CN102903764A - 一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法 - Google Patents
一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102903764A CN102903764A CN201210369321XA CN201210369321A CN102903764A CN 102903764 A CN102903764 A CN 102903764A CN 201210369321X A CN201210369321X A CN 201210369321XA CN 201210369321 A CN201210369321 A CN 201210369321A CN 102903764 A CN102903764 A CN 102903764A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon nitride
- film
- silicon
- radio
- nitride film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜，其特征在于，它是由三层膜构成，第一层为太阳能电池晶体硅表面的氮化硅薄膜，厚度为8～12nm，折射率为2.3～2.4，第二层氮化硅薄膜的厚度为18～24nm，折射率为2.0～2.1，第三层氮化硅薄膜的厚度为35～45nm，折射率为1.9～2.0。本发明还提供一种制备晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜的方法，利用硅烷和氨气为原料，利用等离子体增强化学气相沉积方法，采用新的工艺参数，在硅片上镀三层折射率与膜厚不同的氮化硅薄膜体系，具有对设备要求不高，易于实现的优点。本镀膜工艺增强了镀膜的钝化效果，降低了减反射膜对光的反射率，从而提高太阳能电池的转换效率。三层氮化硅减反射膜能比单层减反射膜体系增加光电转换效率0.2～0.3%。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池的生产加工技术领域，更具体地说，是一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法。
背景技术
近十年来太阳能光伏发电成为新能源中发展最为迅速的分支之一。太阳能光伏发电中晶体硅太阳能电池是应用最广泛的电池类型。约占80%的市场份额。2011年全球光伏新增装机容量超过27GW。
为了晶体硅电池得到更高的光电转换效率，可以从增加电池对太阳光的吸收以产生更多的光生载流子入手。工业上一般采用在制绒以后的硅片表面镀上减反射膜，减反射膜的作用就是利用光在减反射膜上下表面反射产生的光程差，使得两束反射光干涉相消，从而削弱反射，增加入射，从而增加电池的短路电流提高光电转换效率。通过调节减反射膜的种类、厚度和折射率，使得入射光符合一定的光程条件达到减反射的效果。在晶体硅太阳能电池的生产工艺中，常用的减反射层材料由SiO2、SiNx、ITO等。晶体硅电池行业目前普遍采用PEVCD制备SiNx和SiO2作为减反射膜。通过选用不同的减反射材料和不同的沉积层数相互配合，达到最佳的减反射效果，并最终提高电池片的光电转换效率。为了更好的提高减反射膜与可见光波段内太阳光的光学匹配度，同时考虑平衡钝化和短波吸收之间的矛盾，双层膜或者多层膜结构今年来逐渐成为研究热点，并开始规模化应用于晶体硅太阳能电池的生产中。但是应用在晶体硅太阳能电池中的多层氮化硅减反射膜还不成熟。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能使用于晶体硅太阳能电池片的多层氮化硅减反射膜制备的方法，解决目前晶体硅电池片仍然采用常规镀单层氮化硅膜工艺，但不能进一步提高光电转换效率的问题。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现：
一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜，其特征在于，它是由三层膜构成，第一层为太阳能电池晶体硅表面的氮化硅薄膜，厚度为8~12nm，折射率为2.3~2.4，第二层氮化硅薄膜的厚度为18~24nm，折射率为2.0~2.1，第三层氮化硅薄膜的厚度为35~45nm，折射率为1.9~2.0。
所述的三层氮化硅减反射膜的厚度之和为72~77nm。
一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜的制备方法，是对经过清洗制绒，扩散制备PN结，刻蚀去除晶体硅四周的PN结，清洗去除磷硅玻璃的处理步骤后的晶体硅镀减反射膜，其特征在于，是利用等离子体增强化学气相沉积方法在硅片表面依次沉积三层氮化硅薄膜，它包括下面的步骤：
(1)对炉管抽真空，保持炉内温度420℃，压力50mTorr，时间为4min；
(2)对炉管进行预处理，温度升至460℃，氮气流量为10slm进行吹扫，后抽真空至压力为100mTorr并保持2min；
(3)压力测试，保证设备内部压力50mTorr恒定，保持0.5min；
(4)沉积第一层膜，温度为460℃，氨气流量为3.8~4slm，硅烷流量为950~1100sccm，射频功率5300~5600瓦，持续时间130~140s，射频器占空比设置为5ms开/50ms关；
(5)氮气5slm吹扫30s，抽真空至80mtor，沉积第二层膜，温度为450℃，氨气流量为6.8~7.2slm，硅烷流量为700~750sccm，射频功率5300~5600瓦，持续时间200~215s，射频器占空比设置为5ms开/50ms关；
