CN111029415A - 改善管式perc太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜 - Google Patents
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 title claims abstract description 24
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 title claims abstract description 24
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 title claims abstract description 24
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims abstract description 127
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 77
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 56
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 54
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 18
- 230000004075 alteration Effects 0.000 abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 174
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 46
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 36
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 11
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 10
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 5
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜，其中，依次包括SiNx:Hy层、SiOxNy层和SiOx层；所述SiNx:Hy层至少包括5层不同折射率和厚度的SiNx:Hy层，分别为第一SiNx:Hy层、第二SiNx:Hy层、第三SiNx:Hy层、第四SiNx:Hy层和第五SiNx:Hy层，所述SiOxNy层至少包括2～3层不同折射率和厚度的SiOxNy层；所述SiOx层至少包括1层不同折射率和厚度的SiOx层。采用本发明，可以有效改善PERC电池制造过程中，采用管式等离子体设备制备背钝化膜带来的正面边缘绕镀色差，提高光伏组件外观均匀性。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池的制造领域，尤其涉及一种改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜。
背景技术
晶硅太阳能电池是一种将太阳光转换为电能的半导体光电器件，基本原理是利用半导体技术制造出PN结，大于半导体禁带宽度的太阳光被电池吸收，激发光生载流子，在PN结的内建势场作用下，光生电子和空穴分离，向相反方向分别运动到N型侧及P型侧，形成光生电压，经过电极引出后在负载电路上形成电流。
目前已成为光伏行业主流技术的P型单晶PERC太阳能电池，相比传统全铝背场单晶太阳能电池采用铝背场钝化背表面，PERC电池采用AlOx/SiOxNy/SiNx:Hy结构的多层膜钝化背表面，有效降低背表面少子复合速率，增加光生载流子迁移至背电极的几率，并提高入射光利用率，较大幅度地提升晶硅电池的光电转化效率。
但是，由于目前背面AlOx/SiOxNy/SiNx:Hy多层膜结构中，AlOx/SiOxNy/SiNx:Hy层或者SiOxNy/SiNx:Hy层或者SiNx:Hy层常采用管式PECVD(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition)设备制备，由于管式PECVD设备都采用石墨舟作为硅片承载装置，硅片竖直贴靠在管式等离子体镀膜设备在镀背钝化膜层过程中，会有部分反应气体迁移到正表面边缘区域反应生成SiOxNy、SiNx:Hy绕镀层，而采用现有技术镀正膜后，绕镀层会造成正膜边缘区域薄膜厚度大于中心区域薄膜厚度，在电池片最终封装成光伏组件后，正面不同区域薄膜厚度的差异会引起组件外观的颜色差异，将这种颜色差异称为“边缘绕镀色差”。
