CN214851216U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种高频模块和通信装置。高频模块(1)具备：多个柱电极(150)，其包括至少1个输入端子和至少1个输出端子；功率放大器(11)；低噪声放大器(21)；开关(54)，其连接于至少1个输入端子与功率放大器(11)之间；开关(55)，其连接于至少1个输出端子与低噪声放大器(21)之间；以及模块基板(91)，其具有彼此相向的主面(91a)和主面(91b)，其中，开关(54)配置于主面(91a)和主面(91b)中的一方，开关(55)配置于主面(91a)和主面(91b)中的另一方。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本实用新型涉及一种高频模块和通信装置。
背景技术
在便携式电话等移动通信设备中，特别是，随着多频段化的进展，构成高频前端模块的电路部件的配置结构变得复杂。
专利文献1中公开了一种具备功率放大器、开关以及滤波器等的高频电路。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：美国专利申请公开第2015/0133067号说明书
实用新型内容
实用新型要解决的问题
然而，在使对专利文献1中公开的高频电路进行封装而得到的高频模块小型化的情况下，配置于模块基板的部件间的距离减少，容易在部件间发生电场耦合、磁场耦合或电磁场耦合等。其结果，存在以下可能：部件间的隔离特性下降，高频模块的电气特性(例如噪声指数(NF)等)劣化。
因此，本实用新型提供一种能够在抑制电气特性的劣化的同时实现小型化的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：多个外部连接端子，所述多个外部连接端子包括至少1个输入端子和至少1个输出端子；至少1个功率放大器；至少1个低噪声放大器；第一开关，其连接于所述至少1个输入端子与所述至少1个功率放大器之间；第二开关，其连接于所述至少1个输出端子与所述至少1个低噪声放大器之间；以及模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面，其中，所述第一开关配置于所述第一主面和所述第二主面中的一方，所述第二开关配置于所述第一主面和所述第二主面中的另一方。
优选地，所述多个外部连接端子包括天线连接端子，所述至少1个功率放大器和所述第一开关连接于所述天线连接端子与所述至少1个输入端子之间，所述至少1个低噪声放大器和所述第二开关连接于所述天线连接端子与所述至少1个输出端子之间。
优选地，所述第一开关配置于所述第一主面，所述第二开关和所述多个外部连接端子配置于所述第二主面。
优选地，所述至少1个功率放大器配置于所述第一主面，所述至少1个低噪声放大器配置于所述第二主面。
优选地，所述高频模块的所述模块基板内具备电极图案，所述电极图案配置于所述第一开关与所述第二开关之间。
优选地，所述电极图案是地电极图案。
优选地，所述至少1个输入端子包括多个输入端子，所述第一开关对要与所述至少1个功率放大器连接的所述多个输入端子进行切换。
优选地，所述多个输入端子包括用于接收5GNR发送信号即第五代新空口发送信号的第一输入端子以及用于接收LTE发送信号即长期演进发送信号的第二输入端子。
优选地，所述至少1个输出端子包括多个输出端子，所述第二开关对要与所述至少1个低噪声放大器连接的所述多个输出端子进行切换。
优选地，所述多个输出端子包括用于提供5GNR接收信号的第一输出端子以及用于提供LTE接收信号的第二输出端子。
优选地，所述至少1个功率放大器包括多个功率放大器，所述第一开关对要与所述至少1个输入端子连接的所述多个功率放大器进行切换。
优选地，所述至少1个低噪声放大器包括多个低噪声放大器，所述第二开关对要与所述至少1个输出端子连接的所述多个低噪声放大器进行切换。
优选地，所述至少1个低噪声放大器与所述第二开关内置于同一半导体部件。
本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备：信号处理电路，其对高频信号进行处理；以及高频模块，其在所述信号处理电路与天线之间传输高频信号，其中，所述高频模块具备：多个外部连接端子，所述多个外部连接端子包括至少1个输入端子和至少1个输出端子；至少1个功率放大器；至少1个低噪声放大器；第一开关，其连接于所述至少1个输入端子与所述至少1个功率放大器之间；第二开关，其连接于所述至少1个输出端子与所述至少1个低噪声放大器之间；以及模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面，其中，所述第一开关配置于所述第一主面和所述第二主面中的一方，所述第二开关配置于所述第一主面和所述第二主面中的另一方。
优选地，所述多个外部连接端子包括天线连接端子，所述至少1个功率放大器和所述第一开关连接于所述天线连接端子与所述至少1个输入端子之间，所述至少1个低噪声放大器和所述第二开关连接于所述天线连接端子与所述至少1个输出端子之间。
优选地，所述第一开关配置于所述第一主面，所述第二开关和所述多个外部连接端子配置于所述第二主面。
优选地，所述至少1个功率放大器配置于所述第一主面，所述至少1个低噪声放大器配置于所述第二主面。
优选地，所述高频模块的所述模块基板内具备电极图案，所述电极图案配置于所述第一开关与所述第二开关之间。
优选地，所述电极图案是地电极图案。
