DE10066032A1 - Schaltungsanordnung zur Steuerung der Verstärkung einer Verstärkerschaltung - Google Patents

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Steuerung der Verstärkung einer Verstärkerschaltung mit einem als Stromquelle für die Verstärkerschaltung dienenden FET-Steuertransistor. Erfindungsgemäß sind Mittel (2, 3) zur Steuerung der Gatespannung des Steuertransistors (Q1) derart vorgesehen, daß der Strom durch die Verstärkerschaltung (1, 1', 1'') bei geringen Temperaturen der Verstärkerschaltung reduziert ist, so daß eine im wesentlichen temperaturunabhängige Verstärkung (V) eingestellt wird.

Description

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur Steuerung der Verstärkung einer Verstärkerschaltung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.

Mit Feldeffekttransistoren (FETs) hergestellte Verstärkerstu­ fen für hochfrequente digitale Signale weisen eine erhebliche Temperaturabhängigkeit der Verstärkung auf. Der Grund hierfür ist eine Änderung der Transistorsteilheit über der Temperatur, die multipliziert mit dem Lastwiderstand die Verstärkung einer Stufe festlegt (Verstärkung V = Lastwider­ stand RL.Steilheit des Transistors gm). Um einer Abnahme der Steilheit des Transistors und damit der Verstärkung über der Temperatur entgegenzuwirken, ist es bekannt, einen Vorhalt in die Verstärkerstufe einzubauen. Der Vorhalt sorgt jedoch nachteilig bei kleinen Temperaturen für eine erhebliche Zunahme der Verstärkung, die wegen der dann zunehmenden Schwingneigung unerwünscht ist.

Dementsprechend besteht ein Bedürfnis, eine Schaltung für eine Verstärkerstufe zu entwickeln, die die Temperaturabhän­ gigkeit der Verstärkung reduziert, im besten Fall sogar aufhebt, ohne daß im Bereich kleiner Temperaturen eine Verstärkungszunahme erfolgt.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Schaltungsanordnung zur Steuerung der Verstärkung einer Verstärkerschaltung zur Verfügung zu stellen, die eine im wesentlichen temperaturunabhängige Verstärkung der Verstär­ kerschaltung bewirkt.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Schaltungs­ anordnung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.

Bevorzugte und vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Die erfindungsgemäße Schaltungsansordnung weist Mittel zur Steuerung der Gatespannung (Steuerspannung) eines FET- Steuertransistors auf, der als Stromquelle für die Verstärkerschaltung dient. Die Steuerung des FET-Steuertran­ sistors erfolgt erfindungsgemäß derart, daß der Strom durch die Verstärkerstufe bei geringen Temperaturen der Verstärkerstufe reduziert ist, so daß eine im wesentlichen temperaturunabhängige Verstärkung erfolgt.

Die erfindungsgemäße Lösung beruht auf der Überlegung, die Verstärkung der Verstärkerschaltung bei kleinen Temperaturen zu vermindern. Dazu wird der Strom Iv durch den Steuertransi­ stor für kleine Temperaturen zunehmend so reduziert, daß die Verstärkung im wesentlichen konstant bleibt. Ein kleinerer Strom führt zu einer reduzierten Verstärkung, da die Steilheit eines Transistors proportional zur Wurzel des Drain-Stroms ist. Ein verminderter Drain-Strom ergibt somit eine kleinere Steilheit, so daß die Verstärkung sinkt.

Die erfindungsgemäße Lösung beruht insofern auf einem völlig neuen Konzept, als nicht wie bisher im Stand der Technik die Temperaturabhängigkeit der Verstärkung durch eine zusätzliche Verstärkung im Bereich hoher Temperaturen kompensiert wird, sondern statt dessen ausgehend von einer ausreichenden Verstärkung V0 bei der höchsten Betriebstemperatur der Strom durch den Steuertransistor bzw. die Verstärkerschaltung mit abnehmender Temperatur reduziert wird, so daß sich eine insgesamt im wesentlichen konstante Verstärkung ergibt.

