CN210516728U - 显示基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种显示基板、显示面板及显示装置。显示基板包括第一显示区和第二显示区，第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率。第一显示区设有多个子像素组，子像素组包括至少一个子像素，子像素包括第一电极、位于第一电极上的发光结构及位于发光结构上的第二电极。至少一个子像素组的第一电极通过第一连接部与对应的像素电路电连接，与第一连接部电连接的像素电路包括氧化物半导体晶体管，氧化物半导体晶体管包括有源层，有源层包括第一区及位于第一区两侧的第二区和第三区。有源层与第一连接部同层设置，第一连接部与第三区连接，第一区的材料为氧化物半导体材料，第二区、第三区及第一连接部的材料为导电化处理后的氧化物半导体材料。

Description

显示基板、显示面板及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板、显示面板及显示装置。

背景技术

随着电子设备的快速发展，用户对屏占比的要求越来越高，使得电子设备的全面屏显示受到业界越来越多的关注。传统的电子设备如手机、平板电脑等，由于需要集成诸如前置摄像头、听筒以及红外感应元件等，故而可通过在显示屏上开槽(Notch)，在开槽区域设置摄像头、听筒以及红外感应元件等，但开槽区域并不能用来显示画面，如现有技术中的刘海屏，或者采用在屏幕上开孔的方式，对于实现摄像功能的电子设备来说，外界光线可通过屏幕上的开孔处进入位于屏幕下方的感光元件。但是这些电子设备均不是真正意义上的全面屏，并不能在整个屏幕的各个区域均进行显示，如在摄像头区域不能显示画面。

实用新型内容

根据本申请实施例的第一方面，提供了一种显示基板，所述显示基板包括第一显示区和第二显示区，所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率；

所述第一显示区内设有多个子像素组，所述子像素组包括至少一个子像素，所述子像素包括第一电极、位于第一电极上的发光结构及位于所述发光结构上的第二电极；用于驱动所述子像素组的像素电路设置在所述第二显示区；

至少一个所述子像素组的第一电极通过第一连接部与对应的所述像素电路电连接，所述像素电路包括氧化物半导体晶体管，所述氧化物半导体晶体管包括有源层；

所述有源层与所述第一连接部同层设置，且所述有源层包括第一区及位于所述第一区两侧的第二区和第三区，所述第一连接部与所述有源层的第三区连接，所述第一区的材料为氧化物半导体材料，所述第二区、所述第三区及所述第一连接部的材料为导电化处理后的氧化物半导体材料。

在一个实施例中，所述第一连接部位于所述第一电极下方，所述第一电极与所述第一连接部之间设有绝缘层，所述第一电极通过所述绝缘层上的通孔与所述第一连接部电连接。第一连接部设置在第一电极下方，则第一连接部的设置不会影响第一电极的尺寸及位置，可将第一电极的尺寸做得更大一些，有助于增大第一显示区中子像素的显示面积。

和/或，

所述氧化物半导体晶体管还包括栅电极、源电极和漏电极，所述源电极与所述第二区电连接，所述漏电极与所述第三区电连接。

在一个实施例中，所述第一显示区中，至少一个子像素组的第一电极通过第二连接部与对应的像素电路连接，所述第二连接部与所述第一连接部位于不同层。通过设置第一连接部与第二连接部位于不同层，则第二连接部的设置不会影响第一连接部的走线方式，可使得第一连接部第二连接部的总数较大，由于第一连接部与第二连接部的总数与子像素组的总数相同，则可在第一显示区中设置较多的子像素组，有助于提高第一显示区的显示效果。

在一个实施例中，所述第二连接部至少部分与所述第一电极位于同一层。第二连接部与第一电极的材料相同时，第二连接部与第一电极可在同一工艺步骤中形成，有助于简化工艺步骤。

在一个实施例中，所述第一显示区包括第一侧及与所述第一侧相对的第二侧，与所述子像素组对应连接的像素电路分布在所述第二显示区邻近所述第一侧的区域、以及所述第二显示区邻近所述第二侧的区域；

