WO2001082338A1 - Method and device for transporting wafers - Google Patents
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- WO2001082338A1 WO2001082338A1 PCT/EP2001/004245 EP0104245W WO0182338A1 WO 2001082338 A1 WO2001082338 A1 WO 2001082338A1 EP 0104245 W EP0104245 W EP 0104245W WO 0182338 A1 WO0182338 A1 WO 0182338A1
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Definitions
- the invention further relates to a device for transporting wafers.
- the wafer is then placed on a plate, which is also equipped with air nozzles. This keeps the wafer in suspension on an air cushion. If the plate is now inclined in any direction, the disc follows this movement and tries to reach the lowest point of the plate by the shortest route.
- the direction of movement of the wafer can now be influenced to a certain extent by suitable, for example, inclined air nozzles. In this way, a kind of "diversion" in the movement of the wafer along the inclined plane is possible. However, the preferred direction of movement remains the direction of inclination of the plane.
- strips for example, can serve as start-up elements. These can be attached to the plate. With the help of these stop bars, any change in direction in the movement of the wafer can be brought about in connection with changing inclination of the plane.
- the wafer can be manipulated to a specific location using, for example, directed or adjustably controlled nozzles and the stop bars.
Abstract
The invention relates to a method and to a device for transporting wafers, especially during the production and treatment thereof. According to the inventive method, gas cushions and/or gas jets are produced by nozzles through which gas flows, said cushions or jets being used for the at least partially contactless displacement and/or positioning of the wafers. The wafer can be centered by means of the gas-operated nozzles with respect to a treatment position, a translational movement and/or a rotational movement. Particularly, the wafers can be removed from a batch and/or returned to the batch by means of the gas-operated nozzles, thereby reducing the reject rate in the production of semiconductors.
Description
Beschreibung description
Verfahren und Vorrichtung zum Transport von WafernMethod and device for transporting wafers
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Transport von Wafern insbesondere im Zusammenhang mit deren Herstellung und/oder Bearbeitung.The invention relates to a method for transporting wafers, in particular in connection with their manufacture and / or processing.
Die Erfindung betrifft ferner einer Vorrichtung zum Transport von Wafern.The invention further relates to a device for transporting wafers.
In der Halbleitertechnik spielt die Minimierung des Ausschusses eine zentrale Rolle. Wesentlich trägt zur Qualitätssicherung bei der Herstellung oder Bearbeitung der Wafer deren Transport bei, bei dem die Wafer nicht beschädigt oder beeinflußt werden dürfen. Beim Transport von Wafern kommt es allerdings aufgrund von Reibung zwischen dem Wafer und anderen Oberflächen zur Entstehung von Partikeln, die den Wafer verschmutzen. Dies führt in der Halbleiterfertigung, der Halbleiterbearbeitung und ähnlichen Prozessen zu Verschlechterungen der Prozeßergebnisse.Minimizing rejects plays a central role in semiconductor technology. A major contribution to quality assurance in the manufacture or processing of the wafers is their transport, during which the wafers must not be damaged or influenced. When wafers are transported, however, particles that contaminate the wafer form due to friction between the wafer and other surfaces. This leads to a deterioration in the process results in semiconductor manufacturing, semiconductor processing and similar processes.
