CN214544304U - 高频模块和通信装置 - Google Patents

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Abstract

提供一种高频模块和通信装置。高频模块(1)具备：模块基板(91)，其具有彼此相向的主面(91a)和主面(91b)；外部连接端子(例如多个柱电极(150))，其配置于主面(91b)；半导体部件(20)，其配置于主面(91b)，包括低噪声放大器(21)和/或(22)；以及金属构件(80)，其被设定为地电位，覆盖半导体部件(20)的与模块基板(91)相反的一侧的表面(20a)的至少一部分。

Description

高频模块和通信装置
技术领域
本实用新型涉及一种高频模块和通信装置。
背景技术
在便携式电话等移动通信设备中，特别是，随着多频段化的进展，构成高频前端电路的电路元件增加，难以使高频模块小型化。
专利文献1中公开了一种通过两面安装型基板来实现小型化的半导体模块。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-040602号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
然而，在上述以往的高频模块中，用在安装于两面安装型基板的高频部件上的屏蔽效果有时不充分。
因此，本实用新型提供一种能够提高用在安装于两面安装型基板的高频部件上的屏蔽效果的高频模块和通信装置。
用于解决问题的方案
本实用新型的一个方式所涉及的高频模块具备：模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；外部连接端子，其配置于所述第二主面；半导体部件，其配置于所述第二主面，包括低噪声放大器；以及金属构件，其被设定为地电位，覆盖所述半导体部件的与所述模块基板相反的一侧的表面的至少一部分。
优选地，所述金属构件具有：基部，其覆盖所述半导体部件的与所述模块基板相反的一侧的表面的至少一部分；以及侧部，其与所述基部接合，覆盖所述半导体部件的侧面的至少一部分。
优选地，所述侧部是从所述基部朝向所述第二主面延伸的、沿着所述半导体部件的侧面配置的壁。
优选地，所述侧部是从所述基部朝向所述第二主面延伸的、沿着所述半导体部件的侧面配置的多个柱。
优选地，所述侧部在所述第二主面上与地导体接合。
优选地，所述高频模块还具备树脂构件，该树脂构件配置于所述第二主面，用于密封所述半导体部件，所述金属构件的至少一部分从所述树脂构件暴露出来。
优选地，所述高频模块还具备屏蔽电极层，该屏蔽电极层覆盖所述模块基板的所述第一主面和侧面。
优选地，所述高频模块还具备配置于所述第一主面的功率放大器。
本实用新型的一个方式所涉及的通信装置具备：上述的高频模块；以及信号处理电路，其对从所述高频模块输出的高频信号进行处理。
实用新型的效果
根据本实用新型，能够提高用在安装于两面安装型基板的高频部件上的屏蔽效果。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。
图2是实施方式1所涉及的高频模块的俯视图。
图3是实施方式1所涉及的高频模块的截面图。
图4是实施方式1中的金属构件的立体图。
图5是实施方式1的变形例中的金属构件的立体图。
图6是实施方式2所涉及的高频模块的截面图。
附图标记说明
1、1A：高频模块；2：天线；3：RFIC；4：BBIC；5：通信装置；11、12：功率放大器；20、50：半导体部件；20a：表面；20b：侧面；21、22：低噪声放大器；31、32、41、42、71、72、73、74：匹配电路；51、52、53、54、55：开关；61、62、63、64：双工器；61R、62R、63R、64R：接收滤波器；61T、62T、63T、64T：发送滤波器；80、80A：金属构件；81：基部；82、82A：侧部；91：模块基板；91a、91b：主面；92、93：树脂构件；94：地导体；95：屏蔽电极层；100：天线连接端子；111、112：发送输入端子；121、122：接收输出端子；150：柱电极；160：凸块电极。
具体实施方式
下面，使用附图来详细说明本实用新型的实施方式。此外，下面说明的实施方式均表示总括性或具体的例子。下面的实施方式所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置及连接方式等是一个例子，其主旨并不在于限定本实用新型。
