DE10343296B4 - Oberflächenwellenbauelement und Kommunitkationsvorrichtung, die dasselbe umfasst - Google Patents

Oberflächenwellenbauelement und Kommunitkationsvorrichtung, die dasselbe umfasst Download PDF

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Abstract

Oberflächenwellenbauelement, das folgende Merkmale aufweist:
ein piezoelektrisches Substrat; und
ein erstes und ein zweites Oberflächenwellenfilterelement, die auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet sind, um eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufzuweisen, wobei das erste und das zweite Oberflächenwellenfilterelement jeweils zumindest zwei Interdigitalwandler, die entlang einer Ausbreitungsrichtung der Oberflächenwellen angeordnet sind, und einen ersten und einen zweiten Reflektor umfassen, die so angeordnet sind, daß die zumindest zwei Interdigitalwandler entlang der Ausbreitungsrichtung zwischen dem ersten und dem zweiten Reflektor angeordnet sind, wobei:
der erste und der zweite Reflektor sich in ihrer Struktur unterscheiden; und
bei dem ersten und dem zweiten Oberflächenwellenfilterelement die ersten Reflektoren in ihrer Struktur identisch sind und die zweiten Reflektoren in ihrer Struktur identisch sind.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein SAW-Bauelement (SAW = surface acoustic wave = Oberflächenwelle) mit einer Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion und auf eine Kommunikationsvorrichtung, die das SAW-Bauelement umfaßt.
  • Im Hinblick auf die Verringerung von Größe und Gewicht von Kommunikationsvorrichtungen, wie z. B. Zellulartelefonen, sind in der Technik in den vergangenen Jahren bemerkenswerte Fortschritte gemacht worden. Als eine Möglichkeit zum Realisieren der Verringerung werden die Komponenten nicht nur in ihrer Anzahl und Größe verringert, sondern es sind auch kombinierte Komponenten, die durch Kombinieren von Funktionen gebildet sind, entwickelt worden.
  • Vor dem Hintergrund dieser Umstände, sind jene, bei denen ein SAW-Bauelement zur Verwendung in einer Funkfrequenzstufe eines Zellulartelefons mit einer Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion bzw. einer sogenannten „Balun-Funktion" versehen ist, in den letzten Jahren aktiv erforscht worden. Hauptsächlich sind GSMs (GSM = global systems for mobile communications = globale Systeme für Mobilkommunikationen) zur Anwendung gekommen. Einige Patentanmeldungen, die SAW-Bauelemente betreffen, die mit den beschriebenen Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktionen versehen sind, sind eingereicht worden.
  • Zusätzlich hat bei den neuesten Zellulartelefonsystemen die Anzahl jener, die nahe beieinanderliegende Sende- und Empfangsfrequenzen aufweisen, zugenommen. Mit diesem Anstieg muß eine Dämpfung in einem Empfangsfrequenzband in einem Übertragungsfilter erhöht werden, und eine Dämpfung in einem Sendefrequenzband muß in einem Empfangsfilter erhöht werden. Dementsprechend ist bei einem SAW-Bauelement der Bedarf an einer Erhöhung einer Dämpfung in der Nähe eines Durchlaßbands in den Vordergrund getreten.
  • In einer Kommunikationsvorrichtung ist es üblich, für ein unsymmetrisches Signal eine charakteristische Impedanz von 50 Ω in einem Abschnitt von einer Antenne zu einem Filter zu verwenden. In vielen Fällen wird bei einem Verstärker oder dergleichen, der nach der Stufe des Filters verwendet wird, für ein symmetrisches Signal eine Impedanz von 150 bis 200 Ω verwendet.
  • Bezüglich eines SAW-Filterbauelements (SAW-Bauelement), das auch eine Funktion des Umwandelns eines unsymmetrischen 50-Ω-Signals in ein symmetrisches Signal mit 150 bis 200 Ω aufweist, ist z. B. ein Bauelement, in dem vier SAW-Filterelemente verwendet werden, um eine unsymmetrische Eingabe und eine symmetrische Ausgabe zu realisieren, bekannt (siehe z. B. die japanische ungeprüfte Patentanmeldungsveröffentlichung Nr. 10-117123 (die am 6. Mai 1998 der Öffentlichkeit zugänglich gemacht wurde), die der Patentveröffentlichung EP 0836278 A2 entspricht). Die Konfiguration des SAW-Filterbauelements, das in dieser Veröffentlichung offenbart wird, ist in 24 gezeigt.
  • In der bekannten Konfiguration wird eine Störkomponente in der Nähe des Durchlaßbands außerhalb des Durchlaßbands durch Erregung der Oberflächenwellen bewirkt. In einem Bereich, in dem die Störkomponente erzeugt wird, werden die Phasencharakteristika der symmetrischen Anschlüsse 506 und 507 wie in dem Durchlaßband invertiert. Dementsprechend wird kein Signalaufhebungseffekt in einem Differentialzustand erhalten, wodurch dahingehend ein Problem verursacht wird, daß die Dämpfung in der Nähe des Durchlaßbands außerhalb des Durchlaßbands nicht ausreichend ist.
  • Die SAW-Bauelementkonfigurationen der verwandten Technik sind nachstehend unter Bezugnahme auf 19 bis 24 beschrieben, wie dies beispielsweise auch in der Patentveröffentlichung US 2002/0167378 A1 dargestellt ist.
  • 19 zeigt ein SAW-Bauelement 100, in dem bei einer Konfiguration, die die Impedanzen der symmetrischen Signalanschlüsse 114 und 115 aufweist, die sich näherungsweise viermal von der Impedanz eines unsymmetrischen Signalanschlusses 113 unterscheiden, eine Dämpfung im unteren Bereich eines Durchlaßbands erhöht werden kann.
  • Wie in 19 gezeigt ist, umfaßt das SAW-Bauelement 100 zwei SAW-Filter 101 und 102 mit längsgekoppeltem Resonator (SAW-Filterelemente) auf einem piezoelektrischen Substrat (nicht gezeigt). Das SAW-Filter 101 mit längsgekoppeltem Resonator umfaßt drei IDTs (IDT = interdigital transducer = Interdigitalwandler) 103, 104 und 105 und Reflektoren 106 und 107 auf den Seiten der IDTs 103 und 105. Desgleichen umfaßt das SAW-Filter 102 mit längsgekoppeltem Resonator drei IDTs 108, 109 und 110 und Reflektoren 111 und 112 auf den Seiten der IDTs 108 und 110. Die IDTs 103 bis 105, und die IDTs 108 bis 110 sind in einer Reihe entlang einer Ausbreitungsrichtung der Oberflächenwellen angeordnet. Bei dem SAW-Bauelement 100 sind die IDTs 108 und 110 des SAW-Filters 102 mit längsgekoppeltem Resonator hinsichtlich einer interdigitalen Länge im Vergleich zu den IDTs 103 und 105 des SAW-Filters 101 mit längsgekoppeltem Resonator invertiert. Bei dieser Anordnung unterscheidet sich bei dem SAW-Filter 102 mit längsgekoppeltem Resonator die Phase eines Ausgangssignals zu einem Eingangssignal um näherungsweise 180 Grad im Vergleich zu dem SAW-Filter 101 mit längsgekoppeltem Resonator.
  • Die IDTs 104 und 109 sind mit einem Signalanschluß 113 verbunden. Die IDTs 103 und 105 sind mit einem Signalanschluß 114 verbunden. Die IDTs 108 und 110 sind mit einem Signalanschluß 115 verbunden. Bei dem SAW-Bauelement 100 ist der Signalanschluß 113 ein Unsymmetrisches-Signal-Anschluß und die Signalanschlüsse 114 und 115 sind Symmetrisches-Signal-Anschlüsse.
  • Jeder IDT umfaßt zwei Elektrodenfingereinheiten, die jeweils einen Schienenbasisendabschnitt (Sammelschiene) und eine Mehrzahl von zueinander parallelen Stabelektrodenfingern umfassen, die sich in eine orthogonale Richtung von einer Seite des Basisendabschnitts erstrecken. Beide Elektrodenfingereinheiten sind so angeordnet, daß die Seitenabschnitte der Elektrodenfinger der einen Einheit zu den Seitenabschnitten der Elektrodenfinger der anderen Einheit gerichtet sind. Jeder Reflektor wird zudem verwendet, um die übertragenen Oberflächenwellen zu reflektieren. Der Reflektor umfaßt ein Paar von Schienenbasisendabschnitten (Sammelschienen) und eine Mehrzahl von zueinander parallelen Stabelektrodenfingern, die sich in eine orthogonale Richtung von einer Seite des einen Basisendabschnitts erstrecken und die die Basisendabschnitte elektrisch verbinden.
  • Wie vorstehend beschrieben, wird das SAW-Bauelement 100, das eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweist und in dem die Impedanz der Symmetrisches-Signal-Anschlüsse sich näherungsweise viermal von der des Unsymmetrisches-Signal-Anschlusses unterscheidet, realisiert.
  • Ein Merkmal des SAW-Bauelements 100 ist, daß die Anzahl von Elektrodenfingern in jedem der Reflektoren 111 und 112 kleiner ist als die in jedem der Reflektoren 106 und 107. In anderen Worten weisen die SAW-Filter 101 und 102 mit längsgekoppeltem Resonator unterschiedliche Anzahlen von Elektrodenfingern auf.
  • Als ein Vergleich zu dem SAW-Bauelement 100 ist ein SAW-Bauelement 120 (vergleichbares Beispiel 1) in 20 gezeigt, das zwei SAW-Filter 101' und 102 mit längsgekoppeltem Resonator auf einem piezoelektrischen Substrat (nicht gezeigt) umfaßt. Das SAW-Bauelement 120 weist eine Konfiguration auf, bei der, in dem SAW-Bauelement 100, anstelle der Reflektoren 106 und 107 die Reflektoren 106' und 107' vorgesehen sind, die in ihrer Anzahl von Elektrodenfingern zu den Reflektoren 111 und 112 identisch sind. In anderen Worten weisen bei dem SAW-Bauelement 120 die SAW-Filter 101' und 102 mit längsgekoppeltem Resonator die gleiche Anzahl von Elektrodenfingern des Reflektors auf. Die anderen Punkte in der Konfiguration sind mit jenen in dem SAW-Bauelement 100 identisch.
  • 21 zeigt die Frequenzeinfügungsverlustcharakteristika des SAW-Bauelements 100 in 19 und das SAW-Bauelement 120 in 20. Aus 21 ist zu ersehen, daß die Konfiguration des SAW-Bauelements 100 im Vergleich zum SAW-Bauelement 120 eine Verbesserung von näherungsweise 5 dB um 1.780 MHz im Durchlaßband aufweist. Dies ist ein Effekt der Differenz der Reflexionscharakteristika des Reflektors zwischen den SAW-Filtern 101 und 102 mit längsgekoppeltem Resonator.
