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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer
mehrschichtigen Leiterplatte und insbesondere ein Verfahren zur
Herstellung einer mehrschichtigen Leiterplatte, die eine blinde Durchkontaktierung
aufweist, die mit einer metallisierten Schicht gefüllt ist.
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Herkömmlicherweise
sind mehrere Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen Leiterplatte
bekannt.
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Die 5(a) bis 5(c) zeigen
eines der bekannten Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen
Leiterplatte.
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Zunächst wird
auf eine Harzbasis 12, auf der ein Verdrahtungsmuster gebildet
ist, eine Metallschicht, wie z.B. eine Kupferschicht oder dergleichen,
mit einer klebenden Harzschicht, wie z.B. einer Prepreg- oder einer
Polyimidharzschicht, laminiert und mittels Wärme zusammengepresst, so dass
die Metallschicht 16 auf die Harzbasis 12 geklebt
wird, wie in den 5(a) und 5(b) dargestellt.
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Danach
wird unter Verwendung einer als Maske dienenden Metallplatte eine
blinde Durchkontaktierung 18 durch die Metallschicht 16 und
die Harzschicht 14 mittels eines Kohlenstoffdioxid-Gaslasers
gebildet, so dass ein Teil des Verdrahtungsmusters 10 freigelegt
wird, wie in 5(c) dargestellt.
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Dann
wird eine chemische Metallisierung oder eine galvanische Metallisierung
an der blinden Durchkontaktierung 18 durchgeführt, um
eine metallisierte Schicht 20 zu bilden, so dass eine elektrische Verbindung
zwischen dem Verdrahtungsmuster 10 und der Metallschicht 16 erzielt
wird, wie in 5(d) dargestellt.
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Dann
wird die Metallschicht 16 geätzt, um ein (nicht dargestelltes)
vorab festgelegtes Verdrahtungsmuster zu bilden.
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Die
vorstehend genannten Verfahren werden mehrere Male wiederholt, wodurch
eine mehrschichtige Leiterplatte erhalten werden kann.
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Die 6(a) und 6(b) zeigen
ein weiteres bekanntes Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen
Leiterplatte.
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Bei
diesem Verfahren wird auf der Harzbasis 12, auf der ein
Verdrahtungsmuster gebildet ist, eine lichtempfindliche Harzschicht 22 gebildet,
wie in 6(a) dargestellt.
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Dann
wird die lichtempfindliche Harzschicht 22 durch ein photolithographisches
Verfahren geätzt, um
eine blinde Durchkontaktierung 24 zu bilden, die bis zum
Schaltungsmuster 10 verläuft, eine metallisierte Schicht 26 wird
auf der blinden Durchkontaktierung 24 und der Harzschicht 22 durch
ein Sputter-Verfahren und ein galvanisches Metallisierungsverfahren
gebildet, wie in 6(b) dargestellt, und die auf
der Harzschicht 22 gebildete metallisierte Schicht wird
geätzt,
um ein gewünschtes
Schaltungsmuster zu bilden.
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Wie
vorstehend erwähnt,
gibt es mehrere bekannte Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen
Leiterplatte. Bei dem in den 6(a) und 6(b) gezeigtem bekannten Verfahren wird eine galvanisch
metallisierte Schicht auf der Harzschicht 22 durch die
gesputterte Schicht gebildet, die Haftfähigkeit zwischen der Harzschicht 22 und
der gesputterten Schicht ist allerdings nicht stark. Dadurch tritt ein
Problem des Loslösens
auf.
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Bei
dem in den 5(a) bis 5(d) gezeigten
Verfahren kann eine mehrschichtige Leiterplatte erzielt werden,
die mit dem Harzmaterial gut verklebt, da die Metallschicht 16 vorab
mit der Harzschicht 14 mit einer vorab festgelegten Kraft
verklebt worden ist.
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Jedoch
treten selbst bei dem in den 5(a) bis 5(d) dargestellten Verfahren die folgenden Probleme
auf.
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Seit
kurzem besteht eine große
Nachfrage nach sehr dichten und hochentwickelten Schaltungsmustern.
Daher wird die Bahnbreite sehr schmal und es ist somit erforderlich,
dass der Durchmesser der vorstehend genannten blinden Durchkontaktierung 18 für die Verbindung
der oberen und unteren Schaltungsmuster sehr klein sein muss.
