DE10138812B4

DE10138812B4 - Duplexervorrichtung

Info

Publication number: DE10138812B4
Application number: DE10138812A
Authority: DE
Inventors: Yasuhide Kawasaki Iwamoto; Osamu Kawasaki Ikata; Nobuo Suzaka Hirasawa; Hidenori Suzaka Fukushima
Original assignee: Fujitsu Ltd; Fujitsu Media Devices Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd; Fujitsu Media Devices Ltd
Priority date: 2001-02-09
Filing date: 2001-08-14
Publication date: 2007-08-09
Anticipated expiration: 2021-08-15
Also published as: CN1169393C; KR100642612B1; US20020109561A1; CN1368831A; US6466103B2; DE10138812A1; JP3532158B2; KR20020066361A; JP2002237739A; SG101984A1

Abstract

Duplexervorrichtung mit zwei Oberflächenakustikwellenfiltern (F1, F2), die Bandmittenfrequenzen haben, die sich voneinander unterscheiden, und einem Leitungsmuster (1) zum Anpassen von Phasen der zwei Oberflächenakustikwellenfilter (F1, F2),
in der vorgesehen sind:
eine Drahtbondinselschicht (5), die eine Vielzahl von Inseln (WP1 bis WP10) hat, wobei Inseln zum Verbinden, des Leitungsmusters (1) mit Anschlüssen (IN, OUT) auf den Oberflächenakustikwellenfiltern (F1, F2) und Inseln zum Verbinden eines Gemeinschaftsanschlusses (T0), der mit einer externen Antenne verbunden ist, mit dem Leitungsmuster (1) vorgesehen sind; und
eine erste Insel (WP5), die eines der Oberflächenakustikwellenfilter (F1, F2) und ein erstes Ende (LP1) des Leitungsmusters (1) verbindet, und eine zweite Insel (WP10), die den Gemeinschaftsanschluß (T0) und ein zweites Ende (LP2) des Leitungsmusters (1) verbindet, an diagonal gegenüber liegenden Positionen innerhalb der Drahtbondinselschicht (5) angeordnet sind.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Duplexervorrichtung, und im besonderen eine Duplexervorrichtung, bei der ein Oberflächenakustikwellenfilter verwendet wird.
In letzter Zeit haben ein Mobiltelefon und ein mobiles Informationsendgerät einhergehend mit der Entwicklung von mobilen Kommunikationssystemen schnell breite Verwendung gefunden, und von ihnen sind kleine Abmessungen und eine hohe Leistung verlangt worden.
Die verwendete Funkfrequenz umfaßt breite Bänder, wie zum Beispiel Bänder von 800 MHz bis 1 GHz und Bänder von 1,5 bis 2,0 GHz.
Die jüngste Entwicklung bei Mobiltelefonen hat Endgeräte hervorgebracht, die eine hohe Funktionalität haben, wie zum Beispiel einen dualen Modus (z. B. eine Kombination aus einem analogen Modus und einem digitalen Modus oder eine Kombination aus digitalen Modi, d. h., aus einem TDMA-(time division multiple access)-Modus und einem CDMA-(code division multiple access)-Modus) und ein duales Band (z. B. eine Kombination aus einem 800-MHz-Band und einem 1,9-GHz-Band oder eine Kombination aus einem 900-MHz-Band und einem 1,8-GHz-Band oder einem 1,5-GHz-Band).
Einhergehend mit dem Trend wird auch von Teilen, die in einem Mobiltelefon verwendet werden (wie z. B. ein Filter) eine hohe Funktionalität verlangt. Zusätzlich zu dem Wunsch nach einer hohen Funktionalität werden ferner kleine Abmessungen und niedrige Produktionskosten erwartet.
Bei der mobilen Kommunikationsvorrichtung wird ein Antennenduplexer in einer RF-Sektion genutzt, der Signale verzweigt und erzeugt, die über die Antenne gesendet und empfangen werden,.
36 ist ein Blockdiagramm, das eine Funkfrequenzsektion eines herkömmlicherweise verwendeten Mobiltelefons zeigt.
Eingaben eines Audiosignals 100 von einem Mikrofon werden durch einen Modulator 101 in ein moduliertes Signal des Modulationssystems des mobilen Telefonsystems konvertiert und dann durch einen Lokaloszillator 108 in eine bezeichnete Trägerfrequenz konvertiert. Danach durchläuft das Signal ein Zwischenfilter 102, das nur ein Signal mit der vorgeschriebenen Sendefrequenz selektiert, und dann wird es durch einen Leistungsverstärker 103 auf eine gewünschte Signalintensität verstärkt und zu einem Antennenduplexer 105 gesendet. Der Antennenduplexer 105 sendet nur die Signale mit der bezeichneten Sendefrequenz zu einer Antenne 104, und die Antenne 104 sendet das Signal als Funksignal in die Atmosphäre.
Andererseits wird ein Signal, das durch die Antenne 104 empfangen wird, zu dem Antennenduplexer 105 gesendet, um nur ein Signal mit einer bezeichneten Frequenz zu selektieren. Das selektierte Signal wird durch einen rauscharmen Verstärker 106 verstärkt und durch ein Zwischenfilter 107 zu einem ZF-Filter 110 gesendet, und durch das ZF-Filter 110 wird nur ein Nachrichtensignal selektiert. Das Signal wird zu einem Demodulator 111 gesendet und als Audiosignal 100 ausgegeben. Der Antennenduplexer 105 ist zwischen der Antenne 104 und der sogenannten Audiosignalverarbeitungsschaltung angeordnet und die Funktion, das Sendesignal und das Empfangssignal zu trennen, um eine Interferenz zwischen ihnen zu verhindern.
Der Antennenduplexer hat unbedingt wenigstens ein Sendefilter und ein Empfangsfilter, und um eine Interferenz des Sendesignals und des Empfangssignals zu verhindern, hat er ferner eine Anpassungsschaltung, die auch als Phasenanpassungsschaltung oder als Leitungsmuster zur Phasenanpassung bezeichnet wird.
Der Antennenduplexer für ein hochfunktionelles Endgerät enthält einen komplexen Duplexer mit dielektrischem Material oder ein Oberflächenakustikwellenfilter unter Verwendung von dielektrischem Material auf wenigstens einem Teil und eine Anordnung, die nur ein Oberflächenakustikwellenfilter enthält. Ein Duplexer, bei dem dielektrisches Material verwendet wird, ist groß, und es ist schwierig, mit ihm ein kleines und dünnes mobiles Endgerät herzustellen.
Selbst wenn ein Oberflächenakustikwellenduplexer auf einem Teil verwendet wird, verhindert die Größe der Vorrichtung aus dem dielektrischen Material das Bilden eines kleinen und dünnen mobilen Endgerätes.
Ein herkömmlicher Duplexer, bei dem ein Oberflächenakustikwellenfilter verwendet wird, enthält einen Modultyp, der eine gedruckte Schaltungsplatte umfaßt, auf der separate Filter und eine Anpassungsschaltung angeordnet sind, und einen einteiligen Typ mit Filterchips zum Senden und Empfangen, die in eine mehrschichtige Keramikpackung montiert sind, und einer Anpassungsschaltung, die innerhalb der Packung vorgesehen ist.
Der Duplexer dieser Typen kann im Vergleich zu dem Duplexer, bei dem dielektrisches Material verwendet wird, im Volumen um ein Verhältnis von etwa 1/3 bis zu 1/15 und in der Höhe um ein Verhältnis von etwa 1/2 bis zu 1/3 kleiner sein. Die Kosten des Duplexers können jenen der Vorrichtung aus dem dielektrischen Material äquivalent sein, indem die Oberflächenakustikwellenvorrichtung verwendet wird und die Größe der Vorrichtung reduziert wird.
Um dem Wunsch nach einer weiteren Größenreduzierung nachkom men zu können, der sich in Zukunft herausbilden wird, ist es erforderlich, die Struktur zu verwenden, bei der eine mehrschichtige Keramikpackung eingesetzt wird und die in der japanischen ungeprüften Patentveröffentlichung Nr. Hei 10(1998)-126213 beschrieben ist, und ferner ist es erforderlich, zwei Filter auf einem Chip zu bilden und eine Flip-Chip-Montagetechnik anzuwenden, bei der keine Drahtverbindung verwendet wird. Auf jeden Fall sind zwei Komponenten, d. h., eine Duplexerpackung, die luftdicht verschlossen werden kann und zwei Oberflächenakustikwellenfilter enthält, und eine Anpassungsschaltung zum Bilden des Duplexers mit den zwei Filtern notwendig.
Die Anpassungsschaltung wird gebildet, indem ein Leitungsmuster mit einer vorgeschriebenen Länge in einer Schicht in einer Packung angeordnet wird, die eine mehrschichtige Struktur hat.
Um den von einem Duplexer verlangten Charakteristiken zu entsprechen und dem Wunsch nach Größenreduzierung der Duplexerpackung gerecht zu werden, wird unbedingt die Anordnung des Leitungsmusters der Anpassungsschaltung beachtet. Besonders in dem Fall, wenn das Leitungsmuster und Außenverbindungsanschlüsse (Drahtbondinseln) einer Duplexerpackung dicht angeordnet sind, ist das Problem vorhanden, daß keine ausreichende Isolierung gewährleistet werden kann, und die Depressions- oder Niederdrückungscharakteristiken außerhalb der Durchlaßbänder der zwei Oberflächenakustikwellenfilter, die den Duplexer bilden, werden verschlechtert.

