CN1652005A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种可以容易地进行辅助电容电极导致的短路缺陷的显示不良的修正的显示装置及其制作方法(缺陷修正方法)。在设置有供给显示用信号的源极线(2)、显示用的像素电极(8)、以及切换源极线(2)与像素电极(8)的电气连接的TFT(5)的显示装置中，TFT(5)包括电连接于源极线(2)的源极(4b)、电连接于像素电极(8)的漏极(4c)、以及控制源极(4b)和漏极(4c)间的电气连接的栅极(1a)，在漏极(4c)上，连接着第1辅助电容电极(4d)和第2辅助电容电极(4e)，漏极(4c)与这些辅助电容电极(4d和4e)的各个的连接部由半导体来形成。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置及其制造方法，特别是涉及液晶显示装置的缺陷像素的缺陷修正方法。
背景技术
液晶显示装置具有薄型且低耗电量的特征，在个人计算机、便携式电话中被广泛利用。特别是，在每个作为图像的最小单位的像素中设置有薄膜晶体管(以下简称为TFT)等开关元件的有源矩阵驱动型的液晶显示装置，由于可以可靠地点亮各个像素，所以能够进行精细的动画显示。
该液晶显示装置由多个像素电极配置成矩阵状的有源矩阵基板，与该有源矩阵基板对置设置、具有共用电极的对置基板，以及夹在这两个基板间的液晶层来构成。
图14是一般的构成液晶显示装置的有源矩阵基板60的平面示意图。
在该有源矩阵基板60中，在绝缘基板上多个栅极线1与多个源极线2相互正交地配置。而且，在该栅极线1与源极线2的各交叉部设有TFT 5，在各栅极线1之间与栅极线1平行地设有电容线3。进而，像素电极8对应于各TFT 5设于一对栅极线1和源极线2所包围的显示区域。
TFT 5由作为栅极线1的突出部的栅极G、作为源极线2的突出部的源极S、以及与源极S对置设置的漏极D来构成。
漏极D延伸设置形成连接配线16和辅助电容电极15，通过接触孔15a连接于像素电极8。此外，辅助电容电极15隔着绝缘膜与电容线3重叠而构成辅助电容。
在该液晶显示装置中，在显示图像之际，从规定的栅极线1送出栅极信号，使连接于该栅极线1的TFT 5成为导通状态，同时，从源极线2送出源极信号，通过源极S和漏极D，把规定的电荷写入像素电极8，借此在像素电极8与对置基板的共用电极之间产生电位差，规定的电压施加于由液晶电容和上述辅助电容所构成的像素电容，该液晶电容由液晶层组成。而且，靠该施加电压改变构成液晶层的液晶分子的取向状态，借此调整从外部入射的光的透过率来显示图像。
可是，在这种构成的液晶显示装置中，有必要在像素电容中把在TFT导通状态期间所施加的电压保持一定时间。如果按液晶电容构成该像素电容，则施加电压因液晶或TFT的泄漏电流而降低从而使保持动作不充分，或往往受到寄生电容的影响。因此，为了抑制像素电容的施加电压的降低，一般是增加液晶电容，与液晶电容电气上并列地设置辅助电容。
该辅助电容可以通过加大各显示区域中的电容线3和辅助电容电极15的占有面积，或减薄电容线3和辅助电容电极15间的绝缘膜，来提高其电容。而且，通过该电容提高，可以提高像素电容的保持特性，提高液晶显示装置的显示品质。
但是，为了提高该辅助电容的电容，通过加大电容线3和辅助电容电极15的面积，减薄它们之间的绝缘膜，会容易受到在液晶显示装置的制造过程中有可能附着于基板表面的颗粒(颗粒状污染物)、灰尘等的影响，存在着在电容线3与辅助电容电极15之间发生短路的危险。这样一来，电容线3的电位直接加到像素电极8等，像素显示不良，也就是，成为缺陷像素的可能性提高。
含有这种问题的液晶显示装置，在点亮检查中，例如，作为点状或线状的缺陷被检测。通常，虽然允许液晶显示装置中一定数量以下的点状的缺陷，但是如果缺陷数量多则该液晶显示装置就成了次品。
因此，迄今提出了修正这种点状的缺陷像素的技术，在液晶显示装置的制造中被实用化。
例如，专利文献1公开了虽然是在电容线与像素电极之间所构成的辅助电容的例子，但是在电容线上预先与其延伸方向正交地设置多个突出部，在该多个突出部的某一个与像素电极之间发生短路的情况下，对对应于该短路发生部位的突出部的根部(连接部)进行激光照射，以切断该连接部而可修正缺陷的方式构成的有源矩阵基板。
此外，专利文献2是在电容线与辅助电容电极之间所构成的辅助电容的例子，公开了把辅助电容电极预先分割成多个区域，并且用缺陷修正容易的形状的连接部连接该各区域，在该各辅助电容电极的多个区域的某一个与电容线之间发生短路的情况下，对对应于该短路发生部位的连接部进行激光照射，切断该连接部而可修正缺陷地构成的液晶显示装置。
【专利文献1】特开平2-108028号公报
【专利文献2】特开2001-330850号公报
