TW201508827A - 具有單一基板與抗反射和/或抗指紋塗層的透明體及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明係提供一種用於觸控螢幕面板中的透明體的製程。製程包括沉積第一透明層堆疊於透明基板之第一側之上、提供結構化的透明導電膜於該基板之第一側之上、以及沉積至少一第一層於該基板之第二側之上。其中第一透明層堆疊係選自由下列所組成的群組:其中包括具有由第一折射率至第二折射率之一梯度折射率的第一介電膜的層堆疊、與其中包括具有第一折射率的至少一第一介電膜與具有不同於第一折射率之第二折射率的第二介電膜的層堆疊。製程更包括提供結構化的透明導電膜於該基板之該第一側之上、以及沉積至少一第一層於該基板之第二側之上。其中第二側相對於第一側,且其中至少第一層係選自由一抗反射層與一抗指紋層所組成的群組。
Description
本發明之實施例係有關於用於製造在觸控螢幕面板中所使用的透明體的製程與系統,以及根據這些製程所製造之透明體。
觸控面板或觸控螢幕面板係電子視覺顯示器的一特定類別,此類別的電子視覺顯示器能夠在顯示區域中偵測一觸控並定位觸控之位置。一般而言,觸控面板包括配置於螢幕之上且配置以感應觸控的透明體(transparent body)。這種透明體係實質上透明,因此由螢幕所射出的可見光譜中的光線可以通過透明體傳遞。至少一些已知的觸控面板包括透明體,透明體由阻隔層(barrier)與透明導體(transparent conductor)所組成,阻隔層與透明導體依此順序形成在基板上。在此種面板的顯示區域上的觸控一般產生在透明體的區域中之電容的可量測的變化。電容的變化可以藉由使用不同的技術來測量,因此可以確認觸控的位置。
用於與觸控面板使用的透明體係受到一些特定的要求。特別是,一個關鍵的要求是透明體要夠穩定,以抵抗於螢幕上多重的接觸與嚴苛的環境,使得觸控螢幕的可靠度不會隨著時間的流逝而下降(compromise)。然而,至少一些已知的透明體係包含在觸控螢幕中,由於例如形成透明體的層的厚度、組成、與結構,這些透明體被視為大幅影響穿透其中的光線之適當的傳輸。又,製造此種高品質的穩定的透明體具有挑戰性,其中高品質例如是具有均勻性與無缺陷的阻隔層。
又,應考慮到有不同種類之用於觸控面板的透明體。特別是必須要考慮透明體的光學特性(例如是對於使用者的顯示情況),其中用於測量電容中的變化的導電層係結構化的導電層(structured conductive layer)。
另一方面,需考慮的是成本以及材料高效率的解決方法,以防止觸控面板的圖案化的部分被看到的可見度(visibility)或降低觸控面板的圖案化的部分的被看到的可見度。由於抗反射層(anti-reflection(AR)coating)和/或抗指紋層(anti-fingerprint(AF)coating)會增加此種圖案化部分被看到的可見度,且可以隨著時間的流逝會更為嚴重(例如是由於觸控面板的使用而造成層的磨損),因此,特別是對於整合有抗反射層和/或抗指紋層的觸控面板而言係極具挑戰性。
因此,形成用於觸控面板中之高品質的透明體的製程與設備是有需求的,使得透明體係穩定地形成於基板之上而不會減少適當的傳輸,提供可見光譜中的光的觸控感應器不可見性(invisibility)並降低製造成本。
鑑於上述,係提供根據獨立項請求項1的製程以及根據獨立請求項13的透明體。更進一步,本案之附屬項請求項、發明說明及所附圖式係清楚呈現本發明之其他方面、優點及特徵。
根據一實施例,係提供一種製造用於一觸控螢幕面板的一透明體的製程。製程包括沉積一第一透明層堆疊於一透明基板之一第一側之上。其中第一透明層堆疊係選自由下列所組成的群組:其中包括具有由一第一折射率至一第二折射率之一梯度折射率的一第一介電膜的層堆疊、與其中包括具有一第一折射率的至少一第一介電膜與具有不同於第一折射率之一第二折射率的一第二介電膜的層堆疊。製程更包括提供一結構化的透明導電膜於該基板之該第一側之上、以及沉積至少一第一層於該基板之一第二側之上。其中該第二側相對於該第一側,且其中至少一第一層係選自由一抗反射層與一抗指紋層所組成的群組。
根據本發明之另一實施例,係提供一種配置為使用於一觸控螢幕面板或顯示面板中的一透明體。透明體包括一透明基板與一透明層堆疊。透明層堆疊沉積於透明基板之上,位於一第一側上,其中透明層堆疊係選自由下列所組成的群組:包括具有由一第一折射率至不同於該第一折射率的一第二折射率之一梯度折射率的一第一介電膜的一層堆疊、與包括具有一第一折射率的至少一第一介電膜與具有不同於第一折射率之一第二折射率的一第二介電膜的一層堆疊。透明體更包括一透明導電膜、以
及至少一第一層。透明導電膜沉積於透明基板之上,位於第一側上。至少一第一層沉積於該基板之一第二側之上,其中第二側相對於第一側,且其中至少一第一層係選自由一抗反射層與一抗指紋層所組成的群組。
令人振奮的是,根據本發明之實施例沉積的介電膜的結合對於觸控面板的透明體導致良好的不可見性,其中可以提供單一基板的解決方式與抗反射(AR)層和/或抗指紋(AF)層的整合。因此,特別是對於提供整體的光學概念係有益的,即將抗反射層和/或抗指紋層的光學性質併入提供具有觸控偵測能力的隱形透明體之概念。單一基板的使用改善成本與製造透明體的材料效率,特別是在改善的光學效能的邊界條件(boundary condition)之下,例如是陽光下的可讀性和/或降低的來自指紋的干擾。
實施例亦導向用於執行所揭示的製程且包括用於進行所述的製程步驟的設備部分。再者,實施例係亦導向藉由所述裝置的製造方法。方法可以包括用於製造部分裝置的步驟。方法步驟可以藉由硬體組件、韌體(firmware)、軟體、藉由適當的軟體程式化的、藉由任何上述之組合或任何其他方式的方法進行。
為了對本發明之上述特徵有更佳的瞭解,可以參閱實施例以理解本發明之更特定的描述與上述之簡明的摘要。下文特舉有關於實施例的所附圖式,作詳細說明如下:
1‧‧‧箭頭
10‧‧‧透明體
12‧‧‧第一透明層堆疊
14‧‧‧基板
22、322‧‧‧透明導電膜
24‧‧‧透明黏著層
16、18‧‧‧介電膜
34‧‧‧顯示器
20、416‧‧‧層
40‧‧‧抗反射層
42、44‧‧‧層
50‧‧‧抗指紋層
201‧‧‧光電元件的另一部分
202‧‧‧空氣間隙
521‧‧‧絕緣層
522‧‧‧橋路
600‧‧‧沉積設備
602‧‧‧真空腔室
604‧‧‧閥殼體
605‧‧‧閥單元
610‧‧‧滾輪
614‧‧‧承載件
622、624‧‧‧陰極
623‧‧‧交流電源供應器
625‧‧‧陽極
626‧‧‧直流電源供應器
638‧‧‧量測系統
700‧‧‧製程
702、704、706‧‧‧步驟
第1A圖繪示根據本文所述之實施例之使用於觸控面板中之
示範性透明體的示意圖。
第1B圖繪示根據本文所述之實施例之使用於觸控面板中之示範性透明體的示意圖。
第2A圖繪示根據本文所述之另一實施例使用於觸控面板中與結合於透明體之光電元件之示範性透明體的示意圖。
第2B圖繪示根據本文所述之另一實施例使用於觸控面板中與結合於透明體之光電元件之示範性透明體的製造示意圖。
第3A至第3E圖繪示根據本文所述之實施例之使用於觸控面板中之示範性透明體的製造示意圖。
第4圖繪示根據本文所述之又一實施例之使用於觸控面板中之示範性透明體的剖面圖。
第5A與第5B圖繪示使用於本文所述之實施例之示範性透明導電氧化物結構的示意圖。
第6圖繪示根據本文所述之實施例之使用於觸控面板中用於沉積示範性透明體之部分設備的示意圖。
第7圖繪示根據本文所述之實施例之使用於觸控面板中之透明體的製造方法的流程圖。
現在請參閱圖式中所繪示的一個或多個範例,將對於本發明之不同實施例進行詳細的描述。各個範例僅為舉例說明之用,並非用以限制本發明。可以預期的是,一實施例中的元件可使用於其他的實施例中而無需特別描述。
根據本文中的實施例,如第1A與1B圖所繪示的第
