CN1881014A - 半透射型液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种半透射型液晶显示装置，在规定的位置备有反射对比度降低防止电极的半透射型液晶显示装置中，可维持防止反射对比度降低，并且能够防止亮点缺陷。在与源极配线(3)同一层内的像素区域的反射区域(S)上，备有与源极配线(3)仅隔开规定区域形成的反射电极(9)。而且，反射对比度降低防止电极(13)形成在规定区域的上方，具有经由绝缘膜(10)在俯视时与反射电极(9)重叠的区域。而且，反射对比度降低防止电极(13)为电浮置状态。

Description

半透射型液晶显示装置
技术领域
本发明涉及一种半透射型液晶显示装置，具有透射背照灯光的透射区域和反射周围光的反射区域。
背景技术
半透射型液晶显示装置备有TFT(薄膜晶体管)阵列基板。而且，在该阵列基板的各像素上分别形成有使设置在显示面的背面的背照灯光透射的透射区域，以及使入射到液晶层上的周围光反射的反射区域。
在上述结构的半透射型液晶显示装置中存在有将在反射区域上形成的反射电极，源极配线(包括源极电极)，漏极电极形成在同一层上的现有技术(专利文献1)。通过采用该专利文献1所涉及的技术，可简化制造工序。
在上述专利文献1所涉及的半透射型液晶显示装置中，要防止源极配线和反射电极的短路。因此，形成在同一层上的源极配线和反射电极仅隔开规定的区域(距离)。
而且，在专利文献1所涉及的半透射型液晶显示装置中，如果着眼于源极配线和反射电极之间的间隔，则在该间隔的下层上形成有辅助电容电极和辅助电容配线。因此，在该半透射型液晶显示装置中，与TFT阵列基板对置配设的对置基板上所设置的对置电极，上述辅助电容电极以及辅助电容配线是对置的。
但是，在专利文献1所涉及的半透射型液晶显示装置中，辅助电容电极以及辅助电容配线和对置电极是同电位。因此，在存在于源极配线和反射电极之间的间隔(规定的区域(距离))的上层上的液晶层上不外加电场。这样一来，从显示部入射、由存在于上述间隔的下层上的上述辅助电容电极等反射的反射光将不能被电场所控制。
这样，由于不能够通过电场控制上述反射光，所以在专利文献1所涉及的半透射型液晶显示装置中，在采用了常态白色模式(在不外加电压时成为白色显示的模式)的情况下，产生黑色显示时反射率增加，使反射对比度降低的问题。
作为解决该问题的技术，有专利文献2所涉及的半透射型液晶显示装置。
在专利文献2所涉及的技术中，为了将电场外加在存在于源极配线和反射电极之间的上述间隔的上层上的液晶层上，形成有反射对比度降低防止电极。因此，在专利文件2所涉及的半透射型液晶显示装置中，能够防止上述那样反射对比度的降低。
在此，反射对比度降低防止电极和形成在透射区域上的透射像素电极电连接在一起。
【专利文献1】特愿2004-110299号
【专利文献2】特意3004-260873号
但是，在专利文献2所涉及的半透射型液晶显示装置中，在导电性的异物要混入反射对比度降低防止电极和对置电极之间的情况下，或者在制造阶段在对置电极上产生了变形的情况下，对置电极和反射对比度降低防止电极短路。
在此，如上所述，反射对比度降低防止电极和透射像素电极电连接在一起。因此，在上述的情况下，其结果将产生透射像素电极与对置电极点短路的问题(以下将该短路称为面间短路)。
若产生上述面间短路时，电场将不再外加在与该短路部位相对应的液晶层上。当产生电场不外加在存在于透射区域上的液晶层上时，在常态的白色模式的显示器上，背照灯的光穿过显示部。这样一来，当背照灯的光穿过显示部时，将产生被称为亮点缺陷的非常明显的缺陷。
在专利文献2所涉及的半透射型液晶显示装置中，反射对比度降低防止电极要形成在反射区域的各像素的边界附近。但是，该反射对比度降低防止电极的形成部分通常是单元开口较窄。因此，在专利文献2所涉及的半透射型液晶显示装置中，容易产生上述异物混入的问题。
而且，该反射对比度降低防止电极的形成部分也是形成在对置基板上的滤色片图案的边界附近的位置。因此，在专利文献2所涉及的半透射型液晶显示装置中，也容易产生滤色片的图案异常引起的(因该滤色片的图案异常而在对置电极上产生变形)面间短路。
也就是说，由于反射对比度降低防止电极的形成位置的原因，在专利文件2所涉及的半透射型液晶显示装置中，容易产生上述亮点缺陷，存在成品率降低，和由此产生的制造成本增加的问题。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种半透射型液晶显示装置，在源极配线和反射像素电极隔开规定的间隔而形成在同一层上，例如根据防止反射对比度的降低的观点考虑，在规定的位置上备有反射对比度降低防止电极的半透射型液晶显示装置中，可维持防止反射对比度降低，并且能够防止上述亮点缺陷。
