DE102008012703B4 - Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben - Google Patents

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Rikihiro Maruyama
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Eiji Mochizuki
Motokiyo Yokoyama
Tatsuo Nishizawa
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Abstract

Halbleitervorrichtung, bei welcher ein äußeres Kunstharzgehäuse (5), mit einer peripheren Wand und darin zahlreichen gebildeten Anschlussklemm-Befestigungslöchern, mit einer geschichteten Anordnung, enthaltend einen Halbleiter-Chip (3), eine isolierende Leiterplatte (2), auf welcher der Halbleiter-Chip (3) befestigt ist, und einen wärmeableitenden Metallträger (1), kombiniert ist, wobei Beinteile (6a) in einer Wand des äußeren Kunstharzgehäuses (5) angeordneter äußerer Anschlussklemmen (6) ins Innere des Gehäuses gezogen sind und Kontaktierungsdrähte (7) die Anschlussklemmen-Beinteile (6a) mit einem Leitermuster der isolierenden Leiterplatte (2) oder des Halbleiter-Chips (3) verbinden, die in der peripheren Wand des äußeren Kunstharzgehäuses (5) verteilten Anschlussklemmen-Befestigungslöcher (5a) so gebildet sind, dass sie zu verschiedenen Anschlussklemmen-Anordnungen entsprechend Vorrichtungsmodellen und Spezifikationen passen, die äußeren Anschlussklemmen (6) entsprechend einer spezifizierten Anschlussklemmen-Anordnung in in der peripheren Wand des äußeren Kunstharzgehäuses (5) im Voraus gebildete Anschlussklemmen-Befestigungslöcher (5a) gedrückt sind, ein aus einem isolierenden Material hergestellter und in einen Spalt zwischen L-förmigen Beinteilen (6a) der im äußeren Kunstharzgehäuse (5) befestigten äußeren Anschlussklemmen (6) und dem Metallträger (1) eingebrachter Anschlussklemmen-Klemmrahmen (10) dazu dient, die äußeren Anschlussklemmen (6) in einer vorgeschriebenen Befestigungsposition zu halten, und ein vorstehender Trennwandteil (10b) an einer Oberseite des Anschlussklemmen-Klemmrahmens (10) entsprechend der Teilung, in welcher die Anschlussklemmen-Befestigungslöcher (5a) im äußeren Kunstharzgehäuse (5) angeordnet sind, gebildet ist, um die Beinteile (6a) der äußeren Anschlussklemmen (6) von rechts und links zu umschließen, so dass sie genau eingepasst und gehalten sind.

Description

  • Diese Erfindung betrifft eine in intelligenten Leistungsmodulen (IPM), welche in Wechselrichtervorrichtungen verwendet werden, angewendete Halbleitervorrichtung und betrifft insbesondere die Gehäusestruktur und das Verfahren zur Montage von Halbleitervorrichtungen.
  • 11 bis 13 zeigen die montierte Struktur der Halbleitervorrichtungs-Gehäuse nach dem Stand der Technik. In 11 ist 1 ein aus Kupfer gebildeter wärmeableitender Metallträger; 2 ist eine isolierende Leiterplatte mit einem auf beiden Seiten einer isolierenden Leiterplatte gebildeten Leitermuster; 3 ist ein Halbleiter-Chip (zum Beispiel ein auf der isolierenden Leiterplatte 2 befestigter IGBT (Isolierschicht-Bipolartransistor)); 4 ist eine Lot-Verbindungsschicht, welche den Metallträger 1 und die isolierende Leiterplatte 2 sowie die isolierende Leiterplatte 2 und den Halbleiter-Chip 3 miteinander verbindet; 5 ist ein äußeres Kunstharzgehäuse; 6 sind in einem Wandteil des äußeren Kunstharzgehäuses 5 in einer Reihe angeordnete äußere Anschlussklemmen (Hauptklemmen, Steuerklemmen); 7 sind Kontaktierungsdrähte (Aluminiumdrähte), welche die von den äußeren Anschlussklemmen 6 ins Innere des äußeren Kunstharzgehäuses 5 vorstehenden L-förmigen Beinteile 6a und das Leitermuster der isolierenden Leiterplatte 2 verbinden; 8 ist ein Gehäusedeckel; und 9 ist ein Vergussharz, welches das Innere des äußeren Kunstharzgehäuses 5 füllt; die äußeren Anschlussklemmen 6 sind mit dem äußeren Kunstharzgehäuse 5 einstückig durch Umspritzen in dessen Wandteil gebildet (siehe zum Beispiel JP 2003-249624 A , entsprechend US 6 995 461 B2 ). Abgesehen von der in 11 gezeigten Verdrahtung gibt es Fälle, in welchen ein direkter Kontaktierungsdraht 7 verwendet wird, um die oberseitigen Hauptelektroden des Halbleiter-Chips 3 und die äußeren Anschlussklemmen 6 zu verbinden.
  • Eine wie oben konfigurierte Halbleitervorrichtung wird mittels des folgenden Verfahrens montiert. Zunächst wird das Kupfermaterial Walz-, Stanz- und Biegebearbeitungen unterzogen, um die äußeren Anschlussklemmen 6 herzustellen, welche an vorgeschriebenen Positionen in einer zum Bilden eines äußeren Kunstharzgehäuses 5 dienenden Form angeordnet werden. Dann wird ein Spritzguss-Kunstharz wie PPS (Polyphenylensulfid), PBT (Polybutylenterephthalat) oder dergleichen in die Gußform eingespritzt, und unter Integrieren der äußeren Anschlussklemmen 6 durch Umspritzen wird das äußere Kunstharzgehäuse 5 hergestellt.
  • Andererseits wird im Gehäusemontageprozess eine Plattenanordnung, in welcher die isolierende Leiterplatte 2 und der Halbleiter-Chip 3 auf dem Metallträger 1 befestigt sind, auf die Unterseite des äußeren Kunstharzgehäuses 5 gelegt, und die Peripherie des Metallträgers 1 wird mit einem Klebstoff (zum Beispiel einem Silikonklebstoff) an das äußere Kunstharzgehäuse 5 geklebt.
  • Im nachfolgenden Verdrahtungsprozess werden Kontaktierungsdrähte 7 zwischen den vom äußeren Kunstharzgehäuse 5 nach innen gezogenen L-förmigen Beinteilen 6a der äußeren Anschlussklemmen 6 und dem Leitermuster der isolierenden Leiterplatte 2 angeschlossen. In diesem Verdrahtungsprozess wird ein Ultraschall-Kontaktierungsverfahren verwendet, um die Drähte 7 anzuschließen. Nach Verdrahten der Drähte 7 wird das Kunstharzgehäuse 5 mit einem Vergussharz 9 gefüllt und wird der Gehäusedeckel 8 angebracht, um das Produkt fertig zu stellen.
