der Haltepins 13 ist zwischen
einer Halteposition zum Halten des Wafers W und einer rückwärtigen
Freigabeposition zum Aufheben des Haltens des Wafers W drehbar.
Ferner ist die Drehplatte 11 mit Unterstützungspins
(nicht gezeigt) vorgesehen, die entsprechend an drei äquidistanten
Positionen in der Nähe des Rands angeordnet sind, um den Wafer
W zu unterstützen, wenn der Wafer W zwischen dem Transferarm
(nicht gezeigt) und dem Drehfutter 3 übertragen
wird. Die Drehwelle 12 erstreckt sich durch die Basisplatte 2 nach
unten und ist von einem Motor 4 drehbar. Wenn die Drehplatte 11 von
dem Motor 4 durch die Drehwelle 12 gedreht wird,
wird der Wafer W, der auf der Drehplatte 11 gehalten wird,
gedreht.
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Eine
Bearbeitungsflüssigkeitszufuhrdüse 5 ist
oberhalb des Drehfutters 3 angeordnet, um Bearbeitungsflüssigkeiten
auf die Oberfläche des Wafers W zuzuführen, der
auf dem Spannfutter 3 gehalten wird, wie beispielsweise
eine chemische Flüssigkeit zum Entfernen der HM und von
Polymeren und aufbereitetes Wasser, das als Spülflüssigkeit
verwendet wird. Die Bearbeitungsflüssigkeitszufuhrdüse 5 ist
an dem entfernten Ende des Düsenarms 15 angebracht. Der
Düsenarm 15 weist einen Bearbeitungsflüssigkeitsdurchflussdurchgang 16 auf,
der darin ausgebildet ist und mit der Düsenöffnung 5a der
Bearbeitungsflüssigkeitszufuhrdüse 5 verbunden
ist. Der Düsenarm 15 ist durch einen Antriebsmechanismus 18 schwenkbar.
Der Düsenarm 15 wird von dem Antriebsmechanismus 18 geschwenkt,
wenn die Bearbeitungsflüssigkeitszufuhrdüse 5 zwischen
einer Zufuhrposition direkt oberhalb des Zentrums des Wafers W und
einer Warteposition außerhalb des Wafers W bewegt wird.
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Das
andere Ende des Bearbeitungsflüssigkeitsdurchflussdurchgangs 16 des
Düsenarms 15 ist mit einer Bearbeitungsflüssigkeitszufuhrleitung 21 verbunden.
Die Bearbeitungsflüssigkeitszufuhrleitung 21 ist
mit Umschaltventilen 22 und 23 vorgesehen. Eine
Rohrleitung 24 ist mit der Bearbeitungsflüssigkeitszufuhrleitung 21 an
dem Umschaltventil 22 verbunden. Das andere Ende der Rohrleitung 24 ist mit
einem Tank der chemischen Flüssigkeit 25 verbunden,
der eine chemische Flüssigkeit zum Entfernen der HM und
von Polymeren speichert. Eine Rohrleitung 26 ist mit der
Bearbeitungsflüssigkeitszufuhrleitung 21 an dem
Umschaltventil 23 verbunden. Das andere Ende der Rohrleitung 26 ist
mit einer DIW-Zufuhrquelle 27 zum Zuführen von
aufbereitetem Wasser (DIW) verbunden. Durch Betreiben der Umschaltventile 22 und 23 können
die chemische Flüssigkeit und das aufbereitete Wasser von
dem Tank der chemischen Flüssigkeit 25 und der
DIW-Zufuhrquelle 27 durch die Rohrleitungen 24 und 26,
die Bearbeitungsflüssigkeitszufuhrleitung 21 und
den Bearbeitungsflüssigkeitsdurchflussdurchgang 16,
in die Bearbeitungsflüssigkeitszufuhrdüse 5 zugeführt
werden.