优选地，所述至少1个低噪声放大器与所述第二开关内置于同一半导体部件。
实用新型的效果
根据本实用新型的一个方式所涉及的高频模块，能够在抑制电气特性的劣化的同时实现高频模块的小型化。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。
图2是实施方式1所涉及的高频模块的俯视图。
图3是实施方式1所涉及的高频模块的截面图。
图4是实施方式2所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。
图5是实施方式3所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。
图6是实施方式4所涉及的高频模块的截面图。
附图标记说明
1、1A、1B、1C：高频模块；2：天线；3：RFIC；4：BBIC；5、5A、5B：通信装置；11、12、13：功率放大器；20：半导体部件；21、22、23：低噪声放大器；51、52、53、54、54A、54B、55、55A、55B：开关；61、62：双工器；61R、62R：接收滤波器；61T、62T：发送滤波器；91：模块基板；91a、91b：主面；92、93：树脂构件；94：地电极图案；95：屏蔽电极层；100：天线连接端子；110、113：高频输入端子；111：第一输入端子；112：第二输入端子；120、123：高频输出端子；121：第一输出端子；122：第二输出端子；150：柱电极；151：凸块电极；511、512、513、521、522、523、531、532、533、541、541A、541B、542、542A、542B、543、543A、543B、544B、551、551A、551B、552、552A、552B、553、553A、553B、554B：端子。
具体实施方式
下面，使用附图来详细说明本实用新型的实施方式。此外，下面说明的实施方式均表示总括性或具体的例子。下面的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本实用新型。
此外，各图是为了表示本实用新型而适当进行了强调、省略、或比率的调整的示意图，未必严格地进行了图示，有时与实际的形状、位置关系及比率不同。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，有时省略或简化重复的说明。
在下面的各图中，x轴和y轴是在与模块基板的主面平行的平面上相互正交的轴。另外，z轴是与模块基板的主面垂直的轴，z轴的正方向表示上方向，z轴的负方向表示下方向。
另外，在本实用新型的电路结构中，“连接”不仅包括利用连接端子和/或布线导体直接连接的情况，还包括经由其它电路元件来电连接的情况。另外，“连接于A与B之间”表示在A与B之间与A及B这两方连接。
另外，在本实用新型的部件配置中，“俯视模块基板”表示从z轴正侧将物体正投影到xy平面来进行观察。另外，“A配置于B与C之间”表示将B内的任意的点与C内的任意的点连结的多个线段中的至少1个线段通过A。另外，“平行”和“垂直”等表示要素之间的关系性的用语表示实质上等同的范围，例如还包括百分之几左右的误差，而不是仅表示严格的含义。
(实施方式1)
[1.1高频模块1和通信装置5的电路结构]
参照图1来说明本实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构。图1是实施方式1所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构图。
[1.1.1通信装置5的电路结构]
首先，说明通信装置5的电路结构。如图1所示，本实施方式所涉及的通信装置5具备高频模块1、天线2、RFIC 3以及BBIC 4。
高频模块1在天线2与RFIC 3之间传输高频信号。高频模块1的详细电路结构在后面叙述。
天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，发送从高频模块1输出的高频信号，另外，从外部接收高频信号后输出到高频模块1。
RFIC 3是对高频信号进行处理的信号处理电路的一例。具体地说，RFIC3对经由高频模块1的接收路径输入的高频接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3对从BBIC 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的高频发送信号输出到高频模块1的发送路径。另外，RFIC3具有对高频模块1所具有的开关和放大器等进行控制的控制部。此外，RFIC 3的作为控制部的功能的一部分或全部也可以安装于RFIC 3的外部，例如也可以安装于BBIC 4或高频模块1。
BBIC 4是使用频率比由高频模块1传输的高频信号低的中间频带来进行信号处理的基带信号处理电路。作为由BBIC 4处理的信号，例如使用图像信号以显示图像，和/或，使用声音信号以借助扬声器进行通话。
此外，在本实施方式所涉及的通信装置5中，天线2和BBIC 4不是必需的结构要素。
[1.1.2高频模块1的电路结构]
接着，说明高频模块1的电路结构。如图1所示，高频模块1具备功率放大器11、低噪声放大器21、开关51～55、双工器61及62、天线连接端子100、多个高频输入端子110以及多个高频输出端子120。
天线连接端子100是外部连接端子的一例，与天线2连接。