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Darüber hinaus
wird die blinde Durchkontaktierung 18 im allgemeinen wie
vorstehend erwähnt mittels
eines Kohlendioxid-Lasers erstellt. In diesem Fall ist jedoch ein
derartiger Kohlendioxid-Laser darauf begrenzt, ein Loch zu bilden,
dessen Durchmesser 80 μm
oder mehr beträgt.
Folglich ist es unmöglich,
eine derartige Durchkontaktierung mittels eines Kohlendioxid-Lasers
zu bilden, deren Durchmesser weniger als 80 μm beträgt.
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Bei
einem Verfahren, bei dem der Durchmesser der blinden Durchkontaktierung 18 sehr
klein wird, kann, wenn die metallisierte Schicht 20 mittels eines
galvanischen Metallisierungsverfahrens gebildet wird, wie in 7 dargestellt,
der elektrische Strom am Winkelbereich A der Metallschicht 16,
d.h. einer Eingangskante der blinden Durchkontaktierung 18,
konzentriert sein. Als Ergebnis dessen, dass der elektrische Strom
am Winkelbereich A konzentriert ist, kann die Eingangskante der
blinden Durchkontaktierung 18 „eingeschnürt" werden, wodurch der Durchmesser des
Eingangsbereichs eng ist, und die Metallisierungsflüssigkeit
kann eintreten und die metallisierte Schicht beeinflussen. Demgegenüber wird der
Durchmesser tief im Innern der blinden Durchkontaktierung 18 verhältnismäßig groß und die
Dicke der metallisierten Schicht wird dünn. Somit kann die elektrische
Verbindung in der blinden Durchkontaktierung getrennt werden.
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Der
maßgebliche
Stand der Technik umfasst die Dokumente
JP 09 331 155A und
JP 03 173 497 A .
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Eine
Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren
zur Herstellung einer mehrschichtigen Leiterplatte zu schaffen,
bei der eine blinde Durchkontaktie rung mit kleinem Durchmesser hergestellt
und eine Schaltung mit hoher Dichte bereitgestellt werden kann.
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Eine
weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren
zur Herstellung einer mehrschichtigen Leiterplatte zu schaffen,
bei der die vorstehend genannten Nachteile beseitigt werden können.
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Nach
der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer
mehrschichtigen Leiterplatte geschaffen worden, das folgende Schritte
umfasst:
Laminieren eines elektrisch isolierenden Harzsubstrats,
das eine erste und eine zweite Oberfläche aufweist und auf der ersten
Oberfläche
mit einer Metallschicht versehen ist, auf ein Basismaterial, auf
dem ein vorab festgelegtes Verdrahtungsmuster gebildet ist, so dass
die zweite Oberfläche
des Harzsubstrats auf das Basismaterial geklebt wird; Entfernen
einer vorab festgelegten Menge der Metallschicht, um eine Öffnung zu
bilden, die einen ersten Durchmesser an einer Stelle aufweist, an
der eine Verbindung mit dem Verdrahtungsmuster erzielt werden soll;
Richten eines Laserstrahls auf die Harzschicht durch den vom Harz
befreiten Bereich, um eine blinde Durchkontaktierung zu bilden,
deren Durchmesser kleiner ist als derjenige der Öffnung, bis das Verdrahtungsmuster am
Boden der blinden Durchkontaktierung freigelegt ist und eine Stufe
des Harzsubstrats angrenzend an eine Peripherie der blinden Durchkontaktierung
verbleibt; chemische Metallisierung, um eine chemisch mit Kupfer
beschichtete Schicht auf dem freigelegten Verdrahtungsmuster, auf
der Seitenwand der blinden Durchkontaktierung, auf der Stufe der
freigelegten Harzschicht und auf wenigstens einem Teil der Metallschicht
angrenzend an eine Peripherie der Öffnung zu bilden; galvanische
Metallisierung bei einer Stromdichte von 0,1 bis 2 ASD (A/dm2), um eine galvanisch mit Kupfer beschichtete
Schicht auf die chemisch mit Kupfer beschichtete Schicht aufzubringen, so
dass die Metallisierungsgeschwindigkeit auf der Oberfläche der
chemisch mit Kupfer beschichteten Schicht in der blinden Durchkontaktierung
höher ist als
die auf der ebenen Oberfläche
der chemisch mit Kupfer beschichteten Schicht auf der auf der Harzschicht
gebildeten Metallschicht; und, nach erfolgter galvanischer Metallisierung, Ätzen der
Metallschicht, um ein vorab festgelegtes Verdrahtungsmuster zu bilden.
