DE102006050890A1

DE102006050890A1 - Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Leiterplatte mit kontaktsteglosem Kontaktloch

Info

Publication number: DE102006050890A1
Application number: DE102006050890A
Authority: DE
Inventors: Myung Sam Kang; Shuhichi Okabe; Jung Hyun Cheongju Park; Hoe Ku Jung; Ji Eun Gwangmyeong Kim
Original assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date: 2005-12-14
Filing date: 2006-10-27
Publication date: 2007-06-28
Anticipated expiration: 2026-10-28
Also published as: CN1984536A; US20070130761A1; CN100508699C; DE102006050890B4; US7516545B2; JP2007165879A; JP4242416B2; KR100688701B1

Abstract

Offenbart ist ein Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Leiterplatte mit einem kontaktsteglosen Kontaktloch. Insbesondere stellt diese Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Leiterplatte mit kontaktsteglosem Kontaktloch ohne oberen Kontaktsteg bereit, das einen Fotolack (P-LPR) verwendet, der in das Kontaktloch gefüllt ist. Weil ein Schaltkreismuster nur unter Nutzung des Kupfers des kupferkaschierten Laminats gebildet wird, wird seine Breite minimiert und damit ein feines Schaltkreismuster leicht realisiert. Weiterhin wird eine kontaktsteglose Kontaktlochstruktur verwendet, was in einem höchstdichten Schaltkreismuster resultiert.

Description

Hintergrund der Erfindung
1. Bereich der Erfindung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Methode zur Herstellung einer gedruckten Leiterplatte (PCB) mit einem kontaktsteglosen Kontaktloch und insbesondere auf eine Methode zur Herstellung eines PCB mit einem kontaktsteglosen Kontaktloch ohne den oberen Kontaktsteg des Kontaktloches, die einen Fotolack (P-LPR) verwendet, der in das Kontaktloch eingefüllt ist.
2. Beschreibung des zugehörigen Stands der Technik
Mit der Entwicklung der Elektronikindustrien sind eine Vergrößerung der Funktionalität der elektronischen Bauteile und eine Verkleinerung ihrer Größe immer stärker erforderlich. Um solche Anforderungen zu erfüllen benötigen PCBs auch ein höchstdichtes Schaltkreismuster. Daher sind verschiedene Methoden zur Realisierung eines feinen Schaltkreismusters entworfen und angewendet worden.

Im Vergleich zu Verfahren zur Bildung eines feinen Schaltkreismusters verwendet die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Realisierung eines höchstdichten Schaltkreismusters mit einem kontaktsteglosen Kontaktloch durch das Beseitigen des oberen Kontaktsteges eines Kontaktlochs. 1 ist eine perspektivische Ansicht, die einen konventionellen PCB 100 mit einem kontaktsteglosen Kontaktloch schematisch zeigt, der im US-Patent mit der Nummer 5,510,580 (erteilt am 23. April 1996) offenbart war.

Wie in 1 gezeigt, wird ein konventioneller PCB 100 mit einer Kontaktlochstruktur ohne oberen Kontaktsteg versehen. Dies geschieht durch das Bilden eines nicht durchgehenden Kontaktloches 12 in der Oberfläche des Substrates 10, das einen inneren Schaltkreis 40 enthält, um es mit dem inneren Schaltkreis 40 des Substrates 10 zu verbinden, durch Bilden einer leitenden Schicht 32 auf der inneren Wand des nicht durchgehenden Kontaktloches 12 und durch sofortiges Verbinden der leitenden Schicht mit einem Schaltkreismuster 22 auf der Oberfläche des Substrats.

Im Folgenden wird das Verfahren zur Herstellung des PCB nach 1 mit Bezug zu dem Flussdiagramm nach 2 kurz beschrieben.

Wie in den 1 und 2 gezeigt, wird das Grundsubstrat 10 mit der inneren Schaltkreisschicht 40 bereitgestellt (S10) und das nicht durchgehende Loch 12 wird an der Oberfläche des Grundsubstrates 10 bearbeitet, um es mit der inneren Schaltungsschicht 40 des Grundsubstrates 10 zu verbinden (S12). Danach wird auf der Oberfläche des Grundsubstrates eine leitende Schicht gebildet, die das nicht durchgehende Loch 12 (S14) enthält.

