CN211062442U - 像素电路和显示面板 - Google Patents

Abstract

本实用新型实施例公开了一种像素电路和显示面板。该像素电路包括：驱动晶体管、存储电容、第一开关晶体管、第二开关晶体管、第三开关晶体管、第四开关晶体管和第五开关晶体管；第二开关晶体管用于将第一电源施加至驱动晶体管的第一极；第三开关晶体管用于将驱动晶体管的驱动电流导通至发光器件；第一开关晶体管和第四开关晶体管用于将数据信号修正后写入驱动晶体管的栅极；第五开关晶体管用于将参考电压传输至驱动晶体管的栅极；其中，第一开关晶体管的沟道长度大于第二开关晶体管和第三开关管的沟道长度；第一开关晶体管的沟道长度的范围为3um～4um。与现有技术相比，本实用新型实施例提升了像素电路的性能，提升了发光器件发光亮度的稳定性。

Description

像素电路和显示面板

技术领域

本实用新型实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素电路和显示面板。

背景技术

随着显示技术的不断发展，显示面板的应用范围越来越广泛，人们对显示面板的要求也越来越高。

显示面板中的像素电路在驱动发光器件稳定发光方面起到了非常重要的作用。然而，现有的像素电路的性能还不够理想，存在驱动发光器件的发光亮度不稳定的问题。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种像素电路和显示面板，以提升像素电路的性能，提升发光器件发光亮度的稳定性。

为实现上述技术目的，本实用新型实施例提供了如下技术方案：

一种像素电路，包括：

驱动晶体管，所述驱动晶体管用于驱动发光器件发光；

存储电容，所述存储电容连接于第一电源输入端和所述驱动晶体管的栅极之间，所述存储电容用于存储所述驱动晶体管栅极的电压；

第一开关晶体管，所述第一开关晶体管连接于数据信号输入端和所述驱动晶体管的第一极之间，所述第一开关晶体管用于在第一扫描信号的控制下导通，将数据信号施加至所述驱动晶体管的第一极；

第二开关晶体管，所述第二开关晶体管连接于所述第一电源输入端和所述驱动晶体管之间；所述第二开关晶体管用于在发光控制信号的控制下导通，将第一电源施加至所述驱动晶体管的第一极；

第三开关晶体管，所述第三开关晶体管连接于所述驱动晶体管和所述发光器件之间；所述第三开关晶体管用于在发光控制信号的控制下导通，将所述驱动晶体管的驱动电流导通至所述发光器件；

第四开关晶体管，所述第四开关晶体管连接于所述驱动晶体管的第二极和栅极之间；所述第一开关晶体管和所述第四开关晶体管用于在第一扫描信号的控制下导通，将所述数据信号修正后写入所述驱动晶体管的栅极；

第五开关晶体管，所述第五开关晶体管连接于参考电压输入端和所述驱动晶体管的栅极之间；所述第五开关晶体管用于在第二扫描信号的控制下导通，将参考电压传输至所述驱动晶体管的栅极；

其中，所述第一开关晶体管的沟道长度大于所述第二开关晶体管和所述第三开关管的沟道长度；所述第一开关晶体管的沟道长度的范围为3um～4um。

可选地，所述第一开关晶体管的沟道长度为3um、3.2um、3.4um、3.5um、3.7um、3.8um或者4um。

从上述技术方案可以看出，第一方面，本实用新型实施例避免了第一开关晶体管的沟道长度过大从而影响电流导通能力，同时降低了第一开关晶体管在亚阈值区的漏电流，从而减小了驱动晶体管在非数据写入阶段的漏电流，提升了发光器件的亮度稳定性，提升了像素电路的性能，改善了显示面板的黑团现象等显示不良的现象。第二方面，当第一开关晶体管的沟道长度较小时，第一开关晶体管可能发生提前开启的情况，本实用新型实施例设置第一开关晶体管的沟道长度不小于3um，可以有效防止第一开关晶体管提前开启，从而避免了第一开关晶体管关断性不佳而产生较大的漏电流，提升了像素电路的稳定性。第三方面，本实用新型实施例可适用于显示面板刷新频率较低的情况，在存储电容较大的情况下，也能够降低黑团现象的发生概率。因此，本实用新型实施例在节省功耗的基础上，有利于发光器件稳定发光，显示面板具有良好的画质。第四方面，第一开关晶体管的沟道长度不大于4um，保证第一开关晶体管具有较小的尺寸，减小像素电路的占用面积，从而有利于减小像素面积，提高分辨率。

