JP6073177B2 - 静電容量型入力装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、第1の実施の形態に係る静電容量型入力装置の平面図およびA−A線断面図を示す。
図3の(A)に示すように、基板2の一方の面(上面)に導電膜10を形成する。導電膜10の形成方法は、特に限定されず、ターゲットをスパッタすることにより物理的に基板2上に製膜するスパッタリング法、基板2上での化学気相反応を利用して製膜するCVD法、回転する基板2上に塗液を滴下させて薄く拡げて製膜するスピンコート法、基板2を塗液中に浸漬後に乾燥させて製膜するディッピング法、あるいは基板2上への印刷、塗料の刷毛塗り等の手法などを例示できる。
次に、図3の(B)に示すように、導電膜10における検出電極部5とシールド電極部7との境界領域、および導電配線部6を形成する領域を、導電膜10の深さ方向にエッチングして除去する。この実施の形態では、スキャン方式にてレーザー光(L)を局所照射して溝11を形成する。ただし、エッチングは、レーザー光を用いる方法に限定されず、紫外線やマイクロプラズマを照射した部分を除去する方法などのドライエッチング法の他、所定の酸などを化学的に接触させ、接触部分を分解除去する方法などのウェットエッチング法によるものでも良い。
次に、図3の(C)に示すように、配線用の溝11に導電配線部6を形成する。この実施の形態では、銀粒子および樹脂バインダを含む溶剤(銀ペースト)を用いたスクリーン印刷によって導電配線部6を形成しているが、インクジェット等の他の印刷手法を用いても良い。また、導電配線部6をカーボンにより形成しても良い。また、後述する第3〜第5の各実施の形態にて説明するように、当該配線形成工程を、エッチング工程より先に行うこともできる。
次に、図3の(D)に示すように、操作部3の上に保護層8を形成する。保護層8は、接着剤付きの樹脂フィルムを貼る方法、液状の樹脂含有溶液を塗布して硬化させる方法などにより容易に形成できる。なお、保護層8は、入力装置1にとって必須の構成ではなく、検出電極部5およびシールド電極部7上に絶縁性の膜を有する場合、あるいは入力装置1を配置する電子機器の他の構成において絶縁膜を備える場合には、入力装置1に保護層8を備えていなくても良い。以後の実施の形態でも同様である。
最後に、基板2を所定形状に裁断する。ただし、最初の工程にて、すでに裁断を要しない形状の基板2を用いる場合には、裁断の工程を必ずしも要しない。以後の実施の形態でも同様である。
次に、第2の実施の形態に係る入力装置およびその製造方法ついて説明する。第2の実施の形態において、第1の実施の形態と共通する部分については、その重複する説明を省略する。
図5の(A)に示すように、基板2の一方の面に導電膜10を形成する。
(2)エッチング工程
次に、図5の(B)に示すように、導電膜10における検出電極部5とシールド電極部7との境界領域、および導電配線部6を形成する領域を、導電膜10の深さ方向にエッチングして除去する。
(3)高導電部材の形成工程
次に、図5の(C)に示すように、シールド電極部7の上面にメッシュ状の高導電部材20を形成する。
(4)配線形成工程
次に、図5の(D)に示すように、配線用の溝11に導電配線部6を形成する。
(5)保護層の形成工程
次に、図5の(E)に示すように、操作部3の上から保護層8を被せる。
(6)外形の裁断工程
最後に、基板2を所定形状に裁断する。
次に、第3の実施の形態に係る静電容量型入力装置およびその製造方法ついて説明する。第3の実施の形態において、先の各実施の形態と共通する部分については、その重複する説明を省略する。
図8の(A)に示すように、基板2の一方の面に導電膜10を形成する。
(2)配線形成工程
次に、図8の(B)に示すように、導電膜10上に導電配線部6を形成する。
(3)マスクレジストの形成工程
図8の(C)に示すように、導電膜10上において後工程で形成される検出電極部5とシールド電極部7の両領域に、マスクレジスト30を形成する。
(4)エッチング工程
次に、図8の(D)に示すように、操作部3の上方からマイクロプラズマを照射して、マスクレジスト30および導電配線部6の無い領域の導電膜10が除去される。この結果、検出電極部5とシールド電極部7との間に溝11が形成される。
(5)保護層の形成工程
次に、図8の(E)に示すように、導電配線部6の端部上方に端子保護部35を印刷し、端子保護部35の一部を露出するように、操作部3および端子保護部35の上から保護層8を形成する。
(6)外形の裁断工程
最後に、基板2を所定形状に裁断する。
