CN211507646U - 改善管式perc太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜,其中,依次包括SiNx:Hy层、SiOxNy层和SiOx层;所述SiNx:Hy层至少包括5层不同折射率和厚度的SiNx:Hy层,分别为第一SiNx:Hy层、第二SiNx:Hy层、第三SiNx:Hy层、第四SiNx:Hy层和第五SiNx:Hy层,所述SiOxNy层至少包括2~3层不同折射率和厚度的SiOxNy层;所述SiOx层至少包括1层不同折射率和厚度的SiOx层。采用本实用新型,可以有效改善PERC电池制造过程中,采用管式等离子体设备制备背钝化膜带来的正面边缘绕镀色差,提高光伏组件外观均匀性。
Description
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池的制造领域,尤其涉及一种改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜。
背景技术
晶硅太阳能电池是一种将太阳光转换为电能的半导体光电器件,基本原理是利用半导体技术制造出PN结,大于半导体禁带宽度的太阳光被电池吸收,激发光生载流子,在PN结的内建势场作用下,光生电子和空穴分离,向相反方向分别运动到N型侧及P型侧,形成光生电压,经过电极引出后在负载电路上形成电流。
目前已成为光伏行业主流技术的P型单晶PERC太阳能电池,相比传统全铝背场单晶太阳能电池采用铝背场钝化背表面,PERC电池采用AlOx/SiOxNy/SiNx:Hy结构的多层膜钝化背表面,有效降低背表面少子复合速率,增加光生载流子迁移至背电极的几率,并提高入射光利用率,较大幅度地提升晶硅电池的光电转化效率。
但是,由于目前背面AlOx/SiOxNy/SiNx:Hy多层膜结构中,AlOx/SiOxNy/SiNx:Hy层或者SiOxNy/SiNx:Hy层或者SiNx:Hy层常采用管式PECVD(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition)设备制备,由于管式PECVD设备都采用石墨舟作为硅片承载装置,硅片竖直贴靠在管式等离子体镀膜设备在镀背钝化膜层过程中,会有部分反应气体迁移到正表面边缘区域反应生成SiOxNy、SiNx:Hy绕镀层,而采用现有技术镀正膜后,绕镀层会造成正膜边缘区域薄膜厚度大于中心区域薄膜厚度,在电池片最终封装成光伏组件后,正面不同区域薄膜厚度的差异会引起组件外观的颜色差异,将这种颜色差异称为“边缘绕镀色差”。
现有技术采用1~3层SiNx:Hy薄膜作为正面钝化及减反膜,无法有效解决管式PERC太阳能电池封装成光伏组件后的外观色差不均匀问题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于,提供一种改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜,可以有效改善PERC电池制造过程中,采用管式等离子体设备制备背钝化膜带来的正面边缘绕镀色差,提高光伏组件外观均匀性。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜,依次包括SiNx:Hy层、SiOxNy层和SiOx层;
所述SiNx:Hy层至少包括5层不同折射率和厚度的SiNx:Hy层,分别为第一SiNx:Hy层、第二SiNx:Hy层、第三SiNx:Hy层、第四SiNx:Hy层和第五SiNx:Hy层;
所述SiOxNy层至少包括2~3层不同折射率和厚度的SiOxNy层,所述SiOxNy层与所述第五SiNx:Hy层连接;
所述SiOx层至少包括1层不同折射率和厚度的SiOx层,所述SiOx层与所述SiOxNy层连接。
作为上述方案的改进,所述第一SiNx:Hy层的厚度为6nm~12nm,折射率为2.25~2.3;
所述第二SiNx:Hy层的厚度为8nm~15nm,折射率为2.20~2.24;
所述第三SiNx:Hy层的厚度为10nm~17nm,折射率为2.15~2.19;
所述第四SiNx:Hy层的厚度为8nm~14nm,折射率为2.10~2.14;
所述第五SiNx:Hy层的厚度为4nm~10nm,折射率为2.05~2.09。
作为上述方案的改进,所述第一SiNx:Hy层的厚度为9nm,折射率为2.27;
所述第二SiNx:Hy层的厚度为13nm,折射率为2.22;
所述第三SiNx:Hy层的厚度为12nm,折射率为2.17;
所述第四SiNx:Hy层的厚度为10nm,折射率为2.12;
所述第五SiNx:Hy层的厚度为5nm,折射率为2.06。
作为上述方案的改进,所述SiOxNy层从下往上依次包括第一SiOxNy层、第二SiOxNy层和第三SiOxNy层,所述第一SiOxNy层与SiNx:Hy层连接;
所述第一SiOxNy层的厚度为10nm~18nm,折射率为1.90~2.03;
