CN112365844A - 像素驱动电路及显示面板 - Google Patents

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CN112365844A CN202011450250.7A CN202011450250A CN112365844A CN 112365844 A CN112365844 A CN 112365844A CN 202011450250 A CN202011450250 A CN 202011450250A CN 112365844 A CN112365844 A CN 112365844A
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张淑媛
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Abstract

本申请提供一种像素驱动电路及显示面板，该像素驱动电路利用复位模块在第一扫描信号线的控制下复位驱动模块，利用数据写入模块将数据信号电压写入驱动模块，并利用驱动模块驱动发光元件发光，在上述驱动过程中，通过存储电容模块调整输出的电容值来稳定驱动模块的控制端的电位，当像素驱动电路处于高频工作时输出电容值较小的第一电容值，从而满足高频显示时需要存储电容相对小而使驱动模块的控制端的电压快速变化的要求；而当像素驱动电路处于低频工作时输出电容值较大的第二电容值，从而满足低频显示时需要存储电容相对大而使驱动模块的控制端的电压长期保持稳定的要求，由此使得该像素驱动电路能够同时适用于高频和低频显示的要求。

Description

像素驱动电路及显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素驱动电路及显示面板。
背景技术
有机发光二极管显示面板(OLED，Organic Light Emitting Display)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、色彩鲜艳、对比度高、宽视角、响应速度快、功耗低等优点，已发展成为最具有发展潜力的显示面板。
由于低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)的迁移率更高、驱动能力更强，因此LTPS薄膜晶体管更广泛地应用于OLED显示面板中而作为像素驱动电路的驱动晶体管，但是，LTPS薄膜晶体管的漏电流较大，尤其是在低频显示时由于漏电流较大而容易导致栅极电压不稳定，而目前通常采用的像素驱动电路一般为单电容结构，即仅仅通过一个存储电容来稳定驱动晶体管的栅极电压，这在低频显示时可能会由于发光元件的发光阶段时长过长而无法长时间维持驱动晶体管的栅极电压的稳定，从而导致发光元件闪烁。如果将存储电容增大，则虽然能满足低频显示，但是可能又无法满足高频显示时由于需要在短时间内使发光元件达到指定亮度，因此需要复位阶段和补偿阶段时长尽量短的要求。
因此，有必要提出一种像素驱动电路，以解决目前采用单电容结构的像素驱动电路无法同时满足高频显示和低频显示的需求的技术问题。
发明内容
为了解决上述问题，本申请提供一种像素驱动电路，该像素驱动电路包括包括驱动模块、复位模块、数据写入模块、存储电容模块和发光元件。
所述驱动模块的控制端连接第一节点，所述驱动模块的输入端通过第二节点接入恒压高电位，所述驱动模块的输出端连接第三节点。
所述复位模块的控制端连接第一扫描信号线，所述复位模块的输入端连接复位信号线，所述复位模块的输出端连接所述第一节点和所述发光元件的阳极。
所述数据写入模块的控制端连接第二扫描信号线，所述数据写入模块的输入端连接数据信号线，所述数据写入模块的输出端连接所述第二节点。
所述存储电容模块的控制端连接第三扫描信号线，所述存储电容模块的输入端接入所述恒压高电位，所述存储电容模块的输出端连接所述第一节点。
所述发光元件的阳极连接所述第三节点，所述发光元件的阴极接入恒压低电位。
其中，所述存储电容模块用于在所述第三扫描信号线的控制下，当所述像素驱动电路处于高频工作时输出第一电容值，并当所述像素驱动电路处于低频工作时输出第二电容值，所述第二电容值大于所述第一电容值。
在一些实施例中，所述存储电容模块包括第一存储电容、第二存储电容和切换单元。
所述第一存储电容的第一端接入所述恒压高电位，所述第一存储电容的第二端连接所述第一节点。
所述第二存储电容的第一端接入所述恒压高电位，所述第二存储电容的第二端连接所述切换单元的输入端。
所述切换单元的控制端连接所述第三扫描信号线，所述切换单元的输出端连接所述第一节点。