现有技术采用1～3层SiNx:Hy薄膜作为正面钝化及减反膜，无法有效解决管式PERC太阳能电池封装成光伏组件后的外观色差不均匀问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜，可以有效改善PERC电池制造过程中，采用管式等离子体设备制备背钝化膜带来的正面边缘绕镀色差，提高光伏组件外观均匀性。
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜，依次包括SiNx:Hy层、SiOxNy层和SiOx层；
所述SiNx:Hy层至少包括5层不同折射率和厚度的SiNx:Hy层，分别为第一SiNx:Hy层、第二SiNx:Hy层、第三SiNx:Hy层、第四SiNx:Hy层和第五SiNx:Hy层，其中，所述第一SiNx:Hy层的厚度为6nm～12nm，折射率为2.25～2.3；所述第二SiNx:Hy层的厚度为8nm～15nm，折射率为2.20～2.24；所述第三SiNx:Hy层的厚度为10nm～17nm，折射率为2.15～2.19；所述第四SiNx:Hy层的厚度为8nm～14nm，折射率为2.10～2.14；所述第五SiNx:Hy层的厚度为4nm～10nm，折射率为2.05～2.09；
所述SiOxNy层至少包括2～3层不同折射率和厚度的SiOxNy层；
所述SiOx层至少包括1层不同折射率和厚度的SiOx层。
作为上述方案的改进，所述SiOxNy层从下往上依次包括第一SiOxNy层、第二SiOxNy层和第三SiOxNy层，所述第一SiOxNy层与SiNx:Hy层连接；
所述第一SiOxNy层的厚度为10nm～18nm，折射率为1.90～2.03；
所述第二SiOxNy层的厚度为10nm～18nm，折射率为1.75～1.89；
所述第三SiOxNy层的厚度为4nm～8nm，折射率为1.60～1.74。
作为上述方案的改进，所述SiOx层的厚度为5nm～12nm，折射率为1.25～1.60。
作为上述方案的改进，所述第一SiNx:Hy层由下述方法制得：
在硅片的正面制备第一SiNx:Hy层，反应腔室的沉积温度为420℃～490℃，反应腔室压力为1100mtorr～1800mtorr，射频电源功率为7000w～11000w，SiH4气体流量为700sccm～1200sccm，NH3气体流量为3000sccm～6000sccm，沉积时间为50s～120s。
作为上述方案的改进，所述第二SiNx:Hy层由下述方法制得：
在第一SiNx:Hy层的表面生长第二SiNx:Hy层，反应腔室的沉积温度为420℃～490℃，反应腔室压力为1300mtorr～1800mtorr，射频电源功率为8000w～11000w，SiH4气体流量为700sccm～1200sccm，NH3气体流量为5000sccm～9000sccm，沉积时间为80s～140s。
作为上述方案的改进，所述第三SiNx:Hy层由下述方法制得：
在第二SiNx:Hy层的表面生长第三SiNx:Hy层，反应腔室的沉积温度为420℃～490℃，反应腔室压力为1300mtorr～1800mtorr，射频电源功率为8000w～12000w，SiH4气体流量为700sccm～1200sccm，NH3气体流量为7000sccm～11000sccm，沉积时间为80s～150s。
作为上述方案的改进，所述第四SiNx:Hy层由下述方法制得：
在第三SiNx:Hy层的表面生长第四SiNx:Hy层，反应腔室的沉积温度为420℃～490℃，反应腔室压力为1300mtorr～1800mtorr，射频电源功率为8000w～12000w，SiH4气体流量为500sccm～1000sccm，NH3气体流量为7000sccm～11000sccm，沉积时间为60s～120s。
作为上述方案的改进，所述第五SiNx:Hy层由下述方法制得：
在第四SiNx:Hy层的表面生长第五SiNx:Hy层，反应腔室的沉积温度为420℃～490℃，反应腔室压力为1300mtorr～1800mtorr，射频电源功率为8000w～12000w，SiH4气体流量为400sccm～900sccm，NH3气体流量为7000sccm～11000sccm，沉积时间为30s～70s。
作为上述方案的改进，所述SiOxNy层由下述方法制得：
在第五SiNx:Hy层的表面生长第一SiOxNy层，反应腔室的沉积温度为420℃～500℃，反应腔室压力为1100mtorr～1700mtorr，射频电源功率为9000w～14000w，SiH4气体流量为500sccm～1000sccm，NH3气体流量为500sccm～1200sccm，N2O气体流量为6000sccm～9000sccm，沉积时间为100s～300s；