为了实现上述目的，本发明技术方案1所记载的半透射型液晶显示装置包括：第一基板；第二基板，与上述第一基板对置配设；液晶层，封入在上述第一基板和上述第二基板之间；上述第一基板包括：多个栅极配线，在上述第一基板上；多个源极配线，形成在上述第一基板上，俯视时与上述栅极配线相交叉；反射电极，形成在与上述源极配线同一层中的、作为由上述栅极配线和上述源极配线区分的单位像素区域的一部分的反射区域上，与上述源极配线仅隔开规定的区域形成；反射对比度降低防止电极，形成在上述规定的区域上的上述反射电极的上层，具有经由第一绝缘膜在俯视时与上述反射电极重叠的区域；上述反射对比度降低防止电极为电浮置状态。
由于本发明技术方案1所记载的半透射型液晶显示装置包括：第一基板；第二基板，与上述第一基板对置配设；液晶层，封入在上述第一基板和上述第二基板之间；上述第一基板包括：多个栅极配线，形成在上述第一基板上；多个源极配线，形成在上述第一基板上，俯视时与上述栅极配线相交叉；反射电极，在与上述源极配线同一层中的、作为由上述栅极配线和上述源极配线区分的单位像素区域的一部分的反射区域上，与上述源极配线仅隔开规定的区域形成；反射对比度降低防止电极，形成在上述规定的区域上的上述反射电极的上层，具有经由第一绝缘膜在俯视时与上述反射电极重叠的区域；上述反射对比度降低防止电极为电浮置状态，所以即使形成在第二基板上的对置电极和反射对比度降低防止电极短路，也能够防止透射电极和对置电极电短路(即能够防止面间短路)。因此，能够防止产生被称为亮点缺陷的非常明显的缺陷。换句话说，能够以高成品率制造本实施方式所涉及的半透射型液晶显示装置。另外，反射对比度降低防止电极在与反射电极之间形成电容。因此，基于该电容，能够使电压外加在反射对比度降低防止电极上。从而可正常地将电场外加在存在于上述规定区域上方的液晶层上，能够防止该规定区域上的反射对比度降低。
附图说明
图1为表示TFT阵列基板大致结构的俯视图。
图2为表示TFT阵列基板的一像素区域的结构的放大俯视图。
图3为表示TFT阵列基板结构的剖视图。
图4为用于说明实施方式1所涉及的半透射型液晶显示装置的制造方法的工序俯视图。
图5为用于说明实施方式1所涉及的半透射型液晶显示装置的制造方法的工序剖视图。
图6为用于说明实施方式1所涉及的半透射型液晶显示装置的制造方法的工序俯视图。
图7为用于说明实施方式1所涉及的半透射型液晶显示装置的制造方法的工序剖视图。
图8为用于说明实施方式1所涉及的半透射型液晶显示装置的制造方法的工序俯视图。
图9为用于说明实施方式1所涉及的半透射型液晶显示装置的制造方法的工序剖视图。
图10为表示容量比和反射对比度效果的关系的模拟结果图。
图11为表示实施方式3所涉及的TFT阵列基板结构的放大俯视图。
图12为表示实施方式4所涉及的TFT阵列基板结构的放大俯视图。
附图标记的说明
1通明绝缘基板，2栅极配线，2a栅极电极部，3、3A、3B源极配线，4辅助电容电极，5、10绝缘膜，6半导体能动膜，7电阻性接触膜，9反射电极，11接触孔，12透射电极，13、13A、13B、45反射对比度降低防止电极，40连接电极，100、150、200TFT阵列基板，S反射区域，T透射区域。
具体实施方式
以下，基于表示实施方式的附图对本发明加以说明。
<实施方式1>
图1为表示本实施方式所涉及的半透射型液晶显示装置具有的TFT(薄膜晶体管)阵列基板的大致结构的立体俯视图。
如图1所示，在透明绝缘基板(可把握第一基板，未图示)上直线状地配设有多个栅极配线2。而且，在透明绝缘基板上直线状地配设有多个源极配线3，俯视时与该栅极配线2相交叉。
在此，由栅极配线2和源极配线3区分的区域是像素区域(即单位像素)。如图1所示，各单位像素区域(以下简称为像素区域)配置成矩阵状。
图2为将图1中所示的TFT阵列基板的一像素部分扩大后的立体俯视图。而且，在图3中，分别示出了图2中所示的TFT阵列基板100的A-A剖视图(从源极电极到反射区域)、B-B剖视图(透射区域和反射区域的接触部分)、C-C剖视图(TFT部附近)。
以下，基于图2、图3对本实施方式所涉及的半透射型液晶显示装置(特别是TFT阵列基板)的结构加以说明。
如图2所示，各像素由在液晶显示装置内使照射的光透射的透射区域(可把握第一区域)T，和使从外部入射到液晶显示装置内的周围光反射的反射区域(可把握第二区域)S构成。
从图2、图3可知，在玻璃基板等透明绝缘基板1上形成有由第一导电膜构成的栅极配线2。另外，在栅极配线2上将TFT形成部分特指为栅极电极部2a。
而且，在透明绝缘基板1上形成有由第一导电膜构成的辅助电容电极4。在此，辅助电容电极4具有将电压保持规定时间的功能。而且，辅助电容电极4也具有防止光从背照灯泄漏的功能。
在透明绝缘基板1上形成有绝缘膜5，其覆盖栅极配线2和辅助电容电极4等。而且，在栅极电极部2a上，经由绝缘膜(可把握栅极绝缘膜)5，形成有作为半导体层的半导体能动膜6和电阻性接触膜7。
上述电阻性接触膜7的一部分被除去，该电阻性接触膜7被分成两个区域。而且，在一个区域上，在该电阻性接触膜7上叠层有由第二导电膜构成的源极配线3。而在另一个区域上，在该电阻性接触膜7上叠层有由第二导电膜构成的漏极8。另外，在源极配线3上，将TFT形成部分特指为源极电极部。