其中，当所述像素驱动电路处于高频工作时，所述切换单元断开，以使得所述存储电容模块通过所述第一存储电容输出所述第一电容值；当所述像素驱动电路处于低频工作时，所述切换单元闭合，以使得所述存储电容模块通过所述第一存储电容和所述第二存储电容并联输出所述第二电容值。
在一些实施例中，所述像素驱动电路还包括补偿模块，所述补偿模块的控制端连接第四扫描信号线，所述补偿模块的输入端连接所述第一节点，所述补偿模块的输出端连接所述第三节点。
在一些实施例中，所述像素驱动电路还包括第一发光控制模块和第二发光控制模块。
所述第一发光控制模块的控制端和所述第二发光控制模块的控制端均分别连接发光信号线，所述第一发光控制模块的输入端接入所述恒压高电位，所述第一发光控制模块的输出端连接所述第二节点，所述第二发光控制模块的输入端连接所述第三节点，所述第二发光控制模块的输出端连接所述发光元件的阳极。
在一些实施例中，所述驱动模块包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述第一节点，所述第一薄膜晶体管的源极连接所述第三节点，所述第一薄膜晶体管的漏极通过所述第二节点连接所述恒压高电位。
在一些实施例中，所述数据写入模块包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的栅极连接所述第二扫描信号线，所述第二薄膜晶体管的源极连接所述数据信号线，所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述第二节点。
在一些实施例中，所述复位模块包括第三薄膜晶体管和第八薄膜晶体管。
所述第三薄膜晶体管的栅极连接所述所述第一扫描信号线，所述第三薄膜晶体管的源极连接所述复位信号线，所述第三薄膜晶体管的漏极连接所述第一节点。
所述第八薄膜晶体管的栅极连接所述第四扫描信号线，所述第八薄膜晶体管的源极连接所述发光元件的阳极，所述第八薄膜晶体管的漏极连接所述复位信号线。
在一些实施例中，所述切换单元包括第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管的栅极连接所述第三扫描信号线，所述第四薄膜晶体管的源极连接所述第一节点，所述第四薄膜晶体管的漏极连接所述第二存储电容的第二端。
在一些实施例中，所述补偿模块包括第五薄膜晶体管，所述第五薄膜晶体管的栅极连接所述第四扫描信号线，所述第五薄膜晶体管的源极连接所述第二节点，所述第五薄膜晶体管的漏极连接所述第一节点。
在一些实施例中，所述第一发光控制模块包括第六薄膜晶体管，所述第二发光控制模块包括第七薄膜晶体管，所述第六薄膜晶体管的栅极和所述第七薄膜晶体管的栅极均分别连接发光信号线，所述第六薄膜晶体管的源极连接所述第二节点，所述第六薄膜晶体管的漏极接入所述恒压高电位，所述第七薄膜晶体管的源极连接所述发光元件的阳极，所述第七薄膜晶体管的漏极连接所述第三节点。
在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管和所述第七薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管和所述第八薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管。
在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管和所述第七薄膜晶体管为P型薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管和所述第八薄膜晶体管为N型薄膜晶体管。
另外，本申请实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括如上所述的像素驱动电路。
本申请提供一种像素驱动电路及显示面板，该像素驱动电路利用复位模块在第一扫描信号线的控制下通过复位信号线复位驱动模块，利用数据写入模块在第二扫描信号线的控制下通过数据信号线将数据信号电压写入驱动模块，并利用驱动模块在恒压高电位的控制下驱动发光元件发光，在上述驱动过程中，根据像素驱动电路的不同工作状态，通过存储电容模块在第三扫描信号线的控制下调整输出的电容值来稳定驱动模块的控制端的电位，当像素驱动电路处于高频工作时输出电容值较小的第一电容值，从而满足高频显示时需要存储电容相对小而使驱动模块的控制端的电压快速变化的要求；而当像素驱动电路处于低频工作时输出电容值较大的第二电容值，从而满足低频显示时需要存储电容相对大而使驱动模块的控制端的电压长期保持稳定的要求，由此使得该像素驱动电路能够同时适用于高频和低频显示的要求，提升像素驱动电路的稳定性。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的像素驱动电路的第一种电路结构示意图。