(6)氮气5slm吹扫30s，抽真空至80mtor，沉积第三层膜，温度为450℃，氨气流量为7~7.2slm，硅烷流量为480~520sccm，射频功率5500瓦，持续时间340~350s，射频器占空比设置为5ms开/50ms关；
(7)氮气吹扫冷却，温度为420℃，氮气流量为6~10slm，压力为10000mTorr，吹扫时间5~8min。
本发明的有益效果：本发明利用硅烷和氨气为原料，利用等离子体增强化学气相沉积方法，采用新的工艺参数，在硅片衬底上镀制多层折射率与膜厚不同的氮化硅薄膜体系，具有对设备要求不高，容易实现的优点。本镀膜工艺增强了镀膜的钝化效果，降低了减反射膜对光的反射率，从而提高太阳能电池的光电转换效率。采用本发明工艺制备出来的多层膜减反射膜体系，电池的光电转换效率比单层膜减反射体系增加了0.2~0.3%。特别对多晶硅电池，光电转换效率可以达到17.5%。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
图中：1、硅片，2、氮化硅薄膜，3、氮化硅薄膜，4、氮化硅薄膜。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
实施例1
一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜，如图1所示，在硅片1表面依次沉积有氮化硅薄膜2、氮化硅薄膜3和氮化硅薄膜4。
一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜的制备方法，是对经过清洗制绒，扩散制备PN结，刻蚀去除晶体硅四周的PN结，清洗去除磷硅玻璃的处理步骤后的晶体硅镀减反射膜，其特征在于，是利用等离子体增强化学气相沉积方法在硅片表面依次沉积三层氮化硅薄膜，它包括下面的步骤：
(1)对炉管抽真空，保持炉内温度420℃，压力50mTorr，时间为4min；(2)对炉管进行预处理，温度升至460℃，氮气流量为10slm进行吹扫，后抽真空至压力为100mTorr并保持2min；(3)压力测试，保证设备内部压力50mTorr恒定，保持0.5min；(4)沉积第一层氮化硅薄膜，温度为460℃，氨气流量为3.8slm，硅烷流量为950sccm，射频功率5300瓦，持续时间130s，射频器占空比设置为5ms开/50ms关，得到厚度为10nm、折射率为2.3的氮化硅薄膜。(5)氮气5slm吹扫30s，抽真空至80mtor，沉积第二层氮化硅薄膜，温度为450℃，氨气流量为6.8slm，硅烷流量为700sccm，射频功率5300瓦，持续时间200s，射频器占空比设置为5ms开/50ms关，得到厚度为18nm、折射率为2.0的氮化硅薄膜。(6)氮气5slm吹扫30s，抽真空至80mtor，沉积第三层氮化硅薄膜，温度为450℃，氨气流量为7slm，硅烷流量为480sccm，射频功率5500瓦，持续时间350s，射频器占空比设置为5ms开/50ms关，得到厚度为45nm、折射率为1.9的氮化硅薄膜；(7)氮气吹扫冷却，温度为420℃，氮气流量为6slm，压力为10000mTorr，吹扫时间5min。
实施例2
一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜，如图1所示，在硅片1表面依次沉积有氮化硅薄膜2、氮化硅薄膜3和氮化硅薄膜4。
一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜的制备方法，是对经过清洗制绒，扩散制备PN结，刻蚀去除晶体硅四周的PN结，清洗去除磷硅玻璃的处理步骤后的晶体硅镀减反射膜，其特征在于，是利用等离子体增强化学气相沉积方法在硅片表面依次沉积三层氮化硅薄膜，它包括下面的步骤：
(1)对炉管抽真空，保持炉内温度420℃，压力50mTorr，时间为4min；
(2)对炉管进行预处理，温度升至460℃，氮气流量为10slm进行吹扫，后抽真空至压力为100mTorr并保持2min；(3)压力测试，保证设备内部压力50mTorr恒定，保持0.5min；(4)沉积第一层氮化硅薄膜，温度为460℃，氨气流量为3.9slm，硅烷流量为1000sccm，射频功率5500瓦，持续时间135s，射频器占空比设置为5ms开/50ms关，得到厚度为8nm、折射率为2.3的氮化硅薄膜；(5)氮气5slm吹扫30s，抽真空至80mtor，沉积第二层氮化硅薄膜，温度为450℃，氨气流量为7.0slm，硅烷流量为730sccm，射频功率5400瓦，持续时间208s，射频器占空比设置为5ms开/50ms关，得到厚度为22nm、折射率为2.1的氮化硅薄膜；(6)氮气5slm吹扫30s，抽真空至80mtor，沉积第三层氮化硅薄膜，温度为450℃，氨气流量为7.1slm，硅烷流量为495sccm，射频功率5500瓦，持续时间345s，射频器占空比设置为5ms开/50ms关，得到厚度为42nm、折射率为2.0的氮化硅薄膜；(7)氮气吹扫冷却，温度为420℃，氮气流量为8slm，压力为10000mTorr，吹扫时间6min。
实施例3
一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜，如图1所示，在硅片1表面依次沉积有氮化硅薄膜2、氮化硅薄膜3和氮化硅薄膜4。
一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜的制备方法，是对经过清洗制绒，扩散制备PN结，刻蚀去除晶体硅四周的PN结，清洗去除磷硅玻璃的处理步骤后的晶体硅镀减反射膜，其特征在于，是利用等离子体增强化学气相沉积方法在硅片表面依次沉积三层氮化硅薄膜，它包括下面的步骤：