Ein mechanisches Greifen der Wafer beim Transport birgt große Potentiale für Beschädigungen der Wafer. Ihr Einsatz führt daher in der Regel nicht zu konstanten Qualitäten bzw. zu unbefriedigenden Ergebnissen. Bereits vorgeschlagene Naßbeförderungssysteme mit Flüssigkeiten erfordern eine Trocknung der Wafer und gegebenenfalls Reinigung der Oberflächen. Auch ist der apparative Aufwand beträchtlich. Dieser Ansatz liefert keine auch keine befriedigende Lösung für den Transport von Wafern.Mechanical gripping of the wafers during transport holds great potential for damage to the wafers. Their use therefore generally does not lead to constant qualities or unsatisfactory results. Wet transport systems with liquids that have already been proposed require drying of the wafers and, if necessary, cleaning of the surfaces. The expenditure on equipment is also considerable. This approach does not provide a satisfactory solution for the transportation of wafers either.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Vorrichtung der eingangs genannten Art aufzuzeigen, welche einen verbesserten Transport der Wafer ermöglichen, wobei die Qualität der Wafer in hohem Maße gewährleitet werden kann.The invention is therefore based on the object of demonstrating a method and a device of the type mentioned at the outset which enable improved transport of the wafers, the quality of the wafers being able to be ensured to a high degree.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß für das Verfahren dadurch gelöst, daß mittels zumindest zeitweise gasdurchströmter Düsen Gaskissen und/oder Gasstrahlen erzeugt werden und die Wafer zumindest teilweise mit Hilfe der Gaskissen und/oder Gasstrahlen berührungslos bewegt und/oder positioniert werden.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird für die Vorrichtung dadurch gelöst, daß Mittel zum berührungslosen Bewegen und/oder Positionieren der Wafer mit Hilfe von Gaskissen und/oder Gasstrahlen vorhanden sind, welche zumindest zeitweise gasdurchströmte Düsen zur Erzeugung von Gaskissen und/oder Gasstrahlen umfassen.This object is achieved for the method in that gas cushions and / or gas jets are generated by means of at least occasionally gas-flowed nozzles and the wafers are at least partially moved and / or positioned contactlessly with the aid of the gas cushions and / or gas jets. The object on which the invention is based is achieved for the device in that means are provided for the contactless movement and / or positioning of the wafers with the aid of gas cushions and / or gas jets, which at least at times comprise gas-flowed nozzles for producing gas cushions and / or gas jets.
Die Erfindung beruht auf der Idee, den Transport von Wafern zumindest teilweise oder im wesentlichen berührungslos mit den Bearbeitungs- oder Transportvorrichtung durchzuführen. Die Gefahr von Qualitätsbeeinträchtigungen der Wafer durch den Transport wird dadurch bedeutend gesenkt. Als Gase zur Durchströmung der Düsen können im Rahmen der Erfindung alle geeigneten Gase eingesetzt werden. Insbesondere eignet sich hierzu Luft, bevorzugt von Festkörperteilchen oder Flüssigkeitströpfchen gereinigte und/oder befreite Luft, oder Stickstoff (N2). Die Vorrichtung weist entsprechende Mittel zur Gaszufuhr und gegebenenfalls zur Reinigung auf.The invention is based on the idea of carrying out the transport of wafers at least partially or essentially without contact with the processing or transport device. This significantly reduces the risk of the quality of the wafers being impaired by transport. In the context of the invention, all suitable gases can be used as gases for the flow through the nozzles. Air is particularly suitable for this, preferably air cleaned and / or freed from solid particles or liquid droplets, or nitrogen (N 2 ). The device has appropriate means for supplying gas and possibly for cleaning.
Mittels zumindest zeitweise gasdurchströmter Düsen können die Wafer eine Zentrierung im Hinblick auf eine Bearbeitungsposition, eine Translationsbewegung und/oder eine Rotationsbewegung erfahren. Dazu können mehrere Düsen in einer oder mehreren ebenen Flächen angeordnet sein. Auch eine Anordnung mehrerer Düsen in Ringform kann vorgesehen sein.By means of at least occasionally gas-flowed nozzles, the wafers can be centered with regard to a processing position, a translational movement and / or a rotational movement. For this purpose, several nozzles can be arranged in one or more flat surfaces. An arrangement of several nozzles in the form of a ring can also be provided.
Die oder lediglich einige die Gaskissen und/oder die Gasstrahlen erzeugenden Düsen können zumindest zeitweise geregelt oder gesteuert werden. In diesem Fall sind in der Vorrichtung entsprechende Mittel vorhanden.The or only some of the nozzles generating the gas cushions and / or the gas jets can be regulated or controlled at least temporarily. In this case, appropriate means are present in the device.
Die durch die Düsen erzeugten Gasströmungen können in Richtung, Form und/oder Geschwindigkeit variiert werden. Hierzu eignen sich insbesondere verstellbare Düsen.The gas flows generated by the nozzles can be varied in direction, shape and / or speed. Adjustable nozzles are particularly suitable for this.
Die Wafer können unter Ausnützung der Gravitationskraft auf einer schiefen Ebene auf Gaskissen bewegt werden.Using the gravitational force, the wafers can be moved on an inclined plane on gas cushions.
