DE102005047055A1 - Ansteuerschaltung mit einem Transformator für ein Halbleiterschaltelement - Google Patents

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Bernhard Dr. Strzalkowski
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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Ansteuerschaltung zur Ansteuerung eines Halbleiterschaltelements, die einen Eingang (IN) zur Zuführung eines Eingangssignals (Sin), einen Ausgang (OUT) zur Bereitstellung eines Ansteuersignals (Sout) und folgende weitere Merkmale aufweist: DOLLAR A - einen Transformator (20) mit einer Primärwicklung (21) und einer Sekundärwicklung (22), der in einem ersten Halbleiterkörper (40) integriert ist, DOLLAR A - eine erste Treiberschaltung (10) mit einem Signaleingang (11) zur Zuführung des Eingangssignals (Sin), mit wenigstens einem Ausgang (12, 13), der an die Primärwicklung (21) des Transformators (20) gekoppelt ist, und mit einem Versorgungseingang (14) zum Zuführen eines ersten Versorgungspotentials (V1), DOLLAR A - eine zweite Treiberschaltung (30) mit wenigstens einem Eingang (31, 32), der an die Sekundärwicklung (22) gekoppelt ist, mit einem Ausgang (34), an dem das Ansteuersignal (Sout) zur Verfügung steht, und mit einem zweiten Versorgungseingang (33), DOLLAR A - ein Gleichrichterelement (50), das zwischen dem ersten und dem zweiten Versorgungseingang (14, 33) geschaltet ist und das in dem ersten Halbleiterkörper (40) integriert ist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Ansteuerschaltung für ein Halbleiterschaltelement, insbesondere für ein als High-Side-Schalter eingesetztes Halbleiterschaltelement.
  • Als High-Side-Schalter wird bekanntlich ein solcher Schalter bzw. ein solches Halbleiterschaltelement bezeichnet, dessen Laststrecke in Reihe zu einer Last zwischen Klemmen für ein positives und ein negatives Versorgungspotential geschaltet ist und deren einer Laststreckenanschluss an die Klemme für das positive Versorgungspotential angeschlossen ist. Das Potential an dem anderen der beiden Laststreckenanschlüsse ist dabei vom Schaltzustand des High-Side-Schalters abhängig und kann bei leitend angesteuertem High-Side-Schalter annähernd bis auf den Wert des positiven Versorgungspotentials ansteigen.
  • Bei einem Leistungs-MOSFET oder Leistungs-IGBT bildet die Drain-Source-Strecke des Bauelements dessen Laststrecke. Bei Verwendung eines n-Kanal-Leistungs-MOSFET oder ein Leistungs-IGBT als High-Side-Schalter wird dessen Drain-Anschluss an die Klemme für das positive Versorgungspotential angeschlossen, so dass das Drain-Potential dem positiven Versorgungspotential entspricht. Das Source-Potential des Bauelements ist dann variabel und hängt vom Schaltzustand des Bauelements ab.
  • Bezüglich der Ansteuerung eines solchen als High-Side-Schalter eingesetzten n-MOSFET oder IGBT ergibt sich das Problem, dass an den Gate-Anschluss, der als Ansteueranschluss dient, zur leitenden Ansteuerung des Bauelements ein Ansteuerpotential zur Verfügung gestellt werden muss, das wenigstens um den Wert der Einsatzspannung des Bauelements über dem Wert des Source-Potentials liegt.
  • Mit heutigen Leistungstransistoren können Spannungen bis zu einigen 10 kV geschaltet werden, so dass entsprechend hohe Ansteuerpotentiale, jeweils bezogen auf das negative Versorgungspotential bzw. Bezugspotential, zur Verfügung gestellt werden müssen.
  • Zur Bereitstellung eines Ansteuersignals für einen solchen High-Side-Schalter ist es bekannt, eine Treiberschaltung vorzusehen, die ein auf das Source-Potential bezogenes Ansteuersignal abhängig von einem der Treiberschaltung zugeführten Eingangssignal erzeugt. Dieses Eingangssignal kann mittels eines Pegelschiebers (Level-Shifter) aus einem von einer Signalverarbeitungsschaltung gelieferten Logiksignal erzeugt werden, das üblicherweise auf Bezugspotential bezogen ist. Der Pegelschieber dient dazu, das Logiksignal auf ein Eingangssignal der Treiberschaltung umzusetzen, das auf das Source-Potential des High-Side-Schalters bezogen ist.
  • Um das hohe Potential am Ausgang der Treiberschaltung, das zur leitenden Ansteuerung des High-Side-Schalters erforderlich ist, von dem Logikpotential der Signalverarbeitungsschaltung zu entkoppeln, ist es beispielsweise aus der DE 102 05 705 C1 oder der DE 10 2004 035 604 B3 bekannt, eine Potentialbarriere in Form eines Transformators vorzusehen und das Logiksignal über diese Potentialbarriere an den Eingang der Treiberschaltung zu übertragen.
  • Eine platzsparend realisierbare integrierte Transformatoranordnung ist beispielsweise in der DE 102 32 642 A1 beschrieben.
  • Ein weiteres Problem bei der Erzeugung eines Ansteuersignals für einen High-Side-Schalter besteht darin, eine ausreichende Spannungsversorgung für den Treiber des High-Side-Schalters bereitzustellen. Ein oberes Versorgungspotential dieses Treibers muss dabei Werte oberhalb des positiven Versorgungspo tentials des Lastkreises annehmen, um bei leitend angesteuertem High-Side-Schalter eine Erzeugung des Ansteuersignals sicherzustellen. Eine Möglichkeit, diese Spannungsversorgung bereitzustellen, ist die Verwendung einer hinlänglich bekannten Bootstrap-Schaltung mit einer Bootstrap-Diode und einem Bootstrap-KOndensator. Eine solche Bootstrap-Schaltung ist in der Lage eine Versorgungsspannung des High-Side-Treibers aus einer niedrigen Versorgungsspannung zu erzeugen, die auf das negative Versorgungspotential bezogen ist.
    •
  • Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, eine Ansteuerschaltung für ein Halbleiterschaltelement, insbesondere für ein als High-Side-Schalter eingesetztes Halbleiterschaltelement zur Verfügung zu stellen, die einfach und kostengünstig realisierbar ist.
  • Dieses Ziel wird durch eine Ansteuerschaltung nach Anspruch 1 erreicht. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
  • Die erfindungsgemäße Ansteuerschaltung zur Ansteuerung eines Halbleiterschaltelements weist einen Eingang zur Zuführung eines Eingangssignals, einen Ausgang zur Bereitstellung eines Ansteuersignals für das Halbleiterschaltelement, eine erste und eine zweite Treiberschaltung sowie einen Transformator auf.
  • Der Transformator umfasst dabei eine Primärwicklung und eine Sekundärwicklung und ist in einem ersten Halbleiterkörper integriert ist. Die erste Treiberschaltung weist einen Signaleingang zur Zuführung des Eingangssignals, wenigstens einen Ausgang, der an die Primärwicklung des Transformators gekoppelt ist, und einen ersten Versorgungseingang zum Zuführen eines ersten Versorgungspotentials auf. Die zweite Treiberschaltung weist wenigstens einen Eingang, der an die Sekundärwicklung gekoppelt ist, einen Ausgang, an dem das Ansteu ersignal zur Verfügung steht, und einen zweiten Versorgungseingang.
  • Bei der erfindungsgemäßen Ansteuerschaltung ist außerdem ein Gleichrichterelement vorgesehen, das zwischen den ersten Versorgungseingang der ersten Treiberschaltung und den zweiten Versorgungseingang der zweiten Treiberschaltung geschaltet ist und das zusammen mit dem Transformator in dem ersten Halbleiterkörper integriert ist.