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Ein
Ablaufbehälter 6 ist außerhalb der Drehplatte 1 angeordnet,
um den Rand des Wafers W zu umgeben, der auf der Drehplatte 11 gehalten
wird und um einen Ablauf einer Bearbeitungsflüssigkeit
zu empfangen, die von dem Wafer W verteilt wird. Ein Ablaufanschluss 6a ist
in dem Boden des Ablaufbehälters 6 ausgebildet
und ist mit einer Ablaufleitung 33, die sich nach unten
erstreckt, verbunden. Eine Auffangleitung 32 zweigt von
der Ablaufleitung 31 auf dem Weg ab, um die chemische Flüssigkeit
aufzufangen. Die Auffangleitung 32 ist mit dem Tank der
chemischen Flüssigkeit 25 verbunden, sodass die
chemische Flüssigkeit durch die Auffangleitung 32 in dem
Tank der chemischen Flüssigkeit 25 aufgefangen
werden kann.
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Die
Ablaufleitung 31 ist mit einem Umschaltventil 34 an
einer Position vorgesehen, wo die Auffangleitung 32 abzweigt.
Die Auffangleitung 32 ist mit einem Umschaltventil 35 in
der Nähe des Verzweigungspunkts vorgesehen. Wenn das Umschaltventil 34 geöffnet
ist und das Umschaltventil 35 geschlossen ist, wird ein
Ablauf über die Ablaufleitung 31 in eine Ablaufbearbeitungsanlage
abgegeben und wird anschließend entfernt. Auf der anderen
Seite, wenn das Umschaltventil 34 geschlossen ist und das
Umschaltventil 35 geöffnet ist, wird der Ablauf über
die Auffangleitung 32 in den Tank der chemischen Flüssigkeit 25 abgegeben.
Folglich dienen die Umschaltventile 34 und 35 als
ein Umschaltmechanismus zum Umschalten zwischen der Auffangseite
und der Abgabeseite.
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Die
Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung 1 enthält
einen Steuerabschnitt 40. Wie es in dem Blockdiagramm der 2 gezeigt
ist, enthält der Steuerabschnitt 40 eine Steuereinheit 41,
eine Benutzerschnittstelle 42 und einen Speicherabschnitt 43.
Die Steuereinheit 41 umfasst einen Mikroprozessor (Computer),
welcher die entsprechenden Komponenten der Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung 1, wie
beispielsweise die Umschaltventile 22, 23, 34 und 35,
den Motor 4 und den Antriebsmechanismus 18, steuert.
Die Steuereinheit 41 ist mit der Benutzerschnittstelle 42 verbunden,
welche beispielsweise eine Tastatur und ein Display enthält,
wobei die Tastatur für einen Benutzer verwendet wird, um
Befehle zum Betreiben der Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung 1 einzugeben,
und das Display zum Anzeigen visualisierter Bilder des Betriebszustands
der Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung 1 verwendet
wird. Ferner ist die Steuereinheit 41 mit dem Speicherabschnitt 43 verbunden,
welcher Arbeitsanweisungen speichert, d. h. Steuerprogramme zum
Steuern von Steuerzielen der entsprechenden Komponenten der Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung 1 und
Programme für die Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung 1,
um vorbestimmte Bearbeitungen auszuführen. Die Arbeitsanweisungen
werden in einem Speichermedium gespeichert, das in dem Speicherabschnitt 43 enthalten
ist. Das Speichermedium kann aus einem stationären Medium,
wie beispielsweise einer Festplatte, oder einem tragbaren Medium,
wie beispielsweise einer CD-ROM, DVD oder einem Flash-Speicher ausgebildet
sein. Alternativ können die Anweisungen online verwendet
werden, während diese von anderen Vorrichtungen über
beispielsweise eine zugeordnete Leitung, übertragen werden,
wenn erforderlich. Eine benötigte Arbeitsanweisung wird
von dem Speicherabschnitt 43 abgerufen und von der Steuereinheit 41 gemäß einem
Befehl oder dergleichen, der über die Benutzerschnittstelle 42 eingegeben
wird, ausgeführt. Demzufolge kann die Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung 1 eine
vorbestimmte Bearbeitung unter der Steuerung der Steuereinheit 41 ausführen.
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Als
nächstes wird eine Erläuterung eines Bearbeitungsablaufs
zum Ausführen einer Bearbeitung zum Entfernen einer Hartmaske
(HM) auf einem Wafer W in der Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung 1, die
oben beschrieben ist, gegeben.
