DE10062497A1 - Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer - Google Patents
Halter für flache Werkstücke, insbesondere HalbleiterwaferInfo
- Publication number
- DE10062497A1 DE10062497A1 DE10062497A DE10062497A DE10062497A1 DE 10062497 A1 DE10062497 A1 DE 10062497A1 DE 10062497 A DE10062497 A DE 10062497A DE 10062497 A DE10062497 A DE 10062497A DE 10062497 A1 DE10062497 A1 DE 10062497A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- holding plate
- workpiece
- spindle
- plate
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/27—Work carriers
- B24B37/30—Work carriers for single side lapping of plane surfaces
- B24B37/32—Retaining rings
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer, insbesondere in einer Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren der Halbleiterwafer, mit einem tellerartigen Kopf, der auf der Oberseite mit einer höhenverstellbaren Spindel verbindbar ist und an der Unterseite eine Halteplatte aufweist, die über ein Universalgelenk mit einem oberhalb der Halteplatte angeordneten Tragabschnitt oder der Spindel gekoppelt ist und die eine Anzahl von vertikalen Bohrungen aufweist, die sich zur Unterseite der Halteplatte erstrecken und wahlweise mit Vakuum und/oder einer Fluidquelle unter Druck verbindbar sind, wobei die Halteplatte höhenbeweglich im Tragabschnitt geführt ist und zwischen dem Tragabschnitt und der Halteplatte Verstellmittel vorgesehen sind zur Verstellung der Halteplatte gegenüber dem Tragabschnitt und zur Ausübung eines vorgegebenen Drucks auf das Werkstück, wobei ein ringförmiges Belastungselement begrenzter Breite vorgesehen ist, das in der Halteplatte nahe ihrem Rand achsparallel bewegbar gelagert ist und von einer Belastungsvorrichtung in Richtung eines von der Halteplatte gehaltenen Werkstücks und von diesem fort verstellbar ist zur Aufbringung eines vorgegebenen Drucks auf das Werkstück.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Halter für flache Werkzeuge, insbesondere
Halbleiterwafer nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Die in den letzten Jahren stetig zunehmende Miniaturisierung der Halbleiterbau
elementstrukturen verursacht schärfere und neue Anforderungen an den Herstellungs
prozess der elektronischen Bauelemente. So muss beim Lithografieprozess bei Struk
turgrößen unterhalb von 0,5 µm die Oberfläche des zu belichtenden Halbleitermate
rials sehr eben sein (Profilunterschied < 0,4 µm), um innerhalb der Fokussierebene zu
liegen. Dazu muss das Material mittels geeigneter Vorrichtungen planarisiert werden.
Ein Verfahren hierzu ist das chemisch-mechanische Polieren (kurz: CMP). Bei diesem
Verfahren wird der Wafer unter Zuhilfenahme eines sowohl ätzenden als auch abra
siven Poliermittels auf einem Poliertuch aus Kunststoff unter rotatorischer Bewegung
des Poliertuchs und des Wafers mit definierter Andruckkraft poliert. Während des
Poliervorgangs fließt das Poliermittel (Slurry) auf das Poliertuch und bildet eine
Schicht zwischen Tuch und Wafer. Die verwendete Slurry besteht aus einer chemisch
aggressiven Lösung, in der Partikel, wie z. B. Siliziumdioxid, in kolloidaler Suspen
sion zugeben wird.
Aus DE 195 44 328 oder der Firmenschrift "CMP Plaster Tool System Planarization
Chemical Mechanical Polishing" von Fa. Wolters GmbH vom März 1996 ist bekannt,
für derartige Polierprozesse entsprechende Stationen und Vorrichtungen vorzusehen.
Die Wafer werden in Bearbeitungseinheiten von Haltern gehalten und mit diesen
gegen die Polierarbeitsfläche gedrückt. Der Halter oder die Halteköpfe sind mit einer
Spindel einer Antriebsmaschine verbunden, die höhenverstellbar gelagert ist, um die
Wafer gegen die Arbeitsfläche anzupressen. Um eine ausreichende Planarität zu
erhalten, ist die untere Halteplatte, welche über Vakuumkanäle oder -bohrungen den
Wafer z. B. zu Transportzwecken hält, über ein Universalgelenk an einem
Tragabschnitt abgelenkt, der seinerseits mit der Spindel der Antriebsvorrichtung
verbunden ist. Der Pressdruck wird über das Universalgelenk auf die Halteplatte
aufgebracht.