  • Unter einer Integration des Transformators in dem Halbleiterkörper ist im Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung zu verstehen, dass die Primärwicklung und die Sekundärwicklung in Halbleiterbereiche des Halbleiterkörpers eingebettet sind oder dass die Primärwicklung und die Sekundärwicklung in Isolationsschichten oberhalb des Halbleiterkörpers eingebettet sind. Eine derartige Integration eines Transformators in einem Halbleiterkörper ist grundsätzlich bekannt und in der eingangs genannten DE 102 32 642 A1 beschrieben.
  • Der Transformator ist vorzugsweise ein Transformator ohne Wicklungskern (Coreless Transformer).
  • Bei der erfindungsgemäßen Ansteuerschaltung dient der Transformator als Potentialbarriere zwischen der ersten Treiberschaltung, der das Eingangssignal zugeführt ist, und der zweiten Treiberschaltung, die das Ansteuersignal für das Halbleiterschaltelement bereitstellt. Die erste Treiberschaltung ist hierbei dazu ausgebildet, das Eingangsignal in ein zur Übertragung über den Transformator geeignetes Signal umzusetzen, während die zweite Treiberschaltung dazu ausgebildet ist, ein über den Transformator empfangenes Signal in das zur Ansteuerung des Halbleiterschaltelements geeignete Ansteuersignal umzusetzen.
  • Das Gleichrichterelement, das beispielsweise als Diode ausgebildet ist und das gemeinsam mit dem Transformator in dem ersten Halbleiterkörper integriert ist, dient zur Spannungsversorgung der zweiten Treiberschaltung und ist beispielsweise Teil einer sogenannten Bootstrap-Schaltung, die einen Bootstrap-Kondensator umfasst.
  • Die Integration des Transformators und des Gleichrichterelements in einem gemeinsamen Halbleiterkörper ermöglicht eine preiswerte und platzsparende Realisierung einer Potentialbarriere zwischen der ersten und zweiten Treiberschaltung und anderseits eine Spannungsversorgung der zweiten Treiberschaltung.
  • Die erfindungsgemäße Ansteuerschaltung eignet sich insbesondere zur Ansteuerung eines als High-Side-Schalter eingesetzten Halbleiterschaltelements in einer Halbbrückenschaltung oder in einer 3-Phasen Brückenschaltung.
    •
  • Die vorliegende Erfindung wird nachfolgend anhand von Figuren näher erläutert.
  • 1 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Ansteuerschaltung zur Ansteuerung eines Halbleiterschaltelements, die eine erste und eine zweite Treiberschaltung sowie eine zwischen der ersten und zweiten Treiberschaltung angeordneten Transformator und eine Diode aufweist.
  • 2 zeigt ein mögliches Realisierungsbeispiel der ersten Treiberschaltung.
  • 3 zeigt ein weiteres mögliches Realisierungsbeispiel der ersten Treiberschaltung mit einem Schaltelement.
  • 4 zeigt ein mögliches Realisierungsbeispiel der zweiten Treiberschaltung.
  • 5 zeigt in Seitenansicht einen Querschnitt durch einen Halbleiterkörper mit einem darin integrierten Transformator und einem darin integrierten als Diode ausgebildeten Gleichrichterelement.
  • 6 zeigt den Halbleiterkörper gemäß 4 im Querschnitt in einer Schnittebene B-B.
  • 7 zeigt ein Beispiel zur Realisierung der in 1 dargestellten Ansteuerschaltung auf Chipebene.
  • 8 zeigt in Seitenansicht einen Querschnitt durch einen Halbleiterkörper mit zwei darin integrierten Transformatoren und zwei darin integrierten als Diode ausgebildeten Gleichrichterelementen.
  • 9 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Ansteuerschaltung, die zwei erste Treiberschaltungen, zwei Transformatoren und zwei Gleichrichterelemente sowie zwei zweite Treiberschaltungen aufweist.
  • 10 veranschaulicht ein Realisierungsbeispiel für die in 9 dargestellte Ansteuerschaltung auf Chipebene.
  • In den Figuren bezeichnen, sofern nicht anders angegeben, gleiche Bezugszeichen gleiche Schaltungsteile, Bauelementbereiche und Signale mit gleicher Bedeutung.
  • 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Ansteuerschaltung zur Bereitstellung eines Ansteuersignals Sout für ein Halbleiterschaltelement. Diese Ansteuerschaltung eignet sich insbesondere zur Ansteuerung eines als High-Side- Schalter in einer Halbbrücke eingesetztes Halbleiterschaltelement, als Leistungstransistor ausgebildet ist.
  • Zum besseren Verständnis der Funktionsweise der erfindungsgemäßen Ansteuerschaltung ist in 1 eine solche Halbbrücke, die zwei Leistungs-MOSFET T1, T2 mit je einer Laststrecke (Drain-Source-Strecke) und je einem Ansteueranschluss (Gate-Anschluss) aufweisen dargestellt. Die Laststrecken dieser beiden MOSFET T1, T2 sind dabei in Reihe zwischen ein oberes bzw. positives Versorgungspotential V+ und ein unteres bzw. negatives Versorgungspotential GND geschaltet. Das untere Versorgungspotential GND ist insbesondere Massepotential und wird nachfolgend als Bezugspotential bezeichnet. Das obere Versorgungspotential V+ wird nachfolgend als Lastversorgungspotential bezeichnet.
  • Ein Ausgang der Halbbrücke wird durch einen den Laststrecken gemeinsamen Knoten OUT_H gebildet, an den eine Last Z angeschlossen sein kann. Die Halbbrückenschaltung dient dabei wahlweise zum Anschließen dieser Last Z an das Lastversorgungspotential V+ oder Bezugspotential GND. Die Leistungstransistoren T1, T2 sind in dem Beispiel als n-Kanal-MOSFET ausgebildet, wobei alternativ auch IGBT vorgesehen sein können. Derartige n-MOSFET leiten bei Anlegen einer positiven Ansteuerspannung (Gate-Source-Spannung) zwischen deren Gate- und Source-Anschlüssen G, S. Zur leitenden Ansteuerung des als High-Side-Schalter eingesetzten ersten MOSFET T1, dessen Laststrecke zwischen das Lastversorgungspotential V+ und den Ausgang OUT_H geschaltet ist, ist dabei ein Ansteuerpotential erforderlich, das wenigstens um den Wert der Einsatzspannung dieses MOSFET T1 oberhalb des Source-Potentials dieses High-Side-Schalters T1 liegen muss. Da dieses Source-Potential bei leitend angesteuertem High-Side-Schalter T1 annähernd bis auf den Wert des Lastversorgungspotentials V+ ansteigen kann, muss zur leitenden Ansteuerung dieses High-Side-Schalters T1 ein Ansteuerpotential vorgesehen werden, das oberhalb des Lastversorgungspotentials V+ liegt.
  • Die erfindungsgemäße Ansteuerschaltung weist einen Eingang IN zur Zuführung eines Eingangssignals Sin und einen Ausgang OUT zur Bereitstellung des Ansteuersignals Sout für den High-Side-Schalter T1 auf. Die Erzeugung des Ansteuersignals Sout erfolgt dabei abhängig von dem am Eingang IN anliegenden Eingangssignal Sin.