  • Die Konfiguration des SAW-Bauelements 100 in 19 weist dahingehend ein Problem auf, daß eine Dämpfung bei identischen Komponenten (Gleichtakt bzw. gemeinsame Mode) im unteren Bereich des Durchlaßbands abnimmt. 22 zeigt Frequenz-zu-Gleichtakt-Dämpfungscharakteristika des SAW-Bauelements 100 und des SAW-Bauelements 120. Eine Gleichtaktdämpfung um 1.640 auf 1.780 MHz beträgt in dem SAW-Bauelement 120 30 dB, während sie in dem SAW-Bauelement 100 auf 23 dB abnimmt.
  • Dies wird durch die Minderung der Amplitudensymmetrie und der Phasensymmetrie im unteren Bereich des Durchlaßbands aufgrund der Differenz der Reflexionscharakteristika des Reflektors zwischen den SAW-Filtern 101 und 102 mit längsgekoppeltem Resonator bewirkt. Für die neuesten SAW-Bauelemente, die eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweisen, ist es erforderlich, daß eine Dämpfung nicht nur im Durchlaßband erhöht wird, sondern auch im Gleichtakt außerhalb des Durchlaßbands. Die Konfiguration des SAW-Bauelements 100 weist dahingehend ein technisches Problem auf, daß die Anforderung nicht erfüllt werden kann.
  • Die Patentveröffentlichung WO 00/69069 A1 bezieht sich beispielsweise auf einen Differenzial-SAW-Filter mit symmetrischen Ausgängen. Das Differenzial-SAW-Filter weist eine kaskadierte Struktur mit einer SAW-Eingangsstufe und einer SAW-Ausgangsstufe auf. Die zwei SAW-Stufen sind konfiguriert, so dass der Ausbreitungsabstand der akustischen Oberflächenwellen von einem einzelnen unsymmetrischen Eingang in der Eingangsstufe zu den beiden symmetrischen Ausgängen der Ausgangsstufe elektrisch äquidistant ist, so dass sich ein symmetrischer Differenzialausgang ergibt. Die Eingangsstufe umfasst einen einzelnen unsymmetrischen Eingang, der mit einem Paar von äußeren Interdigitalwandlern gekoppelt sind, die beide eine akustische Oberflächenwelle zu einem inneren Interdigitalwandler mit einer einzelnen Eingangsstufe schicken. Der innere Interdigitalwandler ist mit dem Eingangsinterdigitalwandler der SAW-Ausgangsstufe verbunden, die eine erste akustische Oberflächenwelle zu einem Paar identischer, jedoch invertierter Ausgangs-Interdigitalwandler aussendet, die die differenziellen, symmetrischen Ausgangssignale bilden.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Oberflächenwellenbauelement, das Dämpfungscharakteristika in der Nähe eines Durchlaßbands außerhalb des Durchlaßbands beibehält und eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion, die gleichtaktmäßig verbessert ist, aufweist, sowie eine Kommunikationsvorrichtung, die dasselbe umfaßt, zu schaffen.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Oberflächenwellenbauelement gemäß den Ansprüchen 1, und 5 und eine Kommunikationsvorrichtung gemäß Anspruch 6 gelöst.
  • Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein über flächenwellenbauelement, das die Dämpfungscharakteristika in der Nähe eines Durchlaßbands außerhalb des Durchlaßbands beibehält und das eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunk-tion aufweist, in der ein Gleichtakt verbessert wird, und eine Kommunikationsvorrichtung zu schaffen, die das Oberflächenwellenbauelement umfaßt.
  • Gemäß einer vorteilhaften Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung wird ein Oberflächenwellenbauelement geschaffen, das ein piezoelektrisches Substrat und ein erstes und ein zweites Oberflächenwellenfilterelement umfaßt, die auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet sind, um eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufzuweisen, und die jeweils zumindest zwei Interdigitalwandler, die entlang einer Ausbreitungsrichtung der Oberflächenwellen angeordnet sind, und einen ersten Reflektor und einen zweiten Reflektor umfassen, die so angeordnet sind, daß die zumindest zwei Interdigitalwandler entlang der Ausbreitungsrichtung zwischen dem ersten und dem zweiten Reflektor vorgesehen sind. Der erste und der zweite Reflektor unterscheiden sich bezüglich ihrer Struktur, und in dem ersten und dem zweiten Oberflächenwellenfilterelement sind die ersten Reflektoren bezüglich ihrer Struktur identisch, und die zweiten Reflektoren sind ebenfalls bezüglich ihrer Struktur identisch.
  • In anderen Worten können sich die ersten und die zweiten Reflektoren in dem ersten Oberflächenwellenfilterelement in ihrer Struktur unterscheiden, und die ersten und zweiten Reflektoren können sich in dem zweiten Oberflächenwellenelement in ihrer Struktur unterscheiden, und die ersten und zweiten Reflektoren des ersten Oberflächenwellenfilterelements und die entsprechenden ersten und zweiten Reflektoren des zweiten Oberflächenwellenfilterelements können die gleiche Struktur aufweisen.
  • Gemäß der vorstehenden Konfiguration umfaßt ein Oberflächenwellenbauelement zumindest zwei IDTs in eine Richtung, in die die Oberflächenwellen übertragen werden. Somit kann ein Oberflächenwellenbauelement eine Filterfunktion ausführen, bei der ermöglicht ist, daß ein elektrisches Signal mit einer Durchlaßbandfrequenz, die durch eine Umwandlung zwischen einem elektrischen Signal in jedem IDT und den Oberflächenwellen bestimmt wird, mit einer geringfügigen Beeinträchtigung passiert, und bei der ein elektrisches Signal außerhalb des Durchlaßbands reduziert wird.
  • Bei der vorstehenden Konfiguration sind das erste und das zweite Oberflächenwellenfilterelement so angeordnet, um eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufzuweisen. Somit kann das Oberflächenwellenbauelement die Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion ausführen.
  • Bei der vorstehenden Konfiguration unterscheiden sich die ersten und zweiten Reflektoren bezüglich ihrer Struktur. Somit kann vermieden werden, daß eine überflüssige Störkomponente außerhalb des Durchlaßbands, speziell in der Nähe des Durchlaßbands, erzeugt wird, um eine Dämpfung zu erhöhen, so daß die erforderliche Dämpfung erhalten werden kann.
  • Zusätzlich umfassen zwei Oberflächenwellenfilterelemente erste Reflektoren, die in ihrer Struktur identisch sind, und zweite Reflektoren, die in ihrer Struktur identisch sind. Somit kann eine Amplitudensymmetrie und Phasensymmetrie im unteren Bereich des Durchlaßbands verbessert werden. Dementsprechend kann ein Oberflächenwellenbauelement, das eine große Dämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands und eine große Gleichtaktdämpfung aufweist, geschaffen werden.
  • Vorzugsweise unterscheidet sich die Anzahl von Elektrodenfingern in den ersten Reflektoren von der der Elektroden finger in den zweiten Reflektoren in den jeweiligen Oberflächenwellenfilterelementen.
  • Vorzugsweise unterscheidet sich das Fingerbreiteverhältnis (duty) der ersten Reflektoren von der der zweiten Reflektoren in den jeweiligen Oberflächenwellenfilterelementen.
  • Vorzugsweise unterscheidet sich der Elektrodenfingerzwischenraum in den ersten Reflektoren von dem der zweiten Reflektoren in den jeweiligen Oberflächenwellenfilterelementen.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung wird ein Oberflächenwellenbauelement geschaffen, das ein piezoelektrisches Substrat und ein erstes und ein zweites Oberflächenwellenfilterelement umfaßt, die auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet sind, um eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufzuweisen, und die jeweils zumindest zwei Interdigitalwandler, die entlang einer Ausbreitungsrichtung der Oberflächenwellen angeordnet sind, und einen ersten Reflektor und einen zweiten Reflektor umfassen, die so angeordnet sind, daß die zumindest zwei Interdigitalwandler entlang der Ausbreitungsrichtung zwischen dem ersten und dem zweiten Reflektor vorgesehen sind. In jeweils dem ersten und dem zweiten Oberflächenwellenfilterelement unterscheidet sich die erste Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen dem ersten Reflektor und einem Interdigitalwandler, der benachbart zu demselben ist, von einer zweiten Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen dem zweiten Reflektor und einem Interdigitalwandler, der zu demselben benachbart ist, und die erste und die zweite Mitte-zu-Mitte-Entfernung des ersten Oberflächenwellenfilterelements ist mit der entsprechenden ersten und zweiten Mitte-zu-Mitte-Entfernung des zweiten Oberflächenwellenfilterelements identisch.
  • Gemäß der vorstehenden Konfiguration kann die Differenz in der Struktur zwischen den ersten und den zweiten Reflektoren eine überflüssige Störkomponente außerhalb des Durchlaßbands, speziell in der Nähe des Durchlaßbands, reduzieren, wodurch eine Dämpfung erhöht wird. Somit kann die erforderliche Dämpfung ohne weiteres erhalten werden.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung wird ein Oberflächenwellenbauelement geschaffen, das ein piezoelektrisches Substrat und ein erstes und zweites Oberflächenwellenfilterelement umfasst, die auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet sind, um eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufzuweisen, und die jeweils zumindest zwei Interdigitalwandler, die entlang einer Ausbreitungsrichtung der Oberflächenwellen angeordnet sind, und einen ersten Reflektor und einen zweiten Reflektor umfassen, die so angeordnet sind, daß die zumindest zwei Interdigitalwandler entlang der Ausbreitungsrichtung zwischen dem ersten und dem zweiten Reflektor vorgesehen sind. Der erste und der zweite Reflektor sind durch Apodisation gewichtet, und in dem ersten und dem zweiten Oberflächenwellenfilterelement weisen die ersten Reflektoren eine identische Struktur auf, und die zweiten Reflektoren weisen eine identische Struktur auf.
  • Dies kann verhindern, daß eine Störkomponente außerhalb des Durchlaßbands, speziell in der Nähe des Durchlaßbands, erzeugt wird. Somit kann die erforderliche Dämpfung erhöht werden, wodurch die erforderliche Dämpfung erhalten wird.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung wird ein Oberflächenwellenbauelement geschaffen, das ein piezoelektrisches Substrat und ein erstes und ein zweites Oberflächenwellenfilterelement umfaßt, die auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet sind, um eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufzuweisen, und die jeweils zumindest zwei Interdigitalwandler, die entlang einer Ausbreitungsrichtung der Oberflächenwellen angeordnet sind, und einen ersten Reflektor und einen zweiten Reflektor umfassen, die angeordnet sind, daß die zumindest zwei Interdigitalwandler entlang der Ausbreitungsrichtung zwischen dem ersten und dem zweiten Reflektor vorgesehen sind. Bei zumindest entweder dem ersten Reflektor und/oder dem zweiten Reflektor unterscheidet sich zumindest entweder eine Elektrodenfingerbreite oder ein Elektrodenfingerzwischenraum im Vergleich zu den umgebenden Elektrodenfingern, und in dem ersten und dem zweiten Oberflächenwellenfilterelement sind die ersten Reflektoren in ihrer Struktur identisch, und die zweiten Reflektoren sind in ihrer Struktur identisch.