Mittels der zumindest zeitweise gasdurchströmten Düsen kann insbesondere die Entnahme der Wafer aus einer Horde - beispielsweise in einer Kassette - und/oder die Rückgabe der Wafer in eine Horde - ebenfalls beispielsweise in eine Kassette - erfolgen. Dazu werden bevorzugt bewegliche Bleche und/oder Platten mit Düsen-
Öffnungen eingesetzt. Die Düsenöffnungen (Bohrungen, Schlitze oder dergleichen) können dabei symmetrisch in den Blechen und/oder Platten angeordnet sein. Die Bleche und/oder Platten mit den Düsenöffnungen (bevorzugt Düsenbohrungen) können auch als Paddel (Entnahmepaddel oder Ausgabepaddel) bezeichnet werden.By means of the at least occasionally gas-flowed nozzles, the wafers can be removed from a tray - for example in a cassette - and / or the wafers can be returned to a tray - likewise for example in a cassette. Movable sheets and / or plates with nozzle Openings used. The nozzle openings (bores, slots or the like) can be arranged symmetrically in the sheets and / or plates. The sheets and / or plates with the nozzle openings (preferably nozzle bores) can also be referred to as paddles (removal paddles or output paddles).
In Ausgestaltung der Erfindung können Mittel zum Leiten und Führen der Wafer vorgesehen sein. Hierzu können beispielsweise Führungs- und Leitelemente wie Anlaufleisten oder ähnliches dienen.In an embodiment of the invention, means for guiding and guiding the wafers can be provided. For this purpose, for example, guide and guide elements such as stop strips or the like can be used.
In Weiterbildung der Erfindung weisen die mit den Wafern in Berührung kommenden oder nahe an die Waferoberfläche hinreichenden Oberflächen - insbesondere der Düse (vor allem Düsenkörper und Düsenaustrittsöffnungen), der mit Düsenöffnungen versehenen Bleche oder Platten und/oder der Mittel zum Leiten und Führen - zumindest teilweise eine mittels eines thermischen Spritzverfahrens hergestellte Beschichtung auf.In a further development of the invention, the surfaces which come into contact with the wafers or which are close enough to the wafer surface - in particular the nozzle (especially the nozzle body and nozzle outlet openings), the sheets or plates provided with nozzle openings and / or the means for guiding and guiding - at least partially a coating produced by means of a thermal spraying process.
Thermische Spritzverfahren zeichnen sich im wesentlichen dadurch aus, daß sie gleichmäßig aufgetragene Beschichtungen ermöglichen. Durch thermische Spritzverfahren aufgetragene Beschichtungen können durch Variation der Spritzmaterialien an unterschiedliche Anforderungen angepaßt werden. Die Spritzmaterialien können dabei in Form von Drähten, Stäben oder als Pulver verarbeitet werden. Beim thermischen Spritzen kann zusätzlich eine thermische Nachbehandlung vorgesehen sein.Thermal spray processes are essentially characterized by the fact that they enable uniformly applied coatings. Coatings applied by thermal spraying processes can be adapted to different requirements by varying the spraying materials. The spray materials can be processed in the form of wires, rods or as a powder. In the case of thermal spraying, a thermal aftertreatment can additionally be provided.
Beim thermischen Spritzen als Beschichtungsverfahren sind als Verfahrensvarianten das autogene Flammspritzen oder das Hochgeschwindigkeits-Flammspritzen, das Lichtbogenspritzen, das Plasmaspritzen, das Detonationsspritzen und das Laserspritzen bekannt.In thermal spraying as a coating process, the process variants known are autogenous flame spraying or high-speed flame spraying, arc spraying, plasma spraying, detonation spraying and laser spraying.
