JP2024094097A - 配線基板、発光装置及びそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基材及び基材の被覆層と導電部との接合の信頼性向上を図る配線基板、発光装置及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】配線基板１は、第１面１１Ａ及び第１面１１Ａの反対側となる第２面１１Ｂを持ち、セラミックスを有する絶縁性の基材１１と、基材１１の第１面１１Ａの第一領域２Ａに配置され、セラミックスを有する絶縁性の第１被覆層１２Ａと、基材１１の第１面１１Ａの第二領域２Ｂに配置される第１導電部１５Ａと、を備え、第１被覆層１２Ａは、第二領域２Ｂ上に第１貫通孔１４Ａを有し、第１貫通孔１４Ａの内部に第１導電部１５Ａが配置されており、第１導電部１５Ａは、基材１１と接する部分に配置される第１金属化合物層１６Ａと、第１金属化合物層１６Ａと連続し第１被覆層１２Ａと接する部分に配置される第２金属化合物層１６Ｂと、を含む。【選択図】図１Ｂ

Description

本開示は、配線基板、発光装置及びそれらの製造方法に関する。

従来、基材の表面に配線を備える回路基板において、基材に設ける貫通孔に導体を配置して放熱性を向上させることが行われている。例えば特許文献１には、貫通孔の内面と導体との間に活性金属層を形成した回路基板が記載されている。

特許第６１２２５６１号公報

本開示に係る実施形態は、基材及び被覆層と導電部との接合の信頼性向上を図る配線基板、発光装置及びそれらの製造方法を提供することを課題とする。

実施形態に開示される配線基板は、第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、セラミックスを有する絶縁性の基材と、前記基材の第１面の第一領域に配置され、セラミックスを有する絶縁性の第１被覆層と、前記基材の第１面の第二領域に配置される第１導電部と、を備え、前記第１被覆層は、前記第二領域上に第１貫通孔を有し、前記第１貫通孔の内部に前記第１導電部が配置されており、前記第１導電部は、前記基材と接する部分に配置される第１金属化合物層と、前記第１金属化合物層と連続し前記第１被覆層と接する部分に配置される第２金属化合物層と、を含む。

実施形態に開示される発光装置は、実施形態に係る配線基板と、前記配線基板に配置される、素子電極を有する発光素子と、前記発光素子の上面に配置される透光性部材と、を備え、前記素子電極は、前記第１導電部と電気的に接続されている。

実施形態に開示される配線基板の製造方法は、第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面に第一領域及び第二領域を持つ、セラミックスを有する絶縁性の基材と、前記第二領域が露出するように開口される第１貫通孔を有し、前記第一領域に配置され、セラミックスを有する絶縁性の第１被覆層と、を備える中間体を準備することと、前記第１貫通孔の内部に活性金属元素を含有する第１導電ペーストを配置することと、前記第１導電ペーストを焼成し、前記基材と接する部分に配置される第１金属化合物層と、前記第１金属化合物層と連続し前記第１被覆層と接する部分に配置される第２金属化合物層と、を含む第１導電部を形成することと、を含む。

実施形態に開示される発光装置の製造方法は、実施形態に係る配線基板の製造方法によって製造される配線基板を準備することと、前記配線基板に素子電極を有する発光素子を配置することと、前記発光素子の上面に、透光性部材を配置することと、を含み、前記発光素子を配置することにおいて、前記素子電極と前記第１導電部とを電気的に接続する。

本開示の実施形態によれば、基材及び被覆層と導電部との接合の信頼性向上を図る配線基板、発光装置及びそれらの製造方法を提供することができる。

実施形態に係る配線基板の概略を例示する平面図である。 図１ＡのＩＢ－ＩＢ線における断面図である。 図１ＡのＩＣ－ＩＣ線における断面図である。 異なる実施形態に係る配線基板の断面図である。 図１Ｂの一部を拡大して例示する断面図である。 配線基板の第１変形例の概略を例示する断面図である。 配線基板の第２変形例の概略を例示する断面図である。 実施形態に係る配線基板の製造方法を例示するフローチャートである。 実施形態に係る配線基板の製造方法において、準備する中間体を例示する断面図である。 実施形態に係る配線基板の製造方法において、中間体に第１貫通孔、第３貫通孔を形成した状態を例示する断面図である。 実施形態に係る配線基板の製造方法において、ドライフィルムを貼付した状態を例示する断面図である。 実施形態に係る配線基板の製造方法において、フォトマスクを貼付して露光した状態を例示する断面図である。 実施形態に係る配線基板の製造方法において、レジストを形成した状態を例示する断面図である。 実施形態に係る配線基板の製造方法において、ブラスト法により加工した状態を例示する断面図である。 実施形態に係る配線基板の製造方法において、第１凹部と第２凹部とを繋ぐように第３貫通孔が形成された状態を例示する断面図である。 実施形態に係る配線基板の製造方法において、導電ペーストを充填した状態を例示する断面図である。 実施形態に係る配線基板の製造方法において、ろう接部を形成した状態を例示する断面図である。 実施形態に係る配線基板の製造方法において、中間体及びろう接部を研磨し第１導電部を形成した状態を例示する断面図である。 実施形態に係る配線基板の製造方法において、中間体における基材の第１面側に貼付するフォトマスクを例示する平面図である。 実施形態に係る配線基板の製造方法において、中間体における基材の第２面側に貼付するフォトマスクを例示する平面図である。 実施形態に係る発光装置の概略を例示する平面図である。 図７ＡのＶＩＩＢ－ＶＩＩＢ線における断面図である。 個片化された発光装置の概略を例示する断面図である。 発光装置における配線基板の概略を例示する平面図である。 発光装置における配線基板の概略を例示する底面図である 発光素子の概略を例示する平面図である。 発光素子の概略を例示する底面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法を例示するフローチャートである。 実施形態に係る発光装置の製造方法において、準備した配線基板を例示する断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法において、導電部の表面にめっき層を形成した状態を例示する断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法において、配線基板上に発光素子を配置した状態を例示する断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法において、発光素子上に透光性部材を配置した状態を例示する断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法において、樹脂部材を配置した状態を例示する断面図である。 実施形態に係る発光装置の製造方法において、個片化された発光装置を例示する断面図である。 実施形態に係る発光装置を使用する発光モジュールの一部の概略を例示する断面図である。 個片化された発光装置を使用する発光モジュールの一部の概略を例示する断面図である。 樹脂部材を配置していない発光モジュールの一部の概略を例示する断面図である。

以下、本開示に係る実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、以下に説明する実施形態は、本開示に係る技術的思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、発明を以下のものに限定しない。一つの実施形態において説明する内容は、他の実施形態及び変形例にも適用可能である。また、図面は実施形態を概略的に示すものであり、説明を明確にするため、各部材のスケールや間隔、位置関係等を誇張し、あるいは、部材の一部の図示を省略している場合がある。各図において示す方向は、構成要素間の相対的な位置を示し、絶対的な位置を示すことを意図したものではない。なお、同一の名称、符号については、原則として、同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略する。また、実施形態について、「覆う」とは直接接する場合に限らず、間接的に、例えば他の部材を介して覆う場合も含む。
また、「第１導電部」、「第２導電部」、「第３導電部」など「第１」「第２」「第３」等の数字を付している部材については、これらをまとめて「導電部」と表現する場合がある。

［配線基板］
実施形態に係る配線基板１を図１Ａ、１Ｂを参照しながら説明する。図１Ａは、配線基板１の概略を例示する平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＩＢ－ＩＢ線における断面図である。図１Ｃは、図１ＡのＩＣ－ＩＣ線における断面図である。図１Ｄは、異なる実施形態に係る配線基板１Ｄの断面図である。図２は、図１Ｂの一部を拡大して例示する断面図である。説明の便宜上、第１金属化合物層１６Ａと第２金属化合物層１６Ｂと第１導電部１５Ａとのそれぞれの間に境界線を設けているが、第１金属化合物層１６Ａと第２金属化合物層１６Ｂと第１導電部１５Ａとはそれぞれ連続しており、明確な界面は設けられていない。

配線基板１は、第１面１１Ａ及び第１面１１Ａの反対側となる第２面１１Ｂを持ち、セラミックスを有する絶縁性の基材１１と、基材１１の第１面１１Ａの第一領域２Ａに配置され、セラミックスを有する絶縁性の第１被覆層１２Ａと、基材１１の第１面１１Ａの第二領域２Ｂに配置される第１導電部１５Ａと、を備える。第１被覆層１２Ａは、第二領域２Ｂ上に第１貫通孔１４Ａを有し、第１貫通孔１４Ａの内部に第１導電部１５Ａが配置されている。第１導電部１５Ａは、基材１１と接する部分に配置される第１金属化合物層１６Ａと、第１金属化合物層１６Ａと連続し第１被覆層１２Ａと接する部分に配置される第２金属化合物層１６Ｂと、を含む。そして、第１金属化合物層１６Ａ及び第２金属化合物層１６Ｂは、共通する活性金属元素の化合物１８を含有し、第１導電部１５Ａの表面において連続している。これにより、基材１１及び第１被覆層１２Ａと第１導電部１５Ａとの接合の信頼性の向上を図ることができる。

第二領域２Ｂは、基材１１の第１面１１Ａと同一面、又は、基材１１の第１面１１Ａから凹む第１凹部１４Ｂを有してもよい。第二領域２Ｂを基材１１の第１面１１Ａと同一面とすることで、基材１１の加工が不要となり安価に作成することができる。第二領域２Ｂを基材１１の第１面１１Ａから凹む第１凹部１４Ｂとすることで、第１導電部１５Ａと基材１１との密着性を向上させることができる。つまり、第１導電部１５Ａと基材１１との密着性を向上させることにより、第１導電部１５Ａと基材１１との接合の信頼性の向上を図ることができる。

第１凹部１４Ｂは、基材１１の厚み方向において、基材１１の厚みに対して０．３倍以下の深さを有することが好ましく、０．１６倍以下がさらに好ましい。これにより第１導電部１５Ａと基材１１との密着性を向上させることができる。