在上述专利文献1和2中，在该辅助电容电极中发生短路的情况下，分别对构成电容线的金属薄膜，和作为与漏极同一材料的构成辅助电容电极的金属薄膜进行激光照射而切断连接部。
但是，构成该连接部的金属薄膜，为了形成良好的导电性的配线和电极，有必要加厚其膜厚，其切断也因膜厚而不容易，存在着由该切断而损伤像素电极或对置基板的共用电极等的危险。进而，在配线或TFT的微细化日益进步的液晶显示装置中，存在着通过切断该连接部的金属薄膜，反而损伤其周边的配线图形的危险。
发明内容
本发明是鉴于这一点而作成的，其目的在于提供一种可以容易地进行辅助电容电极的短路缺陷导致的显示不良的修正的显示装置及其制造方法(缺陷修正方法)。
本发明的显示装置，其特征在于，设置有供给显示用信号的源极线、显示用的像素电极、以及切换该源极线与该像素电极的电气连接的开关元件，上述开关元件包括电连接于上述源极线的源极、电连接于上述像素电极的漏极、以及控制该源极和该漏极间的电气连接的栅极，在上述漏极上连接着多个辅助电容电极，该漏极与该多个辅助电容电极的各个的连接部由半导体来形成。
根据上述构成，开关元件的漏极与多个辅助电容电极的各个的连接部由半导体来形成。因此，如果切断由半导体所形成的连接部，就可以比现有技术那样切断由金属薄膜所形成的连接部的情况更容易地进行切断。借此，可以容易地进行因辅助电容电极的短路缺陷导致的显示不良的修正。进而，为了能够容易地进行显示不良的修正，例如，可以把为了切断而照射的激光的强度抑制得很低，因此，可以降低激光的照射部位附近的配线图形的损伤。
还具有电连接于上述漏极的引出电极，上述连接部形成为比上述引出电极要薄。
根据上述构成，则由于由半导体所形成的连接部比引出电极要薄地形成，所以可以容易地切断连接部。借此，可以容易地进行辅助电容电极的短路缺陷导致的显示不良的修正。进而，因为容易地显示不良的修正成为可能，故，例如由于可以把为了切断而照射的激光的强度抑制得很低，所以可以降低激光的照射部位附近的配线图形的损伤。
上述漏极、上述多个辅助电容电极、以及该漏极与该多个辅助电容电极的各个的连接部可形成在同一半导体膜上。
根据上述构成，则由于上述漏极、上述多个辅助电容电极、以及该漏极与该多个辅助电容电极的各个的连接部由同一半导体膜来形成，所以可以与漏极和多个辅助电容电极同时形成各个连接部。借此，可以不增加工序而形成这些连接部，在显示装置的制造过程中，可以简化工序。
上述开关元件也可以设在绝缘基板上，上述连接部设在比上述栅极更靠近上述绝缘基板侧。
根据上述构成，漏极与多个辅助电容电极的各个的连接部位于比栅极更靠近上述绝缘基板侧。因此，通过从绝缘基板侧对连接部进行激光照射，可以不损伤激光照射部位附近的其他配线图形，可以容易地切断连接部。
上述连接部和上述像素电极也可以形成于相互不同的层，在上述连接部与上述像素电极之间，以与该连接部重叠的方式设置保护层。
根据上述构成，以与该连接部重叠的方式设置保护层。因此，在从绝缘基板侧对连接部进行激光照射之际，给予像素电极的伤害靠保护层降低。此外，由于在除了激光照射靶子的连接部外，有误照射危险的区域设有保护层，所以即使假如激光照射于连接部以外，该激光也被保护层遮断，损伤周边的构件的情况减少。借此，可以不损伤激光照射部位附近的其他构件而容易地切断连接部。
上述保护层由构成上述源极线或上述栅极的材料来形成也可以。
根据上述构成，可以不另外追加工序而在连接部与像素电极之间形成保护层。
上述连接部由连接于上述漏极的第1连接部、和从该第1连接部分支而连接于上述各辅助电容电极的第2连接部来构成也可以。
根据上述构成，例如，在一个像素电极内的所有的辅助电容电极中发生短路缺陷，有必要解除与对应于这些辅助电容电极的漏极之间的所有的电气连接的情况下，由于并不完全切断连接漏极与辅助电容电极的各第2连接部，仅切断作为第2连接部的分支基端的第1连接部就可以了，所以切断用的激光引起的照射部位附近的配线图形的损伤降低。此外，因为激光引起的切断仅为一次，故缺陷修正所需的工序可以消减。
本发明的显示装置，其特征在于，设置有供给显示用信号的源极线、显示用的像素电极、以及切换该源极线与该像素电极的电气连接的开关元件，上述开关元件具有电连接于上述源极线的源极、电连接于上述像素电极的漏极、以及控制该源极和该漏极间的电气连接的栅极，在上述漏极上连接着多个辅助电容电极，该漏极与该多个辅助电容电极的各个的连接部由半导体来形成，该连接部的某一个被切断。
根据上述构成，则由于漏极与多个辅助电容电极的各个的连接部的某一个被切断，所以该辅助电容电极与与之对应的漏极之间解除电气连接，修正显示装置的辅助电容电极的短路缺陷导致的显示不良。而且，由于通过连接部未被切断的其他辅助电容电极构成辅助电容，由此，还抑制像素电极构成的像素电容的降低，所以所修正的显示装置接近正常的显示是可能的。