(1)对炉管抽真空，保持炉内温度420℃，压力50mTorr，时间为4min；(2)对炉管进行预处理，温度升至460℃，氮气流量为10slm进行吹扫，后抽真空至压力为100mTorr并保持2min；(3)压力测试，保证设备内部压力50mTorr恒定，保持0.5min；(4)沉积第一层氮化硅薄膜，温度为460℃，氨气流量为4slm，硅烷流量为1100sccm，射频功率5600瓦，持续时间140s，射频器占空比设置为5ms开/50ms关，得到厚度为12nm、折射率为2.4的氮化硅薄膜；(5)氮气5slm吹扫30s，抽真空至80mtor，沉积第二层氮化硅薄膜，温度为450℃，氨气流量为7.2slm，硅烷流量为750sccm，射频功率5600瓦，持续时间215s，射频器占空比设置为5ms开/50ms关，得到厚度为24nm、折射率为2.1的氮化硅薄膜；(6)氮气5slm吹扫30s，抽真空至80mtor，沉积第三层氮化硅薄膜，温度为450℃，氨气流量为7.2slm，硅烷流量为520sccm，射频功率5500瓦，持续时间340s，射频器占空比设置为5ms开/50ms关，得到厚度为40nm、折射率为1.9的氮化硅薄膜；(7)氮气吹扫冷却，温度为420℃，氮气流量为10slm，压力为10000mTorr，吹扫时间8min。
Claims (3)
1.一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜，其特征在于，它是由三层膜构成，第一层为太阳能电池晶体硅表面的氮化硅薄膜，厚度为8~12nm，折射率为2.3~2.4，第二层氮化硅薄膜的厚度为18~24nm，折射率为2.0~2.1，第三层氮化硅薄膜的厚度为35~45nm，折射率为1.9~2.0。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜，其特征在于，所述的三层氮化硅减反射膜的厚度之和为72~77nm。
3.一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜的制备方法，是对经过清洗制绒，扩散制备PN结，刻蚀去除晶体硅四周的PN结，清洗去除磷硅玻璃的处理步骤后的晶体硅镀减反射膜，其特征在于，是利用等离子体增强化学气相沉积方法在硅片表面依次沉积三层氮化硅薄膜，它包括下面的步骤：
(1)对炉管抽真空，保持炉内温度420℃，压力50mTorr，时间为4min；
(2)对炉管进行预处理，温度升至460℃，氮气流量为10slm进行吹扫，后抽真空至压力为100mTorr并保持2min；
(3)压力测试，保证设备内部压力50mTorr恒定，保持0.5min；
(4)沉积第一层膜，温度为460℃，氨气流量为3.8~4slm，硅烷流量为950~1100sccm，射频功率5300~5600瓦，持续时间130~140s，射频器占空比设置为5ms开/50ms关；
(5)氮气5slm吹扫30s，抽真空至80mtor，沉积第二层膜，温度为450℃，氨气流量为6.8~7.2slm，硅烷流量为700~750sccm，射频功率5300~5600瓦，持续时间200~215s，射频器占空比设置为5ms开/50ms关；
(6)氮气5slm吹扫30s，抽真空至80mtor，沉积第三层膜，温度为450℃，氨气流量为7~7.2slm，硅烷流量为480~520sccm，射频功率5500瓦，持续时间340~350s，射频器占空比设置为5ms开/50ms关；
(7)氮气吹扫冷却，温度为420℃，氮气流量为6~10slm，压力为10000mTorr，吹扫时间5~8min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210369321XA CN102903764A (zh) | 2012-09-27 | 2012-09-27 | 一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201210369321XA CN102903764A (zh) | 2012-09-27 | 2012-09-27 | 一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102903764A true CN102903764A (zh) | 2013-01-30 |
Family
ID=47575919
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210369321XA Pending CN102903764A (zh) | 2012-09-27 | 2012-09-27 | 一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102903764A (zh) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103165680A (zh) * | 2013-03-07 | 2013-06-19 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种透明薄膜及其制作方法、显示用基板及显示装置 |
| CN103606599A (zh) * | 2013-11-30 | 2014-02-26 | 浙江光隆能源科技股份有限公司 | 一种高折射率氮化硅减反射膜的制作方法 |
| CN103614703A (zh) * | 2013-11-01 | 2014-03-05 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 采用等离子体增强化学气相沉积制备减反射膜的方法 |
