CN1875467A - 等离子体处理装置 - Google Patents

等离子体处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1875467A
CN1875467A CNA2004800324698A CN200480032469A CN1875467A CN 1875467 A CN1875467 A CN 1875467A CN A2004800324698 A CNA2004800324698 A CN A2004800324698A CN 200480032469 A CN200480032469 A CN 200480032469A CN 1875467 A CN1875467 A CN 1875467A
Authority
CN
China
Prior art keywords
aforementioned
supply part
cooling medium
gas supply
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004800324698A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100492600C (zh
Inventor
大见忠弘
野泽俊久
森田治
汤浅珠树
小谷光司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN1875467A publication Critical patent/CN1875467A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100492600C publication Critical patent/CN100492600C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4411—Cooling of the reaction chamber walls
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45572—Cooled nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明以提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制该处理气体供给部的温度升高为课题。为此，在本发明中使用的等离子体处理装置，具备：具有保持被处理基板的保持台的处理容器；在前述处理容器上按照与被处理基板相对的方式设置的微波天线；在前述保持台上的被处理基板和前述微波天线之间，按照与前述被处理基板相对的方式设置的处理气体供给部，其特征在于，前述处理气体供给部具有使形成在前述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部；可以与处理气体源相连接的处理气体通路；与前述处理气体通路相连通的多个第2开口部；冷却该处理气体供给部的冷却媒体所流动的冷却媒体通路，前述冷却媒体包含冷却气体和雾。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本发明一般是涉及等离子体处理装置，特别是涉及微波等离子体处理装置。
等离子体处理工序以及等离子体处理装置，在包含近年来被称作深度次微米级元件或者深度次四分之一微米级元件的、具有接近0.1μm或者低于0.1μm栅长的超细微化半导体装置的制造和液晶显示装置的高清晰度平面显示装置的制造中，是不可缺少的技术。
作为半导体装置和液晶显示装置的制造中使用的等离子体装置，目前使用各种等离子体的激发方式，特别是平行平板型高频激发等离子体处理装置或者感应结合型等离子体处理装置是一般被使用的。但是，这些目前的等离子体处理装置，其等离子体形成不均匀，存在由于电子密度高的区域被限定，所以难于以高处理速度，即高处理能力在被处理基板的整个面上进行均匀的工序处理的问题。这个问题，特别在处理大内径基板时表现得突出。而且，在这些现有的等离子体处理装置上，由于电子温度高，对在被处理基板上形成的半导体元件产生破坏，另外存在由于处理室壁的溅射引起的金属污染严重等一些本质性的问题。所以，现有的等离子体处理装置，还是难于满足对于使半导体装置和液晶显示装置更加精细化以及进一步提高生产性的严格要求。
另外，目前还提出了使用不靠直流磁场而通过微波电场而激发的高密度等离子体的微波等离子体处理装置的方案。例如，按照从具有发生均匀的微波那样排列的多个槽的平面形的天线(辐射线槽天线)向处理容器内发射微波，通过这种微波电场使真空容器内的气体电离而激发等离子体那样构成的等离子体装置被提出。
在用这样的方法激发的微波等离子体可以在天线正下方的大面积区域实现高等离子体密度，可在短时间内进行均匀的等离子体处理。而且用这样的方法形成的微波等离子体，由于通过微波激发等离子体，所以电子温度低，可以避免被处理基板的破坏和金属污染。另外，由于在大面积基板上也可以容易地激发均匀的等离子体，也容易与使用大口径半导体基板的半导体装置的制造工序和大型液晶显示装置的制造相对应。
背景技术
图1A、图1B表示使用这样的放射线隙缝天线(radial line slotantenna)的现有的微波等离子体处理装置100的构成。但是，图1A是表示微波等离子体处理装置100的截面图，而图1B是表示放射线隙缝天线的构成图。
参照图1A，微波等离子体处理装置100具有从多个排气口116排气的处理室101，在前述处理室101中形成保持被处理基板114的保持台115。为了实现在前述处理室101的均匀排气，在前述保持台115周围环形地形成空间101A，通过按照使前述多个排气口116与前述空间101A相连通那样等间隔地，即与被处理基板轴对称地形成，前述处理室101可以通过前述空间101A以及排气口116而排气。
在前述处理室101上，在与前述保持台115上的被处理基板114相对应的位置上，作为前述处理室101的外壁的一部分，借助密封环109形成板状喷淋板103，该板状喷淋板由低损耗的介电体构成并且形成有多个开口部107，并且在前述喷淋板103的外侧上通过另外的密封环108设置同样由低损耗介电体组成的盖板102。