本发明的显示装置，其特征在于，设置有供给显示用信号的源极线、显示用的像素电极、以及切换该源极线与该像素电极的电气连接的开关元件，上述开关元件包括电连接于上述源极线的源极、电连接于上述像素电极的漏极、以及控制该源极和该漏极间的电气连接的栅极，在上述漏极上连接着多个辅助电容电极，该漏极与该多个辅助电容电极的各个的连接部由半导体来形成，上述连接部由电连接于上述漏极的第1连接部、和从该第1连接部分支而电连接于上述各辅助电容电极的第2连接部来构成，设置多个由上述像素电极所规定的像素，上述像素的某一个，是上述多个辅助电容电极的短路缺陷导致的缺陷像素，在该缺陷像素中，上述第1连接部被切断。
根据上述构成，则由于在多个辅助电容电极的短路缺陷导致的缺陷像素中，切断漏极与多个辅助电容电极之间的第1连接部，所以解除辅助电容电极与与之对应的漏极之间的全部电气连接，修正辅助电容电极的短路缺陷导致的显示不良。因此，在一个像素内全部辅助电容电极处发生短路缺陷，有必要解除这些辅助电容电极与与之对应的漏极之间的全部电气连接的情况下，通过仅切断对应的第1连接部可修正为接近正常的显示状态。
本发明的显示装置的制造方法，该显示装置设置有供给显示用信号的源极线、显示用的像素电极、以及切换该源极线与该像素电极的电气连接的开关元件，上述开关元件包括电连接于上述源极线的源极、电连接于上述像素电极的漏极，以及控制该源极和该漏极间的电气连接的栅极，在上述漏极上连接着多个辅助电容电极，该漏极与该多个辅助电容电极的各个的连接部由半导体来形成，该制造方法包括从多个辅助电容电极之中检测发生了短路缺陷的辅助电容电极的缺陷检测工序，和切断在上述缺陷检测工序中检测出的辅助电容电极与漏极的连接部的缺陷修正工序。
根据上述方法，则从多个辅助电容电极之中检测出发生短路缺陷的辅助电容电极，切断该辅助电容电极与漏极之间的连接部，借此解除发生短路缺陷的辅助电容电极与漏极之间的电气连接，可以修正显示装置的辅助电容电极的短路缺陷导致的显示不良。而且，由于通过在未切断连接部的其他辅助电容电极处构成辅助电容，还可以抑制像素电极构成的像素电容的降低，所以所修正的显示装置可接近正常的显示。进而，由于可以把具有发生短路缺陷的辅助电容电极的显示装置修正成能够接近正常的显示的状态，所以可以提高显示装置的成品率。
发明的效果
由于本发明的显示装置开关元件的漏极与多个辅助电容电极的各个的连接部由半导体来形成，所以如果切断由半导体所形成的连接部，则与现有技术那样切断由金属薄膜所形成的连接部的情况相比可更容易地切断。借此，可以容易地修正辅助电容电极的短路缺陷导致的显示不良。
附图说明
图1是根据本发明的第1实施方式的液晶显示装置50的剖视示意图。
图2是根据本发明的第1实施方式的有源矩阵基板20a的俯视示意图。
图3是根据本发明的第1实施方式的有源矩阵基板20a(缺陷修正前)的剖视示意图，对应于图2中的截面III-III。
图4是根据本发明的第1实施方式的有源矩阵基板20a′(缺陷修正后)的剖视示意图，对应于图3的剖视示意图。
图5是根据本发明的第2实施方式的有源矩阵基板20b的平面示意图。
图6是根据本发明的第2实施方式的有源矩阵基板20b(缺陷修正前)的剖视示意图，对应于图5中的截面VI-VI。
图7是根据本发明的第2实施方式的有源矩阵基板20b′(缺陷修正后)的剖视示意图，对应于图6的剖视示意图。
图8是根据本发明的第3实施方式的有源矩阵基板20c的平面示意图。
图9是根据本发明的第3实施方式的有源矩阵基板20c(缺陷修正前)的剖视示意图，对应于图8中的截面IX-IX。
图10是根据本发明的第3实施方式的有源矩阵基板20c′(缺陷修正后)的剖视示意图，对应于图9的剖视示意图。
图11是根据本发明的第4实施方式的有源矩阵基板20d的平面示意图。
图12是根据本发明的第4实施方式的有源矩阵基板20d(缺陷修正前)的剖视示意图，对应于图11中的截面XII-XII。
图13是根据本发明的第4实施方式的有源矩阵基板20d′(缺陷修正后)的剖视示意图，对应于图12的剖视示意图。
图14是构成现有的液晶显示装置的有源矩阵基板60的平面示意图。
标号说明：1栅极线，1a栅极，2源极线，2a源极引出电极，2b、6a、6b、15a接触孔，3电容线，4半导体膜，4a沟道区域，4b源极，4c漏极，4d第1辅助电容电极，4e第2辅助电容电极，5TFT，6漏极引出电极，6c保护层，8像素电极，9反射电极，10玻璃基板，11基底包覆膜，12栅极绝缘膜，13层间绝缘膜，14树脂层，15辅助电容电极，16连接配线，17取向膜，18共用电极，19彩色滤光层，20a、20b、20c、20d、60有源矩阵基板，30对置基板，40液晶层，50液晶显示装置。
具体实施方式
下面，基于附图详细说明本发明的实施方式。在以下的实施方式中，以使用TFT作为开关元件的液晶显示装置为例进行说明。
但是，本发明不限定于以下的实施方式，也可以是其他构成。
第1实施方式
以下，就根据本发明的第1实施方式的液晶显示装置50进行说明。