  • Die Ansteuerschaltung umfasst außerdem eine erste Treiberschaltung 10, der das Eingangssignal Sin an einem Eingang 11 zugeführt ist, und eine zweite Treiberschaltung 30, die das Ansteuersignal Sout an einem Ausgang 34 zur Verfügung stellt. Das Eingangssignal Sin ist ein zweiwertiges Logiksignal beispielsweise mit Signalpegeln von 0 V und 3,3 V oder 0 V und 5 V jeweils bezogen auf das Bezugspotential und wird von einer nicht näher dargestellten Signalverarbeitungsschaltung erzeugt. Die erste Treiberschaltung 10 weist außerdem Versorgungseingänge 14, 15 zum Anlegen einer Versorgungsspannung auf, von denen während des Betriebs der Ansteuerschaltung ein erster Versorgungseingang 14 an ein erstes Versorgungspotential V1 angeschlossen ist und von denen ein zweiter Versorgungseingang 15 an Bezugspotential GND angeschlossen ist.
  • Zwischen der ersten Treiberschaltung 10 und der zweiten Treiberschaltung 30 ist ein Transformator 20 mit einer Primärwicklung 21 und einer Sekundärwicklung 22 angeordnet, der die erste und zweite Treiberschaltung 10, 30 galvanisch entkoppelt. Der Transformator dient somit als Potentialbarriere, um die erste Treiberschaltung 10 vor den hohen Ansteuerpotentialen zu schützen, die zur leitenden Ansteuerung des High-Side-Schalters T1 erforderlich sind und die durch die zweite Treiberschaltung 30 erzeugt werden. Der Transformator 20 trennt zwar die Potentiale der ersten und zweiten Treiberschaltungen 10, 30, ermöglicht jedoch eine Signalübertragung von der ersten Treiberschalung 10, die auch als Low-Side-Treiberschaltung bezeichnet wird, zu der zweiten Treiberschaltung 30, die auch als High-Side-Treiberschaltung bezeichnet wird.
  • Die Primärwicklung 21 des Transformators 20 ist über Anschlüsse 23, 24 an Ausgangsanschlüsse 12, 13 der ersten Treiberschaltung 10 angeschlossen. Die erste Treiberschaltung 10 ist dazu ausgebildet, der Primärwicklung über die Ausgangsanschlüsse 12, 13 Signalimpulse zuzuführen, die von dem Eingangssignal Sin abhängig sind und die aufgrund der induktiven Kopplung zwischen der Primärwicklung 21 und Sekundärwicklung 22 an die Sekundärwicklung 22 übertragen werden. Die zweite Treiberschaltung 30 weist Eingänge 31, 32 auf, die an Anschlüsse 25, 26 der Sekundärwicklung 22 angeschlossen sind und ist dazu ausgebildet, an der Sekundärwicklung 22 anliegende Signalsimpulse zu detektieren und in das Ansteuersignal Sout umzuwandeln.
  • Das Eingangssignal Sin sowie das Ansteuersignal Sout sind üblicherweise zweiwertige Signale, die jeweils abhängig davon, ob das Halbleiterschaltelement T1 leitend oder sperrend angesteuert werden soll, einen von zwei möglichen Signalpegeln annehmen. Eine steigende Flanke dieses Signals von einem unteren Signalpegel (Low-Pegel) auf einen oberen Signalpegel (High-Pegel) gibt beispielsweise einen Einschaltzeitpunkt des High-Side-Schalters T1 vor, während eine fallende Flanke dieses Signals von dem oberen Signalpegel auf den unteren Signalpegel beispielsweise einen Ausschaltzeitpunkt des High-Side-Schalters vorgibt.
  • Die erste Treiberschaltung 10 ist dazu ausgebildet, das zweiwertige Eingangssignal Sin für die Übertragung über den Transformator 20 geeignet aufzubereiten.
  • Die erste Treiberschaltung 10 ist beispielsweise dazu ausgebildet, bei einer steigenden Flanke des Eingangssignals Sin einen positiven Spannungsimpuls V21 über die Ausgänge 12, 13 an die Primärwicklung 21 anzulegen, und bei einer fallenden Flanke des Eingangssignals Sin einen negativen Spannungsimpuls v21 über die Ausgangsanschlüsse 12, 13 an die Primärwicklung 21 anzulegen. Die zweite Treiberschaltung 30 ist da zu ausgebildet, Spannungsimpulse V22 unterschiedlicher Polarität über der Sekundärwicklung 22 zu detektieren und in das zweiwertige Ansteuersignal Sout zur Ansteuerung des Halbleiterschaltelements T1 umzusetzen.
  • Vorzugsweise ist die erste Treiberschaltung 10 dazu ausgebildet, positive Spannungsimpulse in regelmäßigen oder unregelmäßigen Zeitabständen nach einer steigenden Flanke wiederholt an die Primärwicklung 21 anzulegen, so lange das Eingangssignal Sin einen oberen Signalpegel annimmt und der High-Side-Schalter T1 leitend angesteuert werden soll. Entsprechend werden die negativen Signalimpulse wiederholt übertragen so lange das Eingangssignal Sin einen unteren Signalpegel annimmt. Diese Wiederholung der Signalimpulse dient zur Erhöhung der Robustheit der Schaltung gegenüber Störungen und verringert die Gefahr eines ungewollten Zustandswechsels des High-Side-Schalters.
  • Darüber hinaus besteht die Möglichkeit, die in Pegelwechseln des Eingangssignals Sin enthaltende Einschalt- und Ausschaltinformation für den High-Side-Schalter T1 mittels Flankenkodierung oder Pegelkodierung zu übertragen. Die Einschaltinformation, beispielsweise die steigende Flanke des Eingangssignals Sin, wird in der ersten Treiberschaltung hierbei in ein erstes Signalmuster bestehend aus einer Anzahl von Spannungsimpulsen umgesetzt, die an die Primärwicklung 21 angelegt werden, und die Ausschaltinformation, beispielsweise die fallende Flanke des Eingangssignals Sin, wird in ein zweites Signalmuster bestehend aus einer Anzahl von Spannungsimpulsen umgesetzt, die an die Primärwicklung 21 angelegt werden. Die zweite Treiberschaltung 30 ist dazu ausgebildet, diese zwei unterschiedlichen Signalmuster zu detektieren und das Ansteuersignal Sout abhängig davon, welches Signalmuster empfangen wird, zu erzeugen. Die beiden Signalmuster können sich beispielsweise in der Anzahl der Spannungsimpulse und/oder im zeitlichen Abstand einzelner Spannungsimpulse unterscheiden.
  • Die zweite Treiberschaltung 30 weist erste und zweite Versorgungseingänge 33, 35 zum Anlegen einer Versorgungsspannung auf. Bei der dargestellten Ansteuerschaltung sind der erste Versorgungseingang 14 der ersten Treiberschaltung 10 und der erste Versorgungseingang 33 der zweiten Treiberschaltung 30 über ein als Diode 50 ausgebildetes Gleichrichterelement miteinander gekoppelt, wobei die Anode 51 dieser Diode 50 an den ersten Versorgungseingang 14 der ersten Treiberschaltung 10, und damit an das erste Versorgungspotential V1 angeschlossen ist, und die Kathode 52 der Diode 50 an den ersten Versorgungseingang 33 der zweiten Treiberschaltung 30 angeschlossen ist. Die Diode 50 ist dabei Teil einer sogenannten Bootstrap-Schaltung, die neben dieser Diode 50 einen zwischen die Versorgungseingänge 33, 35 der zweiten Treiberschaltung 30 geschalteten Kondensator 37 aufweist. Ein der Diode 50 abgewandter Anschluss des Kondensators 37 ist während des Betriebs der Ansteuerschaltung über den zweiten Versorgungseingang 35 an den Source-Anschluss S des anzusteuernden High-Side-MOSFET T1 bzw. den Ausgang OUT_H der Halbbrücke angeschlossen.