由上述栅极电极部2a、半导体能动膜6、源极电极部、以及漏极8等构成作为开关元件的TFT。在此，在一部分具有源极电极部的源极配线3配设成经由绝缘膜5与栅极配线2相交叉。另外，在该交叉部以及源极配线3的形成部分上形成有半导体能动膜6以及电阻性接触膜7，用于提高耐压。
而且，在反射区域S上形成有从漏极8延伸的反射电极9。也就是说，漏极8和反射电极9是一体的。因此，反射电极9采用第二导电膜形成。
在此，反射电极9由于其功能上的原因而要求最表面层为反射率高的金属膜。因此，作为第二导电膜，至少在最表面层上采用了该反射率比较高的金属膜。
而且，反射电极9和源极配线3形成在同一层内。因此，从防止反射电极9和源极配线3的短路的观点考虑，反射电极9要与源极配线3隔开规定区域(间隔)地形成。另外，优选地是，源极配线3和反射电极9的间隔在5μm～10μm左右。
另外，在本实施方式所涉及的液晶显示装置中，覆盖上述各构成要素地形成有绝缘膜10。在此，通过除去反射电极9上该绝缘膜10的一部分，在该绝缘膜10上形成有接触孔11。另外，反射电极9从该接触孔11的底部露出。
而且，在透射区域T的该绝缘膜10上形成有规定图案的透射电极12。在此，该透射电极12由透射率比较高的导电膜(以下称为透明导电膜)构成。而且，透射电极12经由接触孔11与反射电极9电连接。因此，透射电极12与漏极8电连接在一起。
而且，在存在于源极配线3和反射电极9之间的规定区域的上方，经由上述绝缘膜10，形成有反射对比度降低防止电极13。另外，在俯视的情况下，该反射对比度降低防止电极13具有与反射电极9重叠的区域。
在此，反射对比度降低防止电极13是为了能够向存在于源极配线3和反射电极9之间的间隔的上层上的液晶层上外加电场的部件，通过该反射对比度降低防止电极13的形成，能够防止反射对比度的降低。而且，反射对比度降低防止电极13由具有透明性的导电膜形成。
而且，如图2所示，反射对比度降低防止电极13是沿着源极配线3的配设方向配设的。也就是说，反射对比度降低防止电极13的配设方向与源极配线3的配设方向基本上平行。
另外，在本发明所涉及的液晶显示装置上，上述反射对比度降低防止电极13不与透射电极12等电连接。也就是说，反射对比度降低防止电极13是电浮置状态。
而且，反射对比度降低防止电极13如图3所示，具有经由绝缘膜5、10、在俯视的状态下与辅助电容电极4重叠的区域。
以下，采用附图对本实施方式所涉及的液晶显示装置的制造方法进行具体的说明。在此，在以下所示的工序剖视图中，示出了与图2中所示的TFT阵列基板100的A-A剖面(从源极电极到反射区域)，B-B剖面(透射区域和反射区域的接触部附近)，以及C-C剖面(TFT部附近)相对应的部分。
首先，通过清洗玻璃基板等透明绝缘基板1，将该透明绝缘基板1的表面净化。然后，在该透明绝缘基板1上通过溅射法等成膜出第一导电膜。
在此，作为第一导电膜，例如可采用Cr(铬)、Mo(钼)、Ta(钽)、Ti(钛)或Al(铝)构成的薄膜，或者由上述金属的某一种为主要成分的合金构成的薄膜等。另外，在本实施方式中，作为第一导电膜，成膜出约400nm左右的Cr膜。
但是，在第一导电膜形成后，在后述的工序中，通过干式蚀刻形成接触孔11。而且，在该接触孔11内，为了获得电连接而形成有透明导电膜。在该接触孔11的形成等时，第一导电膜有被氧化的可能性。
因此，作为第一导电膜，希望采用表面不易氧化的金属薄膜，或者即使氧化也可维持较高的导电性的金属薄膜等。
例如，在采用Al系的材料作为第一导电膜的情况下，为了防止了表面氧化所引起的导电性劣化，可在表面上形成氮化铝膜，或者在表面上成膜出Cr、Mo、Ta、Ti等膜。
之后，通过对第一导电膜实施照相制版工序，将该第一导电膜图案化成规定形状。从而如图4的俯视图和图5的剖视图所示，在透明绝缘基板1上形成栅极配线2和辅助电容电极4。
在此，辅助电容电极4在反射区域S上的大致整个区域上形成。而且，在透射区域T上，辅助电容电极4在其后形成的源极配线3的附近，沿着该源极配线3形成为具有规定宽度的线状。
另外，上述照相制版工序的一连串流程如下所述。首先，在对形成了第一导电膜的透明绝缘基板1进行了清洗后，在该透明绝缘基板1上涂敷感光性抗蚀剂。然后，在该抗蚀剂干燥后，通过形成了规定图案的掩模对该抗蚀剂进行曝光、显影。从而形成具有规定图案的抗蚀剂。在将该图案化的抗蚀剂加热使其固化后，将该抗蚀剂作为掩模，对第一导电膜进行蚀刻。之后剥离上述抗蚀剂。
另外，上述第一导电膜的蚀刻能够采用公知的蚀刻剂，用湿式蚀刻法进行。例如，在由Cr形成了第一导电膜的情况下，采用第二硝酸铈铵和硝酸混合的水溶液。
而且，在第一导电膜的蚀刻中，要提高图案边缘的台阶部处的绝缘膜的覆盖范围，而且要防止与该台阶部上其他的配线短路。因此，优选地将该第一导电膜蚀刻成图案边缘截面为梯形的锥形。
进而，为了覆盖栅极配线2、辅助电容电极4，在透明绝缘基板1上顺序地成膜出绝缘膜5、半导体能动膜6，以及电阻性接触膜7。在此，各膜5、6、7的成膜例如可通过等离子CVD(Chemical VaporDeposition)等进行。