一透明層堆疊(first transparent layer stack)12係配置於基板14的第一側之上,第一側例如是第1A圖所示之下側。如本文所使用之「基板」一詞應包括例如是晶圓、如藍寶石或其他類似物的透明水晶片、或玻璃板的非可撓性基板(inflexible),以及例如是卷(web)或箔的可撓性基板。本文所使用之「透明」一詞應特別包括能夠以相對低的散射傳遞光線之一結構的功能,因此例如能夠以實質上清楚的方式看到穿透此結構的光線。在可撓性基板的例子中,基板14係典型地具有形成於其之上的硬膜(hard coat)。根據典型的實施例,基板可以是剛性或可撓的,例如玻璃或聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)、聚醯亞胺(PI)。基板可以作為用於顯示器(display)或觸控螢幕產品(Touch Screen Product,TSP)的外蓋(亦即覆蓋板(cover lens))。
根據可以與本文中所述之其他實施例結合的一些實施例,基板可以包括不透明的或有顏色的區域,這些區域例如是為了觸控螢幕框架(touch screen bezel)而設計的黑色矩陣、或框架區域中的金屬導線、或用於連接不同透明導電電極的金屬基的橋路(metal based bridges)。
根據典型的實施例,層堆疊係由一層膜形成在另一層膜頂部的方式形成(例如是藉由沉積)的多個膜所構成。特別是,本文的實施例包括沉積可以藉由複數個介電膜所組成的第一透明層堆疊,介電膜即是實質上不導電的膜。特別地,第一透明層堆疊12可以包括如第1B圖所繪示的第一介電膜(first dielectric film)16與第二介電膜18。
如第1A與1B圖所示,係提供一結構化的透明導電
氧化物膜(Transparent Conductive Oxide(TCO)film)22,使得透明層堆疊係提供於基板14與透明導電氧化物層22之間。即使在第1A與1B圖中,係由於透明體10已經翻轉(flip),透明導電層22係位於透明層堆疊之下。典型地,當提及「之上」一詞時,亦即一層位於另一層之上,應理解的是,由基板開始,第一層係沉積於基板之上,且於第一層之後沉積的另一層係因而位於第一層之上以及基板之上。換句話說,「之上」一詞係用來定義層、層堆疊、和/或膜的順序,其中起始點是基板。此係無關於透明體是否繪示為上下顛倒。
根據典型的實施例,結構化的透明導電氧化物層可以藉由沉積一透明導電氧化物層且圖案化該透明導電氧化物層來提供,以提供一結構化的透明導電氧化層。或者,可以提供光罩和/或光阻(photoresist)以沉積結構化的透明導電氧化層。根據典型的實施例,透明導電氧化膜係直接提供於第一透明層堆疊12上,其中第一透明層堆疊包括至少一第一介電層與一第二介電層。又,典型的,第一透明層堆疊可以直接地提供於基板上。根據可以與本文所述之其他實施例結合的一些實施例,於基板與透明導電氧化物膜22之間,並沒有光學透明膠(optical clear adhesive)之層與空氣間隙。
根據一些可以與本文所述之其他實施例結合典型的實施例,透明導電氧化物層可以是銦錫氧化物層(Indium Tin Oxide(ITO)layer)、摻雜的銦錫氧化物層、雜質摻雜的氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、二氧化錫(SnO2)、與氧化鎘(CdO)、銦錫氧化物(ITO)(氧化銦:錫(In2O3:Sn))、氧化鋅鋁(AZO)(氧化鋅:鋁
(ZnO:Al))、氧化鋅銦(氧化鋅:銦(ZnO:In))、氧化鋅鎵(氧化鋅:鎵(ZnO:Ga))、包括氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)與二氧化錫(SnO2)、至少一銦錫氧化物層與金屬層之層堆疊(例如是一銦錫氧化物/金屬/銦錫氧化物堆疊(ITO/metal/ITO-stack)或一金屬/銦錫氧化物/金屬堆疊(metal/ITO/metal-stack))之組合的多成分氧化物(multi-component oxide),或是由氧化鋅、氧化銦與二氧化錫、至少一銦錫氧化物層與金屬層之層堆疊(例如是一銦錫氧化物/金屬/銦錫氧化物堆疊(ITO/metal/ITO-stack)或一金屬/銦錫氧化物/金屬堆疊(metal/ITO/metal-stack))之組合所組成的多成分氧化物。
第1A與的1B圖進一步顯示透明黏著劑(transparent adhesive)24,透明黏著劑24係用於將透明體10與如彩色濾光片(color filter)的觸控螢幕之另一部分、另外的透明體、或顯示器(例如是薄膜電晶體顯示器(TFT display))、或光電元件(optoelectronic device)之任何其他部分連接,以形成觸控面板。
第1A圖與第1B圖顯示依序在基板14的第二側之上沉積的抗反射層(anti-reflection(AR)coating)40與抗指紋層(anti-fingerprint(AF)coating),其中第二側相對於第一側。因此,抗反射層可以典型地包括一個或多個介電膜42、44,其中係依據折射率(refractive indices)的順序產生抗反射的特性。
根據可以與本文所述之其他實施例結合的又一實施例,可以省略抗反射層,且僅提供抗指紋層。因此,應考慮到如本文所述之透明體具有單一基板,其中透明導電氧化物膜、為了透明導電氧化物膜之圖案的「不可見性」(“invisibility”)所配置之透明層堆疊、抗反射層與抗指紋層至少其中之一,係可提供作為
為觸控面板的覆蓋板或觸控面板的內部結構,其將於下文中更詳細的描述。因此,具有抗指紋層的透明體形成覆蓋板,亦即形成觸控面板的最外部分。若透明體形成觸控面板的最外部分,係提供抗指紋層以降低使用者的指紋的影響。可選擇地,抗反射層可以從而提供於基板與抗指紋層之間。如下文中關於第2A、第2B圖所述者,如果透明體係提供於觸控面板結構之內,因為單一基板的透明體之頂層係在觸控面板堆疊之內,便不需要抗指紋層。在此例中,係提供如下文中所述的抗反射層。
傳統用於觸控面板的層堆疊或透明體可造成一功能性螢幕(如觸控螢幕)。然而,卻通常得到劣質的陽光下可讀性(inferior sunlight readability)、螢幕的有顏色的外觀(colored appearance)(反射)、相對於從下方顯示器所產生的圖像的顏色變化、以及或多或少由功能性螢幕的結構化核心層的可見的圖案(例如是圖案化的透明導電氧化物(TCO))。根據一些進一步的選擇性考量,對於例如對角線7吋(inch)或更大的觸控面板、尤其是對角線大於20吋的觸控螢幕的大面積觸控面板而言,導電性可能不足夠。
由於透明層堆疊的結構,這有助於使導電膜不會對於通過透明體的光的最佳傳輸造成損害。特別是,根據本文之實施例的透明層堆疊,係有利於導電膜(即使是結構化的導電膜)不會影響反射色彩的中性(the neutrality of the reflectance color),這將進一步於下文中討論。
在過去,已經顯示具有介電層的透明層堆疊具有預定折射率(predetermined refractive indices),可以用於改善觸控面
板的視覺外觀。然而,特別是對於根據本文所述之實施例之另外的抗反射和/或抗指紋層,而且還有可選擇性的對於較厚的(低電阻)透明導電氧化物結構來說,仍需要付出更多的努力。因此,必須特別考量到在透明層堆疊中的大多數的層的光學性質。這超乎了藉由使用多個介電層,在基板上的圖案化的透明導電氧化層的補償(compensation)(這最初已經被完成,無關於結合方案(bonding scheme)和其他性質),透明黏著劑的折射率、抗反射層的折射率、與較佳的還有抗反射層的光學性質(例如是折射率)係結合於整個結構中,其中視覺外觀的改善係針對整個透明體(entire body)被執行。
根據本文所述的實施例,係提供增強的結構與此種不可見(invisible)物件(例如是觸控感應器)的製造方法,以超越使用抗反射和/或抗指紋層以及其整合(integration)所產生的限制。如同本文所述之提供於顯示器或其他類似物上的層堆疊或透明體,當放置於的空氣(折射率1)的空氣之中時,係被視為不可見的,其光學外觀(optical appearance)在有透明導電氧化層(例如是銦錫氧化物(「不可見的」銦錫氧化物))的區域和沒有透明導電氧化層的區域之間的差異是非常小的。