所述第一显示区中邻近所述第一侧的子像素组和/或邻近所述第二侧的子像素组通过所述第二连接部与对应的像素电路连接。邻近第一侧或第二侧的子像素组通过第二连接部与对应的像素电路电连接，可避免第二连接部的长度较长，而导致第二连接部的走线方式影响第一电极的设置。

在一个实施例中，所述第二连接部包括位于所述第一显示区的第一部及位于所述第二显示区的第二部，所述第一部与所述第一电极的材料包括氧化铟锡、或者氧化铟锌、或者掺杂银的氧化铟锡、或者掺杂银的氧化铟锌；和/或，

所述第二电极的材料包括镁银、或者银、或者铝、或者钼、或者钛、或者氮化钛、或者镍、或者氧化铝锌或者氧化铝钛。

如此设置可使得第一显示区的透光率较大，进而使得第一显示区的透光率满足其下方设置的光学器件的采光需求。

在一个实施例中，所述子像素组包括两个或两个以上子像素时，该子像素组中各子像素的第一电极依次电连接，该子像素组中距离所述第二显示区最近的子像素的第一电极与该子像素组对应的所述像素电路电连接。如此设置，可减小子像素组的第一电极与像素电路之间的第一连接部或第二连接部的长度，有助于提高第一显示区的透明度，降低外部光线通过第一显示区时产生的衍射强度。

在一个实施例中，所述显示基板包括衬底，所述子像素位于所述衬底上；

所述第一电极在所述衬底上的投影由一个第一图形单元或者多个第一图形单元组成；所述第一图形单元包括圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形或矩形；和/或，

所述发光结构在所述衬底上的投影由一个第二图形单元或者多个第二图形单元组成；所述第二图形单元包括圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形或矩形。第一图形单元或第二图形单元为圆形、椭圆形、哑铃形及葫芦形时，上述形状可改变衍射产生的周期性结构，即改变了衍射场的分布，从而减弱外部入射光通过第一显示区时产生的衍射效应。

根据本申请实施例的第二方面，提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述的显示基板及封装结构；

所述封装结构包括偏光片，所述偏光片覆盖所述第二显示区且未覆盖所述第一显示区，或者所述偏光片覆盖所述第一显示区与所述第二显示区。

根据本申请实施例的第三方面，提供了一种显示装置，包括：

壳体，具有器件区；

上述的显示面板，覆盖在所述壳体上；

其中，所述器件区位于所述第一显示区下方，且所述器件区中设置有电子元件。

本申请实施例提供的显示基板、显示面板及显示装置，第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率，则可将光学器件设置在第一显示区下方，在保证光学器件正常工作的前提下实现显示基板的全面屏显示。第一显示区内的子像素组对应的像素电路设置在第二显示区内，可提高第一显示区的透光率，降低第一显示区的结构复杂度，进而减弱外部光线通过第一显示区时产生的衍射效应的强度，提高第一显示区下方设置的摄像头的成像质量。至少一个子像素组的一个第一电极通过第一连接部与对应的像素电路电连接，第一连接部与该像素电路中的氧化物半导体晶体管的第二区及第三区位于同一层，且材料相同，则第一连接部与第二区、第三区可同时形成，与单独制备第一连接部的方案来说，可减少用于制备第一连接部的工序，降低成本。

附图说明

图1是本申请实施例提供的一种显示基板的俯视图；

图2是本申请实施例提供的显示基板的第一显示区中子像素组排布的局部示意图；

图3是本申请实施例提供的显示基板的局部剖视图；

图4是本申请实施例提供的显示基板的局部剖视图；

图5本申请实施例提供的显示基板的第一显示区中子像素组的第一电极在衬底上的一种投影示意图；

图6本申请实施例提供的显示基板的第一显示区中子像素组的第一电极在衬底上的另一种投影示意图；

图7本申请实施例提供的显示基板的第一显示区中子像素组的第一电极在衬底上的再一种投影示意图；

图8是本申请实施例提供的显示装置的壳体的俯视图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置的例子。