Aus der nachveröffentlichten EP 1 292 025 A1 ist eine Multi-Frequenz-Duplexervorrichtung bekannt, bei der jedoch die Anschlußinseln 18e, 18g, 18f und 18h nicht an weit voneinander entfernten Positionen angeordnet sind; keine dieser Anschlußinseln ist auf dem Endpunkt einer Diagonalen angeordnet.

Aus der US 5 554 960 ist ein Abzweigfilter einer Funkkommunikationseinrichtung bekannt, bei der die beiden Anschlußinseln 24 und 25, s. z.B. 1(b), an derselben Längsseite des Substrats angeordnet sind.

Es ist Aufgabe der Erfindung eine Duplexervorrichtung anzugeben, in der eine ausreichende Isolierung zwischen einem Leitungsmuster einer Anpassungsschaltung und Signalanschlüssen einer Duplexerpackung gewährleistet wird, um die Charakteristiken des Duplexers zu stabilisieren.

Diese Aufgabe ist mit dem Gegenstand des Anspruchs 1 oder 3 gelöst. Die Unteransprüche geben Ausführungsarten der Erfindung an.

Damit kann eine Duplexervorrichtung mit kleinen Abmessungen vorgesehen werden, wodurch die Niederdrückungscharakteristiken des Gegenstücks stabilisiert werden.

Bei einer ersten Ausführungsart der Erfindung hat die Drahtbondinselschicht einen rechteckigen Raum im wesentlichen in ihrer Mitte, in dem die zwei Oberflächenakustikwellenfilter montiert sind, und dieser rechteckige Raum ist von den vielen Inseln umgeben, wobei die erste Insel und die zweite Insel an diagonalen Ecken angeordnet sind, während der rechteckige Raum zwischen ihnen liegt.

Es ist auch möglich, daß der Gemeinschaftsanschluß in der Außenverbindungsanschlußschicht gebildet ist und eine Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitung zum Verbinden der zweiten Insel und des Gemeinschaftsanschlusses in einer Schicht gebildet ist, die sich von der Leitungsmusterschicht unterscheidet.

Im besonderen kann die Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitung in der Drahtbondinselschicht und in einer Schicht unter der Leitungsmusterschicht gebildet sein. Gemäß der Konfiguration kann die Isolierung zwischen dem Leitungsmuster und dem Außenverbindungsanschluß verbessert werden.

Eine gemeinsame Erdschicht, in der ein Erdmuster gebildet ist, kann zwischen der Schicht, in der die Gemein schaftsanschlußverbindungsleitung gebildet ist, und der Leitungsmusterschicht vorgesehen sein.

Unter dem Gesichtspunkt der Verhinderung von Einflüssen eines externen Rauschens können Seitenoberflächen der obigen Schichten mit der Erdschicht bedeckt sein.

Es ist auch möglich, eine Chipmontageschicht zum Montieren der Oberflächenakustikwellenfilter unter der Drahtbondinselschicht, aber über der Leitungsmusterschicht vorzusehen, ein Chipmontagemuster zum Verbinden der Oberflächenakustikwellenfilter mit der Erde ein Form von zwei oder mehr Teilmustern der Chipmontageschicht zu bilden und die Chipmontageteilmuster mit den Oberflächenakustikwellenfiltern durch eine Paste zu kontaktieren.

Es ist vorzuziehen, die vielen Inseln, die auf der Drahtbondinselschicht gebildet sind, so zu bilden, daß sie einen vorbestimmten Abstand voneinander haben.

Um gute Frequenzcharakteristiken des Duplexers zu erhalten, beträgt der vorbestimmte Abstand vorzugsweise 0,3 mm oder mehr, und er ist kleiner als der rechteckige Raum zum Montieren der Oberflächenakustikwellenfilter sein.

Der Abstand dS kann der Beziehung 1,075 mm ≤ dS in einer Duplexervorrichtung mit einer Größe von 5 mm (Breite) × 5 mm (Länge) × 1,5 mm (Höhe) genügen, um gute Niederdrükkungscharakteristiken zu erhalten.

1 ist ein schematisches Blockdiagramm des Duplexers gemäß der Erfindung.

2 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Ausführungsform des Duplexers gemäß der Erfindung.

3 ist ein Graph, der Frequenzcharakteristiken von zwei SAW-Filtern zeigt, die in dem Duplexer gemäß der Erfindung verwendet werden.

4 ist eine schematische Querschnittsansicht, die eine Querschnittsstruktur einer Ausführungsform der Duplexervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt.

5 ist eine Flächenansicht, die eine Flächenstruktur einer Drahtbondinselschicht der Duplexervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt.

6 ist eine Flächenansicht, die eine Flächenstruktur einer Leitungsmusterschicht der Duplexervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt.

7 ist ein schematisches Schaltungsdiagramm, das den Duplexer gemäß der Erfindung zeigt, bei dem SAW-Filter des Abzweigtyps verwendet werden.

8 ist eine Flächenansicht, die eine Flächenstruktur einer Drahtbondinselschicht einer Duplexervorrichtung zeigt, die nicht bei der Erfindung verwendet wird.

9 ist eine Flächenansicht, die eine Flächenstruktur einer Leitungsmusterschicht zeigt, die 8 entspricht.

10 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen dem Mindestabstand dS und der Isolierung (dB) in einer leeren Packung bei der Erfindung zeigt.

11 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen dem Abstand d zu dem Leitungsmuster und der Isolierung (dB) in einer leeren Packung bei der Erfindung zeigt.

12 ist ein erläuterndes Diagramm, das den Abstand d in einer Ausführungsform der Flächenstruktur der Leitungsmusterschicht der Duplexervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt.

13 ist ein Graph, der Frequenzcharakteristiken einer Ausführungsform einer herkömmlichen Duplexervorrichtung zeigt.

14 ist eine schematische Flächenansicht einer Flächenstruktür eines Leitungsmusters der herkömmlichen Duplexervorrichtung, die in 13 gezeigt ist.

15 ist ein Graph, der Frequenzcharakteristiken einer Duplexervorrichtung in dem Fall zeigt, wenn eine Insel, die mit einem Leitungsmuster verbunden ist, nicht auf optimale Weise angeordnet ist.

16 ist eine Flächenansicht, die eine Flächenstruktur einer Leitungsmusterschicht in dem Fall zeigt, wenn eine Insel, die mit einem Leitungsmuster verbunden ist, nicht auf optimale Weise angeordnet ist.

17 ist ein Graph, der Frequenzcharakteristiken einer Ausführungsform der Duplexervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt.

18 ist eine Flächenansicht, die eine Flächenstruktur einer Ausführungsform der Leitungsmusterschicht gemäß der Erfindung zeigt.

19 ist ein Graph, der Frequenzcharakteristiken einer Ausführungsform der Duplexervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt.

20 ist eine Flächenansicht, die eine Flächenstruktur einer Ausführungsform der Leitungsmusterschicht gemäß der Erfindung zeigt.

21 ist eine schematische Querschnittsansicht, die eine Querschnittsstruktur einer Ausführungsform der Duplexervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt.

22(a), 22(b) und 22(c) sind Flächenansichten, die Flächenstrukturen von jeweiligen Schichten der Duplexervorrichtung gemäß der Erfindung zeigen, die in 21 dargestellt ist.

23 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen dem Mindestabstand dS und der Isolierung (dB) in einer leeren Packung bei der Erfindung zeigt.

24 ist eine schematische Querschnittsansicht, die eine Querschnittsstruktur einer Ausführungsform der Duplexervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt.

25(a), 25(b) und 25(c) sind Flächenansichten, die Flächenstrukturen von jeweiligen Schichten der Duplexervorrichtung gemäß der Erfindung zeigen, die in 24 dargestellt ist.

26 ist eine Flächenansicht, die eine Flächenstruktur zeigt, bei der ein Leitungsmuster und eine Gemeinschaftsanschlußleitung auf derselben Schicht (Leitungsmusterschicht) gebildet sind.

27 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen dem Mindestabstand dS und der Isolierung (dB) in einer leeren Packung bei der Erfindung zeigt.

28 ist eine schematische Querschnittsansicht, die eine Querschnittsstruktur einer Ausführungsform der Duplexervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt.

29(a) und 29(b) sind Flächenansichten, die Flächenstrukturen einer Chipmontageschicht einer herkömmlichen Duplexervorrichtung zeigen.

30(a) und 30(b) sind Flächenansichten, die Flächenstrukturen einer Chipmontageschicht der Duplexervorrichtung gemäß der Erfindung zeigen.

31 ist ein Graph, der einen Widerstandswert eines Leitungsmusters in der Chipmontageschicht zeigt.

32(a), 32(b) und 32(c) sind Flächenansichten, die Ausführungsformen der Drahtbondinselschicht gemäß der Erfindung zeigen.

33(a) und 33(b) sind Flächenansichten, die Ausführungsformen der Drahtbondinselschicht gemäß der Erfindung zeigen.

34(a), 34(b), 34(c) und 34(d) sind Flächenansichten, die Ausführungsformen der Drahtbondinselschicht gemäß der Erfindung zeigen.