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Gemäß dieser
Bearbeitung wird, wie es in 3A gezeigt
ist, wo ein organischer Low-k-Film 101 geätzt
wird, eine Hartmasken(HM)-Schicht 102 auf dem Low-k-Film 101 ausgebildet,
und eine Photolackfilm 103 wird auf der HM-Schicht 102 ausgebildet
und wird mittels eines Photolithographieschritts gemäß einem
vorbestimmten Muster nachgebildet. Anschließend, wie es
in 3B gezeigt ist, während der Photolackfilm 103,
der somit nachgebildet ist, als eine Maske verwendet wird, wird
die HM-Schicht 102 geätzt, sodass das Fotolackmuster
auf die HM-Schicht 102 kopiert wird. Anschließend,
wie es in 3C gezeigt ist, während
die HM-Schicht 102 als eine Maske verwendet wird, wird
der Low-k-Film 101 geätzt, sodass beispielsweise
eine Öffnung ausgebildet wird. Zu der Zeit werden Polymere 104 auf
der Innenwand der Öffnung 105 abgelagert.
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Gemäß dieser
Ausführungsform wird eine Bearbeitung der chemischen Flüssigkeit
ausgeführt, um die HM-Schicht 102 und die Polymere 104 von dem
Zustand, der in 3C gezeigt ist, zu entfernen. Die
HM-Schicht 102 kann vorzugsweise aus einem Ti-Film und/oder
einem TiN-Film gemäß einer allgemeinen Verwendung
ausgebildet werden. Die chemische Flüssigkeit zum Entfernen
der HM-Schicht 102 und der Polymere 104 kann eine
chemische Flüssigkeit einer solchen Art sein, die gewöhnlich
verwendet wird, wie beispielsweise eine, eine Flüssigkeit
enthaltende Wasserstoffperoxyd-Lösung, als eine Basis mit einer
vorbestimmten hinzugefügten organischen Komponente.
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Wenn
die HM-Schicht 102 und die Polymere 104 entfernt
sind, wird der Wafer W, welcher den Low-k-Film 101 und
die HM-Schicht 102 mit der darin ausgebildeten Öffnung 105 enthält,
wie es in 3C gezeigt ist, in die Flüssigkeitsbearbeitungsvorrichtung übertragen.
Anschließend wird der Wafer W auf dem Drehfutter 3 gehalten,
und die Bearbeitung wird gemäß dem Ablaufdiagramm,
das in 4 gezeigt ist, wie unten beschrieben ausgeführt.
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In
diesem Zustand wird zunächst die Flüssigkeitsbearbeitung
der ersten Phase ausgeführt (erster Schritt). In diesem
ersten Schritt wird die Bearbeitungsflüssigkeitszufuhrdüse 5 direkt
oberhalb des Zentrums des Wafers W positioniert. Anschließend, während
der Wafer W von dem Drehfutter 3 gedreht wird, wird eine
chemische Flüssigkeit zum Entfernen der HM und der Polymere
von der Bearbeitungsflüssigkeitszufuhrdüse 5 auf
die Oberfläche des Wafers W zugeführt, um eine
Bearbeitung zum Entfernen der HM-Schicht 102 auszuführen.
Zu der Zeit ist es notwendig, die chemische Flüssigkeit
in dem Tank der chemischen Flüssigkeit 24 auf
einer Temperatur von ungefähr 50 bis 80°C mittels
eines Heizers (nicht gezeigt) zu halten, und die chemische Flüssigkeit
auf dem Wafer W auf einer Temperatur von 30°C oder mehr
zu halten. Während dieses ersten Schritts, der somit ausgeführt
wird, wie es in 5 gezeigt ist, ist das Umschaltventil 34 geöffnet
eingestellt und ist das Umschaltventil 35 geschlossen eingestellt,
sodass die chemische Flüssigkeit, die von dem Wafer W weggeschleudert
wird und von dem Ablaufbehälter 6 empfangen wird,
entfernt bzw. weggebracht wird. In diesem Zusammenhang, wenn die
chemische Flüssigkeit von Anfang an aufgefangen wird, wird
der Betrag der aufgefangenen HM in dem Tank der chemischen Flüssigkeit 25 sehr
groß, und eine solche Flüssigkeit ist zur Wiederverwendung
nicht geeignet. Folglich wird in dem ersten Schritt, die chemische Flüssigkeit,
die in der Bearbeitung verwendet wird, entfernt.