在前述喷淋板103上，在其上面形成等离子体气体的通路104，前述多个开口部107的各个与前述等离子体气体通路104相连通地形成。另外，在前述喷淋板103的内部，形成与设置在前述处理容器101的外壁上的等离子体气体供给105相连通的等离子体气体的供给通路106，被供给到前述等离子体气体供给口105的Ar和Kr等的等离子体气体，从前述供给通路106通过前述通路104被供给到前述开口部107，从前述开口部107向前述处理容器101内部的前述喷淋板103正下方的空间101B，以实质上一样的浓度排出。
在前述处理容器101中，还在前述盖板102的外侧上设置具有图1B所示的放射面的放射线隙缝天线110。放射线隙缝天线110通过同轴波导管110A与外部的微波源(未图示)相连接，通过来自前述微波源的微波，激发被放出到前述空间101B的等离子体气体。前述盖板102和放射线隙缝天线110的放射面之间的间隙被大气所充填。
前述放射线隙缝天线110，由与前述同轴波导管110A的外侧波导管相连接的平坦的碟形天线本体110B、在前述天线本体110B的开口部上形成的图1B所示的多个槽110a以及与之垂直的多个槽110b形成的放射板110C组成，前述天线本体110B与前述放射板110C之间，***由厚度一定的介电体板组成的慢波板110D。
在这样构成的放射线隙缝天线110上，被从前述同轴波导管110A供电的微波在前述碟形天线本体110B和放射板110C之间沿半径方向一边扩大一边行进，在那时由于前述慢波板110D的作用波长被压缩。所以，通过这样与沿半径方向行进的微波的波长相对应使前述槽110a以及110b按照同心圆形而且相互垂直那样形成，可以使具有圆偏振波的平面波沿与前述放射板110C实质垂直的方向放射。
通过使用这样的放射线隙缝天线110，前述喷淋板103正下方的空间101B内形成均匀的高密度等离子体。这样形成的高密度等离子体电子温度低，所以不会在被处理基板114上产生破坏，另外不会产生由处理容器101的器壁的溅射引起的金属污染。
在图1A的等离子体处理装置100上，在前述处理容器101之中，在前述喷淋板103与被处理基板114之间，设置由导体构成的处理气体供给部111。前述处理气体供给部111在其内部与外部的处理气体源(未图示)相连接，形成与前述处理容器101中形成的处理气体通路112连通的处理气体通路111B。在前述处理气体供给部111上，形成多个与前述处理气体通路111B相连通的气体孔111b，前述各个气体孔111b将所供给的处理气体向前述处理气体供给部111与被处理基板114之间的空间101C放出。
在前述处理气体供给部111上，相邻的多个气体孔111b之间，通过使在前述空间101B上形成的等离子体从前述空间101B向前述空间101C扩散，形成可以效率良好地通过那样大小的开口部111A。
这样通过前述气体孔111b从前述处理气体供给部111向前述空间101C放出处理气体的情况下，被放出的处理气体被在前述空间101B形成的高密度等离子体激发。
但是，在图1A的等离子体处理装置100中，前述处理气体供给部111被暴露在高密度等离子体引起的大量的热通量中，所以存在温度上升的问题。所以，例如在前述处理气体供给部上设置冷媒通路，抑制前述处理气体供给部的温度升高(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：WO02/080249A1号公报
但是，例如在前述处理气体供给部111上设置冷媒通路的情况下，由于高密度等离子体引起的大量的热通量，对于向处理气体供给部输入的输入热量，冷却效率不够，抑制处理气体供给部的温度升高不够充分，产生处理气体供给部温度升高的问题。
另外，还存在由于使用用于冷却的冷媒，使得等离子体处理装置的运行成本升高，而等离子体处理装置的生产性降低的问题。
所以，本发明以提供解决上述问题的新型有用的等离子体处理装置为课题。
发明内容
本发明的具体课题是提供一种等离子体处理装置，可提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制该处理气体供给部的温度升高。
本发明的另一课题是降低等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却所花费的成本，降低等离子体处理装置的运行成本。
在本发明的第1观点中，上述的课题通过如下的等离子体处理装置解决。这种等离子体处理装置是具备具有保持被处理基板的保持台的处理容器、在前述处理容器上与被处理基板相对设置的微波天线、在前述保持台上的被处理基板和前述微波天线之间，按照与前述被处理基板相对那样设置的处理气体供给部，其特征在于，前述处理气体供给部具有使形成在前述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部、可以与处理气体源相连接的处理气体通路、与前述处理气体通路相连通的多个第2开口部、冷却该处理气体供给部的冷却媒体流动的冷却媒体通路，前述冷却媒体包含冷却气体和雾。
另外在本发明的第2观点中，上述的课题通过如下的等离子体处理装置解决。这种等离子体处理装置是具备具有保持被处理基板的保持台的处理容器、在前述处理容器上与被处理基板相对那样设置的微波天线、在前述保持台上的被处理基板和前述微波天线之间，按照与前述被处理基板相对那样设置的处理气体供给部，其特征在于，前述处理气体供给部具有使形成在前述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部、可以与处理气体源相连接的处理气体通路、与前述处理气体通路相连通的多个第2开口部、冷却该处理气体供给部的冷却媒体流动的冷却媒体通路，在前述冷却媒体通路上，连接有使前述冷却媒体循环的冷却媒体循环装置。
根据本发明，可以在使用微波等离子体的等离子体处理装置中，提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制该处理气体供给部的温度升高。
附图说明
图1A是表示现有的微波等离子体处理装置的构成图。