此外，各图是为了表示本实用新型而适当进行了强调、省略、或比率的调整的示意图，未必严格地进行了图示，有时与实际的形状、位置关系及比率不同。在各图中，对实质上相同的结构标注相同的标记，有时省略或简化重复的说明。
在下面的各图中，x轴和y轴是在与模块基板的主面平行的平面上相互正交的轴。另外，z轴是与模块基板的主面垂直的轴，z轴的正方向表示上方向，z轴的负方向表示下方向。
在本公开中，通信***是指使用由标准化机构(例如3GPP(3rd GenerationPartnership Project：第三代合作伙伴计划)和IEEE(Institute of Electrical andElectronics Engineers：电气电子工程师学会)等)等定义的无线接入技术(RAT：RadioAccess Technology)来构建的通信***。作为通信***，例如能够使用5GNR(5thGeneration New Radio：第五代新空口)***、LTE(Long Term Evolution：长期演进)***以及WLAN(Wireless Local Area Network：无线局域网)***等，但是不限定于它们。
另外，通信频段是指由标准化机构等为了通信***而预先定义的频段。作为通信频段，例如能够使用5GNR频段、LTE频段以及WLAN信道等，但是不限定于它们。
(实施方式1)
[1高频模块1和通信装置5的电路结构]
参照图1来说明本实施方式所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构。图1是实施方式1所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构图。
此外，在下面的电路结构的说明中，“连接”不仅包括借助布线导体、端子、连接器、开关或者它们的任意的组合来电连接的情况，还包括借助无源元件和/或有源元件来电连接的情况。另外，“连接于A与B之间”是指：配置在将A与B连结的路径上，且与A及B这两方连接。
[1.1通信装置5的电路结构]
通信装置5是在通信***中使用的装置，例如是智能电话和平板电脑等。如图1所示，通信装置5具备高频模块1、天线2、RFIC 3以及BBIC 4。
天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，发送从高频模块1输出的高频信号，另外，接收来自外部的高频信号后输出到高频模块1。
RFIC 3是对从高频模块1输出的高频信号进行处理的信号处理电路的一例。RFIC3对利用天线2发送接收的高频信号进行处理。具体地说，RFIC 3对经由高频模块1的接收信号路径输入的高频接收信号通过下变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3对从BBIC 4输入的发送信号通过上变频等进行信号处理，将该信号处理后生成的高频发送信号输出到高频模块1的发送信号路径。
另外，RFIC 3还具有对高频模块1进行控制的作为控制部的功能。具体地说，控制部将用于对高频模块1所具有的开关的连接进行切换的控制信号传递到高频模块1。另外，控制部将用于调整高频模块1的功率放大器和低噪声放大器的增益等的控制信号传递到高频模块1。此外，控制部也可以设置于RFIC 3的外部，例如也可以设置于BBIC 4。
BBIC 4是使用频率比在高频模块1中传播的高频信号的频率低的中间频带来进行信号处理的电路。由BBIC 4处理后的信号例如被用作图像信号以显示图像，或者被用作声音信号以借助扬声器进行通话。
此外，在本实施方式所涉及的通信装置5中，天线2和BBIC 4不是必需的结构要素。
[1.2高频模块1的电路结构]
接着，说明高频模块1的详细结构。如图1所示，高频模块1具备功率放大器11及12、低噪声放大器21及22、发送滤波器61T～64T、接收滤波器61R～64R、匹配电路31、32、41、42及71～74、以及开关51～55。
功率放大器11对属于第一频带组的通信频段A和通信频段B的高频信号进行放大。功率放大器11的输入端子与发送输入端子111连接，功率放大器11的输出端子与匹配电路31连接。
功率放大器12对属于第二频带组的通信频段C和通信频段D的高频信号进行放大，该第二频带组比第一频带组靠低频侧。功率放大器12的输入与发送输入端子112连接，功率放大器12的输出与匹配电路32连接。
低噪声放大器21将通信频段A和通信频段B的高频信号以低噪声的方式进行放大。低噪声放大器21的输入与匹配电路41连接，低噪声放大器21的输出与接收输出端子121连接。