Dann wird ein Fotolack in das nicht durchgehende Loch 12 (S16) eingebracht. Der Fotolack als solcher kann zum Beispiel ein positiver flüssiger Fotolack (P-LPR) sein. Der Fotolack wird auf der gesamten Oberfläche des Grundsubstrats aufgebracht, getrocknet und belichtet bis ein Zustand erreicht ist, der einer Maskierung des nicht durchgehenden Loches entspricht, so dass der Fotolack nur in dem nicht durchgehenden Loch verbleibt.

Danach wird die leitende Schicht beseitigt, welche auf der Oberfläche des Grundsubstrates 10 gebildet wird. In diesem Fall wird die leitende Schicht, die sich in dem nicht durchgehenden Loch befindet, durch den verbleibenden Fotolack geschützt (S18). Dann wird der Fotolack beseitigt, der in dem nicht durchgehenden Loch verblieben ist.

Danach wird eine zusätzliche Fotolithographie durchgeführt, um damit ein Schaltkreismuster 22 auf der Oberfläche des Grundsubstrates 10 (S22) zu bilden. Dabei wird ein PCB 200 mit einem kontaktsteglosen Durchgangsloch gebildet. Das Schaltkreismuster 22 als solches ist dadurch gekennzeichnet, dass kein oberer Kontaktsteg um das nicht durchgängige Loch 12 gebildet ist.

So ein konventioneller PCB ist in der Hinsicht vorteilhaft, dass kein oberer Kontaktsteg gebildet werden muss. Weil jedoch eine Serie von Belichtungs- und Entwicklungsprozessen in den Prozessen des Bildens der leitenden Schicht in dem durchgangslosen Loch und des Bildens des Schaltkreismusters auf der Oberfläche des Grundsubstrates wiederholt durchgeführt wird, ist der Herstellungsprozess kompliziert und daher erhöht er die Kosten und die Prozessdauer.

Zusammenfassung der Erfindung

Dementsprechend ist die Bereitstellung eines PCB, der ein kontaktstegloses Kontaktloch hat, ein Ziel der vorliegenden Erfindung.

Ein anderes Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines höchstdichten Schaltkreismusters durch die Realisierung einer Kontaktlochstruktur ohne oberen Kontaktsteg.

Ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines Verfahrens zur Herstellung eines PCB mit einem kontaktsteglosen Kontaktloch.

Gemäß einer ersten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung zur Erreichung der obigen Ziele, wird ein Verfahren zur Herstellung eines PCB mit einem kontaktsteglosen Kontaktloch bereitgestellt, das folgendes umschließt:

(A) die Bereitstellung eines Grundsubstrates, das aus kupferkaschiertem Laminat (CCL) gebildet wird;
(B) das Ätzen eines Teils der Kupferfolie des CCL, um damit ein Schaltkreismuster zu bilden, das ein Durchgangsloch enthält;
(C) das aufeinander folgende Bilden eines Seed-Layers, einer zweiten Metallschicht mit Ätzkondition, die sich von denen von Kupfer unterscheiden, und einer kupferplattierten Schicht auf der gesamten Oberfläche des Grundsubstrates mit dem Schaltkreismuster;
(D) das Füllen des Durchgangsloches mit einem Fotolack; (E) das aufeinander folgende Beseitigen der kupferplattierten Schicht, der zweiten Metallschicht und des Seed-Layers; und
(F) das Beseitigen des Fotolackes aus dem Durchgangsloch; dabei hat das Schaltkreismuster eine vorbestimmte Stärke die der Stärke der Kupferfolie entspricht.

In der ersten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung kann die vorbestimmte Stärke des Schaltkreismusters ca. 12 bis 18 μm betragen und seine Breite kann ca. 20 μm betragen.

In der ersten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung kann der Verfahrensschritt (D) folgendes umfassen:

(D-1) Anwendung des Fotolacks auf der gesamten Oberfläche des Grundsubstrates und in dem Durchgangsloch; und
(D-2) Belichten des Fotolacks bis zu einer Tiefe, die seiner Stärke entspricht, und Durchführen der Entwicklung, um den Fotolack von der Oberfläche des Grundsubstrates zu beseitigen.