  • Dadurch kann verhindert werden, daß eine Störkomponente außerhalb des Durchlaßbands, speziell in der Nähe des Durchlaßbands, erzeugt wird. Somit kann die erforderliche Dämpfung erhöht werden, wodurch die erforderliche Dämpfung erhalten wird.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung wird ein Oberflächenwellenbauelement geschaffen, das ein piezoelektrisches Substrat und ein erstes und ein zweites Oberflächenwellenfilterelement umfaßt, die auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet sind, um eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufzuweisen, und die jeweils zumindest zwei Interdigitalwandler, die entlang einer Ausbreitungsrichtung der Oberflächenwellen angeordnet sind, und einen ersten Reflektor und einen zweiten Reflektor umfassen, die so angeordnet sind, daß die zumindest zwei Interdigitalwandler entlang der Ausbreitungsrichtung zwischen dem ersten und dem zweiten Reflektor vorgesehen sind. Bei zumindest entweder dem ersten Reflektor und/oder dem zweiten Reflektor unterscheidet sich ein Fingerbreiteverhältnis im Vergleich zu den umgebenden Elektrodenfingern, und in dem ersten und dem zweiten Oberflächenwellenfilterelement sind die ersten Reflektoren in ihrer Struktur identisch, und die zweiten Reflektoren sind in ihrer Struktur identisch.
  • Dadurch kann verhindert werden, daß eine Störkomponente außerhalb des Durchlaßbands, speziell in der Nähe des Durchlaßbands, erzeugt wird. Somit kann die erforderliche Dämpfung erhöht werden, wodurch die erforderliche Dämpfung erhalten wird.
  • Das vorstehende Oberflächenwellenbauelement umfaßt vorzugsweise ein weiteres Oberflächenwellenfilterelement, das in einer Kaskade geschaltet ist.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung wird ein Oberflächenwellenbauelement geschaffen, das ein piezoelektrisches Substrat und ein erstes, zweites, drittes und viertes Oberflächenwellenfilterelement umfaßt, die auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet sind, um eine Symmetrisch-Unymmetrisch-Umwandlungs-Funktion aufzuweisen, und die jeweils zumindest zwei Interdigitalwandler, die entlang einer Ausbreitungsrichtung der Oberflächenwellen angeordnet sind, und einen Satz von Reflektoren umfassen, die so angeordnet sind, daß die zumindest zwei Interdigitalwandler entlang der Ausbreitungsrichtung zwischen den gegenüberliegenden Reflektoren des Satzes von Reflektoren vorgesehen sind. Das erste und das dritte Oberflächenwellenfilterelement sind in einer Kaskade zueinander geschaltet, und das zweite und das vierte Oberflächenwellenfilterelement sind zueinander in einer Kaskade zueinander geschaltet. Das erste und das zweite Oberflächenwellenfilterelement weisen die gleichen Sätze von Reflektoren auf, und das dritte und das vierte Oberflächenwellenfilterelement weisen die gleichen Sätze von Reflektoren auf. Die Sätze von Reflektoren in dem ersten und dem zweiten Oberflächenwellenfilterelement unterscheiden sich in ihrer Struktur von den Sätzen der Reflektoren in dem dritten und vierten Oberflächenwellenfilterelement.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung wird ein Oberflächenwellenbauelement geschaffen, das ein piezoelektrisches Substrat und ein erstes, zweites, drittes und viertes Oberflächenwellenfilterelement umfaßt, die auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet sind, um eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufzuweisen, und die jeweils zumindest zwei Interdigitalwandler, die entlang einer Ausbreitungsrichtung der Oberflächenwellen angeordnet sind, und einen Satz von Reflektoren umfassen, die angeordnet sind, so daß die zumindest zwei Interdigitalwandler entlang der Ausbreitungsrichtung zwischen den gegenüberliegenden Reflektoren des Satzes von Reflektoren vorgesehen sind. Das erste und das dritte Oberflächenwellenfilterelement sind in einer Kaskade zueinander geschaltet, und das zweite und das vierte Oberflächenwellenfilterelement sind in einer Kaskade zueinander geschaltet. Das erste und das vierte Oberflächenwellenfilterelement weisen die gleichen Sätze von Reflektoren auf, und das zweite und das dritte Oberflächenwellenfilterelement weisen die gleichen Sätze von Reflektoren auf. Die Sätze von Reflektoren in dem ersten und dem vierten Oberflächenwellenfilterelement unterscheiden sich in ihrer Struktur von den Sätzen der Reflektoren in dem zweiten und dritten Oberflächenwellenfilterelement.
  • Gemäß der vorstehenden Konfiguration umfaßt ein Oberflächenwellenbauelement zumindest zwei IDTs in einer Richtung, in die die Oberflächenwellen übertragen werden. Somit kann das Oberflächenwellenbauelement eine Filterfunktion ausführen, bei der ermöglicht ist, daß ein elektrisches Signal mit einer Durchlaßbandfrequenz, die durch eine Umwandlung zwischen einem elektrischen Signal in jedem IDT und den Oberflächenwellen bestimmt wird, mit einer geringfügigen Beeinträchtigung passiert und bei der ein elektrisches Signal außerhalb des Durchlaßbands reduziert wird.
  • Bei der vorstehenden Konfiguration sind die Oberflächenwellenfilterelemente so angeordnet, daß sie eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweisen. Somit kann das Oberflächenwellenbauelement die Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion ausführen.
  • Zusätzlich können bei der vorstehenden Konfiguration die umfaßten Reflektoren Oberflächenwellen von einem IDT zu einem anderen IDT reflektieren. Somit kann eine Effizienz, mit der die erzeugten Oberflächenwellen in ein elektrisches Signal umgewandelt werden, erhöht werden.
  • Bei der vorstehenden Konfiguration unterscheiden sich die Reflektoren in einem ersten Oberflächenwellenfilterelement in ihrer Struktur von jenen in einem dritten Oberflächenwellenfilterelement, und die Reflektoren in einem zweiten Oberflächenwellenfilterelement unterscheiden sich in ihrer Struktur von jenen in einem vierten Oberflächenwellenfilterelement. Somit kann außerhalb des Durchlaßbandes, speziell in der Nähe des Durchlaßbandes, verhindert werden, daß eine überflüssige Störkomponente erzeugt wird, um eine Dämpfung zu erhöhen, so daß die erforderliche Dämpfung erhalten werden kann.
  • Zusätzlich sind bei den vier Oberflächenwellenfilterelementen die Reflektoren in einem ersten Oberflächenwellenfilterelement in ihrer Struktur mit jenen in einem zweiten Oberflächenwellenfilterelement identisch, und die Reflektoren in einem dritten Oberflächenwellenfilterelement sind in ihrer Struktur mit jenen in einem vierten Oberflächenwellenfilterelement identisch. Somit werden die Amplitudensymmetrie und die Phasensymmetrie im unteren Bereich des Durchlaßbands verbessert. Dementsprechend kann ein Oberflächenwellenbauelement geschaffen werden, das eine große Dämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands und eine große Gleichtaktdämpfung aufweist.
  • In dem Oberflächenwellenbauelement unterscheidet sich vorzugsweise die Anzahl von Elektrodenfingern des Reflektors eines ersten Oberflächenwellenfilterelements von der des Reflektors in einem dritten Oberflächenwellenfilterelement, und die Anzahl von Elektrodenfingern des Reflektors eines zweiten Oberflächenwellenfilterelements unterscheidet sich von der des Reflektors eines vierten Oberflächenwellenfilterelements.
  • In dem Oberflächenwellenbauelement unterscheidet sich vorzugsweise das Fingerbreiteverhältnis des Reflektors eines ersten Oberflächenwellenfilterelements von der des Reflektors eines dritten Oberflächenwellenfilterelements, und das Fingerbreiteverhältnis des Reflektors eines zweiten Oberflächenwellenfilterelements unterscheidet sich von der des Reflektors eines vierten Oberflächenwellenfilterelements.
  • Bei dem Oberflächenwellenbauelement unterscheidet sich der Elektrodenfingerzwischenraum des Reflektors eines ersten Oberflächenwellenfilterelements vorzugsweise von dem des Reflektors eines dritten Oberflächenwellenfilterelements, und der Elektrodenfingerzwischenraum des Reflektors eines zweiten Oberflächenwellenfilterelements unterscheidet sich von dem des Reflektors eines vierten Oberflächenwellenfilterelements.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung wird ein Oberflächenwellenbauelement geschaffen, das ein piezoelektrisches Substrat und ein erstes, zweites, drittes und viertes Oberflächenwellenfilterelement umfaßt, die auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet sind, um eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufzuweisen, und die jeweils zumindest zwei Interdigitalwandler, die entlang einer Ausbreitungsrichtung der Oberflächenwellen angeordnet sind, und einen Satz von Reflektoren umfassen, die so angeordnet sind, daß die zumindest zwei Interdigitalwandler entlang der Ausbrei tungsrichtung zwischen den gegenüberliegenden Reflektoren des Satzes von Reflektoren vorgesehen sind. Das erste und das dritte Oberflächenwellenfilterelement sind in einer Kaskade zueinander geschaltet, und das zweite und das vierte Oberflächenwellenfilterelement sind in einer Kaskade zueinander geschaltet. Eine Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen einem der Reflektoren in dem ersten Oberflächenwellenfilterelement und einem Interdigitalwandler, der zu demselben benachbart ist, unterscheidet sich von einer Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen einem der Reflektoren in dem dritten Oberflächenwellenfilterelement und einem Interdigitalwandler, der zu demselben benachbart ist. Eine Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen einem der Reflektoren in dem zweiten Oberflächenwellenfilterelement und einem Interdigitalwandler, der zu demselben benachbart ist, unterscheidet sich von einer Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen einem der Reflektoren in dem vierten Oberflächenwellenfilterelement und einem Interdigitalwandler, der zu demselben benachbart ist. Eine Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen einem der Reflektoren in dem ersten Oberflächenwellenfilterelement und einem Interdigitalwandler, der zu demselben benachbart ist, ist gleich einer Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen einem der Reflektoren in dem zweiten Oberflächenwellenfilterelement und einem Interdigitalwandler, der zu demselben benachbart ist. Eine Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen einem der Reflektoren im dritten Oberflächenwellenfilterelement und einem Interdigitalwandler, der zu demselben benachbart ist, ist gleich einer Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen einem der Reflektoren in dem vierten Oberflächenwellenfilterelement und einem Interdigitalwandler, der zu demselben benachbart ist.