图1是液晶显示装置50的剖视示意图，图2是构成液晶显示装置50的有源矩阵基板20a的平面示意图，图3是图2中的截面III-III处的剖视示意图。
液晶显示装置50设置有有源矩阵基板20a，与其对置设置的对置基板30，以及夹在两个基板20a和30之间地设置的液晶层40。
在有源矩阵基板20a上，多个栅极线1相互平行地延伸地，多个源极线2在正交于该各栅极线1的方向上相互平行地延伸地分别设置。而且，TFT 5设在各栅极线1与源极线2的各交叉部，电容线3与栅极线1平行地延伸地设在个栅极线1之间。此外，由在一对电容线3与一对源极线2所围成的显示区域上对应于各TFT 5a设有构成像素的像素电极8。
此外，有源矩阵基板20a成为在绝缘基板10上依次叠层基底包覆膜11、栅极绝缘膜12、层间绝缘膜13和树脂层14的多层叠层结构。
在基底包覆膜11与栅极绝缘膜12的层间，设有沟道区域4a、源极4b、漏极4c、第1辅助电容电极4d、和第2辅助电容电极4e。
在栅极绝缘膜12与层间绝缘膜13的层间设有栅极线1、作为栅极线1的突出部的栅极1a、和电容线3。
在层间绝缘膜13与树脂层14的层间设有作为通过接触孔2b连接于源极4b的源极线2的一部分的源极引出电极2a、和通过接触孔6a连接于漏极4c的漏极引出电极6。
在树脂层14之上，设有通过接触孔6b连接的像素电极8，在像素电极8之上，设有取向膜17。
TFT 5有两个栅极1a，成为在一个TFT上有多个栅极的多栅极型TFT的构成。借此，实现导通电流的降低，而且，即使构成TFT的某个晶体管部(栅极)处始终产生导通状态，只要另一方的晶体管部(栅极)正常，仍然可以避免该多栅极型TFT本身的致命的特性缺陷。
由第1辅助电容电极4d和第2辅助电容电极4e组成的辅助电容电极，隔着栅极绝缘膜12与电容线3重合，构成辅助电容。
此外，由于第1辅助电容电极4d和第2辅助电容电极4e分别延伸设置半导体膜4的漏极4c而形成，所以由与半导体膜4同一材料来形成，电连接于该漏极4c。
因此，就成了漏极4c、第1辅助电容电极4d和第2辅助电容电极4e，以及漏极4c与辅助电容电极4d和4e的各个的连接部由半导体膜4来形成，可以与漏极4c和多个辅助电容电极同时形成第1辅助电容电极4d和第2辅助电容电极4e的各个与漏极4c的连接部。借此，可以不增加工序，而形成这些连接部，在液晶显示装置的制造过程中，可以简化工序。
进而，也可以由除了半导体膜以外的导电性薄膜形成第1辅助电容电极4d和第2辅助电容电极4e，仅由半导体膜形成这些各辅助电容电极4d和4e与漏极4c的连接部。此外，虽然在本实施方式中举例表示了由两个辅助电容电极4d和4e来构成的辅助电容电极，但是也可以是由三个以上的辅助电容电极来构成的辅助电容电极。
对置基板30成为在绝缘基板10上依次叠层彩色滤光层19、上包敷层(未画出)、共用电极18和取向膜17的多层叠层结构。
在彩色滤光层19上对应于各像素设有红色、绿色和蓝色当中的一色的着色层，在各着色层之间作为遮光膜设有黑色矩阵。
液晶层40由具有电气光学特性的向列液晶材料来构成。
该液晶显示装置50每个像素电极8上构成一个像素，构成为在各像素中，在栅极信号从栅极线1送出而TFT 5成为导通状态时，源极信号从源极线2送出经由源极4b和漏极4c把规定的电荷写入像素电极8、各辅助电容电极4d和4e，在像素电极8、各辅助电容电极4d和4e与共用电极18之间产生电位差，规定的电压施加于液晶层40构成的液晶电容、电容线3与各辅助电容电极4d和4e之间的辅助电容。而且，在液晶显示装置50中，利用根据该施加电压的大小改变液晶分子的取向状态的情况，调整从外部入射的光的透过率，借此显示图像。
接下来，就根据本实施方式的液晶显示装置50的制造方法进行说明。
<有源矩阵基板制造工序>
以下，用图2的平面示意图，和图3的剖视示意图就有源矩阵基板的制作进行说明。
首先，在玻璃基板10上的基板全体上，通过等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)法，成膜SiON膜(厚度100nm左右)而形成基底包覆膜11。
接着，在基底包覆膜11的基板全体上，用乙硅烷(Si2H6)作为原料气体通过等离子体CVD法，成膜无定形硅膜(厚度50nm左右)后，进行加热处理，进行结晶化(变成多晶硅膜)。然后，通过光刻技术(PhotoEngraving Process(光刻加工)，以下称为‘PEP技术’)进行图形形成而形成半导体膜4。
接着，在半导体膜4所形成的基底包覆膜11上的基板全体上，通过等离子体CVD法，成膜SiON膜(厚度115nm左右)而形成栅极绝缘膜12。
接着，在栅极绝缘膜12上的基板全体上，依次成膜氮化钽膜(厚度50nm左右)和钨膜(厚度370nm左右)，然后，通过PEP技术，进行图形形成而形成栅极线1、栅极1a和电容线3。再者，也可以代替氮化钽膜和钨膜的叠层膜，用从钽、钨、钛、钼、铝、铜中所选择的金属元素的单体材料或以该金属元素为主要成分的合金材料或化合物材料。