低噪声放大器22将通信频段C和通信频段D的高频信号以低噪声的方式进行放大。低噪声放大器22的输入与匹配电路42连接，低噪声放大器22的输出与接收输出端子122连接。
发送滤波器61T配置于将功率放大器11与天线连接端子100连结的发送路径AT。发送滤波器61T使被功率放大器11放大后的高频信号中的通信频段A的上行链路带的高频信号通过。
发送滤波器62T配置于将功率放大器11与天线连接端子100连结的发送路径BT。发送滤波器62T使被功率放大器11放大后的高频信号中的通信频段B的上行链路带的高频信号通过。
发送滤波器63T配置于将功率放大器12与天线连接端子100连结的发送路径CT。发送滤波器63T使被功率放大器12放大后的高频信号中的通信频段C的上行链路带的高频信号通过。
发送滤波器64T配置于将功率放大器12与天线连接端子100连结的发送路径DT。发送滤波器64T使被功率放大器12放大后的高频信号中的通信频段D的上行链路带的高频信号通过。
接收滤波器61R配置于将低噪声放大器21与天线连接端子100连结的接收路径AR。接收滤波器61R使从天线连接端子100输入的高频信号中的通信频段A的下行链路带的高频信号通过。
接收滤波器62R配置于将低噪声放大器21与天线连接端子100连结的接收路径BR。接收滤波器62R使从天线连接端子100输入的高频信号中的通信频段B的下行链路带的高频信号通过。
接收滤波器63R配置于将低噪声放大器22与天线连接端子100连结的接收路径CR。接收滤波器63R使从天线连接端子100输入的高频信号中的通信频段C的下行链路带的高频信号通过。
接收滤波器64R配置于将低噪声放大器22与天线连接端子100连结的接收路径DR。接收滤波器64R使从天线连接端子100输入的高频信号中的通信频段D的下行链路带的高频信号通过。
发送滤波器61T和接收滤波器61R构成了以通信频段A为通带的双工器61。另外，发送滤波器62T和接收滤波器62R构成了以通信频段B为通带的双工器62。另外，发送滤波器63T和接收滤波器63R构成了以通信频段C为通带的双工器63。另外，发送滤波器64T和接收滤波器64R构成了以通信频段D为通带的双工器64。
此外，上述的发送滤波器61T～64T和接收滤波器61R～64R中的各滤波器例如可以是声表面波滤波器、使用了BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)的弹性波滤波器、LC谐振滤波器、以及电介质滤波器中的任一个，而且不限定于它们。
匹配电路31连接于功率放大器11与发送滤波器61T及62T之间。匹配电路31取得功率放大器11与发送滤波器61T及62T的阻抗匹配。
匹配电路32连接于功率放大器12与发送滤波器63T及64T之间。匹配电路32取得功率放大器12与发送滤波器63T及64T的阻抗匹配。
匹配电路41连接于低噪声放大器21与接收滤波器61R及62R之间。匹配电路41取得低噪声放大器21与接收滤波器61R及62R的阻抗匹配。
匹配电路42连接于低噪声放大器22与接收滤波器63R及64R之间。匹配电路42取得低噪声放大器22与接收滤波器63R及64R的阻抗匹配。
开关51连接于匹配电路31与发送滤波器61T及62T之间。开关51对功率放大器11与发送滤波器61T的连接以及功率放大器11与发送滤波器62T的连接进行切换。具体地说，开关51例如具备与匹配电路31连接的公共端子、与发送滤波器61T连接的第一端子、以及与发送滤波器62T连接的第二端子。在这种连接结构中，开关51例如能够基于来自RFIC 3的控制信号来将第一端子和第二端子中的任一个连接到公共端子。由此，对功率放大器11与发送滤波器61T的连接以及功率放大器11与发送滤波器62T的连接进行切换。开关51例如由SPDT(Single Pole Double Throw：单刀双掷)型的开关电路构成。
开关52连接于匹配电路32与发送滤波器63T及64T之间。开关52对功率放大器12与发送滤波器63T的连接以及功率放大器12与发送滤波器64T的连接进行切换。具体地说，开关52例如具备与匹配电路32连接的公共端子、与发送滤波器63T连接的第一端子、以及与发送滤波器64T连接的第二端子。在这种连接结构中，开关52例如能够基于来自RFIC 3的控制信号来将第一端子和第二端子中的任一个连接到公共端子。由此，对功率放大器12与发送滤波器63T的连接以及功率放大器12与发送滤波器64T的连接进行切换。开关52例如由SPDT型的开关电路构成。