In einer bevorzugten Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung umfassen die Mittel zur Steuerung der Steuerspannung des Steuertransistors einen Temperatursensor. Der Temperatursensor erfaßt die Temperatur der Verstärkerschaltung und erzeugt dabei eine Differenzspannung, die nahezu linear von der anliegenden Temperatur abhängt. Die Differenzspannung wird in eine Steuerspannung zur Steuerung des Steuertransistors und damit des Stroms durch die Verstärkerschaltung umgesetzt. Über die Steuerspannung wird somit die Stromquelle für die Verstärkerschaltung gesteuert.

Der Temperatursensor ist bevorzugt dadurch gekennzeichnet, daß eine erste FET-Transistorschaltung in einem Arbeitsbereich betrieben wird, der oberhalb des temperatu­ runabhängigen Arbeitspunktes und in einem Bereich liegt, in dem für einen konstanten Drain-Source-Strom die Gatespannung mit zunehmender Temperatur zunimmt. Eine zweite FET-Transi­ storschaltung wird dagegen an einem Arbeitspunkt betrieben, in dem für einen konstanten Drain-Source-Strom die Gatespannung im wesentlichen temperaturunabhängig ist. Dies führt dazu, daß die Differenz der Spannungen an der ersten und der zweiten FET-Transistorschaltung ein Maß für die Temperatur an der ersten FET-Transistorschaltung darstellt und entsprechend ausgewertet wird.

Es wird darauf hingewiesen, daß jeder Feldeffekttransistor einen Arbeitspunkt aufweist, in dem für einen konstanten Drain-Source-Strom die Gatespannung im wesentlichen tempera­ turunabhängig ist (englisch: zero-temperature-coefficient-po­ int). Unterhalb dieses Arbeitspunktes weist der Drain-Source- Strom einen positiven Temperaturkoeffizienten, oberhalb dieses Arbeitspunktes eines negativen Temperaturkoeffizienten auf. Dies ist in der Literatur zu Feldeffekttransistoren aus­ führlich beschrieben.

Der bevorzugte Temperatursensor weist den Vorteil auf, daß durch Betreiben der beiden FET-Transistorschaltungen zum einem im "zero-temperature-coefficient-point" und zum anderen oberhalb dieses Punktes eine im wesentlichen lineare Abhängigkeit des Ausgangssignals von der Temperatur besteht. Das Ausgangssignal ist dabei die Differenz der an den beiden FET-Transistorschaltungen anliegenden Spannungen. Zusätzlich wird eine gegenüber dem Stand der Technik (z. B. US-A-5,336,943) größere Ausgangsspannung erzeugt, so daß sich das Ausgangssignal leicht weiterverarbeiten läßt.

Die Mittel des Temperatursensores zum Betreiben der ersten FET-Transistorschaltung und die Mittel zum Betreiben der zweiten FET-Transistorschaltung weisen bevorzugt einen Stromgenerator auf, der die beiden Transistorschaltungen mit konstanten Strömen speist. Mit Vorteil besteht der Stromgene­ rator dabei aus zwei gekoppelten Stromquellen, die die FET- Transistorschaltungen speisen. Durch Verwendung eines Stromgenerators, der die beiden FET-Transistorschaltungen mit unterschiedlichen Strömen betreibt, lassen sich die gewünschten Arbeitspunkte der Transistorschaltungen einfach und zuverlässig einstellen.

Alternativ weisen die Mittel zum Betreiben der ersten und zweiten FET-Transistorschaltung jeweils einen Widerstand auf, der mit der jeweiligen FET-Transistorschaltung in Reihe geschaltet ist. In dieser Ausführungsvariante werden die FET- Transistorschaltungen durch die Widerstände gespeist.

In einer Weiterbildung des Temperatursensors ist zusätzlich eine Verstärkerschaltung vorgesehen, die Mittel zum Erfassen der Differenz der Spannungen an der ersten und zweiten FET- Transistorschaltung aufweist und die Differenzspannung in eine Steuerspannung für eine nachgestaltete Verstärkerschaltung umsetzt. Aufgrund der gegebenen Temperaturabhängigkeit nimmt die Differenzspannung im wesentlichen linear mit der Temperatur zu. Die Verstärker­ schaltung verstärkt die Differenzspannung und paßt sie im Arbeitspunkt an.

