DE10066032A1 - Schaltungsanordnung zur Steuerung der Verstärkung einer Verstärkerschaltung - Google Patents
Schaltungsanordnung zur Steuerung der Verstärkung einer VerstärkerschaltungInfo
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Abstract
Description
Q Transistor
Rd Drain-Widerstand
Iv Strom durch Verstärkerstufe
Id Drain-Source-Strom
Ug Steuerspannung
T Temperatur
V Verstärkung
Claims (11)
eine erste FET-Transistorschaltung (Q3),
eine zweite FET-Transistorschaltung (Q4, Q4', Q4"),
Mittel zum Betreiben der zweiten FET-Transistorschaltung (Q4, Q4', Q4") an einem Arbeitspunkt, in dem für einen konstanten Drain-Source-Strom (I2) die Gatespannung (U2) im wesentlichen temperaturunabhängig ist, und
Mittel zum Betreiben der ersten FET-Transistorschaltung in einem Arbeitsbereich, der oberhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunkts (A) und in einem Bereich liegt, in dem für einen konstanten Drain-Source-Strom (I1) die Gatespannung (U1T1, U1T2) mit zunehmender Temperatur zunimmt,
wobei die Differenz der Spannungen (U2-U1) an der ersten und zweiten FET-Transistorschaltung als Maß für die Temperatur an der ersten FET-Transistorschaltung (Q3) ausgewertet wird.
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