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Der
Schritt des Bestrahlens mittels Laserstrahl umfasst einen Schritt,
bei dem für
die Bestrahlung ein Laserstrahl mit einer Wellenlänge im ultravioletten
Bereich verwendet wird.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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1(a) bis 1(f) sind
Querschnittsansichten einer Ausführungsform
eines Verfahrens zur Herstellung einer mehrschichtigen Leiterplatte
gemäß der vorliegenden
Erfindung;
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2(a) und 2(b) sind
Querschnittsansichten einer weiteren Ausführungsform gemäß der vorliegenden
Erfindung;
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3 ist
eine Querschnittsansicht zur Erläuterung
einer mit einer metallisierten Schicht gefüllten blinden Durchkontaktierung;
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4(a) bis 4(i) sind
Querschnittsansichten einer vergleichenden Ausführungsform;
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5(a) bis 5(d) sind
Querschnittsansichten eines Verfahrens zur Herstellung einer mehrschichtigen
Leiterplatte, wie sie im Stand der Technik bekannt ist;
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6(a) und 6(b) sind
Querschnittsansichten eines weiteren bekannten Verfahrens zur Herstellung
einer mehrschichtigen Leiterplatte; und
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7 ist
eine Querschnittsansicht zur Erläuterung
eines Beispiels, bei dem die blinde Durchkontaktierung mit einer
metallisierten Schicht in „verengter" Weise gefüllt ist.
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In
den Zeichnungen zeigen die 1(a) bis 1(f) eine erste erfindungsgemäße Ausführungsform.
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Ein
Schaltungsmuster 30 wird auf dem Basissubstrat 32 (einer
gedruckten Leiterplatte, einer keramischen Leiterplatte oder dergleichen)
gebildet. Ein Harzsubstrat mit Metallschicht, das eine klebende
Harzschicht 34 aufweist, wie z.B. eine auf einer Oberfläche einer
Metallschicht 36 wie z.B. einer Kupferschicht geformte
Prepreg-, eine Polyimidharzschicht oder dergleichen, wird auf das
Schaltungsmuster 30 laminiert, wie in 1(a) dargestellt.
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Die
Harzschicht 34 wird dann gepresst und erwärmt um gehärtet zu
werden, so dass das Substrat 32 durch die Harzschicht 34 mit
der Metallschicht 36 verklebt wird.
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Dann
wird die Metallschicht 36 in dem Bereich der Anschlussflächen, der
dem Anschlussbereich der blinden Durchkontaktierung entspricht,
mittels eines Ätzverfahrens
oder eines Laserverfahrens entfernt, um eine Öffnung 38 zu bilden,
so dass ein Teil der Harzschicht 34 freigelegt ist, wie
in 1(c) gezeigt.
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Vorzugsweise
sollte der Durchmesser x der Öffnung 38 kleiner
sein als die Breite C der Anschlussfläche des Schaltungsmusters 30.
Wie nachstehend erwähnt,
ist die Position der Öffnung 38 als Verbindungsbereich
zwischen dem oberen und dem unteren Schaltungsmuster ausgebildet.
Da der Durchmesser dieses Verbindungsbereichs kleiner ist als der
Durchmesser C der Anschlussfläche,
wird dessen Schaltungsdichte nicht beeinflusst und es kann somit
eine hohe Schaltungsdichte erzielt werden.
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Es
kann auch ein Harzsubstrat mit Metallschicht, in der vorab eine Öffnung an
einer Stelle der Metallschicht hergestellt worden ist, die den Anschlussflächen des
Schaltungsmusters entspricht, miteinander laminiert werden.
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Eine
blinde Durchkontaktierung 40 wird an einer Stelle der Harzschicht 34 gebildet,
an der die Harzschicht 34 freigelegt worden ist, und der
freigelegte Bereich wird zum Boden der blinden Durchkontaktierung 40,
wie in 1(d) dargestellt. Der Durchmesser
der blinden Durchkontaktierung 40 ist kleiner als derjenige
der Öffnung 38.