所述第二SiOxNy层的厚度为10nm~18nm,折射率为1.75~1.89;
所述第三SiOxNy层的厚度为4nm~8nm,折射率为1.60~1.74。
作为上述方案的改进,所述第一SiOxNy层的厚度为14nm,折射率为1.97;
所述第二SiOxNy层的厚度为13nm,折射率为1.85;
所述第三SiOxNy层的厚度为5.5nm,折射率为1.65。
作为上述方案的改进,所述SiOx层的厚度为5nm~12nm,折射率为1.25~1.60。
作为上述方案的改进,所述SiOx层的厚度为7.5nm,折射率为1.45。
实施本实用新型,具有如下有益效果:
1、本实用新型提供的正面复合膜,依次包括SiNx:Hy层、SiOxNy层和SiOx层,其中,所述SiNx:Hy层至少包括5层不同折射率和厚度的SiNx:Hy层,其采用多层渐变膜设计,各层采用不同气体流量设计,得到不同厚度和折射率的SiNx:Hy层,相比现有技术,可以更好地提高正面薄膜的均匀性,减少电池片的边缘色差;
2、本实用新型提供的正面复合膜,相比现有技术,可以有效降低正膜表面的反射率,封装成光伏组件后,组件外观上不存在边缘与中心区域色差,组件外观呈现很好的均匀性,极大地改善了现有技术的边缘绕镀色差问题;
3、本实用新型提供的正面复合膜,可以方便地兼容现有管式PERC晶硅太阳能电池生产线,不需要额外投入新的设备,具有成本低、工艺简便和兼容性好的优点。
附图说明
图1是本实用新型改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜的示意图。
图2是本实用新型正面复合膜的反射率曲线图。
具体实施方式
为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将对本实用新型作进一步地详细描述。
结合图1,本实用新型提供的一种改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜,依次包括SiNx:Hy层1、SiOxNy层2和SiOx层3;
所述SiNx:Hy层1至少包括5层不同折射率和厚度的SiNx:Hy层,分别为第一SiNx:Hy层11、第二SiNx:Hy层12、第三SiNx:Hy层13、第四SiNx:Hy层14和第五SiNx:Hy层15;
所述SiOxNy层2至少包括2~3层不同折射率和厚度的SiOxNy层,所述SiOxNy层2与所述第五SiNx:Hy层15连接;
所述SiOx层3至少包括1层不同折射率和厚度的SiOx层,所述SiOx层3与所述SiOxNy层2连接。
其中,所述第一SiNx:Hy层11的厚度为6nm~12nm,折射率为2.25~2.3;所述第二SiNx:Hy层12的厚度为8nm~15nm,折射率为2.20~2.24;所述第三SiNx:Hy层13的厚度为10nm~17nm,折射率为2.15~2.19;所述第四SiNx:Hy层14的厚度为8nm~14nm,折射率为2.10~2.14;所述第五SiNx:Hy层15的厚度为4nm~10nm,折射率为2.05~2.09。
优选的,所述第一SiNx:Hy层11的厚度为8nm~10nm,折射率为2.25~2.3;
所述第二SiNx:Hy层12的厚度为10nm~13nm,折射率为2.20~2.24;
所述第三SiNx:Hy层13的厚度为12nm~15nm,折射率为2.15~2.19;
所述第四SiNx:Hy层14的厚度为10nm~12nm,折射率为2.10~2.14;
所述第五SiNx:Hy层15的厚度为5nm~8nm,折射率为2.05~2.08。
更佳的,所述第一SiNx:Hy层11的厚度为9nm,折射率为2.27;
所述第二SiNx:Hy层12的厚度为13nm,折射率为2.22;
所述第三SiNx:Hy层13的厚度为12nm,折射率为2.17;
所述第四SiNx:Hy层14的厚度为10nm,折射率为2.12;
所述第五SiNx:Hy层15的厚度为5nm,折射率为2.06。
本实用新型主要是通过新型的正面复合膜设计,降低电池正面复合膜对入射光的反射率,减少电池片色差,最终解决封装组件后边缘色差的问题。具体的,首先采用多层SiNx:Hy结构渐变设计,基于减少正面光线反射以及提高电性能,同时考虑到电池整体的PID等可靠性,提高正膜整体的折射率,将SiNx:Hy层设置为至少5层不同折射率和厚度的SiNx:Hy层(第一SiNx:Hy层11、第二SiNx:Hy层12、第三SiNx:Hy层13、第四SiNx:Hy层14和第五SiNx:Hy层15),通过具体限定每一层SiNx:Hy具有特定的厚度和折射率,可以提高薄膜的均匀性,减少电池片色差,同时可以更有效地传输入射光线。同时,多层SiOxNy薄膜组成一个优选的光学结构,对薄膜的光学特性有着更好的提高。
