JP6073177B2 - 静電容量型入力装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、静電容量型入力装置およびその製造方法に関する。

最近、表示部にタッチすることにより入力可能なタッチパネルを備える携帯電話、モバイル端末、タブレット型ＰＣ、車載用ナビゲーション装置、オーディオ機器などの電子機器が人気を集めている。かかるタッチパネルは、入力機構によって、抵抗膜方式、静電容量方式などのいくつかの方式のものに分けられる。抵抗膜方式のタッチパネルは、表裏方向に離れた両電極の一方から押圧して、両電極を接触させることによって入力を可能とする。静電容量方式のタッチパネルは、指で表示部に触れたときに発生する微弱な静電容量の変化からタッチした位置を検出可能とする。従来から、抵抗膜式のタッチパネルが主流であったが、投影型の静電容量方式の出現によりマルチタッチが可能になったことに伴い、静電容量方式のタッチパネルが急速に普及してきている。このような静電容量方式の入力装置としては、例えば、特許文献１に開示されている。

図１３は、従来の静電容量型入力装置の平面図およびＸ−Ｘ線断面図を示す。この静電容量型入力装置１００は、透明基板１０１上に、導電配線部１０２に接続された複数の検出電極部１０３と、検出電極部１０３の間を埋めるシールド電極部１０４とを備える。導電配線部１０２、検出電極部１０３およびシールド電極部１０４は、保護層１０５によって覆われている。静電容量型入力装置１００は、その側端部に、基板接続部１０６を備え、回路基板と電気的に接続可能になっている。

シールド電極部１０４は、誤検知を防止する目的で形成されており、従来から、主に、次のような工程を経て形成されている。透明基板１０１上にＩＴＯ等の透明導電膜を形成する。次に、ケミカルエッチングあるいはドライエッチングによって透明導電膜のエッチングを行い、検出電極部１０３以外の領域を除去する。次に、銀ペースト等の印刷により、導電配線部１０２を形成する。次に、導電配線部１０２および検出電極部１０３の領域に触れないように、検出電極部１０３の間に、カーボンペースト等の印刷によって、シールド電極部１０４を形成する。その後、フィルムの貼り合せあるいは印刷により、保護層１０５を形成する。

特開２０１２−６４１８８号公報

しかし、上記のような従来の静電容量型入力装置１００には、次のような問題がある。シールド電極部１０４を形成する領域をエッチングする必要から、エッチングに多大な時間を要するという問題がある。さらには、そもそもシールド電極部１０４を形成する工程が必要であるという問題もある。また、エッチングした領域にシールド電極部１０４を印刷する場合、微小な凹凸があるため、高精度の印刷が難しく、また、リーク等の品質低下を引き起こすという問題もある。

本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、低コストで高品質な静電容量型入力装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、一実施の形態に係る静電容量型入力装置は、静電容量の変化によってタッチ位置を検出する静電容量型入力装置であって、基板上に、タッチ位置を検出するための複数の検出電極部と、それらの検出電極部と電気的に接続される導電配線部と、検出電極部および導電配線部と非接触状態で、かつ同じ平面内に形成されるシールド電極部とを備え、シールド電極部を検出電極部と同一の導電膜から構成する。

別の実施の形態に係る静電容量型入力装置は、シールド電極部の上方に、それより導電性の高い高導電部材をさらに備える。

別の実施の形態に係る静電容量型入力装置は、また、シールド電極部の上方に、マスクレジストを備える。

また、一実施の形態に係る静電容量型入力装置の製造方法は、静電容量の変化によってタッチ位置を検出する静電容量型入力装置の製造方法であって、基板上に導電膜を形成する製膜工程と、導電膜をエッチングして、タッチ位置を検出するための複数の検出電極部と、それらの検出電極部と同一平面内にあるシールド電極部とを分離するエッチング工程と、検出電極部と電気的に接続される導電配線部を、シールド電極部と非接触になるように形成する配線形成工程とを含む。

別の実施の形態に係る静電容量型入力装置の製造方法は、シールド電極部の上方に、それより導電性の高い高導電部材をさらに形成する高導電部材形成工程を有する。

別の実施の形態に係る静電容量型入力装置の製造方法は、また、導電膜の上方にマスクレジストを形成するマスクレジスト形成工程を有し、エッチング工程では、マスクレジストおよび導電配線部をそれぞれ形成していない部分をエッチングする。