进一步地，所述第一开关晶体管的沟道宽度大于所述第二开关晶体管和所述第三开关管的沟道宽度。其中，对于晶体管来说，沟道宽度越大，其输出电流越大，驱动能力越强。这样设置，有利于提升电路工作的速度。

进一步地，所述第一开关晶体管的沟道宽度的范围为2.2um～3um。可选地，第一开关晶体管的沟道宽度可以设置为2.2um、2.3um、2.5um、2.8um、2.9um或者3um。这样设置，一方面能够确保第一开关晶体管的驱动能力较强，另一方面，有利于设置第一开关晶体管的沟道长度大于第二开关晶体管和第三开关晶体管的沟道长度，从而抑制第一开关晶体管的漏电流。

进一步地，所述第一开关晶体管的宽长比小于所述第二开关晶体管和所述第三开关管的宽长比。由第一开关晶体管在亚阈值区的电流表达式可知，减小第一开关晶体管的宽长比能够降低第一开关晶体管在亚阈值区的漏电流，从而提升发光器件的亮度稳定性，改善显示面板的黑团现象等显示不良的现象。

进一步地，所述像素电路中所述第二开关晶体管和所述第三开关管的沟道长度的范围为2.2um～3.2um。可选地，所述第二开关晶体管和所述第三开关管的沟道长度可以设置为2.2um、2.5um、2.7um、2.8um、3um或者3.2um。即设置第一开关晶体管可选沟道长度大于第二开关晶体管和第三开关晶体管可选沟道长度，有利于设置第一开关晶体管的沟道长度大于第二开关晶体管和第三开关管的沟道长度。

进一步地，所述第二开关晶体管和所述第三开关管的宽长比的范围为0.7～1；所述第一开关晶体管的宽长比的范围为0.6～1。可选地，第二开关晶体管和所述第三开关管的宽长比为0.7、0.8、0.9或者1，第一开关晶体管的宽长比为0.6、0.7、0.8、0.9或者1。即设置第一开关晶体管可选沟道宽长比小于第二开关晶体管和第三开关晶体管可选沟道宽长比，有利于设置第一开关晶体管的沟道宽长比小于第二开关晶体管和所述第三开关管的沟道宽长比。

进一步地，所述第四开关晶体管和所述第五开关晶体管为双栅晶体管。相比于单栅晶体管，双栅晶体管的沟道长度较长，能够减小第四开关晶体管和第五开关晶体管的漏电流。这样设置，有利于保持存储电容中存储的电压，从而提升了发光器件的亮度稳定性，提升了像素电路的性能。

进一步地，像素电路还包括第六开关晶体管，所述第六开关晶体管连接于参考电压输入端和所述发光器件的阳极之间，所述第六开关晶体管用于在第一扫描信号的控制下导通，将参考电压传输至所述发光器件的阳极；所述第一开关晶体管的沟道长度大于所述第六开关晶体管的沟道长度；所述第一开关晶体管的沟道宽度大于所述第六开关晶体管的沟道宽度。由于与第二开关晶体管和第三开关晶体管类似，第六开关晶体管的漏电流对发光器件的影响较小，因此，可以设置第六开关晶体管的沟道宽长比与第二开关晶体管(第三开关晶体管)的沟道宽长比相等，设置第一开关晶体管的沟道长度大于第六开关晶体管的沟道长度，第一开关晶体管的沟道宽度大于第六开关晶体管的沟道宽度。这样，一方面能够减小第一开关晶体管的宽长比，减小第一开关晶体管的漏电流；另一方面，第六开关晶体管的沟道长度和宽度较小，有利于减小像素电路的尺寸，一方面有利于像素电路的布线，另一方面有利于提升显示面板的分辨率。

相应地，本实用新型还提供了一种显示面板，包括：呈阵列排布的发光器件和如本实用新型任意实施例所述的像素电路，所述像素电路与所述发光器件电连接，所述像素电路用于向对应的发光器件提供驱动电流。