在此，绝缘膜5在TFT形成区域上作为栅极绝缘膜发挥作用。而且，作为栅极绝缘膜发挥作用的绝缘膜5，例如可采用SiNx膜、SiOy膜、SiOzNw膜中的某一种单层，或者包含这些膜的多层膜等。在这里，「x」、「y」、「z」、「w」是分别表示化学量论组成的正数。
而且，在绝缘膜5的膜厚过薄的情况下，有可能产生栅极配线2和源极配线3在两配线2、3的交叉部短路。而在绝缘膜5的膜厚过厚的情况下，TFT的导通电流减小，显示特性降低。因此，绝缘膜5的膜厚由两者的的折中关系决定。
而且，绝缘膜5最好是分数次成膜的。这是由于如果一次成膜出绝缘膜5，则产生气孔等，引起层间短路的缘故。例如，可在成膜出膜厚为300nm左右的SiN膜后，进而叠层膜厚为100nm左右的SiN膜，从而形成膜厚为400nm左右的绝缘膜5。
而且，作为半导体能动膜6，可采用非晶硅(a-Si)膜，或者多晶硅(p-Si)膜等。在此，如果半导体能动膜6的膜厚过薄，则在后述的电阻性接触膜7的干式蚀刻时，该半导体能动膜6消失。而如果半导体能动膜6的膜厚过厚，则TFT的导通电流减小。
因此，半导体能动膜6的膜厚要考虑电阻性接触膜7的干式蚀刻时的蚀刻量的控制性、以及TFT的所希望的导通电流值后决定。例如，半导体能动膜6的膜厚在采用a-Si膜的情况下，优选地是150nm左右。
而且，作为电阻性接触膜7，可采用在s-Si中微量地掺杂P(磷)的n型a-Si膜，或者采用在p-Si中微量地掺杂P(磷)的n型p-Si膜等。例如，电阻性接触膜7的膜厚为30nm左右。
而且，通过对各膜6、7实施照相制版工序，如图6的俯视图和图7的剖视图所示，将该半导体能动膜6和电阻性接触膜7图案化成规定的图案。
在此，将半导体能动膜6和电阻性接触膜7图案化成规定的形状，使其至少残留在TFT形成区域上。另外，除了将半导体能动膜6和电阻性接触膜7图案化成使其残留在TFT形成区域上之外，还可以将各膜6、7图案化成使其残留在栅极配线2和源极配线3相交叉的部分以及形成源极配线3的部位上。
如上所述，通过使半导体能动膜6、电阻性接触膜7残留在源极配线3的部分等上，能够增大工作时相对于元件的耐压。
另外，半导体能动膜6和电阻性接触膜7的图案化可通过采用公知的气体组成(例如SF6和O2的混合气体，或者CF4和O2的混合气体等)的干式蚀刻法进行。
接着，对到上述为止的形成了各部分(半导体能动膜6、电阻性接触膜7等)的透明绝缘基板1实施溅射法等。从而在该透明绝缘基板1上成膜出第二导电膜。
作为第二导电膜，如图9所示，例如可采用双层结构的叠层膜。在该双层结构的情况下，第一薄膜层31例如可采用铬、钼、钽、钛等单体，或者以上述元素为主要成分的合金。而且，形成在该第一薄膜层31上的第二薄膜层32例如可采用铝、银等单体，或者以上述元素为主要成分的合金。
在此，第一薄膜层31直接成膜在电阻性接触膜7和绝缘膜5上。而且，第二薄膜层32如上所述，直接成膜在第一薄膜层31上。
第二导电膜用作后述的源极配线3、漏极8和反射电极9等。因此，要考虑配线电阻和表面层的反射特性地构成。考虑到该事项，作为第二导电膜，优选地是具有由膜厚为100nm左右的铬膜构成的第一薄膜层31，和由膜厚为300nm左右的AlCu构成的第二薄膜层32的结构。以下，为了便于说明，限定在该结构的导电膜的情况进行说明。
然后，通过对第二导电膜实施照相制版工序，将该第二导电膜图案化成规定的形状。从而如图8、图9所示，分别形成由该第二导电膜构成的源极配线3、漏极8和反射电极9。
在此，如上所述，漏极8和反射电极9是一体形成的。也就是说，漏极8和反射电极9是在同一层内连续地形成的。可知根据该结构，漏极8和反射电极9在同一层内电连接在一起。
而且，反射电极9如上所述，形成在与源极配线3为同一层内的反射区域S上。而且，源极配线3和反射电极9仅隔开规定的区域(距离)。
另外，上述第二导电膜的蚀刻可通过采用公知的蚀刻剂的湿式蚀刻法进行。
然后，在分断TFT形成部的漏极8和源极电极的部分区域34(参照图8、图9)上，采用蚀刻处理将电阻性接触膜7局部地除去。从而半导体能动膜6从区域34上露出。
在此，电阻性接触膜7的局部除去例如可在上述第二导电膜的照相制版工序中实施，可采用公知的气体组成(例如SF6和O2的混合气体，或者CF4和O2的混合气体等)干式蚀刻法进行。
而且，在第二导电膜为双层结构的情况下，在后述的接触孔11的形成区域35(参照图8、图9)上，将由AlCu膜构成的第二薄膜层32局部除去。从而在该区域35上形成接触区。另外，该第二薄膜层32的局部除去可通过以下的方法进行。
例如，在上述源极配线3、漏极8和反射电极9的图案化时实施的照相制版工序中，采用照相网目铜版曝光等曝光技术，将区域35的部分抗蚀剂精加工成比较薄。而且，在区域34上的电阻性接触膜7的干式蚀刻后，采用氧等离子处理等技术实施光致抗蚀剂的减膜处理。从而可将存在于区域35上的抗蚀剂局部除去。之后，通过将该光致抗蚀剂作为掩模实施湿式蚀刻处理，可在区域35上将由AlCu膜构成的第二薄膜层32局部除去。
这样一来，在区域35上，作为第二导电膜，仅残留有由铬膜构成的第一薄膜层31(参照图9)。
在此，对上述照相网目铜版曝光的工艺稍作说明。