开关53连接于匹配电路41与接收滤波器61R及62R之间。开关53对低噪声放大器21与接收滤波器61R的连接以及低噪声放大器21与接收滤波器62R的连接进行切换。具体地说，开关53例如具备与匹配电路41连接的公共端子、与接收滤波器61R连接的第一端子、以及与接收滤波器62R连接的第二端子。在这种连接结构中，开关53例如能够基于来自RFIC 3的控制信号来将第一端子和第二端子中的任一个连接到公共端子。由此，对低噪声放大器21与接收滤波器61R的连接以及低噪声放大器21与接收滤波器62R的连接进行切换。开关53例如由SPDT型的开关电路构成。
开关54连接于匹配电路42与接收滤波器63R及64R之间。开关54对低噪声放大器22与接收滤波器63R的连接以及低噪声放大器22与接收滤波器64R的连接进行切换。开关54例如具备与匹配电路42连接的公共端子、与接收滤波器63R连接的第一端子、以及与接收滤波器64R连接的第二端子。在这种连接结构中，开关54例如能够基于来自RFIC 3的控制信号来将第一端子和第二端子中的任一个连接到公共端子。由此，对低噪声放大器22与接收滤波器63R的连接以及低噪声放大器22与接收滤波器64R的连接进行切换。开关54例如由SPDT型的开关电路构成。
开关55连接于天线连接端子100与发送滤波器61T～64T及接收滤波器61R～64R之间。开关55对(1)天线连接端子100与发送滤波器61T及接收滤波器61R的连接、(2)天线连接端子100与发送滤波器62T及接收滤波器62R的连接、(3)天线连接端子100与发送滤波器63T及接收滤波器63R的连接、以及(4)天线连接端子100与发送滤波器64T及接收滤波器64R的连接进行切换。开关55由能够同时进行上述(1)～(4)中的2个以上的连接的多连接型的开关电路构成。
匹配电路71连接于开关55与发送滤波器61T及接收滤波器61R之间。匹配电路71取得天线2及开关55与发送滤波器61T及接收滤波器61R的阻抗匹配。
匹配电路72连接于开关55与发送滤波器62T及接收滤波器62R之间。匹配电路72取得天线2及开关55与发送滤波器62T及接收滤波器62R的阻抗匹配。
匹配电路73连接于开关55与发送滤波器63T及接收滤波器63R之间。匹配电路73取得天线2及开关55与发送滤波器63T及接收滤波器63R的阻抗匹配。
匹配电路74连接于开关55与发送滤波器64T及接收滤波器64R之间。匹配电路74取得天线2及开关55与发送滤波器64T及接收滤波器64R的阻抗匹配。
在上述高频模块1的结构中，功率放大器11、匹配电路31、开关51、以及发送滤波器61T及62T构成向天线连接端子100输出通信频段A和通信频段B的高频发送信号的第一发送电路。另外，功率放大器12、匹配电路32、开关52、以及发送滤波器63T及64T构成向天线连接端子100输出通信频段C和通信频段D的高频信号的第二发送电路。第一发送电路和第二发送电路构成向天线连接端子100输出通信频段A～D的高频信号的发送电路。
另外，在上述高频模块1的结构中，低噪声放大器21、匹配电路41、开关53、以及接收滤波器61R及62R构成从天线2经由天线连接端子100输入通信频段A和通信频段B的高频信号的第一接收电路。另外，低噪声放大器22、匹配电路42、开关54、以及接收滤波器63R及64R构成从天线2经由天线连接端子100输入通信频段C和通信频段D的高频接收信号的第二接收电路。第一接收电路和第二接收电路构成从天线连接端子100输入通信频段A～D的高频信号的接收电路。
此外，第二发送电路和第二接收电路例如是传输属于低频段组的通信频段的高频信号的电路。低频段组是由支持4G(4th Generation：***)及5G(5th Generation：第五代)的多个通信频段构成的频带组，例如具有1GHz以下的频率范围。低频段组例如由用于LTE的频段B5(上行链路：824MHz-849MHz、下行链路：869MHz-894MHz)、频段B8(上行链路：880MHz-915MHz、下行链路：925MHz-960MHz)、以及频段B28(上行链路：703MHz-748MHz、下行链路：753MHz-803MHz)等通信频段构成。
另外，第一发送电路和第一接收电路例如是传输属于中频段组的通信频段的高频信号的电路。中频段组是由支持4G及5G的多个通信频段构成的频带组，位于比低频段组靠高频侧的位置，例如具有1.5GHz-2.2GHz的频率范围。中频段组例如由用于LTE的频段B1(上行链路：1920MHz-1980MHz、下行链路：2110MHz-2170MHz)、频段B39(1880MHz-1920MHz)、以及频段B66(上行链路：1710MHz-1780MHz、下行链路：2110MHz-2200MHz)等通信频段构成。
