CN203895448U - 具防电磁波干扰镀膜披覆的晶片封装构造 - Google Patents
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Abstract
本实用新型是一种具防电磁波干扰镀膜披覆的晶片封装构造，主要是在一晶片封装体单元的相对外侧依序形成有一镀膜接着层、一镀膜导电层与一镀膜保护层；其中，该镀膜接着层可提高晶片封装体单元与镀膜导电层间的接着力，该镀膜导电层可产生电磁屏蔽而防止电磁干扰，该镀膜保护层可防止镀膜导电层被氧化或腐蚀，通过在晶片封装体单元外侧形成多层的金属镀膜层，利用金属镀膜层的厚度薄、重量轻、低电阻与电磁屏蔽效果好的优点，解决了现有电子产品的晶片使用金属制外盖产生的制造成本高、体积大与重量重的问题。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种晶片封装构造，尤指一种具防电磁波干扰镀膜披覆的晶片封装构造。
背景技术
现今科技蓬勃发展，许多使用集成电子元件或晶片的电子产品相继问世，同时也充斥在人们的生活当中，例如电脑、笔记本电脑(或平板电脑)、移动电话等不胜枚举，但伴随着电子产品的广泛利用，电子产品使用时产生的高频电磁波对人体与其它电子产品的危害也增加了。为防止电子产品产生的电磁波对人体造成危害或干扰其它电子产品，目前许多电子产品在电子元件的外壳或在晶片封装时进行电磁屏蔽的处理，除可减少本身的电磁波外漏，也可进一步减少外界电磁波的干扰。
请参阅图3与4所示，现有晶片封装的防电磁波干扰对策是在一晶片封装体80外侧设置一截面呈ㄇ型的外盖90，该晶片封装体80包含有一基板81、一晶片82与一封装体83，该晶片82设于基板81的表面上，该封装体83形成于基板81的表面上并且包覆该晶片82，该外盖90与基板81的表面接触并完整包覆该封装体83，该封装体83隔开该晶片82与该外盖90并产生电性绝缘，利用该金属制的外盖90形成电磁屏蔽以保护该晶片82不受外界的电磁波干扰。然而采用覆盖金属制的外盖90的隔离方式，需事先以模具压制金属片形成该外盖90，且因压制的金属片需有一定厚度(0.1mm至数mm)，故现有使用金属制外盖90的屏蔽隔离方式会有制造成本高、体积大与重量重的问题。
实用新型内容
如前揭所述，现有电子产品的晶片封装防电磁波干扰对策所使用的金属制外盖会有制造成本高、体积大、重量重的问题，因此本实用新型的主要目的在于提供一具防电磁波干扰镀膜披覆的晶片封装构造，主要是在晶片封装构造的相对外侧以镀膜方式形成一个以上的金属镀膜层，该金属镀膜层使用的金属材料较少，具有制造成本低、厚度薄与重量轻的优点，解决了现有使用金属外盖防止电磁波干扰所造成的问题。
为达成前述目的，所采取的主要技术手段是令前述具防电磁波干扰镀膜披覆的晶片封装构造包含有：
一晶片封装体单元，其包含一基板、一晶片与一封装体，该晶片设于基板的其中一面上，该封装体形成于基板上并包覆该晶片；
一镀膜接着层，其形成于该封装体的相对外侧；
一镀膜导电层，其形成于该镀膜接着层的相对外侧；以及
一镀膜保护层，其形成于该镀膜导电层的相对外侧。
利用前述元件组成的具防电磁波干扰镀膜披覆的晶片封装构造，主要是在该晶片封装体单元的相对外侧依序形成该镀膜接着层、该镀膜导电层与该镀膜保护层，该镀膜接着层可提高封装体与镀膜导电层间的接着力，该镀膜导电层可产生电磁屏蔽而防止电磁干扰，又镀膜保护层可防止镀膜导电层产生氧化腐蚀，利用镀膜方式形成多层的金属镀膜层，使用的金属材料较金属外盖少，并具有厚度薄、重量轻、低电阻与电磁屏蔽效果好的优点，解决了现有电子产品的晶片封装体使用金属制外盖产生的制造成本高、体积大与重量重的问题。
附图说明
图1是本实用新型一优选实施例的剖面图。
图2是本实用新型一优选实施例的局部立体剖面图。
图3是现有晶片封装构造的剖面图。
图4是现有晶片封装构造的局部立体剖面图。
附图标号说明
10 晶片封装体单元 11 基板
12 晶片 13 封装体
20 镀膜接着层 30 镀膜导电层