图2为本申请实施例提供的像素驱动电路的第二种电路结构示意图。
图3为本申请实施例提供的像素驱动电路的第三种电路结构示意图。
图4为本申请实施例提供的像素驱动电路处于低频工作的电路结构示意图。
图5为本申请实施例提供的像素驱动电路处于低频工作的时序示意图。
图6为本申请实施例提供的像素驱动电路处于高频工作状态的电路结构示意图。
图7为本申请实施例提供的像素驱动电路处于高频工作状态的时序示意图。
图8为本申请实施例提供的显示面板的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请所有实施例为区分薄膜晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。由于薄膜晶体管的源极和漏极是对称的，因此其源极和漏极是可以互换的。按附图中的形态规定薄膜晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、信号输出端为漏极。此外，本申请所有实施例为的薄膜晶体管可以包括P型和/或N型晶体管两种，其中，P型薄膜晶体管在栅极为低电位时打开，在栅极为高电位时关闭；N型薄膜晶体管在栅极为高电位时打开，在栅极为低电位时关闭。
图1为本申请实施例提供的像素驱动电路的第一种电路结构示意图，如图1所示，该像素驱动电路包括驱动模块100、数据写入模块200、复位模块300、存储电容模块400和发光元件OLED。
驱动模块100的控制端连接第一节点A，驱动模块100的输入端通过第二节点B接入恒压高电位Vdd，驱动模块100的输出端连接第三节点C。
数据写入模块200的控制端连接第二扫描信号线Scan2，数据写入模块200的输入端连接数据信号线Data，数据写入模块200的输出端连接第二节点B。
复位模块300的控制端连接第一扫描信号线Scan1，复位模块300的输入端连接复位信号线，复位模块300的输出端连接第一节点A和发光元件OLED的阳极。
存储电容模块400的控制端连接第三扫描信号线Scan3，存储电容模块400的输入端接入恒压高电位Vdd，存储电容模块400的输出端连接第一节点A。
发光元件OLED的阳极分别与复位信号线和第三节点C连接，发光元件OLED的阴极接入恒压低电位Vss。
其中，存储电容模块400用于在第三扫描信号线Scan3的控制下，当像素驱动电路处于高频工作时输出第一电容值，并当像素驱动电路处于低频工作时输出第二电容值，第二电容值大于第一电容值。
本申请实施例提供的像素驱动电路，利用复位模块300在第一扫描信号线Scan1的控制下通过复位信号线复位驱动模块100，利用数据写入模块200通过数据信号线Data在第二扫描信号线Scan2的控制下将数据信号电压Vdata写入驱动模块100，并利用驱动模块100在恒压高电位Vdd的控制下驱动发光元件OLED发光，在上述驱动过程中，根据像素驱动电路的不同工作状态，通过存储电容模块400在第三扫描信号线Scan3的控制下调整输出的电容值来稳定驱动模块100的控制端的电位，当像素驱动电路处于高频工作时输出电容值较小的第一电容值，从而满足高频显示时需要存储电容相对小而使驱动模块100的控制端的电压快速变化的要求；而当像素驱动电路处于低频工作时输出电容值较大的第二电容值，从而满足低频显示时需要存储电容相对大而使驱动模块100的控制端的电压长期保持稳定的要求，由此使得该像素驱动电路能够同时适用于高频和低频显示的要求，提升像素驱动电路的稳定性。
图2为本申请实施例提供的像素驱动电路的第二种电路结构示意图，如图2所示，存储电容模块400包括第一存储电容C1、第二存储电容C2和切换单元401。
第一存储电容C1的第一端接入恒压高电位Vdd，第一存储电容C1的第二端连接第一节点A。
第二存储电容C2的第一端接入恒压高电位Vdd，第二存储电容C2的第二端连接切换单元401的输出端。
切换单元401的控制端连接第三扫描信号线Scan3，切换单元401的输入端连接第一节点A。
其中，当像素驱动电路处于高频工作时，切换单元401断开，以使得存储电容模块400通过第一存储电容C1输出第一电容值；当像素驱动电路处于低频工作时，切换单元401闭合，以使得存储电容模块400通过第一存储电容C1和第二存储电容C2并联输出第二电容值。即，第一电容值为第一存储电容C1的电容值，第二电容值为第一存储电容C1和第二存储电容C2并联的电容值C1+C2。可以理解的是，第一存储电容C1的电容值和第二存储电容C2的电容值可以相同，也可以不同，可根据实际情况设置第一存储电容C1的电容值和第二存储电容C2的电容值。