| CN104103714A (zh) * | 2014-06-27 | 2014-10-15 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种新型电池片的制备方法 |
| CN104916710A (zh) * | 2015-06-30 | 2015-09-16 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 一种高pid抗性的高效多晶多层钝化减反射膜结构 |
| CN105489697A (zh) * | 2014-10-08 | 2016-04-13 | 浙江鸿禧能源股份有限公司 | 一种抗pid膜系设计方法 |
| CN105506583A (zh) * | 2016-01-11 | 2016-04-20 | 江西展宇新能源股份有限公司 | 一种管式pecvd的三层膜工艺 |
| CN105702749A (zh) * | 2016-03-23 | 2016-06-22 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 高pid抗性的多晶多层钝化减反射膜及其制备方法 |
| CN105951057A (zh) * | 2016-01-11 | 2016-09-21 | 江西展宇新能源股份有限公司 | 一种板式pecvd制备氮化硅减反射膜的方法 |
| CN106356411A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-01-25 | 徐州鑫宇光伏科技有限公司 | 一种适用于黑硅硅片的减反射层结构及其制作方法 |
| CN106449784A (zh) * | 2016-11-08 | 2017-02-22 | 徐州鑫宇光伏科技有限公司 | 太阳能电池减反射膜及其制备方法及太阳能电池片 |
| CN106449782A (zh) * | 2016-11-03 | 2017-02-22 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 晶体硅太阳能电池氮化硅减反射膜结构及其制备方法 |
| CN107910382A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-04-13 | 江苏彩虹永能新能源有限公司 | 一种高效三层氮化硅膜金刚片太阳能电池及其制造工艺 |
| CN108660436A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-10-16 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 氮化硅反应炉的吹扫方法 |
| CN109638110A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-04-16 | 韩华新能源（启东）有限公司 | 一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法 |
| CN109830570A (zh) * | 2019-02-22 | 2019-05-31 | 河南林鑫新能源科技有限公司 | 一种钝化薄膜及其制备方法 |
| CN110021682A (zh) * | 2019-02-18 | 2019-07-16 | 浙江贝盛光伏股份有限公司 | 一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺 |
| CN110534590A (zh) * | 2019-08-16 | 2019-12-03 | 上海交通大学 | 一种提高太阳电池长波响应的氮化硅薄膜及其制备方法 |
| CN110670046A (zh) * | 2019-10-09 | 2020-01-10 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池 |
| CN112271221A (zh) * | 2020-10-13 | 2021-01-26 | 常熟理工学院 | 一种具备微结构的三层氮化硅减反层及其制备方法 |
| CN114361265A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-04-15 | 天津爱旭太阳能科技有限公司 | 一种perc电池的减反射层及其制作方法和电池 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060147614A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | 3M Innovative Properties Company | Transferable antireflection material for use on optical display |
| CN102339872A (zh) * | 2011-09-28 | 2012-02-01 | 湖南红太阳新能源科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池多层氮化硅减反射膜及其制备方法 |
| CN202167497U (zh) * | 2011-08-08 | 2012-03-14 | 江苏伯乐达光伏有限公司 | 晶硅太阳能电池 |
-
2012