接着，以栅极1a为掩模，通过栅极绝缘膜12把磷掺杂于半导体膜4，在对应于栅极1a的部分上形成沟道区域4a、在其外侧形成源极4b和漏极4c(第1辅助电容电极4d和第2辅助电容电极4e)。然后，进行加热处理，进行掺杂的磷的活性化处理。再者，如果作为掺杂物元素掺杂磷，则形成N沟道型的TFT，如果掺杂硼，则形成P沟道型的TFT。
接着，在形成了栅极线1、栅极1a和电容线3的栅极绝缘膜12上的基板全体上，通过CVD法，成膜氮化硅膜与氧化硅膜的叠层膜(厚度950nm左右)而形成层间绝缘膜13。
接着，蚀刻去除栅极绝缘膜12和层间绝缘膜13的叠层膜的对应于源极4b和漏极4c的部分，形成接触孔6a和接触孔2b。
接着，在层间绝缘膜13的基板全体上，通过溅射法，依次成膜钛膜(厚度100nm左右)、铝膜(厚度500nm左右)和钛膜(厚度100nm左右)，然后，通过PEP技术，进行图形形成，形成源极引出电极2a、源极线2和漏极引出电极6。
接着，进行加热处理，进行半导体膜4的氢化，将其不饱和键(悬空键)终端化。
接着，在形成了源极引出电极2a、源极线2和漏极引出电极6的层间绝缘膜13上的基板全体上，涂布膜厚1.6μm左右丙烯酸树脂等有机绝缘材料，形成树脂层14。
接着，进行蚀刻去除树脂层14的对应于漏极引出电极6的部分，形成接触孔6b。
接着，在树脂层14上的基板全体上，通过溅射法，以100nm左右厚度成膜ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)膜后，通过PEP技术进行图形形成而形成像素电极8。
像以上这样，可以制作构成本发明的有源矩阵基板20a。进而，在此之后，通过印刷法，成膜聚酰亚胺类树脂的薄膜后，通过摩擦法，对其表面施行取向处理形成取向膜17。
<对置基板制造工序>
下面，就对置基板的制作进行说明。
首先，在玻璃基板10上的基板全体上，以厚度100nm左右对铬薄膜进行成膜后，通过PEP技术进行图形形成而形成黑色矩阵。
接着，在黑色矩阵间的各个上，以2μm左右的厚度，进行图形形成红色、绿色和蓝色的某种颜色的着色层而形成彩色滤光层19。
接着，在彩色滤光层19上的基板全体上，以1μm左右的厚度涂布丙烯酸树脂形成上包敷层。
接着，在上包敷层上的基板全体上，以厚度100nm左右成膜ITO膜而形成共用电极18。
接着，通过印刷法，成膜聚酰亚胺类树脂的薄膜后，通过摩擦法，在其表面上施行取向处理而形成取向膜17。
像以上这样，可以制作构成本发明的对置基板30。
<液晶显示装置制造工序>
在有源矩阵基板20a上通过印刷法，形成由热固性树脂组成的密封部后，在其取向膜侧散布球状隔离件，粘贴对置基板30。然后，通过减压法把液晶材料注入并封固于两个基板20a和30间，形成液晶层40。
像以上这样，可以制造本发明的液晶显示装置50。
通常，在液晶显示装置50中，像素电极8由TFT 5来驱动，如果TFT 5和辅助电容正常地发挥功能，规定的电位被施加并在像素电极和辅助电容上被保持，则如前所述成为根据规定的电位的透过率而不发生显示上的问题。但是，如果在辅助电容电极4d或4e与电容线3之间发生短路，则电容线3的电位经由该短路部分和辅助电容电极4d或4e施加于像素电极8而无法保持规定的电位，不再是根据规定的电位的透过率。因此，在检查工序中与之对应的像素作为缺陷像素显现，成为显示不良。
接下来，就该液晶显示装置50中的缺陷修正方法进行说明。
图4是对应于图3的剖视示意图，构成缺陷修正后的液晶显示装置的有源矩阵基板20a′的剖视示意图。
<缺陷检测工序>
例如，在栅极线1上输入偏置电压-10V、周期16.7msec、脉冲幅度50μsec的+15V的脉冲电压的栅极检查信号，使所有的第1TFT5a成为导通状态。进而，在源极线2上输入每隔16.7msec极性反转的±2V的电位的源极检查信号，并经由各TFT 5的源极4b和漏极4c把对应于±2V的电荷写入像素电极8。同时，在共用电极18上以直流输入-1V的电位的共用电极检查信号。借此，电压施加于在像素电极8与共用电极18之间所构成的液晶电容，由该像素电极8构成的像素成为点亮状态，在正常白模式(未施加电压时白色显示)下，从白色显示成为黑色显示。
此时，在具有发生短路的辅助电容电极的像素中，规定的电荷不能写入该像素电极8，成为非点亮(辉点)。
借此，可以指定具有发生了短路的辅助电容电极的像素的位置。
此外，在源极线驱动电路、栅极线驱动电路形成于同一有源矩阵基板上的驱动器单单片基板的情况下，把成为正常的显示状态之类各驱动信号(时钟、起动脉冲、图像信号等)供给到各驱动电路，与上述同样地进行非点亮(辉点)像素的指定。
<缺陷修正工序>
在本实施方式中，以在第1辅助电容电极4d与电容线3之间发生短路，第1辅助电容电极4d成为不能使用的情况下为前提。