本申请实施例提供的存储电容模块400，通过在第一存储电容C1上并联第二存储电容C2且通过切换单元401控制第二存储电容C2的工作状态，使得该像素驱动电路的总存储电容的大小能通过选择第二存储电容C2是否工作而灵活转换，当像素驱动电路处于低频工作时，选择第二存储电容C2处于工作状态，通过第一存储电容C1和第二存储电容C2共同稳定驱动模块100的控制端的电位，从而满足低频显示时需要存储电容相对大而使驱动模块100的控制端的电压长期保持稳定的要求；当该像素驱动电路处于高频工作时，选择第二存储电容C2处于非工作状态，仅通过第一存储电容C1稳定驱动模块100的控制端的电位，从而满足高频显示时需要存储电容相对小而使驱动模块100的控制端的电压快速变化的要求，由此使得该像素驱动电路能够同时适用于高频和低频显示的要求，提升像素驱动电路的稳定性。
进一步地，该像素驱动电路还包括补偿模块500，补偿模块500的控制端连接第四扫描信号线Scan4，补偿模块500的输入端连接第一节点A，补偿模块500的输出端连接第三节点C。
进一步地，像素驱动电路还包括第一发光控制模块600和第二发光控制模块700；第一发光控制模块600的控制端和第二发光控制模块700的控制端均分别连接发光信号线EM，第一发光控制模块600的输入端接入恒压高电位Vdd，第一发光控制模块600的输出端连接第二节点B，第二发光控制模块700的输入端连接第三节点C，第二发光控制模块700的输出端连接发光元件OLED的阳极。
图3为本申请实施例提供的像素驱动电路的第三种电路结构示意图，如图3所示，驱动模块100包括第一薄膜晶体管T1，第一薄膜晶体管T1的栅极连接第一节点A，第一薄膜晶体管T1的源极连接第三节点C，第一薄膜晶体管T1的漏极通过第二节点B连接恒压高电位Vdd。
数据写入模块200包括第二薄膜晶体管T2，第二薄膜晶体管T2的栅极连接第二扫描信号线Scan2，第二薄膜晶体管T2的源极连接数据信号线Data，第二薄膜晶体管T2的漏极连接第二节点B。
复位模块300包括第三薄膜晶体管T3和第八薄膜晶体管T8，第三薄膜晶体管T3的栅极连接第一扫描信号线Scan1，第三薄膜晶体管T3的源极连接复位信号线，第三薄膜晶体管T3的漏极连接第一节点A。第八薄膜晶体管T8的栅极连接第四扫描信号线Scan4，第八薄膜晶体管T8的源极连接发光元件OLED的阳极，第八薄膜晶体管T8的漏极连接复位信号线。
存储电容模块400的切换单元401包括第四薄膜晶体管T4，第四薄膜晶体管T4的栅极连接第三扫描信号线Scan3，第四薄膜晶体管T4的源极连接第一节点A，第四薄膜晶体管T4的漏极连接第二存储电容C2的第二端。
补偿模块500包括第五薄膜晶体管T5，第五薄膜晶体管T5的栅极连接第四扫描信号线Scan4，第五薄膜晶体管T5的源极连接第二节点B，第五薄膜晶体管T5的漏极连接第一节点A。
第一发光控制模块600包括第六薄膜晶体管T6，第二发光控制模块700包括第七薄膜晶体管T7，第六薄膜晶体管T6的栅极和第七薄膜晶体管T7的栅极均分别连接发光信号线EM，第六薄膜晶体管T6的源极连接第二节点B，第六薄膜晶体管T6的漏极接入恒压高电位Vdd，第七薄膜晶体管T7的源极连接发光元件OLED的阳极，第七薄膜晶体管T7的漏极连接第三节点C。
另外，由于低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)薄膜晶体管比铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide，IGZO)薄膜晶体管的迁移率更高、驱动能力更强，因此LTPS薄膜晶体管比IGZO薄膜晶体管更广泛地应用于显示面板中，但是，LTPS薄膜晶体管比IGZO薄膜晶体管的漏电流大，尤其是在低频显示时由于漏电流大LTPS薄膜晶体管的闪烁尤其明显，而IGZO薄膜晶体管则正好可以弥补LTPS薄膜晶体管的不足，将两者充分结合起来充分利用各自的优点，能使显示面板同时具有强驱动能力和低功率消耗的特别，同时适用于高频显示和低频显示，这就是目前显示面板领域炙手可热的低温多晶氧化物(LTPO)显示技术。
基于此，本申请实施例利用LTPO显示技术，结合低温多晶硅(LTPS)和氧化铟镓锌(IGZO)两种薄膜晶体管，将IGZO薄膜晶体管作为像素驱动电路中易漏电处的薄膜晶体管，例如与驱动晶体管的栅极连接的薄膜晶体管，以防止低频驱动时驱动晶体管栅极的电荷漏走，从而使像素驱动电路适于实现低频驱动，减少闪烁现象的同时降低显示面板的功耗。