多个高频输入端子110是外部连接端子的一例，是用于从高频模块1的外部接收多个高频发送信号的端子。在本实施方式中，多个高频输入端子110包括第一输入端子111和第二输入端子112。
第一输入端子111是用于从RFIC 3接收第一高频发送信号的端子。作为第一高频发送信号，例如能够使用5GNR(5th Generation New Radio：第五代新空口)发送信号，但是不限定于此。5GNR发送信号是终端遵循根据3GPP(3rd Generation Partnership Project：第三代合作伙伴计划)开发的第五代移动通信***(5G)所用的无线接入技术(RAT：RadioAccess Technology)即NR向基站发送的上行链路信号。
第二输入端子112是用于从RFIC 3接收第二高频发送信号的端子。作为第二高频发送信号，例如能够使用LTE(Long-Term Evolution：长期演进)发送信号，但是不限定于此。LTE发送信号是终端遵循根据3GPP标准化的LTE向基站发送的上行链路信号。
此外，多个高频输入端子110的数量不限定于2个。例如，多个高频输入端子110也可以包括3个以上的输入端子。
多个高频输出端子120是外部连接端子的一例，是用于向高频模块1的外部提供多个高频接收信号的端子。在本实施方式中，多个高频输出端子120包括第一输出端子121和第二输出端子122。
第一输出端子121是用于向RFIC 3提供第一高频接收信号的端子。作为第一高频接收信号，例如能够使用5GNR接收信号，但是不限定于此。5GNR接收信号是终端遵循5GNR从基站接收的下行链路信号。
第二输出端子122是用于向RFIC 3提供第二高频接收信号的端子。作为第二高频接收信号，例如能够使用LTE接收信号，但是不限定于此。LTE接收信号是终端遵循LTE从基站接收的下行链路信号。
此外，多个高频输出端子120的数量不限定于2个。例如，多个高频输出端子120也可以包括3个以上的输出端子。
功率放大器11能够对利用多个高频输入端子110接收到的多个高频信号进行放大。在此，功率放大器11能够对从第一输入端子111和第二输入端子112经由开关54输入的通信频段A及B的高频信号进行放大。功率放大器11的结构没有特别限定，例如可以是多级放大器，也可以是变换为差动信号后进行放大的放大器。
低噪声放大器21能够对利用天线连接端子100接收到的多个高频信号进行放大。在此，低噪声放大器21能够对从天线连接端子100经由开关53、双工器61及62以及开关52输入的通信频段A及B的高频信号进行放大。被低噪声放大器21放大后的高频信号经由开关55被输出到多个高频输出端子120。低噪声放大器21的结构没有特别限定。
双工器61使通信频段A的高频信号通过。双工器61将通信频段A的发送信号和接收信号以频分双工(FDD：Frequency Division Duplex)方式进行传输。双工器61包括发送滤波器61T和接收滤波器61R。
发送滤波器61T连接于功率放大器11与天线连接端子100之间。发送滤波器61T使被功率放大器11放大后的高频发送信号中的通信频段A的发送带的信号通过。也就是说，发送滤波器61T具有包含通信频段A的发送带的通带。
接收滤波器61R连接于低噪声放大器21与天线连接端子100之间。接收滤波器61R使从天线连接端子100输入的高频接收信号中的通信频段A的接收带的信号通过。也就是说，接收滤波器61R具有包含通信频段A的接收带的通带。
双工器62使通信频段B的高频信号通过。双工器62将通信频段B的发送信号和接收信号以FDD方式进行传输。双工器62包括发送滤波器62T和接收滤波器62R。
发送滤波器62T连接于功率放大器11与天线连接端子100之间。发送滤波器62T使被功率放大器11放大后的高频发送信号中的通信频段B的发送带的信号通过。也就是说，发送滤波器62T具有包含通信频段B的发送带的通带。
接收滤波器62R连接于低噪声放大器21与天线连接端子100之间。接收滤波器62R使从天线连接端子100输入的高频接收信号中的通信频段B的接收带的信号通过。也就是说，接收滤波器62R具有包含通信频段B的接收带的通带。
开关51连接于发送滤波器61T及62T与功率放大器11之间。具体地说，开关51具有端子511、端子512以及端子513。开关51的端子511与功率放大器11连接。开关51的端子512及端子513与发送滤波器61T及62T分别连接。在该连接结构中，开关51例如能够基于来自RFIC 3的控制信号来将端子512及端子513中的任一个与端子511连接。也就是说，开关51能够在将功率放大器11与发送滤波器61T连接以及将功率放大器11与发送滤波器62T连接之间进行切换。开关51例如由SPDT(Single Pole Double Throw：单刀双掷)型的开关电路构成，被称作频段选择开关。
开关52连接于接收滤波器61R及62R与低噪声放大器21之间。具体地说，开关52具有端子521、端子522以及端子523。开关52的端子521与低噪声放大器21连接。开关52的端子522及端子523与接收滤波器61R及62R分别连接。在该连接结构中，开关52例如能够基于来自RFIC 3的控制信号来将端子522及端子523中的任一个与端子521连接。也就是说，开关52能够在将低噪声放大器21与接收滤波器61R连接以及将低噪声放大器21与接收滤波器62R连接之间进行切换。开关52例如由SPDT型的开关电路构成。
