DE10038693C2 - Temperatursensor - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft einen Temperatursensor nach dem
Oberbegriff des Anspruchs 1.
Die Druckschrift US 5,336,943 beschreibt einen Temperatur
sensor gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1, der zwei
Feldeffekttransistoren aufweist, von denen der eine im
Bereich unterhalb der Abschnürspannung (subthreshold region)
und der andere an einem Arbeitspunkt betrieben wird, in dem
für einen konstanten Drain-Source-Strom die Gatespannung im
wesentlichen temperaturunabhängig ist. Durch Vergleich der
Spannungen an den beiden Feldeffekttransistoren wird ein
Signal erzeugt, das von der Temperatur des unterhalb der
Abschnürspannung betriebenen Transistors abhängig ist.
Ein Nachteil des bekannten Temperatursensors besteht darin,
daß das Ausgangssignal aufgrund der kleinen Ströme und
Spannungen im Bereich unterhalb der Abschnürspannung klein
und daher nur schwer weiterzuverarbeiten ist.
Die US 5 796 290 A beschreibt ebenfalls einen gattungsgemäßen
Temperatursensor. Der Temperatursensor weist zwei
Feldeffekttransistoren auf, von denen der eine an einem
Arbeitspunkt betrieben wird, in dem für einen konstanten
Drain-Source-Strom die Gatespannung im wesentlichen
temperaturunabhängig ist. Der andere Feldeffekttransistor
wird unterhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunktes
betrieben. Die Differenz der Spannungen an den beiden
Feldeffekttransistoren wird als Maß für die Temperatur
ausgewertet.
Aus der EP 0 523 799 A1 ist ein Temperatursensor mit zwei
FET-Transistorschaltungen bekannt, von denen eine Bereich
unterhalb der Abschnürspannung (subthreshold region) und die
andere in einem temperaturunabhängigen Arbeitspunkt betrieben
wird.
Die DE 198 41 202 C1 beschreibt einen Temperatursensor, der
ein Halbleiterbauelement mit temperaturabhängiger
Stromcharakteristik und ein Referenzbauelement aufweist.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen
Temperatursensor zur Verfügung zu stellen, der ein im wesent
lichen linear von der Temperatur abhängiges, relativ großes
Ausgangssignal zur Verfügung stellt. Der Temperatursensor
soll sich dabei zur Einstellung einer temperaturunabhängigen
Verstärkung einer Verstärkerschaltung eignen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Temperatursen
sor mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Bevorzugte und
vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den
Unteransprüchen angegeben.
Danach zeichnet sich der erfindungsgemäße Temperatursensor
dadurch aus, daß eine erste FET-Transistorschaltung in einem
Arbeitsbereich betrieben wird, der oberhalb des temperatu
runabhängigen Arbeitspunktes und in einem Bereich liegt, in
dem für einen konstanten Drain-Source-Strom die Gatespannung
mit zunehmender Temperatur zunimmt. Eine zweite FET-Transi
storschaltung wird dagegen an einem Arbeitspunkt betrieben,
in dem für einen konstanten Drain-Source-Strom die
Gatespannung im wesentlichen temperaturunabhängig ist. Dies
führt dazu, daß die Differenz der Spannungen an der ersten
und der zweiten FET-Transistorschaltung ein Maß für die
Temperatur an der ersten FET-Transistorschaltung darstellt
und entsprechend ausgewertet wird.
Die erfindungsgemäße Lösung weist des weiteren eine Verstär
kerschaltung auf, die die Differenz der Gatespannungen an der
ersten und zweiten FET-Transistorschaltung erfaßt und in eine
Steuerspannung für eine weitere Verstärkerschaltung umsetzt.
Die Verstärkerschaltung verstärkt die Differenzspannung und
paßt sie im Arbeitspunkt an.
Es wird darauf hingewiesen, daß jeder Feldeffekttransistor
einen Arbeitspunkt aufweist, in dem für einen konstanten
Drain-Source-Strom die Gatespannung im wesentlichen tempera
turunabhängig ist (englisch: zero-temperature-coefficient-po
int). Unterhalb dieses Arbeitspunktes weist der Drain-Source-
Strom einen positiven Temperaturkoeffizienten, oberhalb
dieses Arbeitspunktes eines negativen Temperaturkoeffizienten
auf. Dies ist in der Literatur zu Feldeffekttransistoren aus
führlich beschrieben.