In der ersten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung kann die Belichtung des Fotolacks durch die Kontrolle des Belichtungsmenge so durchgeführt werden, dass der Fotolack bis zu einer Tiefe, die seiner Stärke entspricht, belichtet wird.

In der ersten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung kann die zweite Metallschicht eine Nickelschicht sein.

Entsprechend einer zweiten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung, wird eine Methode zur Herstellung eines PCB mit einem kontaktsteglosen Kontaktloch bereitgestellt die folgendes einschließt:

(A) die Bereitstellung eines Grundsubstrates, das eine innere Schaltkreisschicht enthält und aus CCL zusammengesetzt ist;
(B) das Bilden eines Schaltkreismusters auf der Oberfläche des Grundsubstrates, wobei das Schaltkreismuster ein nicht durchgängiges Loch besitzt, welches mit der inneren Schaltungsschicht des Grundsubstrates verbunden ist;
(C) das aufeinander folgende Bilden eines Seed-Layers, einer zweiten Metallschicht mit Ätzeigenschaften, die sich von denen von Kupfer unterscheiden, und eine kupferplattierte Schicht auf der gesamten Oberfläche des Grundsubstrates mit dem Schaltkreismuster;
(D) das Füllen des nicht durchgehenden Loches mit einem Fotolack;
(E) das aufeinander folgende Beseitigen der kupferplattierten Schicht, der zweiten Metallschicht und des Seed-Layers; und
(F) das Beseitigen des Fotolacks von dem nicht durchgehenden Loch; wobei das Schaltkreismuster eine vorbestimmte Stärke hat, die der Stärke der Kupferfolie des CCL entspricht.

In der zweiten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung kann die vorbestimmte Stärke des Schaltkreismusters zwischen ungefähr 12 und 18 μm liegen und die Breite kann ungefähr 20 μm betragen.

In der zweiten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung kann der Verfahrensschritt (D) folgendes einschließen:

(D-1) die Anwendung des Fotolacks auf der gesamten Oberfläche des Grundsubstrates und in dem nicht durchgängigen Loch; und
(D-2) die Belichtung des Fotolacks zu einer Tiefe, die seiner Stärke entspricht, und das Durchführen der Entwicklung, wobei der Fotolack von der Oberfläche des Grundsubstrates beseitigt wird.

In der zweiten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung kann die Belichtung des Fotolacks durch die Kontrolle des Belichtungsumfangs so durchgeführt werden, dass der Fotolack bis zu einer Tiefe belichtet wird, die seiner Stärke entspricht.

In der zweiten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung kann die zweite Metallschicht eine Nickelschicht sein.