具体地，第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第四薄膜晶体管T4、第六薄膜晶体管T6和第七薄膜晶体管T7为LTPS薄膜晶体管，第三薄膜晶体管T3、第五薄膜晶体管T5和第八薄膜晶体管T8为IGZO薄膜晶体管。这样，由于第三薄膜晶体管T3、第五薄膜晶体管T5和第五薄膜晶体管T5采用氧化物薄膜晶体管，因此漏电流较小，能够减少第一薄膜晶体管T1的栅极流走的电荷，使第一薄膜晶体管T1的栅极的电压保持稳定。尤其是在低频显示时，在第一存储电容C1和第二存储电容C2共同工作的基础上，还能通过第五薄膜晶体管T5和第五薄膜晶体管T5采用IGZO薄膜晶体管，进一步提高第一薄膜晶体管T1的栅极电压的稳定性，从而使流经发光元件OLED的电流更加保持稳定。
需要说明的是，IGZO薄膜晶体管由于工艺限制一般只能做成N型薄膜晶体管，而LTPS薄膜晶体管可以做成N型薄膜晶体管或P型薄膜晶体管，且由于P型薄膜晶体管比N型薄膜晶体管尺寸更小且更易于进行阈值补偿，因此LTPS薄膜晶体管一般采用P型薄膜晶体管。
基于此，该像素驱动电路中的第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第四薄膜晶体管T4、第六薄膜晶体管T6和第七薄膜晶体管T7为P型薄膜晶体管，第三薄膜晶体管T3、第五薄膜晶体管T5和第八薄膜晶体管T8为N型薄膜晶体管。
本申请实施例提供的像素驱动电路的工作流程依次包括复位阶段、写入阶段和发光阶段，以下分别说明该像素驱动电路在低频工作状态和高频工作状态的工作流程。
图4为本申请实施例提供的像素驱动电路处于低频工作的电路结构示意图，图5为本申请实施例提供的像素驱动电路处于低频工作的时序示意图，如图4和图5所示，当该像素驱动电路处于低频工作时，第八薄膜晶体管T8始终使第四薄膜晶体管T4处于打开状态，该像素驱动电路的工作流程依次包括低频复位阶段t1、低频写入阶段t2和低频发光阶段t3。
在低频复位阶段t1，第一扫描信号线Scan1和第二扫描信号线Scan2提供高电位信号，第三扫描信号线Scan3和第四扫描信号线Scan4提供低电位信号，发光信号线EM提供高电位信号，从而使第二薄膜晶体管T2、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7和第八薄膜晶体管T8关闭，第一薄膜晶体管T1、第三薄膜晶体管T3和第四薄膜晶体管T4打开，复位信号线提供初始化电压Vi至第一节点A，第一薄膜晶体管T1打开。
在低频写入阶段t2，第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和第三扫描信号线Scan3提供低电位信号，第四扫描信号线Scan4提供高电位信号，发光信号线EM提供高电位信号，从而使第三薄膜晶体管T3、第六薄膜晶体管T6和第七薄膜晶体管T7关闭，此时，第一存储电容C1和第二存储电容C2共同使第一节点A的电位保持为Vi，第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5和第八薄膜晶体管T8打开，数据信号线Data将数据信号Vdata写入第二节点B并经过第一薄膜晶体管T1和第五薄膜晶体管T5向第一节点A充电，同时，复位信号线提供初始化电压Vi至发光元件OLED的阳极；当第一薄膜晶体管T1截止时，第一节点A的电位为Vdata+Vth，由此使得第一存储电容C1和第二存储电容C2共同完成对阈值电压Vth的检测和抓取。
在低频发光阶段t3，第一扫描信号线Scan1、第三扫描信号线Scan3和第四扫描信号线Scan4提供低电位信号，第二扫描信号线Scan2提供高电位信号，发光信号线EM提供低电位信号，从而使第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第五薄膜晶体管T5和第八薄膜晶体管T8关闭，第四薄膜晶体管T4、第六薄膜晶体管T6和第七薄膜晶体管T7打开，此时，第一存储电容C1和第二存储电容C2共同使第一薄膜晶体管T1的栅极(第一节点A)的电位保持为Vdata+Vth，第一薄膜晶体管T1打开，第一薄膜晶体管T1的源极(第二节点B)的电位为Vdd，第一薄膜晶体管T1的栅源极电压差为Vdata+Vth-Vdd。根据流经发光元件OLED的电流公式I＝K(Vgs-Vth)2，其中，I为流经发光元件OLED的电流，K为第一薄膜晶体管T1的本征导电因子，Vgs为驱动晶体管即第一薄膜晶体管T1的栅源极电压差，Vth为第一薄膜晶体管T1的阈值电压，可知此时流经发光元件OLED的电流实际为：I＝K(Vgs-Vth)2＝K(Vdata+Vth-Vdd-Vth)2＝K(Vdata-Vdd)2，由此使得发光元件OLED发光，且流经发光元件OLED的电流与第一薄膜晶体管T1的阈值电压Vth无关，即该像素驱动电路还对第一薄膜晶体管T1的阈值电压Vth完成了补偿。