Aus DE 197 55 975 A1 ist ferner bekannt geworden, eine Halteplatte für den bekann
ten Halter höhenbeweglich in einem Träger zu führen und zwischen dem Trag
abschnitt und der Halteplatte eine ringförmig geschlossene Membran anzuordnen. Der
abgeschlossene Innenraum der Membran wird wahlweise mit Atmosphäre oder
Vakuum bzw. einer Fluidquelle unter Druck verbunden. Mit Hilfe von Druck und
Vakuum wird eine Verstellung der Halteplatte relativ zum Träger vorgenommen. Auf
diese Weise wird der Anpressdruck großflächig auf die Halteplatte aufgebracht und
dadurch ein verbessertes Ergebnis bei der Planarisierung erhalten.
Neben verschiedenen anderen Parametern, wie Drehzahl der Wafer, Drehzahl des
Poliertellers, Oszillationsbewegungen des Polierkopfes, Poliermittelzufuhr, Beschaf
fenheit sowie Verschleiß der Poliertücher beeinflusst die erreichbare Genauigkeit und
Gleichmäßigkeit das Polierergebnis im CMP-Verfahren. Planarisierte Schichten von
300 mm-Wafern, die mit CMP-Maschinen bearbeitet werden, weisen häufig eine
rotationssymmetrische differenzierte Oberflächengeometrie auf, die dadurch gekenn
zeichnet ist, dass der Waferrand sehr stark poliert ist, im geringen Abstand zum
Waferrand, von z. B. 3 mm, der Abtrag am geringsten ist und im Bereich von ca. 20 mm
vom Waferrand der größte Abtrag erzielt wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Halter für flache Werkstücke, ins
besondere Halbleiterwafer, zu schaffen, bei dem die Ungleichmäßigkeit der verblei
benden Schichtdicke verringert wird.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Patentanspruchs 1 gelöst.
Bei dem erfindungsgemäßen Halter ist ein ringförmiges Belastungselement begrenzter
Breite vorgesehen, das in der Halteplatte nahe dem Rand achsparallel bewegbar
gelagert ist und von einer Belastungsvorrichtung in Richtung eines von der Halteplatte
gehaltenen Werkstücks und von dieser fort verstellbar ist zur Aufbringung eines vor
gegebenen Drucks auf das Werkstück.
Mit Hilfe des ringförmigen Belastungselements, das sehr nahe an den Rand der Halte
platte gebracht ist, beispielsweise in einem Abstand von etwa 3 mm und das sich nur
über eine begrenzte Breite erstreckt, von z. B. 5 bis 10 mm, kann ein separater zusätz
licher Druck erzeugt werden, wenn mit Hilfe der Halteplatte ein Druck auf das Werk
stück, insbesondere des Wafers ausgeübt wird. Mit Hilfe einer derartigen Maßnahme
lässt sich der Abtrag über die Gesamtfläche des Werkstücks, insbesondere des Wafers,
stärker vergleichmäßigen.
Nach einer Ausgestaltung der Erfindung ist vorgesehen, dass Rückstellmittel vorge
sehen sind, die das Belastungselement automatisch in Richtung von der Anlagefläche
der Halteplatte weg verstellen, wenn die Belastungsvorrichtung ausgeschaltet ist.
Dadurch ist sichergestellt, dass zur Aufnahme des Werkstücks mit Hilfe von Vakuum,
um das Werkstück in Anlage an die Halteplatte zu bringen, das Belastungselement
hierbei nicht stört.