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Allerdings
wird mit Fortlauf der Bearbeitung zum Entfernen der HM-Schicht 102 der
Restbetrag der HM-Schicht 102 verringert. Nach dem Ablauf
einer vorbestimmten Zeit erreicht die Restmenge ein Niveau, bei
dem die chemische Flüssigkeit ohne Probleme wiederverwendet
werden kann, selbst wenn die Schicht 102 von der chemischen
Flüssigkeit vollständig entfernt ist und zusammen
mit der chemischen Flüssigkeit aufgefangen ist und darin
als Rückstand enthalten ist. Folglich, mit einem geeigneten
Timing bzw. mit einer geeigneten Zeitvorgabe, wenn oder nachdem
die Restmenge der HM-Schicht 102 ein solches Niveau erreicht,
wird das Umschaltventil 34 geschlossen und wird das Umschaltventil 35 geöffnet,
wie es in 6 gezeigt ist, sodass ein Umschalten
in einen Zustand ausgeführt wird, in dem die chemische Flüssigkeit,
die von dem Ablaufbehälter 6 empfangen wird, über
die Auffangleitung 32 in dem Tank der chemischen Flüssigkeit 25 aufgefangen werden
kann (zweiter Schritt). Anschließend, während
die chemische Flüssigkeit, die somit aufgefangen wird,
wiederverwendet wird, wird die Flüssigkeitsbearbeitung
der zweiten Phase ausgeführt, um den Restteil der HM-Schicht 102 und
der Polymere 104 zu entfernen (dritter Schritt). Folglich
wird in der Flüssigkeitsbearbeitung der zweiten Phase des
dritten Schritts, die chemische Flüssigkeit, die in der
Bearbeitung verwendet wird, über die Auffangleitung 32 in
dem Tank der chemischen Flüssigkeit 25 aufgefangen
und recycelt und wiederverwendet.
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Das
Umschalttiming zum Auffangen der chemischen Flüssigkeit
in dem zweiten Schritt kann mit einem Timing eingestellt werden,
bei oder nach Ablauf einer Zeitdauer, die im Voraus für
die Restmenge der HM-Schicht 102 erhalten wird, um ein
Niveau zu erreichen, bei dem die chemische Flüssigkeit
für das Recyceln wiederverwendbar ist, selbst wenn die Schicht 102 von
der chemischen Flüssigkeit vollständig entfernt
wird und darin als Rückstände enthalten ist. Es
wurde bestätigt, dass, wenn das Entfernungsverhältnis
der HM-Schicht 102 60% oder mehr beträgt, wie
beispielsweise 80%, die chemische Flüssigkeit ohne Probleme
durch ein Recyceln wiederverwendet werden kann, selbst wenn die Rest-HM-Schicht 102 zusammen
mit der chemischen Flüssigkeit aufgefangen wird. Folglich
kann eine Zeitdauer für die HM-Schicht 102, die
zu entfernen ist, mittels eines vorbestimmten Verhältnisses
innerhalb eines Bereichs von 60 bis 100%, wie beispielsweise 80%,
im Voraus bestimmt werden, mit Bezug auf die Dicke der HM-Schicht 102 und
die Ätzrate, und das Umschalten zur Ansammlung der chemischen
Flüssigkeit wird mit einem Timing bzw. zu einer Zeit ausgeführt,
bei oder nach Ablauf der Zeitdauer. Es sollte bemerkt werden, dass
betreffend das Ätzen der HM-Schicht 102, die Ätzrate
bis zu einem gewissen Maß in Abhängigkeit von
Abschnitten fluktuiert, und folglich kann etwas von der die HM-Schicht 102 zurückbleiben,
selbst nach dem Ablauf der Zeitdauer für eine 100%ige Entfernung.