35(a), 35(b), 35(c) und 35(d) sind Flächenansichten, die Ausführungsformen der Drahtbondinselschicht gemäß der Erfindung zeigen.

36 ist ein Anordnungsblockdiagramm, das eine Funkfrequenzsektion eines herkömmlichen Mobiltelefons zeigt.

Die Erfindung wird unter Bezugnahme auf Ausführungsformen, die durch die Zeichnungen dargestellt sind, eingehender beschrieben, aber die Erfindung soll nicht als darauf begrenzt aufgefaßt werden.

1 ist ein schematisches Blockdiagramm des Duplexers gemäß der Erfindung.
Der Duplexer umfaßt zwei SAW-Filter 2 (F1) und 3 (F2) und eine Anpassungsschaltung 1 und hat ferner einen Gemeinschaftsanschluß T0, der mit einer Antenne verbunden ist, und Außenverbindungsanschlüsse T1 und T2 zur Eingabe und Ausgabe, die mit einer externen Schaltung verbunden sind.
Ein Oberflächenakustikwellenfilter (nachfolgend als SAW-(surface acoustic wave)-Filter bezeichnet), das Oberflächenakustikwellenresonatoren kombiniert, wird für die Filter F1 und F2 unter dem Gesichtspunkt der Miniaturisierung und der geforderten Leistung verwendet.
Die Anpassungsschaltung 1 ist zwischen dem Gemeinschaftsanschluß T0 und den SAW-Filtern vorgesehen, um dadurch die Interferenz zwischen den zwei SAW-Filtern zu reduzieren, um die gewünschten Filtercharakteristiken zu erhalten. Während die Anpassungsschaltung 1 zwischen dem Gemeinschaftsanschluß T0 und dem Filter F1 bzw. zwischen dem Gemeinschaftsanschluß T0 und dem Filter F2 vorgesehen sein kann, ist es unter dem Gesichtspunkt der Miniaturisierung zu bevorzugen, wenn nur eine Anpassungsschaltung zwischen dem Gemeinschaftsanschluß T0 und einem der Filter vorgesehen wird. In der folgenden Beschreibung dient der Fall als Beispiel, bei dem die Anpassungsschaltung zwischen dem Gemeinschaftsanschluß T0 und dem Filter F2 vorgesehen ist.
2 ist einschematisches Blockdiagramm einer Ausführungsform des Duplexers gemäß der Erfindung, wobei die Anpassungsschaltung 1 zwischen dem Gemeinschaftsanschluß T0 und dem Filter F2 vorgesehen ist.
Die Bezugszeichen, die mit FP beginnen, bezeichnen, wie später beschrieben, Verdrahtungsinseln auf der Seitenoberfläche der Packung (Fußinseln), die Bezugszeichen, die mit WP beginnen, bezeichnen Drahtbondinseln in der Drahtbondinselschicht (Drahtinseln, nachhfolgend manchmal einfach als Inseln bezeichnet), und die Bezugszeichen IN und OUT bezeichnen Verbindungsanschlüsse, die auf den Filterchips 2 bzw. 3 angeordnet sind.
Die Anpassungsschaltung 1 ist im allgemeinen mit einem wolfram- oder kupferhaltigen Material als Hauptkomponente in der Form einer langen Leitung gebildet, die eine vorgeschriebene Länge hat. Die Anpassungsschaltung 1 hat eine Breite von etwa 0,1 bis 0,2 mm und eine Leitungslänge von ungefähr mehreren zehn mm, und die Leitungslänge wird durch die Beziehung zu der Mittenfrequenz des geforderten SAW-Filters bestimmt. In den folgenden Ausführungsformen wird das Anpassungsmuster 1 als Leitungsmuster bezeichnet, das zwei Enden hat, und ein Ende des Leitungsmusters (erstes Ende) wird als LP1 bezeichnet, während das andere Ende (zweites Ende) als LP2 bezeichnet wird.
3 ist ein Graph, der die Frequenzcharakteristiken der zwei SAW-Filter F1 und F2 zeigt, die in dem Duplexer gemäß der Erfindung verwendet werden. Die SAW-Filter F1 und F2 haben Bandmittenfrequenzen, die sich voneinander unterscheiden (F1 < F2), und ihre Herstellung kann zum Beispiel so erfolgen, daß die Bandmittenfrequenz des SAW-Filters F1 836 MHz beträgt und die Bandmittenfrequenz des SAW-Filters F2 881 MHz beträgt.
4 ist eine schematische Querschnittsansicht, die eine Querschnittsstruktur von einer Ausführungsform der Duplexerpackung mit den SAW-Filtern gemäß der Erfindung zeigt. In dieser Ausführungsform hat die Duplexerpackung eine mehrschichtige Struktur, die fünf Schichten (L1 bis L5) umfaßt. Während der Anzahl von Schichten, die die mehrschichtige Struktur bilden, keine besonderen Grenzen gesetzt sind, ist es unter dem Gesichtspunkt der Höhenreduzierung von Vorteil, wenn die Anzahl von Schichten kleiner ist. Aluminiumoxid oder Glaskeramik mit einer Dielektrizitätskonstante ε von etwa 9,5 wird als Material verwendet, das die jeweiligen Schichten (Schichten L1 bis L5) bildet.
Das Leitungsmuster 1 der Anpassungsschaltung und das Erdmuster 13 sind zwischen den Schichten gebildet.
In 4 wird die obere Oberfläche der Schicht L1 als Kappenmontageschicht 4 bezeichnet, wird die Oberfläche der Schicht L2 zwischen der Schicht L1 und der Schicht L2 als Drahtbondinselschicht 5 bezeichnet, wird die Oberfläche der Schicht L3 zwischen der Schicht L2 und der Schicht L3 als Chipmontageschicht 6 bezeichnet, wird die Oberfläche der Schicht L4 zwischen der Schicht L3 und der Schicht L4 als Leitungsmusterschicht 7 bezeichnet, wird die Oberfläche der Schicht L5 zwischen der Schicht L4 und der Schicht L5 als gemeinsame Erdschicht 8 bezeichnet und wird die untere Oberfläche der Schicht L5 als Fußmusterschicht 9 bezeichnet.
Eine Seitenkronierung 10 ist bedeckt einen Teil der oberen Oberfläche der Schicht L1, einen Teil der unteren Oberfläche der Schicht L5 und die Seitenoberflächen der jeweiligen Schichten. Die Seitenkronierung verhindert das Eindringen eines externen Rauschens in das Innere des Filters.
Das Leitungsmuster 1 und die SAW-Filter sind mit dem Gemeinschaftsanschluß T0 und den Außenverbindungsanschlüssen T1 und T2 durch die Seitenkronierung 10 verbunden.
Eine Kappe 12 zum Schützen der Filter 2 und 3 im Inneren ist auf der Schicht L1, die die oberste Schicht bildet, angeordnet. Die Kappe 12 wird mit einem metallischen Material wie etwa mit einer Au-Plattierung und Ni-Plattierung hergestellt, oder mit einem keramischen Material, das der Packung ähnlich ist.
Die Schicht L1 fungiert als Rahmen zum Montieren der Kappe 12.
Die Oberfläche der Schicht L2 ist eine Schicht zum Verbinden der Anschlüsse auf den SAW-Filtern 2 und 3 mit der Duplexerpackung, und auf ihr sind sogenannte Drahtbondinseln angeordnet. Die Inseln (Anschlüsse), die auf der Oberfläche der Drahtbondinselschicht 5 vorgesehen sind (die den Inseln WP3, WP5, WP8 und WP10 in 2 entsprechen), sind mit den Anschlüssen (IN und OUT) auf den SAW-Filtern durch einen Draht 11 verbunden.
Die Anschlüsse und die Zwischenverbindungsmuster auf der Oberfläche der Schicht L2 werden gebildet, indem die Oberfläche eines elektrisch leitfähigen Materials wie etwa Wolfram, Cu und Ag einer Au-Plattierungsbehandlung unterzogen wird. Der Draht 11 kann mit einem geeigneten Material wie z. B. Al-Si gebildet werden.
Die Filterchips 2 und 3 werden auf der Oberfläche der Schicht L3 (Chipmontageschicht 6) durch Adhäsion mit einem Chipmontagemuster 14 und einer Paste 15 (elektrisch leitfähig oder nicht elektrisch leitfähig) angeordnet.
Das Leitungsmuster 1 der Anpassungsschaltung ist auf der Oberfläche der Schicht L4 (Leitungsmusterschicht 7) gebildet. Während das Leitungsmuster 1 in 4 durch acht Rechtecke dargestellt ist, ist es eigentlich eine kontinuierliche Leitung.
Das Leitungsmuster ist auf der Leitungsmusterschicht 7 als elektrisch leitfähiges Muster mit einer Gesamtlänge von etwa λ/4 und einer Breite von etwa 80 bis 120 μm auf der gesamten Länge gebildet. Das Leitungsmuster ist auf einer Schicht über der gemeinsamen Erdschicht 8 gebildet. Es kann auf der Schicht direkt auf der gemeinsamen Erdschicht 8 gebildet sein, oder es kann in geteilter Form auf den vielen Schichten über der gemeinsamen Erdschicht gebildet sein.
Die gemeinsame Erdschicht 8 ist mit einem Erdmuster 13 zur Abschirmung gebildet, die Mustersektion der Seitenkronierung 10 auf der Seitenoberfläche für das Signal ausgenommen.
Das gemeinsame Erdmuster 13 kann ähnlich wie das Leitungsmuster 1 mit Wolfram oder Kupfer gebildet sein.
Die Materialien, die für das gemeinsame Erdmuster und das Leitungsmuster verwendet werden, werden unbedingt unter Berücksichtigung der Backtemperatur des Packungsmaterials ausgewählt.
Falls Aluminiumoxid als Packungsmaterial verwendet wird, wird vorzugsweise Wolfram verwendet, da die Backtemperatur von Aluminiumoxid etwa 1600 °C beträgt.
Falls Glaskeramik als Packungsmaterial verwendet wird, wird andererseits vorzugsweise Kupfer verwendet, da dessen Backtemperatur etwa 950 °C beträgt. Da Kupfer einen niedrigeren Widerstand als Wolfram hat, wird der Einfügungsverlust (Übertragungsintensität) zwischen den Frequenzcharakteristiken des Duplexers zufriedenstellend.
Der exponierte Teil des Erdmusters 13 und dergleichen werden vorzugsweise einer Oxidationsverhinderungsbehandlung unterzogen, und deshalb können Filme aus Nickel und Gold in dieser Reihenfolge auf Kupfer gebildet werden. Nickel wird hierbei verwendet, um das Adhäsionsvermögen zwischen Kupfer und Gold zu verbessern.
Der Gemeinschaftsanschluß T0 und die Außenverbindungsanschlüsse T1 und T2 sind auf der Außenverbindungsanschlußschicht (Fußmusterschicht) 9 vorgesehen. Diese Anschlüsse T0, T1 und T2 sind mit den jeweiligen Anschlüssen FP5, FP8 und FP2, die in 2 gezeigt sind, durch die Seitenkronierung 10 verbunden.
5 ist eine Flächenansicht von oben, die die Duplexerpackung dieser Ausführungsform der Erfindung zeigt.
5 ist solch eine Flächenansicht, bei der die Kappe 12 von der in 4 gezeigten Querschnittsansicht entfernt wurde, und sie dient haptsächlich zum Darstellen der Flächenstruktur der Drahtbondinselschicht 5. Die Figur zeigt den Zustand, bei dem die zwei Oberflächenakustikwellenfilterchips F1 und F2, die in Form von einer Packung gebildet sind, in dem Hohlraum im wesentlichen in der Mitte angeordnet sind.
Das heißt, die Drahtbondinselschicht 5 hat im wesentlichen in der Mitte einen rechteckiger Raum zum Montieren der SAW-Filter. Die Inseln sind so angeordnet, um den rechteckigen Raum zu umgeben. Zwar sind zehn Inseln (WP1 bis WP10) in 5 gezeigt jedoch, ist die Anzahl von Inseln nicht auf diesen Wert beschränkt.