Kurze Beschreibung der Abbildungen
1 ist eine perspektivische Ansicht, die einen konventionellen PCB mit einem Kontaktloch schematisch zeigt;
2 ist ein Flussdiagramm, das den Prozess zur Herstellung des PCB nach 1 zeigt;
3 ist ein Flussdiagramm, das den Prozess zur Herstellung eines PCB nach der ersten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung schematisch zeigt; Die 4A bis 4H sind Ansichten, die den Prozess zur Herstellung des PCB nach 3 aufeinander folgend zeigen;
5 ist eine perspektivische Ansicht, die die Struktur eines nicht durchgehenden kontaktlosen Kontaktloches, entsprechend der zweiten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung, zeigt.
6 ist ein Flussdiagramm, das den Prozess zur Herstellung des PCB mit einer nicht durchgehenden Kontaktlochstruktur nach 5 schematisch zeigt.
Beschreibung der bevorzugten Ausgestaltungen
Nachfolgend wird eine detaillierte Beschreibung der vorliegenden Erfindung mit Bezug zu den angehängten Figuren gegeben.
3 ist ein Flussdiagramm, das den Prozess zur Herstellung des PCB entsprechend einer ersten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung zeigt, und die 4A bis 4H sind detaillierte Ansichten, die schrittweise den Herstellungsprozess zeigen. Im Folgenden werden die Verfahren zur Herstellung des PCB entsprechend der ersten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung beschrieben. Dabei wird auf die oben genannten Figuren Bezug genommen.
Wie in 4A gezeigt, wird ein Grundsubstrat 110 bereitgestellt (S110), das sich zusammensetzt aus einem kupferkaschierten Laminat (CCL), das eine isolierende Schicht 120 enthält, und Kupferfolien 130, die sich auf beiden Oberflächen der isolierenden Schicht befinden, und ein Durchgangsloch 112 wird an einer vorbestimmten Position des Substrats gebildet.
Wie in 4B gezeigt, wird ein Schaltkreismuster 132 mit dem Kontaktloch 112 durch das Ätzen eines Teils der Kupferfolie 130 gebildet. In diesem Fall, da die Kupferfolie 130 ca. 12 bis 18 μm stark ist, kann das resultierende Schaltkreismuster eine Breite von ca. 20 μm haben (S112).
Wie in 4C gezeigt, werden nacheinander ein Seed-Layer 140, eine zweite Metallschicht 150 und eine kupferplattierte Schicht 160 auf der gesamten Oberfläche des Grundsubstrates 110 einschließlich des Durchgangslochs 112 gebildet (S114).
Der Seed-Layer 140 wird bereitgestellt, um durch Galvanisieren die zweite Metallschicht 150 nicht nur auf der Oberfläche des Grundsubstrates 110 sondern auch in dem Durchgangsloch 112 zu bilden. Die zweite Metallschicht wird aus einem Metall gebildet, beispielsweise Nickel, das Ätzkonditionen besitzt, die sich von denen von Kupfer (Cu) unterscheiden, um das Schaltkreismuster anzuordnen. Das heißt, die zweite Metallschicht 150 kann aus jedem Metall gebildet werden, das nicht unter den Ätzkonditionen von Kupfer geätzt wird (d. h. ein Metall das geätzt wird unter Verwendung einer zweiten Metallschichtätzlösung, die sich unterscheidet von der Kupferätzlösung). In Betrachtung des nachfolgenden Beseitigungsprozesses wird festgestellt, dass die zweite Metallschicht so gebildet wird, dass sie nicht zu dick ist.
Wie in 4D gezeigt, wird ein Fotolack 170 auf die kupferplattierte Schicht aufgebracht, so dass das Durchgangsloch 112 damit gefüllt ist. Danach wird unter Verwendung einer Maske (nicht gezeigt) ein Belichtungsprozess durchgeführt. Der verwendete Fotolack 170 ist beispielsweise P-LPR, der dadurch gekennzeichnet ist, dass er in einem flüssigen Zustand angewendet wird, gehärtet wird und belichtet wird um die belichteten Teile zu verändern und dass er entwickelt wird um die veränderten Teile durch Verwendung einer Entwicklungslösung zu beseitigen. In diesem Fall wird die Belichtungsmenge so kontrolliert, dass der Fotolack 170, der auf die kupferplattierte Schicht aufgebracht wird, bis zu einer Tiefe belichtet wird, die seiner Stärke t entspricht.
Auf diese Weise wird durch die Kontrolle der Belichtungsmenge, wie in 4E gezeigt, ein Teil des Fotolacks 170, der durch die Belichtung verändert wurde, durch die Entwicklung unter Verwendung einer Entwicklungslösung beseitigt. Der verbleibende Anteil 174 verbleibt im gefüllten Zustand in dem Durchgangsloch 112 (S116).