別の実施の形態に係る静電容量型入力装置の製造方法は、マスクレジスト形成工程では、検出電極部の上方にマスクレジストを形成し、シールド電極部の上方に、それより導電性の高い高導電部材を形成する高導電部材形成工程を有し、エッチング工程では、マスクレジストの形成領域、高導電部材の形成領域および導電配線部の形成領域をそれぞれ除く部分をエッチングする。

本発明によれば、低コストで高品質な静電容量型入力装置を提供することができる。

図１は、第１の実施の形態に係る静電容量型入力装置の平面図およびＡ−Ａ線断面図を示す。 図２は、図１に示す静電容量型入力装置の主な製造工程のフローを示す。 図３は、図１に示す静電容量型入力装置の製造過程の状態を段階的に示す。 図４は、第２の実施の形態に係る静電容量型入力装置の平面図およびＢ−Ｂ線断面図を示す。 図５は、図４に示す静電容量型入力装置の製造過程の状態を段階的に示す。 図６は、図４の静電容量型入力装置の変形例を示す。 図７は、第３の実施の形態に係る静電容量型入力装置の第１の実施の形態と同様の断面図を示す。 図８は、図７に示す静電容量型入力装置の製造過程の状態を段階的に示す。 図９は、第４の実施の形態に係る静電容量型入力装置の第１の実施の形態と同様の断面図を示す。 図１０は、図９に示す静電容量型入力装置の製造過程の状態を段階的に示す。 図１１は、第５の実施の形態に係る静電容量型入力装置の第１の実施の形態と同様の断面図を示す。 図１２は、図１１に示す静電容量型入力装置の製造過程の状態を段階的に示す。 図１３は、従来の静電容量型入力装置の平面図およびＸ−Ｘ線断面図を示す。

以下、本発明に係る静電容量型入力装置およびその製造方法の各実施の形態について、図面を参照しながら説明する。

＜第１の実施の形態＞
図１は、第１の実施の形態に係る静電容量型入力装置の平面図およびＡ−Ａ線断面図を示す。

静電容量型入力装置（以後、単に、「入力装置」と称する）１は、静電容量の変化によってタッチ位置を検出可能であって、基板２上に、タッチ位置を検出するための複数の検出電極部５と、それらの検出電極部５と電気的に接続される導電配線部６と、検出電極部５および導電配線部６と非接触状態で、かつ同じ平面内に形成されるシールド電極部７とを備える。基板２は、好適には、操作部３と、回路基板（不図示）に接続される基板接続部４という２つの領域から成る。検出電極部５およびシールド電極部７は、操作部３に形成され、上から保護層８に覆われている。シールド電極部７は、検出電極部５の領域および導電配線部６の領域を空けて形成されている。検出電極部５とシールド電極部７とは、同一の導電膜から形成され、互いに隙間ｔを隔てて分離配置されている。隙間ｔは、好適には、０．５〜１．０ｍｍである。シールド電極部７は、グランド（ＧＮＤ）に接続されているのが好ましいが、ＧＮＤに接続しない構成を採用することも可能である。なお、基板接続部４の上方に、保護層８を介してシールド電極部７が覆っていても良い。この構成は、内部のＬＣＤ等に起因するノイズあるいは外部から指等の接触による誤動作の防止に寄与する。

基板２は、好ましくは透光性および絶縁性にともに優れる材料から成り、樹脂、エラストマー、ガラス、セラミックスなどから成る。基板２のより好ましい材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチルなどの透光性および絶縁性に優れる樹脂を例示できる。検出電極部５およびシールド電極部７は、導電性に優れる材料から成り、例えば、酸化インジウムにＳｎをドープしたインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛にＡｌやＧａをドープしたＡＺＯあるいはＧＺＯ、酸化錫にＦｅをドープしたＦＴＯ、酸化チタンにＮｂをドープしたＮＴＯに代表される金属酸化物； ポリピロール類、ポリチオフェン類、ポリアセチレン類、ポリフェニレン類、ポリフェニレンビニレン類、ポリアニリン類、ポリアセン類、ポリチオフェンビニレン類、およびこれらの内の２以上の共重合体に代表される導電性ポリマーから構成できる。また、検出電極部５およびシールド電極部７は、必ずしも透光性に優れることを要せず、金属ナノワイヤー、カーボンあるいはグラファイトなどを含有する導電性インクを用いて構成することもできる。検出電極部５およびシールド電極部７は、導電膜を真空蒸着法、分子線エピタキシ法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、スピンコート法、ディッピング法、印刷などの手法で形成してから、双方を隔てる溝を形成して、それぞれ分離される。検出電極部５およびシールド電極部７は、好ましくは、透光性の材料から成るが、必ずしも透光性であることを要せず、銀、銅、アルミニウム等の導電性に優れる金属の薄膜から成る電極部であっても良い。

