DE10031019A1 - Method and device for transporting wafers in connection their production and/or processing uses gas-operated flow-through nozzles to create gas cushions and/or gas jets for moving and/or positioning wafers. - Google Patents

Abstract

Gas-operated flow-through nozzles create gas cushions and/or gas jets for moving and/or positioning wafers at least partly without any contact. These nozzles allow a wafer to be centered with regard to a processing position, to movement in a straight line and/or to rotational movement. These nozzles also allow wafers to be removed from a tray and/or returned to it.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Transport von Wafern insbesondere im Zusammenhang mit deren Herstellung und/oder Bearbeitung.The invention relates to a method for transporting wafers in particular Connection with their manufacture and / or processing.

Die Erfindung betrifft ferner einer Vorrichtung zum Transport von Wafern.The invention further relates to a device for transporting wafers.

In der Halbleitertechnik spielt die Minimierung des Ausschusses eine zentrale Rolle. Wesentlich trägt zur Qualitätssicherung bei der Herstellung oder Bearbeitung der Wafer deren Transport bei, bei dem die Wafer nicht beschädigt oder beeinflußt werden dürfen. Beim Transport von Wafern kommt es allerdings aufgrund von Reibung zwischen dem Wafer und anderen Oberflächen zur Entstehung von Partikeln, die den Wafer verschmutzen. Dies führt in der Halbleiterfertigung, der Halbleiterbearbeitung und ähnlichen Prozessen zu Verschlechterungen der Prozeßergebnisse.Minimizing rejects plays a central role in semiconductor technology. Essential contributes to quality assurance in the manufacture or processing of Wafers in their transport, in which the wafers are not damaged or affected allowed to. When transporting wafers, however, it occurs due to friction between the wafer and other surfaces to create particles that Soiling the wafer. This leads to semiconductor manufacturing, semiconductor processing and similar processes to deteriorate process results.

Ein mechanisches Greifen der Wafer beim Transport birgt große Potentiale für Beschädigungen der Wafer. Ihr Einsatz führt daher in der Regel nicht zu konstanten Qualitäten bzw. zu unbefriedigenden Ergebnissen. Bereits vorgeschlagene Naß­ beförderungssysteme mit Flüssigkeiten erfordern eine Trocknung der Wafer und gegebenenfalls Reinigung der Oberflächen. Auch ist der apparative Aufwand beträchtlich. Dieser Ansatz liefert keine auch keine befriedigende Lösung für den Transport von Wafern.Mechanical gripping of the wafers during transport holds great potential for Damage to the wafer. As a rule, their use does not lead to constant results Qualities or unsatisfactory results. Wet already suggested Transport systems with liquids require drying of the wafers and if necessary, cleaning the surfaces. Also the expenditure on equipment considerably. This approach does not provide a satisfactory solution for either Transport of wafers.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung der eingangs genannten Art aufzuzeigen, welche einen verbesserten Transport der Wafer ermöglichen, wobei die Qualität der Wafer in hohem Maße gewährleistet werden kann.The invention is therefore based on the object of a method and a device to show the type mentioned, which an improved transport of Enable wafers, with the quality of the wafers being guaranteed to a high degree can.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß für das Verfahren dadurch gelöst, daß mittels zumindest zeitweise gasdurchströmter Düsen Gaskissen und/oder Gasstrahlen erzeugt werden und die Wafer zumindest teilweise mit Hilfe der Gaskissen und/oder Gasstrahlen berührungslos bewegt und/oder positioniert werden. This object is achieved for the method in that Gas cushions and / or gas jets are generated at least occasionally by gas-flowed nozzles and the wafers at least partially with the help of the gas cushion and / or Gas jets are moved and / or positioned without contact.  

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird für die Vorrichtung dadurch gelöst, daß Mittel zum berührungslosen Bewegen und/oder Positionieren der Wafer mit Hilfe von Gaskissen und/oder Gasstrahlen vorhanden sind, welche zumindest zeitweise gasdurchströmte Düsen zur Erzeugung von Gaskissen und/oder Gasstrahlen umfassen.The object on which the invention is based is achieved for the device in that that means for contactless movement and / or positioning of the wafers with the help of gas cushions and / or gas jets are present, which at least temporarily gas-flowed nozzles for the production of gas cushions and / or gas jets include.