  • Dieser Kondensator 37 wird über die Diode 50 auf den Wert der ersten Versorgungsspannung V1 – abzüglich der Durchlassspannung der Diode 50 – aufgeladen, wenn das Potential an dem zweiten Versorgungseingang 35 der zweiten Treiberschaltung 30 unter den Wert dieses ersten Versorgungspotentials V1, insbesondere auf den Wert des Bezugspotentials GND absinkt. Dies ist dann der Fall, wenn der High-Side-Schalter T1 sperrt und das zweite Halbleiterschaltelement T2 (der Low-Side-Schalter) durch eine lediglich schematisch dargestellte Ansteuerschaltung 100 leitend angesteuert wird. Sperrt das zweite Halbleiterschaltelement T2 und steigt das Potential am Ausgang OUT_H der Halbbrücke bei leitend angesteuertem High-Side-Schalter T1 an, so verhindert die Diode 50 ein Entladen des Spannungsversorgungskondensators 37 der zweiten Treiberschaltung 30.
  • Der Spannungsversorgungskondensator 37 stellt eine floatende, vom Bezugspotential GND unabhängige, auf den Ausgang OUT_H der Halbbrücke bzw. den Source-Anschluss S des High-Side-Schalters T1 bezogene Versorgungsspannung zur Verfügung. Die Amplitude dieser Versorgungsspannung bezogen auf das Ausgangspotential der Halbbrücke entspricht dabei in etwa der Amplitude des ersten Versorgungspotentials V1 bezogen auf Bezugspotential GND. Die zweite Treiberschaltung 30 ist dazu ausgebildet aus dieser Versorgungsspannung das Ansteuersignal Sout nach Maßgabe der an den Eingängen 31, 32 anliegenden Spannungsimpulse zu erzeugen.
  • Der Transformator 20 mit der Primärwicklung 21 und der Sekundärwicklung 22 sowie die Diode 50 sind gemeinsam in einem Halbleiterkörper 40 integriert, was nachfolgend noch erläutert werden wird. Hierdurch wird auf platzsparende Weise eine Potenzialbarriere zwischen dem Low-Side-Treiber 10 und dem High-Side-Treiber 30 und darüber hinaus eine Spannungsversorgung des High-Side-Treibers 30 gewährleistet.
  • Die erste und zweite Treiberschaltung 10, 20 können beispielsweise in einer aus der eingangs erwähnten DE 102 05 705 C1 bekannten Weise realisiert sein.
  • 2 zeigt schematisch ein Ausführungsbeispiel für eine erste Treiberschaltung 10, die dazu ausgebildet ist, nach Maßgabe des Eingangssignals Sin positive oder negative Spannungsimpulse V21 über der Primärwicklung 21 zu erzeugen. Diese Treiberschaltung weist eine Eingangsstufe 16 auf, die dazu ausgebildet ist, bei einer steigenden Flanke des Eingangssignals Sin einen ersten Signalimpuls an einem ersten Ausgang 16_1 und bei einer fallenden Flanke des Eingangssignals Sin einen zweiten Signalimpuls an einem zweiten Ausgang 16_2 zu erzeugen. Bei einem Signalimpuls an dem ersten Ausgang 16_1 wird ein erstes Schalterpaar 17_1, 17_2 geschlossen, welches die Primärwicklung 21 mit deren erstem Anschluss 23 an das Versorgungspotential V1 und mit deren zweitem Anschluss 24 an Bezugspotential GND anschließt, um einen positiven Spannungsimpuls über der Primärwicklung 21 zu erzeugen. Bei einem Signalsimpuls an dem zweiten Ausgang 16_2 wird die Primärwicklung 21 über ein zweites Schalterpaar 18_1, 18_2 mit dem ersten Anschluss 23 an Bezugspotential GND und mit dem zweiten Anschluss 24 an das Versorgungspotential V1 angeschlossen, um einen negativen Spannungsimpuls V21 über der Primärwicklung 21 zu erzeugen.
  • Die Eingangsschaltung 16 kann eine herkömmliche Eingangsschaltung zur Detektion steigender und fallender Flanken und zur Erzeugung der Signalimpulse abhängig von diesen Flanken sein.
  • 3 zeigt ein Ausführungsbeispiel für ein erste Treiberschaltung 10, die dazu ausgebildet ist, eine steigende Flanke des Eingangssignals Sin in eine erste Signalimpulsfolge und eine fallende Flanke des Eingangssignals Sin eine zweite, von der ersten Signalimpulsfolge unterschiedliche Signalimpulsfolge umzusetzen. Diese Treiberschaltung 10 weist nur ein Schaltelement 19 auf, das in dem Beispiel als MOSFET ausgebildet ist und das als Low-Side-Schalter in Reihe zu der Primärwicklung geschaltet ist, das also zwischen den zweiten Ausgang 13 und den zweiten Versorgungspotentialanschluss, der an Bezugspotential liegt, geschaltet ist. Dieses Schaltelement ist durch eine Schaltung 89 angesteuert, der das Eingangssignal Sin zugeführt ist. Diese Schaltung 89 kann beispielsweise eine Frequenzmodulation, eine Flanken- oder Pegelkodierung aber auch die Burstpulse für die Signalübertragung verwenden. Ein Flankenkodierungsverfahren ist hinlänglich bekannt und beispielsweise in Siemens Technology Report Band 99, 20.10.2002, Seite 24 beschrieben. Bei einem solchen Verfahren werden steigende und fallende Flanken eines zu übertragenden Verfahrens in unterschiedliche Impulsmuster umgesetzt.
  • 4 zeigt ein Realisierungsbeispiel für die zweite Treiberschaltung 30. Diese zweite Treiberschaltung 30 weist eine Eingangsschaltung 36 auf, die an die Eingänge 31, 32 gekoppelt ist und die dazu ausgebildet ein internes Steuersignal S36 zu erzeugen, nach dessen Maßgabe das Ansteuersignal Sout erzeugt wird.
  • Diese Eingangsschaltung ist derart realisiert, dass ihre Funktionsweise auf die Funktionsweise der ersten Treiberschaltung 10 abgestimmt ist.
  • Bei Verwendung einer ersten Treiberschaltung gemäß 2, die positive und negative Signalimpulse erzeugt, wird eine zweite Treiberschaltung 30 eingesetzt, die dazu ausgebildet ist, positive und negative Signalimpulse an den Eingängen 31, 32 zu detektieren. Die Eingangsschaltung 36 ist in diesem Fall beispielsweise dazu ausgebildet, einen High-Pegel des internen Steuersignals S36 zu erzeugen, wenn ein positiver Signalimpuls zwischen den Eingängen 31, 32 detektiert wird, und einen Low-Pegel des Steuersignals S36 zu erzeugen, wenn ein negativer Spannungsimpuls zwischen den Eingängen 31, 32 detektiert wird.
  • Bei Verwendung einer ersten Treiberschaltung gemäß 3, wird eine zweite Treiberschaltung 30 eingesetzt, die auf die Funktionsweise der Schaltung 89 abgestimmt ist und die beispielsweise dazu ausgebildet ist, unterschiedlichen Impulsmuster an den Eingängen zu detektieren, wenn die Schaltung 89 eine Flankencodierung vornimmt. Die Eingangsschaltung 36 ist zwischen die Versorgungsanschlüsse 33, 34 geschaltet und damit von der über dem Bootstrap-Kondensator anliegenden Versorgungsspannung V37 versorgt.