Wie in 4F gezeigt, werden unter Verwendung des verbleibenden Fotolackes 174 als Maske die kupferplattierte Schicht 160, die zweite Metallschicht 150 und der Seed-Layer 140 nacheinander beseitigt. Da die kupferplattierte Schicht 160 und die zweite Metallschicht 150 unter Konditionen geätzt werden, die sich untereinander unterscheiden, wird der Beseitigungsprozess tatsächlich dreimal ausgeführt. Während eines individuellen Beseitigungsprozesses soll das Schaltkreismuster 132 mit einer kupferplattierten Schicht 164, einer zweiten Metallschicht 154 und einem Seed-Layer 144 in dem Durchgangsloch 112 elektrisch verbunden werden (S118).
Obwohl das Schaltkreismuster 132 in 4F nicht so dargestellt ist, als sei es direkt verbunden, weil die entsprechenden Anteile 164, 154 und 144 durch den Fotolack 174 geschützt sind, der in dem Durchgangsloch 112 verbleibt, soll verstanden werden, dass das Schaltkreismuster 132 mit der kupferplattierten Schicht etc. in dem Durchgangsloch elektrisch verbunden ist.
Zum Schluss, wie gezeigt in 4G, wird der in dem Durchgangsloch 112 verbleibende Fotolack beseitigt, wobei eine kontaktsteglose Lochstruktur ohne oberen Kontaktsteg gebildet wird (S120). Die sich ergebende kontaktsteglose Kontaktlochstruktur ist in 4H dargestellt.
Bei einem PCB mit einer solchen kontaktsteglosen Kontaktlochstruktur kann, weil das Schaltkreismuster der äußeren Schicht so geformt ist, dass es ausschließlich die Kupferfolie des CCL verwendet, das Schaltkreismuster so fein gebildet werden, dass es ein Ausmaß an einer Breite von ungefähr 20 μm hat. Darüber hinaus kann in dem Fall, in dem das Schaltkreismuster elektrisch mit der kupferplattierten Schicht verbunden ist, welche in dem Durchgangsloch gebildet ist, seine Breite sehr dünn beibehalten werden.
Dementsprechend wird in der vorliegenden Erfindung ein Schaltkreismuster mit einer feinen Breite beibehalten, und eine kontaktsteglose Kontaktlochstruktur ohne oberen Kontaktsteg wird realisiert. Letztendlich kann das PCB der vorliegenden Erfindung ein zuverlässiges Schaltkreismuster mit einer höheren Dichte haben als das des konventionellen PCB. Zum Beispiel wird in dem konventionellen Fall, weil die Stärke der kupferplattierten Schicht, die in dem Durchgangsloch gebildet wird, für gewöhnlich in dem Schaltkreismuster verwendet wird, die Breite des Schaltkreismusters selbst unerwünschterweise erhöht. Allerdings wird entsprechend des Verfahrens der vorliegenden Erfindung das Schaltkreismuster unter ausschließlicher Nutzung der Kupferfolie selbst gebildet und ungeachtet davon wird die kupferplattierte Schicht in dem Durchgangsloch gebildet. Damit kann ein feines Schaltkreismuster effektiv realisiert werden.
Obwohl die erste Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung auf dem Durchgangsloch basiert, ist die vorliegende Erfindung nicht begrenzt darauf. Zum Beispiel kann entsprechend einer folgenden zweiten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung das Herstellungsverfahren der vorliegenden Erfindung auf ein nicht durchgehendes Kontaktloch angewendet werden.
5 zeigt schematisch eine nicht durchgehende kontaktsteglose Kontaktlochstruktur, die ähnlich der Durchgangslochstruktur der 4H ist. Mit Bezug zu 5, anders als in obiger erster Ausgestaltung, wird ein nicht durchgehendes Kontaktloch 112' gebildet und eine kupferplattierte Schicht 164', eine zweite Metallschicht 154' und ein Seed-Layer 144' werden auf der inneren Wand des nicht durchgehenden Loches 112' gebildet, so dass sie mit dem Schaltkreismuster 132 elektrisch verbunden sind. Zusätzlich wird die Bodenfläche des nicht durchgehenden Loches 112' mit einer inneren Schaltkreisschicht 180 (oder durch einen Kontaktsteg) verbunden, wobei das Schaltkreismuster 120 mit der inneren Schaltkreisschicht 180 durch die kupferplattierte Schicht 164' mit der inneren Wand des nicht durchgehenden Loches verbunden ist.
Das Verfahren zur Herstellung des PCB mit einer solchen kontaktsteglosen Kontaktlochstruktur ist mit Bezug zum Flussdiagramm in 6 kurz beschrieben.