如第1A圖中所示,透明黏著劑24係提供於透明導電氧化層22之上,亦即使得透明導電氧化層22位於透明黏著劑與基板之間。根據典型的、選擇性的實施方式,透明黏著劑可以是光學透明膠層板(optical clear adhesive laminate)或是具有1.3至1.7的折射率的液態光學透明膠(例如是折射率接近於玻璃之折射率(1.48)或聚甲基丙烯酸酯(PMMA)之折射率(1.6)),故如另一實施
例,折射率係介於1.48與1.6之間的範圍中。根據可以與本文所述之其他實施例結合之又一實施例,透明黏著劑24可以具有95%或以上、97%或以上、或甚至99%或以上的視覺穿透率(visual transmittance),且可以具有低濁度(haze)(例如是3%或以下、2%或以下、或甚至是1%或以下)。因此,透明黏著劑的光學性質係典型地被考慮使用於形成具有改善的視覺外觀的透明體。
根據可以與本文所述之其他實施例結合之典型的實施例,透明黏膠可以配置為將層堆疊或透明體貼附於鄰近的觸控面板或顯示面板之元件,例如可以使用透明體的任何的光電元件(觸控螢幕、彩色濾光片、觸控面板、顯示器、顯示面板等等)。
根據可以與本文所述之其他實施例結合之本文所述的實施例,抗反射層可以包括2、3、4或更多個介電層,其中第一層典型地具有第一折射率,且第二層具有不同於第一折射率之第二折射率。例如,第一層可以是如五氧化二鈮(Nb2O5)的氧化鈮(NbOx),且第二層可以是如二氧化矽(SiO2)的氧化矽(SiOx)。又,層亦可以是氧化鈮(NbOx)與氧化矽(SiOx)交替。因此,可以藉由包含氧化矽(SiOx)、氟化鎂(MgFx)、氮氧化矽(SiOxNy)、或類似物的膜提供具有低折射率的膜。例如,可以藉由包含氧化鈮(NbOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)、氧化鋁(AlOx)、氮氧化鋁(AlOxNy)、氧化鈦(TiOx)、氧化鉭(TaOx)、或類似物的膜提供具有較高折射率的膜。根據可以與本文所述之其他實施例結合之典型的實施例,係以交替的方式提供具有例如是小於1.60、或更特別是小於1.52、或甚至更特別是小於1.49的較低折射率之介電層,以及具有例如是至少1.80、或更特別是至少2.10、或甚至更特別
是至少2.30的較高折射率之介電層。
根據可以與本文所述之其他實施例結合之又一實施例,亦可以藉由一介電層與具有預定光學性質的抗指紋層提供抗反射層。例如,高折射率層可以與抗指紋層結合,以形成抗反射層。
根據典型的實施例,抗指紋層可以因而具有一低的有效折射率(low effective refractive index),例如是小於1.70、或更特別是小於1.52、或甚至更特別是小於1.49。因此,請參考對於抗指紋層的有效折射率,可具有一定粗糙度(roughness)或多孔性(porosity)的抗指紋層將藉由一有效折射率(布呂格曼平均場近似(Bruggemann mean field approximation))進行描述。
典型地,有2種類型的抗指紋層。一種選擇是親油性(oleophilic)(或親脂性(lipophilic))且親水性(hydrophilic)的材料,即兩親性(amphiphilic)的材料,其中指紋係被分布,例如是平均地分布。第二種選擇係疏油性(oleophobic)(或疏脂性(lipophobic))且疏水性(hydrophobic)的材料,即雙疏性(amphiphobic)的材料,其中水與油係被排斥。此類材料可以基於蓮花效應(lotus effect),含氟材料的電負度(electronegativity)。又,根據一些選擇性的實施方式,抗指紋層亦可以為一層堆疊。
根據本文的一些實施例,如第2A與的2B圖所繪示的第一透明層堆疊12係沉積於基板14的第一側之上,第一側例如是第2A圖中所示的下側。典型地,關於第2A與第2B圖所描述的實施例,亦即提供觸控螢幕產品(TSP)之內部部分之處,基板可以是玻璃、箔、偏光板、阻片或其之組合。
根據典型的實施例,層堆疊係藉由一層在另一層之上所形成(例如是藉由沉積)的多個膜所構成。特別是,本文之實施例包括沉積可以藉由複數個介電膜所構成的第一透明層堆疊,介電膜亦即是實質上無法導電的膜。特別是,如第2B圖中所示範性繪示的,第一透明層堆疊12可包括第一介電膜16、與第二介電膜18。
如第2A與第2B圖所示,係提供結構化的透明導電氧化物(TCO)膜22,使得透明層堆疊係提供於基板14與透明導電氧化物層22之間。根據典型的實施例,結構化的透明導電氧化物層可以藉由沉積一透明導電氧化物層並且圖案化透明導電氧化物層來提供,以提供一結構化的透明導電氧化物層。或者,可以提供光罩和/或光阻以沉積結構化的透明導電氧化物層。根據典型的實施例,透明導電氧化膜係直接提供於第一透明層堆疊12之上,其中第一透明層堆疊包括至少一第一介電層與一第二介電層。又,典型的,第一透明層堆疊可以直接地提供於基板上。根據可以與本文所述之其他實施例結合的一些實施例,於基板與透明導電氧化層22之間,並沒有光學透明膠之層與空氣間隙。
第2A與第2B圖進一步顯示透明黏著劑24,透明黏著劑24係用於將透明體10與例如是彩色濾光片的觸控螢幕之另一部分、另外的透明體、或顯示器(例如是薄膜電晶體顯示器(TFT display))、或光電元件之任何其他部分連接,以形成觸控面板。
第2A圖與第2B圖進一步顯示在基板14的第二側之上的抗反射層(anti-reflection(AR)coating)40,其中第二側相對
於第一側。因此,抗反射層可以典型地包括一個或多個介電膜42、44,其中,由於折射率的順序,產生抗反射的特性。
如第2A圖與第2B圖所示,透明體10係藉由空氣間隙202連接於光電元件的另一部分201。光電元件的另一部分可以是另一透明體、彩色濾光片、顯示器或類似者。因此,係內部地提供抗反射層,使得單一基板的透明體藉由抗反射層而具有朝向空氣間隙的邊界。
由於透明層堆疊的結構,係有利於導電膜不會對於通過透明體的光的最佳透射產生損害。特別是,根據本文之實施例的透明層堆疊,即使是結構化的導電膜,係有利於導電膜不會影響反射色彩的中性,如下文所述。
在過去,已經顯示帶有介電層的透明層堆疊具有預定折射率,可以用於改善觸控面板的視覺外觀。然而,特別是對於根據本文所述之實施例之另外的抗反射和/或抗指紋層,而且還有選擇性的較厚的(低電阻)透明導電氧化物結構,仍需要付出更多的努力。因此,必須特別考量到在透明層堆疊中的大多數的層的光學性質。這超乎了藉由使用多個介電層,在基板上的圖案化的透明導電氧化層的補償(compensation)(這最初已經被完成,無關於結合方案(bonding scheme)和其他性質),透明黏著劑的折射率、抗反射層的折射率、與較佳的也是抗反射層的光學性質(例如是折射率)係結合於整個結構,其中視覺外觀的改善係針對整個透明體被執行。因此,根據可以與本文所述之其他實施例結合的本文所述之實施例,透明體係單一基板結構,亦即透明體僅包括單一基板。
根據本文所述的實施例,係提供增強的結構與此種例如是觸控感應器之不可見物件之製造方法,以超越抗反射和/或抗指紋層之使用以及其整合(integration)所產生的限制。如同本文所述之提供於顯示器或其他類似物上的層堆疊或透明體,當放置於氣體(折射率1)之空氣中時,係被視為不可見的,其光學外觀在具有或不具有透明導電氧化層(例如是銦錫氧化物(「不可見的」銦錫氧化物))的區域之間的差異是非常小的。
如第2A圖中所示,透明黏著劑24係提供於透明導電氧化層22之上,亦即使得透明導電氧化層22位於透明黏著劑與基板之間。根據典型的、選擇性的實施方式,透明黏著劑可以是光學透明膠層板(optical clear adhesive laminate)或具有1.3至1.8的折射率的液態光學透明膠(例如是折射率接近於玻璃之折射率(1.48)或聚甲基丙烯酸酯(PMMA)之折射率(1.6)),故如另一實施例,折射率係介於1.48與1.6之間的範圍中。根據可以與本文所述之其他實施例結合之又一實施例,透明黏著劑24可以具有95%或以上、97%或以上、甚至99%或以上的視覺穿透率,且可以具有例如是3%或以下、2%或以下、或甚至是1%或以下的低濁度。因此,透明黏著劑的光學性質係典型地被考慮用於形成具有改善的視覺外觀的透明體。