導電配線部６は、導電性に優れる材料、例えば、銀、銅に代表される金属、あるいはカーボンから成る。導電配線部６は、各検出電極部５から基板接続部４に延出する。保護層８は、透光性および絶縁性に優れる材料、例えば、樹脂、エラストマーなどから成る。保護層８は、最外層となる場合には操作者の指等が直接触れる部分であり、保護層８の上にガラスあるいは透明な樹脂から成るパネルが配置される場合には、指等から非接触にて押圧を受ける部位である。保護層８の好ましい材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチルなどの透光性および絶縁性に優れる樹脂を例示できる。本明細書において、「透明」あるいは「透光性に優れる」とは、有色であるか無色であるか、さらには透光性の多寡を問わず、入射光量に対して７０％以上の出射光量を担保可能な性質をいう。また、「導電性に優れる」とは、基板２や保護層８の電気抵抗値より低い電気抵抗値を有する性質をいう。さらに、「上方に」とは、上面のみならず、介在する層を隔てて上方向の場合も含むように解釈される。

図２は、図１に示す静電容量型入力装置の主な製造工程のフローを示す。図３は、図１に示す静電容量型入力装置の製造過程の状態を段階的に示す。

入力装置１は、基板２上に導電膜１０を形成する製膜工程（ステップＳ１１０）と、導電膜１０をエッチングして、タッチ位置を検出するための複数の検出電極部５と、それらの検出電極部５と同一平面内にあるシールド電極部７とを分離するエッチング工程（ステップＳ１２０）と、検出電極部５と電気的に接続される導電配線部６を、シールド電極部７と非接触になるように形成する配線形成工程（ステップＳ１３０）とを少なくとも含む。より詳細な製造工程は、以下の通りである。

（１）導電膜の製膜工程（ステップＳ１１０）
図３の（Ａ）に示すように、基板２の一方の面（上面）に導電膜１０を形成する。導電膜１０の形成方法は、特に限定されず、ターゲットをスパッタすることにより物理的に基板２上に製膜するスパッタリング法、基板２上での化学気相反応を利用して製膜するＣＶＤ法、回転する基板２上に塗液を滴下させて薄く拡げて製膜するスピンコート法、基板２を塗液中に浸漬後に乾燥させて製膜するディッピング法、あるいは基板２上への印刷、塗料の刷毛塗り等の手法などを例示できる。

（２）エッチング工程（ステップＳ１２０）
次に、図３の（Ｂ）に示すように、導電膜１０における検出電極部５とシールド電極部７との境界領域、および導電配線部６を形成する領域を、導電膜１０の深さ方向にエッチングして除去する。この実施の形態では、スキャン方式にてレーザー光（Ｌ）を局所照射して溝１１を形成する。ただし、エッチングは、レーザー光を用いる方法に限定されず、紫外線やマイクロプラズマを照射した部分を除去する方法などのドライエッチング法の他、所定の酸などを化学的に接触させ、接触部分を分解除去する方法などのウェットエッチング法によるものでも良い。

（３）配線形成工程（ステップＳ１３０）
次に、図３の（Ｃ）に示すように、配線用の溝１１に導電配線部６を形成する。この実施の形態では、銀粒子および樹脂バインダを含む溶剤（銀ペースト）を用いたスクリーン印刷によって導電配線部６を形成しているが、インクジェット等の他の印刷手法を用いても良い。また、導電配線部６をカーボンにより形成しても良い。また、後述する第３〜第５の各実施の形態にて説明するように、当該配線形成工程を、エッチング工程より先に行うこともできる。