本申请实施例中，该像素驱动电路处于低频工作，第四薄膜晶体管T4使第二存储电容C2处于工作状态，第一存储电容C1和第二存储电容C2用于共同稳定驱动模块100的控制端的电位，从而满足低频显示时由于低频发光阶段t3的时长较长，需要存储电容相对大而使驱动模块100的控制端的电压长期保持稳定的要求。
图6为本申请实施例提供的像素驱动电路处于高频工作状态的电路结构示意图，图7为本申请实施例提供的像素驱动电路处于高频工作状态的时序示意图，如图6和图7所示，当该像素驱动电路处于高频工作时，第八薄膜晶体管T8始终使第四薄膜晶体管T4处于关闭状态，该像素驱动电路的工作流程依次包括高频复位阶段t4、高频写入阶段t5和高频发光阶段t6。
在高频复位阶段t4，第一扫描信号线Scan1、第二扫描信号线Scan2和第三扫描信号线Scan3提供高电位信号，第四扫描信号线Scan4提供低电位信号，发光信号线EM提供高电位信号，从而使第二薄膜晶体管T2、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7和第八薄膜晶体管T8关闭，第一薄膜晶体管T1和第三薄膜晶体管T3打开，复位信号线提供初始化电压Vi至第一节点A，第一薄膜晶体管T1打开。
在高频写入阶段t5，第一扫描信号线Scan1和第二扫描信号线Scan2提供低电位信号，第三扫描信号线Scan3和第四扫描信号线Scan4提供高电位信号，发光信号线EM提供高电位信号，从而使第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第六薄膜晶体管T6和第七薄膜晶体管T7关闭，此时，第一存储电容C1使第一节点A的电位保持为Vi，第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第五薄膜晶体管T5和第八薄膜晶体管T8打开，数据信号线Data将数据信号Vdata写入第二节点B并经过第一薄膜晶体管T1和第五薄膜晶体管T5向第一节点A充电，同时，复位信号线提供初始化电压Vi至发光元件OLED的阳极；当第一薄膜晶体管T1截止时，第一节点A的电位为Vdata+Vth，由此使得第一存储电容C1完成对阈值电压Vth的检测和抓取。
在高频发光阶段t6，第一扫描信号线Scan1和第四扫描信号线Scan4提供低电位信号，第二扫描信号线Scan2和第三扫描信号线Scan3提供高电位信号，发光信号线EM提供低电位信号，从而使第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4、第五薄膜晶体管T5和第八薄膜晶体管T8关闭，第六薄膜晶体管T6和第七薄膜晶体管T7打开，此时，第一存储电容C1使第一薄膜晶体管T1的栅极(第一节点A)的电位保持为Vdata+Vth，第一薄膜晶体管T1打开，第一薄膜晶体管T1的源极(第二节点B)的电位为Vdd，第一薄膜晶体管T1的栅源极电压差为Vdata+Vth-Vdd。根据流经发光元件OLED的电流公式I＝K(Vgs-Vth)2，其中，I为流经发光元件OLED的电流，K为第一薄膜晶体管T1的本征导电因子，Vgs为驱动晶体管即第一薄膜晶体管T1的栅源极电压差，Vth为第一薄膜晶体管T1的阈值电压，可知此时流经发光元件OLED的电流实际为：I＝K(Vgs-Vth)＝K(Vdata+Vth-Vdd-Vth)2＝K(Vdata-Vdd)2，由此使得发光元件OLED发光，且流经发光元件OLED的电流与第一薄膜晶体管T1的阈值电压Vth无关，即该像素驱动电路还对第一薄膜晶体管T1的阈值电压Vth完成了补偿。
本申请实施例中，该像素驱动电路处于高频工作状态，第四薄膜晶体管T4使第二存储电容C2处于非工作状态，仅通过第一存储电容C1稳定驱动模块100的控制端的电位，从而满足高频显示时由于需要快速复位及补偿，从而在短时间内达到指定的亮度，即高频复位阶段t4和高频补偿阶段t5的时长较短，需要存储电容相对小而使驱动模块100的控制端的电压快速变化的要求。
根据上述该像素驱动电路低频显示和高频显示的具体工作流程可以知道，该像素驱动电路能够通过切换单元401控制第二存储电容C2的工作状态，使得该像素驱动电路的总存储电容的大小能通过选择第二存储电容C2是否工作而灵活转换，由此使该像素驱动电路同时适用于高频和低频显示的要求。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括如上所述的像素驱动电路，该显示面板与该像素驱动电路具有相同的结构和有益效果，由于上述各实施例已经对该像素驱动电路进行了详细的描述，此处不再赘述。