另外，第一发送电路和第一接收电路例如也可以是传输属于高频段组的通信频段的发送信号和接收信号的电路。高频段组是由支持4G及5G的多个通信频段构成的频带组，位于比中频段组靠高频侧的位置，例如具有2.4GHz-2.8GHz的频率范围。高频段组例如由用于LTE的频段B7(上行链路：2500MHz-2570MHz、下行链路：2620MHz-2690MHz)、以及频段B41(2496MHz-2690MHz)等通信频段构成。
根据上述电路结构，本实施方式所涉及的高频模块1能够执行通信频段A和通信频段B中的任一个通信频段的高频信号与通信频段C和通信频段D中的任一个通信频段的高频信号的同时发送、同时接收、以及同时发送接收中的至少任一个。
此外，也可以是，发送电路和接收电路没有经由开关55连接于天线连接端子100。例如，也可以是，发送电路和接收电路经由互不相同的天线连接端子连接于互不相同的天线。
另外，作为本实用新型所涉及的高频模块的电路结构，只要具有至少1个低噪声放大器(例如，低噪声放大器21或22)即可，也可以不具有其它电路元件。
[2高频模块1的部件配置]
接着，参照图2和图3来具体说明如以上那样构成的高频模块1的部件配置。
此外，在下面的部件配置的说明中，“俯视模块基板”是指将物体正投影到xy平面来进行观察。另外，“部件配置于模块基板的主面”不仅包括部件以与模块基板的主面接触的状态配置在主面上的情况，还包括部件以不接触主面的方式配置于主面的上方的情况以及部件的一部分从主面侧嵌入基板内地配置的情况。
图2是实施方式1所涉及的高频模块1的俯视图。在图2中，(a)表示从z轴正侧观察模块基板91的主面91a所得到的图，(b)表示从z轴正侧透视模块基板91的主面91b所得到的图。图3是实施方式1所涉及的高频模块1的截面图。图3中的高频模块1的截面是图2的iii-iii线处的截面。
在本实施方式中，利用树脂构件92及93将高频模块1封装化，利用屏蔽电极层95将高频模块1屏蔽，但是在图2中，省略了树脂构件92及93以及屏蔽电极层95的记载，以便于图示部件。
如图2和图3所示，高频模块1除了具备图1中示出的内置电路元件的电子部件以外，还具备金属构件80、模块基板91、树脂构件92及93、屏蔽电极层95以及多个柱电极150。
模块基板91是两面安装型基板，具有彼此相向的主面91a及91b。在主面91a及91b配置构成上述发送电路和上述接收电路的部件。作为模块基板91，例如能够使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(LTCC：Low Temperature Co-fired Ceramics)基板、高温共烧陶瓷(HTCC：High Temperature Co-fired Ceramics)基板、部件内置基板、具有重新布线层(RDL：Redistribution Layer)的基板、或者印刷电路板等，但是不限定于它们。
在模块基板91形成有地导体94。地导体94例如包括形成于模块基板91内的平面地图案，与多个柱电极150中的几个柱电极连接，被设定为地电位。
模块基板91的主面91a是第一主面的一例，有时被称作上表面或表面。如图2的(a)所示，在主面91a配置有功率放大器11及12、匹配电路31、32、41、42、71及72、以及双工器61～64。主面91a上的这些部件如图3所示那样被树脂构件92密封。
匹配电路31、32、41、42、71及72中的各匹配电路包括电感器和/或电容器。在图2中，匹配电路31、32、41及42中的各匹配电路包括电感器和电容器这两方。另一方面，匹配电路71及72中的各匹配电路包括电感器，但是不包括电容器。此外，匹配电路31、32、41、42、71及72各自的结构不限定于此。例如，匹配电路31、32、41及42中的各匹配电路也可以不包括电容器，匹配电路71及72中的各匹配电路也可以包括电容器。
模块基板91的主面91b是第二主面的一例，有时被称作下表面或背面。如图2的(b)所示，在主面91b配置有低噪声放大器21及22、开关51、52及55、金属构件80以及多个柱电极150。主面91b上的这些部件如图3所示那样被树脂构件93密封。