若SiNx:Hy层只设有4层不同折射率和厚度的SiNx:Hy层,则会导致正膜光学特性发生变化,对于边缘绕镀色差的改善效果不好;若SiNx:Hy层设置6层以上不同折射率和厚度的SiNx:Hy层,则会增加正面膜厚,导致电池的外观变差,同时导致电性能出现下降。
降低电池正面复合膜对入射光的反射率,减少电池片色差,其次还需要在5层SiNx:Hy层的基础上搭配SiOxNy层2,所述SiOxNy层2从下往上依次包括第一SiOxNy层21、第二SiOxNy层22和第三SiOxNy层23,所述第一SiOxNy层21与SiNx:Hy层1连接;
所述第一SiOxNy层21的厚度为10nm~18nm,折射率为1.90~2.03;
所述第二SiOxNy层22的厚度为10nm~18nm,折射率为1.75~1.89;
所述第三SiOxNy层23的厚度为4nm~8nm,折射率为1.60~1.74。
优选的,所述第一SiOxNy层21的厚度为12nm~16nm,折射率为1.92~2.03;
所述第二SiOxNy层22的厚度为12nm~16nm,折射率为1.78~1.89;
所述第三SiOxNy层23的厚度为5nm~7nm,折射率为1.62~1.70。
更佳的,所述第一SiOxNy层21的厚度为14nm,折射率为1.97;
所述第二SiOxNy层22的厚度为13nm,折射率为1.85;
所述第三SiOxNy层23的厚度为5.5nm,折射率为1.65。
SiOxNy层2起到钝化硅片正面,提高电性能,以及降低硅片正面反射的作用,渐变膜设计可以更大程度地降低薄膜的反射率,同时提高电池片的可靠性。多层SiNx:Hy结构渐变设计,由于采用不同的气体流量比,相比单层膜,可以提高薄膜的均匀性,减少电池片色差,同时可以更有效地传输入射光线。多层SiOxNy薄膜组成一个优选的光学结构,对薄膜的光学特性有着更好的提高。
所述SiOx层3的厚度为5nm~12nm,折射率为1.25~1.60。优选的,所述SiOx层3的厚度为7nm~10nm,折射率为1.35~1.50。更佳的,所述SiOx层3的厚度为7.5nm,折射率为1.45。
降低电池正面复合膜对入射光的反射率,减少电池片色差,最后还需要搭配SiOx层3。SiOx层3的作用在于,SiOx层可以降低正面的反射率,减少组件边缘色差。不同的SiOx层厚度和折射率,会引起电池封装成组件后颜色的差异。若本实用新型设置有两层以上的SiOx层,反而会导致组件边缘产生色差,导致组件外观不均匀。同时,SiOx层还起到保护SiON的作用。
进一步,具有本实用新型正面复合膜的太阳能电池的制备方法如下:
(1)首先进行硅片的前道处理,包括硅片清洗制绒、扩散制备PN结、刻蚀去除磷硅玻璃层及背面PN结,以及根据产线情况,可在扩散工序之后添加激光正面选择性掺杂工序,在刻蚀工序之后添加退火热处理工序;
(2)硅片背面钝化处理,经过上述前道处理硅片,其中n型扩散层所在的表面为正面,硅片的另外一面为背面,在硅片的背面首先采用管式或板式PECVD制备AlOx或SiOxNy背钝化层,紧接着在硅片背面采用管式PECVD设备制备SiNx:Hy背面钝化及背面保护层;
(3)正面复合膜制备准备,将经过上述步骤处理的硅片装载入石墨舟,其中硅片的背面紧贴石墨舟的表面,紧接着将装载有硅片的石墨舟传输至管式PECVD设备反应腔室,设定腔室温度为350℃~500℃,腔室采用氮气(N2)作为保护气体;
(4)正面复合膜制备,包括依次制备第一SiNx:Hy层11、第二SiNx:Hy层12、第三SiNx:Hy层13、第四SiNx:Hy层14、第五SiNx:Hy层15、第一SiOxNy层21、第二SiOxNy层22、第三SiOxNy层23和SiOx层3,具体如下:
所述第一SiNx:Hy层11由下述方法制得:
在硅片的正面制备第一SiNx:Hy层11,反应腔室的沉积温度为420℃~490℃,优选为470℃,反应腔室压力为1100mtorr~1800mtorr,优选为1600mtorr,射频电源功率为7000w~11000w,优选为9000W,SiH4气体流量为700sccm~1200sccm,优选为800sccm,NH3气体流量为3000sccm~6000sccm,优选为4000sccm,沉积时间为50s~120s,优选为80s。
所述第二SiNx:Hy层12由下述方法制得:
在第一SiNx:Hy层11的表面生长第二SiNx:Hy层12,反应腔室的沉积温度为420℃~490℃,优选为470℃,反应腔室压力为1300mtorr~1800mtorr,优选为1600mtorr,射频电源功率为8000w~11000w,优选为9000W,SiH4气体流量为700sccm~1200sccm,优选为1000sccm,NH3气体流量为5000sccm~9000sccm,优选为7000sccm,沉积时间为80s~140s,优选为120s。
所述第三SiNx:Hy层13由下述方法制得:
