DE102004020156A1 - Einfangsbereich-Steuermechanismus für spannungsgesteuerte Oszillatoren - Google Patents

Einfangsbereich-Steuermechanismus für spannungsgesteuerte Oszillatoren Download PDF

Info

Publication number
DE102004020156A1
DE102004020156A1 DE102004020156A DE102004020156A DE102004020156A1 DE 102004020156 A1 DE102004020156 A1 DE 102004020156A1 DE 102004020156 A DE102004020156 A DE 102004020156A DE 102004020156 A DE102004020156 A DE 102004020156A DE 102004020156 A1 DE102004020156 A1 DE 102004020156A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
controlled oscillator
voltage controlled
voltage
gain
gain adjustment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE102004020156A
Other languages
English (en)
Inventor
Ranjit Kanata Singh
Youcef Ottawa Fouzar
Simon John Ottawa Skierszkan
Hazem Ottawa Abdel-Maguid
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Microsemi Semiconductor ULC
Original Assignee
Zarlink Semoconductor Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zarlink Semoconductor Inc filed Critical Zarlink Semoconductor Inc
Publication of DE102004020156A1 publication Critical patent/DE102004020156A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/099Details of the phase-locked loop concerning mainly the controlled oscillator of the loop
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1206Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
    • H03B5/1209Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier having two current paths operating in a differential manner and a current source or degeneration circuit in common to both paths, e.g. a long-tailed pair.
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1231Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more bipolar transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/08Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
    • H03B5/12Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/1237Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
    • H03B5/124Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
    • H03B5/1243Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03LAUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
    • H03L7/00Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
    • H03L7/06Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
    • H03L7/08Details of the phase-locked loop
    • H03L7/085Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal
    • H03L7/093Details of the phase-locked loop concerning mainly the frequency- or phase-detection arrangement including the filtering or amplification of its output signal using special filtering or amplification characteristics in the loop

Landscapes

  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

Ein spannungsgesteuerter Oszillator erzeugt ein Ausgangssignal, dessen Frequenz als eine erste Funktion einer Steuerspannung variiert, die an einen Steueranschluss angelegt ist. Der spannungsgesteuerte Oszillator hat einen weiten Bereich der Betriebsfrequenz. Eine Verstärkungsanpassschaltung stellt die Verstärkung des spannungsgesteuerten Oszillators derart ein, dass die erste Funktion als eine zweite Funktion der Verstärkung variiert. Bei einer bevorzugten Ausführungsform umfasst die Verstärkungsanpassschaltung eine variable Impedanz, die extern sein kann oder auf einem gemeinsamen Chip mit dem Oszillatorkern integriert ist.