在上述照相网目铜版曝光中，经由照相网目铜版掩模(例如使规定图案的铬上具有所希望的浓淡的掩模)对光致抗蚀剂进行曝光。而且，在采用该照相网目铜版掩模进行曝光时，调整曝光强度。从而可在显影出来的光致抗蚀剂上形成规定的开口部，并能够控制(减膜)规定部分上的精加工膜厚。
之后，使用上述光致抗蚀剂作为掩模，将从该光致抗蚀剂的开口部露出的部分(规定部分上的电阻性接触膜7或第二导电膜)除去。然后，采用氧等离子处理等，除去光致抗蚀剂的上述减膜部分。将除去了减膜部分的光致抗蚀剂作为掩模，如上所述实施第二薄膜层32的蚀刻处理。
通过采用以上的照相网目铜版曝光技术，在一次照相制版工序中，可进行源极配线3、漏极8和反射电极9的图案化，电阻性接触膜7的局部除去，并能够进行区域35上的第二薄膜层32的局部除去。
在第二导电膜是具有作为AlCu膜的第二薄膜层32和作为铬膜的第一薄膜层31的结构的情况下，如上所述，将区域35的第二薄膜层32局部除去是基于以下的理由。也就是说，为了经由后述的接触孔11，使与后述的透射电极12具有良好接触性(接触导电率)的第一薄膜层31(铬膜)露出。
在此，如果是成膜出表面具有氮化铝合金(AlCuN)等的薄膜作为第二导电膜，则在这种情况下，与实施叠层结构的第二导电膜相比，表面上的反射率稍稍降低。但是，该氮化铝合金可有与后述的透射电极12良好的接触性。因此，在成膜出表面上具有氮化铝合金(AlCuN)等的薄膜作为第二导电膜的情况下，无需对光致抗蚀剂进行上述的照相网目铜版曝光。
然后，在透明绝缘基板1上成膜出绝缘膜10，使其覆盖源极配线3、漏极8和反射电极9等(图9)。在此，该绝缘膜10的成膜例如可通过等离子CVD法等进行。
而且，作为绝缘膜10，与绝缘膜5同样，例如可采用SiNx膜、SiOy膜、SiOzNw膜中的某一种单层，或者包含这些膜的多层膜等。在这里，「x」、「y」、「z」、「w」是分别表示化学量论组成的正数。而且，绝缘膜10的膜厚最好是考虑了下层图案的覆盖范围后决定，例如，作为绝缘膜10，可采用膜厚为500nm左右的SiN膜。
在绝缘膜10成膜后，对该绝缘膜10实施照相制版工序，在区域35的绝缘膜10上形成接触孔11。在此，从该接触孔11的底部露出构成叠层结构的反射电极9的第一薄膜层31。而且，接触孔11的形成既可以通过采用公知的蚀刻剂的湿式蚀刻法进行，也可以通过采用公知的气体组成的干式蚀刻法进行。
然后，在形成了绝缘膜10等的透明绝缘基板1上，例如通过溅射法等成膜出透明导电膜。在此，作为透明导电膜，可采用ITO(IndiumTin Oxide)或SnO2等。另外，如果考虑到化学的稳定性，优选地是采用ITO作为透明导电膜。而且，ITO可采用结晶化ITO或非晶硅(a-ITO)中的某一种。但是，在采用a-ITO的情况下，在图案化后要以结晶化温度(例如180℃以上)进行加热，使该a-ITO结晶化。另外，作为透明导电膜，在采用该a-ITO的情况下，其膜厚为80nm左右。
然后，通过对透明导电膜实施照相制版工序，如图2、图3所示，将该透明导电膜图案化成规定的形状。具体地说，如图2、图3所示，形成规定形状的透射电极12和反射对比度降低防止电极13。在此，反射对比度降低防止电极13不与透射电极12等连接，是电浮置状态。
如图2所示，透射电极12形成在透射区域T上。而且，考虑到透明导电膜图案化时的偏离等，在透射区域T与反射区域S的边界附近，透射电极12形成为其一部分经由绝缘膜10与反射电极9重叠(俯视时)。
而且，在反射区域S上，如果透射电极12具有较大的与反射电极9重叠的区域，则该反射区域S上的反射率降低。因此，反射区域S上的透射电极12与反射电极9的重叠部分优选地限定在反射区域S与透射区域T的最边界附近。
而且，透射电极12填充在接触孔11内。也就是说，透射电极12经由接触孔11与反射电极9电连接在一起。因此，透射电极12与反射电极9基本上是同电位。
而且，反射对比度降低防止电极13形成在源极配线3和反射电极9之间的规定区域的上方，是防止该规定区域上的反射对比度降低的部件。而且，反射对比度降低防止电极13具有经由绝缘膜10在俯视时与反射电极9重叠的区域。
而且，反射对比度降低防止电极13如图2所示，是沿着源极配线3的配设方向延伸设置的。也就是说，反射对比度降低防止电极13与源极配线2基本上是平行的。
而且，反射对比度降低防止电极13从与透射电极12的边界一侧的反射电极9的端部附近配置到与形成在后述的对置基板上的黑色矩阵的边界(存在于TFT形成侧的黑色矩阵的边界)相对应的位置附近。
而且，反射对比度降低防止电极13具有经由绝缘膜5、10在俯视时与辅助电容电极4重叠的区域。
如上所述，反射对比度降低防止电极13是电浮置状态。但是，如上所述，反射对比度降低防止电极13具有经由绝缘膜10在俯视时与反射电极9重叠的区域。
因此，该反射对比度降低防止电极13基于在反射对比度降低防止电极13与反射电极9之间形成的电容，可起到防止存在于源极配线3和反射电极9之间的规定区域上的上述反射对比度降低的效果。
也就是说，可将电压外加在基于形成于反射电极9和反射对比度降低防止电极13之间的电容驱动的该反射对比度降低防止电极13与后述的对置基板之间。因此，可将电场外加在存在于上述规定区域的上方的液晶层上，能够防止该规定区域上的反射对比度降低。