低噪声放大器21及22包括在1个半导体部件20中，开关51及52包括在1个半导体部件50中。半导体部件20及50也被称作半导体集成电路，是形成于半导体芯片(也被称作压模)的表面和内部的电子电路。也可以是，半导体部件20及50例如由CMOS(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)构成，具体地说，通过SOI(Siliconon Insulator：绝缘体上的硅)工艺构成。由此，能够廉价地制造半导体部件。此外，半导体集成电路也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少1个构成。由此，能够实现具有高质量的放大性能和噪声性能的低噪声放大器。
金属构件80覆盖了半导体部件20的至少一部分。金属构件80例如由包括铜、金、铝或者它们的任意的组合的金属形成。如图3所示，金属构件80在模块基板91的主面91b上与地导体94接合，被设定为地电位。
此外，金属构件80的与地导体94连接的连接位置不限定于主面91b上。例如，金属构件80也可以通过与在高频模块1的z轴负侧配置的主板(未图示)上的地电极接合来被设定为地电位。
树脂构件92配置于模块基板91的主面91a，覆盖了主面91a上的电路部件。另外，树脂构件93配置于模块基板91的主面91b，覆盖了主面91b上的电路部件。树脂构件92及93具有确保主面91a及91b上的电路部件的机械强度和耐湿性等的可靠性的功能。
例如，通过对高频模块1的下表面进行切削来使树脂构件93、多个柱电极150以及金属构件80平面化，多个柱电极150和金属构件80从树脂构件93暴露出来。
屏蔽电极层95例如是通过溅射法等形成的金属薄膜。屏蔽电极层95形成为覆盖树脂构件92的上表面及侧表面、模块基板91的侧表面、以及树脂构件93的侧表面，被设定为地电位。此外，屏蔽电极层95无法覆盖树脂构件93的下表面。屏蔽电极层95具有抑制外来噪声侵入到构成高频模块1的电路部件的功能。
多个柱电极150是多个外部连接端子的一例，沿着模块基板91的主面91b的外缘排列。多个柱电极150中的各柱电极从主面91b向z轴负方向突出，贯通了树脂构件93。多个柱电极150各自的一端从树脂构件93暴露出来，与在高频模块1的z轴负侧配置的主板上的输入输出端子和/或地电极等连接。
此外，开关53及54以及匹配电路73及74在图2和图3中没有示出，但是可以配置于模块基板91的主面91a及91b中的任一个主面，也可以配置于模块基板91内。
另外，本实用新型所涉及的高频模块只要至少具有模块基板91、包括低噪声放大器21及22中的至少一方的半导体部件20、金属构件80以及多个柱电极150即可，也可以不具有其它部件。
[3金属构件80的结构]
接着，参照图4来说明金属构件80的结构。图4是实施方式中的金属构件80的立体图。如图4所示，金属构件80具有基部81和侧部82。
如图3所示，基部81覆盖半导体部件20的与模块基板91相反的一侧的表面20a的至少一部分。半导体部件20配置于基部81与模块基板91之间。
此外，在本实施方式中，基部81是矩形状的板，覆盖了半导体部件20的表面20a的全部，但是不限定于此。另外，基部81也可以不与半导体部件20接触。也就是说，基部81只要能够覆盖半导体部件20的表面20a的至少一部分，就可以是任何的形状和配置。
侧部82与基部81接合，覆盖半导体部件20的侧面20b的至少一部分。在本实施方式中，侧部82是从基部81朝向模块基板91的主面91b延伸的、沿着半导体部件20的侧面20b配置的壁。壁的高度大于半导体部件20的高度。由此，壁的前端能够到达主面91b，壁能够覆盖半导体部件20的侧面20b的全部。壁的前端在主面91b上与地导体94接合。
此外，壁的高度也可以小于半导体部件20的高度。另外，侧部82也可以不覆盖半导体部件20的侧面20b的全部。即，也可以是，在俯视模块基板91时，侧部82不包围半导体部件20，而是例如在更接近屏蔽电极层95的位置处具有开口。在该情况下，金属构件80和屏蔽电极层95也能够覆盖半导体部件20。
[4效果等]
如以上那样，本实施方式所涉及的高频模块1具备：模块基板91，其具有彼此相向的主面91a和主面91b；外部连接端子(例如多个柱电极150)，其配置于主面91b；半导体部件20，其配置于主面91b，包括低噪声放大器21和/或22；以及金属构件80，其被设定为地电位，覆盖半导体部件20的与模块基板91相反的一侧的表面20a的至少一部分。