In 5 haben die Anschlüsse, die mit den Bezugszeichen gekennzeichnet sind, die mit FP beginnen, die Anschlüsse, die mit den Bezugszeichen gekennzeichnet sind, die mit WP beginnen, und OUT und IN der Filterchips dieselbe Bedeutung wie in den Bildungsblöcken, die in 2 gezeigt sind.
6 ist eine Flächenansicht, die eine Ausführungsform der Musterform des Leitungsmusters 1 zeigt, das auf der Leitungsmusterschicht 7 gebildet ist.
Das Ende LP1 des Leitungsmusters 1 und die Insel WP5 in 5 sind durch ein Durchgangsloch, das die Schichten (die Schicht L2 und die Schicht L3) durchdringt, elektrisch verbunden, und das Ende LP2 und die Insel WP10 in 5 sind durch ein Durchgangsloch, das die Schichten (die Schicht L2 und die Schicht L3) durchdringt, elektrisch verbunden.
Der Ausdruck "elektrisch verbunden" wird nun beschrieben. Zum Beispiel ist der Außenverbindungsanschluß T1, der in 2 gezeigt ist, auf der Fußmusterschicht 9 angeordnet, und er ist mit dem in 2 und 5 auf der Drahtbondinselschicht 5 gezeigten Anschluß FP8 durch die Seitenkronierung 10 verbunden und ferner mit der Drahtbondinsel WP8 durch ein Zwischenverbindungsmuster verbunden.
Die Insel WP8 und der Anschluß IN auf dem Oberflächenakustikwellenfilterchip F1 sind durch den Draht 11 verbunden.
Ähnlich ist der Anschluß T2 in 2 mit dem Anschluß FP2 in 5 durch die Seitenkronierung 10 verbunden und ferner mit der Insel WP3 durch ein Zwischenverbindungsmuster verbunden, um mit dem Anschluß OUT auf dem Oberflächenakustikwellenfilter F2 verbunden zu werden.
Der Gemeinschaftsanschluß T0 ist mit dem Anschluß FP5 auf der Drahtbondinselschicht 5 durch die Seitenkronierung 10 verbunden und ferner mit der Insel WP5 durch eine Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitung 20 verbunden, um diesen mit dem Anschluß OUT auf dem Oberflächenakustikwellenfilter F1 zu verbinden.
Bei der Duplexerpackung gemäß der Erfindung, die solch einen Aufbau hat, können sich ihre Außenabmessungen auf 5,0 (Breite) × 5,0-(Länge) × 1,5 mm (Höhe) im Falle eines Duplexers für das 800-MHz-Band belaufen.
Da die Größe der Duplexerpackung, die in einem Mobiltelefon herkömmlicherweise verwendet worden ist, etwa 9,5 (Breite) × 7,5 (Länge) × 2,1 (Höhe) beträgt, kann bei der Duplexerpackung der Erfindung eine Miniaturisierung von ungefähr 25 % realisiert werden.
Die Größe eines Duplexers für ein 1,9-GHz-Band kann auf etwa 3,8 (Breite) × 3,8 (Länge) × 1,5 (Höhe) reduziert werden, was etwa 14 % der Größe der herkömmlichen Duplexerpackung entspricht. Bei den folgenden Beispielen wird der Aufbau einer Duplexerpackung beschrieben, die eine miniaturisierte Größe von 5,0 × 5,0 × 1,5 mm hat, wenn nicht anders angegeben.
Die Oberflächenakustikwellenfilterchips 2 und 3 haben jeweils eine Konstruktion des Abzweigtyps, bei der one-port (Zweipol)-Oberflächenakustikwellenresonatoren in einer Abzweigform verbunden sind (siehe 7), und das Material für das Substrat ist LiTaO₃ (zum Beispiel 42°-Y-Rot.-X-Ausbreitung). Das Elektrodenmaterial ist eine Legierung, die A1 als Hauptkomponente enthält (wie z. B. Al-Cu und Al-Mg), oder ein mehrschichtiger Film daraus (wie etwa Al-Cu/Cu/Al-Cu, Al/Cu/Al, Al/Mg/Al und Al-Mg/Mg/Al-Mg), der durch Sputtern gebildet und durch Belichtung und Ätzen gemustert wird.
Die räumliche Anordnung des Leitungsmusters 1 zu den Drahtbondinseln und den Anschlüssen, die auf der Drahtbondschicht 5 angeordnet sind, die eines der charakteristischen Merkmale der Erfindung ist, wird nun beschrieben.
In einer Ausführungsform der Erfindung, die in 5 gezeigt ist, sind die Inseln in der Drahtbondinselschicht 5, die mit den beiden Enden (LP1 und LP2) des Leitungsmusters 1 verbunden sind (nachfolgend als Anpassungsinseln bezeichnet), WP5 und WP10, und die beiden Anpassungsinseln sind an den am weitesten voneinander entfernten diagonalen Ecken angeordnet, wobei der rechteckige Raum zum Montieren der Filterchips zwischen ihnen liegt.
Mit anderen Worten, die Anpassungsinseln WP5 und WP10 sind an den Positionen gebildet, die von den Inseln, die auf der Drahtbondinselschicht 5 angeordnet sind, am weitesten voneinander entfernt sind. Die Anpassungsinseln WP5 und WP10 sind jeweilig unmittelbar über den Enden LP1 und LP2 des Leitungsmusters 1 angeordnet, um die Anpassungsinseln und die Enden des Leitungsmusters durch die Durchgangslöcher elektrisch zu verbinden. Die Insel WP5 ist mit dem Ende LP1 verbunden, und die Insel WP10 ist mit dem Ende LP2 verbunden.
In 6 beträgt die Gesamtlänge des Leitungsmusters dieser Ausführungsform der Erfindung etwa λ/4 (λ = C/f_o, C = Co/√ε , C_o = 3 × 10⁸ m/s). Die Gesamtlänge des Leitungsmusters wird durch die Mittenfrequenz f_o des Durchlaßbandes des Filters und den Wert der charakteristischen Impedanz des Musters bestimmt.
Der Mindestabstand dS1 zwischen dem Leitungsmuster und dem Anschluß (FP8 in 6), der mit dem Außenverbindungsanschluß T1 auf der Seite des Oberflächenakustikwellenfilters F1 verbunden ist, in der Ausführungsform der Erfindung, die in 6 gezeigt ist, wird nun beschrieben. Bei der Anordnung des Leitungsmusters 1, das in 6 gezeigt ist, stellt der Abstand zwischen FP8 und der Faltecke den Mindestabstand dS1 dar.
Ähnlich bildet der Mindestabstand dS2 zwischen dem Leitungsmuster und dem Anschluß (FP2 in 6), der mit dem Außenverbindungsanschluß T2 auf der Seite des Oberflächenakustikwellenfilters F2 verbunden ist, den Abstand von FP2 zu der Faltecke, die in 6 gezeigt ist. Während im allgemeinen gilt, daß dS1 ≠ dS2 ist, ist es in dieser Aus führungsform zum Beispiel möglich, daß dS1 = dS2 = etwa 1,1 mm ist. Nachfolgend werden die zwei Mindestabstände dS1 und dS2 durch dS dargestellt.
Mit anderen Worten, der Abstand dS ist als Mindestabstand definiert, der der Abstand zwischen dem Punkt FP8, an dem der Weg, der die Außenverbindungsanschlüsse T1 und T2 auf der Fußmusterschicht 9 mit den Anschlüssen IN und OUT auf den SAW-Filtern verbindet, die Leitungsmusterschicht 7 kreuzt, und einem beliebigen Punkt auf dem Leitungsmuster 1 ist.
Zum Vergleich sind eine Anordnung von Inseln und ein Leitungsmuster, die bei der Erfindung nicht verwendet werden, in 8 und 9 gezeigt.
8 zeigt die Anordnung der Inseln auf der Drahtbondschicht, wobei die Anpassungsinseln, die mit den Enden LP1 und LP2 des Leitungsmusters 1 verbunden sind, an den Positionen von WP9 und WP4 auf der Innenseite von WP10 und WP5 angeordnet sind.
Wenn das Leitungsmuster 1 in der in 9 gezeigten Form angeordnet ist, sind die Mindestabstände dS1 und dS2 von den Anschlüssen FP8 und FP2 zu dem Leitungsmuster diejenigen, die in der Figur gezeigt sind.
Die Gesamtlänge des Leitungsmusters 1 ist hierbei dieselbe wie die in 6 gezeigte. In diesem Fall sind die Mindestabstände zum Beispiel dS1 = dS2 = etwa 0,5 mm. Deshalb versteht sich, daß beide Mindestabstände dS1 und dS2 des Leitungsmusters der Erfindung, die in 6 gezeigt sind, größer als jene des Leitungsmusters von 9 sein können, das nicht in der Erfindung enthalten ist. Die Abstände dS1 und dS2 sind vorzugsweise so lang wie möglich, wie später beschrieben, um eine ausreichende Isolierung zu erhalten, damit gute Niederdrückungscharakteristiken bei den Frequenzcharakteristiken des Duplexers realisiert werden.
In dem in 5 gezeigten Fall kann die Leitung 20, die die Insel WP5 mit dem Verbindungsanschluß FP5 für den Gemeinschaftsanschluß T0 verbindet, kürzer als die in 8 gezeigte Leitung 20 sein.
Es ist bekannt gewesen, daß die Niederdrückungscharakteristiken des Duplexers verschlechtert werden, wenn die Isolierung zwischen den Außenverbindungsanschlüssen T1 und T2 und dem Leitungsmuster 1 schlecht ist. Wenn der Abstand von ihnen zu kurz ist, wird die Isolierung verschlechtert, reicht zum Erfüllen der gewünschten Niederdrückungscharakteristiken nicht aus.
Um gewünschte, gute Niederdrückungscharakteristiken des Duplexers zu erhalten, wird es deshalb bevorzugt, den Abstand von den Außenverbindungsanschlüssen T1 und T2 und den Anschlüssen FP8 und FP2, die mit den Anschlüssen T1 und T2 verbunden sind, zu einem beliebigen Punkt des Leitungsmusters 1 so groß wie möglich zu bilden. Mit anderen Worten, die Isolierung zwischen den Außenverbindungsanschlüssen T1 und T2 und dem Leitungsmuster 1 kann verbessert werden, wenn die Mindestabstände dS1 und dS2 so groß wie möglich sind.
5 zeigt den Fall, wenn insgesamt zehn Drahtbondinseln, die mit den Anschlüssen auf den Oberflächenakustikwellenfiltern und dergleichen verbunden sind, angeordnet sind, aber es kann eine Anordnung der Enden LP1 und LP2 des Leitungsmusters und der Inseln, die mit ihnen verbunden sind, erwogen werden, die anders als bei den beiden in 6 und 9 gezeigten Ausführungsformen ist. Während mögliche Anordnungen später beschrieben werden, können die Mindestabstände dS1 und dS2, die in 6 gezeigt sind, in dem Fall die längsten sein, wenn die Anpassungsinseln, die mit den Enden LP1 und LP2 des Leitungsmusters verbunden sind, an den diagonalen Ecken angeordnet sind, wobei der rechteckige Raum zwischen ihnen liegt, und wenn die Anpassungsinseln an solchen Positionen angeordnet sind, daß die Abstände zu den Verbindungsinseln FP8 und FP2 für den Außenverbindungsanschluß T1 und T2 die größten werden, wie in 5 gezeigt.
Selbst wenn Mindestabstände dS1 und dS2, die den in 6 gezeigten äquivalent sind, bei anderen möglichen Anordnungen erhalten werden können, gibt es Fälle, bei denen sich ein anderer Faktor zum Verschlechtern der Isolierung durch die andere Anordnung des Musters ergeben kann, so daß zum Beispiel die Länge der Leitung 20 zum Verbinden des Anschlusses FP5 für den Gemeinschaftsanschluß T0 auf der Drahtbondschicht notwendigerweise lang wird, wie in 8 gezeigt.
Daher ist es vorzuziehen, zwischen dem Leitungsmuster und den Außenverbindungsanschlüssen bei der Erfindung eine gute Isolierung zu realisieren, damit die Anpassungsinseln, die mit den Enden LP1 und LP2 des Leitungsmusters verbunden sind, an solchen Positionen angeordnet sind, die wenigstens einer der folgenden Bedingungen genügen.