图1B是表示被用于图1A的等离子体处理装置的槽板的平面图。
图2是表示由实施例1得到的微波等离子体处理装置的构成图。
图3是表示被用于图2的等离子体处理装置的槽板的平面图。
图4A是被用于图2的等离子体处理装置的处理气体供给部的截面图(之一)。
图4B是被用于图2的等离子体处理装置的处理气体供给部的截面图(之二)。
图4C是图4B的处理气体供给部的截面图。
图5A是按顺序表示处理气体供给部的制造方法的图(之一)。
图5B是按顺序表示处理气体供给部的制造方法的图(之二)。
图5C是按顺序表示处理气体供给部的制造方法的图(之三)。
图6是表示图2的等离子体处理装置的变形例的图(之一)。
图7是表示图2的等离子体处理装置的变形例的图(之二)。
图8是表示图7的等离子体处理装置的变形例的图。
具体实施方式
接下来，对于本发明的实施方式，进行说明。
实施例1
图2概略地表示由本发明的实施例1得到的等离子体处理装置10的构成。
参照图2，前述等离子体处理装置10具有从多个排气口11D排气的处理容器11，被设置在前述被处理容器11内通过静电吸盘保持被处理基板12的埋设了未图示的加热器的保持台13。
前述处理容器11理想的是含有Al的奥氏体不锈钢组成，在内壁面上通过氧化处理形成氧化铝组成的保护膜。另外，在前述处理容器11的外壁中与前述被处理基板12相对应的部分上设置透过微波的微波透过窗17，并且在前述微波透过窗17和前述处理容器11之间，***导入等离子体气体的等离子体气体导入环14，分别划出前述处理容器11的外壁。
前述微波透过窗17在其边缘部上具有台阶形状，该台阶形状部与设置在前述等离子体气体导入环14上的台阶形状相结合，还成为通过密封环16A保持前述处理空间11内的气密性的构造。
在前述等离子体气体导入环上，连接气体导入部43，从该气体导入部43导入例如Ar等的等离子体气体，等离子体气体在前述气体导入环14的内部呈大致环状形成的气体槽14B中扩散。前述气体槽14B中的等离子体气体被从与前述气体槽14B相连通的多个等离子体气体孔14C向后述的处理气体供给部30与前述微波透过窗17之间的处理空间11A供给。
在前述微波透过窗17上，设置与前述微波透过窗17紧密接触并形成了图3所示的多个槽18a、18b的碟形槽板18；保持前述槽板18的碟形天线本体22；被夹在前述槽板18与前述天线本体22之间的由Al2O3、SiO2或者Si3N4的低损耗介电体材料制成的慢波板19构成的放射线隙缝天线25。
前述放射线隙缝天线25通过前述等离子体气体导入环14安装在前述处理容器11上，从外部的微波源(未图示)将频率为2.45GHz或者8.3GHz的微波通过同轴波导管21向前述放射线隙缝天线25供给。
被供给的微波通过前述微波透过窗17从前述槽板18上的槽18a、18b向前述处理容器11中放射，在前述微波透过窗17正下方的空间11A中，在从前述等离子体气体孔14C供给的等离子体气体中激发等离子体。
前述放射线隙缝天线25与前述等离子体气体导入环之间被密封环16B密封。
前述同轴波导管21中，外侧的波导管21A与前述碟形天线本体22相连接，中心导体21B通过在前述慢波板19上形成的开口部与前述槽板18相连接。因此，被供给到前述同轴波导管21的微波，一边在前述天线本体22与槽板18之间沿径向方向行进，一边从前述槽18a、18b放射。
图3表示在前述槽板18上形成的槽18a、18b。
参照图3，前述槽18a被排列成同心圆形，与各个槽18a相对应，在此垂直的槽18b同样形成同心圆形。前述槽18a、18b沿前述槽板18的半径方向，以与被前述慢波板19压缩的微波的波长相对应的间隔而形成，其结果是微波呈近似平面波而从槽板18放射。那时，由于前述槽18a以及18b按照相互垂直的关系而形成，所以被这样放射的微波形成包含两个垂直的偏振成分的圆偏振波。
另外，在图2的等离子体处理装置10中，在前述天线本体22上，形成已经形成了冷却水通路20A的冷却部件20，通过前述冷却水通路20A中的冷却水冷却前述冷却部件20，通过前述放射线隙缝天线25吸收前述微波透过窗17中积蓄的热。
在由本实施例得到的等离子体处理装置10中，前述处理容器11中，在前述微波透过窗17和前述保持台13上的被处理基板12之间，按照与前述被处理基板相对那样，将由导体组成的处理气体供给部30保持在前述处理容器11的外壁的一部分上。
在前述处理气体供给部30上，设置有在内部形成了导入处理气体的处理气体通路34的格子状的气体扩散部31，在该气体扩散部31之间例如形成近似正方形的孔部32。呈向前述气体扩散部31的内部导入处理气体，处理气体在格子状的前述处理气体通路34中扩散的构造。前述处理气体供给部30例如由含有Mg的Al合金和添加Al的不锈钢等的导电体构成。
在前述气体扩散部31上，形成从前述处理气体通路34连接到前述处理气体供给部30和处理基板12之间的空间11B的气体孔34A。前述各个气体孔34A将被供给到前述处理气体通路34的处理气体向前述空间11B放出。
前述孔部32是通过使在前述空间11A内形成的等离子体从前述空间11A向前述空间11b扩散，而效率良好地通过那样的大小，在将处理气体从前述气体孔34A向前述空间11B放出的情况下，被放出的处理气体被在前述空间11A中形成的高密度等离子体所激发，在前述被处理基板12上，高效而且高速地进行等离子体处理，并且不损伤基板以及基板上的元件构造，还不会污染基板。另外，从放射线隙缝天线25放射的微波被导体组成的前述处理气体供给部30所阻止，不会损伤到被处理基板12。
通过设置在前述处理容器11内的处理气体通路11c，将处理气体导入前述处理气体通路。另外前述处理气体通路11c与设置在前述等离子体气体环14内的处理气体通路14c相连通，该处理气体通路14c通过处理气体导入部42与处理气体供给源(未图示)相连接，供给处理气体G1。
在本实施例中所示的等离子体处理装置10的情况下，是在前述空间11A中形成的、使用微波的高密度等离子体引起的大量的热通量被导入前述处理气体供给部30的构造。所以，在本实施例中，设置冷却前述气体供给部30的冷却媒体通路33，抑制该处理气体30的温度升高。