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Diese
Umschaltsteuerung wird so ausgeführt, dass der Steuerabschnitt 40 voreingestellt
ist, um ein Umschalttiming aufzuweisen, das wie beschrieben bestimmt
wird, um Befehle davon zu den Umschaltventilen 34 und 35 gemäß dem
Timing zu übertragen.
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Im
Allgemeinen wird der erste Schritt ausgeführt, bis der
Restteil der HM-Schicht 102 klein ist, wie es in 7A gezeigt
ist. Allerdings sind die Polymere 104 am Ende des ersten
Schrittes im Wesentlichen weiterhin vorhanden, da deren Widerstand
bezüglich der Entfernung größer ist.
In dieser Hinsicht kann der erste Schritt ausgeführt werden,
bis die HM-Schicht 102 vollständig entfernt ist.
Anschließend wird der dritte Schritt ausgeführt,
sodass der Restteil der HM-Schicht 102 und die Polymere 104 entfernt
werden, oder die Polymere 104 entfernt werden, wenn die
HM-Schicht 102 bereits vollständig entfernt wurde.
Somit, wie es in 7B gezeigt ist, verbleibt lediglich
der organische Low-k-Film 101 in einem geätzten
Zustand.
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Um
das Auffangverhältnis der chemischen Flüssigkeit
zu verbessern, sollte der Verbrauch der chemischen Flüssigkeit
im ersten Schritt des Entfernens der chemischen Flüssigkeit
so klein wie möglich eingestellt werden. Im Hinblick darauf
ist der erste Schritt vorzugsweise vorgesehen, um ein intermittierendes
Zuführen der chemischen Flüssigkeit zu umfassen,
während der Wafer W gedreht wird. Beispielsweise, wie es
in 8 gezeigt ist, während der Wafer W mit
einer geringen Geschwindigkeit gedreht wird, wird zunächst
ein Flüssigkeitsfilm durch Zuführen der chemischen
Flüssigkeit für eine Zeitdauer T1, wie es in 8 gezeigt
ist, ausgebildet, die ungefähr 1 bis 10 Sekunden, wie beispielsweise
5 Sekunden, beträgt. Anschließend werden, während
der Wafer W mit einer geringen Geschwindigkeit gedreht wird, eine
Stoppdauer der chemischen Flüssigkeit T2 und eine Zufuhrdauer
der chemischen Flüssigkeit T3 abwechselnd wiederholt. Die
Stoppdauer der chemischen Flüssigkeit T2 beträgt
ungefähr 10 bis 30 Sekunden, und vorzugsweise 10 bis 15
Sekunden. Die Zufuhrdauer der chemischen Flüssigkeit T3
beträgt ungefähr 1 bis 5 Sekunden und vorzugsweise
ungefähr 1 Sekunde. Zu der Zeit muss das Timing bzw. bzw.
die Zeitvorgaben des Zuführens und Stoppens der chemischen
Flüssigkeit voreingestellt sein, sodass die Oberfläche
des Wafers W mit der chemischen Flüssigkeit benetzt gehalten
wird. Dort wo die Oberfläche des Wafers W mit der chemischen
Flüssigkeit benetzt ist, kann die Reaktion der chemischen Flüssigkeit
mit den HM-Komponenten fortschreiten. Wenn die Oberfläche
des Wafers W getrocknet wird, treten Probleme darin auf, dass Teilchen
erzeugt werden, und es benötigt Zeit, danach einen Flüssigkeitsfilm
auf der Oberfläche des Wafers W auszubilden. Ferner, wenn
eine Dauer des nicht Zuführens der chemischen Flüssigkeit
zu lange ist, wird die Temperatur der chemischen Flüssigkeit
auf dem Wafer W niedriger und verringert die Reaktionsrate. Demzufolge
sollte die Länge der Stoppdauer der chemischen Flüssigkeit
im Hinblick auf die oben beschriebenen Punkte bestimmt werden. Die
Abläufe des Zuführens und Stoppens der chemischen
Flüssigkeit, können durch Öffnen und
Schließen des Umschaltventils 22 gemäß Befehlen
von der Steuereinheit 41 realisiert werden. Die Drehgeschwindigkeit
des Wafers W, die zu dieser Zeit angewendet wird, ist vorzugsweise
auf 50 bis 300 U/min eingestellt. Wenn die Geschwindigkeit größer
als 300 U/min ist, wird die chemische Flüssigkeit in einer
kurzen Zeit verteilt, und folglich wird die Wirkung des Verringerns
des Verbrauchs der chemischen Flüssigkeit verschlechtert.