  • Bei der vorstehenden Konfiguration unterscheiden sich die Reflektoren in dem ersten Oberflächenwellenfilterelement in ihrer Struktur von jenen in einem dritten Oberflächenwellenfilterelement, und die Reflektoren in einem zweiten Oberflächenwellenfilterelement unterscheiden sich in ihrer Struktur von jenen in einem vierten Oberflächenwellenfilterelement. Somit kann außerhalb des Durchlaßbandes, speziell in der Nähe des Durchlaßbandes, verhindert werden, daß eine überflüssige Störkomponente erzeugt wird, um eine Dämpfung zu erhöhen, so daß die erforderliche Dämpfung erhalten werden kann.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung wird ein Oberflächenwellenbauelement geschaffen, das ein piezoelektrisches Substrat und ein erstes, zweites, drittes und viertes Oberflächenwellenfilterelement umfaßt, die auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet sind, um eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufzuweisen, und die jeweils zumindest zwei Interdigitalwandler, die entlang einer Ausbreitungsrichtung der Oberflächenwellen angeordnet sind, und einen Satz von Reflektoren umfassen, die so angeordnet sind, daß die zumindest zwei Interdigitalwandler entlang der Ausbreitungsrichtung zwischen den gegenüberliegenden Reflektoren des Satzes von Reflektoren vorgesehen sind. Das erste und das dritte Oberflächenwellenfilterelement sind in einer Kaskade zueinander geschaltet, und das zweite und das vierte Oberflächenwellenfilterelement sind in einer Kaskade zueinander geschaltet. Eine Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen einem der Reflektoren in dem ersten Oberflächenwellenfilterelement und einem Interdigitalwandler, der zu demselben benachbart ist, unterscheidet sich von einer Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen einem der Reflektoren in dem dritten Oberflächenwellenfilterelement und einem Interdigitalwandler, der zu demselben benachbart ist. Eine Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen einem der Reflektoren in dem zweiten Oberflächenwellenfilterelement und einem Interdigitalwandler, der zu demselben benachbart ist, unterscheidet sich von einer Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen einem der Reflektoren in dem vierten Oberflächenwellenfilterelement und einem Interdigitalwandler, der zu demselben benachbart ist. Eine Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen einem der Reflektoren in dem ersten Oberflächenwellenfilterelement und einem Interdigitalwandler, der zu demselben benachbart ist, ist gleich einer Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen einem der Reflektoren in dem vierten Oberflächenwellenfilterelement und einem Interdigitalwandler, der zu demselben benachbart ist. Eine Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen einem der Reflektoren in dem zweiten Oberflächenwellenfilterelement und einem Interdigitalwandler, der zu demselben benachbart ist, ist gleich einer Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen einem der Reflektoren in dem dritten Oberflächenwellenfilterelement und einem Interdigitalwandler, der zu demselben benachbart ist.
  • Gemäß der vorstehenden Konfiguration unterscheiden sich die Reflektoren in einem ersten Oberflächenwellenfilterelement in ihrer Struktur von jenen in einem dritten Oberflächenwellenfilterelement, und die Reflektoren in einem zweiten Oberflächenwellenfilterelement unterscheiden sich in ihrer Struktur von jenen in einem vierten Oberflächenwellenfilterelement. Somit kann außerhalb des Durchlaßbandes, speziell in der Nähe des Durchlaßbandes, verhindert werden, daß eine überflüssige Störkomponente erzeugt wird, um eine Dämpfung zu erhöhen, so daß die erforderliche Dämpfung erhalten werden kann.
  • Gemäß einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der vorliegenden Erfindung wird eine Kommunikationsvorrichtung, die eines der vorstehenden Oberflächenwellenbauelemente umfaßt, geschaffen.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird durch Verwenden einer Konfiguration, bei der ein Oberflächenwellenbauelement eine große Dämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands und eine große Gleichtaktdämpfung aufweist, eine Kommunikationsvorrichtung, die eine große Dämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands und eine große Gleichtaktdämpfung aufweist, geschaffen.
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 1 ein schematisches Blockdiagramm eines SAW-Bauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,
  • 2 eine Schnittansicht der Hauptabschnitte des SAW-Bauelements gemäß dem vorstehenden Ausführungsbeispiel, das in einem Gehäuse realisiert ist,
  • 3 ein schematisches Blockdiagramm eines SAW-Bauelements gemäß einem vergleichbaren Beispiel 1;,
  • 4 einen Graphen, der Akustik-Frequenz-zu-Einfügungsverlust-Charakteristika des SAW-Bauelements in 1 und das SAW-Bauelement (vergleichbares Beispiel 2) in 2 zeigt,
  • 5 einen Graphen, der Frequenz-zu-Gleichtakt-Dämpfungscharakteristika des SAW-Bauelements in 1 und das SAW-Bauelement (vergleichbares Beispiel 2) in 2 zeigt,
  • 6 ein schematisches Blockdiagramm einer Modifizierung des SAW-Bauelements in 1,
  • 7 ein schematisches Blockdiagramm einer weiteren Modifizierung des SAW-Bauelements in 1,
  • 8 ein schematisches Blockdiagramm einer weiteren Modifizierung des SAW-Bauelements in 1,
  • 9 ein schematisches Blockdiagramm von noch einer weiteren Modifizierung des SAW-Bauelements in 1,
  • 10 eine Schnittansicht, die einen Herstellungsprozeß des SAW-Bauelements gemäß dem vorstehenden Ausführungsbeispiel zeigt,
  • 11 eine Schnittansicht, die einen weiteren Herstellungsprozeß des SAW-Bauelements gemäß dem vorstehenden Ausführungsbeispiel zeigt,
  • 12 ein schematisches Blockdiagramm einer weiteren Modifizierung des SAW-Bauelements in 1,
  • 13 ein schematisches Blockdiagramm von noch einer weiteren Modifizierung des SAW-Bauelements in 1,
  • 14 ein schematisches Blockdiagramm von noch einer weiteren Modifizierung des SAW-Bauelements in 1,
  • 15 ein schematisches Blockdiagramm eines SAW-Bauelements gemäß einem Vergleichsbeispiel der vorliegenden Erfindung,
  • 16 ein schematisches Blockdiagramm einer Modifizierung des SAW-Bauelements in 15,
  • 17 ein schematisches Blockdiagramm einer weiteren Modifizierung des SAW-Bauelements in 15,
  • 18 ein schematisches Blockdiagramm einer weiteren Modifizierung des SAW-Bauelements in 15,
  • 19 ein schematisches Blockdiagramm eines SAW-Bauelements der verwandten Technik,
  • 20 ein schematisches Blockdiagramm eines SAW-Bauelements gemäß einem vergleichbaren Beispiel 1,
  • 21 einen Graphen, der Akustik-Frequenz-zu-Einfügungsverlust-Charakteristika des SAW-Bauelements der verwandten Technik und das SAW-Bauelement (vergleichbares Beispiel 1) zeigt,
  • 22 einen Graphen, der Frequenz-zu-Gleichtakt-Dämpfungscharakteristika des SAW-Bauelements der verwandten Technik und das SAW-Bauelement (vergleichbares Beispiel 1) zeigt,
  • 23 ein Blockdiagramm von Hauptabschnitten einer Kommunikationsvorrichtung, in der ein SAW-Bauelement wie bei jedem Ausführungsbeispiel verwendet wird, und
  • 24 ein schematisches Blockdiagramm eines herkömmlichen SAW-Bauelements.
  • Ausführungsbeispiel 1
  • Ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf 1 bis 11 beschrieben. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird ein Oberflächenwellenbauelement für einen Empfang in einem DCS (DCS = digital communication system = digitales Kommunikationssystem) als Beispiel beschrieben.
  • 1 zeigt die Konfiguration der Hauptkomponenten eines SAW-Bauelements 200 gemäß diesem Ausführungsbeispiel. Das SAW-Bauelement 200 umfaßt auf einem piezoelektrischen Substrat (nicht gezeigt) zwei SAW-Filter 201 und 202 mit einem längsgekoppelten Resonator und die SAW-Filter 203 und 204, die jeweils mit den SAW-Filtern 201 und 202 in Reihe geschaltet sind. Die SAW-Filter 201 und 202 mit einem längsgekoppelten Resonator und die SAW-Resonatoren 203 und 204 sind durch Aluminiumelektroden gebildet. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird ein 40±5-Grad-Y-Schnitt-X-Übertragungs-LiTaO3-Substrat als das piezoelektrische Substrat verwendet. Das SAW-Bauelement 200 verwendet die SAW-Filter 201 und 202 mit einem längsgekoppelten Resonator, um eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufzuweisen. Hier wird ein Beispiel erwähnt, bei dem, in dem SAW-Bauelement 200, die Impedanz eines Unsymmetrisches-Signalanschlusses 50 Ω ist und die Impedanz eines Symmetrisches-Signalanschlusses 150 Ω ist.
  • Bei der Konfiguration des SAW-Filters 201 mit einem längsgekoppelten Resonator sind die Interdigitalwandler 205 und 207 mit einem IDT 206, der zwischen denselben vorgesehen ist, gebildet, und die Reflektoren 208 und 209 sind auf den Seiten der IDTs 205 und 207 gebildet. Wie in 1 gezeigt ist, weisen die IDTs 205 und 206, die benachbart zueinander sind, und die IDTs 206 und 207, die benachbart zueinander sind, einen Elektrodenfingerzwischenraum auf, der schmaler ist als der in den Abschnitten der anderen IDTs (Schmalabstands-Elektrodenfingerabschnitte 218 und 219). Bei der Konfiguration des SAW-Filters 202 mit einem längsgekoppelten Resonator sind die IDTs 210 und 212 mit einem IDT 211, der zwischen denselben vorgesehen ist, gebildet, und die Reflektoren 213 und 214 sind auf den Seiten der beiden Reflektoren gebildet.
  • Wie bei dem SAW-Filter 201 mit einem längsgekoppelten Resonator ist der Schmalabstands-Elektrodenfingerabschnitt 220 zwischen den IDTs 210 und 211 vorgesehen, und ein Schmalabstands-Elektrodenfingerabschnitt 221 ist zwischen den IDTs 211 und 212 vorgesehen. Die Richtungen der IDTs 210 und 212 in dem SAW-Filter 202 mit einem längsgekoppel ten Resonator weisen ebenfalls eine inverse Beziehung in einer interdigitalen Länge mit den IDTs 205 und 207 in dem SAW-Filter 201 mit einem längsgekoppelten Resonator auf. Somit ist die Phase eines Ausgangssignals zu einem Eingangssignal bei dem SAW-Filter 202 mit einem längsgekoppelten Resonator im Vergleich zu dem SAW-Filter 201 mit einem längsgekoppelten Resonator näherungsweise um 180 Grad invertiert.
  • Bei diesem Ausführungsbeispiel sind der IDT 206 in dem SAW-Filter 201 mit einem längsgekoppelten Resonator und der IDT 211 in dem SAW-Filter 202 mit einem längsgekoppelten Resonator mit einem Unsymmetrisches-Signalanschluß 215 verbunden. Die IDTs 205 und 207 in dem SAW-Filter 201 mit einem längsgekoppelten Resonator sind mit einem Symmetrisches-Signalanschluß 216 verbunden, und die IDTs 210 und 212 sind in dem SAW-Filter 202 mit einem längsgekoppelten Resonator mit einem Symmetrisches-Signalanschluß 217 verbunden.