  • Nach Auslieferung dieses Halbleiterprodukts an einen Kunden wird das Produkt zum Beispiel in eine Wechselrichtervorrichtung eingebaut und werden die äußeren Anschlussklemmen 6 mit einer Leiterplatte der Wechselrichtervorrichtung verbunden, um in Anwendungen wie einer IPM-(Intelligent Power Module)Motorsteuerung verwendet zu werden.
  • Bei der oben beschriebenen Halbleitervorrichtung nach dem Stand der Technik ist das Gehäuse mit den äußeren Anschlussklemmen 6 konfiguriert, welche für jedes Gerät mit dem Wandteil des äußeren Kunstharzgehäuses 5 umspritzt und entsprechend der Strombelastbarkeit des Halbleiter-Chips 3, der Plazierungsposition, den Einzelheiten der Leiterplatte der Wechselrichtervorrichtung oder einer anderen Einrichtung sowie anderen Spezifikationen positioniert und angeordnet sind; ein Beispiel einer solchen Anordnung von Anschlussklemmen erscheint in 12. 13A und 13B sind Außenansichten äußerer Anschlussklemmen 6, welche entsprechend der Stärke des durchzuleitenden Stroms verwendet werden.
  • Jedoch fallen bei der Gehäuseanordnungsstruktur aus 11 und 12 die Plazierungspositionen und Formen der äußeren Anschlussklemmen 6 je nach dem Vorrichtungsmodell und den Spezifikationen von durch einen Kunden vorgegebenen Kundenprodukten unterschiedlich aus. Aus diesem Grund muss, wenn ein Hersteller ein Produkt herstellt, eine entsprechend dem Vorrichtungsmodell und den für jedes Kundenprodukt von einem Kunden spezifizierten Spezifikationen konstruierte Gußform für das äußere Kunstharzgehäuse 5 neu hergestellt und verwaltet werden. Überdies ist, weil ein Montageroboter in Wirklichkeit Schwierigkeiten hat, äußere Anschlussklemmen 6 mit verschiedenen Formen (siehe 13A und 13B) automatisch entsprechend den Produktspezifikationen in spezifizierten Positionen in der Gußform anzuordnen, menschliche Arbeit erforderlich, um diese Arbeit zu erledigen. Folglich dauert es lang vom Eingang eines Auftrags für ein Kundenprodukt bis zur Auslieferung des Produkts, und überdies sind die Produktkosten hoch.
  • DE 29 900 370 U1 zeigt ein Leistungshalbleitermodul mit einem als Rahmen ausgebildeten Kunststoffgehäuse, an dessen Innenseite in vorgegebenen Abständen n Führungen für externe Anschlusselemente vorgesehen sind, einem als Keramikplatte ausgebildeten Gehäuseboden, der in das Kunststoffgehäuse eingesetzt ist, wobei die Keramikplatte auf ihrer oberen und unteren Seite eine Metalllisierung aufweist, die auf der oberen, dem Gehäuseinneren zugewandten Seite zur Bildung von Leiterbahnen strukturiert ist und die mit zumindest einem Halbleiterbauelement und Verbindungselementen bestückt ist, maximal n in den Führungen fixierten, äußere Anschlüsse bildenden Anschlusselementen, die an ihren unteren Enden Bondflächen aufweisen und über die Verbindungselemente mit dem zumindest einen Halbleiterbauelement und/oder mit der Metallisierung elektrisch verbunden sind, und einem mit dem Kunststoffgehäuse verbindbaren Deckel, wobei die Anschlusselemente durch über in den Deckel einbringbare Öffnungen nach außen ragen.
  • DE 199 14 741 A1 zeigt ein Leistungshalbleitermodul, das aus einem Gehäuse, einer Trägerplatte, zumindest einem Keramiksubstrat, das zumindest an seiner Oberseite mit einer Metallisierung versehen ist, besteht, sowie mehreren steuerbaren Halbleiterbauelementen, die auf der Oberseite des Keramiksubstrats elektrisch leitend angeordnet und über Bonddrähte miteinander verbunden sind. Das Leistungshalbleitermodul weist ferner mehrere externe Laststromanschlusselemente auf, die mit der Innenwand des Gehäuses verbunden sind und an ihren unteren Enden Bondflächen aufweisen, die mit den Laststromanschlüssen der Halbleiterbauelemente über Bonddrähte elektrisch leitend verbunden sind. Ferner ist ein mit Leiterbahnen strukturierter Rahmen vorgesehen, der mit der Innenwand des Gehäuses verbunden ist.
  • DE 10 2007 012 818 A1 zeigt ein Leistungshalbleitergehäuse, das ein Halbleiter-Montagesubstrat beinhaltet sowie einen Baurahmen, der eine Öffnung aufweist und das Halbleiter-Montagesubstrat darin enthält, ein Befestigungsteil mit einer Mehrzahl von Befestigungspositionen, die entlang eines Randes ausgebildet sind, welcher die Öffnung bildet, und einen Schraubanschluss und einen Stiftanschluss, die an dem Rand befestigt sind und elektrisch mit dem Halbleiter-Montagesubstrat verbunden sind. Der Schraubanschluss und der Stiftanschluss sind jeweils durch das Befestigungsteil an einer der Mehrzahl von Befestigungspositionen desselben befestigt.
  • JP 2006 186 035 A zeigt eine Halbleitervorrichtung mit Halbleiterchips, die in einem Raum zwischen einem oberen Gehäuse und einem unteren Gehäuse angebracht sind. Das untere Gehäuse wird durch Umspritzen einer Elektrodenplatte mit isolierendem Kunstharz geformt und ein Rahmenteil wird integriert. Das obere Gehäuse wird ebenso durch Umspritzen einer weiteren Elektrodenplatte mit isolierendem Kunstharz geformt und ein weiteres Rahmenteil wird integriert. Ein Modul wird durch Auflöten der Halbleiterchips auf die zweite Elektrodenplatte geformt, wobei Kontaktelektroden auf den Halbleiterchips angebracht sind. Das untere Gehäuse ist durch das obere Gehäuse bedeckt und die beiden Rahmenteile werden verklebt, während auf die Elektrodenplatten von oben und unten Druck ausgeübt wird.
  • Diese Erfindung wurde in Anbetracht der obigen Punkte erdacht und hat als eine Aufgabe die Lösung der obigen Probleme durch Schaffen einer Halbleitervorrichtung und eines Verfahrens zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer verbesserten Gehäuseanordnungsstruktur, welche die Herstellung von Produkten ermöglichen, in welchen die Anordnung im Gehäuse befestigter äußerer Anschlussklemmen sich an verschiedene Vorrichtungsmodelle und verschiedene von Kunden spezifizierte Spezifikationen flexibel anpasst, wobei das äußere Kunstharzgehäuse als ein gemeinsames Bauelement dient.
  • Die Lösung der Aufgabe ergibt sich aus Patentanspruch 1 bzw. 7. Unteransprüche beziehen sich auf bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung. Dabei sind auch andere Kombinationen von Merkmalen als in den Ansprüchen beansprucht möglich.