Description

  • Diese Erfindung betrifft elektronische spannungsgesteuerte Oszillatorschaltungen, zum Beispiel für den Einsatz in phasenverriegelten Schleifen, die als monolithische integrierte Schaltungen hergestellt sind.
  • Die Schwingungsfrequenz eines Oszillators wird typischerweise mit einer Steuerspannung eingestellt. Eine solche Oszillation wird als ein spannungsgesteuerter Oszillator (VCO) be zeichnet. Bei einigen Implementierungen ändert die Steuerspannung die Stromquelle für einen oder für alle einer Vielzahl von Invertierern, die miteinander in Reihe geschaltet sind. In anderen Implementierungen ändert die Steuerspannung die Kapazität in einem Induktivitäts/Kapazitäts-Resonator.
  • Bei typischen Implementierungen integrierter Schaltungen ist das Schaltungselement, welches eine Kapazität hat, die sich mit einer Steuerspannung ändert, ein Kollektor-Varaktor. Dies kann eine Diode sein, welch als ein variabler Kondensator benutzt wird, mit der Variation der Verbindungskapazität abhängig von der Umkehr-Vorspannung oder ein MOS-Varaktor, wobei in diesem Fall der Anreicherungs- oder Verarmungsbereich unter dem Gatter eines Flächenfeldeffekttransistors als eine Funktion der Spannung des Gatters zur Senken/Quellenspannung variiert. Die Senke oder Quelle sind bei solchen Implementierungen typischerweise zusammengeschaltet. In beiden Fällen variiert die Kapazität in einer nichtlinearen Weise bei Änderungen in der Steuerspannung. Die Variation in der Schwingungsfrequenz wiederum variiert auch in einer nichtlinearen Weise mit Änderungen in der Kapazität des Resonators (tatsächlich variiert sie typischerweise als 1√(LC). Das Gesamtergebnis ist, dass die Verstärkung des Oszillators, gemessen durch das Verhältnis von (Änderungen in der Frequenz)/(Änderungen in der Steuerspannung), mit der angelegten Steuerspannung variiert. Bei vielen Anwendungen, so wie Frequenz-Synthesizern für Mobiltelefone, phasenverriegelten Schleifen für Telefoniesysteme, so wie optischen SONET-Verbindungen, ist es wünschenswert, diese Verstärkung zu minimieren.
  • Eine phasenverriegelte Schleife weist typischerweise einen Phasendetektor auf, welcher die Phasenversetzung zwischen einem Referenztakt, einer Ladungspumpe, welche die erfasste Phasendifferenz in einen Quellen- oder Senkenstrom konvertiert, welcher in der Dauer entsprechend der Dauer der Phasendifferenz variiert, einen Schleifenfilter, der aus irgendeiner Kombination aus Widerständen und Kondensatoren besteht, welcher die Ladung der Ladungspumpe sammelt, was zu einer variierenden Spannung führt. Diese Spannung wird entweder direkt an den Oszillator gegeben oder durch eine Pufferschaltung geleitet.
  • Eine niedrige Verstärkung in dem VCO ist wesentlich beim Optimieren der Systemeigenschaften, so wie Phasenrauschen, Ausgangstakt-Jitter, Rauschimmunität der Energiequelle oder PLL-Dämpfungsfaktor. Wenn die Verstärkung des VCO verringert wird, wird der Einfangsbereich der PLL auch über einen gegebenen Bereich der Steuerspannung verringert. Wenn nach der Herstellung der Oszillator einen Versatz zwischen seiner gewünschten Frequenz oder dem Frequenzbereich der Resonanz und dem System hat (einschließlich des VCO und angeschlossener Schaltungen), wird die integrierte Schaltung unbenutzbar.