在第一SiOxNy层的表面生长第二SiOxNy层，反应腔室的沉积温度为420℃～500℃，反应腔室压力为1100mtorr～1700mtorr，射频电源功率为9000w～15000w，SiH4气体流量为500sccm～1000sccm，NH3气体流量为500sccm～1200sccm，N2O气体流量为3000sccm～6000sccm，沉积时间为200s～400s；
在第二SiOxNy层的表面生长第三SiOxNy层，反应腔室的沉积温度为420℃～500℃，反应腔室压力为1100mtorr～1700mtorr，射频电源功率为6000w～11000w，SiH4气体流量为200sccm～600sccm，NH3气体流量为400sccm～1000sccm，N2O气体流量为3000sccm～6000sccm，沉积时间为50s～160s。
作为上述方案的改进，所述SiOx层由下述方法制得：
在第三SiOxNy层的表面生长SiOx层，反应腔室的沉积温度为420℃～500℃，反应腔室压力为1100mtorr～1700mtorr，射频电源功率为9000w～14000w，SiH4气体流量为80sccm～300sccm，N2O气体流量为3000sccm～6000sccm，沉积时间为200s～400s。
实施本发明，具有如下有益效果：
1、本发明提供的正面复合膜，依次包括SiNx:Hy层、SiOxNy层和SiOx层，其中，所述SiNx:Hy层至少包括5层不同折射率和厚度的SiNx:Hy层，其采用多层渐变膜设计，各层采用不同气体流量设计，得到不同厚度和折射率的SiNx:Hy层，相比现有技术，可以更好地提高正面薄膜的均匀性，减少电池片的边缘色差；
2、本发明提供的正面复合膜，相比现有技术，可以有效降低正膜表面的反射率，封装成光伏组件后，组件外观上不存在边缘与中心区域色差，组件外观呈现很好的均匀性，极大地改善了现有技术的边缘绕镀色差问题；
3、本发明提供的正面复合膜，可以方便地兼容现有管式PERC晶硅太阳能电池生产线，不需要额外投入新的设备，具有成本低、工艺简便和兼容性好的优点。
附图说明
图1是本发明改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜的示意图。
图2是本发明正面复合膜的反射率曲线图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明作进一步地详细描述。
结合图1，本发明提供的一种改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜，依次包括SiNx:Hy层1、SiOxNy层2和SiOx层3；
所述SiNx:Hy层1至少包括5层不同折射率和厚度的SiNx:Hy层，分别为第一SiNx:Hy层11、第二SiNx:Hy层12、第三SiNx:Hy层13、第四SiNx:Hy层14和第五SiNx:Hy层15，其中，所述第一SiNx:Hy层11的厚度为6nm～12nm，折射率为2.25～2.3；所述第二SiNx:Hy层12的厚度为8nm～15nm，折射率为2.20～2.24；所述第三SiNx:Hy层13的厚度为10nm～17nm，折射率为2.15～2.19；所述第四SiNx:Hy层14的厚度为8nm～14nm，折射率为2.10～2.14；所述第五SiNx:Hy层15的厚度为4nm～10nm，折射率为2.05～2.09；
所述SiOxNy层2至少包括2～3层不同折射率和厚度的SiOxNy层；
所述SiOx层3至少包括1层不同折射率和厚度的SiOx层。
优选的，所述第一SiNx:Hy层11的厚度为8nm～10nm，折射率为2.25～2.3；
所述第二SiNx:Hy层12的厚度为10nm～13nm，折射率为2.20～2.24；
所述第三SiNx:Hy层13的厚度为12nm～15nm，折射率为2.15～2.19；
所述第四SiNx:Hy层14的厚度为10nm～12nm，折射率为2.10～2.14；
所述第五SiNx:Hy层15的厚度为5nm～8nm，折射率为2.05～2.08。
更佳的，所述第一SiNx:Hy层11的厚度为9nm，折射率为2.27；
所述第二SiNx:Hy层12的厚度为13nm，折射率为2.22；
所述第三SiNx:Hy层13的厚度为12nm，折射率为2.17；
所述第四SiNx:Hy层14的厚度为10nm，折射率为2.12；
所述第五SiNx:Hy层15的厚度为5nm，折射率为2.06。