本实用新型实施例通过设置第一开关晶体管的沟道长度大于第二开关晶体管和第三开关管的沟道长度；第一开关晶体管的沟道长度的范围为3um～4um，第一方面，避免了第一开关晶体管的沟道长度过大从而影响电流导通能力，同时降低了第一开关晶体管在亚阈值区的漏电流，从而减小了驱动晶体管在非数据写入阶段的漏电流，提升了发光器件的亮度稳定性，提升了像素电路的性能，改善了显示面板的黑团现象等显示不良的现象；第二方面，当第一开关晶体管的沟道长度较小时，第一开关晶体管可能发生提前开启的情况，本实用新型实施例设置第一开关晶体管的沟道长度不小于3um，可以有效防止第一开关晶体管提前开启，从而避免了第一开关晶体管在开启前产生漏电流，提升了像素电路的稳定性；第三方面，本实用新型实施例可适用于显示面板刷新频率较低的情况，在存储电容较大的情况下，也能够降低黑团现象的发生概率。因此，本实用新型实施例在节省功耗的基础上，有利于发光器件稳定发光，显示面板具有良好的画质。第四方面，第一开关晶体管的沟道长度不大于4um，保证第一开关晶体管具有较小的尺寸，减小像素电路的占用面积，从而有利于减小像素面积，提高分辨率。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种像素电路的电路示意图；

图2为本实用新型实施例提供的一种像素电路的驱动时序示意图；

图3为本实用新型实施例提供的一种显示面板的电路示意图；

图4为本实用新型实施例提供的另一种像素电路的电路示意图；

图5为本实用新型实施例提供的又一种像素电路的电路示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。

本实用新型实施例提供了一种像素电路。图1为本实用新型实施例提供的一种像素电路的电路示意图。参见图1，该像素电路包括：驱动晶体管MD、第一开关晶体管M1、第二开关晶体管M2、第三开关晶体管M3、第四开关晶体管M4、第五开关晶体管M5和存储电容Cst。驱动晶体管MD用于驱动发光器件OLED发光；存储电容Cst连接于第一电源输入端VDD和驱动晶体管MD的栅极之间，存储电容Cst用于存储驱动晶体管MD栅极的驱动电压；第一开关晶体管M1连接于数据信号输入端DATA和驱动晶体管MD的第一极之间，第一开关晶体管M1用于在第一扫描信号的控制下导通，将数据信号施加至驱动晶体管MD的第一极。第二开关晶体管M2连接于第一电源输入端VDD和驱动晶体管MD之间；第二开关晶体管M2用于在发光控制信号的控制下导通，将第一电源施加至驱动晶体管MD的第一极。第三开关晶体管M3连接于驱动晶体管MD和发光器件OLED之间；第三开关晶体管M3用于在发光控制信号的控制下导通，将驱动晶体管MD的驱动电流导通至发光器件OLED。第四开关晶体管M4连接于驱动晶体管MD的第二极和栅极之间；第一开关晶体管M1和第四开关晶体管M4用于在第一扫描信号的控制下导通，将数据信号修正后写入驱动晶体管MD的栅极。第五开关晶体管M5连接于参考电压输入端Vref和驱动晶体管MD的栅极之间；第五开关晶体管M5用于在第二扫描信号的控制下导通，将参考电压传输至驱动晶体管MD的栅极。

其中，第一开关晶体管M1也称为数据写入晶体管，第二开关晶体管M2和第三开关晶体管M3也称为发光控制晶体管，第四开关晶体管M4也称为修正晶体管，第五开关晶体管M5也称为初始化晶体管。第一开关晶体管M1的沟道长度大于第二开关晶体管M2和第三开关管M3的沟道长度；第一开关晶体管M1的沟道长度的范围为3um～4um。即，第一开关晶体管M1的宽长比小于第二开关晶体管M2和第三开关管M3的宽长比。可选地，第一开关晶体管M1的沟道长度为3um、3.2um、3.4um、3.5um、3.7um、3.8um或者4um。

与现有技术中设置各开关晶体管的沟道长度均相等相比，本实用新型实施例这样设置，一方面，可以减小驱动晶体管MD在非数据写入阶段的漏电流，从而提升像素电路的性能；另一方面，避免了第一开关晶体管M1的沟道长度过大从而影响电流导通能力。具体分析如下：