在前述处理气体供给部30中，在前述处理气体扩散部31的内部，形成冷却该处理气体供给部30的冷却媒体C2所流动的冷却媒体通路33。
前述冷却媒体C2通过设在前述处理容器11内的冷却媒体通路11a被导入前述冷却媒体通路33。另外前述冷却媒体通路11a是与设在前述等离子体气体环14内的冷却媒体通路14a连通，在该冷却媒体通路14a上连接有冷却媒体混合器40，从该冷却媒体混合器40向该冷却媒体通路33供给冷却媒体C2。
前述冷却媒体混合器40由混合部44和雾发生源45组成。在前述混合部44上，连接有与未图示的冷却气体源相连接的冷却气体导入口41A，供给冷却气体C1。
在前述雾发生源45上，连接有与未图示的H2O供给源相连接的H2O导入口45A，向前述雾发生源45供给H2O。在前述雾发生源45上，例如使用超声波等，使供给的H2O成为雾状，供给前述混合器44。在这种情况下，雾意味着使处于液体状态的H2O成为微粒状。该雾例如与冷却气体等混合，而在该冷却气体中飘浮那样以液体状态存在。
通过在前述混合器44中混合雾和前述冷却气体C1，生成由包含雾的冷却气体C1构成的冷却媒体C2，向前述处理气体供给部30的冷却媒体通路33供给。这样，在本实施例中，在冷却处理气体供给部30的情况下，通过使用在冷却气体中混合了雾的冷却媒体，例如与用气体作为冷却媒体的情况相比可以提高冷却效率，可以高效率地冷却处理气体供给部30而抑制温度升高。这是由于存在于冷却媒体C2中的处于液体状态的雾被加热，蒸发而成为气相状态时夺走气化热，而高效地冷却处理气体供给部。
通过使用本实施例的包含雾的冷却媒体C2，与仅使用不包含雾的冷却气体的情况相比，提高了冷却效率这一点得到了确认，例如在将微波导入3kW的情况下，将使用50l/min的空气作为冷却气体的情况，与不添加雾的情况相比，添加雾的情况下前述处理气体供给部的温度降低25％的效果得到了确认。
例如使用Ar作为等离子体气体，使用C5F8等的氟碳类气体作为处理气体，在前述被处理基板上形成添加氟的碳膜(有时表示为CxFy膜，以下的文中表示为CF膜)时，例如将微波导入2～3kW。
在这种情况下，通过加热器将前述基板保持台13加热到300℃～400℃左右，从而将前述被处理基板12保持在300℃～400℃左右。另外，前述放射线隙缝天线25，被前述冷却水通路20A通过前述冷却部件20冷却，被维持在100℃左右。
在这种情况下，由于通过辐射从前述保持体13以及被处理基板12向前述处理气体供给部30供热，还将通过激发微波等离子体而产生的热向前述处理气体供给部30供给，所以供给大量的热。因此，为了冷却前述处理气体供给部30，进行高效的冷却加大冷却量是理想的。
在本实施例中，由于使用包含雾的冷却媒体，可以提高冷却效率，即使在上述条件下，也可以将前述处理气体供给部的温度保持在100℃～200℃左右。
例如，在使用Al或者Al合金构成前述处理气体供给部30时，该处理气体供给部30的温度超过200℃的话，由于有由热引起的处理气体供给部的变形等问题的可能性，该处理气体供给部30的温度低于200℃是理想的。
另外，虽然在例如通过CF膜的成膜处理而将膜附着在前述处理气体供给部30上的情况下，有通过依靠微波等离子体的等离子体清洗除去的方法，但是清洗速度(CF膜被蚀刻的速度)略微依存于CF膜的温度，即该处理气体供给部的温度。在例如使用O2和H2作为清洗气体的CF膜的等离子体清洗的情况下，为了提高清洗速度，使处理气体供给部30的温度大于100℃是理想的。
另外，例如在使用液体作为冷却媒体的情况下，从上述的理由看，将该冷却媒体维持在100℃～200℃左右，需要昂贵的设备，另外在导入超过100℃的液体的情况下，有时难于确保导入该液体的配管设备的安全，无法避免设备变得昂贵和复杂。
所以，在本实施例中，通过混合冷却气体和雾，可以用单纯的构造容易地提高处理气体供给部的冷却效率。所以，可以抑制处理气体供给部的冷却所花费的成本。
这样，冷却处理气体供给部30的冷却媒体是从前述处理容器11内形成的冷却媒体通路11b，通过在前述等离子体气体环14内形成的冷却媒体通路14b，由冷却媒体排出线41B排出。
另外，采用在等离子体气体环14上形成的前述气体槽14B与前述冷却媒体通路14a、14b不连通的构造。
另外，在本实施例中，为了提高在前述冷却媒体通路33中流动的冷却媒体的冷却效率，冷却媒体容易成为紊流状态那样，使用运动粘度小的SF6作为冷却气体C1。SF6由于运动粘度小，所以成为在低流量下发生紊流的条件。
另外，冷却气体除了SF6以外，也可以使用Ar、He、N2、空气等。
另外，根据需要，也可以在不向冷却气体添加雾的状态下使用。例如，在微波功率小，发生的热量小的情况下，不向冷却媒体添加雾，例如可以使用SF6、Ar、He、N2、空气等的冷却气体来冷却处理气体供给部。
另外，也可以通过在前述处理气体供给部30上安装未图示的处理气体供给部可移动装置，改变该处理气体供给部30的位置。例如，通过使前述处理气体供给部30沿向前述微波透过窗17接近的方向、或者远离的方向平行地移动，可以使前述微波透过窗17和该处理气体供给部30的距离L1或者被处理基板和该处理气体供给部30的距离L2最适当。另外，也可以在改变前述距离L2的情况下，使前述保持台13可以移动。
那种情况下，例如可以起到使在前述空间11A中被激发的微波等离子体的状态最适当，另外使向空间11B供给处理气体的状态最适当，使基板处理最适当的效果。
实施例2
接下来，对于图2所示的前述处理气体供给部30的细节进行表示。图4A、图4B分别表示图2所示的处理气体供给部30的X-X截面、Y-Y截面。但是，图中在前面说明的部分上加注相同的参照符号，省略说明。
首先参照图4A，前述处理气体供给部30，在格子上形成前述处理气体扩散部31，在该处理气体扩散部31的内部，形成前述处理气体通路34。另外，处理气体扩散部和与该处理气体扩散部相邻的处理气体扩散部之间形成等离子体和被激发的等离子体通过的孔部32。
另外，形成在前述处理气体供给部30上设置安装部30A以及30B，通过该安装部30A以及30B，前述处理气体供给部30被安装在前述处理容器11上的构造。
形成在前述安装部30A以及30B上，分别设置处理气体导入口34B，处理气体被从该处理气体导入口34B导入前述处理气体通路34的构造。另外，前述处理气体导入口34B成为与前述处理气体通路11c相连通。而这个连通的构造在图2中省略图示。