如图4中所示，从玻璃基板10侧对对应于在缺陷检测工序中检测到的缺陷像素的辅助电容电极4d的半导体膜4的切断部X1进行激光的照射，使半导体膜4的薄膜飞散，切断分离半导体膜4的漏极4c与第1辅助电容电极4d，解除该第1辅助电容电极4d与TFT 5之间的电气连接。
此时，由于第1辅助电容电极4d与漏极4c的连接部由比漏极引出电极6(在上述例子中，厚度700nm左右)要薄的半导体膜4(在上述例子中，厚度50nm左右)来形成，所以与像现有那样切断由金属薄膜(漏极引出电极等)来形成的连接部的情况相比，可以更容易地切断连接部，还可以降低损伤像素电极或对置基板的共用电极的危险。
此外，由于形成第1辅助电容电极4d与漏极4c的连接部的半导体膜4设在比栅极1a更靠近绝缘基板10侧，所以在半导体膜4与绝缘基板10之间不存在配线图形。因此，通过从绝缘基板侧对连接部进行激光照射，可以容易地切断连接部而不损伤其他配线图形。
进而，由于如上所述可以容易地切断切断部，所以，例如，可以把为了切断而照射的激光的强度抑制得低些，因此可以降低激光的照射部位附近的配线图形的损伤。
这样一来，可以容易进行辅助电容电极的短路缺陷导致的显示不良的修正。
再者，在第2辅助电容电极4e与电容线3之间发生短路的情况下，对切断部X2进行激光照射。此外，切断部X2处的截面构成，只是在漏极引出电极6上不存在漏极引出电极/像素电极接触孔6b，与图4的剖视示意图中所述的截面构成实质上是同一的。
这里，就激光的照射进行说明。以下的说明是典型例，不限定于此。
～激光～
对激光可以举出YAG激光器，靠激光功率测定器确认激光强度后，用增益控制器(光固定衰减器)等滤光镜调整成适当的强度。
～照射位置的对准～
对配线图形事前设定激光照射区域，进行该照射区域与各图形的对位，照射如上所述调整了的激光。
例如，对上述切断部X1和X2，以4μm×8μm左右的光点尺寸照射激光。
像以上这样，在液晶显示装置50中，可以修正发生短路的辅助电容电极4d导致的缺陷像素。
结束了上述缺陷修正工序的液晶在显示图像之际，在修正了的像素中，在从栅极线1送出栅极信号而TFT 5成为导通状态时，从源极线2送出源极信号通过源极4b和漏极4c，规定的电荷写入像素电极8和第2辅助电容电极4e，成为在像素电极8和第2辅助电容电极4e与共用电极18之间产生电位差，规定的电压施加于由液晶层40组成的液晶电容、和第2辅助电容电极4e与电容线3之间的辅助电容。
借此，在修正了缺陷的像素中，成为省略了发生短路的第1辅助电容电极4d的仅由第2辅助电容电极4e构成辅助电容电极。因此，由于通过由该辅助电容电极所构成的辅助电容，像素电极8构成的像素电容的降低也受到抑制，所以被修正的液晶显示装置可接近正常的显示。进而，由于可以把具有发生了短路的辅助电容电极的液晶显示装置修正成能够几乎正常显示的状态，所以可以提高液晶显示装置的成品率。
第2实施方式
本发明的液晶显示装置，就上述第1实施方式而言，也可以为以下的构成。
图5是根据第2实施方式的构成液晶显示装置的有源矩阵基板20b的平面示意图，图6是对应于图5中的截面VI-VI的有源矩阵基板20b的剖视示意图。
该液晶显示装置，设置有有源矩阵基板20b、与其对置设置的对置基板、以及设置成夹在两个基板之间的液晶层。
有源矩阵基板20b从其基底包覆膜11到像素电极8的叠层膜的构成与第1实施方式的有源矩阵基板20a的叠层膜的构成实质上是同一的，在其像素电极8上设置反射电极9以覆盖TFT 5。而且，取向膜17设置成覆盖像素电极8和反射电极9。
反射电极9重叠于各像素电极8的面积的70％左右，构成反射区域。而且，各像素电极8的未被反射电极9重叠的其余的30％左右的区域构成透射区域。
就对置基板和液晶层而言，与第1实施方式实质上是同一的，省略其详细说明。
该液晶显示装置在各像素中，规定的电荷写入像素电极8和反射电极9，构成为在像素电极8和反射电极9与共用电极18之间产生电位差，规定的电压施加于由液晶层40组成的液晶电容和辅助电容。而且，利用液晶分子的取向状态根据该施加电压而变化的情况，调整从外部入射的光的透过率，借此显示图像。这里，在反射区域处反射从外部经由对置基板入射的光，并且在透射区域处，透射从外部经由有源矩阵基板20b入射的光，显示图像。
此外，由于反射电极9设置成覆盖TFT 5，所以作为遮挡TFT 5入射的光的遮光膜发挥功能，此外，由于作为反射区域有效地利用像素的有限的空间，所以可以抑制开口率的降低。
接下来，就构成本发明的液晶显示装置的有源矩阵基板20b的制作方法部分地进行说明。
首先，基于第1实施方式的有源矩阵基板20a的制作方法，准备有源矩阵基板20a。
接着，在有源矩阵基板20a的像素电极8上的基板全体上，通过溅射法，成膜钼膜(厚度100nm左右)和铝膜(厚度150nm左右)后，通过PEP技术进行图形形成而形成反射电极9。