Der erfindungsgemäße Temperatursensor weist den Vorteil auf,
daß durch Betreiben der beiden FET-Transistorschaltungen zum
einem im "zero-temperature-coefficient-point" und zum anderen
oberhalb dieses Punktes eine im wesentlichen lineare
Abhängigkeit des Ausgangssignals von der Temperatur besteht.
Das Ausgangssignal ist dabei die Differenz der an den beiden
FET-Transistorschaltungen anliegenden Spannungen. Zusätzlich
wird eine gegenüber dem Stand der Technik der US-A-5,336,943
größere Ausgangsspannung erzeugt, so daß sich das
Ausgangssignal leicht weiterverarbeiten läßt.
Die Mittel zum Betreiben der ersten FET-Transistorschaltung
und die Mittel zum Betreiben der zweiten FET-Transistorschal
tung weisen bevorzugt einen Stromgenerator auf, der die
beiden Transistorschaltungen mit konstanten Strömen speist.
Mit Vorteil besteht der Stromgenerator dabei aus zwei
gekoppelten Stromquellen, die die FET-Transistorschaltungen
speisen. Durch Verwendung eines Stromgenerators, der die
beiden FET-Transistorschaltungen mit unterschiedlichen
Strömen betreibt, lassen sich die gewünschten Arbeitspunkte
der Transistorschaltungen einfach und zuverlässig einstellen.
Alternativ weisen die Mittel zum Betreiben der ersten und
zweiten FET-Transistorschaltung jeweils einen Widerstand auf,
der mit der jeweiligen FET-Transistorschaltung in Reihe
geschaltet ist. In dieser Ausführungsvariante werden die FET-
Transistorschaltungen durch die Widerstände gespeist.
Die FET-Transistorschaltungen weisen bevorzugt jeweils
mindestens einen MOS-Transistor auf, der in Diodenschaltung
betrieben wird, d. h. das Gate ist mit dem Drain-Anschluß
verbunden.
Um eine variablere Generierung der Differenzspannung zwischen
den beiden FET-Transistorschaltungen zu ermöglichen, ist an
einer weiteren Ausgestaltung der Erfindung vorgesehen, für
die erste und/oder die zweite FET-Transistorschaltung
kaskadierte MOS-Transistoren einzusetzen. Dabei kann in
einfacher Weise durch Variation der Speiseströme sowie der
Transistorgrößen die Differenzspannung über einen sehr weiten
Spannungsbereich eingestellt werden.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die
Figuren der Zeichnung anhand mehrerer Ausführungsbeispiele
näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 das Schaltbild einer Verstärkerschaltung mit
einer Schaltungsanordnung und einem
Temperatursensor;
Fig. 2 schematisch die Verstärkung und den Steuerstrom
in Abhängigkeit von der Temperatur mit und ohne
Verstärkungssteuerung;
Fig. 3a schematisch die Transistorkennlinie eines MOS-
Transistors für zwei Temperaturen;
Fig. 3b die Schaltung eines MOS-Transistors bei Aufnahme
der Tansistorkennlinie gemäß Fig. 3a, und
Fig. 4 ein Schaltbild eines Ausführungsbeispiels eines
Temperatursensors;
Fig. 1 zeigt eine Verstärkerschaltung mit drei Verstärkerstu
fen 1, 1', 1", die jeweils aus MOS-Transistoren Q1, Q2 und
Drain-Widerständen Rd bestehen. Die Verstärkerstufen 1, 1',
1" können identisch ausgebildet sein. Dies ist jedoch nicht
notwendigerweise der Fall.
Die Source-Anschlüsse der beiden Transistoren Q2 einer Ver
stärkerstufe sind gemeinsam an den Drain-Anschluß des Transi
stors Q1 angeschlossen, der als Stromquelle dient. Der
Source-Anschluß des Transistors Q1 ist mit Masse verbunden.
Die Drain-Anschlüsse der Transistoren Q2 sind jeweils über
einen Drain-Widerstand Rd mit einer Spannungsquelle verbun
den. Die an den Drain-Anschlüssen der Transistoren Q2 anlie
genden Spannungen einer Stufe 1, 1' werden dem Differenzver
stärker der nächsten Stufe 1', 1" als Eingang zugefügt.
Derartige Verstärkerstufen sind an sich bekannt.
Durch die Gatespannung am Transistor Q1 wird jeweils der
Strom durch die einzelnen Verstärkerstufen 1, 1', 1" einge
stellt. Wie nachfolgend erläutert, wird die Gatespannung
dabei so eingestellt, daß der Strom Iv durch die Verstärker
stufen mit abnehmender Temperatur reduziert wird. Dies führt
dazu, daß ausgehend von einer ausreichenden Verstärkung V0
bei einer höchsten Betriebstemperatur die Verstärkung bzw.
die Transistorsteilheit gm mit abnehmender Temperatur
konstant bleibt.