Die Erfindung beruht auf der Idee, den Transport von Wafern zumindest teilweise oder im wesentlichen berührungslos mit den Bearbeitungs- oder Transportvorrichtung durchzuführen. Die Gefahr von Qualitätsbeeinträchtigungen der Wafer durch den Transport wird dadurch bedeutend gesenkt. Als Gase zur Durchströmung der Düsen können im Rahmen der Erfindung alle geeigneten Gase eingesetzt werden. Insbeson­ dere eignet sich hierzu Luft, bevorzugt von Festkörperteilchen oder Flüssigkeitströpf­ chen gereinigte und/oder befreite Luft, oder Stickstoff (N₂). Die Vorrichtung weist ent­ sprechende Mittel zur Gaszufuhr und gegebenenfalls zur Reinigung auf.The invention is based on the idea of carrying out the transport of wafers at least partially or essentially without contact with the processing or transport device. This significantly reduces the risk of the quality of the wafers being impaired by transport. In the context of the invention, all suitable gases can be used as gases for the flow through the nozzles. Air is particularly suitable for this purpose, preferably air cleaned and / or freed from solid particles or liquid droplets, or nitrogen (N ₂ ). The device has ent speaking means for gas supply and optionally for cleaning.

Mittels zumindest zeitweise gasdurchströmter Düsen können die Wafer eine Zentrierung im Hinblick auf eine Bearbeitungsposition, eine Translationsbewegung und/oder eine Rotationsbewegung erfahren. Dazu können mehrere Düsen in einer oder mehreren ebenen Flächen angeordnet sein. Auch eine Anordnung mehrerer Düsen in Ringform kann vorgesehen sein.By means of at least occasionally gas-flowed nozzles, the wafers can Centering with regard to a machining position, a translational movement and / or experience a rotational movement. You can do this with several nozzles in one or several flat surfaces. Also an arrangement of several Ring-shaped nozzles can be provided.

Die oder lediglich einige die Gaskissen und/oder die Gasstrahlen erzeugenden Düsen können zumindest zeitweise geregelt oder gesteuert werden. In diesem Fall sind in der Vorrichtung entsprechende Mittel vorhanden.The or only a few of the gas cushions and / or the gas jets generating nozzles can be regulated or controlled at least temporarily. In this case, the Appropriate means available.

Die durch die Düsen erzeugten Gasströmungen können in Richtung, Form und/oder Geschwindigkeit variiert werden. Hierzu eignen sich insbesondere verstellbare Düsen.The gas flows generated by the nozzles can be in the direction, shape and / or Speed can be varied. Adjustable nozzles are particularly suitable for this.

Die Wafer können unter Ausnützung der Gravitationskraft auf einer schiefen Ebene auf Gaskissen bewegt werden.Using the gravitational force, the wafers can be placed on an inclined plane Gas cushions are moved.

Mittels der zumindest zeitweise gasdurchströmten Düsen kann insbesondere die Entnahme der Wafer aus einer Horde - beispielsweise in einer Kassette - und/oder die Rückgabe der Wafer in eine Horde - ebenfalls beispielsweise in eine Kassette - erfolgen. Dazu werden bevorzugt bewegliche Bleche und/oder Platten mit Düsen­ öffnungen eingesetzt. Die Düsenöffnungen (Bohrungen, Schlitze oder dergleichen) können dabei symmetrisch in den Blechen und/oder Platten angeordnet sein. Die Bleche und/oder Platten mit den Düsenöffnungen (bevorzugt Düsenbohrungen) können auch als Paddel (Entnahmepaddel oder Ausgabepaddel) bezeichnet werden.By means of the at least occasionally gas-flowed nozzles, the Removing the wafers from a horde - for example in a cassette - and / or the Return of the wafers in a horde - also in a cassette, for example - respectively. For this purpose, movable sheets and / or plates with nozzles are preferred  openings inserted. The nozzle openings (bores, slots or the like) can be arranged symmetrically in the sheets and / or plates. The Sheets and / or plates with the nozzle openings (preferably nozzle bores) can also be referred to as a paddle (removal paddle or output paddle).