Die FET-Transistorschaltungen weisen bevorzugt jeweils mindestens einen MOS-Transistor auf, der in Diodenschaltung betrieben wird, d. h. das Gate ist mit dem Drain-Anschluß verbunden.

Um eine variablere Generierung der Differenzspannung zwischen den beiden FET-Transistorschaltungen zu ermöglichen, ist an einer weiteren Ausgestaltung des Temperatursensors vorgese­ hen, für die erste und/oder die zweite FET-Transistorschal­ tung kaskadierte MOS-Transistoren einzusetzen. Dabei kann in einfacher Weise durch Variation der Speiseströme sowie der Transistorgrößen die Differenzspannung über einen sehr weiten Spannungsbereich eingestellt werden.

In einer bevorzugten Ausgestaltung der Verstärkerschaltung weist diese mindestens einen Differenzverstärker auf, insbesondere mehrere in Kaskadenschaltung angeordnete Differenzverstärker. Die Verstärkung der Verstärkerschaltung beruht dabei bevorzugt auf Transistorsteilheit.

Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren der Zeichnung anhand mehrerer Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 das Schaltbild einer Verstärkerschaltung mit einer erfindungsgemäßen Schaltungsanordnung und einem Temperatursensor;

Fig. 2 schematisch die Verstärkung und den Steuerstrom in Abhängigkeit von der Temperatur mit und ohne Verstärkungssteuerung;

Fig. 3a schematisch die Transistorkennlinie eines MOS- Transistors für zwei Temperaturen;

Fig. 3b die Schaltung eines MOS-Transistors bei Aufnahme der Tansistorkennlinie gemäß Fig. 3a, und

Fig. 4 ein Schaltbild eines Ausführungsbeispiels eines Temperatursensors;

Fig. 1 zeigt eine Verstärkerschaltung mit drei Verstärkerstu­ fen 1, 1', 1", die jeweils aus MOS-Transistoren Q1, Q2 und Drain-Widerständen Rd bestehen. Die Verstärkerstufen 1, 1', 1" können identisch ausgebildet sein. Dies ist jedoch nicht notwendigerweise der Fall.

Die Source-Anschlüsse der beiden Transistoren Q2 einer Ver­ stärkerstufe sind gemeinsam an den Drain-Anschluß des Transi­ stors Q1 angeschlossen, der als Stromquelle dient. Der Source-Anschluß des Transistors Q1 ist mit Masse verbunden. Die Drain-Anschlüsse der Transistoren Q2 sind jeweils über einen Drain-Widerstand Rd mit einer Spannungsquelle verbun­ den. Die an den Drain-Anschlüssen der Transistoren Q2 anlie­ genden Spannungen einer Stufe 1, 1' werden dem Differenzver­ stärker der nächsten Stufe 1', 1" als Eingang zugefügt. Derartige Verstärkerstufen sind an sich bekannt.

Durch die Gatespannung am Transistor Q1 wird jeweils der Strom durch die einzelnen Verstärkerstufen 1, 1', 1" einge­ stellt. Wie nachfolgend erläutert, wird die Gatespannung dabei so eingestellt, daß der Strom Iv durch die Verstärker­ stufen mit abnehmender Temperatur reduziert wird. Dies führt dazu, daß ausgehend von einer ausreichenden Verstärkung V0 bei einer höchsten Betriebstemperatur die Verstärkung bzw. die Transistorsteilheit gm mit abnehmender Temperatur konstant bleibt.

Dieser Zusammenhang ist schematisch in Fig. 2 dargestellt. Der obere Graph G1 in Fig. 2 zeigt die Verstärkung V (die proportional zur Transistorsteilheit gm ist) bei konstantem Strom, ohne die nachfolgend erläuterte Steuerung der Gate­ spannung des Transistor Q1. Die Verstärkung V nimmt mit zunehmender Betriebstemperatur T quadratisch ab und erreicht bei einer maximalen Betriebstemperatur Tmax den Wert V0.