Wenn die Geschwindigkeit niedriger als 50 U/min ist, verbleibt ein großer
Betrag der chemischen Flüssigkeit in einem abgekühlten
Zustand auf dem Wafer W. In diesem Fall kann die Temperatur des
Wafers W nicht durch intermittierendes Zuführen der chemischen
Flüssigkeit angehoben werden und folglich wird die HM-Entfernungsreaktion
kleiner.
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Wie
es oben beschrieben ist, wenn die chemische Flüssigkeit
intermittierend zugeführt wird, kann der Verbrauch der
chemischen Flüssigkeit deutlich verringert werden, wie
beispielsweise 1/10 oder weniger des Falls der chemischen Flüssigkeit,
die kontinuierlich zugeführt wird, sodass das Auffangverhältnis
der chemischen Flüssigkeit in hohem Maß verbessert
wird. Ferner, selbst wenn eine solche intermittierende Bearbeitung
ausgeführt wird, können die Intervalle der Zufuhr
der chemischen Flüssigkeit geeignet voreingestellt werden,
sodass vermieden wird, dass die Temperatur der chemischen Flüssigkeit
verringert wird, und folglich wird die Bearbeitungsrate beibehalten,
verglichen mit dem Fall der kontinuierlichen Zuführung
der chemischen Flüssigkeit.
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In
dem dritten Schritt wird ein Entfernen der Polymere 104 hauptsächlich
wie oben beschrieben ausgeführt, während die chemische
Flüssigkeit für eine Wiederverwendung aufgefangen
wird, und folglich muss der Verbrauch der chemischen Flüssigkeit nicht
verringert werden. Ferner haften die Polymere sehr stark an der
darunter liegenden Schicht an, und deren Entfernung erfordert eine
höhere Temperatur als die HM-Entfernung. Allerdings kann
das intermittierende Zuführen der chemischen Flüssigkeit,
wie es oben beschrieben ist, die Temperatur der chemischen Flüssigkeit,
die für die Reaktion notwendig ist, nicht sicherstellen.
Folglich ist der dritte Schritt vorzugsweise vorgesehen, um die
Bearbeitung bei kontinuierlicher Zufuhr der chemischen Flüssigkeit
auszuführen. Die Drehgeschwindigkeit des Wafers W, die
zu dieser Zeit angewendet wird, ist vorzugsweise eingestellt, um
200 bis 500 U/min zu betragen.
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Im
Hinblick auf die oben beschriebenen Punkte, werden die ersten bis
dritten Schritte vorzugsweise ausgeführt, wie es in 9 gezeigt
ist, um das Auffangverhältnis der chemischen Flüssigkeit
zu verbessern. Im Besonderen wird der erste Schritt ausgeführt,
während die chemische Flüssigkeit intermittierend
zugeführt wird. Anschließend wird der zweite Schritt
ausgeführt, um von der Entfernungsseite zur Auffangseite
umzuschalten. Anschließend wird der dritte Schritt ausgeführt,
während die chemische Flüssigkeit kontinuierlich
zugeführt wird.
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Alternativ,
um den Verbrauch der chemischen Flüssigkeit in dem ersten
Schritt zu verringern und das Auffangverhältnis der chemischen
Flüssigkeit zu verbessern, können die ersten bis
dritten Schritte ausgeführt werden, wie es in 10 gezeigt ist.