  • Der Stand der Technik hat sich auf Abstimmverfahren für den VCO konzentriert, die On-Chip-Lösungen ausnutzen. Zum Beispiel sprechen die US 6 137 372 B und die US 2002/0033739 A1 das Problem des Abstimmens des Einfangsbereichs eines spannungsgesteuerten Oszillators (VCO) durch Addieren oder Subtrahieren von Schaltungselementen an, in beiden Fällen Kapazität innerhalb des VCO selbst. Diese Verfahren erlauben den Aufbau eines VCO, der wegen der Variation bei der Herstellung in dem VCO angepasst werden kann, und sie können Änderungen in den Umweltbedingungen kompensieren, in denen die Schaltung arbeitet, so wie Änderungen in der Temperatur, jedoch haben sie den Nachteil, dass sie abrupt die Schwingungsfrequenz des Oszillators ändern, wenn ein Kondensator hinzugefügt oder entfernt wird. Dies ist inhärent in der US 6 211 745 B , Spalte 14, Zeile 51 gewürdigt, wo angegeben ist, dass „wenn der VCO 500 in einem solchen System benutzt wird, verhindert das Verfahren 800 bevorzugt die Kalibrierung des VCO während der Zeitschlitze, in denen Sprache/Daten empfangen oder gesendet werden", und in der US 6 137 373 in Spalte 9, Zeile 49, wo angegeben ist, dass „falls gewünscht, die diskrete Steuerung 502 fortführen kann, die Ausgangsfrequenz (fout) 102 zu überwachen. Wenn ein zu großer Fehler erfasst wird, kann die diskrete Steuerung 502 den Schalter (SW) 512 zurückbewegen, um den anfänglichen Steuerknoten 510 auszuwählen und wieder das digitale Steuerwort (Bc) 404 basierend auf einer gewünschten Prozedur zu modifizieren." Diese abrupte Änderung in der Frequenz kann nachteilig für die Gesamtsystemleistungsfähigkeit sein, da ein Unterschied in der Frequenz zwischen dem VCO und der Eingangsreferenz ein Phasenwandern in den Ausgangstakten erzeugen wird, bis die PLL neu synchronisiert hat.
  • In der US 5 912 595 B wird der VCO in der Frequenz mit einer Steuerspannung abgestimmt, die durch einen D/A (Digital-Analog)-Wandler auf diskrete Werte geschaltet wird. Die Schaltung wird durchgeführt, um Änderungen in der Temperatur zu kompensieren, so dass die Variation in der Ausgangsfrequenz des VCO minimiert wird. Da dieses Schalten diskrete Spannungswerte in der Abstimmspannung erzeugen wird, wird wiederum jede Schaltungaktion eine Stufe in der Steuerspannung des VCO erzeugen, was eine abrupte Änderung in der VCO-Frequenz mit den begleitenden Problemen erzeugt.
  • Die US 2003/0089381 A1 offenbart einen spannungsgesteuerten Oszillator einer phasenverriegelten Schleife mit einer digital gesteuerten Verstärkungskompensation. Dieser benutzt Digital/Analog-Wandler und erfordert das Ein- und Ausschalten von Schaltungselementen.
  • US 6 670 861 B befasst sich mit breiten Frequenzbereichen auf dem Gebiet der Breitbandmodulation-Summiernetzwerke, die eine Spannung skalieren, welche an einen VCO gegeben wird, und eine Kalibrierverstärkungsschaltung, die das Skalieren des modulierten Signals steuert. Dieses Patent erfordert den Einsatz von Implementierungszählern und Operationsverstärkern.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein spannungsgesteuerter Oszillator mit einem breiten Bereich der Betriebsfrequenz zur Verfügung gestellt, welcher ein Ausgangssignal erzeugt, dessen Frequenz als eine erste Funktion einer Steuerspannung variiert, welche an einen Steueranschluß angelegt ist, wobei der spannungsgesteuerte Oszillator weiterhin eine Verstärkungsanpaßschaltung zum Anpassen der Verstärkung umfasst, derart, dass die erste Funktion als eine zweite Funktion der Verstärkung variiert.
  • Gemäß den Grundsätzen der Erfindung sollte der VCO für einen relativen breiten Bereich der Schwingungsfrequenz gestaltet sein. Dies stellt sicher, dass trotz Variationen bei der Herstellungsprozeßtoleranz und den Betriebsbedingungen des Gerätes eine Steuerspannung ausgewählt werden kann, bei der der VCO den Betrieb bei der gewünschten Frequenz zur Verfü gung stellt. Ein Mittel, dies zu tun, ist es, den Varaktor mit einem Abstimmbereich vorzubelasten, der nahe dem Vorwärts-Vorspannungsbereich liegt oder sogar in den Vorwärts-Vorspannungsbereich hineingeht, was seine Kapazität stark vergrößert.