  • Um die obige Aufgabe zu lösen, kombiniert eine Halbleitervorrichtung gemäß dieser Erfindung ein äußeres Kunstharzgehäuse mit einer geschichteten Anordnung aus einem Halbleiter-Chip, einer isolierenden Leiterplatte, auf welcher der Halbleiter-Chip befestigt ist, und einem wärmeableitenden Metallträger, wobei die Beinteile (L-förmigen Beinteile) in der Wand des äußeren Kunstharzgehäuses angeordneter äußerer Anschlussklemmen ins Innere des Gehäuses gezogen sind und Kontaktierungsdrähte die Anschlussklemmen-Beinteile mit dem Leitermuster der isolierenden Leiterplatte oder des Halbleiter-Chips verbinden: die Montage erfolgt durch Drücken der äußeren Anschlussklemmen in in der peripheren Wand des äußeren Kunstharzgehäuses im Voraus gebildete Anschlussklemmen-Befestigungslöcher und ist wie unten beschrieben konfiguriert.
    • (1) Während das äußere Kunstharzgehäuse als ein gemeinsames Bauelement dient, welches in verschiedenen Vorrichtungsmodellen verwendet wird, um die Plazierungspositionen in diesem Gehäuse befestigter äußerer Anschlussklemmen und von Kunden spezifizierte Spezifikationen flexibel anzupassen, sind in der peripheren Wand des äußeren Kunstharzgehäuses verteilte und gebildete Anschlussklemmen-Befestigungslöcher so gebildet, dass sie sich an alle verschiedenen Anschlussklemmen-Anordnungen für alle Modelle und Spezifikationen anpassen.
    • (2) Ferner sind, um die Strecke entlang der peripheren Wand von der peripheren Wand des äußeren Kunstharzgehäuses zu den nach oben gezogenen äußeren Anschlussklemmen zu vergrößern, in der Oberseite der peripheren Wand des äußeren Kunstharzgehäuses vertiefungs-/vorsprungförmige Stufenteile entsprechend der Teilung, in welcher die Anschlussklemmen-Befestigungslöcher angeordnet sind, gebildet.
    • (3) Andererseits sind, um die in Anschlussklemmen-Befestigungslöcher im äußeren Kunstharzgehäuse spielfrei eingepressten äußeren Anschlussklemmen fest zu halten, stützende vorstehende Teile zur Verhinderung von Spiel in den Pressbereichen äußerer Anschlussklemmen gebildet und sind die äußeren Anschlussklemmen in die Anschlussklemmen-Befestigungslöcher gedrückt.
    • (4) Ferner dient, als Mittel zur Verhinderung von Spiel der äußeren Anschlussklemmen ähnlich wie vorstehend unter (3), ein aus einem isolierenden Material hergestellter und in den Spalt zwischen den L-förmigen Beinteilen der im äußeren Kunstharzgehäuse befestigten äußeren Anschlussklemmen und dem Metallträger eingebrachter Anschlussklemmen-Klemmrahmen dazu, die äußeren Anschlussklemmen in einer vorgeschriebenen Befestigungsposition zu halten.
    • (5) Ferner ist in der Anschlussklemmen-Haltestruktur aus (4) oben ein vorstehender Trennwandteil in der Oberseite des Anschlussklemmen-Klemmrahmens entsprechend der Teilung gebildet, in welcher Anschlussklemmen-Befestigungslöcher im äußeren Kunstharzgehäuse angeordnet sind, um die Beinteile der äußeren Anschlussklemmen von rechts und links zu umschließen, so dass sie genau eingepasst sind und gehalten werden, um dafür zu sorgen, dass der Anschlussklemmen-Klemmrahmen die Beinteile der am äußeren Kunstharzgehäuse befestigten äußeren Anschlussklemmen in vorgeschriebenen Positionen stabil klemmt und hält.
    • (6) Ferner sind die Beinteile der äußeren Anschlussklemmen und der Anschlussklemmen-Klemmrahmen mittels eines Klebstoffs fest verklebt, und um Absorption durch die Klebstoffschicht und Dämpfung von beim Anschließen von Drähten durch ein Kontaktierungswerkzeug in die äußeren Anschlussklemmen übertragenen Ultraschall-Schwingungen zu verhindern, erfolgt die Verklebung unter Verwendung eines Epoxidharzklebstoffs, eines Acrylklebstoffs, eines Urethanklebstoffs oder eines Silikonklebstoffs als Klebstoff.
    • (7) Außerdem sind Pressvorsprünge an der Außenseite des Anschlussklemmen-Klemmrahmens aus (4) oben als feste Pressstützen beim Einbringen in die innere Peripherie des äußeren Kunstharzgehäuses verteilt und gebildet.
  • In einem Herstellungsverfahren dieser Erfindung zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit der obigen Konfiguration werden ferner in einem Prozess zur Bildung eines äußeren Kunstharzgehäuses Anschlussklemmen-Befestigungslöcher so in der peripheren Wand des Gehäuses verteilt und gebildet, dass sie allen Anschlussklemmen-Anordnungen, welche je nach Spezifikationen unterschiedlich ausfallen, entsprechen, und werden im anschließenden Gehäusemontageprozess Anschlussklemmen-Befestigungslöcher entsprechend einer spezifizierten Anschlussklemmen-Anordnung ausgewählt und werden äußere Anschlussklemmen in diese eingepresst und ein aus einem isolierenden Material hergestellter Anschlussklemmen-Klemmrahmen in einen Spalt zwischen L-förmigen Beinteilen der im äußeren Kunstharzgehäuse befestigten äußeren Anschlussklemmen und dem Metallträger eingebracht, um die äußeren Anschlussklemmen in einer vorgeschriebenen Befestigungsposition zu halten, wobei ein vorstehender Trennwandteil an einer Oberseite des Anschlussklemmen-Klemmrahmens entsprechend der Teilung, in welcher die Anschlussklemmen-Befestigungslöcher im äußeren Kunstharzgehäuse angeordnet sind, gebildet ist, um die Beinteile der äußeren Anschlussklemmen von rechts und links zu umschließen, so dass sie genau eingepasst und gehalten sind, woraufhin Kontaktierungsdrähte zwischen den Beinteilen der äußeren Anschlussklemmen und einer im äußeren Kunstharzgehäuse untergebrachten isolierenden Leiterplatte oder einem Halbleiter-Chip angeschlossen werden.