（４）保護層の形成工程（ステップＳ１４０）
次に、図３の（Ｄ）に示すように、操作部３の上に保護層８を形成する。保護層８は、接着剤付きの樹脂フィルムを貼る方法、液状の樹脂含有溶液を塗布して硬化させる方法などにより容易に形成できる。なお、保護層８は、入力装置１にとって必須の構成ではなく、検出電極部５およびシールド電極部７上に絶縁性の膜を有する場合、あるいは入力装置１を配置する電子機器の他の構成において絶縁膜を備える場合には、入力装置１に保護層８を備えていなくても良い。以後の実施の形態でも同様である。

（５）外形の裁断工程（ステップＳ１５０）
最後に、基板２を所定形状に裁断する。ただし、最初の工程にて、すでに裁断を要しない形状の基板２を用いる場合には、裁断の工程を必ずしも要しない。以後の実施の形態でも同様である。

＜第２の実施の形態＞
次に、第２の実施の形態に係る入力装置およびその製造方法ついて説明する。第２の実施の形態において、第１の実施の形態と共通する部分については、その重複する説明を省略する。

図４は、第２の実施の形態に係る静電容量型入力装置の平面図およびＢ−Ｂ線断面図を示す。図５は、図４に示す静電容量型入力装置の製造過程の状態を段階的に示す。

第２の実施の形態に係る入力装置１ａは、第１の実施の形態に係る入力装置１と異なり、シールド電極部７の上面に、シールド電極部７よりも導電性の高いメッシュ状の高導電部材２０を備える。これは、シールド電極部７の電気抵抗値が高く、シールド電極としての機能が低いと予想される場合に、付加的に行われる。高導電部材２０としては、銀などの導電性に優れる金属の他、カーボンを用いても良い。高導電部材２０は、印刷などにより形成することができる。

この実施の形態における入力装置１ａは、導電膜１０の製膜から保護層８の形成までの間に、シールド電極部７の上面にメッシュ状の高導電部材２０を形成する高導電部材形成工程を経て製造される。それ以外の工程は、第１の実施の形態と共通する。入力装置１ａは、一例として、次のような工程で製造される。

（１）導電膜の製膜工程
図５の（Ａ）に示すように、基板２の一方の面に導電膜１０を形成する。
（２）エッチング工程
次に、図５の（Ｂ）に示すように、導電膜１０における検出電極部５とシールド電極部７との境界領域、および導電配線部６を形成する領域を、導電膜１０の深さ方向にエッチングして除去する。
（３）高導電部材の形成工程
次に、図５の（Ｃ）に示すように、シールド電極部７の上面にメッシュ状の高導電部材２０を形成する。
（４）配線形成工程
次に、図５の（Ｄ）に示すように、配線用の溝１１に導電配線部６を形成する。
（５）保護層の形成工程
次に、図５の（Ｅ）に示すように、操作部３の上から保護層８を被せる。
（６）外形の裁断工程
最後に、基板２を所定形状に裁断する。

この実施の形態では、高導電部材２０の形成は、エッチング工程と配線形成工程の間に行われているが、これに代えて、エッチング工程の前、あるいは配線形成工程の後に行っても良い。

図６は、図４の静電容量型入力装置の変形例を示す。

図６に示す入力装置１ｂは、図４に示す入力装置１ａと異なり、線状の高導電部材２５をシールド電極部７の上面に形成している。具体的には、３つの検出電極部５の周囲を囲う形態で高導電部材２５を配置している。このように、メッシュ状以外の形態を持つ高導電部材２５であっても、シールド電極部７の電気抵抗値が高い場合には、シールド電極部７の機能を高めるのに有効である。

＜第３の実施の形態＞
次に、第３の実施の形態に係る静電容量型入力装置およびその製造方法ついて説明する。第３の実施の形態において、先の各実施の形態と共通する部分については、その重複する説明を省略する。

図７は、第３の実施の形態に係る静電容量型入力装置の第１の実施の形態と同様の断面図を示す。図８は、図７に示す静電容量型入力装置の製造過程の状態を段階的に示す。

第３の実施の形態に係る入力装置１ｃは、第１の実施の形態に係る入力装置１と異なり、検出電極部５およびシールド電極部７の両上面に、マスクレジスト３０をさらに備える。また、基板接続部４の端部に、カーボンペーストを用いた印刷によって、端子保護部３５を備える。この形態は、フォトリソグラフィを利用して、検出電極部５とシールド電極部７との隙間、および導電配線部６の形成領域を除去する場合に製造される。マスクレジスト３０は、例えば、マイクロプラズマの照射によって溝１１を形成する場合には、マイクロプラズマからその直下の層を保護するポジ型の材料から構成される。マスクレジスト３０は、刷毛などによる塗布、印刷などにより形成することができる。マスクレジスト３０は、好ましくは、可視光を透過する材料で構成される。そのような材料を選択することにより、後工程で、マスクレジスト３０を除去する必要がなくなる。