  • Wenn einmal ein großer Frequenzeinfangsbereich mittels einer ausreichend hohen VCO-Verstärkung erreicht ist, kann eine variable Verstärkungsschaltung als ein Puffer für die VCO-Steuerspannung eingesetzt werden. Dieser Puffer kann auch benutzt werden, um einen Gleichspannungsversatz zwischen der variierenden Eingangssteuerspannung und der Steuerspannung des VCO einzuführen.
  • Die Verstärkung zwischen der Variation in der Eingangsspannungsvariation und der Ausgangsspannungsvariation des Puffers wird mittels eines Widerstandes eingestellt. Der Widerstand kann außerhalb des Chips angeordnet werden, um irgendwelche Abhängigkeiten von Herstellungstoleranzen bei der Herstellung von integrierten Schaltungen auszuschalten, oder er kann ein On-Chip-Widerstand sein, dessen Wert als eine grobe Steuerung in einer On-Chip-Implementation angepasst wird, welche eine Kalibriereinrichtung umfasst. Ein Zuwachs des Wertes des externen Widerstands erweitert den Abstimmbereich des Oszillators.
  • Die Erfindung stellt auch ein Verfahren zum Erweitern des Bereiches eines spannungsgesteuerten Oszillators zur Verfügung, wobei der spannungsgesteuerte Oszillator eine Ausgangsfrequenz abhängig von einer Steuerspannung erzeugt, mit dem Bereitstellen einer Verstärkungsanpaßschaltung um die Verstärkung des spannungsgesteuerten Oszillators einzustellen; dem Einstellen der Verstärkungsanpaßschaltung, um die Verstärkung des spannungsgesteuerten Oszillators so einzurichten, dass der gewünschte Betriebsbereich zur Verfügung gestellt wird.
  • Die Erfindung wird nun in weiteren Einzelheiten lediglich beispielhaft mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben, wobei:
  • 1 ein generisches Blockschaubild der Elemente einer phasenverriegelten Schleife ist;
  • 2 einen LC-spannungsgesteuerten Oszillator veranschaulicht;
  • 3 die typische Variation in der Kapazität eines Varaktors als Funktion der Spannung über der Diode veranschaulicht;
  • 4 ein Blockschaubild eines spannungsgesteuerten Oszillators gemäß der Erfindung ist;
  • 5a, 5b, 5c mögliche alternative Implementierungen für den Widerstand Rtune aus 4 veranschaulicht; und
  • 6 die gemessene Variation in der Verstärkung des VCO und den Abstimmbereich als eine Funktion des externen (Off-Chip) Widerstandes zeigt.
  • 1 ist ein Blockschaubild einer generischen phasenverriegelten Schleife. Sie weist einen Phasendetektor 10 auf, welcher an seinen Eingängen ein Referenzsignal und ein Rückkopplungssignal erhält, eine Ladungspumpe 12, welche ein Ausgabe des Phasendetektors 10 erhält, welcher die erfasste Phasendifferenz zu einem Quellen- oder Senkenstrom umwandelt, der sich in der Dauer entsprechend der Dauer der Phasendifferenz ändert, und einen spannungsgesteuerten Oszillator 16, dessen Ausgang über den Teiler 18 zu dem Eingang des Phasendetektors 10 zurückgespeist wird. Der Schleifenfilter 14 weist Widerstand 20 und Kondensatoren 22 auf.
  • Der spannungsgesteuerte Oszillator 16 ist in 2 gezeigt. Dieser weist ein Paar Transistoren 30 auf, eine Konstantstromquelle 32, Widerstände 34, ein Paar Varaktoren 36 (Kondensatoren mit variabler Kapazität), ein Paar Induktoren 38 und ein Paar Kondensatoren 40. Der Eingangsanschluß 42 erhält eine Steuerspannung Vctl von dem Schleifenfilter 14. Im Betrieb ändert die Steuerspannung Vctl die Kapazität der Varaktoren 36 in der LC-Schaltung und variiert so die Ausgangsfrequenz des Oszillators.