- 2012-09-27 CN CN201210369321XA patent/CN102903764A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060147614A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | 3M Innovative Properties Company | Transferable antireflection material for use on optical display |
| CN202167497U (zh) * | 2011-08-08 | 2012-03-14 | 江苏伯乐达光伏有限公司 | 晶硅太阳能电池 |
| CN102339872A (zh) * | 2011-09-28 | 2012-02-01 | 湖南红太阳新能源科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池多层氮化硅减反射膜及其制备方法 |
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103165680B (zh) * | 2013-03-07 | 2016-04-20 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种显示用基板及显示装置 |
| CN103165680A (zh) * | 2013-03-07 | 2013-06-19 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种透明薄膜及其制作方法、显示用基板及显示装置 |
| CN103614703A (zh) * | 2013-11-01 | 2014-03-05 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 采用等离子体增强化学气相沉积制备减反射膜的方法 |
| CN103614703B (zh) * | 2013-11-01 | 2016-01-20 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 采用等离子体增强化学气相沉积制备减反射膜的方法 |
| CN103606599A (zh) * | 2013-11-30 | 2014-02-26 | 浙江光隆能源科技股份有限公司 | 一种高折射率氮化硅减反射膜的制作方法 |
| CN104103714A (zh) * | 2014-06-27 | 2014-10-15 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种新型电池片的制备方法 |
| CN105489697A (zh) * | 2014-10-08 | 2016-04-13 | 浙江鸿禧能源股份有限公司 | 一种抗pid膜系设计方法 |
| CN104916710A (zh) * | 2015-06-30 | 2015-09-16 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 一种高pid抗性的高效多晶多层钝化减反射膜结构 |
| CN105506583A (zh) * | 2016-01-11 | 2016-04-20 | 江西展宇新能源股份有限公司 | 一种管式pecvd的三层膜工艺 |
| CN105951057A (zh) * | 2016-01-11 | 2016-09-21 | 江西展宇新能源股份有限公司 | 一种板式pecvd制备氮化硅减反射膜的方法 |
| CN105702749A (zh) * | 2016-03-23 | 2016-06-22 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 高pid抗性的多晶多层钝化减反射膜及其制备方法 |
| CN105702749B (zh) * | 2016-03-23 | 2018-02-09 | 江苏顺风光电科技有限公司 | 高pid抗性的多晶多层钝化减反射膜及其制备方法 |
| CN106449782A (zh) * | 2016-11-03 | 2017-02-22 | 国家电投集团西安太阳能电力有限公司 | 晶体硅太阳能电池氮化硅减反射膜结构及其制备方法 |
| CN106449784A (zh) * | 2016-11-08 | 2017-02-22 | 徐州鑫宇光伏科技有限公司 | 太阳能电池减反射膜及其制备方法及太阳能电池片 |
| CN106356411A (zh) * | 2016-11-09 | 2017-01-25 | 徐州鑫宇光伏科技有限公司 | 一种适用于黑硅硅片的减反射层结构及其制作方法 |
| CN107910382A (zh) * | 2017-11-29 | 2018-04-13 | 江苏彩虹永能新能源有限公司 | 一种高效三层氮化硅膜金刚片太阳能电池及其制造工艺 |
| CN108660436A (zh) * | 2018-05-18 | 2018-10-16 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 氮化硅反应炉的吹扫方法 |
| CN109638110A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-04-16 | 韩华新能源（启东）有限公司 | 一种基于双面PERC电池片背面SiNx多层膜结构的制备方法 |
| CN110021682A (zh) * | 2019-02-18 | 2019-07-16 | 浙江贝盛光伏股份有限公司 | 一种适用于太阳能电池片的钝化处理工艺 |
| CN109830570A (zh) * | 2019-02-22 | 2019-05-31 | 河南林鑫新能源科技有限公司 | 一种钝化薄膜及其制备方法 |