在诸如手机和平板电脑等智能电子设备上，由于需要集成诸如前置摄像头、光线感应器等光学器件，一般是通过在上述电子设备上设置透明显示区的方式，将光学器件设置在透明显示区下方，在保证光学器件正常工作的情况下来实现电子设备的全面屏显示。

为了减小透明显示区的结构复杂度，降低外部环境光通过透明显示区时产生的衍射强度，可将用于驱动透明显示区的子像素的像素电路设置在非透明显示区中，并设置引线来将子像素的阳极与对应的像素电路电连接。但是，引线的制备会导致透明制备工艺复杂，成本增加。

为解决上述问题，本申请实施例提供了一种显示基板、显示面板及显示装置，其能够很好的解决上述问题。

下面结合附图，对本申请实施例中的显示基板、显示面板及显示装置进行详细说明。在不冲突的情况下，下述的实施例及实施方式中的特征可以相互补充或相互组合。

图1是本申请实施例提供的一种显示基板的俯视图；图2是本申请实施例提供的显示基板的第一显示区中子像素组排布的局部示意图；图3是本申请实施例提供的显示基板的局部剖视图；图4是本申请实施例提供的显示基板的局部剖视图；图5本申请实施例提供的显示基板的第一显示区中子像素组的第一电极在衬底上的一种投影示意图；图6本申请实施例提供的显示基板的第一显示区中子像素组的第一电极在衬底上的另一种投影示意图；图7本申请实施例提供的显示基板的第一显示区中子像素组的第一电极在衬底上的再一种投影示意图；图8是本申请实施例提供的显示装置的壳体的俯视图。

本申请实施例提供了一种显示基板。参见图1，所述显示基板包括第一显示区10和第二显示区20，所述第一显示区10的透光率大于所述第二显示区20的透光率。

参见图2，所述第一显示区10内设有多个子像素组11、12、13，所述子像素组11、12、13包括至少一个子像素111、112、113。每一所述子像素包括第一电极、位于第一电极上的发光结构及位于所述发光结构上的第二电极。

参见图3，用于驱动所述子像素组11、12、13的像素电路设置在所述第二显示区20。至少一个所述子像素组11、12、13的一个第一电极101通过第一连接部102与对应的像素电路电连接。与所述第一连接部102连接的像素电路包括氧化物半导体晶体管21，所述氧化物半导体晶体管21包括有源层214。氧化物半导体晶体管21的有源层214包括第一区201及位于所述第一区201两侧的第二区202和第三区203。

氧化物半导体晶体管21的有源层214与第一连接部102同层设置，所述第一连接部102与所述第三区203连接，所述第一区201的材料为氧化物半导体材料，所述第二区202、所述第三区203及所述第一连接部102的材料为导电化处理后的氧化物半导体材料。

由于氧化物半导体晶体管21的有源层214与第一连接部102位于同一层，第二区202、第三区203及第一连接部102的材料相同，则第二区202、第三区203及第一连接部102可同时形成。具体地，可首先形成氧化物半导体层，之后对氧化物半导体层与第二区202、第三区203及第一连接部102对应的位置进行导电化处理，即可得到第二区202、第三区203及第一连接部102。氧化物半导体层与第一区201对应的位置不进行导电化处理，得到有源层214的第一区201。

本申请实施例提供的显示基板，第一显示区10的透光率大于第二显示区20的透光率，则可将光学器件设置在第一显示区10下方，在保证光学器件正常工作的前提下实现显示基板100的全面屏显示。第一显示区10内的子像素组11、12、13对应的像素电路设置在第二显示区20内，可提高第一显示区10的透光率，降低第一显示区10的结构复杂度，进而减弱外部光线通过第一显示区10时产生的衍射效应的强度，提高第一显示区10下方设置的摄像头的成像质量。至少一个子像素组的一个第一电极101通过第一连接部102与对应的像素电路电连接，第一连接部102与该像素电路中的氧化物半导体晶体管的第二区202及第三区203位于同一层，且材料相同，则第一连接部102与第二区202、第三区203可同时形成，与单独制备第一连接部102的方案来说，可减少用于制备第一连接部的工序，降低成本。

在一个实施例中，再次参见图2，显示基板100还包括衬底31、位于衬底31上的缓冲层32、位于缓冲层32上的第一绝缘层33、位于第一绝缘层33上的第二绝缘层34、位于第二绝缘层34上的第三绝缘层35、位于第三绝缘层35上的第四绝缘层36及位于第四绝缘层36上的第五绝缘层37。

氧化物半导体晶体管21还包括栅电极211、源电极212和漏电极213，所述源电极212与所述第二区202电连接，所述漏电极213与所述第三区203电连接。

氧化物半导体晶体管21的有源层214及第一连接部102可位于第二绝缘层34与第三绝缘层35之间，氧化物半导体晶体管21的栅电极211位于第三绝缘层35与第四绝缘层36之间，且栅电极211与第一区201的位置相对应。在制备氧化物半导体晶体管21时，可在形成第二绝缘层34后，在第二绝缘层34上形成一层氧化物半导体层，该氧化物半导体层一部分位于第一显示区10，另一部分位于第二显示区20中。之后，在氧化物半导体层上形成第三绝缘层35，在第三绝缘层35上形成栅极211。然后，对氧化物半导体层进行导电化处理。进行导电化处理的过程中，利用栅电极211作为第一区201的遮挡，仅对第二区202、第三区203及第一连接部102对应的位置进行导电化处理，从而得到有源层214及第一连接部102。源电极212和漏电极213位于有源层214上方，且源电极212和漏电极213贯穿第三绝缘层35、第四绝缘层36和第五绝缘层37。

在一个实施例中，可采用等离子体(plasma)工艺或离子注入工艺对氧化物半导体材料进行导电化处理。

在一个实施例中，子像素组11、12、13对应的像素电路可包括低温多晶硅晶体管22。低温多晶硅晶体管22包括有源层224、栅电极221、源电极222和漏电极223。有源层224位于第一绝缘层33上与第二绝缘层34之间，栅电极221位于缓冲层32与第二绝缘层34之间，源电极222和漏电极223贯穿第一绝缘层33、第二绝缘层34和第三绝缘层35。有源层224包括第四区204及位于第四区204两侧的第五区205与第六区206。源电极222与第五区205电连接，漏电极223与第六区206电连接。

在一个实施例中，用于驱动子像素组11、12、13的像素电路可为1T电路、或2T1C电路、或3T1C电路、或7T1C电路或7T2C电路。其中，T代表晶体管，C代表存储电容。1T电路指的是像素电路仅包括一个晶体管，不包括电容。不同子像素组11、12、13对应的像素电路的类型可相同。

在一个实施例中，所述第一连接部102位于所述第一电极101下方，所述第一连接部102与所述第一电极101之间设有绝缘层，所述第一电极101通过所述绝缘层上的通孔与所述第一连接部102电连接。第一连接部102设置在第一电极101下方，则第一连接部102的设置不会影响第一电极101的尺寸及位置，可将第一电极101的尺寸做得更大一些，有助于增大第一显示区10中子像素的显示面积。参见图3，第一连接部102与第一电极101之间的绝缘层包括第三绝缘层35、第四绝缘层36和第五绝缘层37。

在一个实施例中，参见图4，所述第一显示区10中，至少一个子像素组11、12、13的第一电极101通过第二连接部103与对应的像素电路连接，所述第二连接部103与所述第一连接部102位于不同层。通过设置第一连接部102与第二连接部103位于不同层，则第二连接部103的设置不会影响第一连接部102的走线方式，从而可使得第一连接部102与第二连接部103的总数较大，由于第一连接部102与第二连接部103的总数与子像素组的总数相同，则可在第一显示区10中设置较多的子像素组，有助于提高第一显示区10的显示效果。

在一个实施例中，所述第二连接部103至少部分与所述第一电极101位于同一层。也即是，第二连接部103部分与第一电极101位于同一层，或者，第二连接部103全部与第一电极101位于同一层。

参见图4，第一电极101通过第二连接部103与低温多晶硅晶体管22的漏电极223电连接，第二连接部103包括第一部分1031和第二部分1032，其中第一部分1031与第一电极101位于同一层。第一电极101与漏电极223之间的第四绝缘层36和第五绝缘层37上开设有通孔，第二部分1032填充在通孔内。第一部分1031与第二部分1032的材料可相同，则第一部分1031与第二部分1032可在同一工艺步骤中形成。在其他实施例中，第一电极101通过第二连接部103与氧化物半导体晶体管电连接时，第二连接部103可全部与第一电极101位于同一层。

第二连接部103与第一电极101的材料相同时，第二连接部103与第一电极101可在同一工艺步骤中形成，有助于简化工艺步骤。

在一个实施例中，再次参见图2，所述第一显示区10包括第一侧141及与所述第一侧141相对的第二侧142。与所述子像素组对应连接的像素电路分布在所述第二显示区20邻近所述第一侧141的区域、以及所述第二显示区20邻近所述第二侧142的区域。所述第一显示区10中邻近所述第一侧141的子像素组和/或邻近所述第二侧142的子像素组通过所述第二连接部103与对应的像素电路连接。

第一显示区10中邻近第一侧141的子像素组与第一侧141之间的距离小于其他子像素组与第一侧141之间的距离。第一显示区10中邻近第二侧142的子像素组与第二侧142之间的距离小于其他子像素组与第二侧142之间的距离。第一显示区10中邻近第一侧141的子像素组的数量可以是一个或者两个，第一显示区10中邻近第二侧142的子像素组的数量可以是一个或者两个。

如此，邻近第一侧141或第二侧142的子像素组通过第二连接部103与对应的像素电路电连接，可避免第二连接部103的长度较长，而导致第二连接部的走线方式影响第一电极的设置。

在一个实施例中，所述第二连接部103包括位于所述第一显示区10的第一部及位于所述第二显示区20的第二部，所述第一部与所述第一电极101的材料均为透明材料。进一步地，透明材料的透光率大于或等于70％。优选的，该透明材料的透光率大于或等于90％，例如该透明材料的透光率可以为90％、95％等。如此设置可使得第一显示区10的透光率较大，进而使得第一显示区10的透光率满足其下方设置的光学器件的采光需求。第二连接部的第二部的材料可以与第一部的材料相同，也可与第一部的材料不同，例如第二部的材料为不透明的金属材料。

第一部与第一电极101的材料可包括氧化铟锡、或者氧化铟锌、或者掺杂银的氧化铟锡、或者掺杂银的氧化铟锌。如此，可使得第一部与第一电极101的透光率较高。第一部与第一电极101的材料为掺杂银的氧化铟锡或者掺杂银的氧化铟锌时，可在保证透明显示基板的高透光率的基础上，减小第二连接部、第一电极和/或所述第二电极的电阻。

在一个实施例中，第二电极的材料可包括厚度较薄具有一定透明度的镁银、或者银、或者铝、或者钼、或者钛、或者氮化钛、或者镍、或者氧化铝锌或者氧化铝钛。

在一个实施例中，所述子像素组包括两个或两个以上子像素时，该子像素组中各子像素的第一电极依次电连接。该子像素组中的一个第一电极与对应的像素电路电连接，即可实现像素电路驱动该子像素组中各个子像素，有助于简化对子像素的控制。

在一个实施例中，所述子像素组包括两个或两个以上子像素时，该子像素组中距离所述第二显示区20最近的子像素的第一电极101与该子像素组对应的所述像素电路电连接。如此设置，可减小子像素组的第一电极101与像素电路之间的第一连接部102或第二连接部103的长度，有助于提高第一显示区10的透明度，降低外部光线通过第一显示区10时产生的衍射强度。

在一个实施例中，所述第一电极在所述衬底上的投影由一个第一图形单元或者多个第一图形单元组成。所述第一图形单元包括圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形或矩形。

参见图5，子像素组包括四个子像素，子像素的第一电极101由一个第一图形单元组成，第一图形单元为圆形。参见图6，子像素组包括四个子像素，子像素的第一电极101由一个第一图形单元组成，第一图形单元为哑铃形。参见图7，子像素组包括四个子像素，子像素的第一电极101在衬底上的投影由一个第一图形单元组成，第一图形单元为椭圆形。第一图形单元为圆形、椭圆形、哑铃形及葫芦形时，上述形状可改变衍射产生的周期性结构，即改变了衍射场的分布，从而减弱外部入射光通过第一显示区10时产生的衍射效应。并且，第一图像单元为圆形、椭圆形、哑铃形及葫芦形时，相邻子像素组的第一电极之间的距离连续变化或者间断变化，从而相邻子像素组的第一电极产生衍射的位置不同，不同位置处的衍射效应相互抵消，有助于减弱衍射效应，进而确保第一显示区下方设置的摄像头拍照得到的图像具有较高的清晰度。

在一个实施例中，所述发光结构在所述衬底上的投影由一个第二图形单元或者多个第二图形单元组成，所述第二图形单元包括圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形或矩形。第二图形单元为圆形、椭圆形、哑铃形及葫芦形时，上述形状可改变衍射产生的周期性结构，即改变了衍射场的分布，从而减弱外部入射光通过第一显示区10时产生的衍射效应。并且，第二图像单元为圆形、椭圆形、哑铃形及葫芦形时，相邻子像素组的发光结构之间的距离连续变化或者间断变化，从而相邻子像素组的发光结构产生衍射的位置不同，不同位置处的衍射效应相互抵消，从而可以有效减弱衍射效应，进而确保第一显示区下方设置的摄像头拍照得到的图像具有较高的清晰度。

在一个实施例中，子像素的第一电极101在衬底上的投影对应的第一图形单元、以及该子像素的反光结构在衬底上的投影对应的第二图形单元可相同或不同。第一图形单元与第二图形单元不同时，则第一电极101在衬底上的投影与发光结构在衬底上的投影不同，可进一步减弱光线通过第一显示区10时产生的衍射效应。

在一个实施例中，第一电极可以是阳极，第二电极可以是阴极，第一显示区10中的各子像素的第二电极可以是连成一片的面电极。

本申请实施例提供的显示基板100的第一显示区10可呈水滴形、圆形、矩形、半圆形、半椭圆形或椭圆形等形状。但不限于此，也可根据实际情况将第一显示区10设计为其他形状。

本申请实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述任一实施例所述的显示基板及封装结构。封装结构位于显示基板100背离衬底的一侧。

所述封装结构包括偏光片，所述偏光片覆盖所述第二显示区20且未覆盖所述第一显示区10，或者所述偏光片覆盖所述第一显示区10与所述第二显示区20。偏光片可消散显示面板表面的反射光，改善用户的使用体验。第一显示区10不设置偏光片时，可提高第一显示区10的透光率，保证第一显示区10下方设置的光学器件的正常工作。

在一个实施例中，第一显示区10至少部分被第二显示区20包围。图1所示的第一显示区10部分被第二显示区20包围，在其他实施例中，第一显示区10也可全部被第二显示区20包围。

在一个实施例中，所述封装结构还可包括封装层、玻璃盖板、触控层等。封装层可以是薄膜封装层或者玻璃粉封装层。

本申请实施例还提供了一种显示装置，显示装置包括壳体及上述的显示面板。参见图8，壳体310具有器件区320，显示面板覆盖在壳体310上。其中，器件区310位于第一显示区10下方，且器件区320中设置有电子元件。

电子元件可包括听筒、光学器件、距离传感器等，其中光学器件包括前置摄像头、红外传感器、红外镜头、泛光感应元件、环境光传感器以及点阵投影器中的至少一种。

壳体的器件区可以是开槽区，显示面板的第一显示区可对应于开槽区贴合设置，以使得光学器件能够透过该第一显示区10进行发射或者采集光线。

上述显示装置可以为手机、平板、掌上电脑、ipod等数码设备。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

在本申请中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (10)

1.一种显示基板，其特征在于，所述显示基板包括第一显示区和第二显示区，所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率；

所述第一显示区内设有多个子像素组，所述子像素组包括至少一个子像素，所述子像素包括第一电极、位于第一电极上的发光结构及位于所述发光结构上的第二电极；用于驱动所述子像素组的像素电路设置于所述第二显示区；

至少一个所述子像素组的第一电极通过第一连接部与对应的所述像素电路电连接，所述像素电路包括氧化物半导体晶体管，所述氧化物半导体晶体管包括有源层；

所述有源层与所述第一连接部同层设置，且所述有源层包括第一区及位于所述第一区两侧的第二区和第三区，所述第一连接部与所述有源层的第三区连接，所述第一区的材料为氧化物半导体材料，所述第二区、所述第三区及所述第一连接部的材料为导电化处理后的氧化物半导体材料。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一连接部位于所述第一电极下方，所述第一电极与所述第一连接部之间设有绝缘层，所述第一电极通过所述绝缘层上的通孔与所述第一连接部电连接；和/或，

所述氧化物半导体晶体管还包括栅电极、源电极和漏电极，所述源电极与所述第二区电连接，所述漏电极与所述第三区电连接。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述第一显示区中，至少一个子像素组的第一电极通过第二连接部与对应的像素电路连接，所述第二连接部与所述第一连接部位于不同层。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第二连接部至少部分与所述第一电极位于同一层。

5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一显示区包括第一侧及与所述第一侧相对的第二侧，与所述子像素组对应连接的像素电路分布在所述第二显示区邻近所述第一侧的区域、以及所述第二显示区邻近所述第二侧的区域；

所述第一显示区中邻近所述第一侧的子像素组和/或邻近所述第二侧的子像素组通过所述第二连接部与对应的像素电路连接。

6.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第二连接部包括位于所述第一显示区的第一部及位于所述第二显示区的第二部，所述第一部与所述第一电极的材料包括氧化铟锡、或者氧化铟锌、或者掺杂银的氧化铟锡、或者掺杂银的氧化铟锌；和/或，

所述第二电极的材料包括镁银、或者银、或者铝、或者钼、或者钛、或者氮化钛、或者镍、或者氧化铝锌或者氧化铝钛。

7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述子像素组包括两个或两个以上子像素时，该子像素组中各子像素的第一电极依次电连接，该子像素组中距离所述第二显示区最近的子像素的第一电极与该子像素组对应的所述像素电路电连接。

8.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板包括衬底，所述子像素位于所述衬底上；

所述第一电极在所述衬底上的投影由一个第一图形单元或者多个第一图形单元组成；所述第一图形单元包括圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形或矩形；和/或，

所述发光结构在所述衬底上的投影由一个第二图形单元或者多个第二图形单元组成；所述第二图形单元包括圆形、椭圆形、哑铃形、葫芦形或矩形。

9.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求1-8任一项所述的显示基板及封装结构；

所述封装结构包括偏光片，所述偏光片覆盖所述第二显示区且未覆盖所述第一显示区，或者所述偏光片覆盖所述第一显示区与所述第二显示区。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：

壳体，具有器件区；

如权利要求9所述的显示面板，覆盖在所述壳体上；

其中，所述器件区位于所述第一显示区下方，且所述器件区中设置有电子元件。

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