次に、第4の実施の形態に係る静電容量型入力装置およびその製造方法ついて説明する。第4の実施の形態において、先の各実施の形態と共通する部分については、その重複する説明を省略する。
図10の(A)に示すように、基板2の一方の面に導電膜10を形成する。
(2)配線形成工程
次に、図10の(B)に示すように、導電膜10上に導電配線部6を形成する。
(3)高導電薄膜の形成工程
図10の(C)に示すように、導電膜10上において後工程で形成されるシールド電極部7の領域に、高導電薄膜40を形成する。
(4)マスクレジストの形成工程
図10の(D)に示すように、導電膜10上において後工程で形成される検出電極部5と上記高導電薄膜40の両領域に、マスクレジスト30を形成する。
(5)エッチング工程
次に、図10の(E)に示すように、操作部3の上方からマイクロプラズマを照射して、マスクレジスト30および導電配線部6の無い領域の導電膜10が除去される。この結果、検出電極部5とシールド電極部7との間に溝11が形成される。
(6)保護層の形成工程
次に、図10の(F)に示すように、導電配線部6の端部上方に端子保護部35を印刷し、端子保護部35の一部を露出するように、操作部3および端子保護部35の上から保護層8を形成する。
(7)外形の裁断工程
最後に、基板2を所定形状に裁断する。
次に、第5の実施の形態に係る静電容量型入力装置およびその製造方法ついて説明する。第5の実施の形態において、先の各実施の形態と共通する部分については、その重複する説明を省略する。
図12の(A)に示すように、基板2の一方の面に導電膜10を形成する。
(2)配線形成工程
次に、図12の(B)に示すように、導電膜10上に導電配線部6を形成する。
(3)高導電薄膜の形成工程
図12の(C)に示すように、導電膜10上において後工程で形成されるシールド電極部7の領域に、高導電薄膜40を形成する。
(4)マスクレジストの形成工程
図12の(D)に示すように、導電膜10上において後工程で形成される検出電極部5の領域に、マスクレジスト30を形成する。
(5)エッチング工程
次に、図12の(E)に示すように、操作部3の上方からマイクロプラズマを照射して、マスクレジスト30および導電配線部6の無い領域の導電膜10が除去される。この結果、検出電極部5とシールド電極部7との間に溝11が形成される。
(6)保護層の形成工程
次に、図12の(F)に示すように、導電配線部6の端部上方に端子保護部35を印刷し、端子保護部35の一部を露出するように、操作部3および端子保護部35の上から保護層8を形成する。
(7)外形の裁断工程
最後に、基板2を所定形状に裁断する。
本発明は、上述の各実施の形態に限定されず、種々変形実施可能である。
2 基板
5 検出電極部
6 導電配線部
7 シールド電極部
10 導電膜
20 高導電部材
25 高導電部材
30 マスクレジスト
40 高導電薄膜(高導電部材の一例)
Claims (3)
- 静電容量の変化によってタッチ位置を検出する静電容量型入力装置であって、
基板上に、
前記タッチ位置を検出するための複数の検出電極部と、
前記検出電極部と電気的に接続される導電配線部と、
前記検出電極部および前記導電配線部と非接触状態で、かつ同じ平面内に形成されるシールド電極部と、を備え、
前記シールド電極部は、前記検出電極部と同一の導電膜から成り、
前記シールド電極部の上方を、それより導電性の高い高導電部材にて完全に覆っており、
前記検出電極部の上方にマスクレジストをさらに備えることを特徴とする静電容量型入力装置。 - 前記高導電部材の上方に前記マスクレジストをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の静電容量型入力装置。
- 静電容量の変化によってタッチ位置を検出する静電容量型入力装置の製造方法であって、 基板上に導電膜を形成する製膜工程と、 前記導電膜をエッチングして、前記タッチ位置を検出するための複数の検出電極部と、それらの検出電極部と同一平面内にあるシールド電極部とを分離するエッチング工程と、 前記検出電極部と電気的に接続される導電配線部を、前記シールド電極部と非接触になるように形成する配線形成工程と、 前記シールド電極部の上方を、それより導電性の高い高導電部材にて完全に覆う高導電部材形成工程と、 前記検出電極部および前記シールド電極部の内の少なくとも前記検出電極部の上方にマスクレジストを形成するマスクレジスト形成工程と、を含み、 前記エッチング工程では、前記マスクレジストの形成領域、前記高導電部材の形成領域および前記導電配線部の形成領域をそれぞれ除く部分をエッチングすることを特徴とする静電容量型入力装置の製造方法。
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