  • 3 zeigt die Variation in der Kapazität eines Varaktors. Es wird bemerkt werden, dass die Änderung der Kapazität für einen gegebenen Spannungsbereich stark zunimmt, wenn sich dem Vorwärts-Spannungsbereich genähert wird.
  • Bei der Ausführungsform der Erfindung, die in 4 gezeigt ist, geht dem Kern 56 des VCO 16 eine variable Verstärkungsschaltung 44 voran, welche einen FET 54, Festwiderstände 48, 52, ein variables Widerstandselement 46 und den Kondensator 50 aufweist. Die Verstärkung dieser Schaltung kann variiert werden, indem der variable Widerstand 46, der zwischen dem Verstärkungsanpaßanschluß und der Energiequelle liegt, angepasst wird.
  • Der Widerstand 46 kann außerhalb des Chips angeordnet werden, um jegliche Abhängigkeit von Herstellungstoleranzen bei der Herstellung integrierter Schaltungen auszuschalten. Ein solcher Widerstand ist in 5a gezeigt. In diesem Fall ist der Hauptbereich der Verstärkungsanpaßschaltung auf einem monolithischen Chip mit dem Kern 56 des spannungsgesteuerten Oszillators integriert. Der Festwiderstand 46 ist mit einer Kontaktfläche der Vorrichtung auf dem Chip für den Anschluß an die Energiequelle durch den externen variablen Widerstand 46 verbunden. Als Alternative kann der Widerstand 46 ein On-Chip-Widerstand sein.
  • 5a bis 5c zeigen verschiedene mögliche Konfiguration für das variable Widerstandselement 46. Wie in 5a gezeigt, kann das Widerstandselement ein einfacher außerhalb des Chips liegender variabler Widerstand sein. Als Alternative, wie in 5c gezeigt, kann es aus einer Schaltung bestehen, welche mehrere feste Widerstände 48 aufweist, die durch FET-Schalter 50 auswählbar sind. Bei der Ausführungsform, wie sie in 5c gezeigt ist, besteht das variable Widerstandselement aus dem Widerstand 46 in Reihe mit einem Aus wahl-MOSFET, welcher den Strom durch den Festwiderstand 46 entsprechend der einstellbaren Spannung Vtune steuert, die an dem Transistor 52 anliegt.
  • Der Varaktor 36 ist mit dem Abstimmbereich nahe dem Vorwärts-Vorspannungsbereich oder selbst in den Vorwärts-Vorspannungsbereich vorgespannt, wie in 3 gezeigt, was seine Kapazität stark erhöht. Wenn man einen großen Frequenzeinfangbereich mittels einer ausreichend hohen Verstärkung des VCO erhalten hat, wird die variable Verstärkungsschaltung 44 als ein Puffer für die Steuerspannung des VCO eingesetzt. Dieser Puffer kann benutzt werden, um einen Gleichspannungsversatz zwischen der variierenden Eingangssteuerspannung und der Steuerspannung des VCO einzuführen.
  • Die Verstärkung zwischen der Variation in der Eingangsspannungsvariation und der Ausgangsspannungsvariation des Puffers wird mittels des Widerstandselementes 46 angepaßt. Wie es in 6 gezeigt ist, erweitert ein Zuwachs des Wertes des externen Widerstands den Abstimmbereich des Oszillators. Weiterhin nimmt die Steigung der Kurve zu, wenn der Wert des Widerstandes anwächst. Dieser Zuwachs in der Steigung führt zu höherer Verstärkung und der damit verbundenen Verschlechterung der Schaltung. Dies zeigt, dass die Schaltung mit einem minimalen Widerstand hergestellt und durch ihn charakterisiert werden kann, der für die endgültige Schaltungsanwendung ausgewählt wird. Der ausgewählte Widerstand wird zu klein wie möglich gemacht, wobei es für den Oszillator weiter möglich ist, den gewünschten Ausgangsfrequenzbereich zu erzeugen. In 6 ist der Effekt des Widerstandes für einen Bereich von 0 bis 1.6 kOHM gezeigt.
  • Die in der vorstehenden Beschreibung, in der Zeichnung sowie in den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination für die Verwirklichung der Erfindung wesentlich sein.