Im Besonderen werden sowohl der erste als auch der dritte Schritt
ausgeführt, während der Wafer W gedreht wird und
die chemische Flüssigkeit kontinuierlich zugeführt
wird. Allerdings ist die Zufuhrströmungsrate der chemischen
Flüssigkeit, die in dem ersten Schritt angewendet wird,
kleiner als die Zufuhrströmungsrate der chemischen Flüssigkeit
eingestellt, die in dem dritten Schritt angewendet wird. Der Grund
liegt darin, dass der dritte Schritt zum Entfernen der Polymere 104 eine
höhere Temperatur der chemischen Flüssigkeit erfordert
und somit eine größere Strömungsrate
der chemischen Flüssigkeit erfordert. Der erste Schritt
kann mit einer geringeren Temperatur der chemischen Flüssigkeit
als beim dritten Schritt ausgeführt werden und kann folglich
eine geringere Zufuhrströmungsrate der chemischen Flüssigkeit
als beim dritten Schritt akzeptieren.
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Nachdem
die HM-Schicht 102 und die Polymere 104 entfernt
sind und der Low-k-Film 101 auf dem Wafer W in den Zustand
gebracht ist, der in 7B gezeigt ist, wird eine Spülbearbeitung
auf dem Wafer W wie folgt ausgeführt. Im Besonderen, während
der Wafer W mit einer Drehgeschwindigkeit von ungefähr
100 bis 1.000 U/min gedreht wird, wird das Umschaltventil 22 geschlossen
und wird das Umschaltventil 23 geöffnet, sodass
aufbereitetes Wasser, das als eine Spülflüssigkeit
verwendet wird, von der Zufuhrquelle des aufbereiteten Wassers 27 durch die
Bearbeitungsflüssigkeitszufuhrdüse 5 auf
den Wafer W zugeführt wird. Zu der Zeit ist das Umschaltventil 35 geschlossen
eingestellt und ist das Umschaltventil 34 geöffnet
eingestellt, sodass die Spülflüssigkeit, die von
dem Wafer W weggeschleudert wird, entfernt wird.
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Nachdem
die Spülbearbeitung ausgeführt ist, wird, wenn
es notwendig ist, ein Trocknungsmittel, wie beispielsweise IPA (Isopropylalkohol)
von einem Trocknungsmittelzufuhrmechanismus (nicht gezeigt) auf
den Wafer W zugeführt, um ein Trocknen des Wafers W zu
fördern, und anschließend wird der Wafer W mit
einer hohen Geschwindigkeit gedreht, um ein Wegschleudern und Trocknen
auszuführen.
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Die
gesamte Bearbeitung für einen Wafer ist mit den oben beschriebenen
Ablaufen abgeschlossen.
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Wie
es oben beschrieben ist, gemäß dieser Ausführungsform,
ist der erste Schritt vorgesehen, um eine Entfernung der Hartmaskenschritt 102 durch Zuführen
der chemischen Flüssigkeit auf den Wafer W während
einer Drehung des Wafers W auszuführen, um die chemische
Flüssigkeit, die in der Bearbeitung verwendet wird, zu
entfernen bzw. wegzuschaffen. Anschließend ist der zweite
Schritt vorgesehen, um von der Entfernungsseite zur Auffangseite
umzuschalten, um die chemische Flüssigkeit, die in der Bearbeitung
verwendet wird, aufzufangen und zu recyceln, wenn die Restmenge
der HM-Schicht klein genug für eine Wiederverwendung der
chemischen Flüssigkeit wird. Anschließend, mit
diesem umgeschalteten Zustand, ist der dritte Schritt vorgesehen, um
den Restteil der Hartmaskenschicht 102 und der Polymere 104,
oder die Polymere 104, zu entfernen, während die
chemische Flüssigkeit aufgefangen und recycelt wird. Infolgedessen
wird die in der Bearbeitung verwendete chemische Flüssigkeit,
die herkömmlich entfernt wird, zuverlässig wiederverwendet.
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Ferner
ist der erste Schritt, welcher die chemische Flüssigkeit
entfernt, vorgesehen, um ein intermittierendes Zuführen
der chemischen Flüssigkeit auf den Wafer W während
einer Drehung des Wafers W zu umfassen, wobei aber die Oberfläche
des Wafers W mit der chemischen Flüssigkeit benetzt gehalten
wird, während der Perioden des nicht Zuführens der
chemischen Flüssigkeit zwischen den Perioden des Zuführens
der chemischen Flüssigkeit. Infolgedessen kann der Verbrauch
der chemischen Flüssigkeit in dem ersten Schritt verringert
werden, um die Menge der entfernten chemischen Flüssigkeit,
so klein wie möglich zu machen, und um das Auffangverhältnis
der chemischen Flüssigkeit in hohem Maße zu verbessern.