接下来，参照图4B，形成冷却媒体在前述处理气体扩散部31中形成、在冷却媒体通路33中流动的构造。该冷却媒体被从设置在所述安装部30A上的冷却媒体导入口33A导入，在从前述安装部30A一侧向着前述安装部30B一侧形成的冷却媒体通路33中流动，还在该安装部30B的一侧反转，在向着该安装部30A的方向形成的冷却媒体通路33中流动，从设置在前述安装部30A的冷却媒体排出口33B排出。
形成前述冷却媒体导入口33A与在前述处理容器11内形成的前述冷却媒体通路11a相连接的构造。另外，形成前述冷却媒体排出口与前述冷却媒体通路11b相连接的构造。虽然在本图中，在前述安装部30A一侧形成冷却媒体排出口，但是也可以在前述安装部30B的一侧形成冷却媒体排出口，另外，也可以在安装部30A以及30B的两侧形成，根据需要可以容易地改变。同样，形成冷却媒体导入口的位置也可以容易地改变。
另外，在处理气体供给部30中，例如特别是微波等离子体引起的加热量多的部分，采用使冷却效率提高的构造是理想的。在这种情况下，特别是前述处理气体供给部30的中心部附近，由等离子体得到的加热量变多，具有温度容易上升的倾向。所以，在该中心部附近，例如在如图4B所示的中心部30C形成的冷却媒体通路，采用接下来如图4C所示的那种构造的话，冷却效率提高，是理想的。
图4C是图4B所示的处理气体扩散部31的A-A截面图的一个例子。另外，在本图中，除了图4B所示的冷却媒体通路33以外，省略图示。
参照图4C，在本图所示的冷却媒体通路33内，形成与该冷却媒体通路33的内壁面相接触的冷却散热片33a。通过形成该冷却散热片33a，被冷却媒体冷却的面积增大，起到冷却效果变得良好的效果。另外，通过在加热量大的部分上设置这样的冷却散热片，使处理气体供给部的温度均匀性良好，可以抑制温度不均匀引起的变形等的影响。
实施例3
接下来，在图5A、图5B以及图5C中按照顺序表示制造前述处理气体供给部30的方法的概要。但是，图中对于前面说明过的部分加注相同的符号，省略说明。
首先，在图5A所示的工序中，在平板上的例如Al合金制成的板30’上，进行冷却媒体通路33和处理气体通路34的加工。
冷却媒体通路33和处理气体通路34的加工，使用枪孔钻(沿切削方向延伸的长度比通常的钻长)进行加工的话，在加工长孔形状的情况下是适宜的。
接下来，在图5B所示的工序中，进行前述孔部32的加工，形成作为等离子体和气体的通路的孔部的同时，形成格子状的处理气体扩散部31。还在处理气体扩散部上进行图2所示的前述气体孔34A的加工。
接下来，在图5C所示的工序中，在近似圆板上切出前述板30’，使切出的近似圆板形的板与环形体形状的周边部件30”相嵌合，在接合部分上进行电子束焊接加工。还焊接前述安装部30A、30B，根据需要进行清洗，作为处理气体供给部30。
虽然目前在例如形成处理气体通路和冷却媒体通路的情况下，采用将进行了槽形加工的部件和该部件的盖部分焊接而形成等方法，但是在这种情况下，存在加工工序复杂，制造成本增大的问题。另外，不能避免在处理气体通路和冷却媒体通路上形成气体和媒体滞留的微小的间隙(滞留空间)的问题。
在本实施例中，由于使用枪孔钻形成冷却媒体通路和处理气体通路，所以容易加工，可以降低制造成本。另外可以防止在处理气体通路和冷却媒体通路上形成滞留空间，可有效地供给冷却媒体和处理气体。
实施例4
另外，前述处理气体供给部30，维持100～200℃的温度是理想的，所以前述处理容器11采用热阻抗大的构造，即优选成为隔热结构。因此，在前述等离子体处理装置10中，安装了前述处理气体供给部30的部分可以按照图6所示那样改变而使用。
图6是将安装了前述处理气体供给部30的前述处理容器11的构造放大而模式地表示的截面图。但是，图中对于前面说明过的部分加注相同的符号，省略说明。
参照图6，形成前述处理气体供给部30通过绝热部件30a和绝热部件30b被安装在前述处理容器11上的构造。所以，前述处理气体供给部30与前述处理容器11之间热阻抗增大，容易将该处理气体供给部维持在100～200℃。
另外，前述绝热部件30a、30b的材料可以使用陶瓷(Al2O3、AIN、SiC等)、或者具有耐热性的树脂材料(聚酰亚胺等)。
实施例5
接下来，将概略地表示作为前述等离子体处理装置10的别的变形例的等离子体处理装置10A的内容在图7中表示。但是，图中对于前面说明过的部分加注相同的符号，省略说明。
在本实施例中，使用使从前述处理气体供给部排出的冷却媒体再次回流到该处理气体供给部的冷却媒体循环装置50。前述冷却媒体循环装置50具有冷却媒体线路51、冷却机构52、压缩泵53、备用媒体箱54以及冷却媒体调整机构55。
形成前述冷却媒体线路51与前述冷却媒体通路14a和冷却媒体通路14b相连接，从前述处理气体供给部30排出的冷却媒体，通过该冷却媒体线路51回流到该处理气体供给部30的构造。
可以在前述冷却媒体线路51上，设置压缩泵53而使冷却媒体循环，还在压缩泵53和处理气体供给部30之间，设置备用媒体箱54。
被压缩的冷却媒体被保持在前述备用媒体箱54上，由于被导入前述处理气体供给部30的冷却媒体的流量或者压力的变动量被抑制，所以被导入处理气体供给部30的冷却媒体的流量或者压力稳定。
另外，在前述冷却媒体线路上，设置冷却机构52。前述冷却机构52被与例如循环水泵52a连接，通过循环水冷却在前述冷却媒体线路51内流动的冷却媒体。
根据本实施例，由于使冷却媒体循环使用，所以可以使SF6等的冷却气体循环使用，与将冷却气体向外部大气排出的情况相比，可以降低装置的运行成本，同时可以抑制由于放出冷却气体而给环境造成的影响。
另外，可以通过设置前述冷却机构52而降低冷却气体的温度，提高冷却媒体的冷却效果。
另外，在本实施例中，还在冷却媒体线路51上，设置冷却媒体调整机构55，可以调整由冷却媒体带来的处理气体供给部的冷却量。前述冷却媒体调整机构55由例如质量流量控制器等的流量调整机构组成，通过调整导入前述处理气体供给部30的冷却媒体的流量，可以调整冷却媒体引起的冷却量。前述冷却媒体调整机构55被控制装置56控制。通过设置在前述处理气体供给部30上的温度测定机构57，将测量的温度数据通过配线部57a送到前述控制装置56。前述控制装置56是与该温度数据相对应，控制冷却媒体调整机构55，调整冷却媒体的流量的机构。