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Die
blinde Durchkontaktierung 40 kann durch ein Laserverfahren
gebildet werden. Wie im Vorstehenden erwähnt, ist ein Kohlendioxid-Laser nicht
geeignet, da es schwierig ist, ein Loch mit einem Durchmesser von
weniger als 80 μm
mit einem Kohlendioxid-Laser zu bohren. Auch wenn eine Maske, d.h.
eine Metallmaske, verwendet werden kann, um ein derartiges Loch
mit einem kleinen Durchmesser zu formen, ist die Produktivität eines
derartigen Verfahrens verhältnismäßig gering.
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Es
ist daher möglich,
einen YAG-Laser oder einen IRF-Laser ohne irgendeine Maske zu verwenden,
um ein Loch zu bohren, das einen Durchmesser von mehr oder weniger
30 μm hat,
wobei die Wellenlänge
im ultravioletten Bereich liegt, um den Durchmesser zu reduzieren.
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Andernfalls
ist es ebenfalls möglich,
ein Loch mit kleinem Durchmesser mittels eines Excimer-Lasers zu
bohren, dessen Wellenlänge
im ultravioletten Bereich liegt.
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Die
Kohlenstoffkette der Harzschicht 34 kann aufgeschnitten
werden, so dass sich die Harzschicht 34 auflöst und entfernt
wird durch Bestrahlung mittels eines Laserstrahls mit einer Wellenlänge im ultravioletten
Bereich.
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Der
Laserstrahl kann auf einen kleinen Strahldurchmesser reduziert werden,
und der Durchmesser der Öffnung 38 kann
innerhalb des Bereichs der Anschlussfläche des Schaltungsmusters vergrößert werden.
Die Ausrichtung kann leicht durchgeführt werden, wenn der Laserstrahl
arbeitet. Da der Durchmesser der blinden Durchkontaktierung 40 kleiner
ist als der Durchmesser der Öffnung 38,
kann somit eine Stufe 42 der Harzschicht 34 um
die Peripherie der Öffnung
der blinden Durchkontaktierung 40 aufrecht erhalten bleiben.
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Sobald
alle Abfälle,
die aufgrund des Laserstrahlverfahrens entstanden sind, entfernt
worden sind, wird eine chemisch metallisierte Schicht, wie z.B.
eine Kupferschicht, auf der Oberfläche des Schaltungsmusters 30,
der Seitenwand der blinden Durchkontaktierung 40, der freigelegten
Stufe 42 der Harzschicht 34 und wenigstens der
Oberfläche
der Metallschicht 36, wie z.B. eine Kupferschicht um die Öffnung 38 gebildet.
Dann wird auf dieser chemisch metallisierten Schicht eine galvanisch
metallisierte Schicht 44 gebildet, wie in 1(e) dargestellt.
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Dann
wird, wie in 1(f) dargestellt, ein vorab
festgelegtes Schaltungsmuster 36a durch Ätzen der
Metallschicht 36 und der Schicht 44 gebildet.
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Die
vorstehend genannten Verfahren werden wiederholt und dadurch wird
ein mehrschichtiges Schaltungsmuster 36a gebildet.
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Wie
vorstehend erwähnt,
ist, gemäß der erfindungsgemäßen Ausführungsform,
der Durchmesser der Öffnung 38 größer als
der Durchmesser der blinden Durchkontaktierung 40 und daher
bleibt die Stufe 42 auf der Harzschicht 34. Der
Rand der Öffnung 38 der
Metallschicht 36 wird vom Rand der Öffnung der Durchkontaktierung 40 entfernt
und daher wird dann, wenn eine galvanisch metallisierte Schicht 44 gebildet
wird, selbst wenn der elektrische Strom auf den Eckbereich der Metallschicht 36 am
Rand der Öffnung 38 konzentriert
ist und somit die Dicke der metallisierten Schicht am Eckbereich
größer wird,
die die Öffnung 38 und
die blinde Durchkontaktierung 40 umfassende Ausnehmung
nicht zu einem „Hals", was vom Stand der
Technik gemäß 3 unterscheidet. Da
der Eingangsbereich weit geöffnet
ist, bleibt die Metallisierungsflüssigkeit nicht in der Ausnehmung und
der Fluss der Metallisierungsflüssigkeit
kann aufrecht erhalten werden. Daher kann die metallisierte Schicht
selbst im Bodenbereich der Durchkontaktierung 40 glatt
geformt sein.