图8为本申请实施例提供的显示面板的剖面结构示意图，如图8所示，左侧分布LTPS薄膜晶体管，右侧分布IGZO薄膜晶体管。
具体地，缓冲层110布置在基板101上，第一半导体层120布置在缓冲层110上，第一栅绝缘层130布置在第一半导体层120上，第一半导体层120划分为源极121、沟道部分122、漏极123，第一栅极140与源极121，沟道122及漏极123构成LTPS薄膜晶体管的栅极、源极、漏极。第二栅绝缘层150布置在第一栅极140上，第二栅极160中的161部分与第一栅极140构成第一存储电容C1和第二存储电容C2的上下电极。第三栅绝缘层170覆盖在第二栅极160上，第二半导体层180布置在第三绝缘层170上，第二半导体层180可以划分为源极181、沟道182、漏极183，第四栅绝缘层190布置在第二半导体180上，第三栅极201与第二半导体层的源极181，沟道182，漏极183形成IGZO薄膜晶体管的栅极、源极、漏极，第二栅极160中的162部分构成IGZO薄膜晶体管中的底栅部分，第五栅绝缘层210布置在第三栅极201上，第一金属导电材料220布置在第五绝缘层210上，第一金属导电材料220通过对下方绝缘层的开孔与LTPS薄膜晶体管和IGZO薄膜晶体管的栅极，源极，漏极连接；第六栅绝缘层230布置在第一金属导电层220上，第二导电金属层240布置在第六栅绝缘层230上，通过第六绝缘层230的开孔与第一金属导电材料220连接，第七栅绝缘层250布置在第二导电金属层240上，阳极260布置在第七绝缘层250上，阳极260通过下方第七栅绝缘层250的开孔与第二导电金属层240连接，像素定义层280布置在阳极260上，像素定义层280的开孔形状与显示面板中子像素的图案一致，有机发光层270通过像素定义层280的开孔与下方的阳极260接触，最上方为封装层290，其材料包括有机材料与无机材料的组合。
其中，基板101可包括绝缘材料，例如玻璃、石英、陶瓷或塑料等；缓冲层110可包括多种有机材料与无机材料，半导体层的衬底材料可以为N型或P型多晶硅半导体，第一栅绝缘层130的材料可以为氮化硅或者氧化硅，第一栅极140的材料为金属材料Mo，第二栅绝缘层150的材料可包括氮化硅或者氧化硅，第二栅极160的材料为金属Mo，第三栅绝缘层170的材料可包括氮化硅或者氧化硅，第二半导体层180的材料为氧化物半导体，第四栅绝缘层190的材料可包括氮化硅或者氧化硅，第三栅极201材料为金属Mo，第五栅绝缘层210的材料可包括氮化硅或者氧化硅，第一金属导电材料220的材料采用金、银、铜、锂、钠、钾、镁、铝、锌及其组合，第六栅绝缘层230的材料可以为采用有机材料或者无机材料及其混合物，第二导电金属层240的材料采用金、银、铜、锂、钠、钾、镁、铝、锌及其组合，第七栅绝缘层250的材料可以采用有机材料或者无机材料及其混合物，阳极260的材料为ITO与Ag的组合，封装层290的材料包括有机材料与无机材料的组合。
需要说明的是，第二导电金属层240在投影方向上覆盖住IGZO薄膜晶体管即第三薄膜晶体管T3、第四薄膜晶体管T4和第八薄膜晶体管T5，以避免封装层290中的氢元素和氧元素使IGZO薄膜晶体管的阈值电压产生漂移，从而导致IGZO薄膜晶体管的性能不稳定。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (12)

1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括驱动模块、复位模块、数据写入模块、存储电容模块和发光元件；
所述驱动模块的控制端连接第一节点，所述驱动模块的输入端通过第二节点接入恒压高电位，所述驱动模块的输出端连接第三节点；
所述复位模块的控制端连接第一扫描信号线，所述复位模块的输入端连接复位信号线，所述复位模块的输出端连接所述第一节点和所述发光元件的阳极；
所述数据写入模块的控制端连接第二扫描信号线，所述数据写入模块的输入端连接数据信号线，所述数据写入模块的输出端连接所述第二节点；
所述存储电容模块的控制端连接第三扫描信号线，所述存储电容模块的输入端接入所述恒压高电位，所述存储电容模块的输出端连接所述第一节点；
所述发光元件的阳极连接所述第三节点，所述发光元件的阴极接入恒压低电位；
其中，所述存储电容模块用于在所述第三扫描信号线的控制下，当所述像素驱动电路处于高频工作时输出第一电容值，并当所述像素驱动电路处于低频工作时输出第二电容值，所述第二电容值大于所述第一电容值。