例如，前述处理气体供给部30的温度上升的情况下，根据由前述温度测定机构57测定的温度数据，控制装置56控制前述冷却媒体调整机构55而增大冷却媒体的流量，所以前述处理气体供给部30的温度升高被抑制。
同样地，在前述处理气体供给部30的温度下降的情况下，根据由前述温度测定机构57测定的温度数据，控制装置56控制前述冷却媒体调整机构55而减少冷却媒体的流量，所以前述处理气体供给部30的温度下降被抑制。
这样，在本实施例中，前述处理气体供给部30的温度例如可以保持在100℃～200℃的区域内。
另外，前述冷却媒体调整机构55不限于流量调整机构，例如也可以使用电导可变阀门等的压力调整机构，具有与流量调整机构相同的效果。
即，与由前述温度测定机构57得到的温度测定数据相对应，前述控制装置56控制压力调整机构，控制前述冷却媒体通路33的压力而控制前述处理气体供给部30的冷却量，控制处理气体供给部的温度。在这种情况下，前述冷却媒体通路33的压力愈高，冷却媒体的冷却效率愈高。前述冷却媒体通路33的压力为了维持冷却量，为0.2～1MPa是理想的。
实施例6
图7所示的实施例5中，由于是通过前述冷却机构52冷却冷却媒体(冷却气体)，所以省略了图2的等离子体处理装置10中的冷却媒体混合器40。在此，如图8所示，在前述等离子体处理装置10A中，还使用图2所示的前述冷却媒体混合器40，故可进一步提高冷却效率。
图8是表示作为图7所示的等离子体处理装置10A的变形例的等离子体处理装置10B的图。但是，图中对于前面说明过的部分加注相同的符号，省略说明。
参照图8，在本图中所示的等离子体处理装置10B中，是在前述等离子体处理装置10A上，追加前述冷却媒体混合器40的构造。所以，在本实施例中，起到与实施例1所记载的等离子体处理装置10的情况相同的效果，例如提高冷却效果的同时，还起到与实施例5所记载的等离子体处理装置10A相同的效果，例如起到降低装置的运行成本的效果。
另外，通过使冷却媒体混合器40与冷却机构52组合而使用，冷却效率进一步提高，抑制处理气体30的温度上升效果更加显著，温度的稳定性提高。
另外，冷却机构52的冷却方法不限于依靠冷却水的方法，例如也可以使用热泵等热交换机构或者依靠其他冷却媒体引起的冷却等的各种方法。
另外，冷却媒体通路的形状和形成方法不限于本实施例所示的形状，可以与所需的冷却量相对应，或者与装置的设计上的必要事项相对应而进行各种变形和变更而使用。
以上，虽然说明了本发明的理想的实施例，但是本发明不限于此，在权利要求的范围中记载的内容中，可以进行各种变形和变更。
产业上应用的可能性
根据本发明，在使用微波等离子体的等离子体处理装置中，可以提高等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却效率，抑制该处理气体供给部的温度升高。
另外，降低等离子体处理装置的处理气体供给部的冷却所花费的成本，可以降低等离子体装置的运行费用。

Claims (10)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：
具有保持被处理基板的保持台的处理容器；
在所述处理容器上按照与被处理基板相对的方式设置的微波天线；以及
在所述保持台上的被处理基板和所述微波天线之间，按照与所述被处理基板相对的方式设置的处理气体供给部，
所述处理气体供给部具有使形成在所述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部；
可与处理气体源相连接的处理气体通路；
与所述处理气体通路相连通的多个第2开口部；以及
冷却该处理气体供给部的冷却媒体所流动的冷却媒体通路，
所述冷却媒体包含冷却气体和雾。
2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述冷却媒体包含SF6。
3.一种等离子体处理装置，其特征在于，具备：
具有保持被处理基板的保持台的处理容器；
在所述处理容器上按照与被处理基板相对的方式设置的微波天线；以及
在所述保持台上的被处理基板和所述微波天线之间，按照与所述被处理基板相对的方式设置的处理气体供给部，
所述处理气体供给部具有使形成在所述处理容器内的等离子体通过的多个第1开口部；
可与处理气体源相连接的处理气体通路；
与所述处理气体通路相连通的多个第2开口部；以及
冷却该处理气体供给部的冷却媒体所流动的冷却媒体通路，
在所述冷却媒体通路上，连接有使所述冷却媒体循环的冷却媒体循环装置。
4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述冷却媒体循环装置具有冷却所述冷却媒体的冷却机构。
5.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述冷却媒体循环装置具有冷却媒体调整机构，该冷却媒体调整机构基于由设置在所述处理气体供给部上的温度测定机构测定的温度，调整由所述冷却媒体得到的所述处理气体供给部的冷却量。
6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，冷却媒体调整机构是调整所述冷却媒体的流量的流量调整机构。
7.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，冷却媒体调整机构是调整所述冷却媒体的压力的压力调整机构。
8.如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，令所述冷却媒体通路的压力为0.2～1MPa。
9.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述冷却媒体包含冷却气体和雾。
10.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述冷却媒体包含SF6。