图2为本实用新型实施例提供的一种像素电路的驱动时序示意图。参见图2，示例性地，该像素电路的驱动时序包括第一阶段T1，第二阶段T2和第三阶段T3。

第一阶段T1，也称为初始化阶段，第二扫描信号输入端S2输入第二扫描信号Vs2，第二扫描信号Vs2控制第五开关晶体管M5导通，参考电压通过第五开关晶体管M5写入驱动晶体管MD的栅极，对驱动晶体管MD的栅极进行初始化，确保驱动晶体管MD在第二阶段T2处于导通状态。

第二阶段T2，也称为数据写入阶段，第一扫描信号输入端S1输入第一扫描信号Vs1，第一扫描信号Vs1控制第一开关晶体管M1和第四开关晶体管M4导通，数据电压Vdata依次通过第一开关晶体管M1、驱动晶体管MD和第四开关晶体管M4写入驱动晶体管MD的栅极；数据电压Vdata为存储电容Cst充电。此时，存储电容Cst的电压为数据电压Vdata和驱动晶体管MD的阈值电压Vth的叠加，即Vg＝Vdata+Vth。存储电容Cst存储驱动晶体管MD的栅极的电位Vdata+Vth。

第三阶段T3，也称为发光阶段，发光控制输入端EM输入发光控制信号Vem，发光控制信号Vem控制第二开关晶体管M2和第三开关晶体管M3导通，从而使得驱动晶体管MD产生驱动电流，驱动发光器件OLED发光。驱动晶体管MD产生的驱动电流为：

Ids＝k(Vg-Vs-Vth)²＝k(Vdata+Vth-VDD-Vth)²

＝k(Vdata-VDD)²

式中，Ids为驱动晶体管MD产生的驱动电流；k为驱动晶体管MD的参数系数，对于同一驱动晶体管MD，k的大小可看作恒定值；Vg为驱动晶体管MD的栅极电压，Vs为驱动晶体管MD的源极电压。

由此，通过以上三个阶段，像素电路得以驱动发光器件OLED发光。然而，在第三阶段T3，由于第一开关晶体管M1存在漏电流，此时数据信号输入端DATA的其他数据信号值会通过第一开关晶体管M1并经过驱动晶体管MD和第四开关晶体管M4传输至驱动晶体管MD的栅极，从而改变驱动晶体管MD的栅极电压值，影响该像素电路的驱动效果，发光器件的发光亮度不稳定，使得像素电路的性能较差。

下面从显示面板的整体显示驱动的角度，分析第一开关晶体管M1产生漏电流的原因。

图3为本实用新型实施例提供的一种显示面板的电路示意图。参见图3，显示面板包括多条第一扫描线10、多条第二扫描线20、多条数据线30和多个像素电路40。一行像素电路40的第一扫描信号输入端与同一条第一扫描线10电连接，一行像素电路40的第二扫描信号输入端与同一条第二扫描线20电连接，一列像素电路40的数据信号输入端与同一条数据线30连接。多条第一扫描线10和多条第二扫描线20由栅极驱动模块50提供扫描信号，多条数据线30由源极驱动模块60提供数据信号。示例性地，该显示面板的驱动方法为，栅极驱动模块50生成第一扫描信号Vs1和第二扫描信号Vs2用以行选通；源极驱动模块60生成数据信号，像素电路40通过对应的数据线30接收源极驱动模块60发送的数据信号，显示面板依此实现显示功能。需要说明的是，当前行像素电路的第一扫描信号Vs1与下一行像素电路的第二扫描信号Vs2可以是同一扫描信号。

其中，在选通第一行像素时，数据线30在将第一行像素对应的数据信号写入第一行像素电路40；然后，在选通第二行像素时，数据线30又将第二行像素对应的数据信号写入第二行像素电路40，以此类推。当第一行像素电路处于第三阶段T3时，数据线30上的数据电压已经切换为第二行像素对应的数据电压。以驱动晶体管MD为P型晶体管为例，黑态(黑画面)数据电压高于亮态(白画面)数据电压。若第一行像素显示亮态，第二行像素显示黑态，且第一开关晶体管M1存在较大的关态漏电流，在第三阶段T3，由于第一行像素电路40的第一开关晶体管M1的关态漏电，数据线30上的第二行像素对应的黑态电压通过第一行像素电路40的第一开关晶体管M1，并经过驱动晶体管MD和第四开关晶体管M4，将第二行像素的黑态电压传输至第一行像素电路40，从而导致第一行像素电路40的驱动晶体管MD的栅极电压升高，发光器件的发光亮度降低，产生显示不良的现象，例如黑团现象。