本发明主要是通过新型的正面复合膜设计，降低电池正面复合膜对入射光的反射率，减少电池片色差，最终解决封装组件后边缘色差的问题。具体的，首先采用多层SiNx:Hy结构渐变设计，基于减少正面光线反射以及提高电性能，同时考虑到电池整体的PID等可靠性，提高正膜整体的折射率，将SiNx:Hy层设置为至少5层不同折射率和厚度的SiNx:Hy层(第一SiNx:Hy层11、第二SiNx:Hy层12、第三SiNx:Hy层13、第四SiNx:Hy层14和第五SiNx:Hy层15)，通过具体限定每一层SiNx:Hy具有特定的厚度和折射率，可以提高薄膜的均匀性，减少电池片色差，同时可以更有效地传输入射光线。同时，多层SiOxNy薄膜组成一个优选的光学结构，对薄膜的光学特性有着更好的提高。
若SiNx:Hy层只设有4层不同折射率和厚度的SiNx:Hy层，则会导致正膜光学特性发生变化，对于边缘绕镀色差的改善效果不好；若SiNx:Hy层设置6层以上不同折射率和厚度的SiNx:Hy层，则会致电池的外观变差，同时导致电性能出现下降。
降低电池正面复合膜对入射光的反射率，减少电池片色差，其次还需要在5层SiNx:Hy层的基础上搭配SiOxNy层2，所述SiOxNy层2从下往上依次包括第一SiOxNy层21、第二SiOxNy层22和第三SiOxNy层23，所述第一SiOxNy层21与SiNx:Hy层1连接；
所述第一SiOxNy层21的厚度为10nm～18nm，折射率为1.90～2.03；
所述第二SiOxNy层22的厚度为10nm～18nm，折射率为1.75～1.89；
所述第三SiOxNy层23的厚度为4nm～8nm，折射率为1.60～1.74。
优选的，所述第一SiOxNy层21的厚度为12nm～16nm，折射率为1.92～2.03；
所述第二SiOxNy层22的厚度为12nm～16nm，折射率为1.78～1.89；
所述第三SiOxNy层23的厚度为5nm～7nm，折射率为1.62～1.70。
更佳的，所述第一SiOxNy层21的厚度为14nm，折射率为1.97；
所述第二SiOxNy层22的厚度为13nm，折射率为1.85；
所述第三SiOxNy层23的厚度为5.5nm，折射率为1.65。
SiOxNy层2起到钝化硅片正面，提高电性能，以及降低硅片正面反射的作用，渐变膜设计可以更大程度地降低薄膜的反射率，同时提高电池片的可靠性。多层SiNx:Hy结构渐变设计，由于采用不同的气体流量比，相比单层膜，可以提高薄膜的均匀性，减少电池片色差，同时可以更有效地传输入射光线。多层SiOxNy薄膜组成一个优选的光学结构，对薄膜的光学特性有着更好的提高。
所述SiOx层3的厚度为5nm～12nm，折射率为1.25～1.60。优选的，所述SiOx层3的厚度为7nm～10nm，折射率为1.35～1.50。更佳的，所述SiOx层3的厚度为7.5nm，折射率为1.45。
降低电池正面复合膜对入射光的反射率，减少电池片色差，最后还需要搭配SiOx层3。SiOx层3的作用在于，SiOx层可以降低正面的反射率，减少组件边缘色差。不同的SiOx层厚度和折射率，会引起电池封装成组件后颜色的差异。若本发明设置有两层以上的SiOx层，反而会导致组件边缘产生色差，导致组件外观不均匀。同时，SiOx层还起到保护SiON的作用。
进一步，具有本发明正面复合膜的太阳能电池的制备方法如下：
(1)首先进行硅片的前道处理，包括硅片清洗制绒、扩散制备PN结、刻蚀去除磷硅玻璃层及背面PN结，以及根据产线情况，可在扩散工序之后添加激光正面选择性掺杂工序，在刻蚀工序之后添加退火热处理工序；
(2)硅片背面钝化处理，经过上述前道处理硅片，其中n型扩散层所在的表面为正面，硅片的另外一面为背面，在硅片的背面首先采用管式或板式PECVD制备AlOx或SiOxNy背钝化层，紧接着在硅片背面采用管式PECVD设备制备SiNx:Hy背面钝化及背面保护层；
(3)正面复合膜制备准备，将经过上述步骤处理的硅片装载入石墨舟，其中硅片的背面紧贴石墨舟的表面，紧接着将装载有硅片的石墨舟传输至管式PECVD设备反应腔室，设定腔室温度为350℃～500℃，腔室采用氮气(N2)作为保护气体；
(4)正面复合膜制备，包括依次制备第一SiNx:Hy层11、第二SiNx:Hy层12、第三SiNx:Hy层13、第四SiNx:Hy层14、第五SiNx:Hy层15、第一SiOxNy层21、第二SiOxNy层22、第三SiOxNy层23和SiOx层3，具体如下：
所述第一SiNx:Hy层11由下述方法制得：
在硅片的正面制备第一SiNx:Hy层11，反应腔室的沉积温度为420℃～490℃，优选为470℃，反应腔室压力为1100mtorr～1800mtorr，优选为1600mtorr，射频电源功率为7000w～11000w，优选为9000W，SiH4气体流量为700sccm～1200sccm，优选为800sccm，NH3气体流量为3000sccm～6000sccm，优选为4000sccm，沉积时间为50s～120s，优选为80s。
所述第二SiNx:Hy层12由下述方法制得：