  • Beide SAW-Resonatoren 203 und 204 sind in ihrer Struktur identisch. Die Reflektoren 222 und 224 sind mit einem IDT 223, der zwischen denselben vorgesehen ist, gebildet, und die Reflektoren 225 und 227 sind mit einem IDT 226, der zwischen denselben vorgesehen ist, gebildet.
  • Anschließend ist eine Schnittansicht eines SAW-Bauelements, das bei diesem Ausführungsbeispiel in einem Gehäuse untergebracht ist, in 2 gezeigt. Das SAW-Bauelement weist eine Struktur auf, die durch eine Flip-Chip-Technik gebildet wurde, bei der eine Leitung zwischen dem Gehäuse und einem piezoelektrischen Substrat 305, auf dem ein SAW-Filter eingerichtet ist, durch Kontakthügelverbindungsabschnitte 306 erfolgt.
  • Das vorstehende Gehäuse weist eine Dualschichtstruktur auf und weist eine Bodenplatte 301, Seitenwände 302, eine Chipanbringungsoberfläche 303 und eine Abdeckung 304 auf. Die Bodenplatte 301 ist beispielsweise rechteckig, und in den vier peripheren Abschnitten derselben sind die Seitenwände 302 in stehender Weise angeordnet. Die Abdeckung 303 deckt eine Öffnung ab, die durch die Seitenwände 203 gebildet ist. Auf der oberen (internen) Oberfläche der Bodenplatte 301 ist die Chipanbringungsoberfläche 303 gebildet, die eine Leitung mit dem piezoelektrischen Substrat 305 einrichtet. Das piezoelektrische Substrat 305 und die Chipanbringungsoberfläche 303 sind miteinander durch den Kontakthügelverbindungsabschnitt 306 verbunden.
  • In dem SAW-Bauelement 200, das ein längsgekoppelter Resonatortyp ist, unterscheidet sich die Anzahl von Elektrodenfingern des Reflektors 209 von der des Reflektors 208, und die Anzahl von Elektrodenfingern auf dem Reflektor 213 unterscheidet sich von der des Reflektors 214. Die Reflektoren 208 und 213 weisen die gleiche Anzahl von Elektrodenfingern auf, und die Reflektoren 209 und 214 weisen die gleiche Anzahl von Elektrodenfingern auf.
  • Ein Beispiel eines ausführlichen Entwurfs von jeweils den SAW-Filtern 201 und 202 mit einem längsgekoppelten Resonator ist wie folgt:
    Wenn eine Wellenlänge, die durch den Abstand der Elektrodenfinger bestimmt wird, in einem Fall, in dem der Abstand nicht verengt ist, durch λI dargestellt ist, beträgt die interdigitale Länge 41,8 λ,.
    die Anzahl von Elektrodenfingern von jedem IDT: (in der Ordnung der IDTs 205, 206 und 207): 18 (3)/(3) 33 (3)/(3) 18 (die in Klammern stehende Zahl zeigt die Zahl der Elektrodenfinger an, die einen verengten Abstand aufweisen),
    die Anzahl von Elektrodenfingern von jedem Reflektor: 60 (Reflektoren 208 und 213); 90 (Reflektoren 209 und 214)
    Fingerbreiteverhältnis: 0,72 (IDT); 0,57 (Reflektor)
    Elektrodenfilmdicke: 0,092 λI
  • Zusätzlich ist ein Beispiel eines ausführlichen Entwurfs von jeweils den SAW-Resonatoren 203 und 204 wie folgt:
    interdigitale Länge: 34,9 λI
    die Anzahl von Elektrodenfingern von jedem IDT: 250
    die Anzahl von Elektrodenfingern von jedem Reflektor: 15
    Fingerbreiteverhältnis: 0,60
    Elektrodenfilmdicke: 0,093 λI
  • Als Vergleich zu dem SAW-Bauelement 200 gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist ein SAW-Bauelement 250 entsprechend dem Vergleichsbeispiel 2 in 3 gezeigt. Das SAW-Bauelement 250 weist eine Konfiguration auf, bei der die Reflektoren 208 und 214 in dem SAW-Bauelement 200 durch die Reflektoren 208' und 214' ersetzt sind. Der Reflektor 208' ist in seiner Struktur mit dem Reflektor 209 identisch, und der Reflektor 214 ist in seiner Struktur mit dem Reflektor 213 identisch. In anderen Worten ist die Anzahl der Reflektoren 208' und die Anzahl der Reflektoren 209 bezüglich der Entwurfsparameter in dem SAW-Bauelement 250 jeweils auf 60 eingestellt, und die Anzahl der Reflektoren 213 und die Anzahl der Reflektoren 214' ist jeweils auf 90 eingestellt. Die anderen Entwurfsparameter sind ähnlich jenen in dem SAW-Bauelement 200.
  • Die Frequenz-zu-Einfügungsverlustcharakteristika des SAW-Bauelements 200 und des SAW-Bauelements 250 in dem Vergleichsbeispiel 2 sind in 4 gezeigt, und die Frequenz-zu-Gleichtaktdämpfungscharakteristika des SAW-Bauelements 200 und des SAW-Bauelements 250 in dem Vergleichsbeispiel 2 sind in 5 gezeigt.
  • 4 ist zu entnehmen, daß bezüglich der Dämpfung um 1.780 MHz im Durchlaßband zwischen dem SAW-Bauelement 200 und dem SAW-Bauelement 250 bei dem Vergleichsbeispiel 2 nahezu kein Unterschied besteht. Dies ist darin begründet, daß, durch Einstellen der Anzahl von Elektrodenfingern des Reflektors 209, um sich von der des Reflektors 208 zu unterscheiden, und Einstellen der Anzahl von Elektrodenfingern des Reflektors 214, um sich von der des Reflektors 213 zu unterscheiden, ein Prellen der Reflexionscharakteristika des Reflektors, das im unteren Bereich des Durchlaßbands eintritt, aufgehoben werden kann, wodurch eine Störkomponente im unteren Bereich des Durchlaßbands verbessert wird.
  • Unter Bezugnahme auf 5 weist das SAW-Bauelement 250 in dem Vergleichsbeispiel 2 ebenfalls eine Gleichtaktdämpfung von näherungsweise 23 dB um 1.640 auf 1.780 MHz auf, während das SAW-Bauelement 200 eine Dämpfung von näherungsweise 30 dB aufweist. In anderen Worten wurde festgestellt, daß die Gleichtaktdämpfung verbessert wird. Diese Verbesserung der Gleichtaktdämpfung ist ein Effekt des Verbessern der Amplitudensymmetrie und der Phasensymmetrie des unteren Bereichs des Durchlaßbands in den SAW-Filtern 201 und 202 mit längsgekoppeltem Resonatoren im Vergleich zu dem SAW-Bauelement in dem Vergleichsbeispiel 2, indem die Anzahl von Elektrodenfingern der Reflektoren 208 und 213 eingestellt ist, um einen gleichen Wert aufzuweisen, und indem die Anzahl von Elektrodenfingern der Reflektoren 209 und 214 eingestellt ist, um einen gleichen Wert aufzuweisen. Dieser Effekt kann auch durch Gleichsetzen der Anzahl von Elektrodenfingern der Reflektoren 208 und 214 und durch Gleichsetzen der Anzahl von Elektrodenfingern der Reflektoren 209 und 213 erreicht werden.
  • Wie vorstehend beschrieben, werden bei dem SAW-Bauelement 200 gemäß diesem Ausführungsbeispiel zwei SAW-Filter 201 und 202 mit längsgekoppeltem Resonator, in denen die SAW-Resonatoren in Reihe geschaltet sind, verwendet, um die Phasen der SAW-Filter 201 und 202 mit längsgekoppeltem Resonator um näherungsweise 180 Grad zu verschieben, wodurch die Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion eingerichtet wird.
  • Zusätzlich ist die Anzahl der Elektrodenfinger des Reflektors 209 so eingestellt, um sich von der des Reflektors 208 zu unterscheiden, und die Anzahl der Elektrodenfinger des Reflektors 208 ist so eingestellt, um sich von der des Reflektors 213 zu unterscheiden. Dies kann eine Dämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands im SAW-Bauelement 200 deutlich erhöhen.
  • Außerdem ist die Anzahl der Elektrodenfinger der Reflektoren 208 und 214 eingestellt, um gleich zu sein, und die Anzahl der Elektrodenfinger der Reflektoren 209 und 213 ist eingestellt, um gleich zu sein. In anderen Worten sind die Strukturen der Reflektoren 208 und 214 miteinander identisch, und die Strukturen der Reflektoren 209 und 213 sind miteinander identisch. Dies kann die Gleichtaktdämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands im SAW-Bauelement 200 deutlich erhöhen.
  • Basierend auf diesen Punkten wird ein SAW-Bauelement erhalten, das gute Dämpfungscharakteristika in der Nähe des Durchlaßbandes außerhalb des Durchlaßbandes aufweist und das eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweist. Speziell wird ein SAW-Bauelement erhalten, das eine große Dämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands und eine große Gleichtaktdämpfung aufweist.
  • Bezüglich des SAW-Bauelements 200 gemäß diesem Ausführungsbeispiel ist ein Fall gezeigt, in dem die Anzahl von Elektrodenfingern des Reflektors 209 sich von der des Reflektors 208 unterscheidet, und die Anzahl von Elektrodenfingern des Reflektors 214 sich von der des Reflektors 213 unterscheidet. Wenn jedoch in einem anderen Punkt, außer der Anzahl von Elektrodenfingern des Reflektors, ein Unterschied besteht, können nahezu ähnliche Effekte erreicht werden.
  • Ein SAW-Bauelement 260 (in 6 gezeigt) gemäß einer Modifizierung 1 weist beispielsweise eine Konfiguration auf, bei der, in dem SAW-Bauelement 200, das Fingerbreite verhältnis des Reflektors 209 eingestellt ist, um sich von der des Reflektors 208 zu unterscheiden, und das Fingerbreiteverhältnis des Reflektors 214 so eingestellt ist, um sich von der des Reflektors 213 zu unterscheiden.
  • Bei der Konfiguration des SAW-Bauelements 260 weisen die Reflektoren 208 und 213 in dem SAW-Bauelement 200 ebenfalls das gleiche Fingerbreiteverhältnis auf, und die Reflektoren 209 und 214 weisen das gleiche Fingerbreiteverhältnis auf. In anderen Worten sind die Strukturen der Reflektoren 208 und 214 miteinander identisch, und die Strukturen der Reflektoren 209 und 213 sind miteinander identisch.
  • Basierend auf diesen Punkten wird ein SAW-Bauelement erhalten, das gute Dämpfungscharakteristika in der Nähe des Durchlaßbands aufweist und das eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweist. Ein SAW-Bauelement, das eine große Dämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands und eine große Gleichtaktdämpfung aufweist, wird ebenfalls erhalten.