  • Mittels der Gehäuseanordnungsstruktur für eine Halbleitervorrichtung mit der obigen Konfiguration kann durch Pressen der erforderlichen äußeren Anschlussklemmen in Anschlussklemmen-Befestigungslöcher im äußeren Kunstharzgehäuse, welche entsprechend dem Produkttyp und den Spezifikationen ausgewählt wurden, um die äußeren Anschlussklemmen nachträglich anzubringen („Outsert”), das äußere Kunstharzgehäuse als ein gemeinsames Bauelement verschiedener Modelle verwendet werden und können Gehäuse hergestellt werden, welche sich an verschiedene Anordnungen äußerer Anschlussklemmen flexibel anpassen. Hierdurch erübrigt es sich, ein äußeres Kunstharzgehäuse mit umspritzten und in einer Einheit gebildeten äußeren Anschlussklemmen entsprechend den Spezifikationen für jeden Modelltyp zu konstruieren und herzustellen, wie bei der Struktur nach dem Stand der Technik, so dass die für Herstellung und Verwaltung von Gehäusen einschließlich der Gußformen erforderlichen Kosten gesenkt werden können, was wesentliche Senkungen der Produktkosten zur Folge hat und die Zeit vom Auftragseingang bis zur Auslieferung von Kundenprodukten verkürzt.
  • Hier können durch vorheriges Bilden eines vertiefungs-/vorsprungförmigen Stufenteils entsprechend der Teilung, in welcher Anschlussklemmen-Befestigungslöcher in der Oberseite der peripheren Wand des äußeren Kunstharzgehäuses angeordnet sind, angemessene Abstände entlang der Seite zwischen den nach oben aus dem Kunstharzgehäuse gezogenen äußeren Anschlussklemmen sichergestellt werden und kann die erforderliche Durchschlagfestigkeit sichergestellt werden.
  • Durch Bilden von Stützvorsprüngen in den gepressten Teilen der äußeren Anschlussklemmen und durch Pressen der Vorsprünge in die Anschlussklemmen-Befestigungslöcher oder durch spielfreies Halten der äußeren Anschlussklemmen in vorgeschriebenen Positionen mittels eines Anschlussklemmen-Klemmrahmens zwischen den Beinteilen der äußeren Anschlussklemmen und der Metallträgerplatte können ferner, bei Durchführung einer Ultraschall-Kontaktierung von Draht an die Beinteile der äußeren Anschlussklemmen im anschließenden Verdrahtungsprozess, Ultraschall-Schwingungen wirksam vom Kontaktierungswerkzeug in die Verbindungsteile des Drahts übertragen werden und kann eine Kontaktierungsfestigkeit mit hoher Zuverlässigkeit sichergestellt werden. Darüber hinaus werden durch Verwendung eines Klebstoffs zum Verkleben der Beinteile der äußeren Anschlussklemmen mit dem Anschlussklemmen-Klemmrahmen die Anschlussklemmen-Beinteile so befestigt, dass sie sich nicht aus den vorgeschriebenen Positionen wegbewegen, und wird die Drahtkontaktierungsleistung weiter verbessert.
  • Ferner ist eine vorsprungförmige Trennwand an der Oberseite des Anschlussklemmen-Klemmrahmens gebildet, und durch Zusammenpassen und Halten der Beinteile der äußeren Anschlussklemmen mit dieser werden Links/Rechts-Bewegungen der Anschlussklemmen-Beinteile unterdrückt und können die Anschlussklemmen-Beinteile stabil in vorgeschriebenen Positionen gehalten werden.
  • Darüber hinaus kann der Anschlussklemmen-Klemmrahmen durch Bilden von Pressvorsprüngen an der Außenseite des Anschlussklemmen-Klemmrahmens und durch Pressen dieser Vorsprünge in die Innenseite des äußeren Kunstharzgehäuses spielfrei fest am äußeren Kunstharzgehäuse befestigt werden.
  • 1 ist eine Schnittansicht von Hauptteilen der Gehäuseanordnungsstruktur gemäß Aspekt 1 der Erfindung;
  • 2 ist eine Draufsicht eines Gehäuses, welche im Voraus entlang der peripheren Wand des äußeren Kunstharzgehäuses in 1 gegossene und gebildete Anschlussklemmen-Befestigungslöcher sowie die Anordnung von in ausgewählten Anschlussklemmen-Befestigungslöchern befestigten äußeren Anschlussklemmen zeigt;
  • 3 erläutert ein Verfahren zur Montage der in 1 gezeigten Gehäusestruktur;
  • 4 zeigt die Konfiguration einer Ausführungsform, bei welcher in den Pressbereichen der äußeren Anschlussklemmen in 1 ein Stützvorsprung gebildet ist, um Spiel zu verhindern, wobei 4A bis 4C Seiten-Außenansichten verschiedener äußerer Anschlussklemmen des Aspekts sind;
  • 5 ist eine Schnittansicht von Hauptteilen der Gehäuseanordnungsstruktur einer angewendeten Ausführungsform aus 1;
  • 6 ist eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht der Gehäusestruktur in Aspekt 2 der Erfindung;
  • 7 ist eine perspektivische Außenansicht des montierten Zustands mit im äußeren Kunstharzgehäuse aus 6 befestigten äußeren Anschlussklemmen;
  • 8 ist eine perspektivische Außenansicht des montierten Zustands des Gehäuses mit befestigter Plattenanordnung aus 7;
  • 9 ist eine teilgeschnittene Seitenansicht von 8;
  • 10 zeigt die Struktur von Hauptteilen in 9, wobei 10A und 10B vergrößerte Ansichten von Teil A beziehungsweise Teil B in 9 sind und 10C und 10D Schnittansichten entlang der Pfeile X-X beziehungsweise Y-Y in 10B sind;
  • 11 zeigt die Gehäuseanordnungsstruktur einer Halbleitervorrichtung nach dem Stand der Technik;
  • 12 ist eine Draufsicht eines äußeren Kunstharzgehäuses, integriert mit äußeren Anschlussklemmen, entsprechend 11; und
  • 13 zeigt die Struktur im äußeren Kunstharzgehäuse aus 11 und 12 umspritzter äußerer Anschlussklemmen, wobei (a) und (b) perspektivische Ansichten äußerer Anschlussklemmen mit verschiedenen Formen sind.
  • Nachfolgend werden Aspekte der Erfindung anhand von in 1 bis 10 gezeigten Ausführungsformen erläutert. 1 ist eine Schnittansicht von Hauptteilen einer Gehäuseanordnungsstruktur; 2 zeigt ein Beispiel von entlang der peripheren Wand eines äußeren Kunstharzgehäuses gebildeten Anschlussklemmen-Befestigungslöchern sowie eine Anordnung von in Anschlussklemmen-Befestigungslöchern, welche auf Grundlage der Produktspezifikationen ausgewählt wurden, befestigten äußeren Anschlussklemmen; 3 erläutert ein Verfahren zur Gehäusemontage; 4A bis 4C sind Außenansichten äußerer Anschlussklemmen, an welchen in Pressbereichen Stützvorsprünge gebildet sind; 5 ist eine Zeichnung der Gehäuseanordnungsstruktur der angewendeten Ausführungsform aus 1; 6 ist eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht der Gehäusestruktur einer zweiten Ausführungsform der Erfindung; 7 und 8 sind perspektivische Ansichten, welche den montierten Zustand des Gehäuses aus 6 zeigen; 9 ist eine Seiten-Schnittansicht von Hauptteilen in 8; und 10 ist eine Detailansicht von Hauptteilen in 9. In den Figuren sind Teile von Ausführungsformen, welche Teilen in 11 bis 13 entsprechen, mit den gleichen Bezugszeichen versehen, und auf ausführliche Erläuterungen wird verzichtet.