In Ausgestaltung der Erfindung können Mittel zum Leiten und Führen der Wafer vorgesehen sein. Hierzu können beispielsweise Führungs- und Leitelemente wie Anlaufleisten oder ähnliches dienen.In one embodiment of the invention, means for guiding and guiding the wafers can be used be provided. For this purpose, guide and guide elements such as Serve as stop bars or the like.

In Weiterbildung der Erfindung weisen die mit den Wafern in Berührung kommenden oder nahe an die Waferoberfläche hinreichenden Oberflächen - insbesondere der Düse (vor allem Düsenkörper und Düsenaustrittsöffnungen), der mit Düsenöffnungen versehenen Bleche oder Platten und/oder der Mittel zum Leiten und Führen - zumindest teilweise eine mittels eines thermischen Spritzverfahrens hergestellte Beschichtung auf.In a further development of the invention, those that come into contact with the wafers or surfaces close to the wafer surface - especially the surface Nozzle (especially nozzle body and nozzle outlet openings), the one with nozzle openings provided sheets or plates and / or the means for guiding and guiding - at least partially one produced by means of a thermal spraying process Coating on.

Thermische Spritzverfahren zeichnen sich im wesentlichen dadurch aus, daß sie gleichmäßig aufgetragene Beschichtungen ermöglichen. Durch thermische Spritz­ verfahren aufgetragene Beschichtungen können durch Variation der Spritzmaterialien an unterschiedliche Anforderungen angepaßt werden. Die Spritzmaterialien können dabei in Form von Drähten, Stäben oder als Pulver verarbeitet werden. Beim thermi­ schen Spritzen kann zusätzlich eine thermische Nachbehandlung vorgesehen sein.Thermal spray processes are essentially characterized in that they enable evenly applied coatings. By thermal spray Process applied coatings can be achieved by varying the spray materials can be adapted to different requirements. The spray materials can can be processed in the form of wires, rods or as powder. With the thermi thermal spraying can also be provided.

Beim thermischen Spritzen als Beschichtungsverfahren sind als Verfahrensvarianten das autogene Flammspritzen oder das Hochgeschwindigkeits-Flammspritzen, das Lichtbogenspritzen, das Plasmaspritzen, das Detonationsspritzen und das Laser­ spritzen bekannt.In thermal spraying as a coating process are as process variants the autogenous flame spraying or the high speed flame spraying that Arc spraying, plasma spraying, detonation spraying and the laser known to inject.

In jüngerer Zeit wurde darüber hinaus ein weiteres thermisches Spritzverfahren ent­ wickelt, welches auch als Kaltgasspritzen bezeichnet wird. Es handelt sich dabei um eine Art Weiterentwicklung des Hochgeschwindigkeits-Flammspritzens mit Pulver. Dieses Verfahren ist beispielsweise in der europäischen Patentschrift EP 0 484 533 B1 beschrieben. Beim Kaltgasspritzen kommt ein Zusatzwerkstoff in Pulverform zum Ein­ satz. Die Pulverpartikel werden beim Kaltgasspritzen jedoch nicht im Gasstrahl ge­ schmolzen. Vielmehr liegt die Temperatur des Gasstrahles unterhalb des Schmelz­ punktes der Pulverpartikel des Zusatzwerkstoffes (EP 0 484 533 B1) oder aber nur in geringem Maße oberhalb der Schmelztemperatur des Pulvers. Im Kaltgasspritzverfah­ ren wird also ein im Vergleich zu den herkömmlichen Spritzverfahren "kaltes" bzw. ein vergleichsweise kälteres Gas verwendet. Gleichwohl wird das Gas aber ebenso wie in den herkömmlichen Verfahren erwärmt, aber lediglich auf Temperaturen unterhalb des Schmelzpunktes der Pulverpartikel des Zusatzwerkstoffes.In addition, another thermal spraying method has recently been developed winds, which is also referred to as cold gas spraying. It is about a kind of further development of high-speed flame spraying with powder. This method is described, for example, in European Patent EP 0 484 533 B1 described. A filler material in powder form is used for cold gas spraying sentence. However, the powder particles are not ge in the gas jet during cold gas spraying melted. Rather, the temperature of the gas jet is below the melt  point of the powder particles of the filler material (EP 0 484 533 B1) or only in slightly above the melting temperature of the powder. In cold gas spraying Ren is a "cold" or a compared to the conventional spraying process comparatively colder gas used. Nevertheless, the gas is just as in heated the conventional process, but only to temperatures below the Melting point of the powder particles of the filler material.