开关53连接于天线连接端子100与双工器61及62之间。具体地说，开关53具有端子531、端子532以及端子533。开关53的端子531与天线连接端子100连接。开关53的端子532及端子533与双工器61及62分别连接。在该连接结构中，开关53例如能够基于来自RFIC 3的控制信号来将端子532及端子533中的一方或两方与端子531连接。也就是说，开关53能够对天线2与双工器61的连接和非连接进行切换，对天线2与双工器62的连接和非连接进行切换。开关53例如由多连接型的开关电路构成，被称作天线开关。
开关54是第一开关的一例，连接于多个高频输入端子110与功率放大器11之间。具体地说，开关54具有端子541、端子542以及端子543。开关54的端子541与功率放大器11连接。开关54的端子542及端子543与第一输入端子111及第二输入端子112分别连接。在该连接结构中，开关54例如能够基于来自RFIC 3的控制信号来将端子542及端子543中的任一个与端子541连接。也就是说，开关54能够在将第一输入端子111与功率放大器11连接以及将第二输入端子112与功率放大器11连接之间进行切换。开关54例如由SPDT型的开关电路构成，被称作发送输入开关。
开关55是第二开关的一例，连接于多个高频输出端子120与低噪声放大器21之间。具体地说，开关55具有端子551、端子552以及端子553。开关55的端子551与低噪声放大器21连接。开关55的端子552及端子553与第一输出端子121及第二输出端子122分别连接。在该连接结构中，开关55例如能够基于来自RFIC 3的控制信号来将端子552及端子553中的任一个与端子551连接。也就是说，开关55能够在将第一输出端子121与低噪声放大器21连接以及将第二输出端子122与低噪声放大器21连接之间进行切换。开关55例如由SPDT型的开关电路构成，被称作接收输出开关。
此外，也可以是，图1中示出的电路元件中的几个不包括在高频模块1中。例如，高频模块1只要至少具备功率放大器11、低噪声放大器21、开关54及55、高频输入端子110以及高频输出端子120即可，也可以不具备其它电路元件。
另外，在高频模块1的电路结构中，能够以FDD方式进行发送信号和接收信号的通信，但是本实用新型所涉及的高频模块的电路结构不限定于此。例如，本实用新型所涉及的高频模块也可以具有能够以时分双工(TDD：Time Division Duplex)方式进行发送信号和接收信号的通信的电路结构，还可以具有能够以FDD方式和TDD方式这两方进行通信的电路结构。
[1.2高频模块1的部件配置]
接着，参照图2和图3来具体说明如以上那样构成的高频模块1的部件配置。
图2是实施方式1所涉及的高频模块1的俯视图。在图2中，(a)表示从z轴正侧观察模块基板91的主面91a所得到的图，(b)表示从z轴正侧透视模块基板91的主面91b所得到的图。图3是实施方式1所涉及的高频模块1的截面图。图3中的高频模块1的截面是图2的iii-iii线处的截面。
如图2和图3所示，高频模块1除了具备内置图1中示出的电路元件的电路部件以外，还具备模块基板91、树脂构件92及93、地电极图案94以及屏蔽电极层95。另外，高频模块1具备多个柱电极150作为多个外部连接端子。此外，在图2中，省略了树脂构件92及93以及屏蔽电极层95的记载。
模块基板91具有彼此相向的主面91a和主面91b。作为模块基板91，例如能够使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(LTCC：Low Temperature Co-firedCeramics)基板、高温共烧陶瓷(HTCC：High Temperature Co-fired Ceramics)基板、部件内置基板、具有重新布线层(RDL：Redistribution Layer)的基板、或者印刷电路板等，但是不限定于它们。
主面91a是第一主面的一例，有时被称为上表面或表面。如图2的(a)所示，在主面91a配置有功率放大器11、开关54以及双工器61及62。
双工器61及62中的各双工器例如可以是声表面波滤波器、使用BAW(BulkAcoustic Wave：体声波)的弹性波滤波器、LC谐振滤波器、以及电介质滤波器中的任一个，而且不限定于它们。
主面91b是第二主面的一例，有时被称为下表面或背面。如图2的(b)所示，在主面91b配置有低噪声放大器21以及开关51、52、53及55。
低噪声放大器21和开关55内置于同一半导体部件20。半导体部件20也被称作半导体集成电路，是在半导体芯片(也被称作冲模)的表面和内部形成有电子电路的电子部件。半导体部件20例如由CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)构成，具体地说，可以通过SOI(Silicon on Insulator：绝缘体上的硅)工艺构成。由此，能够廉价地制造半导体部件20。此外，半导体部件20也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少1个构成。由此，能够实现高质量的半导体部件20。
开关51、52及53不内置于半导体部件20，而是单独地配置于主面91b。此外，也可以是，开关51、52或53、或者它们的任意组合内置于半导体部件20。
树脂构件92配置在模块基板91的主面91a上，覆盖了主面91a上的电路部件。另外，树脂构件93配置在模块基板91的主面91b上，覆盖了主面91b上的电路部件。树脂构件92及93具有确保主面91a及91b上的电路部件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。