另外，在本实施方式中，透射电极12和反射对比度降低防止电极13以相同的工序制成，是相同的透明导电膜。但是，如上所述，透射电极12和反射对比度降低防止电极13不电连接，该反射对比度降低防止电极13如上所述，是电浮置状态。
因此，透射电极12和反射对比度降低防止电极13可以是由其他的材料、通过其他的工序形成。但是，如上所述，通过由相同的材料(相同的透明导电膜)、相同的工序形成两部件12、13，可实现制造工序的简化。
然后，在单元化工序中，对到上述工序为止形成了各部分(反射电极9、透射电极12、反射对比度降低防止电极13等)的TFT阵列基板100涂敷取向膜。之后，对该TFT阵列基板100在一定方向上实施磨擦处理。
以下，对与TFT阵列基板100对置配设的对置基板(可把握与第二基板)的形成方法加以说明。另外，在该对置基板的形成方法中，省略了工序剖视图等。
首先，在透明绝缘基板(未图示，以后构成对置基板的各部分均未图示)上形成区分上述像素区域的黑色矩阵。而且，在由该黑色矩阵区分的区域(像素区域)上形成各滤色片。
而且，以覆盖该滤色片的方式形成保护膜，在该保护膜上形成对置透明电极。之后，对该形成了对置透明电极等的对置基板涂敷取向膜。之后，对该对置基板在一定方向上实施磨擦处理。
如果完成了形成有各部分的TFT阵列基板100和对置基板，则接着将该TFT阵列基板100和对置基板重合成取向膜相互对合。在此，该TFT阵列基板100和对置基板经由隔件(未图示)重合在一起。之后，通过密封部件将TFT阵列基板100和对置基板的周缘部接合在一起。在此，在TFT阵列基板100和对置基板之间封入液晶层。
在通过TFT阵列基板100和对置基板的上述重合而形成的液晶单元的两面上贴付偏光板。之后，通过将背照灯组件安装在背面上而完成本实施方式所涉及的半透射型液晶显示装置。
另外，在上述结构的半透射型液晶显示装置中，可在与TFT阵列基板100的反射区域S对置部分的对置基板上形成透明有机膜。这样一来，反射区域S上的液晶层的厚度比透射区域T上的液晶层的厚度薄。因此，可使反射区域S上的电气光学特性和透射区域上的电气光学特性基本上一致，可进行更好的显示。
如上所述，在本实施方式所涉及的半透射型液晶显示装置中，由上述规定区域上的反射对比度降低防止的观点而形成的反射对比度降低防止电极13不与透射电极12等连接，而是电浮置状态。
因此，如上所述，在导电性异物混入了反射对比度降低防止电极与对置电极之间的情况下，或者在制造阶段在对置电极上产生了变形的情况下，即使对置电极和反射对比度降低防止电极短路，也可以防止透射电极12和对置电极电短路(即能够防止面间短路)。
也就是说，即使在反射对比度降低防止电极13与对置电极之间产生了电短路，也可以使电场正常地外加在存在于相对应的像素区域的透射区域T上的液晶层上。因此，能够防止产生被称为亮点缺陷的非常明显的缺陷。换句话说，能够以高成品率制造本实施方式所涉及的半透射型液晶显示装置。
另外，反射对比度降低防止电极13如上所述，能够基于在反射对比度降低防止电极13和反射电极9之间形成的电容外加电压。因此，即使在存在于源极配线3和反射电极9之间的规定区域上，也能够将规定的电压外加在对置电极和反射对比度降低防止电极13上。因此，可正常地将电场外加在存在于该规定的区域上方的液晶层上，能够防止该规定区域上的反射对比度降低。
<实施方式2>
如上所述，基于在反射对比度降低防止电极13和反射电极9之间形成的电容，使规定的电压外加在该反射对比度降低防止电极13上。
另一方面，如上所述，实施方式1所涉及的半透射型液晶显示装置备有具有将电压保持规定时间的功能的辅助电容电极4。而且，如图3等所示，该辅助电容电极4具有经由绝缘膜5、10在俯视时与反射对比度降低防止电极13重叠的区域。也就是说，在辅助电容电极4和反射对比度降低防止电极13之间也形成了电容。
因此，外加在反射对比度降低防止电极13上的电压值依据在反射电极9与反射对比度降低防止电极13之间形成的电容C1，和在辅助电容电极4与反射对比度降低防止电极13之间形成的电容C2构成的电容比(C1/C2)变动。而且，该电压值的变动是作为存在于源极配线3和反射电极9之间的规定区域上方的液晶层中反射对比度的变动而出现的。也就是说，反射对比度降低防止电极13所起到的反射对比度降低的效果与上述电容比(C1/C2)的变动相对应地变动。
图10是模拟上述电容C1和上述电容C2的电容比(C1/C2)与反射对比度降的关联性的结果。在此，图10中纵轴是反射对比度(arb.unit)，横轴是电容比C1/C2。反射对比度的纵轴的值越大，则获得越良好的反射对比度。
首先，着眼于电容比C1/C2的值小于「5」的情况。这样一来，从图10可知，随着电容比C1/C2的值的减小(例如随着电容C1的减小)，反射对比度效果急剧减小(劣化)。
然后，着眼于电容比C1/C2的值为「5」以上的情况。这样一来，从图10可知，即使电容比C1/C2的值稍有变动，也能够维持良好的反射对比度效果。