| CN110534590A (zh) * | 2019-08-16 | 2019-12-03 | 上海交通大学 | 一种提高太阳电池长波响应的氮化硅薄膜及其制备方法 |
| CN110670046A (zh) * | 2019-10-09 | 2020-01-10 | 浙江正泰太阳能科技有限公司 | 一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池 |
| CN112271221A (zh) * | 2020-10-13 | 2021-01-26 | 常熟理工学院 | 一种具备微结构的三层氮化硅减反层及其制备方法 |
| CN112271221B (zh) * | 2020-10-13 | 2022-05-17 | 常熟理工学院 | 一种具备微结构的三层氮化硅减反层及其制备方法 |
| CN114361265A (zh) * | 2021-12-22 | 2022-04-15 | 天津爱旭太阳能科技有限公司 | 一种perc电池的减反射层及其制作方法和电池 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102903764A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池三层氮化硅减反射膜及其制备方法 | |
| Vermang et al. | Employing Si solar cell technology to increase efficiency of ultra‐thin Cu (In, Ga) Se2 solar cells | |
| US20090250108A1 (en) | Silicon carbide for crystalline silicon solar cell surface passivation | |
| Madani Ghahfarokhi et al. | DC‐sputtered ZnO: Al as transparent conductive oxide for silicon heterojunction solar cells with µc‐Si: H emitter | |
| CN108695408B (zh) | 一种管式pecvd沉积氮化硅叠层减反射膜工艺 | |
| CN102723370A (zh) | 一种用于太阳能电池的宽光谱多层减反钝化膜 | |
| WO2014032457A1 (zh) | 一种制备具有抗pid效应的减反射膜的方法 | |
| CN102361037A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池四层减反射膜及其制备方法 | |
| CN102983211A (zh) | 一种制备用于多晶硅太阳能电池的三层减反射膜的方法 | |
| CN102222733A (zh) | 双层氮化硅减反射膜制备方法 | |
| CN102199760A (zh) | 一种双层氮化硅减反膜的制作方法 | |
| CN103000704A (zh) | 一种多晶硅太阳电池减反射膜及其制备方法 | |
| CN106449782A (zh) | 晶体硅太阳能电池氮化硅减反射膜结构及其制备方法 | |
| Shin et al. | Optimization of intrinsic hydrogenated amorphous silicon deposited by very high-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition using the relationship between Urbach energy and silane depletion fraction for solar cell application | |
| CN102931284A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池SiOx-SiNx叠层膜的制备方法 | |
| CN103296094A (zh) | 一种多晶硅太阳电池减反射膜及其制备方法 | |
| CN104851923A (zh) | 一种提升晶体硅太阳能电池效率减反射膜制备方法 | |
| CN103413868A (zh) | 一种晶硅太阳能电池多层膜制备工艺 | |
| WO2010023991A1 (ja) | 光電変換装置の製造方法、光電変換装置、及び光電変換装置の製造システム | |
| CN104091839B (zh) | 一种用于太阳能电池片的减反射膜的制造方法 | |
| Salabaş et al. | Record amorphous silicon single‐junction photovoltaic module with 9.1% stabilized conversion efficiency on 1.43 m2 | |
| CN101958365A (zh) | 实现太阳能电池缓变叠层减反射薄膜的方法 | |
| CN102260857B (zh) | 一种晶硅表面镀膜及其制备方法 | |
| Bhal Singh et al. | Application of SixNy: Hz (SiN) as index matching layer in a-Si: H thin film solar cells | |
| CN109360866B (zh) | 一种三层氮化硅薄膜的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20130130 |