Claims (20)

  1. Spannungsgesteuerter Oszillator, der ein Ausgangssignal erzeugt, dessen Frequenz als eine erste Funktion einer Steuerspannung variiert, die an einen Steueranschluß angelegt ist, wobei der spannungsgesteuerte Oszillator einen breiten Bereich für die Betriebsfrequenz hat und eine Verstärkunganpaßschaltung zum Anpassen seiner Verstärkung umfasst, derart, dass die erste Funktion als eine zweite Funktion der Verstärkung variiert.
  2. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Anspruch 1, bei dem die Verstärkungsanpaßschaltung eine anpassbare Impedanz umfasst, die die Verstärkung festlegt.
  3. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Anspruch 2, bei dem die Verstärkungsanpaßschaltung einen Verstärkungsanpaßanschluß umfasst und sich die anpassbare Impedanz zwischen dem Verstärkungsanpaßanschluß und einem Versorgungsanschluß befindet.
  4. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Anspruch 2, bei dem die Verstärkungsanpaßschaltung einen integrierten Bereich und ein externes Widerstandselement umfasst, die die einstellbare Impedanz zur Verfügung stellen.
  5. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Anspruch 4, bei dem der integrierte Bereich der Verstärkungsanpaßschaltung mit einer Kontaktfläche der Vorrichtung auf einer monolithischen integrierten Schaltung für die Verbindung mit der Versorgung durch das externe Widerstandselement verbunden ist.
  6. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Anspruch 2, bei dem die anpassbare Impedanz eine Vielzahl N Widerstände mit festem Wert umfasst, wobei jeder über einen Auswahltransistor auswählbar ist.
  7. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Anspruch 6, bei dem die Auswahltransistoren in Reihe mit jeweiligen der Auswahltransistoren angeordnet sind.
  8. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Anspruch 2, bei dem die anpassbare Impedanz einen MOS-Transistor mit einem Gatter umfasst, der mit einer einstellbaren Spannungsquelle verbunden ist.
  9. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Anspruch 3, bei dem die anpassbare Impedanz einen MOS-Transistor mit einem ersten und zweiten Senken/Quellenbereich und einem Gatter umfasst, und die erste Senke/Quelle an den Verstärkungsanpaßanschluß gekoppelt ist und die zweite Senke/Quelle an den Versorgungsanschluß gekoppelt ist.
  10. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Anspruch 9, bei dem die erste Senke/Quelle über einen Festwiderstand mit dem Verstärkungsanpaßanschluß verbunden ist.
  11. Spannungsgesteuerter Oszillator nach einem der Ansprüche 1 bis 10, mit einer Schwingkreisschaltung, welche induktive und kapazitive Elemente umfasst, wobei das kapazitive Element einen oder mehrere Varaktoren umfasst, und bei dem die Verstärkungsanpaßschaltung auch als ein Pegelverschieber wirkt, um eine Gleichspannungsversetzung zur Verfügung zu stellen, welche die Varaktoren vorwärts oder rückwärts vorbelastet, in bezug auf die Ruhespannung an seinem Schwingungsanschluß.
  12. Spannungsgesteuerter Oszillator, mit: einem Oszillatorkern zum Erzeugen einer Ausgangsfrequenz abhängig von einer Steuerspannung; und eine Verstärkungsanpaßschaltung zum Anpassen der Verstärkung des Oszillatorkerns.
  13. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Anspruch 12, bei dem die Verstärkungsanpaßschaltung auch als ein Pegelschieber wirkt, um eine Gleichspannungsversetzung für die Steuerspannung zur Verfügung zu stellen.
  14. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Anspruch 13, bei dem die Verstärkungsanpaßschaltung eine einstellbare Impedanz aufweist.
  15. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Anspruch 15, bei dem der Hauptbereich der Verstärkungsanpaßschaltung mit dem Oszillatorkern auf einem monolithischen Chip integriert ist und die variable Impedanz sich außerhalb des Chips befindet.
  16. Spannungsgesteuerter Oszillator nach Anspruch 13, mit einer Schwingkreisschaltung, welche induktive und kapazitive Elemente umfasst, wobei das kapazitive Element einen oder mehrere Varaktoren umfasst, und bei dem die Verstärkungsanpaßschaltung die Gleichspannungsversetzung an einen Eingangsanschluß der Varaktoren gibt.
  17. Verfahren zum Erweitern des Bereiches eines spannungsgesteuerten Oszillator, wobei der spannungsgesteuerte Oszillator eine Ausgangsfrequenz abhängig von einer Steuerspannung erzeugt, mit den Schritten: Bereitstellen einer Verstärkungsanpaßschaltung, um die Verstärkung des spannungsgesteuerten Oszillators einzustellen; Einstellen der Verstärkungsanpaßschaltung, um die Verstärkung des spannungsgesteuerten Oszillators einzurichten, um den gewünschten Betriebsbereich zur Verfügung zu stellen.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, bei dem die Verstärkung mittels einer einstellbaren Impedanz angepasst wird und bei dem die minimale Impedanz ausgewählt wird, die mit dem gewünschten Betriebsbereich kompatibel ist.
  19. Verfahren nach Anspruch 18, bei dem die einstellbare Impedanz außerhalb des Chips angeordnet ist.
  20. Verfahren nach Anspruch 17, bei dem die Verstärkungsanpaßschaltung auch eine Gleichspannungsversetzung zur Verfügung stellt, um den spannungsgesteuerten Oszillator vorwärts oder rückwärts vorzubelasten, um so seinen Betriebsbereich zu vergrößern.
DE102004020156A 2003-04-30 2004-04-24 Einfangsbereich-Steuermechanismus für spannungsgesteuerte Oszillatoren Withdrawn DE102004020156A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/425795 2003-04-30
US10/425,795 US6882237B2 (en) 2003-04-30 2003-04-30 Capture range control mechanism for voltage controlled oscillators