Die untere Kurve G3 zeigt den Strom Iv durch die Verstärker­ stufe, der erfindungsgemäß durch eine entsprechende Einstel­ lung der Steuerspannung bzw. Gatespannung des Transistors Q1 mit abnehmender Temperatur hin reduziert wird.

Da die Steilheit eines im Sättigungsbereich betriebenen Transistors proportional zur Wurzel des Drain-Stroms Id ist, wird durch den reduzierten Strom Iv die Verstärkung der Ver­ stärkerstufe bei kleinen Temperaturen entsprechend reduziert. Dies führt dazu, daß die Verstärkung über den gesamten Tempe­ raturbereich im wesentlichen konstant ist und dem Wert V0 entspricht. Dies ist in dem mittleren Graphen G2 der Fig. 2 dargestellt.

Eine Steuerung der Gatespannung Ug der Transistoren Q1 erfolgt mittels eines Temperatursensors 2 und einer Verstär­ kerschaltung 3.

Der Temperatursensor 2 wird gemäß Fig. 1 durch zwei MOS-Tran­ sistoren Q3 und Q4 realisiert; die in Diodenschaltung angeordnet sind, d. h. der Gate-Anschluß und der Drain-An­ schluß der Transistoren sind miteinander verbunden. Über einen Stromgenerator 21 mit zwei gekoppelten Stromquellen werden die Transistoren Q3 und Q4 mit unterschiedlichen Strömen I1 und I2 betrieben. Der Stromgenerator 21 ist dabei mit dem Gate-Anschluß verbunden; der Source-Anschluß der beiden Transistoren ist jeweils geerdet.

Die Verstärkerschaltung 3 weist zwei Eingänge auf, von denen der eine Eingang mit dem Drain-Anschluß des Transistors Q3 und der andere Eingang mit dem Drain-Anschluß des Transistors Q4 verbunden ist. Die Steuerschaltung 3 erfaßt damit die Differenzspannung an den beiden Transistoren Q3 und Q4 und setzt diese Differenzspannung in eine Steuerspannung Ug um, die die Gatespannung der als Stromquellen dienenden Transi­ storen Q1 der Verstärkerstufen 1, 1', 1" bildet.

In Abhängigkeit von der Stromdichte ergibt sich eine unter­ schiedliche Temperaturabhängigkeit der Gatespannung, die zur Temperaturmessung ausgenutzt wird. Fig. 3a zeigt schematisch die Transistorkennlinie eines MOS-Transistors (etwa des Transistors Q3 oder des Transistors Q4 der Fig. 1) für zwei Temperaturen T1 und T2, wobei T2 kleiner als T1 ist. Die zu­ gehörige Schaltung, bei der die Transistorkennlinie aufgenommen ist, ist in Fig. 3b dargestellt. Der Transistor wird bei Aufnahme der Transistorschaltung in Diodenschaltung betrieben.

Gemäß Fig. 3a existiert ein Arbeitspunkt A, in dem der Tempe­ raturkoeffizient gleich Null ist, d. h. für einen konstanten Drain-Source-Strom Id ist die Gatespannung Ug temperaturunab­ hängig. Unterhalb dieses Punktes A ist der Temperaturkoeffi­ zient des Drain-Source-Stroms Id positiv, oberhalb des Punk­ tes A negativ.

Bei der Schaltung gemäß Fig. 1 wird nun der Transistor Q4 bei einer Stromstärke I2 betrieben, die dem temperaturunabhängi­ gen Arbeitspunkt A entspricht. Dementsprechend ist die Spannung U2 am Transistor Q4 konstant.

Demgegenüber wird der Transistor Q3 an einem Arbeitspunkt oberhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunktes A betrie­ ben. In diesem Bereich ist der Temperaturkoeffizient von Id negativ, d. h. mit zunehmender Temperatur wird eine höhere Spannung zur Realisierung einer vorgegebenen Stromstärke I2 benötigt. So werden in Fig. 3a zur Realisierung der Strom­ stärke 12 bei der (niedrigeren) Temperatur T2 die Spannung U1T2 und bei der (höheren) Temperatur T1 die höhere Spannung U1T1 benötigt.