根據可以與本文所述之其他實施例結合之典型的實施例,透明黏膠可以配置為將層堆疊或透明體貼附於鄰近的觸控面板或顯示面板之元件,例如可以使用透明體的任何的光電元件(觸控螢幕、彩色濾光片、觸控面板、顯示器、顯示面板等等)。
根據可以與本文所述之其他實施例結合之本文所述
的實施例,抗反射層可以包括2、3、4或更多個介電層,其中第一層典型地具有第一折射率,且第二層具有不同於第一折射率之第二折射率。例如,第一層可以是如五氧化二鈮(Nb2O5)的氧化鈮(NbOx),且第二層可以是如二氧化矽(SiO2)的氧化矽(SiOx)。又,層亦可以是氧化鈮(NbOx)與氧化矽(SiOx)交替。因此,可以藉由包含氧化矽(SiOx)、氟化鎂(MgFx)、氮氧化矽(SiOxNy)、或類似物的膜提供具有低折射率的膜。例如,可以藉由包含氧化鈮(NbOx)、氮氧化鈮(NbOxNy)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)、氧化鋁(AlOx)、氮氧化鋁(AlOxNy)、氧化鈦(TiOx)、氮氧化鈦(TiOxNy)、氧化鉭(TaOx)、或類似物的膜提供具有較高折射率的膜。根據可以與本文所述之其他實施例結合之典型的實施例,係以交替的方式提供具有例如是小於1.60、或更特別是小於1.52、或甚至更特別是小於1.49的較低折射率之介電層,以及具有例如是至少1.80、或更特別是至少2.10、或甚至更特別是至少2.30的較高折射率之介電層。
根據可以與本文所述之其他實施例結合之典型的實施例,沉積於基板上的第一介電膜係可以典型地為例如是具有至少1.8的折射率的高折射率層。例如,含有氧化鈮(niobium-oxide)的膜可以沉積為基板上的第一介電膜。
在第1A、第1B、第2A與第2B圖所繪示的實施例中,於透明層堆疊12與抗反射層40之中顯示2個介電層。然而,根據又一實施例,亦可以在透明層堆疊14與抗反射層40中提供具有梯度折射率的1個層或大於2個的層。
根據又一典型的實施例,介電層16、18、與20可
以是包括氧化物、氮化物、或氧氮化物的層,其中個別的氧化物、氮化物、或氧氮化物包括對於個別的氧化化合物(oxide-compound)、氮化化合物(nitride-compound)、或氧氮化合物(oxinitride-compound)之至少70重量百分比、典型地至少90重量百分比。因此,可以提供用於高透明度的層結構或具有改善的穿透特性(transmission characteristics)的層結構,如下文中所述。
更特別的是,根據本文所述之實施例,第一介電膜、選擇性的第三介電膜、或另外的介電膜可以是比第二介電膜(例如是由五氧化二鈮(Nb2O5)、氮化矽(Si3N4)、或類似物所組成)的折射率更低的膜(例如是由二氧化矽(SiO2)所組成)。然而,由低折射率的膜開始可能僅對於一些特定的例子而言是一個有利的選擇。如上所述,典型地,提供於基板上的第一介電層可以具有高折射率。有鑑於相較於至少一些已知用於觸控面板的透明體,以及具有不同折射率的膜的特性結合,根據本文之實施例所製造的例如是三層式堆疊(three-layer-type stack)的透明體的第一透明層堆疊係提供合適的有利於光通過透明體穿透的阻隔層。根據可以與本文所述之其他實施例結合的典型的實施例,係以交替的方式提供具有較低折射率(例如是小於1.60、或更特別是小於1.52、或甚至更特別是小於1.49)之介電層,以及具有較高折射率之介電層(例如是至少1.80、或更特別是至少2.10、或甚至更特別是至少2.30)。因此,可以藉由包含氧化矽(SiOx)、氟化鎂(MgFx)、氮氧化矽(SioxNy)、或類似物的膜提供具有低折射率的膜。例如,可以藉由包含氧化鈮(NbOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)、氧化鋁(AlOx)、氮氧化鋁(AlOxNy)、氧化鈦(TiOx)、氧化鉭(TaOx)、或類
似物的膜提供具有較高折射率的膜。
根據本文所述之實施例,透明體10包括透明導電膜22,例如(但不限於)是銦錫氧化物,特別是多晶矽銦錫氧化物或具有100歐姆/平方與以下的薄膜電阻的銦錫氧化物。
根據可以與本文所述之其他實施例結合的又一實施例,當對於基板沒有溫度限制或者是具有寬鬆的溫度限制時,通常使用銦錫氧化物90/10(ITO 90/10)。由於銦錫氧化物90/10在低溫下(例如是約130℃~230℃)不會如銦錫氧化物95/5或97/7一樣易於結晶,之後的成分可以在受限於基板的沉積溫度下有助於達到較佳的薄膜電阻。
第3圖繪示可以使用於例如觸控面板顯示器的透明層堆疊或透明體之製造。如第3A圖所示,層堆疊12係提供於透明基板14之上。根據不同的實施例,透明基板可以是可撓性基板或剛性基板、有機基板或無機基板,可以是玻璃或箔,且可以具有如線性或圓形偏振(polarizing)、拉目達四分之一阻片(lambda quarter retarder)或非偏振的其他特性。典型地,透明基板可以具有可見範圍為380奈米(nm)至780奈米(nm)的高度的透光度。
根據可以與本文中所述之其他實施例結合的一些實施例,基板可以包括不透明的或有顏色的區域,這些區域例如是針對觸控螢幕框架的黑色矩陣、或框架區域中的金屬導線、或用於連接不同透明導電電極的金屬基的橋路。
根據又一範例,透明基板14可以包括玻璃(可撓性或剛性)、塑膠(可撓性或剛性),可以進一步已經被薄膜層、硬塗層或噴漆、線形或圓形偏光板材料、或拉目達四分之一阻片所覆
蓋。特別是對於玻璃基板,可以在相較於塑膠基板的較高溫度之下提供於玻璃基板上的沉積製程與製造方法。可以使用例如是150℃或以上的溫度、或甚至是200℃或以上(例如300℃)的溫度在玻璃基板上製造用於觸控面板顯示器的透明體。
根據可以與本文中所述之其他實施例結合的又一實施例,層堆疊12係典型地為具有至少第一與第二介電膜的光學匹配層堆疊,其中第一折射率係藉由第一介電膜所提供,且第二折射率係藉由第二介電膜所提供,且其中第二折射率係不同於第一折射率。根據可以與本文所述之其他實施例結合的一示範性實施方式,可以沉積第一介電膜、第二介電膜、和複數個另外的介電膜,因此可以在透明層堆疊12之中產生折射率連續性的或似連續性的(quasi-continuous)(例如是具有小步階(step)的步階型(step-like))變化。此亦可意指為具有折射率梯度(gradient)的介電層。根據典型的實施方式,介電膜可以藉由例如是濺鍍(sputterting)或蒸鍍(evaporation)的化學氣相沉積(chemical vapor deposition)或物理氣相沉積(physical vapor deposition)來製造。典型的範例可以是具有高或低折射率的絕緣材料,例如是氧化矽(SiOx)、氧化鈦(TiOx)、氮氧化鈦(TiOxNy)、氧化鈮(NbOx)、氮氧化鈮(NbOxNy)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)、氧化鋁(AlOx)、氮氧化鋁(AlOxNy)、氧化鉭(TaOx)、氮氧化鉭(TaOxNy)與其組合。
本揭露書中係提及光學匹配、光學匹配層、和/或光學匹配層堆疊等等。所使用的光學匹配系統一般不僅針對例如是基板與圖案化透明導電氧化物之間的折射率匹配,亦即使用介於鄰近材料之間的中間折射率或逐漸地改變的指數(indices)之順序
以逐漸地匹配於鄰近折射率之間(典型地是為了在兩種材料的介面減少反射)。「光學匹配」一詞說明對於透明的例如是銦錫氧化物(ITO)的透明導電氧化物(TCO)的不可見性進一步改善的功能。「光學匹配」一詞包括匹配單一層的指數、梯度層的指數以及對於所設計的光干擾(optical interference)的高/低折射率交替。
如第3A圖所示,透明導電氧化層322係沉積於層堆疊12之上。根據可以與本文中所述之其他實施例結合的又一實施例,亦可以提供透明導電氧化物層作為具有一個或多個透明導電氧化物膜的透明導電氧化物層堆疊。在製造期間,可以在沉積期間或之後加熱透明導電氧化物膜或透明導電膜堆疊,例如是藉由溫度加熱或藉由快速熱退火(RTP)閃光燈(flashlight)加熱。典型地,透明導電氧化物可以加熱至80℃或以上的溫度。可以藉由例如是濺鍍或蒸鍍的化學氣相沉積或物理氣相沉積提供透明導電氧化膜的製造。為了提供製造上的高良率,可以提供例如是由可轉動的靶材的透明導電氧化物層的直流濺鍍(DC sputtering)。透明導電氧化物或透明導電氧化物(TCO)層堆疊的典型範例可以是銦錫氧化物、摻雜的銦錫氧化物、雜質摻雜的氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、二氧化錫(SnO2)、與氧化鎘(CdO)、銦錫氧化物(ITO)(氧化銦:錫(In2O3:Sn))、氧化鋅鋁(AZO)(氧化鋅:鋁(ZnO:Al))、氧化鋅銦(氧化鋅:銦(ZnO:In))、氧化鋅鎵(氧化鋅:鎵(ZnO:Ga))、包括或由氧化鋅、氧化銦與二氧化錫、由例如是一銦錫氧化物/金屬/銦錫氧化物堆疊(ITO/metal/ITO-stack)或一金屬/銦錫氧化物/金屬堆疊(metal/ITO/metal-stack)的至少一銦錫氧化物層與金屬層之組合所組成的多成分氧化物(multi-component oxide)。
如第3B圖所示,係結構化透明導電氧化物層322(請參閱第3A圖)以提供一結構化的透明導電氧化物層22。結構化的透明導電氧化物層可以藉由沉積一透明導電氧化物層,並且圖案化透明導電氧化物層來提供,以提供結構化的透明導電氧化物層。又,可以提供光罩與光阻以沉積結構化的透明導電氧化物層。
第3C圖至第3E圖繪示利用透明黏著劑24(例如是光學透明膠),以在透明體結合於顯示器34或光電元件(例如是彩色濾光片或類似者)的另一部分時,與透明層堆疊12一同提供結構化的透明導電氧化物層22的不可見性。根據不同的實施例,透明黏著劑可以是光學透明膠層板或折射率接近於第二基板或偏光板、亦即顯示器34之基板或偏光板的液態光學透明膠。例如,折射率可以接近於玻璃之折射率(1.48)或聚甲基丙烯酸酯(PMMA)之折射率(1.6),例如是在1.48與1.6之間的範圍中。根據又一實施例,透明黏著劑可以具有95%或以上、97%或以上、或甚至是99%或以上的視覺穿透率(visual transmittance),且可以具有例如是3%或以下、2%或以下、或甚至是1%或以下的低濁度(haze)。
如第3D圖中所示,抗反射層40與抗指紋層50係提供於基板14的的一側上,此側係相對於提供有透明層堆疊12的一側。因此,根據可以與本文所述之其他實施例結合的典型的實施例,單一基板透明體(亦即僅具有單一基板的透明體)可以提供作為用於例如是在智慧型手機、平板電腦、或另一具有觸控功能的顯示器的觸控面板的覆蓋板。因此,覆蓋板一詞係典型地使用於例如是具有個別的層堆疊於其中的玻璃的最外部分的透明
體。覆蓋板一詞係進一步等同於覆蓋玻璃(可能有時也會使用到)。
根據本文所述之一些實施例,例如是銦錫氧化物(ITO)層的結構化透明導電氧化物(TCO)層,與光學匹配層係被提供於基板的第一側上。抗反射層和/或抗指紋層係提供於基板的相對於第一側的第二側上。
根據一實施例,係選擇性地提供配置為結合於顯示器、彩色濾光片、電光元件、或類似者的透明黏著劑,因此光學匹配層與透明黏著劑一同在最終組裝的觸控螢幕裝置中提供透明導電氧化物的結構的實質上不可見性。因此,例如是觸控面板層堆疊的層堆疊或透明體可以結合於或整合於顯示裝置中,伴隨著改善的視覺特性與電特性(electrical characteristics)。根據又一實施例,亦可提供具空氣間隙的光電元件之鄰近部分的結合。
如第1A與第1B圖中所示的覆蓋板的單一基板透明體可以用所繪示的透明黏著劑來提供。因此,透明導電氧化物層22係典型地提供於透明層堆疊12之間,亦即光學或指數匹配堆疊與透明黏著劑之間。亦即,透明導電氧化物層(TCO layer)係夾置於透明層堆疊與透明黏著劑之間。
或者,關於第1A與第1B圖所述的實施例可以藉由用空氣間隙取代透明黏著劑安裝透明體於光電元件之鄰近部分來改變。因此,係典型地提供第二透明層堆疊,因此透明導電氧化物層22係提供於第一與第二透明層堆疊之間。第二透明層堆疊包括至少一介電層、典型地為具有不同折射率的2個介電層。因此,透明導電氧化物層係夾置於2個光學匹配堆疊之間,亦即
第一透明層堆疊12與至少一第二透明層堆疊與透明黏著劑之間。
根據本文所述之實施例,若提供透明黏著劑,則應視為可以選擇具有預定折射率的透明黏著劑,以併入(incorporate)於光學匹配中。
根據又一實施例,關於第1A與第2B圖所繪示的實施例可以進一步改變為提供圖案化透明導電膜於基板之上(over)或基板上(on),且光學匹配堆疊12係提供於透明導電膜之上。根據此種實施方式的不同變化,與光電元件之鄰近部分的結合可以用透明黏著劑或空氣間隙被執行。然而,根據一些可以與本文所述之其他實施例結合的實施例,若透明導電氧化物係提供於用於光學匹配特性的層之間便是有利的。透明導電氧化物可以提供於2個光學匹配堆疊之間、光學匹配堆疊與透明黏著劑之間,其中光學匹配堆疊與透明黏著劑針對光學匹配相互配合(cooperate),或者透明導電氧化物可以提供於光學匹配堆疊與又一介電層之間,其中光學匹配堆疊與又一介電層針對光學匹配相互配合。因此,應理解的是,相較於單一介電層,指數梯度層可較被視為類似於光學匹配堆疊。
第4圖繪示可以與本文所述之其他實施例結合的又一實施例。如第4圖所示,係提供可以例如是使用於觸控面板中的透明體的基板。在透明觸控體結合於例如是顯示器或類似物的電光裝置之後,基板可以例如是覆蓋板。關於第4圖所述的實施例包括形成透明層堆疊的4個層16、18、20與416。係提供結構化的透明導電膜22於透明層堆疊的頂部上。根據可以與本文所
述之其他實施例結合的典型的實施例,透明導電氧化物膜可以是藉由從可轉動的靶材直流濺鍍所沉積的透明導電氧化物層。然而,亦可以運用其他的定位技術(position techniques)。從可轉動的靶材濺鍍例如是對於大面積的裝置的製造是有幫助的。
根據一些實施例,大面積的基板或個別的承載件(carrier)可以具有至少0.174平方公尺)的尺寸,其中承載件具有複數個基板。典型地,尺寸可以是約0.67平方公尺(0.73公尺×0.92公尺-第4.5代(Gen4.5))至約8平方公尺,更典型的是約2平方公尺至約9平方公尺或甚至是到達12平方公尺。典型地,根據本文所述之實施例,提供結構、裝置(例如是陰極組件(cathode assemblies))與方法的基板或承載件係如本文所述之大面積的基板。例如,大面積的基板或承載件可以是對應於約0.67平方公尺的基板(0.73公尺×0.92公尺)的第4.5代(GEN 4.5)、對應於約1.4平方公尺的基板(1.1公尺×1.3公尺)的第5代(GEN 5)、對應於約4.29平方公尺的基板(1.95公尺×2.2公尺)的第7.5代(GEN 7.5)、對應於約5.7平方公尺的基板(2.2公尺×2.5公尺)的第8.5代(GEN 8.5)、或甚至是對應於約8.7平方公尺的基板(2.85公尺×3.05公尺)的第10代(GEN 10)。可以類似地實現甚至是如第11代(GEN 11)與第12代(GEN 12)的更高代(generation)以及對應的基板面積。
如第4圖所示的光學匹配層堆疊12與用於將透明體結合於顯示器或類似物的透明黏著劑24一起產生改善的光學特性。由於透明層堆疊以及透明黏著劑,透明導電氧化物層的結構對於此類裝置的使用者而言是實質上不可見的。根據本文所述之一些實施例,可以提供具有100歐姆/平方或以下的薄膜電阻的透
明導電膜,例如是40奈米或以上、或甚至是100奈米或以上的透明導電氧化物層。
根據可以與本文所述之其他實施例結合的不同的實施例,可以在透明層堆疊12中提供2個或更多的介電層,和/或可以提供將透明導電氧化物插置於2個透明層堆疊之間的另外的透明層堆疊。
根據又一實施例,2個或更多層可以是複數個介電層或膜,例如是提供此種層堆疊中的折射率梯度。例如,可以提供具有第一折射率的第一介電膜,且可以在透明層堆疊之進一步沉積的期間改變折射率。改變可以是連續性的或是步階型的(step-like)。因此,可以提供另外的介電膜(16-20;416),其中可以在透明層堆疊中獲得一折射率。因此,可以沉積例如是氮氧化矽(SiOxNy),其中氧與氮的量係連續性地或階梯式地由y=1至y=0以及由x=0至x=2改變,或反之亦然。