地电极图案94形成于模块基板91内，配置于开关54及55之间。例如，地电极图案94是与多个柱电极150中包括的地柱电极连接的平面地图案。此外，也可以是，在开关54及55之间配置有未被设定为地电位的电极图案来代替地电极图案94。
屏蔽电极层95是例如通过溅射法形成的金属薄膜，形成为覆盖树脂构件92的上表面及侧表面以及模块基板91及树脂构件93的侧表面。屏蔽电极层95被设定为地电位，抑制外来噪声对构成高频模块1的电路部件的侵入。
此外，高频模块1也可以不具备树脂构件92及93、地电极图案94以及屏蔽电极层95。也就是说，树脂构件92及93、地电极图案94以及屏蔽电极层95不是本实用新型所涉及的高频模块所必需的结构要素。
多个柱电极150是包括天线连接端子100、第一输入端子111、第二输入端子112、第一输出端子121以及第二输出端子122的多个外部连接端子的一例。多个柱电极150分别配置于模块基板91的主面91b，从主面91b垂直地延伸。另外，多个柱电极150分别贯通树脂构件93，多个柱电极150各自的一端从树脂构件93暴露出来。多个柱电极150的从树脂构件93露出的一端与在高频模块1的z轴负方向配置的主板上的输入输出端子和/或地电极等连接。
在图2的(b)中，作为第一输入端子111和第二输入端子112发挥功能的2个柱电极150配置于开关54的附近。另外，作为第一输出端子121和第二输出端子122发挥功能的2个柱电极150配置于开关55的附近。另外，作为天线连接端子100发挥功能的柱电极150配置于开关53的附近。其它柱电极150例如作为控制端子、电源端子或地端子等发挥功能。
[1.3效果等]
如以上那样，本实施方式所涉及的高频模块1具备：多个柱电极150，该多个柱电极150包括至少1个高频输入端子和至少1个高频输出端子；功率放大器11；低噪声放大器21；开关54，其连接于至少1个高频输入端子与功率放大器11之间；开关55，其连接于至少1个高频输出端子与低噪声放大器21之间；以及模块基板91，其具有彼此相向的主面91a及91b，其中，开关54配置于主面91a及91b中的一方，开关55配置于主面91a及91b中的另一方。
据此，能够将电路部件配置到模块基板91的两个面。因而，与电路部件被配置于模块基板91的单面的情况相比，能够缩小模块基板91的面积，实现高频模块1的小型化。并且，将连接于多个高频输入端子110的开关54与连接于多个高频输出端子120的开关55配置到模块基板91的彼此相反的面，由此能够使开关54及55之间***有模块基板91。因而，能够抑制因高频模块1的小型化引起的开关54及55之间的隔离特性的劣化，能够抑制高频模块1的NF特性的劣化。也就是说，本实施方式所涉及的高频模块1能够在抑制电气特性的劣化的同时实现小型化。
另外，例如，多个柱电极150也可以包括天线连接端子100，功率放大器11和开关54也可以连接于天线连接端子100与至少1个高频输入端子之间，低噪声放大器21和开关55也可以连接于天线连接端子100与至少1个高频输出端子之间。
据此，能够将经由至少1个高频输入端子输入的高频信号利用功率放大器11进行放大后传输到天线2。并且，能够将经由天线连接端子100输入的高频信号利用低噪声放大器21进行放大后输出到RFIC 3。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，开关54配置于主面91a，开关55和多个柱电极150配置于主面91b。
据此，能够将开关54配置到未配置多个柱电极150的主面91a，将开关55配置到配置有多个柱电极150的主面91b。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，功率放大器11配置于主面91a，低噪声放大器21配置于主面91b。
据此，能够将功率放大器11和低噪声放大器21配置到模块基板91的彼此相反的面。因而，能够抑制功率放大器11与低噪声放大器21之间的隔离特性的劣化。并且，通过将功率放大器11配置到主面91a，能够使用配置于主面91b的柱电极150来促进功率放大器11的散热。
另外，例如，也可以是，本实施方式所涉及的高频模块1的模块基板91内具备电极图案，电极图案也可以配置于开关54及55之间。
据此，能够通过电极图案来抑制开关54及55之间的磁场耦合、电场耦合或电磁场耦合，能够进一步抑制开关54及55的隔离特性的劣化。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，电极图案也可以是地电极图案94。
据此，能够通过地电极图案94来有效抑制开关54及55之间的磁场耦合、电场耦合或电磁场耦合，能够进一步抑制开关54及55的隔离特性的劣化。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，至少1个高频输入端子包括多个高频输入端子110，开关54对要与功率放大器11连接的多个高频输入端子110进行切换。此时，也可以是，多个高频输入端子110包括用于接收5GNR发送信号的第一输入端子111以及用于接收LTE发送信号的第二输入端子112。