  • Das interne Steuersignal S36 steuert erste und zweite Schaltelemente 39_1, 39_2 an, von denen ein erstes Schaltelement 39_1 zwischen den ersten Versorgungseingang 33 und den Ausgang 34 geschaltet ist, während ein zweites Schaltelement 39_2 zwischen den Ausgang 34 und den zweiten Versorgungseingang 35 geschaltet ist. Diese beiden Schalter 39_1, 39_2 sind komplementär zueinander angesteuert, was in 3 dadurch dargestellt ist, dass einem der beiden Schalter 39_1 ein Inverter 38 vorgeschaltet ist. In diesem Zusammenhang sei darauf hingewiesen, dass diese Schaltelemente insbesondere als Transistoren realisiert werden können. Der erste Schalter 39_1 kann insbesondere als p-MOSFET und der zweite Schalter 39_2 als n-MOSFET realisiert werden. Auf den Inverter 38 kann bei einer Realisierung des zweiten Schalters 39_2 als p-MOSFET verzichtet werden.
  • Bei leitend angesteuertem ersten Schalter 39_1 wird der High-Side-Schalter T1, der in 3 gestrichelt dargestellt ist, über die Versorgungsspannung V37, die über dem Bootstrap-Kondensator 37 anliegt, leitend angesteuert. Bei leitend angesteuertem zweiten Halbleiterschaltelement 39_2 sperrt der High-Side-Schalter, da dessen Gate-Source-Spannung in diesem Fall annähernd Null ist.
  • Ein Realisierungsbeispiel für den Halbleiterkörper 40 mit dem darin angeordneten Transformator 20 sowie der darin angeordneten Bootstrap-Diode wird nachfolgend anhand der 5 und 6 erläutert. 5 zeigt dabei in Seitenansicht einen Querschnitt durch den Halbleiterkörper, während 6 einen Querschnitt in der in 5 eingezeichneten Schnittebene B-B zeigt.
  • Der Halbleiterkörper 40 weist ein Halbleitersubstrat 41 mit einer Vorderseite 401 und einer Rückseite 402 auf. Zur Realisierung des Transformators sind in einer Isolatorschicht bzw. Dielektrikumsschicht 42 oberhalb der Vorderseite 401 zwei Metallisierungslagen vorhanden, die in vertikaler Richtung beabstandet zueinander angeordnet sind. In jeder dieser Metallisierungslagen ist eine in Draufsicht spiralförmig verlaufende Leiterstruktur 21, 22 realisiert. Diese ersten und zweiten Leiterstrukturen 21, 22 bilden die Primärwicklung und die Sekundärwicklung des Transformators und sind daher mit denselben Bezugszeichen wie die Primärwicklung und die Sekundärwicklung in 1 bezeichnet.
  • Die die Primärwicklung bildende Leiterstruktur 21 ist zwischen einer ersten und einer zweiten Isolatorschicht 421, 423 angeordnet, von denen die erste Isolatorschicht 421 auf die Vorderseite 401 des Halbleitersubstrats 41 aufgebracht ist. Die erste Leiterstruktur 21 ist auf der Isolatorschicht 421 aufgebracht und strukturiert. Die zweite Leiterstruktur 22 ist oberhalb der zweiten Isolatorschicht 423 angeordnet.
  • Die Isolatorschichten 421, 423 bestehen beispielsweise aus einem abgeschiedenen Oxid, wie Z.B. TEOS, die Leiterstrukturen bestehen beispielsweise aus einem Metall oder einem hochdotierten Polysilizium.
  • Die vergraben in der Isolationsschicht 42 angeordnete erste Leiterbahnstruktur 21 ist durch Kontaktelemente 45, 46 kontaktiert, die sich in vertikaler Richtung durch die zweite Isolatorschicht 423 bis zu Anschlüssen der ersten Leiterbahnstruktur 21 erstrecken und die jeweils Anschlussflächen auf der zweiten Isolationsschicht 423 aufweisen. Diese Anschlussflächen bilden die ersten und zweiten Anschlüsse 23, 24 der Primärwicklung.
  • Die zweite Leiterbahnstruktur 22, die die Sekundärwicklung des Transformators bildet, weist ebenfalls Anschlussflächen auf der zweiten Isolationsschicht 423 auf, die in einer versetzt zu der in 5 dargestellten Schnittebene angeordnet sind, und die in 6 dargestellt sind. Diese Anschlussflächen bilden die ersten und zweiten Anschlüsse 25, 26 der Sekundärwicklung
  • In 6 ist die zweite Leiterbahnstruktur 44, die auf der zweiten Isolationsschicht 423 angeordnet ist, schraffiert dargestellt. Die darunter liegende angeordnete erste Leiter bahnstruktur 43 ist in 6 gestrichelt gezeigt. Die beiden Transformatorwicklungen weisen in dem Beispiel jeweils eine gleiche Anzahl von Windungen auf, können jedoch auch eine unterschiedliche Anzahl von Windungen aufweisen.
  • In dem Halbleitersubstrat 43 ist bezugnehmend auf 5 eine Diode realisiert, indem im Bereich der Vorderseite 401 eine komplementär zu der Grunddotierung des Halbleitersubstrats 41 dotierte Halbleiterzone 47 vorhanden ist. Diese Halbleiterzone 47 kann mittels herkömmlicher Dotierungsschritte vor Aufbringen der Isolationsschicht 43 und Herstellen der Leiterbahnstrukturen 21, 22 hergestellt werden. In dem Beispiel weist das Halbleitersubstrat 41 eine n-Grunddotierung auf, während die Halbleiterzone 47 p-dotiert ist. Das Halbleitersubstrat 41 bildet dabei die Kathodenzone der Diode, während die Halbleiterzone 47 deren Anodenzone bildet. Die Anodenzone 47 ist über das Kontaktelement 45 der ersten Leiterbahnstruktur 21, einen Abschnitt dieser ersten Leiterbahnstruktur 21 sowie ein weiteres Kontaktelement 48, das in die erste Isolationsschicht 421 eingebettet ist, an die Anschlussfläche 23 oberhalb der zweiten Isolationsschicht 423 angeschlossen. Diese Anschlussfläche 23 bildet dadurch gleichzeitig einen der Anschlüsse der Primärwicklung 21 des Transformators und den Anodenanschluss 51 der Diode (50 in 1).
  • Diese in 5 dargestellte Realisierung des Transformators und der Diode eignet sich für die Anwendung einer Treiberschaltung gemäß 3, bei der der erste Anschluss 23 der Primärwicklung 21 des Transformators dauerhaft an den ersten Versorgungsanschluss 14 der ersten Treiberschaltung angeschlossen ist.
  • 7 veranschaulicht eine mögliche Realisierung der in 1 dargestellten Ansteuerschaltung auf Chipebene. Mit dem Bezugszeichen 40 ist in 6 der Halbleiterkörper bezeichnet, in dem der Transformator 20 mit der Diode 50 integriert ist. Das Bezugszeichen 71 bezeichnet einen zweiten Halblei terkörper, in dem die erste Treiberschaltung 10 integriert ist, und das Bezugszeichen 72 bezeichnet einen dritten Halbleiterkörper, in dem die zweite Treiberschaltung 30 integriert ist. Der zweite Halbleiterkörper 71 wird mit der ersten Treiberschaltung 10 auf ein erstes elektrisch leitfähiges Trägerelement, das auch als Leadframe bezeichnet wird, aufgebracht. Dieser zweite Halbleiterkörper 71 weist im Bereich seiner dem Leadframe 61 abgewandten Vorderseite Kontaktflächen 12, 13, 14, 15 auf, die die Funktion der ersten und zweiten Ausgänge sowie der ersten und zweiten Versorgungseingänge der Treiberschaltung 10 gemäß 1 erfüllen und die mit entsprechenden Bezugszeichen bezeichnet sind.