在第一SiNx:Hy层11的表面生长第二SiNx:Hy层12，反应腔室的沉积温度为420℃～490℃，优选为470℃，反应腔室压力为1300mtorr～1800mtorr，优选为1600mtorr，射频电源功率为8000w～11000w，优选为9000W，SiH4气体流量为700sccm～1200sccm，优选为1000sccm，NH3气体流量为5000sccm～9000sccm，优选为7000sccm，沉积时间为80s～140s，优选为120s。
所述第三SiNx:Hy层13由下述方法制得：
在第二SiNx:Hy层12的表面生长第三SiNx:Hy层13，反应腔室的沉积温度为420℃～490℃，优选为470℃，反应腔室压力为1300mtorr～1800mtorr，优选为1600mtorr，射频电源功率为8000w～12000w，优选为9500w，SiH4气体流量为700sccm～1200sccm，优选为1000sccm，NH3气体流量为7000sccm～11000sccm，优选为9000sccm，沉积时间为80s～150s，优选为120s。
所述第四SiNx:Hy层14由下述方法制得：
在第三SiNx:Hy层13的表面生长第四SiNx:Hy层14，反应腔室的沉积温度为420℃～490℃，优选为475℃，反应腔室压力为1300mtorr～1800mtorr，优选为1700motrr，射频电源功率为8000w～12000w，优选为10000w，SiH4气体流量为500sccm～1000sccm，优选为800sccm，NH3气体流量为7000sccm～11000sccm，优选为9500sccm，沉积时间为60s～120s，优选为100s。
所述第五SiNx:Hy层15由下述方法制得：
在第四SiNx:Hy层14的表面生长第五SiNx:Hy层15，反应腔室的沉积温度为420℃～490℃，优选为480℃，反应腔室压力为1300mtorr～1800mtorr，优选为1600mtorr，射频电源功率为8000w～12000w，优选为9900w，SiH4气体流量为400sccm～900sccm，优选为700sccm，NH3气体流量为7000sccm～11000sccm，优选为9300sccm，沉积时间为30s～70s，优选为50s。
所述SiOxNy层2由下述方法制得：
在第五SiNx:Hy层15的表面生长第一SiOxNy层21，反应腔室的沉积温度为420℃～500℃，优选为460℃，反应腔室压力为1100mtorr～1700mtorr，优选为1400mtorr，射频电源功率为9000w～14000w，优选为1300w，SiH4气体流量为500sccm～1000sccm，优选为750sccm，NH3气体流量为500sccm～1200sccm，优选为800sccm，N2O气体流量为6000sccm～9000sccm，优选为7000sccm，沉积时间为100s～300s，优选为200s；
在第一SiOxNy层21的表面生长第二SiOxNy层22，反应腔室的沉积温度为420℃～500℃，优选为460℃，反应腔室压力为1100mtorr～1700mtorr，优选为1400mtorr，射频电源功率为9000w～15000w，优选为11000w，SiH4气体流量为500sccm～1000sccm，优选为750sccm，NH3气体流量为500sccm～1200sccm，优选为800sccm，N2O气体流量为3000sccm～6000sccm，优选为4500sccm，沉积时间为200s～400s，优选为260s；
在第二SiOxNy层22的表面生长第三SiOxNy层23，反应腔室的沉积温度为420℃～500℃，优选为460℃，反应腔室压力为1100mtorr～1700mtorr，优选为1200mtorr，射频电源功率为6000w～11000w，优选为8000w，SiH4气体流量为200sccm～600sccm，优选为300sccm，NH3气体流量为400sccm～1000sccm，优选为750sccm，N2O气体流量为3000sccm～6000sccm，优选为4500sccm，沉积时间为50s～160s，优选为90s。
所述SiOx层3由下述方法制得：
在第三SiOxNy层23的表面生长SiOx层3，反应腔室的沉积温度为420℃～500℃，优选为460℃，反应腔室压力为1100mtorr～1700mtorr，优选为1450motorr，射频电源功率为9000w～14000w，优选为12000w，SiH4气体流量为80sccm～300sccm，优选为200sccm，N2O气体流量为3000sccm～6000sccm，优选为4300sccm，沉积时间为200s～400s，优选为315s。