この実施の形態における入力装置１ｃは、導電膜１０の製膜からエッチングまでの間に、導電膜１０上にマスクレジスト３０を形成するマスクレジスト形成工程をさらに有する。エッチング工程では、マイクロプラズマの照射によって、マスクレジスト３０を形成していない部分をエッチングする。エッチング工程は、マイクロプラズマの他、電子線、あるいは紫外線を用いても良く、さらには、ウェットエッチングの場合には、導電膜１０を溶解し、かつマスクレジスト３０を溶解しない溶剤を用いても良い。入力装置１ｃは、一例として、次のような工程で製造される。

（１）導電膜の製膜工程
図８の（Ａ）に示すように、基板２の一方の面に導電膜１０を形成する。
（２）配線形成工程
次に、図８の（Ｂ）に示すように、導電膜１０上に導電配線部６を形成する。
（３）マスクレジストの形成工程
図８の（Ｃ）に示すように、導電膜１０上において後工程で形成される検出電極部５とシールド電極部７の両領域に、マスクレジスト３０を形成する。
（４）エッチング工程
次に、図８の（Ｄ）に示すように、操作部３の上方からマイクロプラズマを照射して、マスクレジスト３０および導電配線部６の無い領域の導電膜１０が除去される。この結果、検出電極部５とシールド電極部７との間に溝１１が形成される。
（５）保護層の形成工程
次に、図８の（Ｅ）に示すように、導電配線部６の端部上方に端子保護部３５を印刷し、端子保護部３５の一部を露出するように、操作部３および端子保護部３５の上から保護層８を形成する。
（６）外形の裁断工程
最後に、基板２を所定形状に裁断する。

＜第４の実施の形態＞
次に、第４の実施の形態に係る静電容量型入力装置およびその製造方法ついて説明する。第４の実施の形態において、先の各実施の形態と共通する部分については、その重複する説明を省略する。

図９は、第４の実施の形態に係る静電容量型入力装置の第１の実施の形態と同様の断面図を示す。図１０は、図９に示す静電容量型入力装置の製造過程の状態を段階的に示す。

第４の実施の形態に係る入力装置１ｄは、第３の実施の形態に係る入力装置１ｃと異なり、シールド電極部７の上面に、シールド電極部７よりも導電性の高い高導電部材の一例としての高導電薄膜４０を備え、その高導電薄膜４０の上面にマスクレジスト３０を備える。入力装置１ｄにおける検出電極部５の上面にマスクレジスト３０を備える点は、入力装置１ｃと共通する。また、端子保護部３５を備える点も入力装置１ｃと共通する。この形態は、シールド電極部７の電気抵抗値が高く、シールド電極としての機能が低いと予想される場合であって、かつフォトリソグラフィを利用して、検出電極部５とシールド電極部７との隙間、および導電配線部６の形成領域を除去する場合に好適に製造される。高導電薄膜４０の材料としては、銀などの導電性に優れる金属の他、カーボンを用いても良い。高導電薄膜４０は、印刷などにより形成することができる。なお、高導電薄膜４０に代えて、第２の実施の形態で説明したメッシュ状の高導電部材２０を形成しても良い。マスクレジスト３０は、第３の実施の形態で説明したように、例えば、マイクロプラズマの照射によって溝１１を形成する場合には、マイクロプラズマからその直下の層を保護するポジ型の材料から構成される。マスクレジスト３０は、刷毛などによる塗布、印刷などにより形成することができる。

この実施の形態における入力装置１ｄは、導電膜１０の製膜からエッチングまでの間に、導電膜１０のシールド電極部７のための領域に高導電薄膜４０を形成し、次に、導電膜１０の検出電極部５およびシールド電極部７のための両領域に、マスクレジスト３０を形成する。その後、マスクレジスト３０の形成領域以外の部分をエッチングする。入力装置１ｄは、一例として、次のような工程で製造される。