据此，能够利用开关54对多个高频输入端子110进行切换，能够发送例如5GNR发送信号和LTE发送信号。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，至少1个高频输出端子包括多个高频输出端子120，开关55对要与低噪声放大器21连接的多个高频输出端子120进行切换。此时，也可以是，多个高频输出端子120包括用于供给5GNR接收信号的第一输出端子121以及用于供给LTE接收信号的第二输出端子122。
据此，能够利用开关55对多个高频输出端子120进行切换，能够接收例如5GNR接收信号和LTE接收信号。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，低噪声放大器21与开关55内置于同一半导体部件20。
据此，能够将低噪声放大器21和开关55集成到1个半导体部件20，能够有助于高频模块1的小型化。
另外，本实施方式所涉及的通信装置5具备：RFIC 3，其对高频信号进行处理；以及高频模块1，其在RFIC 3与天线2之间传输高频信号。
据此，在通信装置5中，能够实现与高频模块1同样的效果。
(实施方式2)
接着，说明实施方式2。在本实施方式中，主要是功率放大器、低噪声放大器、高频输入端子以及高频输出端子各自的数量与上述实施方式1不同。下面，关于本实施方式，以不同于上述实施方式1的方面为中心，参照附图来进行说明。
[2.1高频模块1A和通信装置5A的电路结构]
图4是实施方式2所涉及的高频模块1A和通信装置5A的电路结构图。如图4所示，本实施方式所涉及的高频模块1A具备功率放大器12及13、低噪声放大器22及23、开关53、54A及55A、双工器61及62、天线连接端子100、高频输入端子113以及高频输出端子123。
高频输入端子113是外部连接端子的一例，是用于从高频模块1A的外部接收高频发送信号的端子。作为高频发送信号，例如能够使用通信频段A及B的5GNR发送信号或LTE发送信号等。
高频输出端子123是外部连接端子的一例，是用于向高频模块1A的外部提供高频接收信号的端子。作为高频接收信号，例如能够使用通信频段A及B的5GNR接收信号或LTE接收信号等。
功率放大器12及13能够对利用高频输入端子113接收到的高频信号进行放大。在此，功率放大器12能够对从高频输入端子113经由开关54A输入的通信频段A的高频信号进行放大。另外，功率放大器13能够对从高频输入端子113经由开关54A输入的通信频段B的高频信号进行放大。此外，功率放大器12及13的结构没有特别限定，例如可以是多级放大器，也可以是变换为差动信号后进行放大的放大器。
低噪声放大器22及23能够对利用天线连接端子100接收到的高频信号进行放大。在此，低噪声放大器22能够对从天线连接端子100经由开关53和双工器61输入的通信频段A的高频信号进行放大。被低噪声放大器22放大后的通信频段A的高频信号经由开关55A被输出到高频输出端子123。另外，低噪声放大器23能够对从天线连接端子100经由开关53和双工器62输入的通信频段B的高频信号进行放大。被低噪声放大器23放大后的通信频段B的高频信号经由开关55A被输出到高频输出端子123。
开关54A是第一开关的一例，连接于高频输入端子113与功率放大器12及13之间。具体地说，开关54A具有端子541A、端子542A以及端子543A。开关54A的端子541A与高频输入端子113连接。开关54A的端子542A及端子543A与功率放大器12及13分别连接。在该连接结构中，开关54A例如能够基于来自RFIC 3的控制信号来将端子542A及端子543A中的任一个与端子541A连接。也就是说，开关54A能够在将高频输入端子113与功率放大器12连接以及将高频输入端子113与功率放大器13连接之间进行切换。开关54A例如由SPDT型的开关电路构成，被称作发送输入开关。
开关55A是第二开关的一例，连接于高频输出端子123与低噪声放大器22及23之间。具体地说，开关55A具有端子551A、端子552A以及端子553A。开关55A的端子551A与高频输出端子123连接。开关55A的端子552A及端子553A与低噪声放大器22及23分别连接。在该连接结构中，开关55A例如能够基于来自RFIC 3的控制信号来将端子552A及端子553A中的任一个与端子551A连接。也就是说，开关55A能够在将高频输出端子123与低噪声放大器22连接以及将高频输出端子123与低噪声放大器23连接之间进行切换。开关55A例如由SPDT型的开关电路构成，被称作接收输出开关。
此外，也可以是，图4中示出的电路元件中的几个不包括在高频模块1A中。例如，高频模块1A只要至少具备功率放大器12及13、低噪声放大器22及23、开关54A及55A、高频输入端子113以及高频输出端子123即可，也可以不具备其它电路元件。
如以上那样构成的高频模块1A的电路部件的配置与实施方式1所涉及的高频模块1的电路部件的配置相同，因此省略图示和说明。
[2.2效果等]
如以上那样，也可以是，本实施方式所涉及的高频模块1A具备功率放大器12及13，开关54A对要与高频输入端子113连接的功率放大器12及13进行切换。
据此，能够利用开关54A对功率放大器12及13进行切换，能够提高例如通信频段A及B之间的隔离特性。
另外，例如也可以是，本实施方式所涉及的高频模块1A具备低噪声放大器22及23，开关55A对要与高频输出端子123连接的低噪声放大器22及23进行切换。
据此，能够利用开关55A对低噪声放大器22及23进行切换，能够提高例如通信频段A及B之间的隔离特性。
(实施方式3)