  • Wie 7 zeigt, weist auch ein SAW-Bauelement 261 gemäß der Modifizierung 2 eine Konfiguration auf, bei der, in dem SAW-Bauelement 200, der Reflektor 209 einen Elektrodenfingerzwischenraum aufweist, der sich von dem des Reflektors 208 zu unterscheidet, und der Reflektor 214 weist einen Elektrodenfingerzwischenraum auf, der sich von dem des Reflektors 213 zu unterscheidet.
  • Bei der Konfiguration des SAW-Bauelements 260, in dem SAW-Bauelement 200, weisen die Reflektoren 208 und 213 ebenfalls den gleichen Elektrodenfingerzwischenraum auf, und die Reflektoren 209 und 214 weisenden gleichen Elektrodenfingerzwischenraum auf. In anderen Worten sind die Strukturen der Reflektoren 208 und 214 miteinander identisch, und die Strukturen der Reflektoren 209 und 213 sind miteinander identisch.
  • Basierend auf diesen Punkten wird ein SAW-Bauelement erhalten, das gute Dämpfungscharakteristika in der Nähe des Durchlaßbands außerhalb des Durchlaßbands und eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweist. Speziell wird ein SAW-Bauelement erhalten, das eine große Dämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands und eine große Gleichtaktdämpfung aufweist.
  • Wie 8 zeigt, weist ein SAW-Bauelement 262 gemäß Modifizierung 3 ebenfalls eine Konfiguration auf, bei der, in dem SAW-Bauelement 200, sich die Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger a zwischen dem Reflektor 208 und dem IDT 205, der zu demselben benachbart ist, von der Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger b zwischen dem Reflektor 209 und dem IDT 207, der zu demselben benachbart ist, unterscheidet. Bei der Konfiguration des SAW-Bauelements 262, in dem SAW-Bauelement 200, unterscheidet sich die Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger c zwischen dem Reflektor 213 und dem IDT 210, der zu demselben benachbart ist, von der Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger d zwischen dem Reflektor 214 und dem IDT 212, der zu demselben benachbart ist.
  • Die Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger a ist gleich der Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger c, und die Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger b ist gleich der Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger d.
  • Basierend auf diesen Punkten wird ein SAW-Bauelement, das gute Dämpfungscharakteristika in der Nähe des Durchlaßbands außerhalb des Durchlaßbands und eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweist, erhalten. Ebenfalls wird ein SAW-Bauelement, das eine große Dämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands und eine große Gleichtaktdämpfung aufweist, erhalten.
  • Wie 9 zeigt, weist ein SAW-Bauelement 263 gemäß Modifizierung 4 ebenfalls eine Konfiguration auf, bei der, in dem SAW-Bauelement 200, ein SAW-Filter 401 mit einem längsgekoppelten Resonator mit den SAW-Filtern 201 und 202 mit einem längsgekoppelten Resonator in Kaskade geschaltet ist. Dies kann bewirken, daß das SAW-Bauelement 263 gute Dämpfungscharakteristika in der Nähe des Durchlaßbands außerhalb des Durchlaßbands und eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweist. Speziell wird ein SAW-Bauelement erhalten, das eine große Dämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands und eine große Gleichtaktdämpfung aufweist.
  • Bei dem SAW-Bauelement 263 werden unter den drei IDTs die Phasen der zwei IDTs invertiert, wodurch eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion erhalten wird. Die Anzahl der Elektrodenfinger von jedem IDT ist jedoch nicht auf drei beschränkt, wenn die Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion erhalten werden kann. Durch Verwendung der IDTs, bei denen zumindest zwei Phasen invertiert werden, kann beispielsweise eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion erhalten werden.
  • Bei diesem Ausführungsbeispiel ist ein SAW-Bauelement, das eine Form aufweist, die unter Verwendung eines Vorderseite-nach-unten-Verfahrens gehäust wurde, um eine Leitung zwischen dem Gehäuse und dem piezoelektrischen Substrat einzurichten, unter Bezugnahme auf 2 beschrieben worden. Die Leitung zwischen dem Gehäuse und dem piezoelektrischen Substrat kann jedoch durch Verwenden einer Drahtverbindungstechnik eingerichtet werden. In 2 wird das Vorderseite-nach-unten-Verfahren verwendet, um ein SAW-Bauelement mit einem Gehäuse zu verbinden. Eine Verbindungstechnik ist jedoch nicht auf die Vorderseite-nach-unten-Technik beschränkt. Wie 10 zeigt, kann beispielsweise ein gehäustes SAW-Bauelement durch Verbinden eines piezoelektrischen Substrats 452 mit einer Hauptbasis 451 durch Verwenden einer Flip-Chip-Technik erzeugt werden, wobei die Hauptbasis 451 und das piezoelektrische Substrat 452 versiegelt werden, indem beide mit Harz 453 bedeckt werden und die Versiegelten in Gehäuseeinheiten (Bausteineinheiten) vereinzelt werden. Wie 11 zeigt, kann auch ein gehäustes SAW-Bauelement erzeugt werden, indem ein piezoelektrisches Substrat 462 mit einer Hauptbasis 461 verbunden wird, indem die Flip-Chip-Technik verwendet wird, wobei die Hauptbasis 461 und das piezoelektrische Substrat 462 durch Verwendung der Flip-Chip-Technik versiegelt werden, indem beide mit einem Harzmaterial 463 bedeckt werden und die Versiegelten in Gehäuseeinheiten vereinzelt werden.
  • In dem vorstehenden Fall wird ein 40±5-Grad-Y-Schnitt-X-Übertragungs-LiTaO3-Substrat verwendet. Wie anhand des Grundsatzes zu ersehen ist, gemäß dem die Vorteile erhalten werden können, können bei der vorliegenden Erfindung durch Verwendung von nicht nur dem vorstehenden Substrat, sondern auch von Substraten, wie z. B. dem 64–72-Grad-Y-Schnitt-X-Übertragungs-LiNbO3-Substrat und einem 41-Grad-Y-Schnitt-X-Übertragungs-LiNbO3-Substrat, ähnliche Vorteile erreicht werden.
  • Vergleichsbeispiel
  • Ein Vergleichsbeispiel ist nachstehend unter Bezugnahme auf 12 bis 14 beschrieben. Um die Beschreibung kurz zu halten, indem identische Bezugszeichen verwendet werden, um Bauglieder zu bezeichnen, die in ihrer Funktion mit jenen, die bei Ausführungsbeispiel 1 beschrieben wurden, identisch sind, wird auf die Beschreibung der Bauglieder verzichtet.
  • Das Ausführungsbeispiel 1 verwendet ein Verfahren zum Verringern einer Störkomponente im unteren Bereich des Durchlaßbands durch Verwenden einer Konfiguration, bei der in den SAW-Filtern 201 und 202 mit längsgekoppeltem Resonator die Reflektoren, die zu den Reflektoren 208 und 213 (in eine Richtung, in die die Oberflächenwellen übertragen werden) benachbart sind, sich in ihrer Struktur unterscheiden, und die Reflektoren, die zu den Reflektoren 209 und 214 (in eine Richtung, in die die Oberflächenwellen übertragen werden) benachbart sind, sich in ihrer Struktur unterscheiden. Bei dem Vergleichsbeispiel wird ein Verfahren beschrieben, das die Störkomponente im unteren Bereich des Durchlaßbands durch Verwenden des rechten und des linken Reflektors mit der gleichen Struktur reduziert. Spezifische Konfigurationen des SAW-Bauelements werden nachstehend unter Bezugnahme auf 12 bis 14 beschrieben.
  • Wie 12 zeigt, weist ein SAW-Bauelement 264 eine Konfiguration auf, bei der, in dem SAW-Bauelement 200, die Reflektoren 208, 209, 213 und 214 in ihrer Struktur identisch sind und durch eine Apodisation gewichtet sind.
  • Dadurch kann ein SAW-Bauelement gebildet werden, das die Störkomponente im unteren Bereich des Durchlaßbands reduziert und das gute Dämpfungscharakteristika in der Nähe des Durchlaßbands außerhalb des Durchlaßbands und eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweist. Speziell wird ein SAW-Bauelement erhalten, das eine große Dämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands und eine große Gleichtaktdämpfung aufweist. Die Reflektoren 208 und 213 und die Reflektoren 209 und 214 können ebenfalls in ihrer Struktur identisch sein, und nur die Reflektoren 208 und 213 können durch Apodisation gewichtet sein, oder nur die Reflektoren 209 und 214 können durch Apodisation gewichtet sein.
  • Zusätzlich, wie 13 zeigt, weist ein SAW-Bauelement 265 eine Konfiguration auf, bei der, in dem SAW-Bauelement 200, die Reflektoren 208, 209, 213 und 214 in ihrer Struktur identisch sind, und bei zumindest einem derselben zumindest entweder ein Elektrodenfinger oder ein Elektrodenfingerzwischenraum unterschiedlich ist.
  • Dadurch wird ein SAW-Bauelement gebildet, das die Störkomponente im unteren Bereich des Durchlaßbands reduziert und das gute Dämpfungscharakteristika in der Nähe des Durchlaßbands außerhalb des Durchlaßbands und eine Symmetrisch-zu-Unsym-metrisch-Umwandlungsfunktion aufweist. Speziell wird ein SAW-Bauelement erhalten, das eine große Dämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands und eine große Gleichtaktdämpfung aufweist. Die Reflektoren 208 und 213 und die Reflektoren 209 und 214 können ebenfalls in ihrer Struktur identisch sein, und bei zumindest einem von nur den Reflektoren 208 oder 213 kann zumindest entweder ein Elektrodenfinger oder ein Elektrodenfingerzwischenraum unterschiedlich sein, oder bei zumindest einem der Reflektoren 209 oder 214 kann zumindest entweder ein Elektrodenfinger oder ein Elektrodenfingerzwischenraum unterschiedlich sein.
  • Wie 14 zeigt, weist ein SAW-Bauelement 266 ebenfalls eine Konfiguration auf, bei der, in dem SAW-Bauelement 200, die Reflektoren 208, 209, 213 und 214 in ihrer Struktur identisch sind und einer derselben ein unterschiedliches Elektrodenfingerbreiteverhältnis aufweist. Dadurch kann ein SAW-Bauelement gebildet werden, das die Störkomponente im unteren Bereich des Durchlaßbands reduziert und das gute Dämpfungscharakteristika in der Nähe des Durchlaßbands außerhalb des Durchlaßbands und eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungs-funktion aufweist. Speziell wird ein SAW-Bauelement erhalten, das eine große Dämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands und eine große Gleichtaktdämpfung aufweist. Die Reflektoren 208 und 213 und die Reflektoren 209 und 219 können ebenfalls in ihrer Struktur identisch sein, und zumindest einer von nur den Reflektoren 208 und 213 kann ein unterschiedliches Elektrodenfingerbreiteverhältnis aufweisen oder zumindest einer von nur den Reflektoren 209 und 214 kann ein unterschiedliches Elektrodenfingerbreiteverhältnis aufweisen.