Da der Transistor Q4 im Arbeitspunkt 11 und der Transistor Q3 im Arbeitspunkt 12 betrieben werden, variiert die Spannung im Arbeitspunkt 11 in Abhängigkeit von der Temperatur, während sie im Arbeitspunkt 12 konstant bleibt. Die Differenzspannung (U2-U1) ist proportional zur anliegenden Temperatur T, d. h. mit zunehmender Temperatur des Transistors T3 nimmt auch die Differenzspannung (U2-U1) zu.

Die Differenzspannung (U2-U1) wird von der Verstärkerschal­ tung 3 in die Steuerspannung Ug umgesetzt, wobei neben einer Verstärkung auch eine Anpassung des Arbeitspunktes erfolgt. Durch die Steuerspannung Ug wird die Gatespannung der Transistoren Q1 entsprechend dem gewünschten Srom Iv eingestellt. Dabei wird die Temperaturabhängigkeit der Verstärkung bzw. der Steilheit der Transistoren Q2 dadurch kompensiert, daß mit abnehmender Temperatur der Strom Iv durch die Verstärkerstufen 1, 1', 1" reduziert wird. Dabei sind die Transistoren Q3, Q4 sowie die Transistoren Q1 und Q2 natürlich thermisch gekoppelt, so daß über den Transistor Q4 die Temperatur der Transistoren Q2 ermittelt werden kann. Zur thermischen Kopplung sind die entsprechenden Transistoren beispielsweise in einem Siliziumplättchen integriert ausgebildet.

Bei einer Abnahme der Temperatur sinkt die Spannung U1 am Transistor Q3 des Temperatursensors 2. Dementsprechend sinkt auch die Differenzspannung (U2-U1). Damit ist auch die Steuerspannung Ug, die die Gatespannung der Transistoren Q1 darstellt, vermindert. Dies führt bei abnehmenden Temperaturen zu einem reduzierten Strom Iv durch die Verstär­ kerstufen. Somit stellt die dargestellte Schaltung sicher, daß bei kleinen Temperaturen ein nur reduzierter Strom durch die Verstärkerstufen fließt, was wiederum zu einer verminderten Verstärkung führt, die die Zunahme der Verstärkung bei niedrigen Temperaturen kompensiert.

Fig. 4 zeigt detaillierter ein Ausführungsbeispiel eines Temperatursensors 2' und einer Verstärkerschaltung 3'. Im Unterschied zur Fig. 1 ist der Transistor Q4 durch zwei Transistoren Q4', Q4" ersetzt, die kaskadiert angeordnet sind. Zwei Transistoren Q5 und Q6 dienen als Stromquellen für die Ströme I1 und I2.

Die Verstärkerschaltung 3' wird durch eine an sich bekannte Substraktionsschaltung für die beiden Eingangsspannungen U2 und U1 ausgebildet. Die Subtraktionsschaltung weist einen invertierenden Operationsverstärker 31 auf, dem die Eingangs­ spannung U1 über einen Spannungsteiler an den nicht invertierenden Eingang zugeführt wird. Da das Verhältnis der Widerstände R1, R2 am invertierenden und am nicht invertierenden Eingang gleich ist, wird nur die Differenz der Eingangsspannungen (U2-U1) verstärkt und als Steuerspannung Ug ausgegeben.

Durch Variation der Ströme I1 und I2 sowie der Transistorgrö­ ßen Q3, Q4', Q4" kann die Differenzspannung (U2-U1) bei der Schaltung gemäß Fig. 4 fast beliebig eingestellt werden. Damit kann diese Spannung mittels des Operationsverstärker 31 auf die benötigte Spannung Ug umgesetzt werden.