在第二SiNx:Hy层12的表面生长第三SiNx:Hy层13,反应腔室的沉积温度为420℃~490℃,优选为470℃,反应腔室压力为1300mtorr~1800mtorr,优选为1600mtorr,射频电源功率为8000w~12000w,优选为9500w,SiH4气体流量为700sccm~1200sccm,优选为1000sccm,NH3气体流量为7000sccm~11000sccm,优选为9000sccm,沉积时间为80s~150s,优选为120s。
所述第四SiNx:Hy层14由下述方法制得:
在第三SiNx:Hy层13的表面生长第四SiNx:Hy层14,反应腔室的沉积温度为420℃~490℃,优选为475℃,反应腔室压力为1300mtorr~1800mtorr,优选为1700motrr,射频电源功率为8000w~12000w,优选为10000w,SiH4气体流量为500sccm~1000sccm,优选为800sccm,NH3气体流量为7000sccm~11000sccm,优选为9500sccm,沉积时间为60s~120s,优选为100s。
所述第五SiNx:Hy层15由下述方法制得:
在第四SiNx:Hy层14的表面生长第五SiNx:Hy层15,反应腔室的沉积温度为420℃~490℃,优选为480℃,反应腔室压力为1300mtorr~1800mtorr,优选为1600mtorr,射频电源功率为8000w~12000w,优选为9900w,SiH4气体流量为400sccm~900sccm,优选为700sccm,NH3气体流量为7000sccm~11000sccm,优选为9300sccm,沉积时间为30s~70s,优选为50s。
所述SiOxNy层2由下述方法制得:
在第五SiNx:Hy层15的表面生长第一SiOxNy层21,反应腔室的沉积温度为420℃~500℃,优选为460℃,反应腔室压力为1100mtorr~1700mtorr,优选为1400mtorr,射频电源功率为9000w~14000w,优选为1300w,SiH4气体流量为500sccm~1000sccm,优选为750sccm,NH3气体流量为500sccm~1200sccm,优选为800sccm,N2O气体流量为6000sccm~9000sccm,优选为7000sccm,沉积时间为100s~300s,优选为200s;
在第一SiOxNy层21的表面生长第二SiOxNy层22,反应腔室的沉积温度为420℃~500℃,优选为460℃,反应腔室压力为1100mtorr~1700mtorr,优选为1400mtorr,射频电源功率为9000w~15000w,优选为11000w,SiH4气体流量为500sccm~1000sccm,优选为750sccm,NH3气体流量为500sccm~1200sccm,优选为800sccm,N2O气体流量为3000sccm~6000sccm,优选为4500sccm,沉积时间为200s~400s,优选为260s;
在第二SiOxNy层22的表面生长第三SiOxNy层23,反应腔室的沉积温度为420℃~500℃,优选为460℃,反应腔室压力为1100mtorr~1700mtorr,优选为1200mtorr,射频电源功率为6000w~11000w,优选为8000w,SiH4气体流量为200sccm~600sccm,优选为300sccm,NH3气体流量为400sccm~1000sccm,优选为750sccm,N2O气体流量为3000sccm~6000sccm,优选为4500sccm,沉积时间为50s~160s,优选为90s。
所述SiOx层3由下述方法制得:
在第三SiOxNy层23的表面生长SiOx层3,反应腔室的沉积温度为420℃~500℃,优选为460℃,反应腔室压力为1100mtorr~1700mtorr,优选为1450motorr,射频电源功率为9000w~14000w,优选为12000w,SiH4气体流量为80sccm~300sccm,优选为200sccm,N2O气体流量为3000sccm~6000sccm,优选为4300sccm,沉积时间为200s~400s,优选为315s。
测试本实用新型的正面复合膜的反射率,并将其与现有技术做比较,结果如图2所示。图2中,曲线1是现有技术制备正面复合膜的反射率曲线,曲线2是本实用新型制备正面复合膜的反射率曲线。由图2可知,本实用新型有效降低了电池正面复合膜对入射光的反射率,尤其是在波长为300-500nm范围内,反射率降低幅度高达100-200%,有效减少电池片色差,最终解决封装组件后边缘色差的问题。
综上所述,本实用新型提供的正面复合膜,其采用多层渐变膜设计,各层采用不同气体流量设计,得到不同厚度和折射率的SiNx:Hy层,相比现有技术,可以更好地提高正面薄膜的均匀性,减少电池片的边缘色差;
本实用新型提供的正面复合膜,相比现有技术,可以有效降低正膜表面的反射率,封装成光伏组件后,组件外观上不存在边缘与中心区域色差,组件外观呈现很好的均匀性,极大地改善了现有技术的边缘绕镀色差问题;
本实用新型提供的正面复合膜,可以方便地兼容现有管式PERC晶硅太阳能电池生产线,不需要额外投入新的设备,具有成本低、工艺简便和兼容性好的优点。