经发明人研究发现，第一开关晶体管M1产生漏电流时，处于亚阈值区(Vgs≈0V)，在亚阈值区，第一开关晶体管M1的电流表示为以下公式：

由上式可见，增大第一开关晶体管M1的沟道长度Leff，减小第一开关晶体管M1的宽长比Weff/Leff能够降低第一开关晶体管M1在亚阈值区的漏电流。因此，本实用新型实施例减小了驱动晶体管MD在非数据写入阶段的漏电流，从而提升了发光器件OLED的亮度稳定性，提升了像素电路的性能，改善了显示面板的黑团现象等显示不良的现象。

另外，为了节省功耗，显示面板的刷新操作可兼容多个频率。当刷新频率降低时，为了减小存储电容Cst的漏电，可以通过增大存储电容Cst的电容值来减小驱动晶体管MD的漏电。然而，存储电容Cst增大会增加数据信号的写入时间，从而加剧第一开关晶体管M1的漏电情况，进一步劣化显示面板的显示效果，使得黑团现象更加严重。本实用新型实施例能够在低刷新频率，且存储电容Cst较大的情况下，降低黑团现象的发生概率。因此，本实用新型实施例可以兼顾像素电路的低功耗和高稳定性。

再者，当第一开关晶体管M1的沟道长度较小时，第一开关晶体管M1可能发生提前开启的情况，因此，第一开关晶体管M1的沟道长度不小于3um。本实用新型实施例可以有效防止第一开关晶体管M1提前开启，从而避免了第一开关晶体管M1关断性不佳而具有较大的漏电流，提升了像素电路的稳定性。另一方面，第一开关晶体管M1的沟道长度不大于4um，避免了第一开关晶体管M1的沟道长度过大从而影响驱动能力，并且也避免M1尺寸过大，导致像素电路面积过大而不利于实现高分辨率。

需要说明的是，在上述实施例中示例性地示出了驱动晶体管MD与第一电源输入端VDD连接的一端称为源极，驱动晶体管MD与发光器件OLED连接的一端称为漏极，并非对本实用新型的限定。由于驱动晶体管MD的源极和漏极是对称的，因此，也可以将驱动晶体管MD与第一电源输入端VDD连接的一端称为漏极，驱动晶体管MD与发光器件OLED连接的一端称为源极。

在上述各实施例的基础上，可选地，第一开关晶体管M1的沟道宽度大于第二开关晶体管M2和第三开关晶体管M3的沟道宽度。其中，对于开关晶体管来说，沟道宽度越大，其驱动能力越强。本发明实施例设置第一开关晶体管M1的沟道宽度大于第二开关晶体管M2和第三开关晶体管M3的沟道宽度，有利于提升第一开关晶体管M1驱动能力，提高电路工作速度。

可选地，第一开关晶体管M1的沟道宽度的范围为2.2um～3um，这样设置，一方面能够确保第一开关晶体管M1的驱动能力较强，另一方面，有利于设置第一开关晶体管M1的宽长比小于第二开关晶体管M2和第三开关晶体管M3的宽长比，从而抑制第一开关晶体管M1的漏电流。可选地，第一开关晶体管M1的沟道宽度可以设置为2.2um、2.3um、2.5um、2.8um、2.9um或者3um。

在上述各实施例的基础上，可选地，第二开关晶体管M2和第三开关晶体管M3的沟道长度的范围为：2.2um～3.2um；第一开关晶体管M1的沟道长度的范围为：3um～4um。示例性地，第二开关晶体管M2和第三开关晶体管M3的沟道长度为2.5um，第一开关晶体管M1的沟道长度为3um；或者第二开关晶体管M2和第三开关晶体管M3的沟道长度为3um，第一开关晶体管M1的沟道长度为3.5um；或者，第二开关晶体管M2和第三开关晶体管M3的沟道长度为3.2um，第一开关晶体管M1的沟道长度为4um。本实用新型实施例这样设置，使得第一开关晶体管M1可选沟道长度大于第二开关晶体管M2和第三开关晶体管M3可选沟道长度，有利于设置第一开关晶体管M1的沟道长度大于第二开关晶体管M2和第三开关管M3的沟道长度。