Bezugszeichenliste

1

,

1

',

1

" Verstärkerstufe

2

,

2

' Temperatursensor

21

Stromgenerator

3

,

3

' Verstärkerschaltung

31

Operationsverstärker
Q Transistor
Rd Drain-Widerstand
Iv Strom durch Verstärkerstufe
Id Drain-Source-Strom
Ug Steuerspannung
T Temperatur
V Verstärkung

Claims (11)

1. Schaltungsanordnung zur Steuerung der Verstärkung einer Verstärkerschaltung (1, 1', 1"), mit einem als Stromquelle für die Verstärkerschaltung dienenden FET-Steuertransistor (Q1), gekennzeichnet durch Mittel (2, 3) zur Steuerung der Gatespannung des Steuertran­ sistors (Q1) derart, daß der Strom durch die Verstärkerschal­ tung (1, 1', 1") bei geringen Temperaturen der Verstärker­ schaltung reduziert ist, so daß eine im wesentlichen tempe­ raturunabhängige Verstärkung (V) eingestellt wird.

2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zur Steuerung der Gatespannung des Steuertransistors einen Temperatursensor (2) umfassen, der die Temperatur der Ver­ stärkerschaltung (1, 1', 1") erfaßt und in Abhängigkeit davon eine Differenzspannung (U2-U1) erzeugt, die in eine Steuerspannung (Ug) für das Gate des Steuertransistors (Q1) umgesetzt wird.

3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Temperatursensor aufweist:
eine erste FET-Transistorschaltung (Q3),
eine zweite FET-Transistorschaltung (Q4, Q4', Q4"),
Mittel zum Betreiben der zweiten FET-Transistorschaltung (Q4, Q4', Q4") an einem Arbeitspunkt, in dem für einen konstanten Drain-Source-Strom (I2) die Gatespannung (U2) im wesentlichen temperaturunabhängig ist, und
Mittel zum Betreiben der ersten FET-Transistorschaltung in einem Arbeitsbereich, der oberhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunkts (A) und in einem Bereich liegt, in dem für einen konstanten Drain-Source-Strom (I1) die Gatespannung (U1T1, U1T2) mit zunehmender Temperatur zunimmt,
wobei die Differenz der Spannungen (U2-U1) an der ersten und zweiten FET-Transistorschaltung als Maß für die Temperatur an der ersten FET-Transistorschaltung (Q3) ausgewertet wird.

4. Temperatursensor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zum Betreiben der ersten FET-Transistorschaltung (Q3) und die Mittel zum Betreiben der zweiten FET-Transistorschaltung (Q4, Q4', Q4") einen Stromgenerator (21) aufweisen, der die beiden FET-Transistorschaltungen mit konstanten Strömen (I1, I2) speist.

5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Stromgenerator (21) zwei gekoppelte Stromquellen (Q5, Q6) aufweist, die die FET-Transistorschaltungen speisen.

6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel zum Betreiben der ersten FET-Transistorschaltung und die Mittel zum Betreiben der zweiten FET-Transistorschaltung jeweils einen Widerstand aufweisen, der mit der jeweiligen FET-Transistorschaltung in Reihe geschaltet ist.

7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß zusätzlich eine Verstärkerschaltung (3) Vorgesehen ist, die die Mittel zum Erfassen der Differenz der Spannungen an der ersten und zweiten FET-Transistorschaltung umfaßt und die Differenzspannung (U2-U1) in eine Steuerspannung (Ug) für die Verstärkerschaltung (1, 1', 1") umsetzt.

8. Schaltungsanordnung nach mindestens der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste FET-Transistorschaltung und die zweite FET-Transistorschal­ tung jeweils einen FET-Transistor (Q3; Q4, Q4', Q4") auf­ weisen, der in Diodenschaltung betrieben wird.

9. Schaltungsanordnung nach mindestens einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste FET-Transistorschaltung und/oder die zweite FET-Transi­ storschaltung kaskadierte FET-Transistoren (Q4', Q4") aufweisen.

10. Schaltungsanordnung nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Verstärkerschaltung min­ destens einen Differenzverstärker (1, 1', 1") aufweist, ins­ besondere mehrere in Kaskadenschaltung angeordnete Differenz­ verstärker (1, 1', 1").

11. Schaltungsanordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Verstärkung der Verstärkerschaltung auf Transistorsteilheit beruht.