（１）導電膜の製膜工程
図１０の（Ａ）に示すように、基板２の一方の面に導電膜１０を形成する。
（２）配線形成工程
次に、図１０の（Ｂ）に示すように、導電膜１０上に導電配線部６を形成する。
（３）高導電薄膜の形成工程
図１０の（Ｃ）に示すように、導電膜１０上において後工程で形成されるシールド電極部７の領域に、高導電薄膜４０を形成する。
（４）マスクレジストの形成工程
図１０の（Ｄ）に示すように、導電膜１０上において後工程で形成される検出電極部５と上記高導電薄膜４０の両領域に、マスクレジスト３０を形成する。
（５）エッチング工程
次に、図１０の（Ｅ）に示すように、操作部３の上方からマイクロプラズマを照射して、マスクレジスト３０および導電配線部６の無い領域の導電膜１０が除去される。この結果、検出電極部５とシールド電極部７との間に溝１１が形成される。
（６）保護層の形成工程
次に、図１０の（Ｆ）に示すように、導電配線部６の端部上方に端子保護部３５を印刷し、端子保護部３５の一部を露出するように、操作部３および端子保護部３５の上から保護層８を形成する。
（７）外形の裁断工程
最後に、基板２を所定形状に裁断する。

＜第５の実施の形態＞
次に、第５の実施の形態に係る静電容量型入力装置およびその製造方法ついて説明する。第５の実施の形態において、先の各実施の形態と共通する部分については、その重複する説明を省略する。

図１１は、第５の実施の形態に係る静電容量型入力装置の第１の実施の形態と同様の断面図を示す。図１２は、図１１に示す静電容量型入力装置の製造過程の状態を段階的に示す。

第５の実施の形態に係る入力装置１ｅは、第４の実施の形態に係る入力装置１ｄと異なり、シールド電極部７の上面に高導電薄膜４０を備えるものの、その高導電薄膜４０の上面にマスクレジスト３０を備えていない。入力装置１ｅにおける検出電極部５の上面にマスクレジスト３０を備える点は、入力装置１ｄと共通する。また、端子保護部３５を備える点も入力装置１ｄと共通する。この形態は、シールド電極部７の電気抵抗値が高く、シールド電極としての機能が低いと予想される場合であって、かつフォトリソグラフィを利用して、検出電極部５とシールド電極部７との隙間、および導電配線部６の形成領域を除去する場合に好適に製造される。高導電薄膜４０の材料としては、銀などの導電性に優れる金属の他、カーボンを用いても良いが、マスクレジスト３０と同様に、レジスト機能の高い材料で構成される必要がある。また、高導電薄膜４０は、メッシュ状ではなく、完全にシールド電極部７を覆う形態である。シールド電極部７の分解を防止する必要からである。高導電薄膜４０は、印刷などにより形成することができる。

この実施の形態における入力装置１ｅは、導電膜１０の製膜からエッチングまでの間に、導電膜１０のシールド電極部７のための領域に高導電薄膜４０を形成する一方、その前、同時若しくは後に、導電膜１０の検出電極部５のための領域にマスクレジスト３０を形成し、高導電薄膜４０とマスクレジスト３０とを形成した後に、それら以外の部分をエッチングすることにより製造される。入力装置１ｅは、一例として、次のような工程で製造される。

（１）導電膜の製膜工程
図１２の（Ａ）に示すように、基板２の一方の面に導電膜１０を形成する。
（２）配線形成工程
次に、図１２の（Ｂ）に示すように、導電膜１０上に導電配線部６を形成する。
（３）高導電薄膜の形成工程
図１２の（Ｃ）に示すように、導電膜１０上において後工程で形成されるシールド電極部７の領域に、高導電薄膜４０を形成する。
（４）マスクレジストの形成工程
図１２の（Ｄ）に示すように、導電膜１０上において後工程で形成される検出電極部５の領域に、マスクレジスト３０を形成する。
（５）エッチング工程
次に、図１２の（Ｅ）に示すように、操作部３の上方からマイクロプラズマを照射して、マスクレジスト３０および導電配線部６の無い領域の導電膜１０が除去される。この結果、検出電極部５とシールド電極部７との間に溝１１が形成される。
（６）保護層の形成工程
次に、図１２の（Ｆ）に示すように、導電配線部６の端部上方に端子保護部３５を印刷し、端子保護部３５の一部を露出するように、操作部３および端子保護部３５の上から保護層８を形成する。
（７）外形の裁断工程
最後に、基板２を所定形状に裁断する。