Als Hochgeschwindigkeits-Flammspritzverfahren können dabei das Hochgeschwindig­ keits-Flammspritzen der ersten und der zweiten Generation mit mittleren Spritzpartikel­ geschwindigkeiten von 400 bis 500 m/s (gemessen mit einem Spritzpulver WC-Co mit einer Körnung - 45 µm + 10 µm, d. h. einer Verteilung bezüglich der Körnerdurchmesser von 10 bis 45 µm) und bevorzugt das Hochgeschwindigkeits-Flammspritzen der dritten Generation mit Spritzpartikelgeschwindigkeiten von 500 bis 700 m/s (gemessen mit einem Spritzpulver WC-Co mit einer Körnung - 45 µm + 10 µm) zum Einsatz kommen. Beim Kaltgasspritzen können die Pulverpartikel auf eine Geschwindigkeit von 300 bis 1600 m/s beschleunigt werden. Es eignen sich dabei insbesondere Geschwindigkeiten der Pulverpartikel zwischen 500 und 1200 m/s.As a high-speed flame spraying process, the high speed can First and second generation flame spraying with medium spray particles speeds of 400 to 500 m / s (measured with a WC-Co wettable powder a grain size - 45 µm + 10 µm, d. H. a distribution with respect to the grain diameter from 10 to 45 µm) and preferably the high speed flame spraying of the third Generation with spray particle speeds of 500 to 700 m / s (measured with a wettable powder WC-Co with a grain size - 45 µm + 10 µm) can be used. With cold gas spraying, the powder particles can reach a speed of 300 to 1600 m / s can be accelerated. Speeds are particularly suitable the powder particles between 500 and 1200 m / s.

Mit Hilfe von thermischen Spritzverfahren gelingt es, Beschichtungen auf Oberflächen zu erzeugen, welche keine elektrisch leitenden Partikel aufweisen. Insbesondere entsteht auf den beschichteten Oberflächen weniger Partikelabrieb durch Reibung.With the help of thermal spraying processes, it is possible to apply coatings to surfaces to generate which have no electrically conductive particles. In particular There is less particle abrasion due to friction on the coated surfaces.

Bevorzugt umfaßt die thermische Spritzschicht Oxide, Keramiken, Kunststoffe, Boride und/oder Carbide.The thermal spray layer preferably comprises oxides, ceramics, plastics, borides and / or carbides.

Bevorzugt enthält die thermische Spritzschicht keine reinmetallischen Spritzusatzwerk­ stoffe. Dadurch wird gewährleistet, daß möglichst wenig elektrisch leitende Partikel in die Nähe der oder auf die Oberfläche der Wafer gelangen.The thermal spray layer preferably does not contain any purely metallic spray additive fabrics. This ensures that as few electrically conductive particles as possible get close to or onto the surface of the wafer.

Insbesondere soll die thermische Spritzschicht keine metallischen Verbindungen oder Legierungen mit hoher elektrischer Leitfähigkeit enthalten. Die Spritzschicht kann insbesondere Verbindungen mit Metallen der III. oder IV. Gruppe des Periodensystems der Elemente enthalten. Insbesondere kann die thermische Spritzschicht Al₂O₃ und/oder TiO₂ umfassen. In particular, the thermal spray coating should not contain any metallic compounds or alloys with high electrical conductivity. The spray layer can in particular compounds with metals of III. or IV. Group of the Periodic Table of the Elements. In particular, the thermal spray layer can comprise Al ₂ O ₃ and / or TiO ₂ .