在此，电容比C1/C2由下式给出。
C1/C2＝S1/S2×{(ε1·d2+ε2·d1)/ε1d1}    (1)
在(1)式中，ε1是绝缘膜5的介电常数。ε2是绝缘膜10的介电常数。d1是绝缘膜5的膜厚。d2是绝缘膜10的膜厚。而且，S1是反射对比度降低防止电极13和反射电极9重叠的面积。S2是反射对比度降低防止电极13和辅助电容电极4重叠的面积。
如上所述，为了即使电容比C1/C2稍有变动，也几乎不受该变动的影响，能够维持良好的反射对比度效果，优选地是电容比C1/C2的值较大(如上所述，优选地是C1/C2≥5)。因此，在本实施方式所涉及的半透射型液晶显示装置中，设计成上述电容比C1/C2是5以上。
例如，在采用膜厚为400nm的SiN膜作为绝缘膜5，采用膜厚为500nm的SiN膜作为绝缘膜10，按所希望的值固定上述面积S2的情况下，将上述面积S1的值扩大(调整)成电容比C1/C2为5以上。
如上所述，为了增大该电容比C1/C2的值，根据(1)式可知，例如增大反射对比度降低防止电极13和反射电极9的重叠面积S1即可。
另外，在设计本实施方式所涉及的半透射型液晶显示装置的情况下，优选地是留意以下的事项。
为了增大面积S1而扩大反射电极9上方的反射对比度降低防止电极13的面积。但是，在这种情况下，因存在于液晶层内的导电性异物等产生反射对比度降低防止电极13和对置电极之间的短路的发生率上升。
即使发生了该短路，如上所述，电压也正常地外加在透射电极12上。因此，在该像素上不产生背照灯的光穿过的亮点缺陷。但是，在发生了该短路的情况下，则所希望的电压不能够外加在反射对比度降低防止电极13上。因此，在通过反射光观测该反射对比度降低防止电极13的形成区域的情况下，该区域是作为白点显示(辨认)的。
这样，在过度地扩大了反射电极9上方的反射对比度降低防止电极13的面积的情况下，反射对比度降低防止电极13和对置电极的短路发生率上升，上述白点也容易被观测到。因此，优选地是在扩大反射电极9上方的反射对比度降低防止电极13的面积上设置某种程度的限制。
发明者认识到，在采用膜厚为400nm的SiN膜作为绝缘膜5，采用膜厚为500nm的SiN膜作为绝缘膜10，以所希望的值固定上述面积S2的情况下，可通过调整上述面积S1维持良好的反射对比度效果，使电容比C1/C2的值为「7」，并且能够使上述白点的发生率也减少。
如上所述，在本实施方式所涉及的半透射型液晶显示装置中，构成为满足上述电容比C1/C2为5以上的关系。因此，能够维持反射对比度降低防止电极13产生的稳定、良好的反射对比度效果。
<实施方式3>
图11是表示本实施方式所涉及的半透射型液晶显示装置结构的俯视图。本实施方式所涉及的TFT阵列基板150是与实施方式1所涉及的TFT阵列基板100基本上相同的结构。但是，在以下方面，两TFT阵列基板100、150是不同的。
以下，仅述及不同的结构，对于共通的结构，在此省略其说明。另外，在本实施方式中，构成半透射型液晶显示装置的TFT阵列基板150之外的结构与实施方式1相同。
着眼于一个像素区域的反射区域S。这样一来，如图11所示，在本实施方式所涉及的TFT阵列基板150上，进而形成有连接电极40。在此，连接电极40是将配设在反射区域S上的反射对比度降低防止电极13A、13B彼此电连接在一起的部件。另外，反射对比度降低防止电极13A、13B分别形成在反射电极9上与源极配线3对置的两端侧上。以下，对其结构稍加说明。
着眼于一像素区域的反射区域S，则如图11所示，一个反射对比度降低防止电极13A配设在存在于反射电极9的一端侧的源极配线3和该反射电极9之间的规定区域上方。而且，另一个反射对比度降低防止电极13B配设在存在于反射电极9的另一端侧的源极配线3和该反射电极9之间的规定区域上方。
在此，反射电极9的另一端侧是与反射电极9的一端侧对置的一侧。而且，反射对比度降低防止电极13A和反射对比度降低防止电极13B形成在同一层内。
另外，在本实施方式所涉及的TFT阵列基板150中，如图11所示，进而配设有电连接反射对比度降低防止电极13A和反射对比度降低防止电极13B的连接电极40。在此，连接电极40的宽度例如是5μm左右，该连接电极40形成在TFT的形成区域附近。
另外，连接电极40的形状或形成位置无需特别限定(例如，无需上述那样限定连接电极的宽度等)。但是，为了维持反射对比度降低防止电极13A、13B的电浮置状态，连接电极40不与透射电极12等连接。
如上所述，本实施方式所涉及的TFT阵列基板150由于备有连接电极40，所以具有以下所示的效果。
也就是说，反射对比度降低防止电极13A、13B在源极配线3附近配设成俯视时与该源极配线3平行。因此，反射对比度降低防止电极13A、13B容易受到来自源极配线3的耦合噪音的影响。这样，当反射对比度降低防止电极13A、13B受到耦合噪音的的影响时，产生在反射区域S上识别出交调失真的问题。
但是，在本实施方式所涉及的TFT阵列基板150上配设有上述结构的连接电极40。具体地说，例如，在采用使极性按每行和每列翻转的点式翻转驱动方式、或者使极性按每列翻转的列式翻转驱动方式的半透射型液晶显示装置上适用本实施方式。在此，通过该各种方式，左右的源极配线3为相反的相位，极性翻转。