2.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述存储电容模块包括第一存储电容、第二存储电容和切换单元；
所述第一存储电容的第一端接入所述恒压高电位，所述第一存储电容的第二端连接所述第一节点；
所述第二存储电容的第一端接入所述恒压高电位，所述第二存储电容的第二端连接所述切换单元的输入端；
所述切换单元的控制端连接所述第三扫描信号线，所述切换单元的输出端连接所述第一节点；
其中，当所述像素驱动电路处于高频工作时，所述切换单元断开，以使得所述存储电容模块通过所述第一存储电容输出所述第一电容值；当所述像素驱动电路处于低频工作时，所述切换单元闭合，以使得所述存储电容模块通过所述第一存储电容和所述第二存储电容并联输出所述第二电容值。
3.如权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述像素驱动电路还包括补偿模块，所述补偿模块的控制端连接第四扫描信号线，所述补偿模块的输入端连接所述第一节点，所述补偿模块的输出端连接所述第三节点。
4.如权利要求3所述的像素驱动电路，其特征在于，所述像素驱动电路还包括第一发光控制模块和第二发光控制模块；
所述第一发光控制模块的控制端和所述第二发光控制模块的控制端均分别连接发光信号线，所述第一发光控制模块的输入端接入所述恒压高电位，所述第一发光控制模块的输出端连接所述第二节点，所述第二发光控制模块的输入端连接所述第三节点，所述第二发光控制模块的输出端连接所述发光元件的阳极。
5.如权利要求4所述的像素驱动电路，其特征在于，所述驱动模块包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述第一节点，所述第一薄膜晶体管的源极连接所述第三节点，所述第一薄膜晶体管的漏极通过所述第二节点连接所述恒压高电位。
6.如权利要求5所述的像素驱动电路，其特征在于，所述数据写入模块包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的栅极连接所述第二扫描信号线，所述第二薄膜晶体管的源极连接所述数据信号线，所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述第二节点。
7.如权利要求6所述的像素驱动电路，其特征在于，所述复位模块包括第三薄膜晶体管和第八薄膜晶体管；
所述第三薄膜晶体管的栅极连接所述所述第一扫描信号线，所述第三薄膜晶体管的源极连接所述复位信号线，所述第三薄膜晶体管的漏极连接所述第一节点；
所述第八薄膜晶体管的栅极连接所述第四扫描信号线，所述第八薄膜晶体管的源极连接所述发光元件的阳极，所述第八薄膜晶体管的漏极连接所述复位信号线。
8.如权利要求7所述的像素驱动电路，其特征在于，所述切换单元包括第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管的栅极连接所述第三扫描信号线，所述第四薄膜晶体管的源极连接所述第一节点，所述第四薄膜晶体管的漏极连接所述第二存储电容的第二端。
9.如权利要求8所述的像素驱动电路，其特征在于，所述补偿模块包括第五薄膜晶体管，所述第五薄膜晶体管的栅极连接所述第四扫描信号线，所述第五薄膜晶体管的源极连接所述第二节点，所述第五薄膜晶体管的漏极连接所述第一节点。
10.如权利要求9所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一发光控制模块包括第六薄膜晶体管，所述第二发光控制模块包括第七薄膜晶体管，所述第六薄膜晶体管的栅极和所述第七薄膜晶体管的栅极均分别连接发光信号线，所述第六薄膜晶体管的源极连接所述第二节点，所述第六薄膜晶体管的漏极接入所述恒压高电位，所述第七薄膜晶体管的源极连接所述发光元件的阳极，所述第七薄膜晶体管的漏极连接所述第三节点。
11.如权利要求10所述的像素驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第四薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管和所述第七薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管和所述第八薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管。
12.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～11任一项所述的像素驱动电路。
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