In jüngerer Zeit wurde darüber hinaus ein weiteres thermisches Spritzverfahren ent- wickelt, welches auch als Kaltgasspritzen bezeichnet wird. Es handelt sich dabei um eine Art Weiterentwicklung des Hochgeschwindigkeits-Flammspritzens mit Pulver. Dieses Verfahren ist beispielsweise in der europäischen Patentschrift EP 0 484 533 B1 beschrieben. Beim Kaltgasspritzen kommt ein Zusatzwerkstoff in Pulverform zum Einsatz. Die Pulverpartikel werden beim Kaltgasspritzen jedoch nicht im Gasstrahl ge- schmolzen. Vielmehr liegt die Temperatur des Gasstrahles unterhalb des Schmelz-
Punktes der Pulverpartikel des Zusatzwerkstoffes (EP 0 484 533 B1) oder aber nur in geringem Maße oberhalb der Schmelztemperatur des Pulvers. Im Kaltgasspritzverfah- ren wird also ein im Vergleich zu den herkömmlichen Spritzverfahren "kaltes" bzw. ein vergleichsweise kälteres Gas verwendet. Gleichwohl wird das Gas aber ebenso wie in den herkömmlichen Verfahren erwärmt, aber lediglich auf Temperaturen unterhalb des Schmelzpunktes der Pulverpartikel des Zusatzwerkstoffes.In addition, a further thermal spraying process has recently been developed, which is also known as cold gas spraying. It is a kind of further development of high-speed flame spraying with powder. This method is described, for example, in European Patent EP 0 484 533 B1. A filler material in powder form is used for cold gas spraying. However, the powder particles are not melted in a gas jet during cold gas spraying. Rather, the temperature of the gas jet is below the melting Point of the powder particles of the filler material (EP 0 484 533 B1) or only slightly above the melting temperature of the powder. In the cold gas spraying process, therefore, a "cold" or a comparatively colder gas is used in comparison to the conventional spraying processes. Nevertheless, the gas is heated in the same way as in the conventional methods, but only to temperatures below the melting point of the powder particles of the filler material.
Als Hochgeschwindigkeits-Flammspritzverfahren können dabei das Hochgeschwindig- keits-Flammspritzen der ersten und der zweiten Generation mit mittleren Spritzpartikel- geschwindigkeiten von 400 bis 500 m/s (gemessen mit einem Spritzpulver WC-Co mit einer Körnung - 45μm + 10 μm, d.h. einer Verteilung bezüglich der Körnerdurchmesser von 10 bis 45 μm) und bevorzugt das Hochgeschwindigkeits-Flammspritzen der dritten Generation mit Spritzpartikelgeschwindigkeiten von 500 bis 700 m/s (gemessen mit einem Spritzpulver WC-Co mit einer Körnung - 45 μm + 10 μm) zum Einsatz kommen. Beim Kaltgasspritzen können die Pulverpartikel auf eine Geschwindigkeit von 300 bis 1600 m/s beschleunigt werden. Es eignen sich dabei insbesondere Geschwindigkeiten der Pulverpartikel zwischen 500 und 1200 m/s.High-speed flame spraying of the first and second generations with medium spray particle speeds of 400 to 500 m / s (measured with a WC-Co spray powder with a grain size of - 45μm + 10 μm, ie a distribution) can be used as the high-speed flame spraying process with regard to the grain diameter of 10 to 45 μm) and preferably third-generation high-speed flame spraying with spray particle speeds of 500 to 700 m / s (measured with a WC-Co spray powder with a grain size of - 45 μm + 10 μm). With cold gas spraying, the powder particles can be accelerated to a speed of 300 to 1600 m / s. Speeds of the powder particles between 500 and 1200 m / s are particularly suitable.
Mit Hilfe von thermischen Spritzverfahren gelingt es, Beschichtungen auf Oberflächen zu erzeugen, welche keine elektrisch leitenden Partikel aufweisen. Insbesondere entsteht auf den beschichteten Oberflächen weniger Partikelabrieb durch Reibung.With the help of thermal spraying processes, it is possible to produce coatings on surfaces that have no electrically conductive particles. In particular, less particle abrasion occurs due to friction on the coated surfaces.
Bevorzugt umfaßt die thermische Spritzschicht Oxide, Keramiken, Kunststoffe, Boride und/oder Carbide.The thermal spray layer preferably comprises oxides, ceramics, plastics, borides and / or carbides.
Bevorzugt enthält die thermische Spritzschicht keine reinmetallischen Spritzusatzwerkstoffe. Dadurch wird gewährleistet, daß möglichst wenig elektrisch leitende Partikel in die Nähe der oder auf die Oberfläche der Wafer gelangen.The thermal spray layer preferably does not contain any pure metallic spray filler materials. This ensures that as few electrically conductive particles as possible get near or onto the surface of the wafers.