Wie in 6 gezeigt, umschließt das Verfahren zur Herstellung des PCB entsprechend der zweiten Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung die Bereitstellung eines Grundsubstrates, das eine innere Schaltungsschicht enthält und das aus CCL (S140) besteht, das Bilden eines Schaltkreismusters mit einem nicht durchgehenden Loch, dessen Grundfläche mit der inneren Schaltkreisschicht (S142) verbunden ist, das aufeinander folgende Formen eines Seed-Layers, einer zweiten Metallschicht und einer kupferplattierten Schicht (S144), das Füllen des nicht durchgehenden Loches mit einem Fotolack (S146), das aufeinander folgende Beseitigen der kupferplattierten Schicht, der zweiten Metallschicht und des Seed-Layers, während Teile der kupferplattierten Schicht, der zweiten Metallschicht und des Seed-Layers unter Verwendung des Fotolacks (S148) geschützt werden und das Beseitigen des Fotolacks der in dem nicht durchgehenden Loch (S150) verbleibt.
Das Grundsubstrat mit der inneren Schaltkreisschicht bezeichnet ein mehrschichtiges Substrat, in welchem eine vorbestimmte innere Schaltkreisschicht eingefügt ist, oder kann mit einer Struktur, in der eine Vielzahl von inneren Schaltkreisschichten gebildet sind, bereitgestellt werden.
Weiterhin hat der Fotolack, der in der zweiten Ausgestaltung verwendet wird, die gleichen Eigenschaften wie der oben erwähnte Fotolack. Während der Ausbildung des Schaltkreismusters verbleibt der Fotolack in dem nicht durchgehenden Loch, um die kupferplattierte Schicht etc. in dem nicht durchgehenden Loch zu schützen. Zum Schluss wird der verbleibende Fotolack beseitigt und dabei das PCB fertig gestellt.
Wie oben erwähnt, ist das Verfahren zur Herstellung des PCB entsprechend der vorliegenden Erfindung gekennzeichnet dadurch, dass ein PCB mit einem kontaktsteglosen Kontaktloch hergestellt wird. Dazu umschließt das Verfahren das Bilden des Schaltkreismusters unter Verwendung von nur der Kupferfolie, das aufeinander folgendes Bilden des Seed-Layers, der zweiten Metallschicht und der darauf liegenden kupferplattierten Schicht, das Füllen des Durchgangsloches (oder des nicht durchgehenden Loches) mit einem Füllstoff wie z. B. einem Fotolack und das aufeinander folgendes Beseitigen dieser Schichten, wobei die Breite des Schaltkreismusters minimiert wird, während gleichzeitig eine Struktur ohne oberen Kontaktsteg realisiert wird. Zusätzlich können die leitenden Schichten (die kupferplattierte Schicht, die zweite Metallschicht und der Seed-Layer), die in dem Durchgangsloch (oder in dem nicht durchgehenden Loch) gebildet sind vor Schaden geschützt werden und dadurch kann die elektrische Zuverlässigkeit zwischen der äußeren Schaltkreismusterschicht und der kupferplattierten Schicht in dem Durchgangsloch sichergestellt werden, auch wenn eine kontaktsteglose Kontaktlochstruktur ohne oberen Kontaktsteg besteht.
Weiterhin kann, anders als bei konventionellen Verfahren, in dem Verfahren zur Herstellung des PCB entsprechend der vorliegenden Erfindung, weil die kupferplattierte Schicht in dem Durchgangsloch separat von dem Schaltkreismuster auf der Oberfläche des Substrats gebildet wird, ein Anwachsen der Ausmaße des Schaltkreismusters vermieden werden, womit eine Realisierung eines feinen Schaltkreismusters unterstützt wird. Gleichzeitig wird eine kontaktsteglose Kontaktlochstruktur ohne oberen Kontaktsteg realisiert, was zu einem höchstdichten Schaltkreismuster führt.
Wie vorangehend beschrieben, stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines PCB mit einem kontaktsteglosen Kontaktloch bereit. Weil ein Schaltkreismuster unter ausschließlicher Nutzung der Kupferfolie eines CCL gebildet wird, kann, entsprechend des Verfahrens zur Herstellung eines PCB mit einem kontaktsteglosen Kontaktloch der vorliegenden Erfindung, die Breite des Schaltkreismusters minimiert werden und dabei ein feines Schaltkreismuster leicht gebildet werden. Weiterhin kann man ein höchstdichtes Schaltkreismuster erhalten, weil die kontaktsteglose Kontaktlochstruktur realisiert ist.
Auch wenn die bevorzugten Ausgestaltungen der vorliegenden Erfindung mit erklärender Absicht offenbart worden sind, wird der Fachmann anerkennen, dass verschiedene Modifikationen, Erweiterungen und Substitutionen möglich sind ohne den Rahmen und den Grundgedanken der Erfindung wie sie in den beiliegenden Ansprüchen offenbart ist zu verlassen.