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Die 2(a) und 2(b) zeigen
eine zweite erfindungsgemäße Ausführungsform.
Bei dieser Ausführungsform
wird, wie in 2(a) gezeigt, ein Basismaterial 32 wie
z.B. eine gedruckte Leiterplatte, auf der ein Schaltungsmuster 30 gebildet
ist, mit einem Harz wie z.B. ein Polyimidharz beschichtet und erhitzt,
um eine Harzschicht 34 zu bilden. Diese Harzschicht 34 kann
auf dem Basismaterial durch Laminieren einer Harzschicht gebildet
werden.
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Dann
wird, wie in 2(b) gezeigt, eine Metallschicht 36 mittels
eines Klebers auf die Harzschicht 34 geklebt.
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Die
folgenden Verfahren gleichen den Schritten wie sie in den 1(c) bis 1(f) beschrieben und
dargestellt worden sind und daher wird auf eine detaillierte Erklärung verzichtet.
Bei dieser zweiten Ausführungsform
können
die gleichen Effekte und Vorteile wie bei der ersten Ausführungsform
erzielt werden.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird, nachdem die blinde Durchkontaktierung 40 wie
in 1(d) gezeigt gebildet worden
ist, eine chemische Kupfermetallisierung durchgeführt und
dann wird eine galvanisch mit Kupfer beschichtete Schicht 44 wie
in 1(e) gezeigt gebildet. Zu diesem
Zeitpunkt konnte aufgrund eines Tests bestätigt werden, dass die blinde
Durchkontaktierung 40 im Wesentlichen mit der galvanisch
mit Kupfer beschichteten Schicht 44 gefüllt werden konnte, wie in 3 dargestellt. Genauer
gesagt: Die Stromdichte während
der galvanischen Kupfermetallisierung konnte auf unter die einer
gewöhnlichen
Stromdichte (2 bis 3 ASD) reduziert werden.
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Gewöhnlicherweise
grenzt der Innenbereich der blinden Durchkontaktierung 40 den
Fluss des Metallisierungsmaterials mehr ein als eine ebene Oberfläche wie
z.B. eine Oberfläche
der auf der Harzschicht 34 gebildeten leitfähigen Schicht 36.
Es ist jedoch beobachtet worden, dass, da die Stromdichte auf 0,1
bis 2 ASD, vorzugsweise auf ungefähr 1 ASD, reduziert werden
konnte, die Differenz der Metallabscheidungsgeschwindigkeit zwischen
der ebenen Oberfläche
und dem Inneren der blinden Durchkontaktierung 40 einheitlich
war, bzw. andernfalls die Metallabscheidungsgeschwindigkeit bei
der blinden Durchkontaktierung 40 höher war als auf der ebenen
Oberfläche.
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Wenn
die Metallabscheidungsgeschwindigkeit bei der blinden Durchkontaktierung 40 höher wird,
kann sich die Metallisierungsschicht nicht nur an der Bodenfläche der
blinden Durchkontaktierung 40, sondern auch an deren Seitenfläche aufhäufeln. Daher
wird die Dicke t2 der metallisierten Schicht
vom Boden größer als
die Dicke t1 der metallisierten Schicht
an der ebenen Oberfläche
und daher ist es möglich,
die blinde Durchkontaktierung 40 vollständig zu bedecken.
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Wenn
die Metallabscheidungszeit erhöht worden
ist, um eine dicke metallisierte Schicht zu bilden, könnte die
blinde Durchkontaktierung 40 schließlich vollständig mit
der metallisierten Schicht gefüllt
werden. Jedoch könnte,
als Ergebnis einer Reduktion der Stromdichte wie vorstehend erwähnt, als der
Durchmesser (r) der Öffnung
der blinden Durchkontaktierung 40 50 μm und deren Tiefe (h) 40 μm betrug,
wobei die Dicke der Metallschicht 36 (deren Dicke 5 μm beträgt) und
die Dicke t1 der metallisierten Schicht
(die Summe aus der Dicke der chemisch metallisierten Schicht und
der Dicke der galvanisch metallisierten Schicht) 20 μm betrug,
das Innere der blinden Durchkontaktierung 40 im Wesentlichen
mit der metallisierten Schicht gefüllt werden.