  • Ausführungsform 1
  • Zunächst wird anhand von 1 und 2 die montierte Gehäusestruktur dieser Ausführungsform der Erfindung erläutert. Diese Ausführungsform unterscheidet sich in nachfolgender Weise von der in 11 gezeigten Struktur nach dem Stand der Technik, bei welcher äußere Anschlussklemmen 6 in einer mit den Anschlussklemmen eine Einheit bildenden Struktur in einem äußeren Kunstharzgehäuse 5 umspritzt sind. Das heißt, bei der gezeigten Ausführungsform sind Anschlussklemmen-Befestigungslöcher 5a an einer Vielzahl von Orten in einem festen Teilungsabstand entlang der peripheren Wand des äußeren Kunstharzgehäuses 5 im Voraus gebildet. Die Anschlussklemmen-Befestigungslöcher 5a sind durch Gießen gebildet, wobei, im Prozess des Spritzens des äußeren Kunstharzgehäuses 5, Kerne entsprechend den Anschlussklemmen-Befestigungslöchern in der Form angeordnet sind. Dann werden bei der Gehäusemontage entsprechend den für ein jeweiliges Vorrichtungsmodell gegebenen Spezifikationen Löcher zur Befestigung äußerer Anschlussklemmen 6 unter den Anschlussklemmen-Befestigungslöchern 5a ausgewählt und äußere Anschlussklemmen 6 in diese gepresst, wie unten beschrieben, und damit nachträglich angebracht.
  • Hier fallen die Anordnungspositionen der äußeren Anschlussklemmen 6 je nach dem Produktmodell und den von Kunden vorgegebenen Spezifikationen unterschiedlich aus, wie oben erläutert. Deshalb sind die in der peripheren Wand des äußeren Kunstharzgehäuses 5 gebildeten Anschlussklemmen-Befestigungslöcher 5a im Voraus so verteilt und gebildet, dass sie für alle Vorrichtungsmodelle und Spezifikationen geeignet sind.
  • Dann werden, wenn Positionen zur Anordnung der äußeren Anschlussklemmen 6 für jedes Modell einer Halbleitervorrichtung spezifiziert werden und Anschlussklemmen im äußeren Kunstharzgehäuse 5 befestigt werden, die Anschlussklemmen-Befestigungslöcher 5a entsprechend dem Modell und den spezifizierten Spezifikationen aus zahlreichen in der peripheren Wand des äußeren Kunstharzgehäuses 5 wie oben erläutert im voraus verteilten und gebildeten Anschlussklemmen-Befestigungslöchern 5a ausgewählt. Dann werden die äußeren Anschlussklemmen 6 in die ausgewählten Anschlussklemmen-Befestigungslöcher 5a gepresst und darin befestigt.
  • Im Prozess der Montage äußerer Anschlussklemmen 6 können Positionsdaten für die in der peripheren Wand des äußeren Kunstharzgehäuses 5 verteilten Anschlussklemmen-Befestigungslöcher 5a im voraus in einem automatisierten Montageroboter gespeichert werden, und durch Einstellen der für jedes Vorrichtungsmodell spezifizierten Anordnung und der für jedes Vorrichtungsmodell spezifizierten Befestigungspositionen für äußere Anschlussklemmen 6 in einem Programm lässt sich eine automatisierte Montage leicht durchführen. Ferner können solche Prozesse, selbst wenn die Anordnungspositionen äußerer Anschlussklemmen 6 zur Montage entsprechend spezifizierten Spezifikationen geändert werden, wie im Fall von Kundenprodukten und dergleichen, mühelos angepasst werden, indem lediglich die Programmeinstellungen des Montageroboters geändert werden.
  • Durch die obige Konfiguration erübrigt es sich, ein äußeres Kunstharzgehäuse mit durch Umspritzen äußerer Anschlussklemmen integrierten Anschlussklemmen entsprechend den Spezifikationen des Vorrichtungsmodells herzustellen, wie bei Strukturen nach dem Stand der Technik, und so lassen sich durch Konstruktion, Herstellung und Verwaltung der Gußform für das Kunstharzgehäuse verursachte Kosten und andere Produktkosten stark verringern.
  • Andererseits wird in der montierten Gehäusestruktur aus 1, um die in das äußere Kunstharzgehäuse 5 vorstehenden L-förmigen Beinteile 6a der äußeren Anschlussklemmen 6 vom auf die Unterseite des Gehäuses gelegten Metallträger 1 elektrisch zu isolieren und zu trennen und um die Anschlussklemmen-Beinteile 6a so zu klemmen, dass Bewegungen weg von festen Positionen verhindert werden, ein aus einem isolierenden Material gebildeter rahmenförmiger Anschlussklemmen-Klemmrahmen 10 mit dem Inneren des äußeren Kunstharzgehäuses 5 zusammengepasst, und dieser Anschlussklemmen-Klemmrahmen 10 kommt zwischen den Unterseiten der L-förmigen Beinteile 6a und dem Metallträger 1 zu liegen.
  • Dieser Anschlussklemmen-Klemmrahmen 10 ist aus einem Kunstharzmaterial ähnlich demjenigen des Kunstharzgehäuses 5 hergestellt; nach dem Einpressen der äußeren Anschlussklemmen 6 in das äußere Kunstharzgehäuse 5 wird der Anschlussklemmen-Klemmrahmen 10 mit der inneren Peripherie des äußeren Kunstharzgehäuses 5 zusammengepasst, und Klebstoff 11 (zum Beispiel Silikonklebstoff) wird verwendet, um den auf die Unterseite des äußeren Kunstharzgehäuses 5 gelegten wärmeableitenden Metallträger 1 mit dem äußeren Kunstharzgehäuse 5 und dem Anschlussklemmen-Klemmrahmen 10 zu verbinden. Um den Anschlussklemmen-Klemmrahmen 10 so in die innere Peripherie des äußeren Kunstharzgehäuses 5 einzubringen, dass er die Rückseiten der Beinteile der äußeren Anschlussklemmen 6 überlappt, ist ein vertiefungsförmiger Stufenteil, welcher genau zum Anschlussklemmen-Klemmrahmen 10 passt, im Innern der unteren Hälfte des äußeren Kunstharzgehäuses 5 im voraus gebildet.