  • Weiteres Vergleichsbeispiel
  • Ein weiteres Vergleichsbeispiel wird nachstehend unter Bezugnahme auf 15 bis 18 beschrieben.
  • 15 zeigt die Konfiguration eines SAW-Bauelements 700 gemäß dem weiteren Vergleichsbeispiel. Das SAW-Bauelement 700 gemäß dem weiteren Vergleichsbeispiel umfaßt auf einem piezoelektrischen Substrat (nicht gezeigt) zwei SAW-Filter 701 und 702 mit einem längsgekoppelten Resonator und die SAW-Filter 703 und 704 mit einem längsgekoppelten Resonator, die mit den SAW-Filtern 701 und 702 mit einem längsgekoppelten Resonator in Kaskade geschaltet sind.
  • Die SAW-Filter 701, 702, 703 und 704 mit einem längsgekoppelten Resonator sind durch Aluminiumelektroden gebildet. Bei dem weiteren Vergleichsbeispiel wird ein 40±5-Grad-Y-Schnitt-X-Ubertragungs-LiTaO3-Substrat als das piezoelektrische Substrat verwendet. Das SAW-Bauelement 700 weist eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion auf, da die SAW-Filter 701 und 702 mit einem längsgekoppelten Resonator verwendet werden.
  • Bei dem SAW-Filter 701 mit einem längsgekoppelten Resonator sind die IDTs 705 und 707 mit einem IDT 706 gebildet, der zwischen denselben vorgesehen ist, und die Reflektoren 708 und 709 sind auf den Seiten von beiden Reflektoren gebildet.
  • Bei dem SAW-Filter 702 mit einem längsgekoppelten Resonator sind die IDTs 710 und 712 mit einem IDT 711, der zwischen denselben vorgesehen ist, gebildet, und die Reflektoren 713 und 714 sind auf den Seiten von beiden IDTs gebildet. Die Richtungen der IDTs 710 und 712 in dem SAW-Filter 702 mit einem längsgekoppelten Resonator weisen eine inverse Beziehung in einer interdigitalen Länge im Vergleich zu den IDTs 705 und 707 in dem SAW-Filter 701 mit einem längsgekoppelten Resonator auf. Dementsprechend ist die Phase eines Ausgangssignal zu einem Eingangssignal bei dem SAW-Filter 702 mit einem längsgekoppelten Resonator näherungsweise um 180 Grad im Vergleich zu dem SAW-Filter 701 mit einem längsgekoppelten Resonator invertiert.
  • Die Reflektoren 708, 709, 713 und 714 sind in ihrer Struktur allesamt identisch.
  • Bei dem SAW-Filter 703 mit einem längsgekoppelten Resonator sind die IDTs 715 und 717 mit einem IDT 716, der zwischen denselben vorgesehen ist, gebildet. Auf den Seiten von beiden IDTs sind die Reflektoren 718 und 719 gebildet.
  • Bei dem SAW-Filter 704 mit einem längsgekoppelten Resonator sind die IDTs 720 und 722 mit einem IDT 721, der zwischen denselben vorgesehen ist, gebildet. Auf den Seiten von beiden IDTs sind die Reflektoren 723 und 724 gebildet.
  • Die SAW-Filter 703 und 704 mit einem längsgekoppelten Resonator sind in ihrer Struktur allesamt identisch. In anderen Worten sind die Reflektoren 718, 719, 723 und 724 allesamt in ihrer Struktur identisch.
  • Bei dem weiteren Vergleichsbeispiel ist der IDT 706 in dem SAW-Filter 701 mit einem längsgekoppelten Resonator und der IDT 711 in dem SAW-Filter 702 mit einem längsgekoppelten Resonator mit einem Unsymmetrisches-Signalanschluß 725 verbunden. Die IDTs 705 und 707 in dem SAW-Filter 701 mit einem längsgekoppelten Resonator sind mit den IDTs 715 und 717 in dem SAW-Filter 703 mit einem längsgekoppelten Resonator verbunden. Die IDTs 710 und 712 in dem SAW-Filter 702 mit einem längsgekoppelten Resonator sind mit den IDTs 720 bzw. 722 in dem SAW-Filter 704 mit einem längsgekoppelten Resonator verbunden. Das IDT 716 in dem SAW-Filter 703 mit einem längsgekoppelten Resonator ist mit einem Unsymmetrisches-Signalanschluß 726 verbunden, und das IDT 721 in dem SAW-Filter 704 mit einem längsgekoppelten Resonator ist mit einem Unsymmetrisches-Signalanschluß 727 verbunden.
  • Zusätzlich unterscheidet sich die Anzahl der Reflektoren 718 und 719 in dem SAW-Filter 703 mit einem längsgekoppelten Resonator von jenen der Reflektoren 708 und 709 in dem SAW-Filter 701 mit einem längsgekoppelten Resonator, und die Anzahl der Reflektoren 723 und 724 in dem SAW-Filter 704 mit einem längsgekoppelten Resonator unterscheidet sich von jenen der Reflektoren 713 und 714 in dem SAW-Filter 702 mit einem längsgekoppelten Resonator. Die Anzahl der Elektrodenfinger der Reflektoren 708 und 709 in dem SAW-Filter 702 mit einem längsgekoppelten Resonator ist gleich jener der Elektrodenfinger der Reflektoren 713 und 714 in dem SAW-Filter 702 mit einem längsgekoppelten Resonator. Die Anzahl der Elektrodenfinger der Reflektoren 718 und 719 in dem SAW-Filter 703 mit einem längsgekoppelten Resonator ist gleich jener der Elektrodenfinger der Reflektoren 723 und 724 in dem SAW-Filter 704 mit einem längsgekoppelten Resonator.
  • Wie vorstehend beschrieben, werden bei dem SAW-Bauelement 700 gemäß dem weiteren Vergleichsbeispiel zwei SAW-Filter 701 und 702 mit einem längsgekoppelten Resonator, bei denen jeweils SAW-Resonatoren in Reihe geschaltet sind, verwendet, um die Phasen der SAW-Filter 701 und 702 mit einem längsgekoppelten Resonator verschieden um näherungsweise 180 Grad zu verschieben, wodurch eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion geschaffen werden kann.
  • Da die Anzahl der Elektrodenfinger der Reflektoren 718 und 719 in dem SAW-Filter 703 mit einem längsgekoppelten Resonator sich von jener der Reflektoren 708 und 709 in dem SAW-Filter 701 mit einem längsgekoppelten Resonator unterscheidet, und die Anzahl der Elektrodenfinger der Reflektoren 723 und 724 in dem SAW-Filter 704 mit einem längsgekoppelten Resonator sich von jener der Reflektoren 713 und 714 in dem SAW-Filter 702 mit einem längsgekoppelten Resonator 702 unterscheidet, kann eine Dämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands erhöht werden.
  • Die Anzahl der Elektrodenfinger der Reflektoren 708 und 709 in dem SAW-Filter 701 mit einem längsgekoppelten Resonator ist gleich jener der Elektrodenfinger der Reflektoren 713 und 714 in dem SAW-Filter 702 mit einem längsgekoppelten Resonator. Die Anzahl der Elektrodenfinger der Reflektoren 718 und 719 in dem SAW-Filter 703 mit einem längsgekoppelten Resonator ist gleich jener der Elektrodenfinger der Reflektoren 723 und 724 in dem SAW-Filter 704 mit einem längsgekoppelten Resonator. In anderen Worten sind die Reflektoren 708 und 709 in dem SAW-Filter 701 mit einem längsgekoppelten Resonator in ihrer Struktur zu den Reflektoren 713 und 714 in dem SAW-Filter 702 mit einem längsgekoppelten Resonator identisch. Die Reflektoren 718 und 719 in dem SAW-Filter 703 mit einem längsgekoppelten Resonator sind in ihrer Struktur mit den Reflektoren 723 und 724 in dem SAW-Filter 704 mit einem längsgekoppelten Resonator identisch. Dies kann eine Gleichtaktdämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands erhöhen.
  • In anderen Worten wird basierend auf diesen Punkten ein SAW-Bauelement erhalten, das gute Dämpfungscharakteristika in der Nähe des Durchlaßbands außerhalb des Durchlaßbands und eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweist. Speziell wird ein SAW-Bauelement erhalten, das eine große Dämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands und eine große Gleichtaktdämpfung aufweist.
  • Modifizierungen des SAW-Bauelements 700 sind nachstehend beschrieben. Bei den nachstehenden Modifizierungen weißen bei den SAW-Filtern 701, 702, 703 und 704 mit einem längsgekoppelten Resonator alle Reflektoren 708, 709, 713, 714, 718, 719, 723 und 724 die gleiche Anzahl von Elektrodenfingern auf.
  • Wie 16 zeigt, weist ein SAW-Bauelement 750 gemäß Modifizierung 5 beispielsweise eine Konfiguration auf, in der, bei dem SAW-Bauelement 700, die Fingerbreiteverhältnisse der Reflektoren 718 und 719 im SAW-Filter 703 mit einem längsgekoppelten Resonator sich von jenen der Reflektoren 708 und 709 in dem SAW-Filter 701 mit einem längsgekoppelten Resonator unterscheiden, und die Fingerbreiteverhältnisse der Reflektoren 723 und 724 in dem SAW-Filter 704 mit einem längsgekoppelten Resonator sich von jenen der Reflektoren 713 und 714 in dem SAW-Filter 702 mit einem längsgekoppelten Resonator unterscheiden.
  • Bei der Konfiguration des SAW-Bauelements 750, in dem SAW-Bauelement 700, sind die Fingerbreiteverhältnisse der Reflektoren 713 und 715 in dem SAW-Filter 702 mit einem längsgekoppelten Resonator ebenfalls gleich jenen der Reflektoren 708 und 709 in dem SAW-Filter 701 mit einem längsgekoppelten Resonator, und die Reflektoren 723 und 724 in dem SAW-Filter 704 mit einem längsgekoppelten Resonator sind gleich jenen der Reflektoren 718 und 719 in dem SAW-Filter 703 mit einem längsgekoppelten Resonator.
  • Basierend auf diesen Punkten wird ein SAW-Bauelement erhalten, das gute Dämpfungscharakteristika in der Nähe des Durchlaßbands außerhalb des Durchlaßbands und eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweist. Speziell wird ein SAW-Bauelement erhalten, das eine große Dämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands und eine große Gleichtaktdämpfung aufweist.
  • Wie 17 zeigt, weist ein SAW-Bauelement 751 gemäß Modifizierung 6 eine Konfiguration auf, bei der, in dem SAW-Bauelement 700, die Elektrodenfingerabstände der Reflektoren 718 und 719 sich von jenen der Reflektoren 708 und 709 in dem SAW-Filter 701 mit einem längsgekoppelten Resonator unterscheiden und sich die Elektrodenfingerabstände der Reflektoren 723 und 724 in dem SAW-Filter 704 mit einem längsgekoppelten Resonator sich von jenen der Reflektoren 713 und 714 in dem SAW-Filter 702 mit einem längsgekoppelten Resonator unterscheiden.