(1) Die zwei Anpassungsinseln sind an den diagonalen Ecken des rechteckigen Raumes zum Montieren der Filterchips, der zwischen ihnen liegt, auf der Drahtbondschicht angeordnet, wodurch der Schrägabstand zwischen den Anpassungsinseln der größte ist.
(2) Die Anpassungsinseln sind an solchen Positionen angeordnet, daß die Schrägabstände zu den Verbindungsanschlüssen für die Außenverbindungsanschlüsse in der Drahtbondschicht die größten werden.

Es ist besser, wenn beide Bedingungen erfüllt werden.
Bezüglich der zweiten Bedingung (2) ist es vorzuziehen, wenn in der Leitungsmusterschicht 7 der Abstand dS zwischen dem Punkt, an dem der Weg, der die Außenverbindungsanschlüsse mit den Anschlüssen auf den SAW-Filtern verbindet, die Leitungsmusterschicht 7 kreuzt, und einem beliebigen Punkt auf dem Leitungsmuster 1 so groß wie möglich ist, und um der verlangten Spezifikation gerecht zu werden, beläuft sich der Abstand dS notwendigerweise wenigstens auf einen vorgeschriebenen Wert, der durch die Spezifikation festgelegt ist.
10 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen dem Mindestabstand dS (dS1 und dS2) und der Isolierung (dB) zwischen dem Gemeinschaftsanschluß T0 und den Außenverbindungsanschlüssen T1 und T2 in einer leeren Packung zeigt, in die kein Filterchip montiert ist.
Hierbei sieht ein kürzerer Mindestabstand dS (dS1 und dS2) eine schlechte Isolierung vor, während ein größerer Mindestabstand eine gute Isolierung vorsieht. Wenn zum Beispiel eine Spezifikation einer gewünschten Konstruktion eine Isolierung von –50 dB oder mehr verlangt, beträgt der Mindestabstand dS (dS1 und dS2) unbedingt 1,075 mm oder mehr.
Es ist herausgefunden worden, daß die Isolierung (dB) in Abhängigkeit von der Anordnung des Leitungsmusters schwankt, selbst wenn die Mindestabstände dS1 und dS2 so selektiert werden, um eine gute Isolierung beizubehalten.
Das heißt, bezüglich des Abstandes zwischen den Anschlüssen FP8 und FP2 zu dem Leitungsmuster ist festgestellt worden, daß dann, wenn der nächstkleinste Abstand nach dem Mindestabstand dS (dS1 und dS2) als "d" bezeichnet wird, die Isolierung (dB) gut wird, wenn der Abstand d so groß wie möglich gebildet wird.
In dem in 10 gezeigten Graph kennzeichnet der Punkt A den Fall, wenn der Abstand d 1,4 mm beträgt, und der Punkt B kennzeichnet den Fall, wenn der Abstand d 1,15 mm beträgt. Dementsprechend wird die Isolierung (dB) verbessert, wenn der Abstand d größer ist.
12 ist ein erläuterndes Diagramm, das den zweitkleinsten Abstand d (d > dS1 und dS2) zwischen den Anschlüssen FP8 und FP2, die mit den Außenverbindungsanschlüssen T1 und T2 verbunden sind, und dem Leitungsmuster in einer Ausführungsform zeigt.
Dies ist ein Graph, der die Isolierung bei Veränderung des Abstandes d (d > dS1 und dS2) in dem in 11 gezeigten Fall zeigt, wenn die Mindestabstände dS1 und dS2 1,13 mm betragen.
Gemäß 11 erstreckt sich der Graph im wesentlichen in einer geraden Linie, und die Isolierung ist schlecht, wenn der Abstand d kleiner ist, aber gut, wenn er größer ist.
Um zum Beispiel eine Isolierung von –50 dB oder mehr zu erhalten, wird das Leitungsmuster notwendigerweise so angeordnet, um einen Abstand d von 1,075 mm oder mehr vorzusehen.
Die Filtercharakteristiken der Duplexerpackung, d. h., die Durchlaßintensität (dB) der Frequenz (MHz), werden beschrieben.
13 ist ein Graph, der die Filtercharakteristiken der Duplexerpackung zeigt, die herkömmlicherweise verwendet worden ist. Die herkömmliche Duplexerpackung hat eine Größe von 9,5 mm (Breite) × 7,5 mm (Länge) × 2,1 mm (Höhe) und ist damit viel größer als die Duplexerpackung gemäß der Erfindung.
14 ist eine Flächenansicht, die ein Leitungsmuster 1 einer Leitungsmusterschicht 7 der herkömmlichen Duplexerpackung zeigt.
In 14 betragen die Abstände dS und d zwischen dem Anschluß, der mit dem Außenverbindungsanschluß T1 des Filters F1 verbunden ist, und dem Leitungsmuster 1 1,5 mm bzw. 1,6 mm, und somit sind sie größer als bei der Erfindung.
Denn die Größe der herkömmlichen Duplexerpackung ist mit Sicherheit größer als bei der Erfindung, und die Abstände dS und d können groß gebildet werden. Mit anderen Worten, das herkömmliche Produkt weist eine ausreichende Isolierung auf, d. h., einen Niederdrückungsgrad bei dem Sendefilter von –52 dB und den Niederdrückungsgrad bei dem Empfangsfilter von –46 dB, wie in 13 gezeigt, aber die Abmessungen der Duplexerpackung sind zum Kompensieren dessen groß.
15 und 16 sind ein Graph, der Frequenzcharakteristiken zeigt, und eine Fläche, die eine Leitungsmusterform einer Leitungsmusterschicht einer Duplexervorrichtung zeigt, wobei die Größe der Duplexerpackung dieselbe wie jene der Duplexerpackung der Erfindung ist (5 mm (Breite) × 5 mm (Länge)), aber die optimale Anordnung der Drahtbondinseln wird nicht beachtet.
In 16 betragen die Abstände dS und d zwischen dem Anschluß FP8, der mit dem Außenverbindungsanschluß T1 verbunden ist, und dem Leitungsmuster 1 0,5 mm bzw. 0,6 mm und sind damit viel kleiner als in dem in 6 gezeigten Fall gemäß der Erfindung.
In 15 beträgt der Niederdrückungsgrad auf der Seite des Sendefilters –42 dB, und der Niederdrückungsgrad auf der Seite des Empfangsfilters beträgt –37 dB, und im Vergleich zu dem herkömmlichen Produkt, das in 13 gezeigt ist, stellt dies eine ziemliche Verschlechterung dar. Mit anderen Worten, in der in 16 gezeigten Ausführungsform ist die Isolierung auf Grund der kleinen Abstände dS und d unzureichend, um schlechte Niederdrückungsgrade außerhalb des Durchlaßbandes vorzusehen, auch wenn die Packung miniaturisiert ist.
Die Filtercharakteristiken der Duplexerpackung gemäß der Erfindung werden unten beschrieben.
17 ist ein Graph, der Filtercharakteristiken der Duplexervorrichtung gemäß der Erfindung zeigt, bei der die Anordnung der Inseln beachtet wird, wie in 5 gezeigt.
18 ist eine Flächenansicht, die die Flächenstruktur der Leitungsmusterschicht 7 zeigt, die der in 17 gezeigten Ausführungsform entspricht. Hier beträgt der Abstand dS 0,9 mm, der Abstand d 1,2 mm und die Größe der Duplexerpackung 5 mm × 5 mm × 1,5 mm.
Gemäß 17 beträgt der Niederdrückungsgrad bei dem Sendefilter –47 dB, und der Niederdrückungsgrad bei dem Empfangsfilter beträgt –39 dB, die im Vergleich zu dem in 13 gezeigten herkömmlichen Produkt schlecht sind, aber im Vergleich zu der in 15 gezeigten Ausführungsform gut sind, bei der einfach nur die Größe der Duplexerpackung miniaturisiert wurde.
Wenn die Größen der Duplexerpackungen konstant sind, wird daher die Isolierung verbessert, wenn die Anordnung der Drahtbondinseln beachtet wird, um die Abstände dS und d größer zu bilden, wie in 18, wodurch der Niederdrückungsgrad verbessert wird.
19 und 20 zeigen eine Ausführungsform der Erfindung, bei der die Abstände dS und d noch größer als im Fall von 18 gebildet sind.
19 ist ein Graph, der die Filtercharakteristiken der Duplexerpackung gemäß der Erfindung zeigt, und 20 ist eine Flächenansicht, die die Musterform des Leitungsmusters zeigt, wobei die Abstände dS und d größer sind, während die Gesamtlänge des Leitungsmusters 35 mm beträgt und dieselbe wie im Fall von 18 ist.
Hier beträgt der Mindestabstand dS 1,1 mm, der Abstand d 1,4 mm und die Größe der Duplexerpackung 5 mm × 5 mm × 1,5 mm.
Gemäß 19 beträgt der Niederdrückungsgrad bei dem Sendefilter –55 dB und der Niederdrückungsgrad bei dem Empfangsfilter –43 dB. Es versteht sich, daß der Niederdrückungsgrad im Vergleich zu den in 15 und 17 gezeigten Duplexerpackungen in hohem Maße verbessert wird, und der Niederdrückungsgrad bei dem Sendefilter ist besser als bei dem in 13 gezeigten herkömmlichen Produkt.
Das heißt, wenn die Abstände dS und d in der miniaturisierten Duplexerpackung groß gebildet werden, wie in 20 gezeigt, wird die Isolierung verbessert und der Niederdrückungsgrad verstärkt.