Es sind verschiedene Möglichkeiten denkbar zur Ausbildung eines Belastungs
elements und zu dessen Betätigung. Für die Betätigung bietet sich vorzugsweise ein
pneumatischer Druck an, zumal bekannt und vorteilhaft ist, einen Pressdruck mit der
Halteplatte durch Fluiddruck zu erzeugen. Besonders vorteilhaft ist die Anwendung
eines ringförmigen Schlauchs, der in einer ringförmigen Ausnehmung der Halteplatte
aufgenommen ist. Der Schlauch, der vorzugsweise im Querschnitt länglich ist, kann
mit Hilfe eines gasförmigen Mediums gedehnt werden und auf diese Weise einen
Druck auf das Werkstück ausüben. Ist das Material des Schlauches elastisch nach
gebend, kann automatisch eine Rückstellung des Schlauchs erfolgen, wenn er vom
Druck entlastet wird.
Die Steuerung des Fluiddrucks in dem schlauchförmigen Belastungselement erfolgt
vorzugsweise über ein Proportionaldruckregelventil. Hierdurch ist eine gezielte
Druckbeaufschlagung in feiner Dosierung möglich.
Die Erfindung hat den Vorteil, dass sie in herkömmliche Halter eingebaut werden
kann. So ist zum Beispiel nicht erforderlich, den Rückhaltering, der normalerweise
verwendet wird und der gegen das Poliertuch anliegt, in der bekannten Form beizu
behalten.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand von Zeichnungen
näher erläutert.
Fig. 1 zeigt einen Schnitt durch einen Halter nach der Erfindung.
Fig. 2 zeigt ein Diagramm der verbleibenden Dicke einer Waferschicht, die mit einem
Halter nach Fig. 1 poliert worden ist.
Fig. 3 zeigt vergrößert eine Einzelheit des Halters nach Fig. 1.
In Fig. 1 ist ein Halter in Form eines Haltekopfes 10 an einer Spindel angebracht, die
bei 12 andeutungsweise gezeichnet ist. Die Anbringung erfolgt durch eine nicht näher
bezeichnete Verschraubung. Sie erfolgt an einem Tragabschnitt 14 des Haltekopfes 10,
der nachfolgend noch näher beschrieben wird. Die Spindel 12 ist Teil einer nicht näher
dargestellten Antriebsvorrichtung einer ansonsten nicht gezeigten Vorrichtung zum
mechanisch-chemischen Polieren einer Oberfläche eines Halbleiterwafers. Die Spindel
12 wird nicht nur gedreht, sondern kann auch in der Höhe verstellt werden, wie das
etwa in der DE 197 55 975 A1 beschrieben ist, auf die hiermit ausdrücklich Bezug
genommen wird.
Der Tragabschnitt 14 weist einen axialen Bund 16 auf, an den sich unten ein Flansch
18 anschließt. Am Rand des Flansches 18 ist ein ringförmiges Haltebauteil 20 mit
Hilfe von Schrauben 22 befestigt. Es klemmt mit dem Flansch 18 das eine Ende einer
ringförmigen Rollmembran 24 ein. An dem Haltebauteil 20 ist ferner radial weiter
außen in einer ringförmigen Ausnehmung ein Schlauch 26 gelagert, der über eine
flexible Leitung 28 und entsprechende Bohrungen 30 im Bund 16 und in der Spindel
12 mit einer nicht gezeigten Druckquelle verbindbar ist, um den Schlauch 26 wahl
weise zu expandieren oder einziehen zu lassen. Schließlich ist am ringförmigen Bau
teil 20 mit Hilfe von Bolzen 32, die in Umfangsabständen angeordnet sind, ein Rück
haltering 34 aufgehängt, und zwar über die Vorspannung einer Feder 36. Ein radial
innerer Abschnitt des Rückhalterings 34 liegt gegen den Schlauch 26 an. Mit Hilfe des
Schlauchs 26 kann mithin der Rückhaltering 34 axial hin und her bewegt werden. An
der Unterseite des Rückhalterings 34 ist ein ringförmiger Gleitabschnitt 38 aus einem
Material geringer Reibung und hoher Abriebfestigkeit angebracht.