Die thermische Spritzschicht ist bevorzugt auf metallischem Untergrund aufgebracht.The thermal spray layer is preferably applied to a metallic surface.

Im folgenden soll die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert werden.In the following, the invention will be explained in more detail using an exemplary embodiment become.

Die Entnahme einer Halbleiter Waferscheibe aus einer Horde erfolgt mittels eines Paddels (beispielsweise eines Blechs mit Luftdüsenbohrungen). Aufgrund der über die Düsenbohrungen austretenden Luft wird die Waferscheibe angehoben und schwebt auf dem sich bildenden Luftkissen. Durch geringfügige Schrägstellung des Entnahme­ paddels im Hinblick auf eine exakt horizontale Lage fängt die Waferscheibe an, sich auf der schiefen Ebene abwärts zu bewegen. Auf diese Weise wird der Transport in eine ausgewählte Richtung bewerkstelligt.A semiconductor wafer is removed from a horde using a Paddles (e.g. a sheet with air nozzle holes). Because of the As the air escapes from the nozzle holes, the wafer is raised and hovers on the forming air cushion. By slightly tilting the removal With regard to an exactly horizontal position, the wafer starts to paddle itself to move down on the inclined plane. In this way, the transport in accomplished a selected direction.

Die Waferscheibe gelangt anschließend auf eine Platte, die ebenfalls mit Luftdüsen ausgestattet ist. Dadurch bleibt der Schwebezustand der Wafer auf einem Luftkissen erhalten. Wird nun die Platte in eine beliebige Richtung geneigt, folgt die Scheibe dieser Bewegung und versucht auf kürzestem Weg, den tiefsten Punkt der Platte zu erreichen. Durch geeignete, beispielsweise schräg angestellte Luftdüsen kann nun die Bewegungsrichtung des Wafers in einem bestimmten Umfang beeinflußt werden. Auf diese Weise ist eine Art "Umleitung" in der Bewegung des Wafers entlang der schiefen Ebene möglich. Die Vorzugsrichtung der Bewegung bleibt jedoch die Neigungsrichtung der Ebene.The wafer is then placed on a plate, which also has air nozzles Is provided. This keeps the wafer in suspension on an air cushion receive. If the plate is now inclined in any direction, the disc follows this movement and tries the shortest way to the lowest point of the plate to reach. By means of suitable, for example obliquely positioned air nozzles, the Direction of movement of the wafer can be influenced to a certain extent. On this way is a kind of "diversion" in the movement of the wafer along the oblique Level possible. However, the preferred direction of movement remains the direction of inclination the level.

Als Mittel zum Leiten und Führen des Wafers bei der Bewegung können beispielsweise Leisten als Anlaufelemente dienen. Diese können auf der Platte befestigt sein. Mit Hilfe dieser Anlaufleisten kann in Verbindung mit wechselnder Neigung der Ebene jede beliebige Richtungsänderung in der Bewegung der Waferscheibe herbeigeführt werden. Der Wafer kann mit Hilfe beispielsweise gerichteten oder verstellbar gesteuerten Düsen und den Anlaufleisten zu einem bestimmten Ort manipuliert werden.For example, as a means of guiding and guiding the wafer during movement Lasts serve as start-up elements. These can be attached to the plate. With help This stop bar can be used in conjunction with changing inclination of the level brought about any change in direction in the movement of the wafer become. The wafer can be aligned or adjustable, for example controlled nozzles and the stop bars manipulated to a specific location become.