  • Nun wird in 3 ein Verfahren zur Montage einer Halbleitervorrichtung mit der obigen Konfiguration erläutert. Zunächst werden, bei den in der peripheren Wand des äußeren Kunstharzgehäuses 5 gebildeten Anschlussklemmen-Befestigungslöchern 5a, äußere Anschlussklemmen 6 von der Unterseite des Kunstharzgehäuses her gepresst und in ausgewählte Anschlussklemmen-Befestigungslöcher eingepresst, wie durch den Pfeil I in der Figur angedeutet. Dann wird der Anschlussklemmen-Klemmrahmen 10 von der Unterseite des Kunstharzgehäuses her eingesetzt und eingepasst, wie durch den Pfeil II in der Figur angedeutet, um die äußeren Anschlussklemmen 6 von unten zu klemmen. Dann wird in einem separaten Prozess eine Plattenanordnung, enthaltend einen montierten Metallträger 1, eine isolierende Leiterplatte 2 und einen Halbleiter-Chip 3, an der Unterseite des äußeren Kunstharzgehäuses 5 angebracht, wie durch den Pfeil III in der Figur angegeben, und wird Klebstoff 11 verwendet, um die Peripherie des Metallträgers 1 am äußeren Kunstharzgehäuse 5 und am Anschlussklemmen-Klemmrahmen 10 zu befestigen wie anhand von 1 erläutert. Danach wird ein Ultraschall-Kontaktierungsverfahren verwendet, um Kontaktierungsdraht (Aluminiumdraht) 7 mit den Beinteilen 6a der äußeren Anschlussklemmen 6 und dem Leitermuster der isolierenden Leiterplatte 2 zu verbinden, wodurch der Zwischenraum dazwischen überbrückt wird; und nach dem Füllen des Kunstharzgehäuses 5 mit Vergussharz 9 (siehe 11) wird der Gehäusedeckel 8 angebracht, um das Produkt fertig zu stellen.
  • Bei Verwendung von Ultraschall-Kontaktierung zum Kontaktieren der Beinteile 6a der äußeren Anschlussklemmen 6 an den Draht 7 im Montageprozess werden vom Kontaktierungswerkzeug auf die Oberflächen der äußeren Anschlussklemmen 6 übertragene Ultraschall-Schwingungen nicht wirksam weitergeleitet und kann die Kontaktierungsfestigkeit des Drahts 7 abnehmen, wenn in den äußeren Anschlussklemmen 6, welche in die Anschlussklemmen-Befestigungslöcher 5a des äußeren Kunstharzgehäuses 5 gepresst und nachträglich darin angebracht wurden, Spiel vorhanden ist. Deshalb sind in dieser Erfindung die äußeren Anschlussklemmen 6 fest an vorgeschriebenen Befestigungsorten befestigt und werden sie mittels der unten beschriebenen Einrichtung gehalten; dieser Aspekt wird anhand von 4 und 5 erläutert.
  • Zunächst sind in der Ausführungsform von 4A bis 4C Stützvorsprünge 6b zur Verhinderung von Spiel in den Pressbereichen (den in die im äußeren Kunstharzgehäuse 5 gebildeten Anschlussklemmen-Befestigungslöcher 5a eingesetzten Teilen) der äußeren Anschlussklemmen 6 gebildet. Hier, in der in 4A gezeigten Struktur, ist auf einer Seite der Pressbereichsfläche einer äußeren Anschlussklemme 6 durch mittels eines Pressformverfahrens bewirktes Ausbauchen ein trapezförmiger Stützvorsprung 6b gebildet. Dieser Stützvorsprung 6b dient dazu, eine Maßtoleranz auszugleichen und einen engen Sitz zwischen dem durch Gießen im äußeren Kunstharzgehäuse 5 gebildeten Anschlussklemmen-Befestigungsloch 5a (siehe 3) und der äußeren Anschlussklemme 6 zu ermöglichen, und sorgt für eine Presspassung am Vorsprung 6b. Die Stützvorsprünge 6b können auf beiden Seiten der äußeren Anschlussklemmen 6 gebildet sein wie in 4B gezeigt. Wie oben erklärt, bringt Pressbearbeitung zum Bilden von Vorsprüngen wie oben beschrieben in den äußeren Anschlussklemmen 6 eine größere Anzahl von Prozessen und höhere Kosten mit sich; und wie in 4C gezeigt, kann der Vorsprung auch durch Umformen von der Oberfläche auf der den Vorsprüngen 6b entgegengesetzten Seite her gebildet werden. Außerdem stellt 6c eine aufgrund des Umformens in der Fläche auf der dem Vorsprung 6b entgegengesetzten Seite auftretende Vertiefung dar.
  • Die Stützvorsprünge 6b sollten an einer Seite gebildet sein, welche in dem Zustand, in welchem die äußeren Anschlussklemmen 6 in Anschlussklemmen-Befestigungslöcher 5a des äußeren Kunstharzgehäuses 5 gepresst werden, nicht einer benachbarten äußeren Anschlussklemme gegenüberliegt. Der Grund hierfür ist, dass, falls die Vorsprünge 6b in einer Fläche auf einer einer benachbarten äußeren Anschlussklemme entgegengesetzten Seite gebildet sind, wenn die äußeren Anschlussklemmen 6 in ihre Lage gepresst werden, die Anschlussklemmen-Befestigungslöcher 5a, die durch die Stützvorsprünge 6b gepresst werden, in Richtung der benachbarten äußeren Anschlussklemme gepresst und geweitet werden und folglich das Kunstharzgehäuse selbst verwunden wird, so dass es zu einer Verformung kommen kann.
  • Andererseits wird bei der in 5 gezeigten montierten Gehäusestruktur als Mittel zur Verhinderung von Spiel der Beinteile 6a der in das äußere Kunstharzgehäuse 5 eingepressten äußeren Anschlussklemmen 6 Klebstoff 12 beim Verkleben des Anschlussklemmen-Klemmrahmens 10 (siehe 1) mit der dazwischenliegenden Unterseite der Beinteile 6a verwendet, so dass die Beinteile 6a der äußeren Anschlussklemmen 6 in den festen Positionen fest befestigt sind.
  • Als Klebstoff 12 kann ein Epoxidharzklebstoff, Acrylklebstoff, Urethanklebstoff oder Silikonklebstoff verwendet werden.
  • Ausführungsform 2
  • Nun wird anhand von 6 bis 10 eine zweite Ausführungsform erläutert, bei welcher die Gehäusestruktur gegenüber der obigen Ausführungsform 1 weiter verbessert ist. Bei dieser Ausführungsform liegen die folgenden strukturellen Veränderungen des äußeren Kunstharzgehäuses 5 und des Anschlussklemmen-Klemmrahmens 10 vor. Das heißt, vertiefungs-/vorsprungförmige Stufenteile 5b sind entlang der peripheren Wand des äußeren Kunstharzgehäuses 5 an der Oberseite gebildet. Diese vertiefungs-/vorsprungförmigen Stufenteile 5b sind in der gleichen Teilung wie die Anschlussklemmen-Befestigungslöcher 5a gebildet, so dass die Vertiefungsrillen 5b-1 in der Mitte zwischen benachbarten Anschlussklemmen-Befestigungslöchern 5a angeordnet sind. Hierdurch ist, wie in 10A gezeigt, eine Kriechstrecke d gebildet, welche größer als der räumliche Abstand zwischen aus dem äußeren Kunstharzgehäuse 5 nach außen gezogenen äußeren Anschlussklemmen 6 ist, so dass eine hohe Durchschlagfestigkeit sichergestellt werden kann.