異なる実施形態に係る配線基板１Ｄは、配線基板１の構成に加え、さらに、基材１１の第２面１１Ｂの第三領域２Ｃに配置され、セラミックスを有する絶縁性の第２被覆層１２Ｂと、基材１１の第２面１１Ｂの第四領域２Ｄに配置される第２導電部１５Ｂと、を備える。第２被覆層１２Ｂは、第四領域２Ｄ上に第２貫通孔１４Ｃを有し、第２貫通孔１４Ｃの内部に第２導電部１５Ｂが配置されている。第２導電部１５Ｂは、基材１１と接する部分に配置される第３金属化合物層１６Ｃと、第３金属化合物層１６Ｃと連続し第２被覆層１２Ｂと接する部分に配置される第４金属化合物層１６Ｄと、を含む。これにより基材１１の第１面だけでなく第２面にも導電部を配置することができ、両面配線を形成したり、放熱性を高めたりすることができる。

第四領域２Ｄは、基材１１の第２面１１Ｂと同一面、又は、基材１１の第２面１１Ｂから凹む第２凹部１４Ｄを有してもよい。第四領域２Ｄを基材１１の第２面１１Ｂと同一面とすることで、基材１１の加工が不要となり安価に作成することができる。第四領域２Ｄを基材１１の第２面１１Ｂから凹む第２凹部１４Ｄとすることで、第２導電部１５Ｂと基材１１との密着性を向上させることができる。

第２凹部１４Ｄは、基材１１の厚み方向において、基材１１の厚みに対して０．３倍以下の深さを有することが好ましく、０．１６倍以下がさらに好ましい。これにより第２導電部１５Ｂと基材１１との密着性を向上させることができる。

配線基板１、１Ｄは、基材１１の第１面１１Ａ若しくは第１凹部１４Ｂと、基材１１の第２面１１Ｂ若しくは第２凹部１４Ｄと、を繋ぐように貫通する第３貫通孔１４Ｅを有し、第３貫通孔１４Ｅの内部に第３導電部１５Ｃが配置されていることが好ましい。これにより第１導電部１５Ａ、第３導電部１５Ｃ、第２導電部１５Ｂと繋がることにより両面配線を形成したり、放熱性を高めたりすることができる。なお、第１導電部１５Ａ、第３導電部１５Ｃ、第２導電部１５Ｂは、界面なく連続して繋がっていることが好ましいが、第１導電部１５Ａと第３導電部１５Ｃ、又は、第３導電部１５Ｃと第２導電部１５Ｂとの間に界面を有する形態であってもよい。

第３導電部１５Ｃは、基材１１と接する部分に配置される第５金属化合物層１６Ｅを含むことが好ましい。これにより第３導電部１５Ｃと基材１１との密着性を向上させることができる。

第１金属化合物層１６Ａ、第２金属化合物層１６Ｂ、第３金属化合物層１６Ｃ、第４金属化合物層１６Ｄ及び第５金属化合物層１６Ｅの少なくとも一種は、窒化チタン、炭化チタン又は酸化チタンの少なくとも一種であることが好ましい。これにより基材１１と、第１導電部１５Ａ、第２導電部１５Ｂ、第３導電部１５Ｃのいずれか一種と、の密着性を向上させることができる。

第１被覆層１２Ａ及び第２被覆層１２Ｂの少なくとも一方の厚さは、１５μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。これにより第１導電部１５Ａ、第２導電部１５Ｂを所定の厚さとすることができ、電気伝導性や熱伝導性を高めることができる。また、第１被覆層１２Ａ等を所定の厚さとすることにより、光反射率を高めたり、耐久性を高めたりすることができる。

以下、配線基板１の各構成について説明するが、配線基板１Ｄにも適用できる。

（基材）
基材１１は、配線基板１の基礎となる絶縁性の板状の部材である。基材１１は、第１面１１Ａ及び第１面１１Ａの反対側となる第２面１１Ｂを有している。

基材１１の材料は、放熱性の観点から熱伝導率の大きいセラミックスが好ましい。基材１１は、窒化物セラミックス、炭化物セラミックス又は酸化物セラミックスを母材としてもよく、窒化物セラミックスが好ましい。高い放熱性と高い硬度を有するからである。窒化物セラミックスとしては例えば窒化アルミニウムや窒化ケイ素、炭化物セラミックスとしては例えば炭化ケイ素、酸化物セラミックスとしては例えば酸化アルミニウムを挙げることができる。

（第１被覆層、第２被覆層）
第１被覆層１２Ａ、第２被覆層１２Ｂは、基材１１を被覆し、配線基板１の表面となる部材である。ここでは、第１被覆層１２Ａは、基材１１の第１面１１Ａに配置されている。第２被覆層１２Ｂは、基材１１の第２面１１Ｂに配置されている。第１被覆層１２Ａ、第２被覆層１２Ｂが配置される面は、基材１１の第１面１１Ａだけでもよく、第２面１１Ｂにも配置してよい。第１被覆層１２Ａ、第２被覆層１２Ｂは絶縁性である。第１被覆層１２Ａ、第２被覆層１２Ｂの厚さは、例えば１５μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。なお、第１被覆層１２Ａ、第２被覆層１２Ｂをまとめて第１被覆層１２Ａ等と表記することもある。

第１被覆層１２Ａ、第２被覆層１２Ｂの材料は、放熱性の観点から熱伝導率の大きいセラミックスが好ましく、例えば基材１１と同様の材料から選択することができる。また、第１被覆層１２Ａ、第２被覆層１２Ｂの少なくとも一方は、光反射性であってもよい。これにより配線基板１上に発光素子等の光源を配置した場合に、上方への光取り出し効率を向上させることができる。第１被覆層１２Ａ、第２被覆層１２Ｂは、光反射材を含有させることで光反射性を高めることができる。光反射材は酸化チタンが好ましい。他の光反射材としては、例えば酸化アルミニウムや酸化ケイ素を挙げることができる。

（第１貫通孔、第１凹部、第２貫通孔、第２凹部、第３貫通孔）
第１貫通孔１４Ａ、第１凹部１４Ｂは、配線基板１の上面に配置されている凹みであり、第２貫通孔１４Ｃ、第２凹部１４Ｄは、配線基板１の下面に配置されている凹みである。第１貫通孔１４Ａ、第１凹部１４Ｂは、基材１１の第１面１１Ａ側に配置されており、第２貫通孔１４Ｃ、第２凹部１４Ｄは、基材１１の第２面１１Ｂ側に配置されている。第３貫通孔１４Ｅは、基材１１の第１面１１Ａ若しくは第１凹部１４Ｂと、基材１１の第２面１１Ｂ若しくは第２凹部１４Ｄと、を繋ぐように貫通されている。また第３貫通孔１４Ｅの内部には第３導電部１５Ｃが配置されていることが好ましい。このため、後記するパッド部１５５のように第１導電部１５Ａの幅を広くしたい部分では、第１貫通孔１４Ａ、第１凹部１４Ｂの幅を広くしている。なお、第１貫通孔１４Ａ、第１凹部１４Ｂ、第２貫通孔１４Ｃ、第２凹部１４Ｄ、第３貫通孔１４Ｅをまとめて第１貫通孔１４Ａ等と表記することもある。

第１貫通孔１４Ａは、第１被覆層１２Ａを貫通し、基材１１の第１面１１Ａ側に設けられる。また、第１貫通孔１４Ａは、第１凹部１４Ｂと共に基材１１の第１面１１Ａ側に凹部を形成する。また、第２貫通孔１４Ｃは、第２被覆層１２Ｂを貫通し、基材１１の第２面１１Ｂ側に設けられる。また、第２貫通孔１４Ｃは、第２凹部１４Ｄと共に基材１１の第２面１１Ｂ側に凹部を形成してもよい。この第１貫通孔１４Ａと第１凹部１４Ｂ、または、第２貫通孔１４Ｃと第２凹部１４Ｄの平面視形状は同一または異なっていてもよい。第１貫通孔１４Ａ、第２貫通孔１４Ｃの平面視形状は、四角形を含む多角形や円形や楕円形だけでなく、線状等であってもよい。第１凹部１４Ｂ及び第２凹部１４Ｄは、それぞれの凹部の深さが、例えば０．１μｍ以上１００μｍ以下とすることができ、５μｍ以上７０μｍ以下であることが好ましい。

（第１導電部、第２導電部、第３導電部）
第１導電部１５Ａ、第２導電部１５Ｂ、第３導電部１５Ｃは、配線基板１、１Ｄにおける電気的な配線となる部材である。ここでは、第１導電部１５Ａは、基材１１の第１面１１Ａ又は第１面１１Ａ側に配置され、第２導電部１５Ｂは、基材１１の第２面１１Ｂ又は第２面１１Ｂ側に配置され、第３導電部１５Ｃは、第１導電部１５Ａ及び第２導電部１５Ｂを電気的に接続する。また、第１導電部１５Ａ又は第２導電部１５Ｂの一部として、外部の回路部品等との接続に適する形状のパッド部１５５、１５６を設けることができる。ここで、第１導電部１５Ａ、第２導電部１５Ｂ、第３導電部１５Ｃをまとめて第１導電部１５Ａ等と表記することもある。

平面視形状において、第１導電部１５Ａ、第２導電部１５Ｂは矩形状のパッド部１５５、１５６を有している。パッド部１５５、１５６の形状は、三角形状等の多角形形状や円形、楕円形等の形状であってもよい。パッド部１５５、１５６の中央には、第３導電部１５Ｃが設けられている。基材１１の第２面１１Ｂ側には、パッド部１５５と対向する位置に第２導電部１５Ｂのパッド部１５６が設けられている。

第１導電部１５Ａ、第２導電部１５Ｂ又は第３導電部１５Ｃの少なくとも一種は、導電性及び熱伝導性に優れる金属を主成分とすることが好ましく、中でも銀銅合金を含むことが好ましい。これにより電気伝導性や熱伝導性を高めることができる。銀と銅の混合の割合は、重量比で例えば２：８から８：２とすることができ、例えば、銀が約６５％以上８０％以下、銅が約２０％以上３５％以下の割合で混ざっていることが好ましく、さらに、銀が約７２％、銅が約２８％の割合で混ざっていることが特に好ましい。所定の割合で混ぜることにより第１導電部１５Ａ等の焼成温度を下げることができるからである。

第１導電部１５Ａ等は活性金属元素を含有することが好ましい。第１導電部１５Ａ等が活性金属元素を含有することで、第１導電部１５Ａ等の金属と基材１１及び第１被覆層１２Ａ等のセラミックスとを接合させることができる。活性金属元素は、水素化物として含有することができる。活性金属元素はチタンが好ましい。第１導電部１５Ａ等における水素化チタンの含有量は、１．５重量％以上２０重量％以下とすることができ、３重量％以上１０重量％以下が好ましい。

第１導電部１５Ａは、第１面１１Ａの第二領域２Ｂに配置されており、第１被覆層１２Ａから一部を露出している。第１導電部１５Ａは第１貫通孔１４Ａの内部に配置されており、場合により第１凹部１４Ｂの内部にも配置されている。第１導電部１５Ａは、第１貫通孔１４Ａ、第１凹部１４Ｂの内面と接している面と接していない面とを有している。第１貫通孔１４Ａ、第１凹部１４Ｂの内面と接していない面は、第１被覆層１２Ａの表面と同一平面をなすように第１被覆層１２Ａから露出している。

第２導電部１５Ｂは、第２面１１Ｂの第四領域２Ｄに配置されており、第２凹部１４Ｄ又は第２被覆層１２Ｂから一部を露出している。第２導電部１５Ｂは第２凹部１４Ｄの内部に配置されており、場合により第２貫通孔１４Ｃの内部にも配置されている。第２導電部１５Ｂは、第２貫通孔１４Ｃ、第２凹部１４Ｄの内面と接している面と接していない面とを有している。第２貫通孔１４Ｃ、第２凹部１４Ｄの内面と接していない面は、第２被覆層１２Ｂの表面又は基材１１の第２面１１Ｂと同一平面をなすように第２被覆層１２Ｂ又は基材１１から露出している。

第３貫通孔１４Ｅは、基材１１に設けられる。第３貫通孔１４Ｅは、第１導電部１５Ａと第２導電部１５Ｂとに連続するように配置されている。第３貫通孔１４Ｅは、１つのパッド部１５５、１５６について複数設けてもよい。また、第３貫通孔１４Ｅは、第１導電部１５Ａと第２導電部１５Ｂとが対向して配置されていれば、パッド部１５５、１５６でない位置に設けてもよい。

（第１金属化合物層、第２金属化合物層、第３金属化合物層、第４金属化合物層、第５金属化合物層）
第１金属化合物層１６Ａ、第２金属化合物層１６Ｂ、第３金属化合物層１６Ｃ、第４金属化合物層１６Ｄ、第５金属化合物層１６Ｅは、第１導電部１５Ａ等と基材１１、及び、第１導電部１５Ａ等と第１被覆層１２Ａ等、との間に位置する。なお、第１金属化合物層１６Ａ、第２金属化合物層１６Ｂ、第３金属化合物層１６Ｃ、第４金属化合物層１６Ｄ、第５金属化合物層１６Ｅは、第１金属化合物層１６Ａ等と表記することもある。

第１金属化合物層１６Ａ等は、図面では、太線で示される部分である。第１金属化合物層１６Ａ等は、成分の種類又は割合が第１導電部１５Ａ等、基材１１及び第１被覆層１２Ａと異なる部分である。第１金属化合物層１６Ａは、基材１１と第１導電部１５Ａとの間に形成されている。第２金属化合物層１６Ｂは、第１被覆層１２Ａと第１導電部１５Ａとの間に形成されている。第３金属化合物層１６Ｃは、基材１１と第２導電部１５Ｂとの間に形成されている。第４金属化合物層１６Ｄは、第２被覆層１２Ｂと第２導電部１５Ｂとの間に形成されている。第５金属化合物層１６Ｅは、基材１１と第３導電部１５Ｃとの間に形成されている。第１金属化合物層１６Ａ等は、活性金属元素の化合物１８を含んでいる。ここでは、第１金属化合物層１６Ａ等は、共通する活性金属元素の化合物１８を含有し、第１導電部１５Ａ等の表面において連続している。なお、活性金属元素の化合物１８は、第１導電部１５Ａ等に含有されている活性金属元素の水素化物とは異なる化合物である。

第１金属化合物層１６Ａ等の化合物１８（図２参照）は、基材１１又は第１被覆層１２Ａ等に含有されるセラミックスが活性金属元素と反応して生成される生成物である。例えば活性金属元素がチタンの場合、基材１１又は第１被覆層１２Ａ等のセラミックスが窒化物セラミックスであれば窒化チタン、炭化物セラミックスであれば炭化チタン、酸化物セラミックスであれば酸化チタンが生成される。基材１１及び第１被覆層１２Ａ等が含有するセラミックスが同じであれば、共通の化合物１８として、窒化チタン、炭化チタン又は酸化チタンが生成される。

第１被覆層１２Ａ及び第２被覆層１２Ｂの少なくとも一方は、基材１１が窒化物セラミックスを母材とする場合には窒化物セラミックスを含有し、基材１１が炭化物セラミックスを母材とする場合には炭化物セラミックスを含有し、基材１１が酸化物セラミックスを母材とする場合には酸化物セラミックスを含有することが好ましい。これにより基材１１と第１被覆層１２Ａ等との線膨張係数差を小さくし剥離や割れ等を低減することができる。

基材１１は、窒化アルミニウム又は窒化ケイ素を母材とし、第１被覆層１２Ａ及び第２被覆層１２Ｂの少なくとも一方は、窒化アルミニウムを含有し、第１金属化合物層１６Ａ、第２金属化合物層１６Ｂ、第３金属化合物層１６Ｃ、第４金属化合物層１６Ｄ及び第５金属化合物層１６Ｅの少なくとも一種は、窒化チタンを含有することが好ましい。これにより基材１１と第１被覆層１２Ａ等との密着性を向上させることができる。

配線基板１、１Ｄは、基材１１及び第１被覆層１２Ａ等が第１導電部１５Ａ等との間に共通する化合物１８を含む連続する第１金属化合物層１６Ａ等を有することで、例えば高温と低温とが繰り返される場合等を含む基材１１及び第１被覆層１２Ａ等と第１導電部１５Ａ等との接合の信頼性の向上を図ることができる。

［配線基板の変形例］
次に、配線基板１の変形例について、図３Ａ、３Ｂを参照しながら説明する。図３Ａは、第１変形例１Ｅの概略を例示する断面図である。図３Ｂは、第２変形例１Ｆの概略を例示する断面図である。

第１変形例１Ｅは片面配線基板であり、第２凹部１４Ｄ、第２貫通孔１４Ｃ、第３貫通孔１４Ｅ、第２導電部１５Ｂ、第３導電部１５Ｃを備えていない。その他の点については配線基板１と同様の構成を備えている。

第２変形例１Ｆは、第１変形例１Ｅと同様に、第２凹部１４Ｄ、第２貫通孔１４Ｃ、第３貫通孔１４Ｅ、第２導電部１５Ｂ、第３導電部１５Ｃを備えておらず、さらに第１凹部１４Ｂの深さＤ２が第１被覆層１２Ａの厚さＤ１以下であり、第１凹部１４Ｂを有していなくてもよい。その他の点については配線基板１と同様の構成を備えている。

配線基板１は、回路部品等を接続する前に、パッド部１５５、１５６にめっき層を設けることが好ましい。めっき層によって回路部品等との接合が容易となる。めっき層は、例えば、パッド部１５５、１５６側からニッケル、パラジウム、金の３層めっきや、ニッケル、金の２層めっきとすることができる。また、配線基板１は、パッド部１５５、１５６を除く表面にソルダーレジスト等の保護層を設けてもよい。

［配線基板の製造方法］
次に、実施形態に係る配線基板の製造方法Ｓ１について、図４から図６Ｂを参照しながら説明する。図４は、配線基板の製造方法Ｓ１を例示するフローチャートである。図５Ａは、準備する中間体１０を例示する断面図である。図５Ｂは、中間体１０に第１貫通孔１４Ａ、第３貫通孔１４Ｅを形成した状態を例示する断面図である。図５Ｃは、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２を貼付した状態を例示する断面図である。図５Ｄは、フォトマスクＰＭ１、ＰＭ２を貼付して露光した状態を例示する断面図である。図５Ｅは、レジストＲ１、Ｒ２を形成した状態を例示する断面図である。図５Ｆは、ブラスト法により加工した状態を例示する断面図である。図５Ｇは、第３貫通孔１４Ｅが第１凹部１４Ｂと第２凹部１４Ｄとを繋ぐように形成された状態を例示する断面図である。図５Ｈは、導電ペースト８０を充填した状態を例示する断面図である。図５Ｉは、ろう接部８０Ａを形成した状態を例示する断面図である。図５Ｊは、中間体１０及びろう接部８０Ａを研磨し第１導電部１５Ａを形成した状態を例示する断面図である。図６Ａは、中間体１０における基材１１の第１面１１Ａ側に貼付するフォトマスクＰＭ１を例示する平面図である。図６Ｂは、中間体１０における基材１１の第２面１１Ｂ側に貼付するフォトマスクＰＭ２を例示する平面図である。

配線基板の製造方法Ｓ１は、中間体を準備することＳ１０と、第１導電ペーストを配置することＳ２０と、第１導電部を形成することＳ３０と、を有する。より詳細には、第１面１１Ａ及び第１面１１Ａの反対側となる第２面１１Ｂを持ち、第１面１１Ａに第一領域２Ａ及び第二領域２Ｂを持つ、セラミックスを有する絶縁性の基材１１と、第二領域２Ｂが露出するように開口される第１貫通孔１４Ａを有し、第一領域２Ａに配置され、セラミックスを有する絶縁性の第１被覆層１２Ａと、を備える中間体１０を準備することと、第１貫通孔１４Ａの内部に活性金属元素を含有する第１導電ペーストを配置することと、第１導電ペーストを焼成し、基材１１と接する部分に配置される第１金属化合物層１６Ａと、第１金属化合物層１６Ａと連続し第１被覆層１２Ａと接する部分に配置される第２金属化合物層１６Ｂと、を含む第１導電部１５Ａを形成することと、を含む。また第１導電ペーストは、導電ペースト８０の一部と読み替える。また、第１導電ペーストだけでなく第２導電ペースト、第３導電ペーストも、同一材料、同一工程にて使用するため導電ペースト８０の一部と読み替えることもある。導電ペースト８０を焼成することによりろう接部８０Ａが形成される。ろう接部８０Ａは研磨等により形成される第１導電部１５Ａ等が含まれる。

上記工程後、さらに中間体１０における第１被覆層１２Ａ、第２被覆層１２Ｂと第１導電部１５Ａ、第２導電部１５Ｂとがそれぞれ平面をなすように、中間体１０及びろう接部８０Ａを研磨することを含む。そして、中間体１０を準備することＳ１０において、基材１１の第１面１１Ａ側の中間体１０の一部を除去して、内面に基材１１及び第１被覆層１２Ａが露出するように第１貫通孔１４Ａ及び第１凹部１４Ｂを形成する。また、第１導電部１５Ａを形成することＳ３０において、基材１１と第１導電部１５Ａとの間に第１金属化合物層１６Ａが形成され、第１被覆層１２Ａと第１導電部１５Ａとの間に第２金属化合物層１６Ｂが形成される。そして、第１金属化合物層１６Ａ及び第２金属化合物層１６Ｂは、共通する活性金属元素の化合物１８を含有し、第１導電部１５Ａの表面において連続している。また、ここでは、第１導電部１５Ａを形成することＳ３０において、基材１１の第２面１１Ｂの一部を除去して第２凹部１４Ｄを形成し、第１凹部１４Ｂと第２凹部１４Ｄとが連結される位置に、第３貫通孔１４Ｅを形成することをさらに含んでもよい。そして、第１導電ペーストを充填することにおいて、第１貫通孔１４Ａ、第１凹部１４Ｂ、第２凹部１４Ｄ、第３貫通孔１４Ｅに第１導電ペースト、第２導電ペースト、第３導電ペーストを兼ねる導電ペースト８０を充填している。

中間体を準備することＳ１０において、第二領域２Ｂは、基材１１の第１面１１Ａと同一面、又は、基材１１の第１面１１Ａから凹む第１凹部１４Ｂを有することが好ましい。予め第１凹部１４Ｂを形成することで簡易に密着性の良い配線基板を製造することができるからである。

中間体を準備することＳ１０において、さらに、基材１１は、第２面１１Ｂに第三領域２Ｃ及び第四領域２Ｄを持ち、第四領域２Ｄが露出するように開口される第２貫通孔１４Ｃを有し、第三領域２Ｃに配置され、セラミックスを有する絶縁性の第２被覆層１２Ｂと、を備え、第１導電ペーストを配置する前、後若しくは同時に、第２貫通孔１４Ｃの内部に活性金属元素を含有する第２導電ペーストを配置することを含み、第１導電部１５Ａを形成することにおいて、第１導電ペーストの焼成とともに、第２導電ペーストを焼成し、基材１１と接する部分に配置される第３金属化合物層１６Ｃと、第３金属化合物層１６Ｃと連続し第２被覆層１２Ｂと接する部分に配置される第４金属化合物層１６Ｄと、を含む第２導電部１５Ｂを形成することと、を含んでもよい。これにより両面配線を形成したり、放熱性を高めたりすることができる。

中間体１０を準備することにおいて、第四領域２Ｄは、基材１１の第２面１１Ｂと同一面、又は、基材１１の第２面１１Ｂから凹む第２凹部１４Ｄを有することが好ましい。予め第２凹部１４Ｄを形成することで簡易に密着性の良い配線基板を製造することができるからである。

中間体１０を準備することにおいて、中間体１０は、基材１１の第１面１１Ａ若しくは第１凹部１４Ｂと、基材１１の第２面１１Ｂ若しくは第２凹部１４Ｄと、を繋ぐように貫通する第３貫通孔１４Ｅを有し、第１導電ペーストを配置する前、後若しくは同時に、又は、第２導電ペーストを配置する前、後若しくは同時に、第３貫通孔１４Ｅの内部に活性金属元素を含有する第３導電ペーストを配置することと、を含むことが好ましい。これにより両面配線を形成したり、放熱性を高めたりすることができる。

中間体１０を準備することにおいて、基材１１は、窒化アルミニウム又は窒化ケイ素を母材とし、第１導電ペースト、又は、第２導電ペーストを配置することにおいて、活性金属元素を含む活性金属粉体は、ＴｉＨ_２、ＣｅＨ_２、ＺｒＨ_２、ＭｇＨ_２の少なくともいずれか一種を含み、第１導電部１５Ａ、又は、第２導電部１５Ｂを形成することにおいて、第１金属化合物層１６Ａ、第２金属化合物層１６Ｂ、第３金属化合物層１６Ｃ、又は、第４金属化合物層１６Ｄは、窒化チタン、窒化セリウム、窒化ジルコニウム、窒化マグネシウムの少なくともいずれか一種を含むことが好ましい。これにより第１導電部１５Ａ等と基材１１、第１被覆層１２Ａ等との密着性の高い配線基板を提供することができる。

第１導電部１５Ａ、又は、第２導電部１５Ｂを形成することにおいて、焼成温度は、７００℃以上１１００℃以下であることが好ましい。第１導電部１５Ａ、又は、第２導電部１５Ｂを形成することにおいて、焼成雰囲気は、大気圧雰囲気、Ａｒ雰囲気、真空雰囲気のいずれか一種であることが好ましい。

以下、配線基板の製造方法Ｓ１の各構成について説明する。

（中間体を準備する）
中間体を準備することＳ１０において、基材１１の第１面１１Ａに第１被覆層１２Ａを形成した中間体１０を準備する。

第１被覆層１２Ａの形成は、セラミック接着剤を基材１１の第１面１１Ａに均一な厚さとなるように塗布した後、加熱して焼成することによって行う。一例として、基材１１は、窒化アルミニウム又は窒化ケイ素を母材とする窒化物セラミックスであり、セラミック接着剤は窒化アルミニウムを含有している。

セラミック接着剤は、接着や表面を覆う層の形成を目的として一般に使用される部材であり、セラミックスを主成分としている。ここでは、一例として、リン酸アルミニウムを１７．５重量％、窒化アルミニウムを３０重量％、水を４２重量％、エタノールを７重量％含有するセラミック接着剤としている。なお、セラミック接着剤は有機溶剤を含んでいてもよい。有機溶剤は焼成によって除去され、セラミックスの第１被覆層１２Ａが形成される。また、セラミック接着剤は、光反射材として酸化チタンを含有することが好ましい。異なる実施形態として、基材１１の第２面１１Ｂに第２被覆層１２Ｂを形成してもよい。第２被覆層１２Ｂの材料は、第１被覆層１２Ａと同じ又は異なっていてもよい。

（第１貫通孔を形成する）
中間体１０を準備することＳ１０において、中間体１０を貫通する第１貫通孔１４Ａ、第３貫通孔１４Ｅを形成する。第１貫通孔１４Ａ、第３貫通孔１４Ｅの形成は、レーザ加工によって行うことができるが、他の方法として、例えばドリル加工等で行ってもよい。

第１貫通孔１４Ａ、第３貫通孔１４Ｅは、基材１１の第１面１１Ａ側に形成する第１凹部１４Ｂと第２面１１Ｂ側に形成する第２凹部１４Ｄとが連結される位置に設けることができる。第１貫通孔１４Ａ、第３貫通孔１４Ｅを形成することは、第１導電ペースト、第３導電ペーストを含む導電ペースト８０を充填することよりも前に行えばよい。

（第１凹部を形成する）
第１凹部１４Ｂを形成することにおいて、第１導電部１５Ａを埋設する第１凹部１４Ｂを中間体１０に形成する。第１凹部１４Ｂは、第１導電部１５Ａの一部が中間体１０から露出して埋設されるように形成する。第１凹部１４Ｂは、基材１１の第１面１１Ａ側の中間体１０の一部を除去して、内面に基材１１が露出するように形成する。ここでは、第１凹部１４Ｂの形成は、第１被覆層１２Ａを貫通すると共に基材１１に第１凹部１４Ｂを形成している。すなわち、第１凹部１４Ｂを形成することにおいて、第１貫通孔１４Ａ及び第１凹部１４Ｂの深さＤ４は第１被覆層１２Ａの厚さＤ３よりも大きい。また、基材１１の第２面１１Ｂの一部を除去して第２凹部１４Ｄを形成している。なお、第１貫通孔１４Ａ及び第１凹部１４Ｂの深さＤ４と第２凹部１４Ｄの深さＤ５とは、同じでもよく、異なっていてもよい。なお、図５Ｂから図５Ｊでは、パッド部１５５、１５６の第３貫通孔１４Ｅの断面位置で示しているが、その他の第１貫通孔１４Ａ、第１凹部１４Ｂの位置では、第３貫通孔１４Ｅは形成されていない状態となる。

第１貫通孔１４Ａ及び第１凹部１４Ｂの形成は、ブラスト法によって行うことができる。ブラスト法は、砥粒を衝突させて研磨又は研削を行う加工方法である。ここでは、第１凹部１４Ｂを形成する第二領域を露出させるように、砥粒を当てない第一領域にレジストＲ１、Ｒ２を形成している。レジストＲ１は基材１１の第１面１１Ａ側、レジストＲ２は第２面１１Ｂ側に形成する。

ブラスト法による第１貫通孔１４Ａ及び第１凹部１４Ｂ、第２凹部１４Ｄの形成について説明する。まず、中間体１０の表面にレジストＲ１、Ｒ２の材料となるドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２を貼付する。続いてドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２に重ねてフォトマスクＰＭ１、ＰＭ２を貼付する。フォトマスクＰＭ１、ＰＭ２は、第１貫通孔１４Ａ及び第１凹部１４Ｂ、第２凹部１４Ｄを形成する第二領域に遮光パターンＰ１、Ｐ２を有し、第一領域は透明である。レジストＲ１、Ｒ２は第一領域に形成される。続いて、フォトマスクＰＭ１、ＰＭ２を介して光Ｌ１を照射する。光Ｌ１は例えば紫外線であり、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２の露光された第一領域を硬化させる。続いて、フォトマスクＰＭ１、ＰＭ２を除去し、ドライフィルムＤＦ１、ＤＦ２の硬化していない部分をアルカリ性水溶液等で溶解除去する。硬化した部分は溶解除去されずに残り、第一領域となりレジストＲ１、Ｒ２となる。そして、砥粒Ｂ１を衝突させて研磨又は研削を行って第１貫通孔１４Ａ及び第１凹部１４Ｂ、第２凹部１４Ｄを形成した後、レジストＲ１、Ｒ２を除去する。

（第１導電ペーストを充填する）
第１導電ペーストを充填することＳ２０において、形成した第１貫通孔１４Ａ及び第１凹部１４Ｂ、第２凹部１４Ｄに活性金属元素を含有する第１導電ペーストを含む導電ペースト８０を充填する。導電ペースト８０は第１導電ペースト、第２導電ペースト、第３導電ペーストを含む場合がある。また導電ペースト８０を焼成したろう接部８０Ａは第１導電部１５Ａ、第２導電部１５Ｂ、第３導電部１５Ｃを含む場合がある。導電ペースト８０は、セラミックス等のろう付けに用いられる導電体を粉末状とし、例えばターピネオール及びテレピン油と混合、撹拌してペースト状にした部材である。粉末状の導電体の平均粒径は、例えば３μｍ以上２０μｍ以下とすることができる。導電ペースト８０は、銀と銅との合金が好ましく、銀が７８重量％で銅が２２重量％である共晶又はこれに近い割合とすることができる。

導電ペースト８０は、チタンやジルコニウム等の活性金属元素を含有する。活性金属元素を含有することで、焼成によりセラミックスとの間に良好な接合を形成することができる。導電ペースト８０が含有する活性金属元素はチタンが好ましく、水素化チタンとして含有することが好ましい。導電ペースト８０における水素化チタンの含有量は、例えば２重量％以上１０重量％以下とすることができる。また、導電ペースト８０は、水素化チタンと銀銅合金との組み合わせが特に好ましい。すなわち、導電ペースト８０は、銀、銅及び水素化チタンを含有することが好ましい。

（第１導電部を形成する）
第１導電部１５Ａを形成することＳ３０において、基材１１を電気炉、プレス炉等の焼成炉で焼成することで導電ペースト８０を焼成する。焼成により、導電ペースト８０の導電体が溶融し、ろう接部８０Ａとなる。ろう接部８０Ａは金属であり、表面を研削又は研磨された後に第１導電部１５Ａとなる。

導電ペースト８０を焼成することにおける雰囲気は、大気圧の場合は純度９９．９％以上のＡｒ雰囲気、真空の場合は１０Ｐａ以下の真空度が好ましく、１００Ｐａ以下のＡｒ雰囲気であることがより好ましい。そして、この工程において、焼成温度は、７００℃以上１１００℃以下であることが好ましく、７００℃以上１０００℃以下がより好ましく、７５０℃以上９７０℃以下であることが特に好ましい。

焼成に伴って、第１導電部１５Ａ等となるろう接部８０Ａと基材１１及び第１被覆層１２Ａ等との間に、活性金属元素とセラミックスとの反応による第１金属化合物層１６Ａ等が形成される。第１金属化合物層１６Ａ等の形成により、ろう接部８０Ａと基材１１及び第１被覆層１２Ａ等との接合が形成される。ろう接部８０Ａと基材１１との間に第１金属化合物層１６Ａ、第３金属化合物層１６Ｃ、第５金属化合物層１６Ｅが形成され、ろう接部８０Ａと第１被覆層１２Ａとの間に第２金属化合物層１６Ｂが形成される。第２被覆層１２Ｂを設ける場合には、ろう接部８０Ａと第２被覆層１２Ｂとの間に第４金属化合物層１６Ｄが形成される。

第１金属化合物層１６Ａ等は、活性金属元素の化合物１８を含有している。水素化チタンと銀銅合金との組み合わせによる導電ペースト８０の場合で説明すると、化合物１８は、導電ペースト８０に含有させた水素化チタンのことではなく、水素化チタンと基材１１及び第１被覆層１２Ａのセラミックスとの反応による生成物である。基材１１が窒化アルミニウム又は窒化ケイ素を母材とする窒化物セラミックスの場合、化合物１８は窒化チタンであり、焼成に伴って窒化チタンを含有する第１金属化合物層１６Ａが形成される。同様に、第１被覆層１２Ａが窒化アルミニウムを含有している場合、化合物１８は窒化チタンであり、焼成に伴って窒化チタンを含有する第２金属化合物層１６Ｂが形成される。すなわち、第１金属化合物層１６Ａ及び第２金属化合物層１６Ｂは、共通する活性金属元素の化合物１８である窒化チタンを含有している。そして、第１金属化合物層１６Ａ及び第２金属化合物層１６Ｂは、第１導電部１５Ａ等となるろう接部８０Ａの表面において連続している。これにより、第１導電部１５Ａ等と基材１１及び第１被覆層１２Ａ等との接合の信頼性を高めることができる。

なお、基材１１が、例えば、炭化ケイ素を母材とする炭化物セラミックスの場合、化合物１８は炭化チタンであり、焼成に伴って炭化チタンを含有する第１金属化合物層１６Ａが形成される。同様に、第１被覆層１２Ａが炭化ケイ素を含有している場合、化合物１８は炭化チタンであり、焼成に伴って炭化チタンを含有する第２金属化合物層１６Ｂが形成される。すなわち、第１金属化合物層１６Ａ及び第２金属化合物層１６Ｂは、共通する活性金属元素の化合物１８である炭化チタンを含有する。

また、基材１１が、例えば、酸化アルミニウムを母材とする酸化物セラミックスの場合、化合物１８は酸化チタンであり、焼成に伴って酸化チタンを含有する第１金属化合物層１６Ａが形成される。同様に、第１被覆層１２Ａが酸化アルミニウムを含有している場合、化合物１８は酸化チタンであり、焼成に伴って酸化チタンを含有する第２金属化合物層１６Ｂが形成される。すなわち、第１金属化合物層１６Ａ及び第２金属化合物層１６Ｂは、共通する活性金属元素の化合物１８である酸化チタンを含有する。

（中間体及びろう接部を研磨する）
中間体及びろう接部を研磨することにおいて、中間体１０と第１導電部１５Ａとが平面をなすように、中間体１０及びろう接部８０Ａを研削又は研磨する。中間体１０における基材１１の第１面１１Ａ側では、第１導電部１５Ａが第１被覆層１２Ａと同一平面をなすように第１被覆層１２Ａから露出している。第２面１１Ｂ側では、第２導電部１５Ｂが基材１１と同一平面をなすように基材１１から露出している。なお、中間体１０及びろう接部８０Ａの研削又は研磨に伴って、第２金属化合物層１６Ｂも研削又は研磨される。研削又は研磨は、酸化アルミニウムやダイヤモンド、シリコンカーバイド等によって行うことができる。

配線基板の製造方法Ｓ１は、第１導電部１５Ａ等と基材１１及び第１被覆層１２Ａ等との間に、共通する活性金属元素の化合物１８を含有して連続する第１金属化合物層１６Ａ等を形成することができ、接合の信頼性を向上させることができる。

また、配線基板の製造方法Ｓ１では、中間体１０の両面に第１導電部１５Ａ、第２導電部１５Ｂを有する両面配線基板の製造方法を説明した。中間体１０の一方の面にのみ第１導電部１５Ａを有する片面配線基板とすることもできる。また、第３貫通孔１４Ｅを形成することは省略することができる。
中間体１０及びろう接部８０Ａを研磨することの後に、パッド部１５５、１５６にめっき層を形成することを行ってもよい。さらに、パッド部１５５、１５６を除く表面にソルダーレジスト等の保護層を設けることを行ってもよい。

［配線基板の製造方法の変形例］
配線基板の製造方法の変形例は、中間体を準備することＳ１０において、ブラスト法によらずにレーザ加工によって第１貫通孔１４Ａ等を形成してもよい。その他の点は、配線基板の製造方法Ｓ１と共通する。第１貫通孔１４Ａ等を形成することは、配線基板の製造方法Ｓ１と同様に、導電ペーストを充填することＳ２０よりも前に行えばよい。

［発光装置］
次に、実施形態に係る発光装置１００について、図７Ａから図９Ｂを参照しながら説明する。図７Ａは発光装置１００の概略を例示する平面図である。図７Ｂは、図７ＡのＶＩＩＢ－ＶＩＩＢ線における断面図である。図７Ｃは、個片化された発光装置３００の概略を例示する断面図である。図８Ａは、発光装置１００における配線基板１の概略を例示する平面図である。図８Ｂは、発光装置１００における配線基板１の概略を例示する底面図である。図９Ａは、発光素子２０の概略を例示する平面図である。図９Ｂは、発光素子２０の概略を例示する底面図である。

発光装置１００は、実施形態に係る配線基板１と、配線基板１に配置される、素子電極２１を有する発光素子２０と、発光素子２０の上面に配置される透光性部材３０と、を備え、素子電極２１は、第１導電部１５Ａと電気的に接続されている。配線基板１は、第１被覆層１２Ａから露出する第１導電部１５Ａ、第２導電部１５Ｂにめっき層１７が形成されている。発光素子２０は、基材１１における第１面側を上面側として、配線基板１の上面１Ａ側に配置される。発光素子２０の素子電極２１は、めっき層１７に導電性部材５０を介して接続されている。配線基板１上には、透光性部材３０の上面を露出させて発光素子２０及び透光性部材３０を覆う樹脂部材４０をさらに備えている。上述したように、配線基板１において、第１導電部１５Ａは、基材１１と接する部分に配置される第１金属化合物層１６Ａと、第１金属化合物層１６Ａと連続し第１被覆層１２Ａと接する部分に配置される第２金属化合物層１６Ｂと、を含む。

発光装置１００は、一例として、配線基板１上に複数の発光素子２０が行方向及び列方向に整列している。以下、発光装置１００の各構成について説明する。

（配線基板）
配線基板１は両面基板であり、発光素子２０が配置される上面１Ａに光反射性の第１被覆層１２Ａを有している。光反射性を向上させるために、第１被覆層１２Ａは酸化チタンを含有していることが好ましい。また、配線基板１は、上面１Ａに発光素子２０の素子電極２１の大きさや配置に合う第１導電部１５Ａのパッド部を有し、下面１Ｂのパッド部に対向する位置に第２導電部１５Ｂのパッド部を有している。また、平面視における第１導電部１５Ａ、第２導電部１５Ｂのパッド部の中央に第３貫通孔１４Ｅを有し、第３貫通孔１４Ｅに配置される第３導電部１５Ｃによって第１導電部１５Ａと第２導電部１５Ｂとが接続されている。第１導電部１５Ａ、第２導電部１５Ｂのパッド部にはめっき層１７が形成されている。

（発光素子）
発光素子２０は、電力を供給されて発光する部材である。発光素子２０は一例として矩形状である。発光素子２０は、半導体積層体を含み、ここではサファイア、窒化ガリウム等の透光性の基板が半導体積層体の上面側に配置され、下面側に一対の素子電極２１を有している。半導体積層体としては、所望とする発光波長に応じて任意の組成を用いることができるが、例えば、青色又は緑色の発光が可能な窒化物半導体（Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１－ｘ－ｙ}Ｎ、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）やＧａＰ、又は、赤色の発光が可能なＧａＡｌＡｓやＡｌＩｎＧａＰなどを用いることができる。また、使用する目的に応じて発光素子２０の大きさや形状は適宜選択が可能である。

素子電極２１は一例として矩形状であり、発光素子２０の下面に露出している。素子電極２１は、例えば、金、白金、パラジウム、ロジウム、ニッケル、タングステン、モリブデン、クロム、チタン等の金属又はこれらの合金の単層膜あるいは積層膜によって構成することができる。

導電性部材５０は、例えば金錫はんだ、銅錫はんだ等とすることができる。導電性部材５０を設けずに、素子電極２１とめっき層１７とを超音波接合等により直接接合してもよい。

（透光性部材）
透光性部材３０は、発光素子２０の上面に配置され、発光装置１００の光取出し面に位置する部材である。透光性部材３０は、平面視において発光素子２０を包含する大きさ及び形状を有している。透光性部材３０は一例として矩形状であり、１個の発光素子２０に１個の透光性部材３０が配置されている。

透光性部材３０は、例えば、透光性の樹脂材料からなり、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂又はこれらを混合した樹脂等を用いることができる。透光性部材３０は、蛍光体を含んでいてもよく、例えば、発光素子２０からの青色の光を吸収し、黄色の光を放射する蛍光体を含むことにより、発光装置１００から白色の光を出射させることができる。また、透光性部材３０は、複数種類の蛍光体を含んでいてもよく、例えば、発光素子２０からの青色の光を吸収して、緑色の光を放射する蛍光体と、赤色の光を放射する蛍光体と、を含むことによっても、発光装置１００から白色の光を出射させることができる。透光性部材３０は、例えば、蛍光体を９５重量％以上、好ましくは９８重量％以上含むものであってもよい。

透光性部材３０は、蛍光体、量子ドット等の発光材料を更に含んでいてもよい。このような蛍光体としては、例えば、セリウムで賦活されたイットリウム・アルミニウム（ガリウムドープ）・ガーネット、ユウロピウムで賦活された窒素含有アルミノ珪酸カルシウム（ストロンチウム）、マンガンで賦活されたフッ化珪酸カリウム、βサイアロン系蛍光体等を挙げることができる。蛍光体として具体的には、イットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、（Ｙ，Ｇｄ）_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、ルテチウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｌｕ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、テルビウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（例えば、Ｔｂ_３（Ａｌ，Ｇａ）_５Ｏ_１２：Ｃｅ）、ＣＣＡ系蛍光体（例えば、Ｃａ_１０（ＰＯ_４）_６Ｃｌ_２：Ｅｕ）、ＳＡＥ系蛍光体（例えば、Ｓｒ_４Ａｌ_１４Ｏ_２５：Ｅｕ）、クロロシリケート系蛍光体（例えば、Ｃａ_８ＭｇＳｉ_４Ｏ_１６Ｃｌ_２：Ｅｕ）、シリケート系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｍｇ）_２ＳｉＯ_４：Ｅｕ）、βサイアロン系蛍光体（例えば、（Ｓｉ，Ａｌ）_３（Ｏ，Ｎ）_４：Ｅｕ）若しくはαサイアロン系蛍光体（例えば、Ｃａ（Ｓｉ，Ａｌ）_１２（Ｏ，Ｎ）_１６：Ｅｕ）等の酸窒化物系蛍光体、ＬＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｌａ，Ｙ）_３Ｓｉ_６Ｎ_１１：Ｃｅ）、ＢＳＥＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｂａ，Ｓｒ）_２Ｓｉ_５Ｎ_８：Ｅｕ）、ＳＬＡ系蛍光体（例えば、ＳｒＬｉＡｌ_３Ｎ_４：Ｅｕ）、ＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ）若しくはＳＣＡＳＮ系蛍光体（例えば、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ）等の窒化物系蛍光体、ＫＳＦ系蛍光体（例えば、Ｋ_２ＳｉＦ_６：Ｍｎ）、ＫＳＡＦ系蛍光体（例えば、Ｋ_２（Ｓｉ_１－ｘＡｌ_ｘ）Ｆ_６－ｘ：Ｍｎ、ここで、ｘは、０＜ｘ＜１を満たす。）若しくはＭＧＦ系蛍光体（例えば、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ_２・ＧｅＯ_２：Ｍｎ）等のフッ化物系蛍光体等を挙げることができる。量子ドットとしては、ペロブスカイト構造を有する量子ドット（例えば、（Ｃｓ，ＦＡ，ＭＡ）（Ｐｂ，Ｓｎ）（Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ）_３、ここで、ＦＡはホルムアミジニウムを、ＭＡはメチルアンモニウムを表す。）、ＩＩ－ＶＩ族量子ドット（例えば、ＣｄＳｅ）、ＩＩＩ－Ｖ族量子ドット（例えば、ＩｎＰ）、カルコパイライト構造を有する量子ドット（例えば、（Ａｇ，Ｃｕ）（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓ，Ｓｅ）_２）等を挙げることができる。

（樹脂部材）
樹脂部材４０は、配線基板１の上面に配置され、発光素子２０及び透光性部材３０の側面や配線基板１の上面を覆う部材である。樹脂部材４０は、透光性部材３０の上面を露出させて配置されている。また、樹脂部材４０は、発光素子２０と配線基板１との間に入り込むことで、素子電極２１や導電性部材５０の側面も覆っている。

樹脂部材４０は、光反射性、透光性、遮光性等を有する樹脂、これらの樹脂に光反射性物質を含有した樹脂等によって形成することができる。樹脂部材４０は、光反射性及び遮光性の少なくとも何れかを有することが好ましい。樹脂としては、例えばシリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂の１種以上を含む樹脂又はハイブリッド樹脂等が挙げられる。光反射性物質としては、例えば酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどが挙げられる。樹脂部材４０は、蛍光体、拡散材、着色剤等を含有してもよい。

発光装置１００は、光反射性の第１被覆層１２Ａの上面に発光素子２０を配置することで、光取出し効率の向上と共に、基材１１及び被覆層と導電部との接合の信頼性の向上を図ることができる。

なお、発光素子２０は１個でもよく、複数が行方向又は列方向にのみ整列していてもよい。発光装置１００を切断線ＳＬ１、ＳＬ２に沿って切断することで、整列する方向及び個数を選択することができる。発光装置３００は、発光装置１００から個片化した発光装置であり、１個の発光素子２０を備えている。

［発光装置の製造方法］
次に、発光装置１００、３００の製造方法Ｓ１００について、図１０から図１１Ｆを参照しながら説明する。図１０は、実施形態に係る発光装置の製造方法Ｓ１を例示するフローチャートである。図１１Ａは、準備した配線基板１を例示する断面図である。図１１Ｂは、導電部の表面にめっき層１７を形成した状態を例示する断面図である。図１１Ｃは、配線基板１上に発光素子２０を配置した状態を例示する断面図である。図１１Ｄは、発光素子２０上に透光性部材３０を配置した状態を例示する断面図である。図１１Ｅは、樹脂部材４０を配置した状態を例示する断面図である。図１１Ｆは、個片化された発光装置３００を例示する断面図である。

発光装置１００の製造方法Ｓ１００は、配線基板の製造方法によって製造される配線基板１を準備することとＳ１１０、配線基板１に素子電極２１を有する発光素子２０を配置することとＳ１２０、発光素子２０の上面に、透光性部材３０を配置することとＳ１３０、を含み、発光素子２０を配置することにおいて、素子電極２１と第１導電部１５Ａとを電気的に接続する。配線基板１Ｄを使う場合も、配線基板１とほぼ同様の構成を有する。

さらに、配線基板１を準備した後、露出する第１導電部１５Ａ、第２導電部１５Ｂにめっき層１７を形成することＳ１１５を含んでもよい。発光素子２０を配置することにおいて、基材１１における第１面１１Ａ側を上面側として、配線基板１の上面１Ａに素子電極２１を有する発光素子２０を配置する。ここでは、配線基板１の上面に、透光性部材３０の上面を露出させて発光素子２０及び透光性部材３０を覆う樹脂部材４０を形成することＳ１４０をさらに含んでいる。以下、発光装置の製造方法Ｓ１００の各構成について説明する。

（配線基板を準備する）
配線基板を準備することＳ１１０において、配線基板の製造方法Ｓ１によって製造される配線基板１を準備する。配線基板１は両面配線基板とし、発光素子２０が配置される上面１Ａに光反射性の第１被覆層１２Ａを形成する。また、発光素子２０の大きさや配置、素子電極２１の間隔等に合わせて第１導電部１５Ａに設けられるパッド部を形成する。

（めっき層を形成する）
めっき層を準備することＳ１１５において、第１導電部１５Ａ、第２導電部１５Ｂのパッド部にめっき層１７を形成する。

（発光素子を配置する）
発光素子を配置することＳ１２０において、配線基板１に発光素子２０を配置する。

（透光性部材を配置する）
透光性部材を配置することＳ１３０において、発光素子２０の上面に透光性部材３０を配置する。透光性部材３０は、例えばポッティング、スプレー、インクジェット、印刷等により未硬化の透光性部材３０の材料の塗布等を行い、その後硬化させることによって配置することができる。透光性部材３０は、シート状又は板状に形成された部材を発光素子２０の上面に接着剤を介して配置してもよい。

（樹脂部材を配置する）
樹脂部材を配置することＳ１４０において、透光性部材３０の上面を露出させるように、配線基板１の上面に樹脂部材４０を配置する。樹脂部材４０は、発光素子２０及び透光性部材３０の側面を覆うように配置し、発光素子２０の下面や導電性部材５０の側面も覆うように配置することが好ましい。樹脂部材４０は、例えば、配線基板１の上方に樹脂吐出装置のノズルを配置し、ノズルの先端から未硬化の樹脂材料を吐出させながら、ノズルを移動させることにより塗布し、その後硬化させることによって配置することができる。樹脂部材４０の塗布は複数回に分けて行うことが好ましい。

樹脂部材４０の上面は、隣り合う透光性部材３０の上面と同一平面となるように形成することが好ましい。ただし、隣り合う発光素子２０及び透光性部材３０の間に樹脂部材４０を配置するため、樹脂部材４０の上面が一部、ひけるように配置してもよく、又は、盛り上がるように配置してもよい。また、盛り上がった樹脂部材４０を研磨、研削等することにより、樹脂部材４０の上面を隣り合う透光性部材３０の上面と同一平面となるように形成することもできる。なお、樹脂部材４０だけでなく、透光性部材３０の上面も研磨、研削等してもよい。

（個片化する）
発光装置の製造方法Ｓ１００は、個片化することＳ１５０をさらに含んでもよい。個片化することＳ１５０において、１個の発光素子２０が含まれるように個片化を行う。個片化は、例えばダイシングブレード、レーザ加工、ブレイク等によって切断することで行うことができる。発光装置の製造方法Ｓ１００は、個片化を行うことで、発光装置３００を製造することができる。

［発光モジュール］
次に、発光装置１００、３００を使用する発光モジュールについて、図１２Ａから図１２Ｃを参照しながら説明する。図１２Ａは、発光装置１００を使用する発光モジュールの一部の概略を例示する断面図である。図１２Ｂは、個片化された発光装置３００を使用する発光モジュールの一部の概略を例示する断面図である。図１２Ｃは、樹脂部材４０を配置していない発光モジュールの一部の概略を例示する断面図である。

発光モジュールは、放熱性の高いモジュール基板９０の上面に発光装置を配置した装置である。ここでは、発光装置付近の発光モジュールの一部について説明する。

発光モジュール５１０は、モジュール基板９０の上面に発光装置１００が配置されている。モジュール基板９０は、金属ベース９１と、金属ベース９１の上面に配置される絶縁層９２と、絶縁層９２の上面に配置される回路電極９３と、を有している。

金属ベース９１は、放熱性を高めるための板状の部材であり、熱伝導性の高い金属等で形成される。ここでは、一例としてアルミニウムで形成されている。絶縁層９２は、金属ベース９１と回路電極９３とを絶縁する部材である。絶縁層９２は、例えば酸化アルミニウムフィラー等をアクリルやエポキシ、ウレタン樹脂に添加した高熱伝導シート材とすることができる。回路電極９３は、モジュール基板９０を外部電源等と接続する配線の一部である。回路電極９３は、導電性部材５０を介して発光装置１００と接続されている。発光モジュール５１０は、金属ベース９１の下面を外部の放熱フィン等に接触させて、さらに放熱を図ることができる。

発光モジュール５２０は、モジュール基板９０の上面に個片化された発光装置３００が配置されている。その他の点は、発光モジュール５１０と共通する。
発光モジュール５３０は、モジュール基板９０の上面に、樹脂部材４０を配置していない状態で個片化された発光装置が配置されている。樹脂部材４０は、モジュール基板９０の上面に、透光性部材３０の上面を露出させるように設けることができる。

本開示は、次の各項の実施形態を含む。
［項１］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、セラミックスを有する絶縁性の基材と、
前記基材の第１面の第一領域に配置され、セラミックスを有する絶縁性の第１被覆層と、
前記基材の第１面の第二領域に配置される第１導電部と、を備え、
前記第１被覆層は、前記第二領域上に第１貫通孔を有し、
前記第１貫通孔の内部に前記第１導電部が配置されており、
前記第１導電部は、前記基材と接する部分に配置される第１金属化合物層と、前記第１金属化合物層と連続し前記第１被覆層と接する部分に配置される第２金属化合物層と、を含む、配線基板。
［項２］
前記第二領域は、前記基材の第１面と同一面、又は、前記基材の第１面から凹む第１凹部を有する項１に記載の配線基板。
［項３］
前記第１凹部は、前記基材の厚み方向において、前記基材の厚みに対して０．３倍以下の深さを有する項２に記載の配線基板。
［項４］
前記配線基板は、さらに、前記基材の第２面の第三領域に配置され、セラミックスを有する絶縁性の第２被覆層と、
前記基材の第２面の第四領域に配置される第２導電部と、を備え、
前記第２被覆層は、前記第四領域上に第２貫通孔を有し、
前記第２貫通孔の内部に前記第２導電部が配置されており、
前記第２導電部は、前記基材と接する部分に配置される第３金属化合物層と、前記第３金属化合物層と連続し前記第２被覆層と接する部分に配置される第４金属化合物層と、を含む項１から項３のいずれか一項に記載の配線基板。
［項５］
前記第四領域は、前記基材の第２面と同一面、又は、前記基材の第２面から凹む第２凹部を有する項４に記載の配線基板。
［項６］
前記第２凹部は、前記基材の厚み方向において、前記基材の厚みに対して０．３倍以下の深さを有する項５に記載の配線基板。
［項７］
前記配線基板は、前記基材の第１面若しくは第１凹部と、前記基材の第２面若しくは第２凹部と、を繋ぐように貫通する第３貫通孔を有し、
前記第３貫通孔の内部に第３導電部が配置されている項１から項６のいずれか一項に記載の配線基板。
［項８］
前記第３導電部は、前記基材と接する部分に配置される第５金属化合物層を含む項７に記載の配線基板。
［項９］
前記第１被覆層、前記第２被覆層の少なくとも一方は、光反射性である項１から項８のいずれか一項に記載の配線基板。
［項１０］
前記第１金属化合物層、前記第２金属化合物層、前記第３金属化合物層、前記第４金属化合物層及び前記第５金属化合物層の少なくとも一種は、窒化チタン、炭化チタン又は酸化チタンの少なくとも一種である項１から項９のいずれか一項に記載の配線基板。
［項１１］
前記基材は、窒化物セラミックス、炭化物セラミックス又は酸化物セラミックスを母材とする項１から項１０のいずれか一項に記載の配線基板。
［項１２］
前記第１被覆層及び前記第２被覆層の少なくとも一方は、前記基材が窒化物セラミックスを母材とする場合には窒化物セラミックスを含有し、前記基材が炭化物セラミックスを母材とする場合には炭化物セラミックスを含有し、前記基材が酸化物セラミックスを母材とする場合には酸化物セラミックスを含有する項１から項１１のいずれか一項に記載の配線基板。
［項１３］
前記基材は、窒化アルミニウム又は窒化ケイ素を母材とし、
前記第１被覆層及び前記第２被覆層の少なくとも一方は、窒化アルミニウムを含有し、前記第１金属化合物層、前記第２金属化合物層、前記第３金属化合物層、前記第４金属化合物層及び前記第５金属化合物層の少なくとも一種は、窒化チタンを含有する項１から項１２のいずれか一項に記載の配線基板。
［項１４］
前記第１被覆層及び前記第２被覆層の少なくとも一方の厚さは、１５μｍ以上２００μｍ以下である項１から項１３のいずれか一項に記載の配線基板。
［項１５］
前記第１導電部、前記第２導電部又は前記第３導電部の少なくとも一種は、銀銅合金を含む項１から項１４のいずれか一項に記載の配線基板。
［項１６］
項１から項１５のいずれか一項に記載の配線基板と、
前記配線基板に配置される、素子電極を有する発光素子と、
前記発光素子の上面に配置される透光性部材と、を備え、
前記素子電極は、前記第１導電部と電気的に接続されている、発光装置。
［項１７］
第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面に第一領域及び第二領域を持つ、セラミックスを有する絶縁性の基材と、前記第二領域が露出するように開口される第１貫通孔を有し、前記第一領域に配置され、セラミックスを有する絶縁性の第１被覆層と、を備える中間体を準備することと、
前記第１貫通孔の内部に活性金属元素を含有する第１導電ペーストを配置することと、
前記第１導電ペーストを焼成し、前記基材と接する部分に配置される第１金属化合物層と、前記第１金属化合物層と連続し前記第１被覆層と接する部分に配置される第２金属化合物層と、を含む第１導電部を形成することと、を含む配線基板の製造方法。
［項１８］
前記中間体を準備することにおいて、前記第二領域は、前記基材の第１面と同一面、又は、前記基材の第１面から凹む第１凹部を有する項１７に記載の配線基板の製造方法。
［項１９］
前記中間体を準備することにおいて、さらに、前記基材は、前記第２面に第三領域及び第四領域を持ち、前記第四領域が露出するように開口される第２貫通孔を有し、前記第三領域に配置され、セラミックスを有する絶縁性の第２被覆層と、を備え、
前記第１導電ペーストを配置する前若しくは後に、前記第２貫通孔の内部に活性金属元素を含有する第２導電ペーストを配置することを含み、
前記第１導電部を形成することにおいて、前記第１導電ペーストの焼成とともに、前記第２導電ペーストを焼成し、前記基材と接する部分に配置される第３金属化合物層と、前記第３金属化合物層と連続し前記第２被覆層と接する部分に配置される第４金属化合物層と、を含む第２導電部を形成することと、を含む項１７又は１８に記載の配線基板の製造方法。
［項２０］
前記中間体を準備することにおいて、前記第四領域は、前記基材の第２面と同一面、又は、前記基材の第２面から凹む第２凹部を有する項１９に記載の配線基板の製造方法。
［項２１］
前記中間体を準備することにおいて、前記中間体は、前記基材の第１面若しくは第１凹部と、前記基材の第２面若しくは第２凹部と、を繋ぐように貫通する第３貫通孔を有し、
前記第１導電ペーストを配置する前若しくは後に、又は、前記第２導電ペーストを配置する前若しくは後に、
前記第３貫通孔の内部に活性金属元素を含有する第３導電ペーストを配置することと、を含む項１７から項２０のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
［項２２］
前記中間体を準備することにおいて、前記基材は、窒化アルミニウム又は窒化ケイ素を母材とし、
前記第１導電ペースト、又は、前記第２導電ペーストを配置することにおいて、前記活性金属元素を含む活性金属粉体は、ＴｉＨ_２、ＣｅＨ_２、ＺｒＨ_２、ＭｇＨ_２の少なくともいずれか一種を含み、 前記第１導電部、又は、第２導電部を形成することにおいて、前記第１金属化合物層、前記第２金属化合物層、前記第３金属化合物層、又は、前記第４金属化合物層は、窒化チタン、窒化セリウム、窒化ジルコニウム、窒化マグネシウムの少なくともいずれか一種を含む項１７から項２１のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
［項２３］
前記第１導電部、又は、第２導電部を形成することにおいて、焼成温度は、７００℃以上１１００℃以下である項１７から項２２のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
［項２４］
前記第１導電部、又は、第２導電部を形成することにおいて、焼成雰囲気は、大気圧雰囲気、Ａｒ雰囲気、真空雰囲気のいずれか一種である項１７から項２３のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
［項２５］
項１７又は１９に記載の配線基板の製造方法によって製造される配線基板を準備することと、
前記配線基板に素子電極を有する発光素子を配置することと、
前記発光素子の上面に、透光性部材を配置することと、を含み、
前記発光素子を配置することにおいて、前記素子電極と前記第１導電部とを電気的に接続する、発光装置の製造方法。

本開示の実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、携帯電話やカメラのフラッシュ、配光可変型ヘッドランプ光源に利用することができる。その他、本開示の実施形態に係る発光装置は、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、更には、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置等に利用することができる。

１ 配線基板
１Ａ 上面
１Ｂ 下面
２Ａ 第一領域
２Ｂ 第二領域
２Ｃ 第三領域
２Ｄ 第四領域
１Ｐ 配線基板（めっき層を有する）
１０ 中間体
１１ 基材
１１Ａ 第１面
１１Ｂ 第２面
１２Ａ 第１被覆層
１２Ｂ 第２被覆層
１４Ａ 第１貫通孔
１４Ｂ 第１凹部
１４Ｃ 第２貫通孔
１４Ｄ 第２凹部
１４Ｅ 第３貫通孔
１５Ａ 第１導電部
１５Ｂ 第２導電部
１５Ｃ 第３導電部
１６Ａ 第１金属化合物層
１６Ｂ 第２金属化合物層
１６Ｃ 第３金属化合物層
１６Ｄ 第４金属化合物層
１６Ｅ 第５金属化合物層
１７ めっき層
１８ 化合物
２０ 発光素子
２１ 素子電極
３０ 透光性部材
４０ 樹脂部材
５０ 導電性部材
８０ 導電ペースト（第１導電ペースト、第２導電ペースト、第３導電ペースト）
８０Ａ ろう接部
９０ モジュール基板
９１ 金属ベース
９２ 絶縁層
９３ 回路電極
１００ 発光装置
１５５ パッド部
３００ 発光装置（個片化後）
５１０、５２０、５３０ 発光モジュール
Ｒ１ レジスト
ＤＦ１ ドライフィルム
ＰＭ１ フォトマスク

Claims (25)

1. 第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、セラミックスを有する絶縁性の基材と、
   前記基材の第１面の第一領域に配置され、セラミックスを有する絶縁性の第１被覆層と、
   前記基材の第１面の第二領域に配置される第１導電部と、を備え、
   前記第１被覆層は、前記第二領域上に第１貫通孔を有し、
   前記第１貫通孔の内部に前記第１導電部が配置されており、
   前記第１導電部は、前記基材と接する部分に配置される第１金属化合物層と、前記第１金属化合物層と連続し前記第１被覆層と接する部分に配置される第２金属化合物層と、を含む、配線基板。
2. 前記第二領域は、前記基材の第１面と同一面、又は、前記基材の第１面から凹む第１凹部を有する請求項１に記載の配線基板。
3. 前記第１凹部は、前記基材の厚み方向において、前記基材の厚みに対して０．３倍以下の深さを有する請求項２に記載の配線基板。
4. 前記配線基板は、さらに、前記基材の第２面の第三領域に配置され、セラミックスを有する絶縁性の第２被覆層と、
   前記基材の第２面の第四領域に配置される第２導電部と、を備え、
   前記第２被覆層は、前記第四領域上に第２貫通孔を有し、
   前記第２貫通孔の内部に前記第２導電部が配置されており、
   前記第２導電部は、前記基材と接する部分に配置される第３金属化合物層と、前記第３金属化合物層と連続し前記第２被覆層と接する部分に配置される第４金属化合物層と、を含む請求項１に記載の配線基板。
5. 前記第四領域は、前記基材の第２面と同一面、又は、前記基材の第２面から凹む第２凹部を有する請求項４に記載の配線基板。
6. 前記第２凹部は、前記基材の厚み方向において、前記基材の厚みに対して０．３倍以下の深さを有する請求項５に記載の配線基板。
7. 前記配線基板は、前記基材の第１面若しくは第１凹部と、前記基材の第２面若しくは第２凹部と、を繋ぐように貫通する第３貫通孔を有し、
   前記第３貫通孔の内部に第３導電部が配置されている請求項１又は請求項４に記載の配線基板。
8. 前記第３導電部は、前記基材と接する部分に配置される第５金属化合物層を含む請求項７に記載の配線基板。
9. 前記第１被覆層、前記第２被覆層の少なくとも一方は、光反射性である請求項１又は請求項４に記載の配線基板。
10. 前記第１金属化合物層、前記第２金属化合物層、前記第３金属化合物層、前記第４金属化合物層及び前記第５金属化合物層の少なくとも一種は、窒化チタン、炭化チタン又は酸化チタンの少なくとも一種である請求項１又は請求項４に記載の配線基板。
11. 前記基材は、窒化物セラミックス、炭化物セラミックス又は酸化物セラミックスを母材とする請求項１又は請求項４に記載の配線基板。
12. 前記第１被覆層及び前記第２被覆層の少なくとも一方は、前記基材が窒化物セラミックスを母材とする場合には窒化物セラミックスを含有し、前記基材が炭化物セラミックスを母材とする場合には炭化物セラミックスを含有し、前記基材が酸化物セラミックスを母材とする場合には酸化物セラミックスを含有する請求項１又は請求項４に記載の配線基板。
13. 前記基材は、窒化アルミニウム又は窒化ケイ素を母材とし、
    前記第１被覆層及び前記第２被覆層の少なくとも一方は、窒化アルミニウムを含有し、前記第１金属化合物層、前記第２金属化合物層、前記第３金属化合物層、前記第４金属化合物層及び前記第５金属化合物層の少なくとも一種は、窒化チタンを含有する請求項１又は請求項４に記載の配線基板。
14. 前記第１被覆層及び前記第２被覆層の少なくとも一方の厚さは、１５μｍ以上２００μｍ以下である請求項１又は請求項４に記載の配線基板。
15. 前記第１導電部、前記第２導電部又は前記第３導電部の少なくとも一種は、銀銅合金を含む請求項１又は請求項４に記載の配線基板。
16. 請求項１又は請求項４に記載の配線基板と、
    前記配線基板に配置される、素子電極を有する発光素子と、
    前記発光素子の上面に配置される透光性部材と、を備え、
    前記素子電極は、前記第１導電部と電気的に接続されている、発光装置。
17. 第１面及び前記第１面の反対側となる第２面を持ち、前記第１面に第一領域及び第二領域を持つ、セラミックスを有する絶縁性の基材と、前記第二領域が露出するように開口される第１貫通孔を有し、前記第一領域に配置され、セラミックスを有する絶縁性の第１被覆層と、を備える中間体を準備することと、
    前記第１貫通孔の内部に活性金属元素を含有する第１導電ペーストを配置することと、
    前記第１導電ペーストを焼成し、前記基材と接する部分に配置される第１金属化合物層と、前記第１金属化合物層と連続し前記第１被覆層と接する部分に配置される第２金属化合物層と、を含む第１導電部を形成することと、を含む配線基板の製造方法。
18. 前記中間体を準備することにおいて、前記第二領域は、前記基材の第１面と同一面、又は、前記基材の第１面から凹む第１凹部を有する請求項１７に記載の配線基板の製造方法。
19. 前記中間体を準備することにおいて、さらに、前記基材は、前記第２面に第三領域及び第四領域を持ち、前記第四領域が露出するように開口される第２貫通孔を有し、前記第三領域に配置され、セラミックスを有する絶縁性の第２被覆層と、を備え、
    前記第１導電ペーストを配置する前、後若しくは同時に、前記第２貫通孔の内部に活性金属元素を含有する第２導電ペーストを配置することを含み、
    前記第１導電部を形成することにおいて、前記第１導電ペーストの焼成とともに、前記第２導電ペーストを焼成し、前記基材と接する部分に配置される第３金属化合物層と、前記第３金属化合物層と連続し前記第２被覆層と接する部分に配置される第４金属化合物層と、を含む第２導電部を形成することと、を含む請求項１７に記載の配線基板の製造方法。
20. 前記中間体を準備することにおいて、前記第四領域は、前記基材の第２面と同一面、又は、前記基材の第２面から凹む第２凹部を有する請求項１９に記載の配線基板の製造方法。
21. 前記中間体を準備することにおいて、前記中間体は、前記基材の第１面若しくは第１凹部と、前記基材の第２面若しくは第２凹部と、を繋ぐように貫通する第３貫通孔を有し、
    前記第１導電ペーストを配置する前若しくは後に、又は、前記第２導電ペーストを配置する前若しくは後に、
    前記第３貫通孔の内部に活性金属元素を含有する第３導電ペーストを配置することと、を含む請求項１７又は請求項１９に記載の配線基板の製造方法。
22. 前記中間体を準備することにおいて、前記基材は、窒化アルミニウム又は窒化ケイ素を母材とし、
    前記第１導電ペースト、又は、前記第２導電ペーストを配置することにおいて、前記活性金属元素を含む活性金属粉体は、ＴｉＨ_２、ＣｅＨ_２、ＺｒＨ_２、ＭｇＨ_２の少なくともいずれか一種を含み、
    前記第１導電部、又は、第２導電部を形成することにおいて、前記第１金属化合物層、前記第２金属化合物層、前記第３金属化合物層、又は、前記第４金属化合物層は、窒化チタン、窒化セリウム、窒化ジルコニウム、窒化マグネシウムの少なくともいずれか一種を含む請求項１７又は請求項１９に記載の配線基板の製造方法。
23. 前記第１導電部、又は、第２導電部を形成することにおいて、焼成温度は、７００℃以上１１００℃以下である請求項１７又は請求項１９に記載の配線基板の製造方法。
24. 前記第１導電部、又は、第２導電部を形成することにおいて、焼成雰囲気は、大気圧雰囲気、Ａｒ雰囲気、真空雰囲気のいずれか一種である請求項１７又は請求項１９に記載の配線基板の製造方法。
25. 請求項１７又は請求項１９に記載の配線基板の製造方法によって製造される配線基板を準備することと、
    前記配線基板に素子電極を有する発光素子を配置することと、
    前記発光素子の上面に、透光性部材を配置することと、を含み、
    前記発光素子を配置することにおいて、前記素子電極と前記第１導電部とを電気的に接続する、発光装置の製造方法。

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