像以上这样，可以制造有源矩阵基板20b。进而，然后，通过印刷法，成膜聚酰亚胺类树脂的薄膜后，通过摩擦法，对其表面施行取向处理而形成取向膜17。
接下来，就根据本发明的第2实施方式的液晶显示装置的缺陷修正方法进行说明。
图7对应于图6的剖视示意图，是缺陷修正后的有源矩阵基板20b的剖视示意图。
在图7中，对切断部X1从玻璃基板10侧进行激光的照射，切断分离半导体膜4的漏极4c与第1辅助电容电极4d。
由于该液晶显示装置的缺陷修正方法及其效果与第1实施方式是同样的，所以省略其详细说明。
虽然在本实施方式中，举例表示了在一个像素中有反射区域和透射区域的半透射型的液晶显示装置，但是也可以为把一个像素中的显示区域全体作为反射区域的反射型的液晶显示装置。在该情况下，也可以把由ITO组成的像素电极8置换成由铝膜组成的反射电极9。
第3实施方式
本发明的液晶显示装置，就上述第1实施方式而言，也可以为以下那样的构成。
图8是根据第3实施方式的构成液晶显示装置的有源矩阵基板20c的平面示意图，图9是对应于图8中的截面IX-IX的有源矩阵基板20c的剖视示意图。
该液晶显示装置设置有有源矩阵基板20c、与其对置设置的对置基板，以及设置成夹在两个基板之间的液晶层。
有源矩阵基板20c除了在与源极线2同一层中由同一材料设置保护层6c这一点外，与第1实施方式的有源矩阵基板20a的构成实质上是同一的。保护层6c在连接部(半导体膜4)与像素电极8之间，重叠于连接部地、具体地说对照射激光的切断部X1和X2设置成重叠于有源矩阵基板20c的法线方向。
就对置基板和液晶层而言，与第1和第2实施方式实质上是同一的，省略其详细说明。此外，就有源矩阵基板20c的制作方法而言，由于在第1实施方式中所述的有源矩阵基板的制造过程中，变更进行图形形成源极引出电极2a、源极线2和漏极引出电极6之际的图形形状就可以了，所以省略其详细说明。
接下来，就根据本发明的第3实施方式的液晶显示装置的缺陷修正方法进行说明。
图10对应于图9的剖视示意图，是缺陷修正后的有源矩阵基板20c′的剖视示意图。
在图10中，对切断部X1从玻璃基板10侧进行激光的照射，切断分离半导体膜4的漏极4c与第1辅助电容电极4d。
虽然该液晶显示装置的缺陷修正方法及其效果与第1实施方式是同样的，但是由于保护层6c设置成重叠于连接部，所以在从连接部的漏极1a侧，也就是，从绝缘基板10侧对连接部进行激光照射之际，可以靠保护层降低给予像素电极的伤害。此外，由于保护层设在除了激光照射靶子的连接部外，有误照射的危险的区域，所以，假如，即使激光照射到连接部以外，该激光也被保护层遮断，损伤周边的构件(像素电极8、取向膜、液晶层等)的情况减少。
这里，如果发生激光引起的对像素电极8、取向膜、液晶层等的损伤，则在图像显示之际成为微小的辉点或黑点，存在着显示质量降低的危险。但是，由于在构成本发明的有源矩阵基板20c中，设置有防止激光引起的损伤用的保护层6c，所以可不损伤激光照射部位附近的构件，可以容易地切断连接部。
虽然在本实施方式中，把保护层6c运用于第1实施方式中所述的有源矩阵基板20a，但是也可以运用于第2实施方式中所述的有源矩阵基板20b。
此外，虽然在本实施方式中，举例示出在与源极线2同一层中由同一材料形成保护层6c，但是也可以由与栅极线1、栅极1a和电容线3同一层来形成保护层。借此，不用另外追加工序，可以在连接部与像素电极8之间形成保护层6c。
再者，保护层6c设在比半导体膜4更靠近液晶层侧就可以了，如上所述，不仅设在与源极线2、源极引出电极2a和漏极引出电极6所形成的源极层，以及，栅极线1、栅极1a和电容线3所形成的栅极层同一的层，而且另外追加工序，也可以设在与源极层和栅极层不同的层。
第4实施方式
本发明就上述第1实施方式而言，也可以为以下那样的构成。
图11是根据第4实施方式的构成液晶显示装置的有源矩阵基板20d的平面示意图，图12是对应于图11中的截面XII-XII的有源矩阵基板20d的剖视示意图。
该液晶显示装置设置有有源矩阵基板20d、与其对置设置的对置基板、以及设置成夹在两个基板之间的液晶层。
有源矩阵基板20d的构成，除了在切断部X1和X2之外配置切断部X3这一点外，与第1实施方式的有源矩阵基板20a的构成实质上是同一的。这里，第1、2和3实施方式中说明的连接部，由连接于漏极4c的第1连接部、和从该第1连接部分支而连接于各辅助电容电极(4d和4e)的第2连接部来构成，第1连接部对应于切断部X3，第2连接部对应于切断部X1和X2。
有关对置基板、液晶层和有源矩阵基板20d的制作方法，与第1、2和3实施方式实质上是同一的，省略其详细说明。
接下来，就根据本发明的第4实施方式的液晶显示装置的缺陷修正方法进行说明。
在本实施方式中，在多个像素当中的任何一个中，以在第1辅助电容电极4d和第2辅助电容电极4e与电容线3之间发生短路，第1辅助电容电极4d和第2辅助电容电极4e成为不能使用的情况下为前提。