Insbesondere soll die thermische Spritzschicht keine metallischen Verbindungen oder Legierungen mit hoher elektrischer Leitfähigkeit enthalten. Die Spritzschicht kann insbesondere Verbindungen mit Metallen der III. oder IV. Gruppe des Periodensystems der Elemente enthalten. Insbesondere kann die thermische Spritzschicht Al203 und/oder Tι02 umfassen.
Die thermische Spritzschicht ist bevorzugt auf metallischem Untergrund aufgebracht.In particular, the thermal spray coating should not contain any metallic compounds or alloys with high electrical conductivity. The spray layer can in particular compounds with metals of III. or IV. Group of the Periodic Table of the Elements. In particular, the thermal spray layer can comprise Al 2 0 3 and / or Tι0 2 . The thermal spray layer is preferably applied to a metallic surface.
Im folgenden soll die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert werden.In the following, the invention will be explained in more detail using an exemplary embodiment.
Die Entnahme einer Halbleiter-Waferscheibe aus einer Horde erfolgt mittels eines Paddels (beispielsweise eines Blechs mit Luftdüsenbohrungen). Aufgrund der über die Düsenbohrungen austretenden Luft wird die Waferscheibe angehoben und schwebt auf dem sich bildenden Luftkissen. Durch geringfügige Schrägstellung des Entnahme- paddeis im Hinblick auf eine exakt horizontale Lage fängt die Waferscheibe an, sich auf der schiefen Ebene abwärts zu bewegen. Auf diese Weise wird der Transport in eine ausgewählte Richtung bewerkstelligt.A semiconductor wafer is removed from a tray by means of a paddle (for example a sheet with air nozzle holes). Due to the air escaping through the nozzle bores, the wafer is raised and hovers on the air cushion that forms. By slightly tilting the removal paddle with respect to an exactly horizontal position, the wafer disc begins to move downwards on the inclined plane. In this way the transport is carried out in a selected direction.
Die Waferscheibe gelangt anschließend auf eine Platte, die ebenfalls mit Luftdüsen ausgestattet ist. Dadurch bleibt der Schwebezustand der Wafer auf einem Luftkissen erhalten. Wird nun die Platte in eine beliebige Richtung geneigt, folgt die Scheibe dieser Bewegung und versucht auf kürzestem Weg, den tiefsten Punkt der Platte zu erreichen. Durch geeignete, beispielsweise schräg angestellte Luftdüsen kann nun die Bewegungsrichtung des Wafers in einem bestimmten Umfang beeinflußt werden. Auf diese Weise ist eine Art "Umleitung" in der Bewegung des Wafers entlang der schiefen Ebene möglich. Die Vorzugsrichtung der Bewegung bleibt jedoch die Neigungsrichtung der Ebene.The wafer is then placed on a plate, which is also equipped with air nozzles. This keeps the wafer in suspension on an air cushion. If the plate is now inclined in any direction, the disc follows this movement and tries to reach the lowest point of the plate by the shortest route. The direction of movement of the wafer can now be influenced to a certain extent by suitable, for example, inclined air nozzles. In this way, a kind of "diversion" in the movement of the wafer along the inclined plane is possible. However, the preferred direction of movement remains the direction of inclination of the plane.
Als Mittel zum Leiten und Führen des Wafers bei der Bewegung können beispielsweise Leisten als Anlaufelemente dienen. Diese können auf der Platte befestigt sein. Mit Hilfe dieser Anlaufleisten kann in Verbindung mit wechselnder Neigung der Ebene jede beliebige Richtungsänderung in der Bewegung der Waferscheibe herbeigeführt werden. Der Wafer kann mit Hilfe beispielsweise gerichteten oder verstellbar gesteuerten Düsen und den Anlaufleisten zu einem bestimmten Ort manipuliert werden.As a means for guiding and guiding the wafer during the movement, strips, for example, can serve as start-up elements. These can be attached to the plate. With the help of these stop bars, any change in direction in the movement of the wafer can be brought about in connection with changing inclination of the plane. The wafer can be manipulated to a specific location using, for example, directed or adjustably controlled nozzles and the stop bars.