据此，能够利用被设定为地电位的金属构件80来覆盖配置于模块基板91的主面91b的半导体部件20的表面20a的至少一部分。因而，能够利用金属构件80来减少从高频模块1的下方(z轴负侧)入射到半导体部件20的外来噪声。也就是说，能够提高用在包括低噪声放大器21和/或22的半导体部件20上的屏蔽效果，因此能够改善高频模块1的电气特性(例如噪声指数(NF)等)，特别是能够提高接收灵敏度。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，金属构件80具有：基部81，其覆盖半导体部件20的与模块基板91相反的一侧的表面20a的至少一部分；以及侧部82，其与基部81接合，覆盖半导体部件20的侧面20b的至少一部分。
据此，金属构件80能够利用基部81来覆盖半导体部件20的表面20a的至少一部分，并利用侧部82来覆盖半导体部件20的侧面20b的至少一部分，从而能够进一步减少外来噪声向包括低噪声放大器21和/或22的半导体部件20的流入。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，侧部82是从基部81朝向主面91b延伸的、沿着半导体部件20的侧面20b配置的壁。
据此，能够利用沿着半导体部件20的侧面20b配置的壁来覆盖半导体部件20的侧面20b，能够减少外来噪声，能够进一步减少外来噪声向包括低噪声放大器21和/或22的半导体部件20的流入。
另外，例如，在本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以是，侧部82在主面91b上与地导体94接合。
据此，在模块基板91的主面91b上将地导体94与金属构件80接合，由此能够将金属构件80设定为地电位。因而，能够在高频模块1内将金属构件80与地导体94接合，能够提高金属构件80的配置的自由度。
另外，例如，本实施方式所涉及的高频模块1也可以还具备树脂构件93，该树脂构件93配置于主面91b，用于密封半导体部件20，金属构件80的至少一部分也可以从树脂构件93暴露出来。
据此，能够利用树脂构件93来提高主面91b上的部件的机械强度和耐湿性等。并且，通过使金属构件80从树脂构件93暴露出来，能够将金属构件80的暴露部分与主板上的地导体接合，能够使金属构件80的地电位稳定。
另外，例如，本实施方式所涉及的高频模块1也可以还具备屏蔽电极层95，该屏蔽电极层95覆盖模块基板91的第一主面91a和侧面。
据此，能够利用屏蔽电极层95来覆盖高频模块1的上表面和侧面，从而进一步减少外来噪声向包括低噪声放大器21和/或22的半导体部件20的流入，并且还能够减少外来噪声向其它部件的流入。
另外，例如，本实施方式所涉及的高频模块1中，也可以还具备配置于主面91a的功率放大器11和/或12。
据此，能够将功率放大器11和/或12与低噪声放大器21和/或22配置于模块基板91的彼此相反的侧，能够在实现高频模块1的小型化的同时提高功率放大器11和/或12与低噪声放大器21和/或22之间的隔离特性。
本实施方式所涉及的通信装置5具备高频模块1以及对从高频模块1输出的高频信号进行处理的RFIC 3。
据此，在通信装置5中，能够实现与上述高频模块1同样的效果。
(实施方式1的变形例)
接着，说明实施方式1的变形例。在本变形例中，主要在金属构件的侧部的形状上与上述实施方式1不同。下面，关于本变形例，以不同于上述实施方式1的方面为中心，参照图5来进行说明。
图5是实施方式1的变形例中的金属构件80A的立体图。如图5所示，本变形例所涉及的金属构件80A具有基部81和侧部82A。
侧部82A与基部81接合，覆盖半导体部件20的侧面20b的至少一部分。在本实施方式中，侧部82A是从基部81朝向模块基板91的主面91b延伸的、沿着半导体部件20的侧面20b配置的多个柱。此外，柱的高度没有特别限定，只要大于半导体部件20的高度，柱的前端就能够到达主面91b。在该情况下，柱的前端在主面91b上与地导体94接合。
在图5中，构成侧部82A的多个柱分别具有圆柱形状，但是不限定于此。例如，柱的形状也可以是方柱形状。
如以上那样，在本变形例中，侧部82A也可以是从基部81朝向主面91b延伸的、沿着半导体部件20的侧面20b配置的多个柱。
据此，能够使树脂构件93从多个柱的间隙侵入来利用树脂构件93容易地将半导体部件20密封。因而，能够提高半导体部件20的机械强度和耐湿性等，并且提高高频模块1的生产率。
(实施方式2)
接着，说明实施方式2。在本实施方式中，主要在以下方面与上述实施方式1不同：高频模块具备多个凸块电极来代替多个柱电极。下面，关于本实施方式，以不同于上述实施方式1的方面为中心，参照附图来进行说明。