  • Die ersten und zweiten Ausgänge 12, 13 der Treiberschaltung 10 sind über Bonddrähte 63, 64 an Anschlussflächen 23, 24 für den ersten und zweiten Anschluss der Primärwicklung auf dem ersten Halbleiterkörper 40 angeschlossen. Die Anschlussfläche 23 kann gleichzeitig den Anodenanschluss der in dem ersten Halbleiterkörper 40 integrierten Diode bilden, wie dies in 3 dargestellt ist. Der erste Halbleiterkörper 40 und der dritte Halbleiterkörper 72 sind mit ihren Rückseiten elektrisch leitend auf den zweiten Leadframe 62 aufgebracht. Der zweite Leadframe 62 schließt dadurch die Kathodenzone der Diode, die bezugnehmend auf 5 durch das Halbleitersubstrat 41 des ersten Halbleiterkörpers 40 gebildet wird, und den ersten Versorgungseingang 33 der zweiten Treiberschaltung 30, der durch die Rückseite des dritten Halbleiterchips 72 gebildet wird, kurz. Zur Verringerung eines Kontaktwiderstandes zwischen dem Substrat 41 des ersten Halbleiterkörpers 40 und dem zweite Leadframe 62 weist das Substrat im Bereich seiner Rückseite vorzugsweise eine hochdotierte Anschlusszone 49 auf, die in 5 gestrichelt dargestellt ist.
  • Die ersten und zweiten Signaleingänge 31, 32 der zweiten Treiberschaltung 30 sind im Bereich der Vorderseite des dritten Halbleiterchips 72 angeordnet und über Bonddrähte 65, 66 an die ersten und zweiten Anschlüsse 25, 26 der Sekundärwick lung auf der Vorderseite des ersten Halbleiterkörpers 40 angeschlossen. Der Ausgangsanschluss 34 und der zweite Versorgungseingang 35 der zweiten Treiberschaltung 30 sind ebenfalls durch Anschlussflächen im Bereich der Vorderseite des dritten Halbleiterchips 72 realisiert.
  • Die beiden Leadframes 61, 62 mit den darauf aufgebrachten Halbleiterkörpern sind vorzugsweise in einem gemeinsamen Chipgehäuse angeordnet, das in 6 strichpunktiert dargestellt ist und das beispielsweise durch Umspritzen der Leadframes 61, 62 mit den Halbleiterchips 40, 71, 72 mit einer Gehäusemasse bzw. Pressmasse gebildet ist.
  • 8 zeigt in Seitenansicht einen Querschnitt durch den ersten Halbleiterkörper 40, in dem zwei planare, kernlose Transformatoren 20_1, 20_2 und zwei vertikale Dioden 50_1, 50_2 integriert sind. Der Aufbau je einer Struktur mit einem Transformator und einer Diode entspricht dem anhand von 5 erläuterten Aufbau, wobei die beiden Strukturen in lateraler Richtung nebeneinander angeordnet sind. Die Anordnung in 8 unterscheidet sich von der in der 5 dargestellten dadurch, dass das Halbleitersubstrat 41 eine p-Grunddotierung aufweist, wobei optional im Bereich der Rückseite 402 des Halbleitersubstrats eine p-dotierte Anschlusszone 49 realisiert ist, die höher als die Grunddotierung dotiert ist. Das Halbleitersubstrat bzw. diese Anschlusszone 49 bilden in diesem Fall die Anodenzone der beiden Dioden 50_1, 50_2. Kathodenzonen dieser beiden Dioden sind durch n-dotierte Halbleiterzonen im Bereich der Vorderseite 401 des Halbleitersubstrats realisiert.
  • Bei der in 8 dargestellten Anordnung bilden die Leiterbahnstrukturen, die in der Isolationsschicht 42 näher zum Halbleitersubstrat 41 angeordnet sind, Sekundärwicklungen 22_1, 22_2 der Transformatoren 20_1, 20_2. Die Kathodenzonen 47_1, 47_2 sind hierbei über erste Anschlüsse 25_1, 25_2 der Sekundärwicklungen kontaktiert. Diese Anschlüsse 25_1, 25_2 sind oberhalb der Isolationsschicht 42 angeordnet und über Kontaktelemente 45_1, 45_2 sowie 48_1, 48_2, die sich in vertikaler Richtung in die Isolationsschicht 42 hinein erstrecken, an die Sekundärwicklungen 22_1, 22_2 und die Kathodenzonen 47_1, 47_2 angeschlossen.
  • Leiterbahnstrukturen, die die Primärwicklungen der Transformatoren 21_1, 21_2 bilden, sind in diesem Fall oberhalb der Isolationsschicht 42 angeordnet. Die Primärwicklungen 21_1, 21_2 weisen ebenfalls Anschlusskontakte auf, die in der Schnittdarstellung gemäß 8 jedoch nicht dargestellt sind.
  • Die in 8 dargestellte Anordnung mit jeweils zwei in dem Halbleiterkörper 40 integrierten Transformatoren und zwei in dem Halbleiterkörper integrierten vertikalen Dioden eignen sich zur Realisierung einer in 9 dargestellten Ansteuerschaltung für eine H-Brücke bzw. Vollbrücke. Diese H-Brücke weist zwei Halbbrücken auf, die jeweils zwei Leistungs-MOSFET oder Leistungs-IGBT umfassen, deren Laststrecken in Reihe zwischen ein Lastversorgungspotential V+ und Bezugspotential GND geschaltet sind. Zur Ansteuerung der High-Side-Transistoren T1_1, T1_2 sind zwei zweite Treiberschaltungen 30_1, 30_2 vorhanden, die je einen dieser beiden High-Side-Transistoren T1_1, T1_2 ansteuern. Die zweiten Treiberschaltungen 30_1, 30_2 weisen jeweils erste und zweite Signaleingänge 31_1, 31_2 bzw. 32_1, 32_2 auf, die an die ersten und zweiten Anschlüsse 25_1, 26_1 bzw. 25_2, 26_2 der Sekundärwicklungen 22_1, 22_2 angeschlossen sind. Die ersten Signaleingänge 31_1, 32_1 bilden in diesem Fall gleichzeitig die ersten Versorgungseingänge 33_1, 33_2 der zweiten Treiberschaltungen 30_1, 30_2, an die die Kathodenanschlüsse 52_1, 52_2 der Dioden 50_1, 50_2 angeschlossen sind.
  • Bei der in 9 dargestellten Ansteuerschaltung sind die Anodenanschlüsse 53_1, 53_2 an die ersten Anschlüsse 23_1, 23_2 der Primärwicklungen 21_1, 21_2 angeschlossen.
  • Jede der Primärwicklungen 21_1, 21_2 ist an eine erste Treiberschaltung 10_1, 10_2 angeschlossen, wobei diese beiden Treiberschaltungen entsprechend der anhand von 3 erläuterten Treiberschaltung realisiert sein können und jeweils einen Signaleingang 11_1, 11_2 zur Zuführung eines Eingangssignals Sin_1, Sin_2 und Ausgänge 12_1, 13_1 bzw. 12_2, 13_2 zum Anschließen an die Primärwicklungen 221_1, 21_2 aufweisen. Die ersten Treiberschaltungen 10_1, 10_2 sind beispielsweise in einem gemeinsamen Halbleiterkörper 71 integriert, was in 8 durch eine gestrichelte die Treiberschaltungen 10_1, 10_2 umgebende Linie dargestellt ist. In diesem Halbleiterkörper 71 können darüber hinaus Treiberschaltungen 100_1, 100_2 für die Low-Side-Transistoren T2_1, T2_2 der H-Brücke integriert sein.