Dieser Zusammenhang ist schematisch in Fig. 2 dargestellt.
Der obere Graph G1 in Fig. 2 zeigt die Verstärkung V (die
proportional zur Transistorsteilheit gm ist) bei konstantem
Strom, ohne die nachfolgend erläuterte Steuerung der Gate
spannung des Transistor Q1. Die Verstärkung V nimmt mit
zunehmender Betriebstemperatur T quadratisch ab und erreicht
bei einer maximalen Betriebstemperatur Tmax den Wert V0.
Die untere Kurve G3 zeigt den Strom Iv durch die Verstärkerstufe,
der durch eine entsprechende Einstel
lung der Steuerspannung bzw. Gatespannung des Transistors Q1
mit abnehmender Temperatur hin reduziert wird.
Da die Steilheit eines im Sättigungsbereich betriebenen
Transistors proportional zur Wurzel des Drain-Stroms Id ist,
wird durch den reduzierten Strom Iv die Verstärkung der Ver
stärkerstufe bei kleinen Temperaturen entsprechend reduziert.
Dies führt dazu, daß die Verstärkung über den gesamten Tempe
raturbereich im wesentlichen konstant ist und dem Wert V0
entspricht. Dies ist in dem mittleren Graphen G2 der Fig. 2
dargestellt.
Eine Steuerung der Gatespannung Ug der Transistoren Q1
erfolgt mittels eines Temperatursensors 2 und einer Verstär
kerschaltung 3.
Der Temperatursensor 2 wird gemäß Fig. 1 durch zwei MOS-Tran
sistoren Q3 und Q4 realisiert, die in Diodenschaltung
angeordnet sind, d. h. der Gate-Anschluß und der Drain-An
schluß der Transistoren sind miteinander verbunden. Über
einen Stromgenerator 21 mit zwei gekoppelten Stromquellen
werden die Transistoren Q3 und Q4 mit unterschiedlichen
Strömen I1 und I2 betrieben. Der Stromgenerator 21 ist dabei
mit dem Gate-Anschluß verbunden; der Source-Anschluß der
beiden Transistoren ist jeweils geerdet.
Die Verstärkerschaltung 3 weist zwei Eingänge auf, von denen
der eine Eingang mit dem Drain-Anschluß des Transistors Q3
und der andere Eingang mit dem Drain-Anschluß des Transistors
Q4 verbunden ist. Die Steuerschaltung 3 erfaßt damit die
Differenzspannung an den beiden Transistoren Q3 und Q4 und
setzt diese Differenzspannung in eine Steuerspannung Ug um,
die die Gatespannung der als Stromquellen dienenden Transi
storen Q1 der Verstärkerstufen 1, 1', 1" bildet.
In Abhängigkeit von der Stromdichte ergibt sich eine unterschiedliche
Temperaturabhängigkeit der Gatespannung, die zur
Temperaturmessung ausgenutzt wird. Fig. 3a zeigt schematisch
die Transistorkennlinie eines MOS-Transistors (etwa des
Transistors Q3 oder des Transistors Q4 der Fig. 1) für zwei
Temperaturen T1 und T2, wobei T2 kleiner als T1 ist. Die zu
gehörige Schaltung, bei der die Transistorkennlinie
aufgenommen ist, ist in Fig. 3b dargestellt. Der Transistor
wird bei Aufnahme der Transistorschaltung in Diodenschaltung
betrieben.
Gemäß Fig. 3a existiert ein Arbeitspunkt A, in dem der Tempe
raturkoeffizient gleich Null ist, d. h. für einen konstanten
Drain-Source-Strom Id ist die Gatespannung Ug temperaturunab
hängig. Unterhalb dieses Punktes A ist der Temperaturkoeffi
zient des Drain-Source-Stroms Id positiv, oberhalb des Punk
tes A negativ.
Bei der Schaltung gemäß Fig. 1 wird nun der Transistor Q4 bei
einer Stromstärke I2 betrieben, die dem temperaturunabhängi
gen Arbeitspunkt A entspricht. Dementsprechend ist die
Spannung U2 am Transistor Q4 konstant.