测试本发明的正面复合膜的反射率，并将其与现有技术做比较，结果如图2所示。图2中，曲线1是现有技术制备正面复合膜的反射率曲线，曲线2是本发明制备正面复合膜的反射率曲线。由图2可知，本发明有效降低了电池正面复合膜对入射光的反射率，尤其是在波长为300-500nm范围内，反射率降低幅度高达100-200％，有效减少电池片色差，最终解决封装组件后边缘色差的问题。
综上所述，本发明提供的正面复合膜，其采用多层渐变膜设计，各层采用不同气体流量设计，得到不同厚度和折射率的SiNx:Hy层，相比现有技术，可以更好地提高正面薄膜的均匀性，减少电池片的边缘色差；
本发明提供的正面复合膜，相比现有技术，可以有效降低正膜表面的反射率，封装成光伏组件后，组件外观上不存在边缘与中心区域色差，组件外观呈现很好的均匀性，极大地改善了现有技术的边缘绕镀色差问题；
本发明提供的正面复合膜，可以方便地兼容现有管式PERC晶硅太阳能电池生产线，不需要额外投入新的设备，具有成本低、工艺简便和兼容性好的优点。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
Claims (10)
1.一种改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜，其特征在于，依次包括SiNx:Hy层、SiOxNy层和SiOx层；
所述SiNx:Hy层至少包括5层不同折射率和厚度的SiNx:Hy层，分别为第一SiNx:Hy层、第二SiNx:Hy层、第三SiNx:Hy层、第四SiNx:Hy层和第五SiNx:Hy层，其中，所述第一SiNx:Hy层的厚度为6nm～12nm，折射率为2.25～2.3；所述第二SiNx:Hy层的厚度为8nm～15nm，折射率为2.20～2.24；所述第三SiNx:Hy层的厚度为10nm～17nm，折射率为2.15～2.19；所述第四SiNx:Hy层的厚度为8nm～14nm，折射率为2.10～2.14；所述第五SiNx:Hy层的厚度为4nm～10nm，折射率为2.05～2.09；
所述SiOxNy层至少包括2～3层不同折射率和厚度的SiOxNy层；
所述SiOx层至少包括1层不同折射率和厚度的SiOx层。
2.如权利要求1所述的改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜，其特征在于，所述SiOxNy层从下往上依次包括第一SiOxNy层、第二SiOxNy层和第三SiOxNy层，所述第一SiOxNy层与SiNx:Hy层连接；
所述第一SiOxNy层的厚度为10nm～18nm，折射率为1.90～2.03；
所述第二SiOxNy层的厚度为10nm～18nm，折射率为1.75～1.89；
所述第三SiOxNy层的厚度为4nm～8nm，折射率为1.60～1.74。
3.如权利要求1或2所述的改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜，其特征在于，所述SiOx层的厚度为5nm～12nm，折射率为1.25～1.60。
4.如权利要求1所述的改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜，其特征在于，所述第一SiNx:Hy层由下述方法制得：
在硅片的正面制备第一SiNx:Hy层，反应腔室的沉积温度为420℃～490℃，反应腔室压力为1100mtorr～1800mtorr，射频电源功率为7000w～11000w，SiH4气体流量为700sccm～1200sccm，NH3气体流量为3000sccm～6000sccm，沉积时间为50s～120s。
5.如权利要求4所述的改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜，其特征在于，所述第二SiNx:Hy层由下述方法制得：
在第一SiNx:Hy层的表面生长第二SiNx:Hy层，反应腔室的沉积温度为420℃～490℃，反应腔室压力为1300mtorr～1800mtorr，射频电源功率为8000w～11000w，SiH4气体流量为700sccm～1200sccm，NH3气体流量为5000sccm～9000sccm，沉积时间为80s～140s。
6.如权利要求5所述的改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜，其特征在于，所述第三SiNx:Hy层由下述方法制得：
在第二SiNx:Hy层的表面生长第三SiNx:Hy层，反应腔室的沉积温度为420℃～490℃，反应腔室压力为1300mtorr～1800mtorr，射频电源功率为8000w～12000w，SiH4气体流量为700sccm～1200sccm，NH3气体流量为7000sccm～11000sccm，沉积时间为80s～150s。