CNB2004800324698A 2003-11-05 2004-11-02 等离子体处理装置 Expired - Fee Related CN100492600C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP375437/2003 2003-11-05
JP2003375437 2003-11-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1875467A true CN1875467A (zh) 2006-12-06
CN100492600C CN100492600C (zh) 2009-05-27

Family

ID=34567075

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004800324698A Expired - Fee Related CN100492600C (zh) 2003-11-05 2004-11-02 等离子体处理装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20070137575A1 (zh)
EP (1) EP1681715A4 (zh)
JP (1) JPWO2005045913A1 (zh)
KR (1) KR100762052B1 (zh)
CN (1) CN100492600C (zh)
WO (1) WO2005045913A1 (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101981669A (zh) * 2008-03-24 2011-02-23 东京毅力科创株式会社 簇射极板以及利用簇射极板的等离子体处理装置
CN102148126A (zh) * 2009-12-31 2011-08-10 丽佳达普株式会社 具有窗口加热结构的基板处理装置
CN102655105A (zh) * 2011-03-04 2012-09-05 株式会社日立国际电气 衬底支撑台、衬底处理装置和用于半导体器件的制造方法
CN103687268A (zh) * 2012-09-11 2014-03-26 株式会社岛津制作所 等离子体用高频电源及使用它的icp 发光分光分析装置
CN103988039A (zh) * 2011-12-09 2014-08-13 应用材料公司 用于冷却加热管的热交换器和所述冷却的方法
TWI614590B (zh) * 2015-09-14 2018-02-11 Toshiba Kk 流量調整裝置及處理裝置

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4638833B2 (ja) * 2006-03-31 2011-02-23 三井造船株式会社 プラズマ成膜装置およびプラズマ成膜装置のクリーニング方法
JP5045000B2 (ja) * 2006-06-20 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、ガス供給装置、成膜方法及び記憶媒体
WO2008114862A1 (ja) * 2007-03-22 2008-09-25 Tokyo Electron Limited プラズマ処理装置
KR101119627B1 (ko) 2007-03-29 2012-03-07 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치
JP2008262968A (ja) * 2007-04-10 2008-10-30 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
DE102007026349A1 (de) * 2007-06-06 2008-12-11 Aixtron Ag Aus einer Vielzahl diffusionsverschweißter Scheiben bestehender Gasverteiler
KR100847786B1 (ko) * 2007-07-13 2008-07-23 한양대학교 산학협력단 플라즈마 처리장치
JP4972594B2 (ja) * 2008-03-26 2012-07-11 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法及び半導体デバイスの製造方法
KR101083590B1 (ko) 2008-09-11 2011-11-16 엘아이지에이디피 주식회사 플라즈마 처리장치
JP5982758B2 (ja) * 2011-02-23 2016-08-31 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波照射装置
JP5851899B2 (ja) * 2011-03-25 2016-02-03 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5368514B2 (ja) 2011-06-30 2013-12-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP6017906B2 (ja) * 2011-10-19 2016-11-02 株式会社Kelk 温調装置
JP5851804B2 (ja) * 2011-11-09 2016-02-03 東京エレクトロン株式会社 前処理方法、グラフェンの形成方法及びグラフェン製造装置
JP2014060378A (ja) * 2012-08-23 2014-04-03 Tokyo Electron Ltd シリコン窒化膜の成膜方法、有機電子デバイスの製造方法及びシリコン窒化膜の成膜装置
US9474108B2 (en) * 2013-09-09 2016-10-18 Harris Corporation Hydrocarbon resource processing apparatus for generating a turbulent flow of cooling liquid and related methods