40 镀膜保护层
80 晶片封装体 81 基板
82 晶片 83 封装体
90 外盖
具体实施方式
以下配合附图及本实用新型的优选实施例，进一步阐述本实用新型为达成预定实用新型目的所采取的技术手段。
关于本实用新型的一优选实施例，请参阅图1所示，主要是在一晶片封装体单元10的相对外侧以金属镀膜方式依序形成有多层的金属镀膜层，该等金属镀膜层分别为一镀膜接着层20、一镀膜导电层30与一镀膜保护层40，其中，该晶片封装体单元10包含有一基板11、一晶片12与一封装体13，该基板11是一薄形的片体并具一表面，该晶片12为集成电路(IC)且设于该基板11的表面上，该封装体13形成于基板11的表面上并包覆该晶片12，该封装体13具有电性绝缘的特点。
该晶片封装体单元10欲进行外覆金属镀膜之前需利用一电浆(Plasma)***的射频(RF)电源产生射频电浆，在一真空室通入反应气体后产生高能量的离子去撞击晶片封装体单元10的封装体13的表面，以对该封装体13的表面进行改质、活化、亲水性及粗化等处理，使接下来形成的金属镀膜层可以得到较好的附着性。
该镀膜接着层20为一溅镀金属膜或一蒸镀金属膜，是以不锈钢(Sus)、钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)或镍铬(Ni-Cr)等金属或其合金材料制成，以溅镀或蒸镀的镀膜方式附着于该封装体13的相对外侧，由于前述金属或合金材料具有高接着力，因此可减少溅镀或蒸镀的金属膜层的厚度。
该镀膜导电层30为一溅镀金属膜或一蒸镀金属膜，是以铜(Cu)或银(Ag)等高导电性金属材料制成，以溅镀或蒸镀的镀膜方式附着于该镀膜接着层20的相对外侧，该镀膜导电层30为壳状的高导电性的金属薄膜，其阻抗在形成的壳体内侧对角线处是小于5欧姆(Ω)，于是该高导电性的镀膜导电层30可防止晶片封装体单元10内部产生的电磁波发散至外界或是防止外界的电磁波干扰该晶片封装体单元10。
该镀膜保护层40为一溅镀金属膜或一蒸镀金属膜，是以不锈钢(Sus)、钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)或镍铬(Ni-Cr)等金属或其合金材料制成，以溅镀或蒸镀的镀膜方式附着于该镀膜导电层30的相对外侧，由于前述金属或合金材料具有高抗氧化性，因此可以有效保护并防止该镀膜导电层30氧化或腐蚀。
由上述可知，本实用新型是在该晶片封装体单元10的外侧以金属镀膜方式依序形成有镀膜接着层20、镀膜导电层30与镀膜保护层40，该等金属镀膜层分别提供高接着力、电磁屏蔽及抗氧化腐蚀的功能，同时该等金属镀膜层具有厚度薄(0.1μm至数μm)、重量轻、低电阻与电磁屏蔽效果好的优点，可解决现有电子产品的晶片封装体使用金属制外盖产生的制造成本高、体积大与重量重的问题。
以上所述仅是本实用新型的优选实施例而已，并非对本实用新型做任何形式上的限制，虽然本实用新型已以优选实施例披露如上，然而并非用以限定本实用新型，任何本领域的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案的范围内，应当可以利用上述揭示的技术内容作出些许改变或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
Claims (2)
1.一种具防电磁波干扰镀膜披覆的晶片封装构造，其特征在于包含有：
一晶片封装体单元，其包含一基板、一晶片与一封装体，该晶片设于基板的其中一面上，该封装体形成于基板上并包覆该晶片；
一镀膜接着层，其形成于该封装体的相对外侧；
一镀膜导电层，其形成于该镀膜接着层的相对外侧；以及
一镀膜保护层，其形成于该镀膜导电层的相对外侧。
2.如权利要求1所述的具防电磁波干扰镀膜披覆的晶片封装构造，其特征在于，该镀膜接着层、镀膜导电层与镀膜保护层为溅镀金属膜或蒸镀金属膜。
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