Alternativ kann die Zufuhrströmungsrate der chemischen
Flüssigkeit, die in dem ersten Schritt verwendet wird,
kleiner als die Zufuhrströmungsrate der chemischen Flüssigkeit
eingestellt werden, die in dem dritten Schritt angewendet wird. Infolgedessen
kann der Verbrauch der chemischen Flüssigkeit in dem ersten
Schritt auch verringert werden, um die entfernte Menge der chemischen
Flüssigkeit so klein wie möglich zu machen und
das Auffangverhältnis der chemischen Flüssigkeit
in hohem Maße zu verbessern.
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Gemäß der
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird, wenn eine
Hartmaskenschicht durch Zuführen einer chemischen Flüssigkeit
auch ein Substrat während einer Drehung des Substrats entfernt
wird, die chemische Flüssigkeit, die in der Bearbeitung
verwendet wird, zunächst entfernt. Anschließend,
wenn die Bearbeitung fortschreitet und die Restmenge der Hartmaskenschicht
ein Niveau erreicht, bei dem die chemische Flüssigkeit,
die in der Bearbeitung verwendet wird, für eine Wiederverwendung
auffangbar ist, wird ein Umschalten ausgeführt, um die
chemische Flüssigkeit, die entfernt wurde, die in der Bearbeitung
verwendet wird, aufzufangen und wiederzuverwenden, und der restliche
Teil der Hartmaskenschicht und der Polymere, oder die Polymere,
werden von der chemischen Flüssigkeit entfernt. Infolgedessen
wird die in der Bearbeitung verwendete chemische Flüssigkeit,
die herkömmlich entfernt bzw. weggebracht wird, zuverlässig
wiederverwendet.
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Ferner
ist der erste Schritt, der die chemische Flüssigkeit entfernt,
vorgesehen, um ein intermittierendes Zuführen der chemischen
Flüssigkeit auf das Substrat während der Drehung
des Substrats zu umfassen, wobei aber die Oberfläche des
Substrats mit der chemischen Flüssigkeit benetzt gehalten wird,
während der Perioden des nicht Zuführens der chemischen
Flüssigkeit zwischen den Perioden des Zuführens
der chemischen Flüssigkeit. Alternativ wird die Zufuhrströmungsrate
der chemischen Flüssigkeit, die in dieser Bearbeitung angewendet
wird, kleiner eingestellt als die Zufuhrströmungsrate der chemischen
Flüssigkeit, die in der Polymerentfernung angewendet wird.
Infolgedessen kann der Verbrauch der chemischen Flüssigkeit
in dem ersten Schritt verringert werden, um die entfernte Menge
der chemischen Flüssigkeit so klein wie möglich
zu machen und das Auffangverhältnis der chemischen Flüssigkeit
in hohem Maße zu verbessern.
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Die
vorliegende Erfindung ist nicht auf die oben beschriebene Ausführungsform
beschränkt und kann auf verschiedene Weise modifiziert
werden. Beispielsweise wurde die oben beschriebene Ausführungsform
für einen Fall zum Entfernen einer Hartmaskenschicht und
von Polymeren, die auf einem organischen Low-k-Film verbleiben,
der als ein Ätzzielfilm bearbeitet wird, beispielhaft dargelegt,
aber der zugrunde liegende Ätzzielfilm ist nicht auf einen
spezifischen beschränkt. Ferner wird in der oben beschriebenen
Ausführungsform beispielhaft ein Halbleiterwafer als ein
Zielsubstrat genannt, aber die vorliegende Erfindung kann für
andere Substrate, wie beispielsweise ein Substrat für flache
Displayplatteneinrichtungen (FPD) angewendet werden, wobei ein Repräsentant
davon ein Glassubstrat für Flüssigkristalldisplayeinrichtungen
(LCD) ist.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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