以上所揭露的仅为本实用新型一种较佳实施例而已,当然不能以此来限定本实用新型之权利范围,因此依本实用新型权利要求所作的等同变化,仍属本实用新型所涵盖的范围。
Claims (7)
1.一种改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜,其特征在于,依次包括SiNx:Hy层、SiOxNy层和SiOx层;
所述SiNx:Hy层至少包括5层不同折射率和厚度的SiNx:Hy层,分别为第一SiNx:Hy层、第二SiNx:Hy层、第三SiNx:Hy层、第四SiNx:Hy层和第五SiNx:Hy层;
所述SiOxNy层至少包括2~3层不同折射率和厚度的SiOxNy层,所述SiOxNy层与所述第五SiNx:Hy层连接;
所述SiOx层至少包括1层不同折射率和厚度的SiOx层,所述SiOx层与所述SiOxNy层连接。
2.如权利要求1所述的改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜,其特征在于,所述第一SiNx:Hy层的厚度为6nm~12nm,折射率为2.25~2.3;
所述第二SiNx:Hy层的厚度为8nm~15nm,折射率为2.20~2.24;
所述第三SiNx:Hy层的厚度为10nm~17nm,折射率为2.15~2.19;
所述第四SiNx:Hy层的厚度为8nm~14nm,折射率为2.10~2.14;
所述第五SiNx:Hy层的厚度为4nm~10nm,折射率为2.05~2.09。
3.如权利要求2所述的改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜,其特征在于,所述第一SiNx:Hy层的厚度为9nm,折射率为2.27;
所述第二SiNx:Hy层的厚度为13nm,折射率为2.22;
所述第三SiNx:Hy层的厚度为12nm,折射率为2.17;
所述第四SiNx:Hy层的厚度为10nm,折射率为2.12;
所述第五SiNx:Hy层的厚度为5nm,折射率为2.06。
4.如权利要求1所述的改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜,其特征在于,所述SiOxNy层从下往上依次包括第一SiOxNy层、第二SiOxNy层和第三SiOxNy层,所述第一SiOxNy层与SiNx:Hy层连接;
所述第一SiOxNy层的厚度为10nm~18nm,折射率为1.90~2.03;
所述第二SiOxNy层的厚度为10nm~18nm,折射率为1.75~1.89;
所述第三SiOxNy层的厚度为4nm~8nm,折射率为1.60~1.74。
5.如权利要求4所述的改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜,其特征在于,所述第一SiOxNy层的厚度为14nm,折射率为1.97;
所述第二SiOxNy层的厚度为13nm,折射率为1.85;
所述第三SiOxNy层的厚度为5.5nm,折射率为1.65。
6.如权利要求1所述的改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜,其特征在于,所述SiOx层的厚度为5nm~12nm,折射率为1.25~1.60。
7.如权利要求6所述的改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜,其特征在于,所述SiOx层的厚度为7.5nm,折射率为1.45。
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CN111029415A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-17 | 广东爱旭科技有限公司 | 改善管式perc太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜 |
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2019
- 2019-12-31 CN CN201922500675.3U patent/CN211507646U/zh active Active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN111029415A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-17 | 广东爱旭科技有限公司 | 改善管式perc太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜 |
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