  • 10 zeigt ein Realisierungsbeispiel für die in 9 dargestellte Ansteuerschaltung auf Chipebene. Der erste Halbleiterkörper 40 mit den darin integrierten zwei Transformatoren und den darin integrierten zwei Dioden ist hierbei zusammen mit dem zweiten Halbleiterchip 71, in dem die ersten Treiberschaltungen 10_1, 10_2 integriert sind, auf einem gemeinsamen ersten Leadframe 61 angeordnet. Der den zwei ersten Treiberschaltungen (10_1, 10_2 in 9) gemeinsame erste Versorgungseingang 14 ist dabei durch die dem ersten Leadframe 61 zugewandte Rückseite des zweiten Halbleiterchips 71 gebildet. Der Leadframe 61 liegt dabei auf dem ersten Versorgungspotential, was in 10 gestrichelt dargestellt ist. Der erste Halbleiterchip 40 ist mit seiner Rückseite, die einen gemeinsamen Anodenanschluss für die beiden in dem Halbleiterkörper integrierten Dioden bildet, elektrisch leitend auf den ersten Leadframe 61 aufgebracht, wodurch die Anoden der beiden Dioden auf dem ersten Versorgungspotential V1 liegen.
  • Die zweiten Ausgangsanschlüsse 13_1, 13_2 der ersten Treiberschaltungen sind über Bonddrähte an die zweiten Anschlüsse 24_1, 24_2 der Primärwicklungen (21_1, 21_2 in 8) angeschlossen. Die ersten Anschlüsse 23_1, 23_2 dieser Primärwicklungen sind dabei über weitere Bonddrähte an ersten Leadframe 61 angeschlossen und sind über diese Bonddrähte an das erste Versorgungspotential V1 und an die Anoden der zugehörigen Dioden angeschlossen. Die Verbindung der Kathodenanschlüsse (52_1, 52_2 in 8) der Dioden an die ersten Anschlüsse (25_1, 25_2) der Sekundärwicklungen erfolgt über nicht näher dargestellte Verdrahtungsebenen in dem Chip 40.
  • Die Transformatoren sind in den 5 und 8 als planare kernlose Transformatoren, d.h. ohne Transformatorkern realisiert. In nicht näher dargestellter Weise besteht jedoch auch die Möglichkeit, die planaren Transformatoren mit einem Kern zu realisieren, der als Verstärker für den magnetischen Fluss wirkt. Dieser Kern kann beispielsweise durch eine Kobaltschicht gebildet sein. Bezogen auf das Beispiel in den 5 und 6 ist diese Schicht in einem Bereich anzuordnen, der von den Wicklungen umschlossen ist. In vertikaler Richtung kann sich diese Schicht über die beiden Metallisierungsebenen, in denen die Wicklungen 21, 22 angeordnet sind, erstrecken.
    • D
    Drain-Anschluss
    G
    Gate-Anschluss
    GND
    Bezugspotential
    IN
    Eingang der Ansteuerschaltung
    OUT_Ausgang
    der Ansteuerschaltung
    OUT_H
    Ausgang einer Halbbrücke
    S
    Source-Anschluss
    T1, T2
    Leistungs-MOSFET, Leistungs-IGBT
    T1_1, T1_2
    Leistungs-MOSFET, Leistungs-IGBT
    T2_1, T2_2
    Leistungs-MOSFET, Leistungs-IGBT Lastversorgungspotential
    10, 10_1, 10_2
    erste Treiberschaltungen
    14, 15
    Versorgungseingänge der ersten Treiberschaltung
    37
    Kondensator
    40
    Halbleiterkörper
    41
    Halbleitersubstrat
    49
    hochdotierte Anschlusszone
    20, 20_1, 20_2
    Transformatoren
    21, 21_1, 21_2
    Primärwicklungen der Transformatoren
    22, 22_1, 22_2
    Sekundärwicklungen der Transformatoren
    33, 35
    Versorgungseingänge der zweiten Treiberschaltung
    23, 23_1, 23_2
    erste Anschlüsse der Primärwicklungen
    24, 24_1, 24_2
    zweite Anschlüsse der Primärwicklungen
    25, 25_1, 25_2
    erste Anschlüsse der Sekundärwicklungen
    26, 26_1, 26_2
    zweite Anschlüsse der Sekundärwicklungen
    30, 30_1, 30_2
    zweite Treiberschaltungen
    31, 31_1, 31_2
    erster Eingang der zweiten Treiberschaltungen
    31, 31_1, 32_2
    zweiter Eingang der zweiten Treiberschaltungen
    33, 33_1, 33_2
    erster Versorgungseingang der zweiten Treiberschaltungen
    43, 34_1, 34_2
    Ausgänge der zweiten Treiberschaltungen
    35, 35_1, 35_2
    zweiter Versorgungseingang der zweiten Treiberschaltungen
    45, 45_1, 45_2
    Kontaktelemente
    46, 46_1, 46_2
    Kontaktelemente
    47, 47_1, 47_2
    dotierte Halbleiterzone
    71, 72
    Halbleiterkörper
    48, 48_1, 48_2
    Kontaktelemente
    50, 50_1, 50_2
    Dioden
    51, 51_1, 52_2
    Anodenanschlüsse
    52, 52_1, 52_2
    Kathodenanschlüsse
    61, 62, 63
    Leadframes
    100, 100_1, 100_2
    Ansteuerschaltungen
    401
    Vorderseite
    402
    Rückseite

Claims (12)

  1. Ansteuerschaltung zur Ansteuerung eines Halbleiterschaltelements, die einen Eingang (IN) zur Zuführung eines Eingangssignals (Sin), einen Ausgang (OUT) zur Bereitstellung eines Ansteuersignals (Sout) und folgende weitere Merkmale aufweist: – einen Transformator (20) mit einer Primärwicklung (21) und einer Sekundärwicklung (22), der in einem ersten Halbleiterkörper (40) integriert ist, – eine erste Treiberschaltung (10) mit einem Signaleingang (11) zur Zuführung des Eingangssignals (Sin), mit wenigstens einem Ausgang (12, 13), der an die Primärwicklung (21) des Transformators (20) gekoppelt ist, und mit einem Versorgungseingang (14) zum Zuführen eines ersten Versorgungspotentials (V1), – eine zweite Treiberschaltung (30) mit wenigstens einem Eingang (31, 32), der an die Sekundärwicklung (22) gekoppelt ist, mit einem Ausgang (34), an dem das Ansteuersignal (Sout) zur Verfügung steht, und mit einem zweiten Versorgungseingang (33), – ein Gleichrichterelement (50), das zwischen den ersten und den zweiten Versorgungseingang (14, 33) geschaltet ist und das in dem ersten Halbleiterkörper (40) integriert ist.
  2. Ansteuerschaltung nach Anspruch 1, bei dem die erste Treiberschaltung (10) in einem zweiten Halbleiterkörper (71) integriert ist und bei dem die zweite Treiberschaltung (30) in einem dritten Halbleiterkörper (72) integriert ist.
  3. Ansteuerschaltung nach Anspruch 2, bei dem der erste und zweite Halbleiterkörper (40, 71) auf einem gemeinsamen Träger (61) angeordnet sind.
  4. Ansteuerschaltung nach Anspruch 2, bei dem der erste und dritte Halbleiterkörper (40, 72) auf einem gemeinsamen Träger (62) angeordnet sind.
  5. Ansteuerschaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem das Gleichrichterelement (50) als vertikale Leistungsdiode mit einem Anodenanschluss (23) und einem Kathodenanschluss (49) in dem ersten Halbleiterkörper (40) realisiert ist.