Demgegenüber wird der Transistor Q3 an einem Arbeitspunkt
oberhalb des temperaturunabhängigen Arbeitspunktes A betrie
ben. In diesem Bereich ist der Temperaturkoeffizient von Id
negativ, d. h. mit zunehmender Temperatur wird eine höhere
Spannung zur Realisierung einer vorgegebenen Stromstärke I2
benötigt. So werden in Fig. 3a zur Realisierung der Strom
stärke I2 bei der (niedrigeren) Temperatur T2 die Spannung
U1T2 und bei der (höheren) Temperatur T1 die höhere Spannung
U1T1 benötigt.
Da der Transistor Q4 im Arbeitspunkt I1 und der Transistor Q3
im Arbeitspunkt I2 betrieben werden, variiert die Spannung im
Arbeitspunkt I1 in Abhängigkeit von der Temperatur, während
sie im Arbeitspunkt I2 konstant bleibt. Die Differenzspannung
(U2 - U1) ist proportional zur anliegenden Temperatur T, d. h.
mit zunehmender Temperatur des Transistors T3 nimmt auch die
Differenzspannung (U2 - U1) zu.
Die Differenzspannung (U2 - U1) wird von der Verstärkerschal
tung 3 in die Steuerspannung Ug umgesetzt, wobei neben einer
Verstärkung auch eine Anpassung des Arbeitspunktes erfolgt.
Durch die Steuerspannung Ug wird die Gatespannung der
Transistoren Q1 entsprechend dem gewünschten Srom Iv
eingestellt. Dabei wird die Temperaturabhängigkeit der
Verstärkung bzw. der Steilheit der Transistoren Q2 dadurch
kompensiert, daß mit abnehmender Temperatur der Strom Iv
durch die Verstärkerstufen 1, 1', 1" reduziert wird. Dabei
sind die Transistoren Q3, Q4 sowie die Transistoren Q1 und Q2
natürlich thermisch gekoppelt, so daß über den Transistor Q4
die Temperatur der Transistoren Q2 ermittelt werden kann. Zur
thermischen Kopplung sind die entsprechenden Transistoren
beispielsweise in einem Siliziumplättchen integriert
ausgebildet.
Bei einer Abnahme der Temperatur sinkt die Spannung U1 am
Transistor Q3 des Temperatursensors 2. Dementsprechend sinkt
auch die Differenzspannung (U2 - U1). Damit ist auch die
Steuerspannung Ug, die die Gatespannung der Transistoren Q1
darstellt, vermindert. Dies führt bei abnehmenden
Temperaturen zu einem reduzierten Strom Iv durch die Verstär
kerstufen. Somit stellt die dargestellte Schaltung sicher,
daß bei kleinen Temperaturen ein nur reduzierter Strom durch
die Verstärkerstufen fließt, was wiederum zu einer
verminderten Verstärkung führt, die die Zunahme der
Verstärkung bei niedrigen Temperaturen kompensiert.
Fig. 4 zeigt detaillierter ein Ausführungsbeispiel eines
Temperatursensors 2' und einer Verstärkerschaltung 3'. Im
Unterschied zur Fig. 1 ist der Transistor Q4 durch zwei
Transistoren Q4', Q4" ersetzt, die kaskadiert angeordnet
sind. Zwei Transistoren Q5 und Q6 dienen als Stromquellen für
die Ströme I1 und I2.
Die Verstärkerschaltung 3' wird durch eine an sich bekannte
Substraktionsschaltung für die beiden Eingangsspannungen U2
und U1 ausgebildet. Die Subtraktionsschaltung weist einen
invertierenden Operationsverstärker 31 auf, dem die Eingangs
spannung U1 über einen Spannungsteiler an den nicht
invertierenden Eingang zugeführt wird. Da das Verhältnis der
Widerstände R1, R2 am invertierenden und am nicht
invertierenden Eingang gleich ist, wird nur die Differenz der
Eingangsspannungen (U2 - U1) verstärkt und als Steuerspannung
Ug ausgegeben.
Durch Variation der Ströme I1 und I2 sowie der Transistorgrö
ßen Q3, Q4', Q4" kann die Differenzspannung (U2 - U1) bei der
Schaltung gemäß Fig. 4 fast beliebig eingestellt werden.
Damit kann diese Spannung mittels des Operationsverstärker 31
auf die benötigte Spannung Ug umgesetzt werden.