在上述各实施例的基础上，可选地，第二开关晶体管M2和第三开关晶体管M3的宽长比的范围为：0.7～1；第一开关晶体管M1的宽长比的范围为：0.6～1。示例性地，第二开关晶体管M2和第三开关晶体管M3的宽长比为0.7，第一开关晶体管M1的宽长比为0.6；或者，第二开关晶体管M2和第三开关晶体管M3的宽长比为0.8，第一开关晶体管M1的宽长比为0.7；或者，第二开关晶体管M2和第三开关晶体管M3的宽长比为1，第一开关晶体管M1的宽长比为0.9。本实用新型实施例这样设置，使得第一开关晶体管M1可选宽长比小于第二开关晶体管M2和第三开关晶体管M3可选宽长比，有利于设置第一开关晶体管M1的宽长比小于第二开关晶体管M2和第三开关管M3的宽长比。

图4为本实用新型实施例提供的另一种像素电路的电路示意图。参见图4，在上述各实施例的基础上，可选地，第一开关晶体管M1为双栅晶体管。其中，相比于单栅晶体管，双栅晶体管的沟道长度较长，能够减小第一开关晶体管M1在非数据写入阶段的漏电流，从而提升了发光器件OLED的亮度稳定性，提升了像素电路的性能，改善了显示面板的黑团现象等显示不良的现象。

继续参见图4，在上述各实施例的基础上，可选地，第四开关晶体管M4为双栅晶体管。其中，相比于单栅晶体管，双栅晶体管的沟道长度较长，能够减小漏电流，从而减小了存储电容Cst通过第四开关晶体管M4漏电，提升了发光器件OLED的亮度稳定性，提升了像素电路的性能。

继续参见图4，在上述各实施例的基础上，可选地，第五开关晶体管M5为双栅晶体管。其中，相比于单栅晶体管，双栅晶体管的沟道长度较长，能够减小漏电流，从而保持存储电容Cst中存储的电压，提升了发光器件OLED的亮度稳定性，提升了像素电路的性能。

图5为本实用新型实施例提供的又一种像素电路的电路示意图。继续参见图5，在上述各实施例的基础上，可选地，像素电路还包括第六开关晶体管M6，第六开关晶体管M6连接于参考电压输入端Vref和发光器件OLED的阳极之间，第六开关晶体管M6用于在第一扫描信号的控制下导通，将参考电压传输至发光器件OLED的阳极；第一开关晶体管M1的沟道长度大于第六开关晶体管M6的沟道长度第一开关晶体管M1的沟道宽度大于第六开关晶体管M6的沟道宽度。其中，第六晶体管也称为初始化晶体管，由于与第二开关晶体管M2和第三开关晶体管M3类似，第六开关晶体管M6的漏电流对发光器件OLED的影响较小，因此，可以设置第六开关晶体管M6的沟道宽长比与第二开关晶体管M2(第三开关晶体管M3)的沟道宽长比相等。同时设置第一开关晶体管M1的沟道长度大于第六开关晶体管M6的沟道长度，第一开关晶体管M1的沟道宽度大于第六开关晶体管M6的沟道宽度，这样，一方面能够减小第一开关晶体管M1的宽长比，减小第一开关晶体管M1的漏电流；另一方面，第六开关晶体管M6的沟道长度和宽度较小，有利于减小像素电路的尺寸，一方面有利于像素电路的布线，另一方面有利于提升显示面板的分辨率。