Innerhalb des umgekehrt topfförmigen Flansches 18 in axialem Abstand zu diesem ist
ein glockenförmiger Abschnitt 40 koaxial angeordnet. Auf der Oberseite des Glocken
abschnitts 40 ist ein Ring 42 durch Verschraubung befestigt. Zwischen Ring 42 und
Glockenabschnitt 40 ist das andere Ende der Rollmembran eingeklemmt. Dadurch ist
zwischen dem Tragabschnitt 14 und dem Glockenabschnitt 40 ein abgeschlossener
Raum 44 gebildet. Dieser Raum ist wahlweise an eine Fluidquelle unter Druck oder an
eine Vakuumquelle anschließbar, was hier nicht gezeigt ist. Mit Hilfe des Fluids kann
mithin der Glockenabschnitt 40 relativ zum Tragabschnitt 14 axial verstellt werden,
wobei die Verstellung nach unten durch einen Bolzen 46 begrenzt ist, der im Flansch
18 verschraubt ist und einen Kopf aufweist, der die Bewegung des Glockenabschnitts
40 nach unten begrenzt.
Mit dem Glockenabschnitt 40 ist am Rand eine Halteplatte 50 verschraubt, wie z. B.
bei 52 dargestellt. Die Halteplatte 50 ist mit mehreren radialen Bohrungen 54 ver
sehen, die nach oben mit achsparallelen Bohrungen 56 verbunden sind mit Anschlüs
sen 58, 60, die über flexible Leitungen mit zwei Anschlüssen 62, 64 verbunden sind.
Die Anschlüsse 62, 64 sind an einer Buchse 66 angebracht, welche in einer Bohrung
im Bund 16 untergebracht ist und einen mittigen Kanal 68 aufweist, der mit entspre
chenden Bohrungen in der Spindel verbunden ist. Über diese Kanäle kann wahlweise
Vakuum, gasförmiger Druck oder auch Wasser geleitet werden. Die Querbohrungen
54 sind mit düsenartigen Bohrungen 62a in der Halteplatte 50 verbunden, die zur
unteren planen Fläche der Halteplatte 50 führen. Die Bohrungen 62a sind nach einem
vorgegebenen Muster angeordnet und dienen dazu, mit Hilfe eines Vakuums einen
Wafer an der Platte 50 zu halten. Unter der Halteplatte 50 ist ein Poliertuch 64a durch
Klebung befestigt (Backing film), das Löcher nach dem gleichen Muster wie die
Halteplatte 50 aufweist.
Die Halteplatte 50 ist über ein nicht näher dargestelltes Kardangelenk 70 mit einem
zylindrischen Bauteil 72 gekoppelt, das seinerseits in einem Gehäuse 74 axial geführt
ist mit Hilfe einer nicht zu sehenden Kugelführung. Das Gehäuse 74 ist im Bund 16
des Tragabschnitts 14 festgelegt. Dadurch ist die Traghalteplatte 50 bei einer Verstel
lung durch ein gasförmiges Medium präzise axial geführt, wobei es zu allen Richtun
gen hin leicht kippen kann.
Die beschrieben Bauteile und ihre Funktion sind im Prinzip bereits aus der mehrfach
erwähnten DE 197 55 975 A1 bekannt geworden. Eine Besonderheit ergibt sich aus
Fig. 3.
Man erkennt aus Fig. 3, dass am Umfang der Halteplatte 50 in einer Aussparung von
dieser ein ringförmiges Bauteil 80 angebracht ist, das mit Hilfe von Schrauben, wie der
Schraube 52 mit der Halteplatte 50 fest verbunden ist. Das ringförmige Bauteil 80 hat
eine nach unten weisende ringförmige Ausnehmung auf, welche eine ringförmig
umlaufende Membran 82 oder einen ringförmig umlaufenden Schlauch aufnimmt mit
länglichem Querschnitt, wobei die größte Erstreckung parallel zur Achse des Halters
10 verläuft. Die Enden der Membran werden in der Ausnehmung festgelegt mit Hilfe
eines Ringes 84, der zwischen dem ringförmigen Bauteil 80 und dem entsprechenden
Teil der Halteplatte 50 festgeklemmt wird. Über eine Leitung 86 steht der Innenraum
der Membran 82 mit einem Anschluss 88 in Verbindung, der über eine Leitung 90 mit
einem Proportionaldruchregelventil 92 in Verbindung steht. Mit Hilfe eines entspre
chenden Drucks in der Membran 82 dehnt sich diese nach unten aus und übt dabei
einen Druck auf das Poliertuch 64a aus und damit auf einen Wafer, der bei 94 in Fig. 3
dargestellt ist. Da das Material der Membran 82 elastisch ist, kommt es automatisch zu
einer Rückstellung bei Entlastung des Raumes in der Membran 82. Diese ist so aus
gelegt, dass sie im entlasteten Zustand nicht über die Unterseite der Halteplatte 50
hinaussteht.