Aus der obigen Beschreibung geht hervor, daß gemäß den Ausführungsformen der Erfindung, wenn das Leitungsmuster auf solch eine Weise angeordnet wird, daß die Mindestabstände dS1 und dS2 und der Abstand d 1,075 mm oder länger sind und die Mindestabstände dS1 und dS2 den obigen Bedingungen genügen, eine Duplexerpackung mit einer ausreichenden Isolierung und guten Niederdrückungsgraden erhalten werden kann.
Andere Ausführungsformen der Erfindung, bei denen die Isolierung verbessert wird, werden unten beschrieben.
In der in 4 gezeigten Ausführungsform der Erfindung ist die Leitung 20 (die nachfolgend als Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitung bezeichnet wird), die den Verbindungsanschluß FP5 für den Gemeinschaftsanschluß T0 und die Insel WP5 verbindet, auf der Drahtbondinselschicht 5 angeordnet (siehe 5).
In diesem Fall unterscheiden sich die Schicht, auf der das Leitungsmuster 1 gebildet ist (d. h., die Leitungsmusterschicht 7), und die Schicht, auf der die Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitung 20 gebildet ist (d. h., die Drahtbondinselschicht 5), voneinander.
Nun soll eine Ausführungsform betrachtet werden, bei der die Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitung 20 auf der Schicht 7 gebildet ist, auf der das Leitungsmuster 1 gebildet ist. Eine Ausführungsform der Musterform der Leitungsmusterschicht 7 in diesem Fall ist in 26 gezeigt.
In der Ausführungsform von 26 wird, da die Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitung 20 auf derselben Schicht wie das Leitungsmuster vorgesehen ist, das Leitungsmuster notwendigerweise ohne Toleranz angeordnet, und deshalb können der Mindestabstand dS und der Abstand d nicht groß sein. In diesem Fall ist der Abstand dS um etwa 0,18 mm kleiner als im Fall von 6.
27 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen dem Abstand dS und den Isolierungscharakteristiken zeigt, wenn das Muster auf die in 26 gezeigte Weise angeordnet ist.
In 27 kennzeichnen die schwarzen Punkte die Isolierungscharakteristiken bei dem in 4 gezeigten Fall, und die weißen Punkte kennzeichnen die Isolierungscharakteristiken bei dem in 26 gezeigten Fall. Die Isolierung ist in dem Fall, wenn das Leitungsmuster 1 und die Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitung 20 nicht in derselben Schicht angeordnet sind (schwarze Punkte), um etwa 6,7 bis 9,9 dB besser als in dem Fall, wenn sie in derselben Schicht angeordnet sind, und der Niederdrückungsgrad ist auch gut. Deshalb ist es vorzuziehen, das Leitungsmuster 1 und die Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitung 20 auf verschiedenen Schichten zu bilden.
Während die in 4 gezeigte Ausführungsform eine Isolierung von –50 dB oder mehr gewährleistet, kann die Isolierung weiter verbessert werden, indem eine andere Schicht, d. h., eine Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitungsschicht, unter der Erdschicht 8 vorgesehen wird. Denn es wird angenommen, daß die Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitung 20 die Isolierungscharakteristiken beeinflußt, Eine andere Ausführungsform der Duplexerpackung gemäß der Erfindung ist in 21 gezeigt.
In dieser Ausführungsform ist im Unterschied zu 5 eine Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitungsschicht 21 unter der gemeinsamen Erdschicht 8 vorgesehen. Die Musterform des Leitungsmusters 1 ist dieselbe wie in 6.
22A, 22B und 22C sind Flächenansichten, die die Oberflächenmuster der Drahtbondinselschicht 5, der gemeinsamen Erdschicht 8 bzw. der Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitungsschicht 21 zeigen.
In 22A, 22B und 22C sind eine Insel WP5 der Drahtbondinselschicht 5 und ein Ende 23 der Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitung 20 auf der Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitungsschicht 21 durch ein Durchgangsloch (an der Position 22 auf der gemeinsamen Erdschicht 8), das die Schichten durchdringt, elektrisch verbunden.
23 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen der Isolierung und dem Mindestabstand dS einer leeren Packung des Duplexers der Erfindung zeigt, die den in 21 gezeigten Aufbau hat.
Die weißen Punkte (C1 bis C4) in 23 kennzeichnen den Fall, wenn die gemeinsame Erdschicht 8 nicht zwischen dem Leitungsmuster 1 und der Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitung 20 angeordnet ist (siehe 4), und die schwarzen Punkte (D1 bis D4) in 23 kennzeichnen den Fall, wenn die gemeinsame Erdschicht 8 zwischen dem Leitungsmuster 1 und der Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitungsschicht 21 in 21 vorgesehen ist.
Aus 23 geht hervor, daß dadurch, daß die Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitungsschicht 21 unter der gemeinsamen Erdschicht 8 vorgesehen ist, die Isolierung um etwa 9 bis 14 dB im Vergleich zu dem Fall verbessert wird, wenn die Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitungsschicht 21 nicht vorgesehen ist.
Ferner können, wie in 24 gezeigt, gemeinsame Erdschichten 8-1 und 8-2 gebildet sein, um die Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitungsschicht 21 sandwichartig zwischen ihnen anzuordnen.
25A, 25B und 25C sind Flächenansichten, die die Oberflächenmuster der Drahtbondinselschicht 5, der gemeinsamen Erdschicht 8-1 bzw. der Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitungsschicht 21 zeigen. In diesem Fall sind die Insel WP5 und das Ende 23 der Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitung 20 durch ein Durchgangsloch (an der Position 22), das die Schichten durchdringt, elektrisch verbunden.
Da gemäß der Ausführungsform die Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitungsschicht 21 zwischen den zwei gemeinsamen Erdschichten 8-1 und 8-2 sandwichartig angeordnet ist und durch diese abgeschirmt wird, kann die Isolierung weiter um etwa 3 bis 5 dB verbessert werden.
Bei noch einer anderen Ausführungsform der Erfindung ist das Leitungsmuster der Anpassungsschaltung nicht auf einer Schicht, sondern in geteilter Form auf mehreren Schichten gebildet. Da die Längen der Leitungsmuster in den jeweiligen Schichten kurz sein können, indem das Leitungsmuster in mehrere Schichten geteilt wird, können die Abstände dS und d groß gebildet werden, und deshalb kann die Isolierung verbessert werden. In dem Fall, wenn das Leitungsmuster in mehrere Schichten geteilt wird, ist es jedoch vorzuziehen, daß sich die Anordnungen der Leitungsmuster der Schichten voneinander unterscheiden, um eine Interferenz der Leitungsmuster der Schichten zu verhindern.
Vier Drähte werden verwendet, um die Anschlüsse (IN und OUT) der Filterchips und die Drahtbondinseln zu verbinden, und wenn die Drähte zu dicht beieinander angeordnet sind, wird der Niederdrückungsgrad bei den Filtercharakteristiken auf Grund von deren Interferenz verschlechtert.
Deshalb ist es erforderlich, die Positionen der Drahtbondinseln unter Berücksichtigung dessen festzulegen, daß die Abstände zwischen den Drähten so groß wie möglich werden.
Unter dem Gesichtspunkt der Drähte ist es vorzuziehen, da die Drähte von den Filterchips bei der in 5 gezeigten Ausführungsform der Erfindung mit WP3 und WP5 verbunden sind, wenn der Abstand zwischen den Drähten größer als bei der in 8 gezeigten Ausführungsform ist, wo die Drähte mit den Inseln WP3 und WP4 verbunden sind, die benachbart sind.
Während bei der in 4 gezeigten Ausführungsform die gesamte äußere Schicht der Packung mit der Erde beschichtet ist, um einen Einfluß eines externen Rauschens auf die Filterchips und die Anpassungsschaltung zu verhindern, ist es auch möglich, wie in 28 gezeigt, eine Kappenmontageschicht 4 und die Erdsektion der Drahtbondinselschicht 5 über Durchgangslöcher zu verbinden, die in der Schicht L1 vorgesehen sind. Durch die Struktur kann das Eindringen eines externen Rauschens in das interne Muster verhindert werden.