7.如权利要求6所述的改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜，其特征在于，所述第四SiNx:Hy层由下述方法制得：
在第三SiNx:Hy层的表面生长第四SiNx:Hy层，反应腔室的沉积温度为420℃～490℃，反应腔室压力为1300mtorr～1800mtorr，射频电源功率为8000w～12000w，SiH4气体流量为500sccm～1000sccm，NH3气体流量为7000sccm～11000sccm，沉积时间为60s～120s。
8.如权利要求7所述的改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜，其特征在于，所述第五SiNx:Hy层由下述方法制得：
在第四SiNx:Hy层的表面生长第五SiNx:Hy层，反应腔室的沉积温度为420℃～490℃，反应腔室压力为1300mtorr～1800mtorr，射频电源功率为8000w～12000w，SiH4气体流量为400sccm～900sccm，NH3气体流量为7000sccm～11000sccm，沉积时间为30s～70s。
9.如权利要求8所述的改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜，其特征在于，所述SiOxNy层由下述方法制得：
在第五SiNx:Hy层的表面生长第一SiOxNy层，反应腔室的沉积温度为420℃～500℃，反应腔室压力为1100mtorr～1700mtorr，射频电源功率为9000w～14000w，SiH4气体流量为500sccm～1000sccm，NH3气体流量为500sccm～1200sccm，N2O气体流量为6000sccm～9000sccm，沉积时间为100s～300s；
在第一SiOxNy层的表面生长第二SiOxNy层，反应腔室的沉积温度为420℃～500℃，反应腔室压力为1100mtorr～1700mtorr，射频电源功率为9000w～15000w，SiH4气体流量为500sccm～1000sccm，NH3气体流量为500sccm～1200sccm，N2O气体流量为3000sccm～6000sccm，沉积时间为200s～400s；
在第二SiOxNy层的表面生长第三SiOxNy层，反应腔室的沉积温度为420℃～500℃，反应腔室压力为1100mtorr～1700mtorr，射频电源功率为6000w～11000w，SiH4气体流量为200sccm～600sccm，NH3气体流量为400sccm～1000sccm，N2O气体流量为3000sccm～6000sccm，沉积时间为50s～160s。
10.如权利要求9所述的改善管式PERC太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜，其特征在于，所述SiOx层由下述方法制得：
在第三SiOxNy层的表面生长SiOx层，反应腔室的沉积温度为420℃～500℃，反应腔室压力为1100mtorr～1700mtorr，射频电源功率为9000w～14000w，SiH4气体流量为80sccm～300sccm，N2O气体流量为3000sccm～6000sccm，沉积时间为200s～400s。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911415520.8A CN111029415A (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | 改善管式perc太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911415520.8A CN111029415A (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | 改善管式perc太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111029415A true CN111029415A (zh) | 2020-04-17 |
Family
ID=70197840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911415520.8A Pending CN111029415A (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | 改善管式perc太阳能电池边缘绕镀色差的正面复合膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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