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102004020156A1 true DE102004020156A1 (de) 2004-12-02

Family

ID=33159432

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102004020156A Withdrawn DE102004020156A1 (de) 2003-04-30 2004-04-24 Einfangsbereich-Steuermechanismus für spannungsgesteuerte Oszillatoren

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6882237B2 (de)
CN (1) CN1543075A (de)
DE (1) DE102004020156A1 (de)
FR (1) FR2854510A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11196430B2 (en) 2020-02-19 2021-12-07 Honeywell International Inc. High-bandwidth phase lock loop circuit with sideband rejection

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2856216A1 (fr) * 2003-06-10 2004-12-17 France Telecom Dispositif adaptateur d'impedance du canal de transmission haut-debit d'une installation terminale cuivre
US20060119441A1 (en) * 2004-12-08 2006-06-08 Via Technologies, Inc. Phase locked loop damping coefficient correction mechanism
US20060119443A1 (en) * 2004-12-08 2006-06-08 Via Technologies Inc. Damping coefficient variation mechanism in a phase locked loop
US20060119442A1 (en) * 2004-12-08 2006-06-08 Via Technologies, Inc. System and method for optimizing phase locked loop damping coefficient
US7385452B2 (en) * 2005-02-07 2008-06-10 Regents Of The University Of Minnesota Voltage controlled oscillator using capacitive degeneration
JP2006295693A (ja) * 2005-04-13 2006-10-26 Alps Electric Co Ltd 発振回路
US7268630B2 (en) * 2005-04-25 2007-09-11 International Business Machines Corporation Phase-locked loop using continuously auto-tuned inductor-capacitor voltage controlled oscillator
US8106719B2 (en) * 2007-01-23 2012-01-31 Nec Corporation Voltage-controlled oscillator, phase-locked loop circuit and clock data recovery circuit
US8159308B1 (en) 2009-04-20 2012-04-17 Marvell International Ltd. Low power voltage controlled oscillator (VCO)
US8749316B2 (en) * 2009-06-23 2014-06-10 Qualcomm Incorporated Programmable varactor and methods of operation thereof
US8242854B2 (en) * 2009-06-30 2012-08-14 Qualcomm, Incorporated Enhancing device reliability for voltage controlled oscillator (VCO) buffers under high voltage swing conditions
CN102355615B (zh) * 2011-06-10 2014-03-12 无锡市晶源微电子有限公司 音频去加重网络内部集成的方法
US8981862B2 (en) * 2012-09-13 2015-03-17 Qualcomm Incorporated Cancelling supply noise in a voltage controlled oscillator circuit
US9692429B1 (en) 2012-11-15 2017-06-27 Gsi Technology, Inc. Systems and methods involving fast-acquisition lock features associated with phase locked loop circuitry
US9053768B2 (en) 2013-03-14 2015-06-09 Gsi Technology, Inc. Systems and methods of pipelined output latching involving synchronous memory arrays
US9444400B2 (en) 2015-01-09 2016-09-13 Qualcomm Incorporated System and method for dynamically biasing oscillators for optimum phase noise
DE102016110383B4 (de) * 2016-06-06 2020-09-24 Infineon Technologies Ag Ringoszillator mit flacher Frequenzkennlinie
US10777262B1 (en) 2016-12-06 2020-09-15 Gsi Technology, Inc. Read data processing circuits and methods associated memory cells
US10770133B1 (en) 2016-12-06 2020-09-08 Gsi Technology, Inc. Read and write data processing circuits and methods associated with computational memory cells that provides write inhibits and read bit line pre-charge inhibits
US10847213B1 (en) 2016-12-06 2020-11-24 Gsi Technology, Inc. Write data processing circuits and methods associated with computational memory cells
US10860318B2 (en) 2016-12-06 2020-12-08 Gsi Technology, Inc. Computational memory cell and processing array device using memory cells
US10891076B1 (en) 2016-12-06 2021-01-12 Gsi Technology, Inc. Results processing circuits and methods associated with computational memory cells
US10854284B1 (en) 2016-12-06 2020-12-01 Gsi Technology, Inc. Computational memory cell and processing array device with ratioless write port
US10847212B1 (en) 2016-12-06 2020-11-24 Gsi Technology, Inc. Read and write data processing circuits and methods associated with computational memory cells using two read multiplexers
US10998040B2 (en) 2016-12-06 2021-05-04 Gsi Technology, Inc. Computational memory cell and processing array device using the memory cells for XOR and XNOR computations
US10943648B1 (en) 2016-12-06 2021-03-09 Gsi Technology, Inc. Ultra low VDD memory cell with ratioless write port
US11227653B1 (en) 2016-12-06 2022-01-18 Gsi Technology, Inc. Storage array circuits and methods for computational memory cells
US10860320B1 (en) 2016-12-06 2020-12-08 Gsi Technology, Inc. Orthogonal data transposition system and method during data transfers to/from a processing array
US10930341B1 (en) 2019-06-18 2021-02-23 Gsi Technology, Inc. Processing array device that performs one cycle full adder operation and bit line read/write logic features
US10958272B2 (en) 2019-06-18 2021-03-23 Gsi Technology, Inc. Computational memory cell and processing array device using complementary exclusive or memory cells
US10877731B1 (en) 2019-06-18 2020-12-29 Gsi Technology, Inc. Processing array device that performs one cycle full adder operation and bit line read/write logic features
US11451201B1 (en) * 2020-05-19 2022-09-20 Marvell Asia Pte Ltd. Differential diode-based variable impedance modules
CN117081513B (zh) * 2023-10-16 2024-01-30 成都电科星拓科技有限公司 一种压控振荡器增益放大方法与电路、锁相环及时钟芯片