综上所述，本实用新型实施例设置第一开关晶体管M1的沟道长度大于第二开关晶体管M2和第三开关管M3的沟道长度；第一开关晶体管M1的沟道长度的范围为3um～4um，第一方面，避免了第一开关晶体管M1的沟道长度过大从而影响电流导通能力，同时降低了第一开关晶体管M1在亚阈值区的漏电流，从而减小了驱动晶体管MD在非数据写入阶段的漏电流，提升了发光器件OLED的亮度稳定性，提升了像素电路的性能，改善了显示面板的黑团现象等显示不良的现象。第二方面，当第一开关晶体管M1的沟道长度较小时，第一开关晶体管M1可能发生提前开启的情况，本实用新型实施例设置第一开关晶体管的沟道长度不小于3um，可以有效防止第一开关晶体管M1提前开启，从而避免了第一开关晶体管M1关断性不佳而产生较大的漏电流，提升了像素电路的稳定性。第三方面，本实用新型实施例降低了第四开关晶体管M4和第五开关晶体管M5的关态漏电流，从而减小了存储电容Cst的漏电。第四方面，第一开关晶体管的沟道长度不大于4um，保证第一开关晶体管具有较小的尺寸，减小像素电路的占用面积，从而有利于减小像素面积，提高分辨率。综上，本实用新型实施例可适用于显示面板刷新频率较低的情况，在节省功耗的基础上，有利于发光器件稳定发光，显示面板具有良好的画质。

本实用新型实施例还提供了一种显示面板。该显示面板包括呈阵列排布的发光器件和如本实用新型任意实施例所提供的像素电路，像素电路与发光器件电连接，像素电路用于向对应的发光器件提供驱动电流。本实用新型实施例提供的显示面板包括本实用新型任意实施例所提供的像素电路，其技术原理和产生的效果类似，这里不再赘述。

注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种像素电路，其特征在于，包括：

驱动晶体管，所述驱动晶体管用于驱动发光器件发光；

存储电容，所述存储电容连接于第一电源输入端和所述驱动晶体管的栅极之间，所述存储电容用于存储所述驱动晶体管栅极的电压；

第一开关晶体管，所述第一开关晶体管连接于数据信号输入端和所述驱动晶体管的第一极之间，所述第一开关晶体管用于在第一扫描信号的控制下导通，将数据信号施加至所述驱动晶体管的第一极；

第二开关晶体管，所述第二开关晶体管连接于所述第一电源输入端和所述驱动晶体管之间；所述第二开关晶体管用于在发光控制信号的控制下导通，将第一电源施加至所述驱动晶体管的第一极；

第三开关晶体管，所述第三开关晶体管连接于所述驱动晶体管和所述发光器件之间；所述第三开关晶体管用于在发光控制信号的控制下导通，将所述驱动晶体管的驱动电流导通至所述发光器件；

第四开关晶体管，所述第四开关晶体管连接于所述驱动晶体管的第二极和栅极之间；所述第一开关晶体管和所述第四开关晶体管用于在第一扫描信号的控制下导通，将所述数据信号修正后写入所述驱动晶体管的栅极；

第五开关晶体管，所述第五开关晶体管连接于参考电压输入端和所述驱动晶体管的栅极之间；所述第五开关晶体管用于在第二扫描信号的控制下导通，将参考电压传输至所述驱动晶体管的栅极；

其中，所述第一开关晶体管的沟道长度大于所述第二开关晶体管和所述第三开关管的沟道长度；所述第一开关晶体管的沟道长度的范围为3um～4um。

2.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一开关晶体管的沟道宽度大于所述第二开关晶体管和所述第三开关管的沟道宽度。

3.根据权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述第一开关晶体管的沟道宽度的范围为2.2um～3um。

4.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一开关晶体管的宽长比小于所述第二开关晶体管和所述第三开关管的宽长比。

5.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述像素电路中所述第二开关晶体管和所述第三开关管的沟道长度的范围为2.2um～3.2um。

6.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第二开关晶体管和所述第三开关管的宽长比的范围为0.7～1；

所述第一开关晶体管的宽长比的范围为0.6～1。

7.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第一开关晶体管为双栅晶体管。

8.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述第四开关晶体管和所述第五开关晶体管均为双栅晶体管。

9.根据权利要求1所述的像素电路，其特征在于，还包括：第六开关晶体管，所述第六开关晶体管连接于参考电压输入端和所述发光器件的阳极之间，所述第六开关晶体管用于在第一扫描信号的控制下导通，将参考电压传输至所述发光器件的阳极；所述第一开关晶体管的沟道长度大于所述第六开关晶体管的沟道长度；所述第一开关晶体管的沟道宽度大于所述第六开关晶体管的沟道宽度。

10.一种显示面板，其特征在于，包括：呈阵列排布的发光器件和如权利要求1-9任一项所述的像素电路，所述像素电路与所述发光器件电连接，所述像素电路用于向对应的发光器件提供驱动电流。

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