Hat der Wafer eine gewünschte Position auf beispielsweise etwa 2 mm Genauigkeit erreicht, so werden durch ein geeignetes Handlingsystem beispielsweise ringförmig angeordnete Düsen an den Außendurchmesser der Waferscheibe herangeführt. Durch die austretende Luft, die von allen Seiten radial auf den in der Regel zylinderförmigen Außendurchmesser des Wafers einwirkt, wird dieser gleichmäßig ins Zentrum der ringförmigen Düsenanordnung gedrängt. Durch die Luftströme aus der Platte und zwischen den Düsenaustrittsöffnungen und der Oberfläche des Waferaußendurch­ messers wird die Waferscheibe in einer "schwebenden Lage" gehalten. Schon nach kurzer Zeit stellt sich ein Gleichgewichtszustand ein. Die Waferscheibe ist nun exakt zentriert. Eine Genauigkeit bei der Zentrierung im Bereich von wenigen Mikrometer ist ohne Probleme erreichbar.If the wafer has a desired position with an accuracy of about 2 mm, for example achieved, for example, by means of a suitable handling system Arranged nozzles brought up to the outer diameter of the wafer. By the exiting air, which is radially from all sides on the usually cylindrical  Acts on the outer diameter of the wafer, this is evenly in the center of the ring-shaped nozzle arrangement. By the air flows from the plate and between the nozzle orifices and the surface of the wafer exterior knife the wafer is held in a "floating position". Already after A state of equilibrium is established for a short time. The wafer is now exact centered. Centering accuracy is in the range of a few micrometers easily accessible.

Die eingesetzten Mittel zum Transport der Waferscheiben, nämlich das Paddel mit seinen Düsenöffnungen bzw. -bohrungen, die Platte(n) mit den Luftdüsen und die Anlaufleisten sind mit einer Schutzschicht versehen, welche mittels eines thermischen Spritzverfahrens aufgetragen worden ist. Die thermische Spritzschicht kann beispielsweise Oxide wie Al₂O₃ und/oder TiO₂ enthalten.The means used for transporting the wafer, namely the paddle with its nozzle openings or bores, the plate (s) with the air nozzles and the stop bars are provided with a protective layer which has been applied by means of a thermal spraying process. The thermal spray layer can contain, for example, oxides such as Al ₂ O ₃ and / or TiO ₂ .

Claims (19)