1
,
1
',
1
" Verstärkerstufe
2
,
2
' Temperatursensor
21
Stromgenerator
3
,
3
' Verstärkerschaltung
31
Operationsverstärker
Q Transistor
Rd Drain-Widerstand
Iv Strom durch Verstärkerstufe
Id Drain-Source-Strom
Ug Steuerspannung
T Temperatur
V Verstärkung
Q Transistor
Rd Drain-Widerstand
Iv Strom durch Verstärkerstufe
Id Drain-Source-Strom
Ug Steuerspannung
T Temperatur
V Verstärkung
Claims (6)
1. Temperatursensor mit einer ersten FET-Transistorschaltung
(Q3), einer zweiten FET-Transistorschaltung (Q4, Q4', Q4")
und Mitteln zum Betreiben der zweiten FET-Transistorschaltung
(Q4, Q4', Q4") an einem Arbeitspunkt (A), in dem für einen
konstanten Drain-Source-Strom (I2) die Gatespannung (U2) im
wesentlichen temperaturunabhängig ist,
gekennzeichnet durch,
- - Mittel zum Betreiben der ersten FET-Transistorschaltung (Q3) in einem Arbeitsbereich, der oberhalb des temperatu runabhängigen Arbeitspunkts (A) und in einem Bereich liegt, in dem für einen konstanten Drain-Source-Strom (I1) die Gate spannung (U1) mit zunehmender Temperatur zunimmt, wobei die Differenz der Gatespannungen (U2; U1) an der ersten und zweiten FET-Transistorschaltung (Q3; Q4, Q4', Q4") als Maß für die Temperatur ausgewertet wird,
- - und eine Verstärkerschaltung (3), die die Differenz der Gatespannungen (U2; U1) an der ersten und zweiten FET-Transi storschaltung (Q3; Q4, Q4', Q4") erfaßt und in eine Steuer spannung (Ug) für eine weitere Verstärkerschaltung (1, 1', 1") umsetzt.
2. Temperatursensor nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel
zum Betreiben der ersten FET-Transistorschaltung (Q3) und die
Mittel zum Betreiben der zweiten FET-Transistorschaltung (Q4,
Q4', Q4") einen Stromgenerator (21) aufweisen, der die
beiden FET-Transistorschaltungen (Q3; Q4, Q4', Q4") jeweils
mit einem konstanten Strom (I1, I2) speist.
3. Temperatursensor nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß der
Stromgenerator (21) zwei gekoppelte Stromquellen (Q5, Q6)
aufweist, die die FET-Transistorschaltungen (Q3; Q4, Q4',
Q4") speisen.
4. Temperatursensor nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß die Mittel
zum Betreiben der ersten FET-Transistorschaltung (Q3) und die
Mittel zum Betreiben der zweiten FET-Transistorschaltung (Q4,
Q4', Q4") jeweils mindestens einen Widerstand aufweisen, der
mit der jeweiligen FET-Transistorschaltung (Q3; Q4, Q4',
Q4") in Reihe geschaltet ist.
5. Temperatursensor nach mindestens einem der vorangehenden
Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
die erste FET-Transistorschaltung (Q3) und die zweite FET-
Transistorschaltung (Q4, Q4', Q4") jeweils einen FET-
Transistor aufweisen, der in Diodenschaltung betrieben wird.
6. Temperatursensor nach mindestens einem der Ansprüche 1
bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die
erste FET-Transistorschaltung (Q3) und/oder die zweite FET-
Transistorschaltung (Q4, Q4', Q4") kaskadierte FET-
Transistoren (Q4', Q4") aufweisen.
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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CN108709646B (zh) * | 2018-08-08 | 2024-06-04 | 上海艾为电子技术股份有限公司 | 一种温度检测采样电路 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0523799A1 (de) * | 1991-07-19 | 1993-01-20 | Philips Electronics Uk Limited | Schaltung zur Temperaturmessung |
US5796290A (en) * | 1995-10-26 | 1998-08-18 | Nec Corporation | Temperature detection method and circuit using MOSFET |
DE19841202C1 (de) * | 1998-09-09 | 2000-03-02 | Siemens Ag | Temperatursensor |
-
2000
- 2000-07-28 DE DE2000138693 patent/DE10038693C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0523799A1 (de) * | 1991-07-19 | 1993-01-20 | Philips Electronics Uk Limited | Schaltung zur Temperaturmessung |
US5796290A (en) * | 1995-10-26 | 1998-08-18 | Nec Corporation | Temperature detection method and circuit using MOSFET |
DE19841202C1 (de) * | 1998-09-09 | 2000-03-02 | Siemens Ag | Temperatursensor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10038693A1 (de) | 2002-02-14 |
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