  • Andererseits sind Pressvorsprünge 10a mit einem V-förmigen Querschnitt entlang der peripheren Seite des Anschlussklemmen-Klemmrahmens 10 verteilt und gebildet. Wenn der Anschlussklemmen-Klemmrahmen 10 in das äußere Kunstharzgehäuse 5 eingesetzt und mit diesem zusammengepasst wird, dringen diese Pressvorsprünge 10a in die innere Wand des äußeren Kunstharzgehäuses 5 ein, wie in 10C gezeigt und stützen den Anschlussklemmen-Klemmrahmen 10 so, dass kein Spiel vorhanden ist.
  • Ferner sind an der Oberseite des Anschlussklemmen-Klemmrahmens 10 zahlreiche vorstehende Trennwandteile 10b gebildet, welche entlang dessen innerer Peripherie verteilt sind. Wie in 10D gezeigt, dienen diese vorstehenden Trennwandteile 10b dazu, die L-förmigen Beinteile 6a der in das äußere Kunstharzgehäuse eingepressten äußeren Anschlussklemmen 6 von links und rechts zu klemmen und zu halten, so dass es zu keiner Bewegung nach links oder rechts aus der festen Position kommt; ähnlich den oben beschriebenen vertiefungs-/vorsprungförmigen Stufenteilen 5b sind die vorstehenden Trennwandteile 10b in der Teilung der Anschlussklemmen-Befestigungslöcher 5a des äußeren Kunstharzgehäuses 5 verteilt gebildet.
  • Durch die obige Konfiguration können die L-förmigen Beinteile 6a äußerer Anschlussklemmen 6 im montierten Zustand eines Gehäuses an festen Positionen spielfrei befestigt und gehalten sein. Hierdurch kann eine Dämpfung der von einem Kontaktierungswerkzeug in die Beinteile 6a der äußeren Anschlussklemmen 6 übertragenen Ultraschall-Schwingungen während eines anschließenden Prozesses der Ultraschall-Kontaktierung von Drähten 7 wirksam unterdrückt werden, um eine hohe Drahtkontaktierungsfestigkeit sicherzustellen, und kann die Produktzuverlässigkeit gesteigert werden.

Claims (7)

  1. Halbleitervorrichtung, bei welcher ein äußeres Kunstharzgehäuse (5), mit einer peripheren Wand und darin zahlreichen gebildeten Anschlussklemm-Befestigungslöchern, mit einer geschichteten Anordnung, enthaltend einen Halbleiter-Chip (3), eine isolierende Leiterplatte (2), auf welcher der Halbleiter-Chip (3) befestigt ist, und einen wärmeableitenden Metallträger (1), kombiniert ist, wobei Beinteile (6a) in einer Wand des äußeren Kunstharzgehäuses (5) angeordneter äußerer Anschlussklemmen (6) ins Innere des Gehäuses gezogen sind und Kontaktierungsdrähte (7) die Anschlussklemmen-Beinteile (6a) mit einem Leitermuster der isolierenden Leiterplatte (2) oder des Halbleiter-Chips (3) verbinden, die in der peripheren Wand des äußeren Kunstharzgehäuses (5) verteilten Anschlussklemmen-Befestigungslöcher (5a) so gebildet sind, dass sie zu verschiedenen Anschlussklemmen-Anordnungen entsprechend Vorrichtungsmodellen und Spezifikationen passen, die äußeren Anschlussklemmen (6) entsprechend einer spezifizierten Anschlussklemmen-Anordnung in in der peripheren Wand des äußeren Kunstharzgehäuses (5) im Voraus gebildete Anschlussklemmen-Befestigungslöcher (5a) gedrückt sind, ein aus einem isolierenden Material hergestellter und in einen Spalt zwischen L-förmigen Beinteilen (6a) der im äußeren Kunstharzgehäuse (5) befestigten äußeren Anschlussklemmen (6) und dem Metallträger (1) eingebrachter Anschlussklemmen-Klemmrahmen (10) dazu dient, die äußeren Anschlussklemmen (6) in einer vorgeschriebenen Befestigungsposition zu halten, und ein vorstehender Trennwandteil (10b) an einer Oberseite des Anschlussklemmen-Klemmrahmens (10) entsprechend der Teilung, in welcher die Anschlussklemmen-Befestigungslöcher (5a) im äußeren Kunstharzgehäuse (5) angeordnet sind, gebildet ist, um die Beinteile (6a) der äußeren Anschlussklemmen (6) von rechts und links zu umschließen, so dass sie genau eingepasst und gehalten sind.
  2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei dem ein vertiefungs-/vorsprungförmiger Stufenteil (5b) an einer Oberseite der peripheren Wand des äußeren Kunstharzgehäuses (5) entsprechend einer Teilung, in welcher die Anschlussklemmen-Befestigungslöcher (5a) angeordnet sind, gebildet ist.
  3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei dem in Bereichen zum Eindrücken äußerer Anschlussklemmen (6) stützende vorstehende Teile zur Verhinderung von Spiel gebildet sind.
  4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei dem die Beinteile (6a) der äußeren Anschlussklemmen (6) und der Anschlussklemmen-Klemmrahmen (10) mittels eines Klebstoffs (12) verklebt sind.
  5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 4, bei dem der beim Verkleben der Beinteile (6a) der äußeren Anschlussklemmen (6) und des Anschlussklemmen-Klemmrahmens (10) verwendete Klebstoff (12) ein Epoxidharzklebstoff, ein Acrylklebstoff, ein Urethanklebstoff oder ein Silikonklebstoff ist.
  6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, bei dem Eindrückvorsprünge an der Außenseite des Anschlussklemmen-Klemmrahmens (10) als Eindrückstützen in einer inneren Peripherie des äußeren Kunstharzgehäuses (5) verteilt und gebildet sind.