1. Verfahren zum Transport von Wafern insbesondere im Zusammenhang mit deren Herstellung und/oder Bearbeitung, dadurch gekennzeichnet, daß mittels zumindest zeitweise gasdurchströmter Düsen Gaskissen und/oder Gasstrahlen erzeugt werden und die Wafer zumindest teilweise mit Hilfe der Gaskissen und/oder Gasstrahlen berührungslos bewegt und/oder positioniert werden.1. A method for transporting wafers, in particular in connection with their manufacture and / or processing, characterized in that gas cushions and / or gas jets are generated by means of at least occasionally gas-flowed nozzles and the wafers are moved at least partially by means of the gas cushions and / or gas jets without contact and / or be positioned. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mittels zumindest zeitweise gasdurchströmter Düsen die Wafer eine Zentrierung im Hinblick auf eine Bearbeitungsposition, eine Translationsbewegung und/oder eine Rotations­ bewegung erfahren.2. The method according to claim 1, characterized in that by means of at least occasionally gas-flowed nozzles centering with respect to a wafer Machining position, a translation movement and / or a rotation experience movement. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die oder einige Gaskissen und/oder Gasstrahlen erzeugenden Düsen zumindest zeitweise geregelt oder gesteuert werden.3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that the or some Gas cushions and / or nozzles generating gas jets at least temporarily be regulated or controlled. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erzeugten Gasströmungen in Richtung, Form und/oder Geschwindigkeit variiert werden.4. The method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the generated gas flows in the direction, shape and / or speed varies become. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Wafer unter Ausnutzung der Gravitationskraft auf einer schiefen Ebene auf Gas­ kissen bewegt werden.5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the Wafer using the gravitational force on an inclined plane on gas cushions are moved. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Entnahme der Wafer aus einer Horde und/oder die Rückgabe der Wafer in eine Horde mittels zumindest zeitweise gasdurchströmter Düsen erfolgt.6. The method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the Removing the wafers from a tray and / or returning the wafers to a Horde by means of at least occasionally gas-flowed nozzles. 7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß zur Entnahme der Wafer aus einer Horde und/oder Rückgabe der Wafer in eine Horde bevorzugt bewegliche Bleche und/oder Platten mit bevorzugt symmetrisch angeordneten Düsenöffnungen eingesetzt werden. 7. The method according to claim 6, characterized in that for removing the Wafers from a horde and / or return of the wafers to a horde preferred movable sheets and / or plates with preferably arranged symmetrically Nozzle openings are used.   8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel zum Leiten und Führen der Wafer vorgesehen sind.8. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that Means for guiding and guiding the wafers are provided. 9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Düsen, Bleche und/oder Mittel zum Leiten und Führen zumindest teilweise eine mittels eines thermischen Spritzverfahrens hergestellte Beschichtung aufweisen.9. The method according to any one of claims 1 to 8, characterized in that the Nozzles, sheets and / or means for guiding and guiding at least partially one have coating produced by means of a thermal spraying process. 10. Vorrichtung zum Transport von Wafern, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel zum berührungslosen Bewegen und/oder Positionieren der Wafer mit Hilfe von Gaskissen und/oder Gasstrahlen vorhanden sind, welche zumindest zeitweise gasdurchströmte Düsen zur Erzeugung von Gaskissen und/oder Gasstrahlen umfassen.10. Device for the transport of wafers, characterized in that means for contactless movement and / or positioning of the wafers with the aid of Gas cushions and / or gas jets are present, which at least temporarily gas-flowed nozzles for the production of gas cushions and / or gas jets include. 11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Düsen in einer oder mehreren ebenen Flächen angeordnet sind.11. The device according to claim 10, characterized in that a plurality of nozzles in one or more flat surfaces are arranged. 12. Vorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Düsen in Ringform angeordnet sind.12. The apparatus of claim 10 or 11, characterized in that several Nozzles are arranged in a ring shape. 13. Vorrichtung einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel zur zumindest zeitweisen Regelung oder Steuerung der oder einiger Gaskissen und/oder Gasstrahlen erzeugender Düsen vorhanden sind.13. Device according to one of claims 10 to 12, characterized in that means for at least temporarily regulating or controlling the gas cushion or some and / or nozzles generating gas jets are present. 14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel zur Variation der erzeugten Gasströmungen in Richtung, Form und/oder Geschwindigkeit, insbesondere verstellbare Düsen vorgesehen sind.14. Device according to one of claims 10 to 13, characterized in that Means for varying the gas flows generated in the direction, shape and / or Speed, in particular adjustable nozzles are provided. 15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß bevorzugt bewegliche Bleche und/oder Platten mit bevorzugt symmetrisch angeordneten Düsenöffnungen zur Entnahme der Wafer aus einer Horde und/oder Rückgabe der Wafer in eine Horde vorgesehen sind.15. The device according to one of claims 10 to 14, characterized in that preferably movable sheets and / or plates with preferably symmetrical arranged nozzle openings for removing the wafer from a tray and / or Return of the wafers are provided in a horde. 16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel zum Leiten und Führen der Wafer vorgesehen sind. 16. The device according to one of claims 10 to 15, characterized in that Means for guiding and guiding the wafers are provided.   17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Düsen, Bleche, Platten und/oder Mittel zum Leiten und Führen zumindest teilweise eine mittels eines thermischen Spritzverfahrens hergestellte Beschichtung aufweisen.17. The device according to one of claims 10 to 16, characterized in that the nozzles, sheets, plates and / or means for guiding and guiding at least partially one produced by means of a thermal spraying process Have coating. 18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die thermische Spritzschicht Oxide, Keramiken, Kunststoffe, Boride und/oder Carbide umfaßt.18. The apparatus according to claim 17, characterized in that the thermal Spray layer includes oxides, ceramics, plastics, borides and / or carbides. 19. Vorrichtung nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, daß die thermische Spritzschicht keine reinmetallischen Spritzzusatzwerkstoffe umfaßt.19. The apparatus according to claim 17 or 18, characterized in that the thermal spray coating does not include any pure metallic spray additives.