接着，说明实施方式3。在本实施方式中，主要是功率放大器和低噪声放大器的数量与上述实施方式1不同。下面，以与上述实施方式1及2不同的方面为中心，参照附图来说明本实施方式。
[3.1高频模块1B和通信装置5B的电路结构]
图5是实施方式3所涉及的高频模块1B和通信装置5B的电路结构图。如图5所示，本实施方式所涉及的高频模块1B具备功率放大器12及13、低噪声放大器22及23、开关53、54B及55B、双工器61及62、天线连接端子100、多个高频输入端子110以及多个高频输出端子120。
开关54B是第一开关的一例，连接于多个高频输入端子110与功率放大器12及13之间。具体地说，开关54B具有端子541B、端子542B、端子543B以及端子544B。开关54B的端子541B及端子542B与第一输入端子111及第二输入端子112分别连接。开关54B的端子543B及端子544B与功率放大器12及13分别连接。在该连接结构中，开关54B例如能够基于来自RFIC3的控制信号，将端子541B及端子542B中的一方与端子543B连接，将端子541B及端子542B中的另一方与端子544B连接。也就是说，开关54B能够对要与功率放大器12及13中的各功率放大器连接的高频输入端子110进行切换。开关54B例如由多连接型的开关电路构成，被称作发送输入开关。
开关55B是第二开关的一例，连接于多个高频输出端子120与低噪声放大器22及23之间。具体地说，开关55B具有端子551B、端子552B、端子553B以及端子554B。开关55B的端子551B及端子552B与第一输出端子121及第二输出端子122分别连接。开关55B的端子553B及端子554B与低噪声放大器22及23分别连接。在该连接结构中，开关55B例如能够基于来自RFIC 3的控制信号，将端子551B及端子552B中的一方与端子553B连接，将端子551B及端子552B中的另一方与端子554B连接。也就是说，开关55B能够对要与低噪声放大器22及23中的各低噪声放大器连接的高频输出端子120进行切换。开关55B例如由多连接型的开关电路构成，被称作接收输出开关。
如以上那样构成的高频模块1B的电路部件的配置与实施方式1所涉及的高频模块1的电路部件的配置相同，因此省略图示和说明。
[3.2效果等]
如以上那样，也可以是，本实施方式所涉及的高频模块1B具备多个高频输入端子110以及功率放大器12及13，开关54B对要与功率放大器12及13中的各功率放大器连接的高频输入端子110进行切换。
据此，能够利用开关54B来切换要与功率放大器12及13中的各功率放大器连接的高频输入端子110，能够使用功率放大器12及13来同时发送多个高频信号。
另外，例如，也可以是，本实施方式所涉及的高频模块1B具备多个高频输出端子120以及低噪声放大器22及23，开关55B对要与低噪声放大器22及23中的各低噪声放大器连接的高频输出端子120进行切换。
据此，能够利用开关55B来切换要与低噪声放大器22及23中的各低噪声放大器连接的高频输出端子120，能够使用低噪声放大器22及23来同时接收多个高频信号。
(实施方式4)
接着，说明实施方式4。在本实施方式中，主要在以下方面与上述实施方式1～3不同：高频模块具备多个凸块电极来代替多个柱电极。下面，以与上述实施方式1～3不同的方面为中心，参照附图来说明本实施方式。
此外，本实施方式所涉及的高频模块1C的电路结构与上述实施方式1～3中的任一个相同，因此省略图示和说明。
[4.1高频模块1C的部件配置]
图6是实施方式4所涉及的高频模块1C的截面图。如图6所示，本实施方式所涉及的高频模块1C具备多个凸块电极151来代替多个柱电极150。另外，在本实施方式中，也可以是，在高频模块1C的主面91b侧不具备树脂构件93。
[4.2效果等]
如以上那样，在本实施方式所涉及的高频模块1C中，也可以具备多个凸块电极151作为多个外部连接端子。
在该情况下，高频模块1C也能够实现与上述实施方式1～3同样的效果。
(其它实施方式)
以上，关于本实用新型所涉及的高频模块和通信装置，基于实施方式来进行了说明，但是本实用新型所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施方式。将上述实施方式中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式实施本领域技术人员在不脱离本实用新型的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包括在本实用新型中。
例如，在上述各实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构中，也可以在附图中公开的对各电路元件以及信号路径进行连接的路径之间***其它的电路元件和布线等。例如，在实施方式1中，也可以是，在开关53与双工器61之间、开关53与双工器62之间、开关51与功率放大器11之间、或开关52与低噪声放大器21之间、或者它们的任意组合，***有阻抗匹配电路。
此外，上述各实施方式中的部件的配置是一个例子，不限定于此。例如，在实施方式1中，也可以是，开关54配置于主面91b，开关55配置于主面91a。在这种情况下也是，能够将开关54及55配置到模块基板91的彼此相反的面，因此能够在抑制高频模块1的电气特性的劣化的同时实现高频模块1的小型化。
产业上的可利用性
本实用新型作为配置于前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。