In dem Fall, wenn die Filterchips durch eine elektrisch leitfähige Paste 15 auf das Chipmontagemuster 14 auf der Chipmontageschicht 6 montiert werden, wird das Chipmontagemuster 14 unter dem Gesichtspunkt der Impedanzanpassung der Anpassungsschaltung vorzugsweise so gebildet, um geteilte Muster anstelle eines durchgehenden Films zu haben.
Das Chipmontagemuster 14 ist ein Erdmuster, das mit dem Erdmuster der Fußmusterschicht 9, die die unterste Schicht ist, durch die Seitenkronierung 10 verbunden ist.
29A und 29B sind Flächenansichten, die die Musterformen der Chipmontageschicht 6 zeigen, die herkömmlicherweise verwendet worden sind. 29A zeigt den Fall, wenn das Chipmontagemuster 14 in Form von einem durchgehenden Filmmuster gebildet ist, und 29B zeigt den Fall, wenn die elektrisch leitfähige Paste 15 auf das Chipmontagemuster 14 aufgetragen ist.
30A und 30B sind Flächenansichten, die die Musterformen der Chipmontageschicht zeigen, die bei der Erfindung verwendet werden. 30A zeigt den Fall, wenn das Chipmontagemuster 14 in vier Teile geteilt ist. 30B zeigt den Fall, wenn die elektrisch leitfähige Paste 15 auf das in vier Teile geteilte Chipmontagemuster 14 aufgetragen ist. 31 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen dem Wert der charakteristischen Impedanz (Ω) des Leitungsmusters und der Länge des Leitungsmusters zeigt, wenn das Chipmontagemuster 14 auf der Chipmontageschicht 6 in vier Teile geteilt ist und wenn es nicht geteilt ist.
Aus 31 geht hervor, daß in dem Fall, wenn das Muster in vier Teile geteilt ist, ein höherer Wert der charakteristischen Impedanz bei jeder Länge zu verzeichnen ist. Mit anderen Worten, wenn das Chipmontagemuster 14 geteilt ist, ist der Wert der charakteristischen Impedanz des Leitungsmusters hoch, und deshalb kann eine gute Impedanzanpassung erhalten werden.
Es wird angenommen, daß dies an der Verbindungsbeziehung zwischen dem Chipmontagemuster 14 und der Paste 15 liegt. Die Paste 15 wird verwendet, um den Filterchip auf das Chipmontagemuster zu montieren und ein Zerbrechen des Filterchips zu verhindern, das durch die verschiedenen Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Filterchip und dem Packungsbasismaterial verursacht wird. Die Paste 15 kann entweder elektrisch leitfähig oder nicht elektrisch leitfä hig sein und kann mit einem Material wie zum Beispiel Ag, Cu und Si gebildet sein.
Wenn das Chipmontagemuster 14 geteilt ist und die Verbindung zwischen den Teilstücken des Chipmontagemusters nur mit der elektrisch leitfähigen Paste erreicht wird, wird der Wert der charakteristischen Impedanz höher als bei dem Chipmontagemuster, das in Form eines durchgehenden Films gebildet ist. Mit anderen Worten, da der Wert der charakteristischen Impedanz geringer wird, wenn das Chipmontagemuster 14 in Form eines durchgehenden Films gebildet ist, stört das Chipmontagemuster 14 das Leitungsmuster 1, um die Impedanzanpassung der Anpassungsschaltung zu verschlechtern.
Die Flachheit des Filterchips bezüglich der Oberfläche der Schicht L3 wird beim Montieren des Filterchips auf die Chipmontageschicht 6 in dem Fall besser, wenn auf das Chipmontagemuster 14 in geteilter Form die elektrisch leitfähige Paste 15 aufgetragen wird, im Vergleich zu dem Fall, wenn die elektrisch leitfähige Paste auf den durchgehenden Film aufgetragen wird, der nicht geteilt ist.
Deshalb wird das Chipmontagemuster 14 unter dem Gesichtspunkt der Impedanzanpassung der Anpassungsschaltung, der Bruchverhinderung des Filterchips und der Parallelität der Filterchips vorzugsweise geteilt gebildet, wie in 30 gezeigt. Die Anzahl von Teilstücken kann sich nach Belieben auf zwei oder mehr belaufen. Wenn die Anzahl von Teilstücken jedoch zu groß ist, wird die Form des Musters komplex und nimmt die Anzahl von Verbindungen zu der Seitenkronierung zu, und deshalb beträgt die Anzahl von Teilstücken vorzugsweise 4.
Aus 4 geht hervor, daß das Leitungsmuster 1 unter dem Chipmontagemuster 14 auf der Chipmontageschicht 6 angeordnet ist. Es ist herausgefunden worden, daß der Einfluß des Chipmontagemusters auf die Impedanz des Leitungsmusters in dem Fall klein ist, wenn das Verhältnis der Länge des Leitungsmusters, die durch die Zone direkt unter dem Chipmontagemuster 14 erfaßt wird, bezüglich seiner Gesamtlänge 33 % oder weniger beträgt. Zum Beispiel ist herausgefunden worden, daß die Verschlechterung des Impedanzwertes dann, wenn das Verhältnis etwa 30 % beträgt, um etwa 16 % besser als in dem Fall ist, wenn das Verhältnis etwa 70 % beträgt. Deshalb wird es bevorzugt, wenn die Musterform auf solch eine Weise gebildet wird, daß das Leitungsmuster möglichst nicht die Zone direkt unter dem Chipmontagemuster durchläuft.
Die Abstände zwischen den Inseln (wie z. B. WP1) auf der Drahtbondinselschicht 5, die in 5 und dergleichen gezeigt sind, werden nun beschrieben.
Es wurde eine Simulation diesbezüglich ausgeführt, in welchem Maße die Interferenz zwischen den Inseln auftreten würde, falls die Abstände der Drahtbondinseln kleiner als 0,3 mm (zum Beispiel 0,15 nm) wären und falls der Abstand 0,3 mm oder größer (zum Beispiel 0,33 mm) wäre.
Eine Simulation einer Verteilung des elektrischen Stromes wurde bei den jeweiligen Drahtbondinseln gemessen, wobei ein elektrischer Strom zwischen den Außenverbindungsanschlüssen T0, T1 und T2 und der Erde angewendet wurde. Gemäß der Simulation wurde bestätigt, daß eine Interferenz des elektrischen Stromes, die die Filtercharakteristiken des Duplexers beeinflußt, zwischen den benachbarten Drahtbondanschlüssen auftritt, wenn der Abstand der Drahtbondinsel kleiner als 0,3 mm ist, aber keine auffällige Interferenz des elektrischen Stromes wurde nachgewiesen, wenn der Abstand 0,3 mm oder mehr beträgt.
Deshalb beträgt der Abstand zwischen den Drahtbondinseln vorzugsweise 0,3 mm oder mehr, selbst wenn ein Duplexer mit den kleinen Abmessungen von etwa 5 × 5 × 1,5 mm gemäß der Erfindung gebildet wird, wie in 4 und 5 gezeigt. Der Abstand der Inseln in dem Duplexer von jener Größe ist jedoch auf Grund der Beschränkung der Packungsgröße auf höchstens 0,45 mm begrenzt.
Zum Abschluß sind Ausführungsformen von Anordnungen der Drahtbondinseln der Duplexerpackungen, die gute Filtercharakteristiken vorsehen, in 32A bis 32C, 33A, 33B, 34A bis 34D und 35A bis 35D gezeigt, die alle Flächenansichten sind, die die Drahtbondinselschicht 5 darstellen und bevorzugte Anordnungen der Insel PD1 zeigen, die mit dem Ende LP1 des Leitungsmusters 1 verbunden ist, und der Insel PD2, die mit dem Ende LP2 des Leitungsmusters 1 verbunden ist. Bei allen Anordnungen kann das Leitungsmuster, das eine Gesamtlänge von etwa λ/4 mm hat, so gebildet sein, um einen Mindestabstand dS von 1,075 mm vorzusehen.
33A und 33B zeigen die Fälle, wenn zwei Anschlüsse FP4 und FP5, die mit dem Gemeinschaftsanschluß T0 verbunden sind, auf der Seitenoberfläche vorgesehen sind. 34A bis 34D zeigen die Fälle, wenn die Inseln PD1 und PD2, die mit dem Leitungsmuster verbunden sind, an den am weitesten voneinander entfernten Positionen auf derselben Seite des rechteckigen Raumes zum Montieren der Filter angeordnet sind.
35A und 35B zeigen Ausführungsformen, wenn die Richtung der Zone, in der die Inseln angeordnet sind, um 90° bezüglich der Ausführungsformen von 32A bis 32C rotiert ist, und 35C und 35D zeigen Ausführungsformen, wenn die Zone zum Anordnen der Inseln in der gesamten Umgebungszone des rechteckigen Raumes zum Montieren der Filter vorgesehen ist.
Gemäß der Erfindung kann, da die Form des Leitungsmusters und die Anordnung der Inseln, die mit dem Leitungsmuster verbunden sind und auf der Drahtbondinselschicht gebildet sind, zweckmäßig konfiguriert sind, eine Duplexervorrichtung vorgesehen werden, die eine kleine Größe und stabile Niederdrückungscharakteristiken des Gegenoberflächenakustikwellenfilters in dem Durchlaßband des Oberflächenakustikwellenfilters hat.