Claims

Ein Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Leiterplatte mit einem kontaktsteglosen Kontaktloch umfassend: (A) Bereitstellung eines Grundsubstrates, das aus kupferkaschiertem Laminat aufgebaut ist; (B) Ätzen eines Teils der Kupferfolie von dem kupferkaschierten Laminat um ein Schaltkreismuster mit einem Durchgangsloch zu bilden; (C) aufeinander folgendes Bilden eines Seed-Layers, einer zweiten Metallschicht mit Ätzkonditionen, die sich von denen von Kupfer unterscheiden, und einer kupferplattierten Schicht auf der gesamten Oberfläche des Grundsubstrates mit dem Schaltkreismuster; (D) Füllen des Durchgangsloches mit Fotolack; (E) aufeinander folgendes Beseitigen der kupferplattierten Schicht, der zweiten Metallschicht und des Seed-Layers; und (F) Beseitigen des Fotolacks aus dem Durchgangsloch; wobei das Schaltkreismuster eine vorbestimmte Stärke hat, die der Stärke der Kupferfolie entspricht.
Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei die vorbestimmte Stärke des Schaltkreismusters ca. 12–18 μm ist.
Das Verfahren nach Anspruch 2, wobei das Schaltkreismuster eine Breite von ca. 20 μm hat.
Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Verfahrensschritt (D) folgendes umschließt: (D-1) Aufbringung des Fotolacks auf der gesamten Oberfläche des Grundsubstrates und in dem Durchgangsloch; und (D-2) Belichtung des Fotolacks bis zu einer Tiefe, die seiner Stärke entspricht, und Durchführung einer Entwicklung, um den Fotolack von der Oberfläche des Grundsubstrates zu beseitigen.
Das Verfahren nach Anspruch 4, wobei die Belichtung des Fotolacks durch die Kontrolle einer Belichtungsmenge durchgeführt wird, so dass der Fotolack bis zu einer Tiefe belichtet wird, die seiner Stärke entspricht.
Das Verfahren nach Anspruch 1, wobei die zweite Metallschicht eine Nickelschicht ist.
Ein Verfahren zur Herstellung einer gedruckten Leiterplatte mit einem kontaktsteglosen Kontaktloch umfassend: (A) Bereitstellung eines Grundsubstrates mit einer inneren Schaltkreisschicht, das aus kupferkaschiertem Laminat aufgebaut ist; (B) Bilden eines Schaltkreismusters mit einem nicht durchgehenden Loch, das auf der Oberfläche des Grundsubstrats mit der inneren Schaltkreisschicht verbunden ist; (C) aufeinander folgendes Bilden eines Seed-Layers, einer zweiten Metallschicht mit Ätzkonditionen, die sich von denen von Kupfer unterscheiden, und eine kupferplattierte Schicht auf der gesamten Oberfläche des Grundsubstrats mit dem Schaltkreismuster; (D) Füllen des nicht durchgehenden Loches mit einem Fotolack; (E) Aufeinander folgendes Beseitigen der kupferkaschierten Schicht, der zweiten Metallschicht und des Seed-Layers; und (F) Beseitigen des Fotolacks aus dem nicht durchgehenden Loch; wobei das Schaltkreismuster eine vorbestimmte Stärke hat, die der Stärke einer Kupferfolie des kupferkaschierten Laminats entspricht.
Das Verfahren nach Anspruch 7, wobei die vorbestimmte Stärke des Schaltkreismusters ca. 12–18 μm beträgt.
Das Verfahren nach Anspruch 8, wobei das Schaltkreismuster eine Breite von ca. 20 μm hat.
Das Verfahren nach Anspruch 7, wobei der Verfahrensschritt (D) folgendes einschließt: (D-1) Anwendung des Fotolacks auf der gesamten Oberfläche des Grundsubstrats und in dem nicht durchgängigen Loch; und (D-2) Belichtung des Fotolacks bis zu einer Tiefe, die seiner Stärke entspricht, und Durchführung einer Entwicklung um den Fotolack von der Oberfläche des Grundsubstrates zu entfernen.
Das Verfahren nach Anspruch 10, wobei die Belichtung des Fotolacks durch die Kontrolle der Belichtungsmenge durchgeführt wird, so dass der Fotolack bis zu einer Tiefe belichtet wird, die seiner Stärke entspricht.
Das Verfahren nach Anspruch 7, wobei die zweite Metallschicht eine Nickelschicht ist.