  • Bei der Konfiguration des SAW-Bauelements 751 sind, in dem SAW-Bauelement 700, die Elektrodenfingerabstände der Reflektoren 713 und 714 in dem SAW-Filter 702 mit einem längsgekoppelten Resonator ebenfalls gleich jenen der Reflektoren 708 und 709 in dem SAW-Filter 701 mit einem längsgekoppelten Resonator, und die Elektrodenfingerabstände der Reflektoren 723 und 724 in dem SAW-Filter 704 mit einem längsgekoppelten Resonator sind gleich jenen der Reflektoren 718 und 719 in dem SAW-Filter 703 mit einem längsgekoppelten Resonator.
  • Basierend auf diesen Punkten wird ein SAW-Bauelement, das gute Dämpfungscharakteristika in der Nähe des Durchlaßbands außerhalb des Durchlaßbands und eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweist, erhalten. Speziell wird ein SAW-Bauelement erhalten, das eine große Dämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands und eine große Gleichtaktdämpfung aufweist.
  • Wie 18 zeigt, weist ein SAW-Bauelement 752 gemäß Modifizierung 7 eine Konfiguration auf, bei der, in dem SAW-Bauelement 700, die Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen jedem der Reflektoren 708 und 709 in dem SAW-Filter 701 mit einem längsgekoppelten Resonator und jedem der IDTs 705 und 707, die zu demselben benachbart sind, sich von der zwischen jedem der Reflektoren 718 und 719 in dem SAW-Filter 703 mit einem längsgekoppelten Resonator und jedem der IDTs 715 und 717, die zu demselben benachbart sind, unterscheidet, und die Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen jedem der Reflektoren 713 und 714 und jedem der IDTs 710 und 712, die zu denselben benachbart sind, sich von der zwischen jedem der Reflektoren 723 und 724 und jedem der IDTs 720 und 722, die zu denselben benachbart sind, unterscheidet.
  • Bei der Konfiguration des SAW-Bauelements 752 ist, in dem SAW-Bauelement 700, die Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen jedem der Reflektoren 708 und 709 in dem SAW-Filter 701 mit einem längsgekoppelten Resonator und jedem der IDTs 705 und 707, die zu denselben benachbart sind, gleich jener zwischen jedem der Reflektoren 713 und 714 in dem SAW-Filter 702 mit einem längsgekoppelten Resonator und jedem der IDTs 710 und 712, die zu denselben benachbart sind, und die Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen jedem der Reflektoren 718 und 719 in dem SAW-Filter 703 mit einem längsgekoppelten Resonator und jedem der IDTs 715 und 717, die zu denselben benachbart sind, ist gleich jener zwischen jedem der Reflektoren 723 und 724 in dem SAW-Filter 704 mit einem längsgekoppelten Resonator und jedem der IDTs 720 und 722, die zu denselben benachbart sind.
  • Basierend auf diesen Punkten wird ein SAW-Bauelement erhalten, das gute Dämpfungscharakteristika in der Nähe des Durchlaßbands außerhalb des Durchlaßbands und eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufweist. Speziell wird ein SAW-Bauelement erhalten, das eine große Dämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands und eine große Gleichtaktdämpfung aufweist.
  • Zusätzlich unterscheidet sich in jedem der SAW-Bauelemente 700, 750, 751 und 752 das SAW-Filter 703 mit einem längsgekoppelten Resonator in seiner Struktur von dem SAW-Filter 701 mit einem längsgekoppelten Resonator, und das SAW-Filter 704 mit einem längsgekoppelten Resonator unterscheidet sich in seiner Struktur von dem SAW-Filter 702 mit einem längsgekoppelten Resonator. Die Konfiguration von jedem SAW-Bauelement ist jedoch nicht darauf beschränkt. Das SAW-Filter 704 mit einem längsgekoppelten Resonator kann sich in seiner Struktur von dem SAW-Filter 701 mit einem längsgekoppelten Resonator unterscheiden, und das SAW-Filter 703 mit einem längsgekoppelten Resonator kann sich in seiner Struktur von dem SAW-Filter 702 mit einem längsgekoppelten Resonator unterscheiden.
  • Jedes der SAW-Bauelemente 700, 750, 751 und 752 kann in einem Gehäuse untergebracht sein, wie bei dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel 1.
  • Vorstehend wird das 40±5-Grad-Y-Schnitt-X-Übertragungs-LiTaO3-Substrat verwendet. Anhand des Grundsatzes, gemäß dem die Vorteile erhalten werden können, wird jedoch bei der vorliegenden Erfindung darauf hingewiesen, daß ähnliche Vorteile durch Verwenden von nicht nur dem vorstehenden Substrat, sondern auch von Substraten, wie z. B. einem 64–72-Grad-Y-Schnitt-X-Übertragungs-LiNbO3-Substrat und einem 41-Grad-Y-Schnitt-X-Übertragungs-LiNbO3-Substrat, erhalten werden können.
  • Anschließend wird eine Kommunikationsvorrichtung 600 unter Verwendung eines SAW-Bauelements wie bei jedem Ausführungsbeispiel unter Bezugnahme auf 23 beschrieben. Die Kommunikationsvorrichtung 600 umfaßt auf einer Empfangsseite (Rx-Seite) eine Antenne 601, eine Einheit einer gemeinsamen Antennenverwendung/RF-Top-Filter 602 (bzw. Hochpaßfilter) (RF = radio frequency = Funkfrequenz), einen Verstärker 603, ein Rx-Zwischenstufenfilter 604, einen Mischer 605, ein erstes IF-Filter 606, einen Mischer 607, ein zweites IF-Filter 608, einen ersten und einen zweiten lokalen Synthetisierer 611, einen TCXO (TCXO = temperature compensated crystal oscillator = temperaturkompensierter Kristalloszillator) 612, einen Teiler 613 und ein lokales Filter 614.
  • Vom Rx-Zwischenstufenfilter 604 zum Mischer 605 wird bevorzugt, eine Übertragung durch Verwendung von symmetrischen Signalen auszuführen, um eine Symmetrie sicherzustellen, wie durch die zwei Linien in 23 angezeigt ist.
  • Auf einer Übertragungsseite (Tx-Seite) verwendet die Kommunikationsvorrichtung 600 ebenfalls gemeinsam die Antenne 601 und die Einheit einer gemeinsamen Antennenverwendung/das RF-Top-Filter 602 und umfaßt ein Tx- Zwischenfrequenzfilter 621, einen Mischer 622, ein Tx-Zwischenstufenfilter 623, einen Verstärker 624, eine Kopplungseinrichtung 625, einen Isolator 626 und eine APC (APC = automatic power controller = automatische Leistungssteuerung) 627.
  • Die SAW-Bauelemente, die in jedem Ausführungsbeispiel beschrieben wurden, können in geeigneter Weise in dem Rx-Zwischenstufenfilter 604, dem ersten IF-Filter 606, dem Tx-Zwischenstufenfilter 623 und der Einheit einer gemeinsamen Antennenverwendung/RF-Top-Filter 602 verwendet werden.
  • Ein SAW-Bauelement der vorliegenden Erfindung kann eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion zusammen mit einer Filterfunktion aufweisen und weist auch verbesserte Charakteristika dahingehend auf, daß es gute Dämpfungscharakteristika in der Nähe des Durchlaßbands außerhalb des Durchlaßbands und speziell eine große Dämpfung im unteren Bereich des Durchlaßbands und eine große Gleichtaktdämpfung aufweist. Daher kann eine Kommunikationsvorrichtung der vorliegenden Erfindung die Übertragungscharakteristika verbessern.

Claims (6)

  1. Oberflächenwellenbauelement, das folgende Merkmale aufweist: ein piezoelektrisches Substrat; und ein erstes und ein zweites Oberflächenwellenfilterelement, die auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet sind, um eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufzuweisen, wobei das erste und das zweite Oberflächenwellenfilterelement jeweils zumindest zwei Interdigitalwandler, die entlang einer Ausbreitungsrichtung der Oberflächenwellen angeordnet sind, und einen ersten und einen zweiten Reflektor umfassen, die so angeordnet sind, daß die zumindest zwei Interdigitalwandler entlang der Ausbreitungsrichtung zwischen dem ersten und dem zweiten Reflektor angeordnet sind, wobei: der erste und der zweite Reflektor sich in ihrer Struktur unterscheiden; und bei dem ersten und dem zweiten Oberflächenwellenfilterelement die ersten Reflektoren in ihrer Struktur identisch sind und die zweiten Reflektoren in ihrer Struktur identisch sind.
  2. Oberflächenwellenbauelement gemäß Anspruch 1, bei dem die Anzahl von Elektrodenfingern des ersten Reflektors sich von der Anzahl der Elektrodenfinger des zweiten Reflektors in den jeweiligen Oberflächenwellenfilterelementen unterscheidet.
  3. Oberflächenwellenbauelement gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem das Fingerbreiteverhältnis des ersten Reflektors sich von dem Fingerbreiteverhältnis des zweiten Reflektors in den jeweiligen Oberflächenwellenfilterelementen unterscheidet.
  4. Oberflächenwellenbauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem der Elektrodenfingerzwischenraum des ersten Reflektors sich von dem Elektrodenfingerzwischenraum des zweiten Reflektors in den jeweiligen Oberflächenwellenfilterelementen unterscheidet.
  5. Oberflächenwellenbauelement, das folgende Merkmale aufweist: ein piezoelektrisches Substrat; und ein erstes und ein zweites Oberflächenwellenfilterelement, die auf dem piezoelektrischen Substrat angeordnet sind, um eine Symmetrisch-zu-Unsymmetrisch-Umwandlungsfunktion aufzuweisen, wobei das erste und das zweite Oberflächenwellenfilterelement jeweils zumindest zwei Interdigitalwandler, die entlang einer Ausbreitungsrichtung der Oberflächenwellen angeordnet sind, und einen ersten Reflektor und einen zweiten Reflektor umfassen, die so angeordnet sind, daß die zumindest zwei Interdigitalwandler entlang der Ausbreitungsrichtung zwischen dem ersten und dem zweiten Reflektor vorgesehen sind, wobei: in jedem des ersten und des zweiten Oberflächenwellenfilterelements eine erste Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen dem ersten Reflektor und einem Interdigitalwandler, der zu demselben benachbart ist, sich von einer zweiten Mitte-zu-Mitte-Entfernung der benachbarten Elektrodenfinger zwischen dem zweiten Reflektor und einem Interdigitalwandler, der zu demselben benachbart ist, unterscheidet; und die erste und die zweite Mitte-zu-Mitte-Entfernung des ersten Oberflächenwellenfilterelements und die entsprechenden ersten und zweiten Mitte-zu-Mitte-Entfernungen des zweiten Oberflächenwellenfilterelements identisch sind.
  6. Kommunikationsvorrichtung, die ein Oberflächenwellenbauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5 umfaßt.
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