In Fig. 3 ist auch die Druckverteilung, die mit Hilfe der Halteplatte 50 auf den Wafer
94 ausgeübt werden kann, dargestellt. Man erkennt, dass außerhalb des Bereichs der
Membran 82 eine gleichmäßige Druckverteilung stattfindet. Im Bereich der Membran
82 findet jedoch bei 96 eine Druckverstärkung statt. Diese kompensiert dabei den
geringeren Abtrag, der nahe dem Rand des Wafers bzw. der Halteplatte 50 auftritt.
Eine derartige Druckverteilung ergibt sich aus dem Diagramm nach Fig. 2. Wie
erkennbar, wird der Waferrand stärker poliert, während im Abstand zum Waferrand,
beispielsweise von 3 mm, der geringste Abtrag und im Bereich von 20 mm der größte
Abtrag erzielt wird. Auch in Fig. 2 ist daher noch ein unterschiedlicher Abtrag mit
Hilfe des gezeigten Werkzeugs erzielt. Gleichwohl wird bedeutende Verbesserung
gegenüber den bisherigen Verläufen mit herkömmlichen Werkzeugen erreicht.
Es versteht sich, dass der Anschluss 88 über eine geeignete Leitung in dem Raum
zwischen Glockenabschnitt 40 und Halteplatte 50 mit einem entsprechenden
Anschluss am Tragbauteil 14 zu verbinden ist, damit, wie beschrieben, ein entspre
chender Druck in der Membran 82 aufgebaut werden kann.
Der gezeigte Halter 10 arbeitet wie folgt. Durch Absenken auf einen bereitgehaltenen
Wafer mit Hilfe der höhenverstellbaren Spindel 12 gelangt die Unterseite der Halte
platte 34 bzw. das Poliertuch 64a in Eingriff mit der zugekehrten Fläche des Wafers.
Zuvor wurde die Halteplatte 34 in die maximal angehobene Stellung gegenüber dem
Tragbauteil 14 verstellt durch Anlegen eines Vakuums an den Raum 44. Kurz vor oder
während der Berührung mit dem Wafer wird von der Vakuumquelle an die Bohrungen
62a in der beschriebenen Weise ein Vakuum angelegt. Dadurch wird der Wafer an der
Halteplatte 50 gehalten und kann nunmehr zu einer Arbeitsfläche, beispielsweise
einem Polierteller transportiert werden. Oberhalb des Poliertellers erfolgt ein Absen
ken des Halters 10 bis in eine vorgegebene Position, in der der Wafer einen minimalen
Abstand zum Poliertuch des Poliertellers hat, dieses jedoch noch nicht berührt.
Anschließend wird Druck in den Raum 44 gegeben, wodurch sich die Halteplatte 50
nach unten bewegt und den Wafer in Eingriff mit dem Polierteller bringt. Die Ein
griffskraft (Polierkraft) wird durch den Druck in der Kammer 44 bestimmt. Anschlie
ßend wird der Kopf bzw. Halter 10 in Drehung versetzt und der Poliervorgang beginnt.
Während des Polierens bleibt das Vakuum an den Bohrungen 62a aufrecht erhalten.
Außerdem wird über das Proportionalregelventil 92 ein vorgegebener Druck in der
Membran 82 aufgebaut, die für einen zusätzlichen Anpressdruck im Bereich der
Membran 82 sorgt, wie anhand von Fig. 3 zu erkennen. Dadurch erfolgt eine Ver
gleichmäßigung des Abtrags über die gesamte Fläche des Wafers.