本实施方式所涉及的高频模块1A的电路结构与实施方式1相同，因此省略图示和说明，参照图6来具体说明高频模块1A的部件配置。
图6是实施方式2所涉及的高频模块1A的截面图。如图6所示，本实施方式所涉及的高频模块1A具备多个凸块电极160来代替多个柱电极150。在本实施方式中，高频模块1A也可以在主面91b侧不具备树脂构件93。
如以上那样，在本实施方式所涉及的高频模块1A中，也可以具备多个凸块电极160来作为多个外部连接端子。
在该情况下，高频模块1A也能够实现与上述实施方式1同样的效果。
(其它实施方式)
以上，关于本实用新型所涉及的高频模块和通信装置，基于实施方式来进行了说明，但是本实用新型所涉及的高频模块和通信装置不限定于上述实施方式。将上述实施方式中的任意的结构要素进行组合来实现的其它实施方式、对上述实施方式实施本领域技术人员在不脱离本实用新型的宗旨的范围内想到的各种变形来得到的变形例、内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包括在本实用新型中。
例如，在上述各实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构中，也可以在附图中公开的对各电路元件以及信号路径进行连接的路径之间***其它的电路元件和布线等。
另外，上述实施方式1的变形例也可以应用于上述实施方式2。
此外，在上述各实施方式中，高频模块具备发送电路，但是不限定于此。高频模块只要具备接收电路即可，也可以不具备发送电路。
此外，在上述各实施方式中，金属构件80或80A具有侧部82或82A，但是不限定于此。也就是说，金属构件80或80A只要至少具有基部81即可，也可以不具有侧部82或82A。在该情况下，基部81例如也可以粘接于半导体部件20的表面20a。
此外，在上述各实施方式中，低噪声放大器21及22内置于1个半导体部件20，但是不限定于此。例如，低噪声放大器21及22也可以包括在不同的部件中。在该情况下，既可以是，低噪声放大器21的部件和低噪声放大器22的部件中的仅一方被金属构件80或80A覆盖，也可以是，低噪声放大器21的部件和低噪声放大器22的部件中的各部件被金属构件80或80A覆盖。
产业上的可利用性
本实用新型作为配置于前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。

Claims (9)

1.一种高频模块，其特征在于，具备：
模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面；
外部连接端子，其配置于所述第二主面；
半导体部件，其配置于所述第二主面，包括低噪声放大器；以及
金属构件，其被设定为地电位，覆盖所述半导体部件的与所述模块基板相反的一侧的表面的至少一部分。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
所述金属构件具有：
基部，其覆盖所述半导体部件的与所述模块基板相反的一侧的表面的至少一部分；以及
侧部，其与所述基部接合，覆盖所述半导体部件的侧面的至少一部分。
3.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，
所述侧部是从所述基部朝向所述第二主面延伸的、沿着所述半导体部件的侧面配置的壁。
4.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，
所述侧部是从所述基部朝向所述第二主面延伸的、沿着所述半导体部件的侧面配置的多个柱。
5.根据权利要求2所述的高频模块，其特征在于，
所述侧部在所述第二主面上与地导体接合。
6.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
还具备树脂构件，该树脂构件配置于所述第二主面，用于密封所述半导体部件，
所述金属构件的至少一部分从所述树脂构件暴露出来。
7.根据权利要求1所述的高频模块，其特征在于，
还具备屏蔽电极层，该屏蔽电极层覆盖所述模块基板的所述第一主面和侧面。
8.根据权利要求1～7中的任一项所述的高频模块，其特征在于，
还具备配置于所述第一主面的功率放大器。
9.一种通信装置，其特征在于，具备：
根据权利要求1～8中的任一项所述的高频模块；以及
信号处理电路，其对从所述高频模块输出的高频信号进行处理。
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