  6. Ansteuerschaltung nach Anspruch 5, bei dem die Primärspule (21) und die Sekundärspule (22) jeweils spiralförmig um einen Zentralbereich verlaufen und bei der der Anodenanschluss (23) oder der Kathodenanschluss in diesem Zentralbereich angeordnet sind.
  7. Ansteuerschaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der die wenigstens eine Diode einen ersten Emitter (47) eines ersten Leitungstyps, einen zweiten Emitter (49) eines zweiten Leitungstyps und eine zwischen dem ersten und zweiten Emitter angeordnete Basis (41) des ersten oder zweiten Leitungstyps, die schwächer als der erste und zweite Emitter (47, 49) dotiert ist, aufweist.
  8. Ansteuerschaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der der Transformator (20) als planarer Transformator ausgebildet ist.
  9. Ansteuerschaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, die mehrere Ausgänge zur Ansteuerung einer der Anzahl der Ausgänge entsprechende Anzahl Halbleiterschaltelemente (T1_1, T1_2) und folgende weitere Merkmale aufweist: – eine der Anzahl der Ausgänge entsprechende Anzahl erste Treiberschaltungen (10_1, 10_2), – eine der Anzahl der Ausgänge entsprechende Anzahl Transformatoren (20_1, 20_1) und Gleichrichterelemente (50_1, 50_2), die in dem ersten Halbleiterkörper (40) integriert sind, – eine der Anzahl der Ausgänge entsprechende Anzahl zweite Treiberschaltungen (30_1, 30_2).
  10. Ansteuerschaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei der der erste, zweite und dritte Halbleiterkörper (40, 71; 72) in einem gemeinsamen Chipgehäuse angeordnet sind.
  11. Schaltungsanordnung mit einer Ansteuerschaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche und mit einem durch die Ansteuerschaltung angesteuerten Halbleiterschaltelement, die in einem gemeinsamen Gehäuse angeordnet sind.
  12. Verwendung einer Ansteuerschaltung nach einem der vorangehenden Ansprüche zur Ansteuerung eines ersten Halbleiterschaltelements in einer Halbbrücke, die das erste Halbleiterschaltelement und ein zweites Halbleiterschaltelement mit jeweils einer Laststrecke und einem Ansteueranschluss aufweist und deren Laststrecken in Reihe geschaltet sind.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011088715A1 (de) * 2011-04-28 2012-10-31 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Integrierter Transformator
WO2013083473A1 (de) * 2011-12-09 2013-06-13 Robert Bosch Gmbh Spannungswandler für ein kraftfahrzeug
DE102009034083B4 (de) 2008-07-22 2019-02-07 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelemente und Halbleiterchip

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10243197B4 (de) * 2002-09-18 2011-05-05 Infineon Technologies Ag Digitales Signalübertragungsverfahren
US7960845B2 (en) 2008-01-03 2011-06-14 Linear Technology Corporation Flexible contactless wire bonding structure and methodology for semiconductor device
JP5303167B2 (ja) * 2008-03-25 2013-10-02 ローム株式会社 スイッチ制御装置及びこれを用いたモータ駆動装置
US7902665B2 (en) * 2008-09-02 2011-03-08 Linear Technology Corporation Semiconductor device having a suspended isolating interconnect
US20100117725A1 (en) * 2008-11-12 2010-05-13 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor diode
US8482029B2 (en) * 2011-05-27 2013-07-09 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor device and integrated circuit including the semiconductor device
JP5782919B2 (ja) * 2011-08-25 2015-09-24 サンケン電気株式会社 半導体装置
US9281748B2 (en) 2012-03-02 2016-03-08 Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. Operating a DC-DC converter
US9236347B2 (en) 2013-10-09 2016-01-12 Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. Operating and manufacturing a DC-DC converter
US9219422B1 (en) 2014-08-21 2015-12-22 Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. Operating a DC-DC converter including a coupled inductor formed of a magnetic core and a conductive sheet
US9379619B2 (en) 2014-10-21 2016-06-28 Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. Dividing a single phase pulse-width modulation signal into a plurality of phases
US9618539B2 (en) 2015-05-28 2017-04-11 Lenovo Enterprise Solutions (Singapore) Pte. Ltd. Sensing current of a DC-DC converter
US10056362B2 (en) 2016-10-06 2018-08-21 Infineon Technologies Americas Corp. Multi-phase power converter with common connections
US10128173B2 (en) * 2016-10-06 2018-11-13 Infineon Technologies Americas Corp. Common contact leadframe for multiphase applications
US10147703B2 (en) 2017-03-24 2018-12-04 Infineon Technologies Ag Semiconductor package for multiphase circuitry device
JP7076398B2 (ja) * 2019-04-12 2022-05-27 三菱電機株式会社 半導体装置
US10720913B1 (en) 2019-05-28 2020-07-21 Infineon Technologies Austria Ag Integrated failsafe pulldown circuit for GaN switch
US10958268B1 (en) * 2019-09-04 2021-03-23 Infineon Technologies Austria Ag Transformer-based driver for power switches
US10979032B1 (en) 2020-01-08 2021-04-13 Infineon Technologies Austria Ag Time-programmable failsafe pulldown circuit for GaN switch

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10205705C1 (de) * 2002-02-12 2003-05-08 Infineon Technologies Ag Integrierbare Schaltungsanordnung zur potenzialfreien Signalübertragung
DE10232642A1 (de) * 2002-07-18 2004-02-12 Infineon Technologies Ag Integrierte Transformatoranordnung
DE102004035604B3 (de) * 2004-07-22 2005-08-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Ansteuerung eines Halbleiterschaltelements in einer Halbbrücke und Schaltungsanordnung mit einer Halbbrücke

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5448100A (en) * 1985-02-19 1995-09-05 Harris Corporation Breakdown diode structure
DE4201931C1 (de) * 1992-01-24 1993-05-27 Eupec Europaeische Gesellschaft Fuer Leistungshalbleiter Mbh + Co.Kg, 4788 Warstein, De
DE4432727C1 (de) * 1994-09-14 1996-03-14 Siemens Ag Integrierte Schaltungsstruktur mit einem aktiven Mikrowellenbauelement und mindestens einem passiven Bauelement
US6462603B1 (en) * 1995-08-08 2002-10-08 Bryan M. H. Pong Solid-state relay
GB2324664B (en) * 1997-04-23 2001-06-27 Int Rectifier Corp Resistor in series with bootstrap diode for monolithic gate device
JP3855116B2 (ja) * 2000-03-22 2006-12-06 日本光電工業株式会社 半導体スイッチ駆動回路

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10205705C1 (de) * 2002-02-12 2003-05-08 Infineon Technologies Ag Integrierbare Schaltungsanordnung zur potenzialfreien Signalübertragung
DE10232642A1 (de) * 2002-07-18 2004-02-12 Infineon Technologies Ag Integrierte Transformatoranordnung
DE102004035604B3 (de) * 2004-07-22 2005-08-11 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Ansteuerung eines Halbleiterschaltelements in einer Halbbrücke und Schaltungsanordnung mit einer Halbbrücke

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009034083B4 (de) 2008-07-22 2019-02-07 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauelemente und Halbleiterchip
DE102011088715A1 (de) * 2011-04-28 2012-10-31 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Integrierter Transformator
US8643461B2 (en) 2011-04-28 2014-02-04 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Integrated transformer
WO2013083473A1 (de) * 2011-12-09 2013-06-13 Robert Bosch Gmbh Spannungswandler für ein kraftfahrzeug
US9660510B2 (en) 2011-12-09 2017-05-23 Robert Bosch Gmbh Voltage converter for a motor vehicle

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US7560833B2 (en) 2009-07-14

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