因此，通过配设上述连接电极40，能够消除反射对比度降低防止电极13A、13B承受的、来自源极配线3的耦合噪音。因此，能够抑制反射区域上的交调失真现象。
另外，如上所述，连接电极40的形状或配置位置只要是能够维持反射对比度降低防止电极13A、13B的浮置状态即可，没有特别的限定。而且，反射对比度降低防止电极13A、13B和连接电极4D的材质也是只要是具有导电性的材质即可。而且，在图11中，连接电极40是沿着与栅极配线2大致平行的方向配设的。但是，无需限定成该配设方向，只要是连接电极40在与源极配线3相交叉的方向配设即可。
但是，通过用与反射对比度降低防止电极13A、13B相同的材质形成连接电极40(即一体地形成连接电极40和反射对比度降低防止电极13A、13B)，能够在与反射对比度降低防止电极13A、13B相同的工序中也形成该连接电极40。在这种情况下，如上所述，连接电极40与反射对比度降低防止电极13A、13B是一体的。
<实施方式4>
图12是表示本实施方式所涉及的半透射型液晶显示装置结构的俯视图。本实施方式所涉及的TFT阵列基板200是与实施方式1所涉及的TFT阵列基板100基本上相同的结构。但是，在以下方面，两TFT阵列基板100、200是不同的。以下，仅述及不同的结构，对于共通的结构，在此省略其说明。
另外，在本实施方式中，构成半透射型液晶显示装置的TFT阵列基板200之外的结构与实施方式1相同。
着眼于一个像素区域的反射区域S。这样一来，反射对比度降低防止电极45从反射电极9上与源极配线3A对置的一个端侧形成到与源极配线3B对置的另一端侧。也就是说，如图12所示，在本实施方式所涉及的TFT阵列基板200上，反射对比度降低防止电极45从反射电极9的一个端侧形成到与该一个端侧对置的反射电极9的另一端侧。而且，反射电极降低防止电极45形成为俯视时覆盖反射电极9。
着眼于一像素区域的反射区域S，则如图12所示，反射对比度降低防止电极45是俯视时备有第一端边至第四端边的大致矩形。
反射对比度降低防止电极45的第一端边45a附近的区域配设在存在于源极配线3A和该反射电极9之间的规定区域上方。而且，该反射对比度降低防止电极45的第二端边45b附近的区域配设在存在于源极配线3B和该反射电极9之间的规定区域的上方。
而且，该反射对比度降低防止电极45的第三端边45c配设在反射电极9和透射电极12的边界附近。而且，该反射对比度降低防止电极45的第四端边45d配设在TFT形成区域附近。
另外，如在实施方式1中所说明的，反射对比度降低防止电极45是电浮置状态。
如上所述，本实施方式所涉及的TFT阵列基板200备有上述结构的反射对比度降低防止电极45。因此，如在实施方式3中所说明的，能够抑制反射区域S上的交调失真现象。
另外，上述各实施方式所涉及的半透射型液晶显示装置例如能够适用于显示图像或文字的办公仪器等有源矩阵方式的液晶显示装置。

Claims (6)

1.一种半透射型液晶显示装置，其特征是，包括：第一基板；第二基板，与上述第一基板对置配设；液晶层，封入在上述第一基板和上述第二基板之间；
上述第一基板包括：多个栅极配线，形成在上述第一基板上；多个源极配线，形成在上述第一基板上，俯视时与上述栅极配线相交叉；反射电极，在与上述源极配线同一层中的、作为由上述栅极配线和上述源极配线区分的单位像素区域的一部分的反射区域上，与上述源极配线仅隔开规定的区域形成；反射对比度降低防止电极，形成在上述规定的区域上的上述反射电极的上层，具有经由第一绝缘膜在俯视时与上述反射电极重叠的区域；
上述反射对比度降低防止电极为电浮置状态。
2.如权利要求1所述的半透射型液晶显示装置，其特征是，上述反射对比度降低防止电极是沿着上述源极配线的配设方向延伸设置的。
3.如权利要求2所述的半透射型液晶显示装置，其特征是，还备有辅助电容电极，所述辅助电容电极具有将电压保持规定期间的功能，并具有经由第二绝缘膜在俯视时与上述反射对比度降低防止电极重叠的区域，
在将上述反射电极和上述反射对比度降低防止电极之间形成的电容作为C1，将上述辅助电容电极和上述反射对比度降低防止电极之间形成的电容作为C2的情况下，满足C1/C2≥5的关系。
4.如权利要求2所述的半透射型液晶显示装置，其特征是，上述反射对比度降低防止电极分别在上述反射区域上形成在上述反射电极的与上述源极配线对置的两端侧上，
上述反射对比度降低防止电极分别经由在与上述源极配线相交叉的方向上配设的连接电极电连接在一起。
5.如权利要求4所述的半透射型液晶显示装置，其特征是，上述连接电极是与上述反射对比度降低防止电极一体形成的。
6.如权利要求1所述的半透射型液晶显示装置，其特征是，上述反射对比度降低防止电极在上述反射区域上从上述反射电极的与上述源极配线对置的一个端侧形成到与上述源极配线对置的另一端侧，俯视时覆盖上述反射电极。
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