Claims

Duplexervorrichtung mit zwei Oberflächenakustikwellenfiltern (F1, F2), die Bandmittenfrequenzen haben, die sich voneinander unterscheiden, und einem Leitungsmuster (1) zum Anpassen von Phasen der zwei Oberflächenakustikwellenfilter (F1, F2), in der vorgesehen sind: eine Drahtbondinselschicht (5), die eine Vielzahl von Inseln (WP1 bis WP10) hat, wobei Inseln zum Verbinden, des Leitungsmusters (1) mit Anschlüssen (IN, OUT) auf den Oberflächenakustikwellenfiltern (F1, F2) und Inseln zum Verbinden eines Gemeinschaftsanschlusses (T0), der mit einer externen Antenne verbunden ist, mit dem Leitungsmuster (1) vorgesehen sind; und eine erste Insel (WP5), die eines der Oberflächenakustikwellenfilter (F1, F2) und ein erstes Ende (LP1) des Leitungsmusters (1) verbindet, und eine zweite Insel (WP10), die den Gemeinschaftsanschluß (T0) und ein zweites Ende (LP2) des Leitungsmusters (1) verbindet, an diagonal gegenüber liegenden Positionen innerhalb der Drahtbondinselschicht (5) angeordnet sind.
Duplexervorrichtung nach Anspruch 1, in der die Drahtbondinselschicht (5) im wesentlichen in ihrer Mitte einen rechteckigen Raum zum Hineinmontieren der zwei Oberflächenakustikwellenfilter (F1, F2) hat und der rechteckige Raum von den vielen Inseln (WP1 bis WP10) umgeben ist, wobei die erste Insel und die zweite Insel (WP5, WP10) an diagonalen Ecken angeordnet sind, während der rechteckige Raum zwischen ihnen liegt.
Duplexervorrichtung nach Anspruch 1, in der der Gemeinschaftsanschluß (T0) auf der Außenverbindungsanschlußschicht (9) gebildet ist und eine Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitung (20) zum Verbinden der zweiten Insel (WP10) und des Gemeinschaftsanschlusses (T0) auf einer Schicht gebildet ist, die sich von der Leitungsmusterschicht (7) unterscheidet, und ferner mit einer Leitungsmusterschicht (7), die unter der Drahtbondinselschicht (5) angeordnet ist, wobei die Leitungsmusterschicht (7) das Leitungsmuster (1) beinhaltet, und einer Außenverbindungsanschlußschicht (9), die unter der Leitungsmusterschicht (7) angeordnet ist, wobei die Außenverbindungsanschlußschicht (9) Außenverbindungsanschlüsse zum Verbinden der Oberflächenakustikwellenfilter (F1, F2) mit einer externen Schaltung hat.
Duplexervorrichtung nach Anspruch 3, in der die Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitung (20) auf der Drahtbondinselschicht (5) gebildet ist.
Duplexervorrichtung nach Anspruch 3, in der die Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitung (20) auf einer Schicht unter der Leitungsmusterschicht (7) gebildet ist.
Duplexervorrichtung nach Anspruch 3, 4 oder 5, in der eine gemeinsame Erdschicht (8), die ein Erdmuster (13) beinhaltet, zwischen der Schicht, auf der die Gemeinschaftsanschlußverbindungsleitung (20) gebildet worden ist, und der Leitungsmusterschicht (7) vorgesehen ist.
Duplexervorrichtung nach Anspruch 1, bei der Seitenoberflächen der Schichten mit einer Erdschicht verbunden sind.
Duplexervorrichtung nach Anspruch 1, in der eine Chipmontageschicht (6) zum Montieren der Oberflächenakustikwellenfilter (F1, F2) unter der Drahtbondinselschicht (5), aber über der Leitungsmusterschicht (7) vorgesehen ist, und ein Chipmontagemuster (14) zum Verbinden der Oberflächenakustikwellenfilter (F1, F2) mit dem Erdmuster in Form von zwei oder mehr Teilmustern auf der Chipmontageschicht (6) gebildet ist und die Chipmontageteilmuster mit den Oberflächenakustikwellenfiltern (F1, F2) durch eine Paste (15) in Kontakt sind, und ferner mit einer Leitungsmusterschicht (7), die unter der Drahtbondinselschicht (5) angeordnet ist, wobei die Leitungsmusterschicht (7) das Leitungsmuster (1) beinhaltet; und einer Außenverbindungsanschlußschicht (9), die unter der Leitungsmusterschicht (7) angeordnet ist, wobei die Außenverbindungsanschlußschicht (9) Außenverbindungsanschlüsse zum Verbinden der Oberflächenakustikwellenfilter (F1, F2) mit einer externen Schaltung hat.