以上のように、上記各実施の形態に係る静電容量型入力装置１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅは、静電容量の変化によってタッチ位置を検出可能であって、基板２上に、タッチ位置を検出するための複数の検出電極部５と、それら検出電極部５と電気的に接続される導電配線部６と、検出電極部５および導電配線部６と非接触状態で、かつ同じ平面内に形成されるシールド電極部７とを備え、シールド電極部７を検出電極部５と同一の導電膜１０から構成している。このため、検出電極部５以外の領域をエッチングした後にシールド電極部を形成するのと比べて、より低コストで、かつより高品質な静電容量型入力装置を製造できる。

また、静電容量型入力装置１ａ，１ｂ，１ｄ，１ｅは、シールド電極部７の上方に、それより導電性の高い高導電部材２０，２５，４０をさらに備える。このため、導電膜１０の電気抵抗値が比較的高くても、高導電部材２０，２５，４０によって、シールド電極としての機能を果たすことができる。

また、静電容量型入力装置１ｃ，１ｄ，１ｅは、検出電極部５の上方に、マスクレジスト３０をさらに備える。また、シールド電極部７は、マスクレジスト３０またはシールド電極部７の分解を防止可能な高導電薄膜４０の少なくともいずれか一方により覆われている。このため、フォトリソグラフィにより、検出電極部５とシールド電極部７との隙間、および導電配線部６の形成領域を除去する製法を用いて、静電容量型入力装置を製造できる。

＜その他の実施の形態＞
本発明は、上述の各実施の形態に限定されず、種々変形実施可能である。

基板２の裏面に配線を形成している場合、基板２の内部にシールド電極部７と同様の電極部を備え、基板２の上方から指を近づけたときに配線に影響を与えないようにしても良い。また、基板２の裏方向に液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、ドライバー回路やＥＬ素子が存在する場合に、基板２の内部若しくは裏面に、シールド電極部７と同様の電極部を備えて、ドライバー回路やＥＬ素子から検出電極部５への影響を低減することもできる。保護層８の形成前に、導電配線部６の素材が銀等の金属から構成される場合には、その腐食を防止するために、導電配線部６の端子部をカーボン等によりコートする工程を行っても良い。

本発明は、例えば、静電容量型入力装置を備える電子機器に利用できる。

１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ 静電容量型入力装置
２ 基板
５ 検出電極部
６ 導電配線部
７ シールド電極部
１０ 導電膜
２０ 高導電部材
２５ 高導電部材
３０ マスクレジスト
４０ 高導電薄膜（高導電部材の一例）

Claims (3)

1. 静電容量の変化によってタッチ位置を検出する静電容量型入力装置であって、
   基板上に、
   前記タッチ位置を検出するための複数の検出電極部と、
   前記検出電極部と電気的に接続される導電配線部と、
   前記検出電極部および前記導電配線部と非接触状態で、かつ同じ平面内に形成されるシールド電極部と、を備え、
   前記シールド電極部は、前記検出電極部と同一の導電膜から成り、
   前記シールド電極部の上方を、それより導電性の高い高導電部材にて完全に覆っており、
   前記検出電極部の上方にマスクレジストをさらに備えることを特徴とする静電容量型入力装置。
2. 前記高導電部材の上方に前記マスクレジストをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の静電容量型入力装置。
3. 静電容量の変化によってタッチ位置を検出する静電容量型入力装置の製造方法であって、 基板上に導電膜を形成する製膜工程と、 前記導電膜をエッチングして、前記タッチ位置を検出するための複数の検出電極部と、それらの検出電極部と同一平面内にあるシールド電極部とを分離するエッチング工程と、 前記検出電極部と電気的に接続される導電配線部を、前記シールド電極部と非接触になるように形成する配線形成工程と、 前記シールド電極部の上方を、それより導電性の高い高導電部材にて完全に覆う高導電部材形成工程と、 前記検出電極部および前記シールド電極部の内の少なくとも前記検出電極部の上方にマスクレジストを形成するマスクレジスト形成工程と、を含み、 前記エッチング工程では、前記マスクレジストの形成領域、前記高導電部材の形成領域および前記導電配線部の形成領域をそれぞれ除く部分をエッチングすることを特徴とする静電容量型入力装置の製造方法。

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