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3697885A (en) * 1970-12-04 1972-10-10 Rca Corp Automatic frequency control circuits
US4494080A (en) * 1981-11-16 1985-01-15 International Business Machines Corporation Voltage-controlled oscillator with independent gain and frequency controls
US4570130A (en) * 1982-10-20 1986-02-11 International Business Machines Corporation Input controller circuit apparatus for phase lock loop voltage controlled oscillator
JP2542097B2 (ja) * 1990-01-16 1996-10-09 パイオニア株式会社 クロック生成用pll回路を含む読取線速度可変型ディスク記録情報再生装置
US5030926A (en) * 1990-07-10 1991-07-09 At&T Bell Laboratories Voltage controlled balanced crystal oscillator circuit
US5272453A (en) * 1992-08-03 1993-12-21 Motorola Inc. Method and apparatus for switching between gain curves of a voltage controlled oscillator
US5650754A (en) * 1995-02-15 1997-07-22 Synergy Microwave Corporation Phase-loched loop circuits and voltage controlled oscillator circuits
US5912595A (en) * 1997-12-16 1999-06-15 Ma; John Y. Digitally temperature compensated voltage-controlled oscillator tunable to different frequency channels
US6137372A (en) * 1998-05-29 2000-10-24 Silicon Laboratories Inc. Method and apparatus for providing coarse and fine tuning control for synthesizing high-frequency signals for wireless communications
US6211745B1 (en) * 1999-05-03 2001-04-03 Silicon Wave, Inc. Method and apparatus for digitally controlling the capacitance of an integrated circuit device using mos-field effect transistors
US6563392B2 (en) * 1999-12-14 2003-05-13 Broadcom Corporation Varactor folding technique for phase noise reduction in electronic oscillators
GB2361122B (en) * 2000-04-07 2002-06-19 Motorola Israel Ltd VCO with low-voltage gain stabilization
EP1189347A1 (de) * 2000-09-15 2002-03-20 Texas Instruments France Elektronisch abgeglichener spannungsgesteuerter Oszillator
US6552618B2 (en) * 2000-12-13 2003-04-22 Agere Systems Inc. VCO gain self-calibration for low voltage phase lock-loop applications
US6466100B2 (en) 2001-01-08 2002-10-15 International Business Machines Corporation Linear voltage controlled oscillator transconductor with gain compensation
US6670861B1 (en) * 2002-08-29 2003-12-30 Analog Devices, Inc. Method of modulation gain calibration and system thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11196430B2 (en) 2020-02-19 2021-12-07 Honeywell International Inc. High-bandwidth phase lock loop circuit with sideband rejection

Also Published As

Publication number Publication date
CN1543075A (zh) 2004-11-03
FR2854510A1 (fr) 2004-11-05
US6882237B2 (en) 2005-04-19
US20040217820A1 (en) 2004-11-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102004020156A1 (de) Einfangsbereich-Steuermechanismus für spannungsgesteuerte Oszillatoren
DE60317669T2 (de) Lc-oszillator mit grossem abstimmbereich und geringem phasenrauschen
DE60220209T2 (de) Phasenregelschleifeverstärkungssteuerung mit Einheitsstromquellen
DE60110686T2 (de) Frequenzsynthesizer
DE102006011285B4 (de) Schwingkreisanordnung mit digitaler Steuerung, Verfahren zur Erzeugung eines Schwingungssignals und digitaler Phasenregelkreis mit der Schwingkreisanordnung
DE19882089B4 (de) Verstärker zur kontinuierlichen schmalbandigen Signalverstärkung mit hohem Verstärkungsfaktor und Verstärkungsverfahren
DE69533913T2 (de) Frequenzsynthesizer
DE19652146B4 (de) Rauscharme Oszillatorschaltung
DE102012105968A1 (de) Oszillatorschaltung
DE69810052T2 (de) Verbesserungen an oder in Bezug auf spannungsgesteuerte Oszillatoren
DE10331572B4 (de) Sigma-Delta-Wandleranordnung
EP0974196B1 (de) Digitale afc-einstellung durch reziproke dds
DE2603641A1 (de) Phasenstarre rueckfuehrschleife, insbesondere fuer einen breitbandsender
EP1391030B1 (de) Spannungsgesteuerte oszillatorschaltung
DE10048590B4 (de) Phasenregelkreis
DE19611610A1 (de) Oszillaotr
DE102005030356A1 (de) Digitaler Phasenregelkreis und Verfahren zur Regelung eines digitalen Phasenregelkreises
DE60314384T2 (de) Filter für eine Phasenregelschleife
DE102004025545B4 (de) CMOS LC-Schwingkreis-Oszillator
EP1586183B1 (de) Oszillatoranordnung für frequenzmodulation
DE60009908T2 (de) Variabler oszillator
DE102005006345A1 (de) PLL-Synthesizer mit verbesserter VCO Vorabstimmung
DE60114733T2 (de) Phasenregelschleife mit verringerter Verriegelungszeit
DE19810822C2 (de) Phasenregelvorrichtung
DE102004059987B4 (de) Spannungsgesteuerte Oszillatorschaltung mit analoger und digitaler Ansteuerung und phasenverriegelte Regelschleife mit einer solchen Oszillatorschaltung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee