CN202167494U - 台面工艺可控硅芯片结构 - Google Patents
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Abstract
本实用新型涉及台面工艺可控硅芯片结构，包括N+型阴极区、正面P型短基区、玻璃钝化膜、正面沟槽、SiO2保护膜、硅单晶片、门极铝电极和阴极铝电极，所述硅单晶片正面设有正面P型短基区，所述硅单晶片背面设有背面P型区，所述正面P型短基区表面设有SiO2保护膜、门极铝电极和阴极铝电极，所述正面P型短基区和硅单晶片上设有正面沟槽，所述正面沟槽位于门极铝电极和阴极铝电极两侧，所述阴极铝电极和正面P型短基区之间设有N+型阴极区，其特征在于：所述对通隔离扩散区底部设有背面应力平衡槽。本实用新型的优点是：结构和工艺成熟、制造过程简单、制造的芯片击穿电压特性好、合格率较高、且产品可靠性较高。
Description
技术领域
本实用新型涉及一种台面工艺可控硅芯片结构，属于电力半导体器件制造技术领域。
背景技术
功率可控硅等中、高压电力半导体器件芯片的制造中，至今仍广泛采用台面工艺制造技术，如图1所示，硅圆片正面的沟槽内生长了一层30～50um厚的钝化玻璃膜，由于该玻璃膜的膨胀系数比硅大很多（一般钝化玻璃的膨胀系数为4.4±0.4×10-6 /℃，而硅的膨胀系数为2.6×10-6 /℃），玻璃烧结完成后，正面沟槽内的玻璃膜产生了一个很大的收缩应力，拉动硅圆片向上弯曲，由于硅圆片的弯曲使得硅片中心区域和光刻掩膜版不能贴紧而产生缝隙，造成废品产生，经常会掉片，硅圆片破碎率很高，这种方法只适合于Φ2英寸～Φ4英寸硅圆片的制程，很难将以上技术用于Φ5英寸～Φ4英寸的硅圆片制程。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种台面工艺可控硅芯片结构。
本实用新型采用的技术方案是：台面工艺可控硅芯片结构，包括N+型阴极区、正面P型短基区、玻璃钝化膜、正面沟槽、SiO2保护膜、硅单晶片、门极铝电极和阴极铝电极，所述硅单晶片正面设有正面P型短基区，所述硅单晶片背面设有背面P型区，所述正面P型短基区表面设有SiO2保护膜、门极铝电极和阴极铝电极，所述正面P型短基区和硅单晶片上设有正面沟槽，所述正面沟槽位于门极铝电极和阴极铝电极两侧，所述阴极铝电极和正面P型短基区之间设有N+型阴极区，所述对通隔离扩散区底部设有背面应力平衡槽，所述背面应力平衡槽顶部和侧壁设有玻璃膜，所述背面P型区和玻璃钝化膜表面上设有多层金属电极。
所述对通隔离扩散区深度为50-110um，所述对通隔离扩散区宽度为50-140um。
本实用新型的优点是：结构和工艺成熟、制造过程简单、制造的芯片击穿电压特性好、合格率较高、且产品可靠性较高。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
图1为背景技术提到的台面工艺可控硅芯片结构示意图。
图2本实用新型的台面工艺可控硅芯片结构示意图。
其中：1、N+型阴极区，2、正面P型短基区，3、玻璃钝化膜，4正面沟槽，5、SiO2保护膜，6、硅单晶片，7、门极铝电极，8、阴极铝电极，9、金属电极，10、背面P型区，11、玻璃膜，12、对通隔离扩散区，13、背面应力平衡槽。
具体实施方式
如图2所示，本实用新型的台面工艺可控硅芯片结构，包括N+型阴极区1、正面P型短基区2、玻璃钝化膜3、正面沟槽4、SiO2保护膜5、硅单晶片6、门极铝电极7和阴极铝电极8，硅单晶片6正面设有正面P型短基区2，硅单晶片6背面设有背面P型区10，正面P型短基区2表面设有SiO2保护膜5、门极铝电极7和阴极铝电极8，正面P型短基区2和硅单晶片6上设有正面沟槽4，正面沟槽4位于门极铝电极7和阴极铝电极8两侧，阴极铝电极8和正面P型短基区2之间设有N+型阴极区1，对通隔离扩散区12底部设有背面应力平衡槽13，对通隔离扩散区12深度为50-110um，对通隔离扩散区12宽度为50-140um，背面应力平衡槽13顶部和侧壁设有玻璃膜11，背面P型区10和玻璃钝化膜3表面上设有多层金属电极9。
Claims (2)
1.台面工艺可控硅芯片结构，包括N+型阴极区、正面P型短基区、玻璃钝化膜、正面沟槽、SiO2保护膜、硅单晶片、门极铝电极和阴极铝电极，所述硅单晶片正面设有正面P型短基区，所述硅单晶片背面设有背面P型区，所述正面P型短基区表面设有SiO2保护膜、门极铝电极和阴极铝电极，所述正面P型短基区和硅单晶片上设有正面沟槽，所述正面沟槽位于门极铝电极和阴极铝电极两侧，所述阴极铝电极和正面P型短基区之间设有N+型阴极区，其特征在于：所述对通隔离扩散区底部设有背面应力平衡槽，所述背面应力平衡槽顶部和侧壁设有玻璃膜，所述背面P型区和玻璃钝化膜表面上设有多层金属电极。
2. 根据权利要求1所述的台面工艺可控硅芯片结构，其特征在于：所述对通隔离扩散区深度为50-110um，所述对通隔离扩散区宽度为50-140um。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011202703836U CN202167494U (zh) | 2011-07-28 | 2011-07-28 | 台面工艺可控硅芯片结构 |
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| CN2011202703836U CN202167494U (zh) | 2011-07-28 | 2011-07-28 | 台面工艺可控硅芯片结构 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN202167494U true CN202167494U (zh) | 2012-03-14 |
Family
ID=45803303
Family Applications (1)
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| CN2011202703836U Expired - Lifetime CN202167494U (zh) | 2011-07-28 | 2011-07-28 | 台面工艺可控硅芯片结构 |
Country Status (1)
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|---|---|
| CN (1) | CN202167494U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104465738A (zh) * | 2013-09-23 | 2015-03-25 | 无锡市宏矽电子有限公司 | 一种单向高压可控硅 |
| CN108831921A (zh) * | 2018-05-24 | 2018-11-16 | 启东吉莱电子有限公司 | 一种镓硼同步扩散工艺台面结构晶闸管芯片及其制作工艺 |
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2011
- 2011-07-28 CN CN2011202703836U patent/CN202167494U/zh not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104465738A (zh) * | 2013-09-23 | 2015-03-25 | 无锡市宏矽电子有限公司 | 一种单向高压可控硅 |
| CN108831921A (zh) * | 2018-05-24 | 2018-11-16 | 启东吉莱电子有限公司 | 一种镓硼同步扩散工艺台面结构晶闸管芯片及其制作工艺 |
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| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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| CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: No.3000 Qiantangjiang Road, Qidong Economic Development Zone, Nantong City, Jiangsu Province Patentee after: JIANGSU JIEJIE MICROELECTRONICS Co.,Ltd. Address before: 226200, 8, Xinglong Road, Qidong science and Technology Pioneer Park, Jiangsu Patentee before: JIANGSU JIEJIE MICROELECTRONICS Co.,Ltd. |
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| CP02 | Change in the address of a patent holder | ||
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Granted publication date: 20120314 |
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| CX01 | Expiry of patent term |