Ist der Poliervorgang beendet, wird wiederum Vakuum auf den Raum 44 gegeben und
die Membran 82 entlastet. Die Halteplatte 50 wird etwas angehoben. Gleichzeitig wird
die Spindel 12 hochgefahren. Die Antriebsvorrichtung wird in eine andere Position
gefahren, um den Wafer an einem anderen Ort abzulegen. Zu diesem Zweck senkt sich
die Spindel am neuen Ort ab und durch Beseitigung des Vakuums an den Bohrungen
62a und durch Aufbringen eines kurzen Stoßes oder dergleichen wird der Wafer von
der Halteplatte 50 gelöst. Es ist auch möglich, über die Bohrungen 62a Wasser zur
Unterseite der Halteplatte zu fördern, um eine Reinigung durchzuführen.
Es sei schließlich noch erwähnt, dass eine Abdeckhaube 100 an der Oberseite des
Flansches 18 angebracht ist und das Innere des Halters 10 schützt. Er hat mit der
Funktion des Halters nichts zu tun.
Claims (6)
1. Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer, insbesondere in einer
Vorrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren der Halbleiterwafer, mit einem
tellerartigen Kopf, der auf der Oberseite mit einer höhenverstellbaren Spindel ver
bindbar ist und an der Unterseite eine Halteplatte aufweist, die über ein Universal
gelenk mit einem oberhalb der Halteplatte angeordneten Tragabschnitt oder der
Spindel gekoppelt ist und die eine Anzahl von vertikalen Bohrungen aufweist, die
sich zur Unterseite der Halteplatte erstrecken und wahlweise mit Vakuum
und/oder einer Fluidquelle unter Druck verbindbar sind, wobei die Halteplatte
höhenbeweglich im Tragabschnitt geführt ist und zwischen dem Tragabschnitt und
der Halteplatte Verstellmittel vorgesehen sind zur Verstellung der Halteplatte
gegenüber dem Tragabschnitt und zur Ausübung eines vorgegebenen Drucks auf
das Werkstück, dadurch gekennzeichnet, dass ein ringförmiges Belastungselement
(82) begrenzter Breite vorgesehen ist, das in der Halteplatte (50) nahe ihrem Rand
achsparallel bewegbar gelagert ist und von einer Belastungsvorrichtung in Rich
tung eines von der Halteplatte (50) gehaltenen Werkstücks (94) und von diesem
fort verstellbar ist zur Aufbringung eines vorgegebenen Drucks auf das Werkstück
(94).
2. Halter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass Rückstellmittel vorgesehen
sind, die das Belastungselement (82) in Richtung von der Anlagefläche der Halte
platte (50) fort verstellen, wenn die Belastungsvorrichtung ausgeschaltet ist.
3. Halter nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Belastungs
element (82) ein ringförmiger Schlauch oder eine ringförmige Membran aus elasti
schem Material ist, die in einer Ringausnehmung der Halteplatte (50) angeordnet
und wahlweise mit einer Fluidquelle unter Druck verbindbar ist.
4. Halter nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Membran (82) einen
länglichen Querschnitt aufweist, wobei die größere Erstreckung parallel zur Achse
der Spindel (12) verläuft.
5. Halter nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Fluidquelle über
ein Proportionaldruckregelventil (92) mit der Memran (82) verbunden ist.