如上所述,根據本文所述之一些實施例,係分別地提供具有折射率的作為光學匹配層堆疊的透明層堆疊中的薄膜以及透明導電黏著劑(或另一個光學匹配層堆疊),使得結構化的透明導電氧化物層的圖案化、或者是包括透明導電氧化物層的結構層堆疊對於如觸控面板的光電元件的使用者而言呈現為實質上不可見的。然而,根據可以與本文所述之其他實施例結合的又一實施例,亦可以藉由提供於透明導電膜與透明黏著劑之間的另外的介電膜來提供透明黏著劑的光學匹配功能性。根據其之典型的實施方式,例如是直接接觸於透明導電膜的提供於透明導電膜之上的另外的介電膜亦可以是具有低折射率的介電膜。例如是,
折射率可以是1.60或更低。根據此類實施例之又一光學的變型,可以將一個或更多個的另外的介電膜沉積於透明導電膜之上。典型地,一個或更多個的介電膜可以是選自由氧化矽(SiOx)、氧化鈦(TiOx)、氮氧化鈦(TiOxNy)、氧化鈮(NbOx)、氮氧化鈮(NbOxNy)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiOxNy)、氧化鋁(AlOx)、氮氧化鋁(AlOxNy)、氧化鉭(TaOx)、氮氧化鉭(TaOxNy)、及其組合所組成的群組。因此,本文所述之製程可包括一個或多個此類層的沉積步驟,以及用於製造的裝置可包括一個或多個用於沉積此類層的另外的沉積組件。
根據可以與本文所述之其他實施例結合的又一實施例,透明層堆疊12與透明導電膜的結合可以重複2次、3次或甚至是4次。對於各個透明導電膜,圖案結構(pattern structure)和/或圖案方向(pattern direction)相較於另一結構化的透明導電層可以不同。
如第5A圖中所示,可以圖案化沉積於介電層之上或沉積於介電層上的透明導電氧化層22,以具有沿如第5A圖所示的x方向的第一方向延伸的結構。透明導電氧化物層22係顯示於透明層堆疊22上,且根據本文所述之實施例所提供的其他裝置部分係省略。藉由此種圖案化的透明導電氧化物層,可以提供能夠在例如是第5A圖中所示的y方向的一方向上偵測觸控位置的透明體。可藉由具有透明導電氧化物結構之沿著例如是y方向之不同於第一方向的第二方向延伸的第二透明體,從而提供二維觸控偵測。根據可以與本文所述之其他實施例結合的一些實施例,第一透明體(x方向結構)可以是如同關於第1A圖所述的透明
體,其中並非如第1A圖中所提供的透明黏著劑,而是可作為進一步替代的空氣間隙係被提供。因此,第二透明體(y方向結構)可以是如同關於第2A圖所述的透明體,以及第2A圖中所示的空氣間隙可以是用於安裝2個透明體於顯示器或顯示器之另外的部分的空氣間隙。
根據所述之實施例之如何提供透明導電氧化物層或透明導電氧化物層堆疊的另一替代例可以參照第5B圖描述。係提供第一透明導電氧化物x-y-網格層(first TCO x-y-grid layer)22於透明層堆疊上。x-y-網格層具有沿x方向與y方向延伸的二維圖案。在y方向上的透明導電氧化物結構於層22的層平面中並未連接。係提供例如是圖案化的絕緣層的絕緣層521於透明導電氧化物膜22之上。根據一些實施例,絕緣層可以是具有不同折射率的介電層堆疊,以提供於進一步增強的光學匹配。橋路(bridge)522係被提供以電性連接透明導電氧化物層之未連接的部分,亦即在第5B圖中沿y方向延伸的部分。因此,可以提供具有電性絕緣的獨立方向的二維透明導電氧化物網格。根據可以與本文所述之其他實施例結合的典型的實施例,橋路522亦可包括透明導電氧化物,且可包括本文所述之透明導電氧化物材料的任何一種。根據一些實施例,關於第1至第5A圖所述的實施例的透明導電氧化物層22可以藉由關於第5B圖所述的包括透明導電氧化物層22、絕緣層521、與橋路522的結構所取代。
如上所述,抗反射層和/或抗指紋層對於觸控面板裝置而言是有需要的。然而,具有抗反射層和/或抗指紋層的基板在觸控面板中對於圖案化的透明導電氧化物層產生增加的圖案不
可見性。根據本文所述之實施例,係提供基板的一側具有抗反射層和/或抗指紋層且基板的另一側具有如「不可見的銦錫氧化物」的「不可見的透明導電氧化物」的單一基板。因此,「不可見的」一詞係被理解為圖案化的透明導電氧化物層與一個或更多個光學匹配層或光學匹配層堆疊的組合。典型地,透明導電氧化物層可以提供於至少2個光學匹配層或光學匹配層堆疊之間。因此,應視為可以選擇透明黏著劑以具有例如是折射率1.3至1.8的預定光學性質,使得透明黏著劑加入於用於改善透明導電氧化物圖案之不可見性的光學匹配中。
提供單一基板的方案可從而提供一個或多個下述的益處。所得的透明體具有改善的外形(enhanced form factor),亦即更薄且更輕,其中所減輕的重量對於行動裝置與筆記型電腦可以是示範性的重要。又,由於所提供的基板較少,單一基板的方案可以降低成本。又進一步,將一些層整合於一透明體使得光學匹配更佳,且因而具有增進的光學外觀(例如陽光可讀性、圖案不可見性)。本發明係減低來自指紋的干擾而並未影響(compromising)透明導電氧化物層的可見性。除此之外,增進的觸控螢幕功能性的可製造性係增加。
根據某些實施例,第一透明層堆疊、透明導電膜、與透明黏著劑或非透明黏著劑的另一透明層堆疊係在一種方式下沉積,使得具有透明導電氧化物層之區域與不具有透明導電氧化物層之區域間的CIELAB色空間差(CIELAB color space difference)△E* ab是4或低於4、特別是3或低於3、更特別是1.5或低於1.5。而且,在整合與組裝顯示器於最終觸控螢幕裝置之
後之用於製造透明體的a*與b*值係低於1.5、或特別是1、或更特別是0.7、或甚至更特別是0.5。特別是,放置於實質上透明的基板之上之僅藉由第一透明層堆疊、透明導電膜、與透明黏著劑所形成的結構的a*與b*值可以適用於這些數值。
第6圖顯示沉積設備(deposition apparatus)600。示範性地,係顯示將層沉積於其中的真空腔室(vacuum chamber)602。如第6圖中所示,可以提供鄰近於真空腔室602的另外的腔室(chamber)。真空腔室602可以藉由具有閥殼體(valve housing)604與閥單元(valve unit)605的閥(valve)將真空腔室602與鄰近的腔室分開。在一些例子中(例如是介於用於沉積介電層之腔室與用於沉積透明導電氧化物層之腔室之間),鄰近的腔室係藉由例如是分隔空氣的狹長間隙的(延伸的)狹縫閥(slit valve)構造分開。因此,在將如箭頭1所指的在具有基板14於其上的承載件614***於真空腔室602之後,可以關閉閥單元605。因此,可以藉由產生技術性真空個別地控制在真空腔室中的空氣,例如是利用連接於真空腔室602的真空幫浦(vacuum pump)和/或藉由送入製程氣體於腔室中的沉積區域。
根據典型的實施例,製程氣體可以包括如氬(argon)的惰性氣體(inert gas)和/或如氧氣(oxygen)、氮氣(nitrogen)、氫氣(H2)、和氨氣(NH3)、臭氧(O3)、活化氣體(activated gas)或類似者之反應氣體。在腔室602之中,係提供滾輪(roller)610或例如磁鐵軌道(magnet rail)或類似者的另外的運輸系統,以運輸在其上具有基板14的承載件614進出真空腔室602。
在真空腔室602中,2個不同群組的沉積源
(deposition source)622與624係繪示於如第6圖中所示的上視圖中。如下文中所詳細描述者,在藉由沉積源的群組提供的不同的沉積製程的情況下,可以在不同的腔室中典型地提供沉積源的群組。
沉積源可以例如是具有欲沉積於基板上的靶材的可轉動的陰極(cathode)。典型地,陰極可以是具有磁控管(magnetron)於其中的可轉動的陰極。因此,可以執行用於層之沉積的磁控管濺鍍。陰極622係連接於交流電源供應器(AC power supply)623,使得陰極可以用交流的方式下被偏壓(biased)。在某些情況下,陰極係連接於直流電源供應器或或單極脈衝電源供應器(uni-polar pulsed power-supplies)。
如本文所述的「磁控濺鍍」係指利用磁鐵組件(magnet assembly)進行濺鍍,磁鐵組件亦即是能夠產生磁場之單元。典型地,此類的磁鐵組件係由一個永久磁鐵(permanent magnet)所組成。此永久磁鐵係典型地配置在可轉動的靶材中或耦接於一平面靶材(planar target),使得自由電子被捕捉(trap)於可轉動的靶材表面之下所產生的磁場之中。此磁鐵組件亦可配置為耦接於一平面陰極(planar cathode)。
因此,磁控濺鍍可以被理解為係藉由例如是(但非僅限於)雙靶陰極組件(TwinMagTM cathode assembly)的雙磁控管陰極(double magnetron cathode)來進行,雙磁控管陰極亦即是陰極622。特別是,對於來自矽靶材(silicon target)的中頻濺鍍(Middle Frequency sputtering,MF sputtering),可以使用包括雙陰極的靶材組件。根據典型的實施例,在真空腔室中的陰極可以是可更換的
(interchangeable)。因此,在欲濺鍍的材料已經受到消耗之後便更換靶材。
根據典型的實施例,可以藉由具有交流電源供應器的可轉動的陰極的濺鍍(例如磁控濺鍍)來沉積介電層。典型地,可以使用中頻濺鍍(MF sputtering)以沉積介電層。因此,根據典型的實施例,從例如是噴射矽靶材(sprayed silicon target)之矽靶材的濺鍍係藉由中頻濺鍍實行。根據本文的實施例,中頻係在5千赫茲(kHz)至100千赫茲的範圍之中,例如是10千赫茲至50千赫茲的。
典型地係執行直流濺鍍(DC sputtering)從透明導電氧化物膜之靶材進行濺鍍。陰極624係與陽極625一同連接於直流電源供應器626,於濺鍍期間收集電子。因此,根據可以與本文所述之其他實施例結合的又一實施例,例如是銦錫氧化物層的透明導電氧化物層可以藉由直流濺鍍進行濺鍍,亦即藉由具有陰極624的組件。
為求簡潔,上方的陰極622與陰極624係繪示成提供於一個真空腔室602中。典型地,例如下方的陰極622所顯示的,係於不同的真空腔室中提供用於沉積不同層的陰極,例如是真空腔室602與鄰近於真空腔室602的真空腔室。如本文所述,這種作法特別適合於當當介電層(可為氧化物層、氮化物層、或氧氮化物層)可以藉由反應性沉積製程被沉積時,其中在材料已經從靶材釋出後,靶材材料與氧氣和/或氮氣反應。藉由在不同的腔室提供陰極的群組,具有適當的製程氣體和/或適當程度的技術性真空的空氣可以提供於各個沉積區域中。
根據又一實施例,依據沉積於基板14上的介電層的數量,可以於沉積設備600中提供2個或更多個群組的陰極622。
根據典型的實施例,沉積係藉由一個或多個可轉動的靶材的濺鍍來進行。更確切地,根據本文之實施例,上述的薄膜中至少其一係藉由可轉動的靶材的濺鍍來沉積,因此係有利於穩定且具有高品質的透明體之形成。例如,根據本文的實施例,膜可以沉積為具有較高的均勻度(uniformity),且具有低密度的缺陷(defect)與污染粒子(contamination particle)。因此,係有利於高品質的透明體之製造,上述製造不僅產生適合的光之穿透,且隨著時間流逝仍產生穩定的效能(stable performance)。又,包括一個或多個可轉動的靶材的濺鍍的製造製程可更有利於相較於其他沉積方法的較高的製造速率與相較於其他沉積方法之較低數量的污染粒子的產生。
第7圖繪示如本文所述之用於製造透明體的製程的流程圖700。在步驟702,第一透明層堆疊(例如層堆疊12)係沉積於透明基板之上。因此,層堆疊包括至少2個介電膜,其中介電膜的折射率係彼此不同,且具有較高折射率的膜以及具有較低折射率的膜可以交替的方式沉積。在步驟704,例如是結構化的銦錫氧化物膜的結構化的透明導電膜係沉積於透明層堆疊12之上。根據可以與本文所述之其他實施方式結合的不同的實施方式,結構化的透明導電膜亦可以是導電膜堆疊。例如,亦可於步驟704提供如銦錫氧化物/金屬/銦錫氧化物-堆疊的透明導電氧化物/金屬/透明導電氧化物-堆疊、或如關於第5B圖所述之結構。
根據可以與本文所述之其他實施例結合的典型的實
施例,結構化的過程可以選自由(1)雷射劃線(laser scribing)、(2)光微影(photo lithography)、(3)印刷(printing)吸附阻隔圖案(adsorption barrier pattern)(例如油),之後接續著透明導電氧化物沉積、(4)剝離製程(lift-off process)(形成光阻圖案於基板上,之後接續著透明導電氧化物沉積及以光阻溶劑進行剝離)、(5)利用陰影遮罩(shadow mask)沉積膜、或其組合所組成的群組。
根據某些實施例,一個或一些腔室可以配置為用於進行濺鍍而不具有磁控管組件。例如是附加腔室的一個或一些腔室可以配置為藉由例如是(但非僅限於)化學氣相沉積或脈衝層沉積(pulsed layer deposition)的其他方法進行沉積。
不可見的銦錫氧化物解決方式(invisible ITO solution)在於光學性質(在穿透與反射中的色彩值)的光學均勻性(optical uniformity)上有極高度的需求。這技術性地對應於關於膜厚度與光學色散性質(optical dispersion property)的均勻薄膜的沉積。因此,如本文所述的沉積設備可以進一步包括配置為用於在形成第一層堆疊或透明導電膜中的至少其一的一部分的至少其中一個膜的沉積期間的光學性質進行量測的量測系統638。
又,如上所述,可以典型地反應性地濺鍍介電膜。因此,第一沉積組件(622)可以配置為藉由反應性濺鍍沉積介電膜。根據典型的實施例,可以反應性地濺鍍含矽層(Si-containing layer)和/或可以由陶瓷靶材(ceramic target)濺鍍含鈮層(Nb-containing layer)或含銦錫氧化物層(ITO-containing layer)。
根據某些實施例,範例性的製程700可以進一步包括基板的熱處理,以在沉積之前進行基板的除氣(degas)。例如,
基於基板的速度,基板可以在60℃ and 300℃之間被加熱。根據某些實施例,範例性的製程700可包括用介於1或3千瓦(kW)之間的功率進行基板之直流(DC)和/或中頻(MF)預處理(pre-treatment)。再者,範例性的製程700可包括在氬氣和/或氧氣空氣下進行基板的預處理,例如是富含氧氣的預處理。根據本文所述的實施例,中頻係指5千赫茲至100千赫茲(例如30千赫茲至50千赫茲)的範圍中的頻率。
在範例性沉積設備中或在根據本文的實施例的設備中的濺鍍膜源(sputter coating source)可以是具有平面的或可轉動的靶材(例如是(但不限於)陶瓷銦錫氧化物)的直流陰極,與平面的或可轉動的靶材(如摻雜矽的靶材,特別是用於沉積二氧化矽(SiO2)、或氮化矽(Si3N4)、氮氧化矽(SiOxNy)的噴射的矽靶材)或包括沉積本文所揭示的其他介電層中之其一的材料的靶材。
在步驟706,係提供抗反射層與抗指紋層之至少其一於基板之一側,此側係相對於基板上有提供透明層堆疊與透明導電氧化物層之一側。因此,若透明體係提供為觸控螢幕產品的覆蓋板,係至少提供一抗指紋層,亦即提供一抗指紋層、一抗指紋層和一抗反射層、或具有額外之介電層的抗反射層,以形成結合的抗反射/抗指紋層。或者,若透明體係提供為觸控螢幕產品的內部部分,係提供配置為用於將透明體連接於觸控螢幕產品之另一部分以形成空氣間隙的邊界的抗反射層。
根據可以與本文所述之實施例結合的一些潤飾,空氣間隙亦可為不同於空氣之另一氣體的間隙。
如上所述,根據可以與本文所述之其他實施例結合
的一些實施例,透明體(亦即薄膜堆疊)係涉及來自轉動靶材之磁控濺渡所產生。不可見的銦錫氧化物解決方案在於光學性質(在穿透與反射中的色彩值)的光學均勻性上有極高度的需求。這技術性地對應於關於膜厚度與光學色散性質的非常均勻之薄膜的沉積。因此,可使用相較目標濺鍍的高度更長的靶材。因此,由轉動靶材的濺鍍提供關於產率、材料使用、機器正常運行時間(machine up time)與最終產品成本的優點,然而平面的靶材具有負責增進的電弧作用(arcing)與粒子生成的再沉積區域(re-deposition zone),故需要比轉動的靶材更大幅加長以提供無粒子的(particle-free)且均勻的膜。根據可以與本文所述之其他實施例結合的又一實施例,垂直薄膜的均勻度(亦即膜之光學厚度)可以受到支持,例如是藉由分段氣體(segmented gas)的導入(introduction)或對應的手段。
如上所述,在整個裝置中透明體係提供為觸控螢幕產品(TSP)之一部分(亦即並非覆蓋板的一部分)的實施例,基板可以是玻璃、箔、偏光板、阻片、或其組合。這對於由於產率議題而無法選擇層合(lamination)的大的觸控螢幕產品(TSP)來說是有利的,故由空氣間隙整合的光學缺點應藉由抗反射層來減緩。藉由使用強制元件(mandatory element)作為基板(例如偏光板),可以省下額外基板的成本。又,抗反射層導致更顯著的圖案可見性,然而,並非是傳統的銦錫氧化物,「不可見的透明導電氧化物」可作為對策(countermeasure),「不可見的透明導電氧化物」亦即是根據本文所述之實施例之具有光學匹配元件之圖案化的透明導電氧化物。根據本文所述之實施例,對於覆蓋板與內部透明體來說,抗反射層堆疊或堆疊與「不可見的透明導電氧化物堆疊
(Invisible TCO stacks)」係特定於透明體之整合方式來設計,較佳地是特定於整個透明體,以確保最終整合的觸控螢幕產品(TSP)或顯示器產品的高度光學效能。
根據可以與本文所述之其他實施例結合的又一實施例,可以選擇抗反射層和/或抗指紋層的顏色外觀,以補償(compensate)「不可見的透明導電氧化物」的顏色外觀,反之亦然。
根據又一實施例,係提供用於製造在觸控螢幕面板中所使用的透明體的沉積設備。設備包括第一沉積組件、第二沉積組件、與一個或多個另外的沉積組件。第一沉積組件配置成用以沉積第一透明層堆疊於基板之第一側之上,該第一透明層堆疊至少包括具有第一折射率的第一介電膜與具有與第一折射率不同的第二折射率的第二介電膜。第二沉積組件係配置成用以沉積透明導電膜於基板之第一側之上。一個或多個另外的沉積組件係配置成用以沉積至少一第一層於基板的第二側之上,其中第二側相對於第一側,且其中至少一另外的層係選自由抗反射層與抗指紋層所組成的群組,其中第一沉積組件或第二沉積組件或另外的沉積組件中的至少一個包括操作上耦接於靶材的濺鍍系統,該濺鍍系統係配置為藉由靶材的濺鍍沉積第一介電膜、第二介電膜、抗反射層與抗指紋層或透明導電膜中的至少其中一個。典型地,這些層中的一個或多個係藉由特別是來自轉動靶材的磁控濺鍍所沉積。根據又一另外的或替代性的典型的實施方式,系統包括具有記憶體的控制器(controller),其中係提供電腦程式產品,使得若根據本文所述之任一實施例的方法係藉由控制器執行,便可提供透明體。
本文所述係利用包括最佳模式的範例以揭露本發明,並使本發明所屬技術領域中具有通常知識者能夠製造與使用本發明。雖然本發明已經以不同的特定實施例被描述,本發明所屬技術領域中具有通常知識者可以瞭解,在不脫離本發明申請專利範圍之精神和範圍內,本發明當可作各種之更動與潤飾。特別是,上述的實施例之範例與其實施例或修飾之互不排斥的特徵可以彼此結合。
雖然上述內容已經指出本發明之實施例,然在不脫離本發明之基本範疇內,當可作其他或進一步的實施例之設計,且本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧透明體
12‧‧‧第一透明層堆疊
14‧‧‧基板
22‧‧‧透明導電膜
24‧‧‧透明黏著層
40‧‧‧抗反射層
50‧‧‧抗指紋層
Claims (20)
- 一種製造用於一觸控螢幕面板的一透明體(10)的製程,該製程包括:沉積一第一透明層堆疊(12)於一透明基板(14)之一第一側之上,其中該第一透明層堆疊(12)係選自由下列所組成的群組:一層堆疊,其中該層堆疊包括具有由一第一折射率至一第二折射率之一梯度折射率的一第一介電膜,與一層堆疊,其中該層堆疊包括具有一第一折射率的至少一第一介電膜(16)與具有不同於該第一折射率之一第二折射率的一第二介電膜(18);提供一結構化的透明導電膜(22)於該基板之該第一側之上;以及沉積至少一第一層於該基板之一第二側之上,其中該第二側相對於該第一側,且其中該至少一第一層係選自由一抗反射層與一抗指紋層所組成的群組。
- 如申請專利範圍第1項所述之製程,其中該透明基板係一覆蓋板(cover lens)且其中該至少一另外的層係一抗指紋層。
- 如申請專利範圍第2項所述之製程,更包括:沉積至少一第二層,該至少一第二層係一抗反射層,其中該第二層係沉積於該覆蓋板與該抗指紋層之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之製程,其中該抗反射層包括至少一第一抗反射介電膜,該至少一第一抗反射介電膜具有一第一抗反射折射率。
- 如申請專利範圍第4項所述之製程,其中該抗反射層更 包括至少一第二抗反射介電膜,該至少一第二抗反射介電膜具有不同於該第一抗反射折射率的一第二抗反射折射率。
- 如申請專利範圍第2項所述之製程,其中該抗反射層包括至少一第一抗反射介電膜,該至少一第一抗反射介電膜具有一第一抗反射折射率。
- 如申請專利範圍第6項所述之製程,其中該抗反射層更包括至少一第二抗反射介電膜,該至少一第二抗反射介電膜具有不同於該第一抗反射折射率的一第二抗反射折射率。
- 如申請專利範圍第3項所述之製程,其中該抗反射層包括至少一第一抗反射介電膜,該至少一第一抗反射介電膜具有一第一抗反射折射率。
- 如申請專利範圍第8項所述之製程,其中該抗反射層更包括至少一第二抗反射介電膜,該至少一第二抗反射介電膜具有不同於該第一抗反射折射率的一第二抗反射折射率。
- 如申請專利範圍第2項所述之製程,更包括:提供一透明黏著劑於配置在該覆蓋板的該第一側上的該結構化的透明導電膜之上,以將該透明體黏著於該觸控螢幕面板之鄰近元件。
- 如申請專利範圍第10項所述之製程,其中該透明黏著劑的折射率為1.3至1.8。
- 如申請專利範圍第1項所述之製程,其中該透明基板係欲內嵌於該觸控螢幕面板中的一基板,且其中該至少一層係一抗反射層。
- 如申請專利範圍第12項所述之製程,其中該透明基板 係以一空氣間隙連接於該觸控螢幕面板的一另外部分,使得該抗反射層面對該空氣間隙。
- 如申請專利範圍第1項至第13項中之任一項所述之製程,其中該結構化的透明導電膜對應於100歐姆/平方(Ohm/square)或100歐姆/平方以下的一薄膜電阻(sheet resistance)。
- 如申請專利範圍第1項至第13項中之任一項所述之製程,其中提供該結構化的透明導電膜包括圖案化一未結構化的沉積的透明導電膜。
- 如申請專利範圍第1項至第13項中之任一項所述之製程,其中該第一介電膜具有至少1.8的折射率,且該第二介電膜具有1.6或1.6以下的折射率。
- 如申請專利範圍第1項至第13項中之任一項所述之製程,其中該些介電膜係藉由典型地來自可轉動的靶材的中頻濺鍍(MF sputtering)所濺鍍,且該些透明導電膜係藉由典型地來自可轉動的靶材的直流濺鍍(DC sputtering)所濺鍍。
- 一種適合使用於一觸控螢幕面板中的一透明體,包括:一透明基板;一透明層堆疊,該透明層堆疊沉積於該透明基板之上,位於該透明基板之一第一側上,其中該透明層堆疊(12)係選自由下列所組成的群組:一層堆疊,其中該層堆疊包括具有由一第一折射率至不同於該第一折射率的一第二折射率之一梯度折射率的一第一介電膜,與一層堆疊,其中該層堆疊包括具有一第一折射率的至少 一第一介電膜(16)與具有不同於該第一折射率之一第二折射率的一第二介電膜(18);一透明導電膜,該透明導電膜沉積於該透明基板之上,位於該第一側上;以及至少一第一層,該至少一第一層沉積於該基板之一第二側之上,其中該第二側相對於該第一側,且其中該至少一第一層係選自由一抗反射層與一抗指紋層所組成的群組。
- 如申請專利範圍第18項所述之透明體,其中該透明基板係一覆蓋板(cover lens)且其中該至少一另外的層係一抗指紋層,特別是其中該透明體更包括:至少一第二層,該至少一第二層係一抗反射層,其中該至少一第二層係沉積於該覆蓋板與該抗指紋層之間。
- 如申請專利範圍第18項所述之透明體,其中該透明基板係欲內嵌於該觸控螢幕面板中的一基板,且其中該至少一層係一抗反射層,特別是其中該透明基板係以一空氣間隙連接於該觸控螢幕面板的一另外部分,使得該抗反射層面對該空氣間隙。
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