Hat der Wafer eine gewünschte Position auf beispielsweise etwa 2 mm Genauigkeit erreicht, so werden durch ein geeignetes Handlingsystem beispielsweise ringförmig angeordnete Düsen an den Außendurchmesser der Waferscheibe herangeführt. Durch die austretende Luft, die von allen Seiten radial auf den in der Regel zylinderförmigen
Außendurchmesser des Wafers einwirkt, wird dieser gleichmäßig ins Zentrum der ringförmigen Düsenanordnung gedrängt. Durch die Luftströme aus der Platte und zwischen den Düsenaustrittsöffnungen und der Oberfläche des Waferaußendurch- messers wird die Waferscheibe in einer "schwebenden Lage" gehalten. Schon nach kurzer Zeit stellt sich ein Gleichgewichtszustand ein. Die Waferscheibe ist nun exakt zentriert. Eine Genauigkeit bei der Zentrierung im Bereich von wenigen Mikrometer ist ohne Probleme erreichbar.If the wafer has reached a desired position with an accuracy of, for example, about 2 mm, a suitable handling system is used, for example, to bring nozzles arranged in a ring to the outside diameter of the wafer. Due to the emerging air, which is radially from all sides on the generally cylindrical Acts on the outer diameter of the wafer, this is pushed evenly into the center of the annular nozzle arrangement. The wafer is held in a "floating position" by the air currents from the plate and between the nozzle outlet openings and the surface of the outer diameter of the wafer. A state of equilibrium is established after a short time. The wafer is now exactly centered. Centering accuracy in the range of a few micrometers can be achieved without problems.
Die eingesetzten Mittel zum Transport der Waferscheiben, nämlich das Paddel mit seinen Düsenöffnungen bzw. -bohrungen, die Platte(n) mit den Luftdüsen und dieThe means used to transport the wafer, namely the paddle with its nozzle openings or holes, the plate (s) with the air nozzles and the
Anlaufleisten sind mit einer Schutzschicht versehen, welche mittels eines thermischen Spritzverfahrens aufgetragen worden ist. Die thermische Spritzschicht kann beispielsweise Oxide wie Al203 und/oder Ti02 enthalten.
The stop bars are provided with a protective layer, which has been applied by means of a thermal spraying process. The thermal spray layer can contain, for example, oxides such as Al 2 0 3 and / or Ti0 2 .
Claims
Patentansprücheclaims
1. Verfahren zum Transport von Wafern insbesondere im Zusammenhang mit deren Herstellung und/oder Bearbeitung, dadurch gekennzeichnet, daß mittels zumindest zeitweise gasdurchströmter Düsen Gaskissen und/oder Gasstrahlen erzeugt werden und die Wafer zumindest teilweise mit Hilfe der Gaskissen und/oder Gasstrahlen berührungslos bewegt und/oder positioniert werden.1. A method for transporting wafers, in particular in connection with their manufacture and / or processing, characterized in that gas cushions and / or gas jets are generated by means of at least occasionally gas-flowed nozzles and the wafers are moved at least partially without contact with the gas cushions and / or gas jets and / or be positioned.
2. Verfahren nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß mittels zumindest zeitweise gasdurchströmter Düsen die Wafer eine Zentrierung im Hinblick auf eine Bearbeitungsposition, eine Translationsbewegung und/oder eine Rotationsbewegung erfahren.2. The method according to claim 1, characterized in that by means of at least occasionally gas-flowed nozzles, the wafers are centered with regard to a processing position, a translational movement and / or a rotational movement.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die oder einige Gaskissen und/oder Gasstrahlen erzeugenden Düsen zumindest zeitweise geregelt oder gesteuert werden.3. The method according to claim 1 or 2, characterized in that the or some gas cushions and / or gas jets generating nozzles are at least temporarily regulated or controlled.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erzeugten Gasströmungen in Richtung, Form und/oder Geschwindigkeit variiert werden.4. The method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the gas flows generated are varied in the direction, shape and / or speed.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Wafer unter Ausnutzung der Gravitationskraft auf einer schiefen Ebene auf Gaskissen bewegt werden.5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized in that the wafers are moved on an inclined plane on gas cushions using the gravitational force.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Entnahme der Wafer aus einer Horde und/oder die Rückgabe der Wafer in eine Horde mittels zumindest zeitweise gasdurchströmter Düsen erfolgt.6. The method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the removal of the wafers from a tray and / or the return of the wafers in a tray is carried out by means of at least occasionally gas-flowed nozzles.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß zur Entnahme der Wafer aus einer Horde und/oder Rückgabe der Wafer in eine Horde bevorzugt bewegliche Bleche und/oder Platten mit bevorzugt symmetrisch angeordneten Düsenöffnungen eingesetzt werden.