图13对应于图12的剖视示意图，是缺陷修正后的有源矩阵基板20d′的剖视示意图。
在图13中，对切断部X3从玻璃基板10侧进行激光的照射，切断分离半导体膜4的漏极4c与第1辅助电容电极4d和第2辅助电容电极4e。
在该液晶显示装置的缺陷修正方法中，在辅助电容电极(4d和4e)的双方处发生短路缺陷的情况下，由于为了完全解除辅助电容电极(4d和4e)与对应的漏极4c之间的电气连接，不用全部切断连接漏极4c与辅助电容电极(4d和4e)的各第2连接部(切断部X1和X2)，仅切断作为第2连接部的分支基端的第1连接部(切断部X3)就可以了，所以可以降低切断用的激光引起的照射部位附近的配线图形的损伤。此外，因为激光引起的切断仅为一次，故缺陷修正所需的工序被消减。进而，与分别对切断部X1和X3进行切断的情况下相比，周边的构件(像素电极8、取向膜、液晶层等)的损伤也可以减少。
借此，即使在一个像素内的所有的辅助电容电极中发生短路而有必要解除这些辅助电容电极与对应的漏极之间所有的连接的情况下，通过仅切断对应的第1连接部(切断部X3)，可以修正成接近正常的显示状态。
再者，虽然在本实施方式中，可用于第1实施方式中所述的有源矩阵基板20a，但是也可以运用于第2实施方式中所述的有源矩阵基板20b和第3实施方式中所述的有源矩阵基板20c。
工业实用性
像以上说明的那样，由于本发明可以容易地进行辅助电容电极的短路缺陷导致的显示不良的修正，所以在配线和TFT的微细化日益进步的液晶显示装置中是有用的。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，
设置有供给显示用信号的源极线、显示用的像素电极、以及切换该源极线与该像素电极的电气连接的开关元件，
所述开关元件具有电连接于所述源极线的源极、电连接于所述像素电极的漏极、以及控制该源极和该漏极间的电连接的栅极，
在所述漏极上连接有多个辅助电容电极，该漏极与该多个辅助电容电极的各个的连接部由半导体来形成。
2.根据权利要求1中所述的显示装置，其特征在于，
还包括电连接于所述漏极的引出电极，
所述连接部形成为比所述引出电极更薄。
3.根据权利要求1中所述的显示装置，其特征在于，
所述漏极、所述多个辅助电容电极、以及该漏极与该多个辅助电容电极的各个的连接部在同一半导体膜上形成。
4.根据权利要求1中所述的显示装置，其特征在于，
所述开关元件设在绝缘基板上，
所述连接部设在比所述栅极更靠近所述绝缘基板侧。
5.根据权利要求1中所述的显示装置，其特征在于，
所述连接部和所述像素电极形成在相互不同的层，
在所述连接部与所述像素电极之间，以与该连接部重叠的方式设置保护层。
6.根据权利要求5中所述的显示装置，其特征在于，
所述保护层由构成所述源极线或所述栅极的材料来形成。
7.根据权利要求1中所述的显示装置，其特征在于，
所述连接部由连接于所述漏极的第1连接部，和从该第1连接部分支并连接于所述各辅助电容电极的第2连接部来构成。
8.一种显示装置，其特征在于，
设置有供给显示用信号的源极线、显示用的像素电极、以及切换该源极线与该像素电极的电气连接的开关元件，
所述开关元件具有电连接于所述源极线的源极、电连接于所述像素电极的漏极、以及控制该源极和该漏极间的电气连接的栅极，
在所述漏极上连接着多个辅助电容电极，该漏极与该多个辅助电容电极的各个的连接部由半导体来形成，该连接部的某一个被切断。
9.一种显示装置，其特征在于，
设置有供给显示用信号的源极线、显示用的像素电极、以及切换该源极线与该像素电极的电气连接的开关元件，
所述开关元件具有电连接于所述源极线的源极、电连接于所述像素电极的漏极、以及控制该源极和该漏极间的电气连接的栅极，
在所述漏极上连接着多个辅助电容电极，该漏极与该多个辅助电容电极的各个的连接部由半导体来形成，
所述连接部由连接于所述漏极的第1连接部、和从该第1连接部分支并连接于所述各辅助电容电极的第2连接部来构成，
设置多个由所述像素电极所规定的像素，
所述像素之一是所述多个辅助电容电极的短路缺陷导致的缺陷像素，在该缺陷像素中，所述第1连接部被切断。
10.一种显示装置的制造方法，其特征在于，
该显示装置设置有供给显示用信号的源极线、显示用的像素电极、以及切换该源极线与该像素电极的电气连接的开关元件，
所述开关元件具有电连接于所述源极线的源极、电连接于所述像素电极的漏极、以及控制该源极和该漏极间的电气连接的栅极，
在所述漏极上连接着多个辅助电容电极，该漏极与该多个辅助电容电极的各个的连接部由半导体来形成，
该制造方法包括
从多个辅助电容电极之中检测发生了短路缺陷的辅助电容电极的缺陷检测工序，和
切断在所述缺陷检测工序中检测出的辅助电容电极与漏极的连接部的缺陷修正工序。
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