6. Halter nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das
Belastungselement (82) auf ein Poliertuch (64a) wirkt, das auf die untere Fläche
der Halteplatte (50) aufgeklebt ist.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10062497A DE10062497A1 (de) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer |
US10/016,920 US6709323B2 (en) | 2000-12-14 | 2001-12-13 | Holder for flat workpieces, particularly semiconductor wafers |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10062497A DE10062497A1 (de) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10062497A1 true DE10062497A1 (de) | 2002-06-27 |
Family
ID=7667257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10062497A Withdrawn DE10062497A1 (de) | 2000-12-14 | 2000-12-14 | Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6709323B2 (de) |
DE (1) | DE10062497A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005005101A1 (de) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Peter Wolters Surface Technologies Gmbh & Co. Kg | Halter für flache werkstücke, insbesondere halbleiterwafer zum chemisch-mechanischen polieren |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106908676B (zh) * | 2017-03-06 | 2023-06-20 | 国家电网公司 | 智能变电站继电保护状态监测与故障诊断***本体 |
US11623321B2 (en) * | 2020-10-14 | 2023-04-11 | Applied Materials, Inc. | Polishing head retaining ring tilting moment control |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5679059A (en) | 1994-11-29 | 1997-10-21 | Ebara Corporation | Polishing aparatus and method |
DE19755975A1 (de) * | 1997-12-16 | 1999-06-17 | Wolters Peter Werkzeugmasch | Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer |
US6132298A (en) * | 1998-11-25 | 2000-10-17 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with edge control for chemical mechanical polishing |
US6447379B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-09-10 | Speedfam-Ipec Corporation | Carrier including a multi-volume diaphragm for polishing a semiconductor wafer and a method therefor |
-
2000
- 2000-12-14 DE DE10062497A patent/DE10062497A1/de not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-12-13 US US10/016,920 patent/US6709323B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005005101A1 (de) * | 2003-07-09 | 2005-01-20 | Peter Wolters Surface Technologies Gmbh & Co. Kg | Halter für flache werkstücke, insbesondere halbleiterwafer zum chemisch-mechanischen polieren |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6709323B2 (en) | 2004-03-23 |
US20020074478A1 (en) | 2002-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69808774T2 (de) | Trägerplatte mit lokaler drucksteuerung für eine chemisch-mechanische poliervorrichtung | |
DE69813374T2 (de) | Halbleiterscheibe Poliervorrichtung mit Halterring | |
DE69932496T2 (de) | Trägerplatte mit einstellbarem Druck und einstellbarer Oberfläche für eine chemisch-mechanische Poliervorrichtung | |
DE60005270T2 (de) | Trägervorrichtung für eine chemisch-mechanische poliervorrichtung, mit einem halterring und einer trägerplatte mit mehrzonaler drucksteuervorrichtung | |
DE69827062T2 (de) | Poliervorrichtung | |
DE69912307T2 (de) | Trägerplatte mit randsteuerung für chemisch-mechanisches polieren | |
DE60102891T2 (de) | Vorrichtung und vefahren für das kontrollierte polieren und planarisieren von halbleiterschleifen | |
DE69823407T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Polieren einer flachen Oberfläche mittels eines Gurtschleifkissens | |
DE60018019T2 (de) | Werkstückhalter und Poliervorrichtung mit demselben | |
DE69611851T2 (de) | Haltevorrichtung für ein Substrat und Verfahren und Vorrichtung zum Polieren eines Substrates | |
DE69903547T2 (de) | Verfahren und vorrichtung zum abfasen von halbleiterscheiben | |
DE69304498T2 (de) | Maschine zum Kantenscheifen von Halbleiterplatten | |
DE19755975A1 (de) | Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer | |
DE602005004493T2 (de) | Präzisionsbearbeitungsapparat und Verfahren zur Präzisionsbearbeitung | |
DE19640579A1 (de) | Umrüstbare Tragausstattung, insbesondere für eine Meßmaschine | |
DE10153813B4 (de) | Poliervorrichtung zum Polieren von äußeren Umfangsabschnitten eines plattenförmigen Werkstücks | |
DE60020760T2 (de) | Poliereinrichtung enthaltend eine Einstellkontrolle für eine Abziehvorrichtung | |
DE19804885C5 (de) | Vorrichtung zum Superfinishen | |
DE10241845A1 (de) | Träger mit einer Mehrfach-Volumen-Membran zum Polieren eines Halbleiterwafers und ein entsprechendes Verfahren | |
DE10208414A1 (de) | Polierkopf und Vorrichtung mit einem verbesserten Polierkissenaufbereiter für das chemisch mechanische Polieren | |
DE60101458T2 (de) | Halbleitersubstrathalter mit bewegbarer Platte für das chemisch-mechanische Polierverfahren | |
DE10202701B4 (de) | Vorrichtung zum Polieren eines Wafers | |
DE10062496B4 (de) | Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer | |
DE60314505T2 (de) | Polierverfahren | |
DE10062497A1 (de) | Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |