CN205039161U - InGaN太阳能电池 - Google Patents

InGaN太阳能电池 Download PDF

Info

Publication number
CN205039161U
CN205039161U CN201520835291.6U CN201520835291U CN205039161U CN 205039161 U CN205039161 U CN 205039161U CN 201520835291 U CN201520835291 U CN 201520835291U CN 205039161 U CN205039161 U CN 205039161U
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
ingan
gan
solar cell
gan layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201520835291.6U
Other languages
English (en)
Inventor
张开驹
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing Communications Institute of Technology
Original Assignee
Nanjing Communications Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanjing Communications Institute of Technology filed Critical Nanjing Communications Institute of Technology
Priority to CN201520835291.6U priority Critical patent/CN205039161U/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN205039161U publication Critical patent/CN205039161U/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本实用新型公开了一种InGaN太阳能电池,包括衬底、GaN缓冲层、n-GaN层、n-InGaN层和p-GaN层,其特征在于:所述n-InGaN层和所述p-GaN层之间依次有i-InxGa1-xN层、p-InyGa1-yN层,所述p-GaN层上面有半透明电流扩展层,半透明电流扩展层上有正电极,所述n-GaN层上有负电极。本实用新型的优点在于:减少了InGaN层的厚度,在一定程度上提高了InGaN层的质量;引入i-InxGa1-xN层和p-InyGa1-yN层,提高了光电转换效率,易于制备;通过半透明电流扩展层以及正、负电极的设置,实现了完整太阳电池的直接应用,并进一步提高了抗辐射能力,延长了电池的使用寿命。

Description

InGaN太阳能电池
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池,具体涉及一种InGaN太阳能电池。
背景技术
作为第三代半导体,氮化镓(GaN)及其系列材料以其禁带宽度大、光谱范围宽(覆盖了从紫外到红外全波段)、耐高温性和耐腐蚀性好,在光电子学和微电子学领域内有巨大的应用价值。最新研究发现,InN材料的室温禁带宽度由之前的1.89eV确定为现在的0.7eV,使的三元合金InGaN的带隙从近红外光谱区域到紫外光谱区域连续地调节,并且氮化物合金在带边附近的吸收系数高达105cm-1量级,使得InGaN吸收层在几百纳米范围内吸收了大部分的入射光,理论上可以利用不同In组分的InGaN合金异质结构,设计一个多节太阳能电池,实现在一个外延***下满足高效的太阳能电池的需要。另外,InGaN合金具有良好的抗辐射能力,很适用于做为空间太阳能电池材料。因此,InGaN在太阳能电池领域中有着明显优于其他半导体材料的优势。但是由于InGaN材料生长质量的的问题,使得太阳能电池的效率都很低,成本比较高,使用效果不佳,实用性不强。
实用新型内容
针对现有技术上存在的不足,本实用新型目的是在于提供一种InGaN太阳能电池,结构简单,成本低,转换效率高。
为了实现上述目的,本实用新型是通过如下的技术方案来实现:一种InGaN太阳能电池,包括衬底、GaN缓冲层、n-GaN层、n-InGaN层和p-GaN层,其特征在于:所述n-InGaN层和所述p-GaN层之间依次有i-InxGa1-xN层、p-InyGa1-yN层,所述p-GaN层上面有半透明电流扩展层,半透明电流扩展层上有正电极,所述n-GaN层上有负电极。
作为优选,所述n-InGaN层为170nm。
与现有技术相比,本实用新型的优点在于:减少了InGaN层的厚度,在一定程度上提高了InGaN层的质量;引入i-InxGa1-xN层和p-InyGa1-yN层,提高了光电转换效率,易于制备;通过半透明电流扩展层以及正、负电极的设置,实现了完整太阳电池的直接应用,并进一步提高了抗辐射能力,延长了电池的使用寿命。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图1中:1代表正电极,2代表半透明电流扩展层,3代表p-GaN层,4代表p-InyGa1-yN层,5代表i-InxGa1-xN层,6代表n-InGaN层,7代表负电极,8代表n-GaN层,9代表GaN缓冲层,10代表衬底。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如图1所示,本InGaN太阳能电池,包括衬底10、GaN缓冲层9、n-GaN层8、n-InGaN层6和p-GaN层3,其特征在于:所述n-InGaN层6和所述p-GaN层3之间依次有i-InxGa1-xN层5、p-InyGa1-yN层4,所述p-GaN层3上面有半透明电流扩展层2,半透明电流扩展层2上有正电极1,所述n-GaN层8上有负电极7。
其中,n-InGaN层6为170nm,减少了InGaN层的厚度,在一定程度上提高了InGaN层的质量。
负电极为自下至上依次为Ti/Pd/Au。通过半透明电流扩展层的设置,实现了完整太阳电池的直接应用,并进一步提高了抗辐射能力,延长了电池的使用寿命。

Claims (2)

1.一种InGaN太阳能电池,包括衬底、GaN缓冲层、n-GaN层、n-InGaN层和p-GaN层,其特征在于:所述n-InGaN层和所述p-GaN层之间依次有i-InxGa1-xN层、p-InyGa1-yN层,所述p-GaN层上面有半透明电流扩展层,半透明电流扩展层上有正电极,所述n-GaN层上有负电极。
2.根据权利要求1所述的一种InGaN太阳能电池,其特征在于:所述n-InGaN层为170nm。
CN201520835291.6U 2015-10-26 2015-10-26 InGaN太阳能电池 Expired - Fee Related CN205039161U (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201520835291.6U CN205039161U (zh) 2015-10-26 2015-10-26 InGaN太阳能电池

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201520835291.6U CN205039161U (zh) 2015-10-26 2015-10-26 InGaN太阳能电池

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN205039161U true CN205039161U (zh) 2016-02-17

Family

ID=55298035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201520835291.6U Expired - Fee Related CN205039161U (zh) 2015-10-26 2015-10-26 InGaN太阳能电池

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN205039161U (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105428448A (zh) * 2015-09-29 2016-03-23 北京大学 一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法
CN106298990A (zh) * 2016-10-27 2017-01-04 东南大学 一种利用自发极化电场的非极性太阳能电池

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105428448A (zh) * 2015-09-29 2016-03-23 北京大学 一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法
CN105428448B (zh) * 2015-09-29 2018-06-08 北京大学 一种双组分渐变结构太阳能电池及其制备方法
CN106298990A (zh) * 2016-10-27 2017-01-04 东南大学 一种利用自发极化电场的非极性太阳能电池

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103650165B (zh) 具有用于集中光伏应用的铜格栅的隧道结太阳能电池
TW200933913A (en) High concentration terrestrial solar cell arrangement with III-V compound semiconductor cell
CN204424292U (zh) 一种表面等离增强型石墨烯硅基太阳能电池
CN102790116B (zh) 倒装GaInP/GaAs/Ge/Ge四结太阳能电池及其制备方法
CN205039161U (zh) InGaN太阳能电池
CN102790117B (zh) GaInP/GaAs/InGaNAs/Ge四结太阳能电池及其制备方法
CN106298990A (zh) 一种利用自发极化电场的非极性太阳能电池
CN204315587U (zh) 基于GaN纳米线阵列的太阳能电池
CN103094378A (zh) 含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池
CN103594540B (zh) 一种含有界面δ掺杂的异质结太阳电池
CN109216484A (zh) 一种石墨烯/AlGaAs多结异质太阳能电池及其制备方法
CN206364023U (zh) 一种ibc电池的栅线结构
CN102738311B (zh) 一种InGaN/Si双结太阳能电池的制备方法
CN102832272B (zh) InGaN太阳能电池及其制作方法
Song et al. Improved efficiency of InGaN/GaN-based multiple quantum well solar cells by reducing contact resistance
CN109888057A (zh) 晶硅perc太阳电池双面钝化方法
CN106876513B (zh) 一种等离极化激元横向异质集成的太阳电池
CN103022211B (zh) 极化增强的p-i-n结InGaN太阳电池
CN101976689A (zh) 一种五结半导体太阳能光伏电池芯片
CN209766439U (zh) 光伏组件电池片新型结构
CN204118094U (zh) 一种带隙结构优化的三结太阳电池
CN103311354B (zh) Si衬底三结级联太阳电池及其制作方法
CN102738267A (zh) 具有超晶格结构的太阳能电池及其制备方法
CN102751368A (zh) InGaN/Si双结太阳能电池
Chauhan et al. Boosting the Power Conversion efficiency of CsPb0. 75Sn0. 25IBr2 Alloy-based Perovskite Solar Cell with Charge Transport Layer Mg: SnO2: A Theoretical Study

Legal Events

Date Code Title Description
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160217

Termination date: 20161026