Claims (20)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：
多个外部连接端子，所述多个外部连接端子包括至少1个输入端子和至少1个输出端子；
至少1个功率放大器；
至少1个低噪声放大器；
第一开关，其连接于所述至少1个输入端子与所述至少1个功率放大器之间；
第二开关，其连接于所述至少1个输出端子与所述至少1个低噪声放大器之间；以及
模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面，
其中，所述第一开关配置于所述第一主面和所述第二主面中的一方，
所述第二开关配置于所述第一主面和所述第二主面中的另一方。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述多个外部连接端子包括天线连接端子，
所述至少1个功率放大器和所述第一开关连接于所述天线连接端子与所述至少1个输入端子之间，
所述至少1个低噪声放大器和所述第二开关连接于所述天线连接端子与所述至少1个输出端子之间。
3.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述第一开关配置于所述第一主面，
所述第二开关和所述多个外部连接端子配置于所述第二主面。
4.根据权利要求3所述的高频模块，其特征在于，
所述至少1个功率放大器配置于所述第一主面，
所述至少1个低噪声放大器配置于所述第二主面。
5.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述高频模块的所述模块基板内具备电极图案，
所述电极图案配置于所述第一开关与所述第二开关之间。
6.根据权利要求5所述的高频模块，其特征在于，
所述电极图案是地电极图案。
7.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述至少1个输入端子包括多个输入端子，
所述第一开关对要与所述至少1个功率放大器连接的所述多个输入端子进行切换。
8.根据权利要求7所述的高频模块，其特征在于，
所述多个输入端子包括用于接收5GNR发送信号即第五代新空口发送信号的第一输入端子以及用于接收LTE发送信号即长期演进发送信号的第二输入端子。
9.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述至少1个输出端子包括多个输出端子，
所述第二开关对要与所述至少1个低噪声放大器连接的所述多个输出端子进行切换。
10.根据权利要求9所述的高频模块，其特征在于，
所述多个输出端子包括用于提供5GNR接收信号即第五代新空口接收信号的第一输出端子以及用于提供LTE接收信号即长期演进接收信号的第二输出端子。
11.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述至少1个功率放大器包括多个功率放大器，
所述第一开关对要与所述至少1个输入端子连接的所述多个功率放大器进行切换。
12.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述至少1个低噪声放大器包括多个低噪声放大器，
所述第二开关对要与所述至少1个输出端子连接的所述多个低噪声放大器进行切换。
13.根据权利要求4所述的高频模块，其特征在于，
所述至少1个低噪声放大器与所述第二开关内置于同一半导体部件。
14.一种通信装置，其特征在于，具备：
信号处理电路，其对高频信号进行处理；以及
高频模块，其在所述信号处理电路与天线之间传输高频信号，
其中，所述高频模块具备：
多个外部连接端子，所述多个外部连接端子包括至少1个输入端子和至少1个输出端子；
至少1个功率放大器；
至少1个低噪声放大器；
第一开关，其连接于所述至少1个输入端子与所述至少1个功率放大器之间；
第二开关，其连接于所述至少1个输出端子与所述至少1个低噪声放大器之间；以及
模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面，
其中，所述第一开关配置于所述第一主面和所述第二主面中的一方，
所述第二开关配置于所述第一主面和所述第二主面中的另一方。
15.根据权利要求14所述的通信装置，其特征在于，
所述多个外部连接端子包括天线连接端子，
所述至少1个功率放大器和所述第一开关连接于所述天线连接端子与所述至少1个输入端子之间，
所述至少1个低噪声放大器和所述第二开关连接于所述天线连接端子与所述至少1个输出端子之间。
16.根据权利要求14所述的通信装置，其特征在于，
所述第一开关配置于所述第一主面，
所述第二开关和所述多个外部连接端子配置于所述第二主面。
17.根据权利要求16所述的通信装置，其特征在于，
所述至少1个功率放大器配置于所述第一主面，
所述至少1个低噪声放大器配置于所述第二主面。
18.根据权利要求14所述的通信装置，其特征在于，
所述高频模块的所述模块基板内具备电极图案，
所述电极图案配置于所述第一开关与所述第二开关之间。
19.根据权利要求18所述的通信装置，其特征在于，
所述电极图案是地电极图案。
20.根据权利要求17所述的通信装置，其特征在于，
所述至少1个低噪声放大器与所述第二开关内置于同一半导体部件。
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