  7. Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, bei welchem ein äußeres Kunstharzgehäuse (5) mit einer geschichteten Anordnung, enthaltend einen Halbleiter-Chip (3), eine isolierende Leiterplatte (2), auf welcher der Halbleiter-Chip (3) befestigt ist, und einen wärmeableitenden Metallträger (1), kombiniert ist, wobei Beinteile (6a) in einer Wand des äußeren Kunstharzgehäuses (5) angeordneter äußerer Anschlussklemmen (6) ins Innere des Gehäuses gezogen sind und Kontaktierungsdrähte (7) die Anschlussklemmen-Beinteile (6a) mit einem Leitermuster der isolierenden Leiterplatte (2) oder des Halbleiter-Chips verbinden, wobei in einem Prozess zur Bildung eines äußeren Kunstharzgehäuses (5) Anschlussklemmen-Befestigungslöcher (5a) so in der peripheren Wand des Gehäuses verteilt und gebildet werden, dass sie allen Anschlussklemmen-Anordnungen, welche je nach Modellen und Spezifikationen unterschiedlich ausfallen, entsprechen, in einem anschließenden Gehäusemontageprozess Anschlussklemmen-Befestigungslöcher (5a) entsprechend einer spezifizierten Anschlussklemmen-Anordnung ausgewählt werden und äußere Anschlussklemmen (6) in diese gedrückt werden, ein aus einem isolierenden Material hergestellter Anschlussklemmen-Klemmrahmen (10) in einen Spalt zwischen L-förmigen Beinteilen (6a) der im äußeren Kunstharzgehäuse (5) befestigten äußeren Anschlussklemmen (6) und dem Metallträger (1) eingebracht wird, um die äußeren Anschlussklemmen (6) in einer vorgeschriebenen Befestigungsposition zu halten, wobei ein vorstehender Trennwandteil (10b) an einer Oberseite des Anschlussklemmen-Klemmrahmens (10) entsprechend der Teilung, in welcher die Anschlussklemmen-Befestigungslöcher (5a) im äußeren Kunstharzgehäuse (5) angeordnet sind, gebildet ist, um die Beinteile (6a) der äußeren Anschlussklemmen (6) von rechts und links zu umschließen, so dass sie genau eingepasst und gehalten sind, woraufhin ein Kontaktierungsdraht zwischen den Beinteilen (6a) der äußeren Anschlussklemmen (6) und einer im äußeren Kunstharzgehäuse (5) untergebrachten isolierenden Leiterplatte (2) oder einem Halbleiter-Chip (3) angeschlossen wird.
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4894784B2 (ja) * 2008-02-27 2012-03-14 三菱電機株式会社 半導体装置とその製造方法
CN201629397U (zh) * 2009-11-30 2010-11-10 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 集成电路组合
JP5500718B2 (ja) * 2010-03-05 2014-05-21 株式会社ケーヒン 半導体装置
JP2011228388A (ja) * 2010-04-16 2011-11-10 Honda Motor Co Ltd 補助基板接合構造
DE102010038727B4 (de) * 2010-07-30 2015-07-16 Infineon Technologies Ag Leistungshaltleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
EP2662893B1 (de) * 2011-01-07 2020-09-23 Fuji Electric Co., Ltd. Halbleiterbauelement und herstellungsverfahren dafür
WO2013047231A1 (ja) 2011-09-30 2013-04-04 富士電機株式会社 半導体装置及びその製造方法
US8878305B2 (en) * 2012-10-04 2014-11-04 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Integrated power module for multi-device parallel operation
DE102012222959B4 (de) * 2012-12-12 2015-04-02 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungsbauelementeinrichtung
JP6128135B2 (ja) 2013-02-06 2017-05-17 富士電機株式会社 半導体装置
JP6107362B2 (ja) 2013-04-18 2017-04-05 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
CN105190876B (zh) 2013-06-10 2018-04-13 富士电机株式会社 半导体装置及其制造方法
JP6299120B2 (ja) * 2013-09-05 2018-03-28 富士電機株式会社 半導体モジュール
EP3007219B1 (de) 2014-01-17 2020-02-12 Fuji Electric Co., Ltd. Halbleitermodul
JP6391527B2 (ja) * 2015-04-16 2018-09-19 三菱電機株式会社 パワー半導体モジュール
JP6813259B2 (ja) * 2015-06-29 2021-01-13 富士電機株式会社 半導体装置
JP6645134B2 (ja) 2015-11-16 2020-02-12 富士電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6625044B2 (ja) * 2016-12-28 2019-12-25 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
DE102017100528A1 (de) * 2017-01-12 2018-07-12 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungsmodul mit optimierter Anschlussstiftanordnung
JP6755197B2 (ja) 2017-01-19 2020-09-16 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP6848802B2 (ja) 2017-10-11 2021-03-24 三菱電機株式会社 半導体装置
DE102018112552B4 (de) * 2018-05-25 2021-04-15 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Baugruppe mit einem Kunststoffformkörper und einer Mehrzahl von Lastanschlusselementen einer Leistungshalbleitereinrichtung und Leistungshalbleitereinrichtung hiermit
JP7379886B2 (ja) * 2019-07-03 2023-11-15 富士電機株式会社 半導体装置
JP7451905B2 (ja) 2019-09-03 2024-03-19 富士電機株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
EP4174928A1 (de) * 2021-10-28 2023-05-03 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterbauelement mit gedämpften bondflächen in einem gehäuse mit umspritzten pins
EP4358658A1 (de) * 2022-10-20 2024-04-24 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur herstellung einer anordnung mit einem gehäuseteil zur aufnahme eines halbleiterelements und einer bodenplatte

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE29900370U1 (de) * 1999-01-12 1999-04-08 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG, 59581 Warstein Leistungshalbleitermodul mit Deckel
DE19914741A1 (de) * 1999-03-31 2000-10-12 Eupec Gmbh & Co Kg Leistungshalbleitermodul
JP2003249624A (ja) * 2001-07-23 2003-09-05 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
US6995461B2 (en) * 2001-07-23 2006-02-07 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
JP2006186035A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Nissan Motor Co Ltd 半導体装置
DE102007012818A1 (de) * 2006-06-29 2008-01-03 Mitsubishi Electric Corp. Halbleitervorrichtung mit Anschlüssen

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3168901B2 (ja) * 1996-02-22 2001-05-21 株式会社日立製作所 パワー半導体モジュール
JP3610749B2 (ja) 1997-12-04 2005-01-19 富士電機デバイステクノロジー株式会社 半導体装置のパッケージおよびその製作方法並びにこれを用いた半導体装置
JP2001189416A (ja) * 1999-12-28 2001-07-10 Mitsubishi Electric Corp パワーモジュール
JP3715590B2 (ja) 2002-06-17 2005-11-09 三菱電機株式会社 インサート成形ケース及び半導体装置
JP4890208B2 (ja) * 2006-11-24 2012-03-07 三菱電機株式会社 半導体装置
JP5041798B2 (ja) * 2006-12-15 2012-10-03 三菱電機株式会社 半導体装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE29900370U1 (de) * 1999-01-12 1999-04-08 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG, 59581 Warstein Leistungshalbleitermodul mit Deckel
DE19914741A1 (de) * 1999-03-31 2000-10-12 Eupec Gmbh & Co Kg Leistungshalbleitermodul
JP2003249624A (ja) * 2001-07-23 2003-09-05 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
US6995461B2 (en) * 2001-07-23 2006-02-07 Fuji Electric Co., Ltd. Semiconductor device
JP2006186035A (ja) * 2004-12-27 2006-07-13 Nissan Motor Co Ltd 半導体装置
DE102007012818A1 (de) * 2006-06-29 2008-01-03 Mitsubishi Electric Corp. Halbleitervorrichtung mit Anschlüssen

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Publication number Publication date
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US7944042B2 (en) 2011-05-17

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