7. The method according to claim 6, characterized in that for removing the wafers from a tray and / or returning the wafers into a tray, preferably movable sheets and / or plates with preferably symmetrically arranged nozzle openings are used.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel zum Leiten und Führen der Wafer vorgesehen sind.8. The method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that means for guiding and guiding the wafer are provided.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Düsen, Bleche und/oder Mittel zum Leiten und Führen zumindest teilweise eine mittels eines thermischen Spritzverfahrens hergestellte Beschichtung aufweisen.9. The method according to any one of claims 1 to 8, characterized in that the nozzles, sheets and / or means for guiding and guiding at least partially have a coating produced by means of a thermal spraying process.
10. Vorrichtung zum Transport von Wafern, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel zum berührungslosen Bewegen und/oder Positionieren der Wafer mit Hilfe von Gaskissen und/oder Gasstrahlen vorhanden sind, welche zumindest zeitweise gasdurchströmte Düsen zur Erzeugung von Gaskissen und/oder Gasstrahlen umfassen. 1. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Düsen in einer oder mehreren ebenen Flächen angeordnet sind.10. Device for the transport of wafers, characterized in that means for contactless movement and / or positioning of the wafers with the aid of gas cushions and / or gas jets are present, which at least at times comprise gas-flowed nozzles for producing gas cushions and / or gas jets. 1. Apparatus according to claim 10, characterized in that several nozzles are arranged in one or more flat surfaces.
12. Vorrichtung nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere Düsen in Ringform angeordnet sind.12. The apparatus of claim 10 or 11, characterized in that a plurality of nozzles are arranged in a ring shape.
13. Vorrichtung einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel zur zumindest zeitweisen Regelung oder Steuerung der oder einiger Gaskissen und/oder Gasstrahlen erzeugender Düsen vorhanden sind.13. Device according to one of claims 10 to 12, characterized in that means are provided for at least temporarily regulating or controlling the or some gas cushions and / or gas jets generating nozzles.
14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel zur Variation der erzeugten Gasströmungen in Richtung, Form und/oder14. Device according to one of claims 10 to 13, characterized in that means for varying the gas flows generated in the direction, shape and / or
Geschwindigkeit, insbesondere verstellbare Düsen vorgesehen sind.Speed, in particular adjustable nozzles are provided.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß bevorzugt bewegliche Bleche und/oder Platten mit bevorzugt symmetrisch angeordneten Düsenöffnungen zur Entnahme der Wafer aus einer Horde und/oder15. The device according to one of claims 10 to 14, characterized in that preferably movable sheets and / or plates with preferably symmetrically arranged nozzle openings for removing the wafer from a tray and / or
Rückgabe der Wafer in eine Horde vorgesehen sind.Return of the wafers are provided in a horde.
16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel zum Leiten und Führen der Wafer vorgesehen sind.
16. The device according to one of claims 10 to 15, characterized in that means for guiding and guiding the wafer are provided.
17. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Düsen, Bleche, Platten und/oder Mittel zum Leiten und Führen zumindest teilweise eine mittels eines thermischen Spritzverfahrens hergestellte Beschichtung aufweisen.17. Device according to one of claims 10 to 16, characterized in that the nozzles, sheets, plates and / or means for guiding and guiding at least partially have a coating produced by means of a thermal spraying process.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die thermische Spritzschicht Oxide, Keramiken, Kunststoffe, Boride und/oder Carbide umfaßt.18. The apparatus according to claim 17, characterized in that the thermal spray layer comprises oxides, ceramics, plastics, borides and / or carbides.
19. Vorrichtung nach Anspruch 17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, daß die thermische Spritzschicht keine reinmetallischen Spritzzusatzwerkstoffe umfaßt.
19. The apparatus according to claim 17 or 18, characterized in that the thermal spray layer does not comprise any pure metal spray additives.
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2001
- 2001-04-12 AU AU2001258334A patent/AU2001258334A1/en not_active Abandoned
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