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Um
das Innere der blinden Durchkontaktierung 40 mit der metallisierten
Schicht zu füllen,
ist es am wichtigsten, die Stromdichte bei dem Verfahren der galvanischen
Metallisierung zu reduzieren.
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Die
weiteren Faktoren werden wie folgt betrachtet.
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Zunächst: Die
folgenden Bedingungen der chemischen Metallisierung sind die am
stärksten
vorzuziehenden:
- – die Abscheidungsgeschwindigkeit:
0,2 bis 3 μm/hr,
und
- – die
Dicke der metallisierten Schicht: 0,5 bis 3,0 μm.
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Ferner
sollte die blinde Durchkontaktierung 40 sich derart verjüngen, dass
sich ihr Eingangsbereich vergrößert, da
die Metallisierungsflüssigkeit leicht
zirkulieren kann und die Abscheidungsleistung verbessert wird.
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Nimmt
man ferner an, der Öffnungsdurchmesser
der blinden Durchkontaktierung 40 war r, ihre Tiefe war
h, dann war das Verhältnis
Höhe: Breite
h/r vorzugsweise 0,5 bis 1,5.
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Unter
den vorstehend genannten Bedingungen:
t2 > t1,
und
t2 > h/2,
kann eine metallisierte Schicht
mit einer Dicke t2 der metallisierten Schicht
erzielt werden, bei der t2 den vorstehenden
Bedingungen entspricht.
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Der
Durchmesser r der Öffnung
der blinden Durchkontaktierung 40 beträgt vorzugsweise 20 bis 100 μm und deren
Tiefe h beträgt
vorzugsweise 20 bis 100 μm.
Das Verhältnis
Höhe: Breite
h/r beträgt, wie
vorstehend erwähnt,
vorzugsweise 0,5 bis 1,5.
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Um
das Innere der blinden Durchkontaktierung 40 mit der metallisierten
Schicht zu füllen,
ist es nicht immer erforderlich, die Metallschicht 36,
die um die blinde Durchkontaktierung 40 vorhanden ist,
vom Bereich der Öffnung
zu entfernen, wie dargestellt. Selbst wenn keine Metallschicht 36 vorhanden
ist, ist es möglich,
die blinde Durchkontaktierung 40 mit der metallisierten
Schicht zu füllen.
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Die 4(a) bis 4(i) zeigen
ein Verfahren zur Herstellung einer mehrschichtigen Leiterplatte
einer Vergleichsausführungsform.
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Die 4(a) und 4(b) entsprechen
jeweils den 1(a) und 1(b) und
es wird daher auf eine detaillierte Erläuterung verzichtet. In der 4(c) ist die Kupferschicht 36 vollständig von
der oberen Fläche
der klebenden Harzschicht 34 entfernt. Dann wird eine blinde
Durchkontaktierung 40 mittels eines Laserverfahrens an
einer Stelle der Harzschicht 34 gebildet, wodurch das Schaltungsmuster 30 freigelegt
wird und der freigelegte Bereich zum Boden der blinden Durchkontaktierung 40 wird, wie
in 4(d) dargestellt.
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Danach
wird eine chemisch metallisierte Schicht 46 wie z.B. eine
Kupferschicht auf der Oberfläche
des Schaltungsmusters 30, an der Seitenwand der blinden
Durchkontaktierung 40 und an der Oberfläche der Harzschicht 34 um
die blinde Durchkontaktierung 40 herum gebildet, wie in 4(e) dargestellt. Dann wird eine Schutzschicht 48 auf
der Harzschicht 34 gebildet, mit Ausnahme des Bereichs
der blinden Durchkontaktierung 40 und deren Peripheriebereich, wie
in 4(f) dargestellt. Dann wird
eine galvanisch metallisierte Schicht 50 auf dieser chemisch
metallisierten Schicht gebildet, mit Ausnahme des von der Schutzschicht 48 bedeckten
Bereichs, wie in 4(g) dargestellt. Dann wird
die Schutzschicht 48 durch ein bekanntes Verfahren entfernt,
wie in 4(h) dargestellt und auch die
chemisch metallisierte Schicht 46 wird durch Ätzen entfernt,
wie in 4(i) dargestellt.