US10039157B2 (en) * 2014-06-02 2018-07-31 Applied Materials, Inc. Workpiece processing chamber having a rotary microwave plasma source
JP2018127369A (ja) * 2017-02-06 2018-08-16 東京エレクトロン株式会社 グラフェンの異方性エッチング方法
JP6960813B2 (ja) 2017-09-20 2021-11-05 東京エレクトロン株式会社 グラフェン構造体の形成方法および形成装置
KR102636427B1 (ko) * 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0129663B1 (ko) * 1988-01-20 1998-04-06 고다까 토시오 에칭 장치 및 방법
JPH0255292A (ja) * 1988-08-19 1990-02-23 Fujitsu Ltd 反応管の冷却方法
JP3096710B2 (ja) * 1993-02-24 2000-10-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3714248B2 (ja) * 1993-12-22 2005-11-09 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP3360098B2 (ja) * 1995-04-20 2002-12-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置のシャワーヘッド構造
JPH08330147A (ja) * 1995-06-05 1996-12-13 Toshiba Corp 冷却装置の監視方法
KR100479485B1 (ko) * 1995-08-04 2005-09-07 마이크로코팅 테크놀로지, 인크. 근초임계및초임계유동용액의열적분무를이용한화학증착및분말형성
US5660047A (en) * 1995-09-15 1997-08-26 American Air Liquide, Inc. Refrigeration system and method for cooling a susceptor using a refrigeration system
JPH09172001A (ja) * 1995-12-15 1997-06-30 Sony Corp 半導体製造装置の温度制御方法および装置
KR100493684B1 (ko) * 1996-06-28 2005-09-12 램 리서치 코포레이션 고밀도플라즈마화학기상증착장치및그방법
EP0958401B1 (en) * 1996-06-28 2004-09-08 Lam Research Corporation Apparatus and method for high density plasma chemical vapor deposition or etching
US6338809B1 (en) * 1997-02-24 2002-01-15 Superior Micropowders Llc Aerosol method and apparatus, particulate products, and electronic devices made therefrom
JP4668364B2 (ja) * 1997-10-16 2011-04-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6053984A (en) * 1997-11-17 2000-04-25 Petvai; Steve I. Method and apparatus for decomposition of silicon oxide layers for impurity analysis of silicon wafers
US5997649A (en) * 1998-04-09 1999-12-07 Tokyo Electron Limited Stacked showerhead assembly for delivering gases and RF power to a reaction chamber
US5955823A (en) * 1998-05-12 1999-09-21 Ultra Sonus Ab High power ultrasonic transducer
JP4053173B2 (ja) * 1999-03-29 2008-02-27 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置及び方法
US6772827B2 (en) * 2000-01-20 2004-08-10 Applied Materials, Inc. Suspended gas distribution manifold for plasma chamber
US6537419B1 (en) * 2000-04-26 2003-03-25 David W. Kinnard Gas distribution plate assembly for providing laminar gas flow across the surface of a substrate
WO2002023964A1 (en) * 2000-09-13 2002-03-21 Applied Materials, Inc. Processing chamber with multi-layer brazed lid
JP2002100573A (ja) * 2000-09-25 2002-04-05 Nec Corp 半導体製造装置および半導体製造方法
JP4012466B2 (ja) * 2001-03-28 2007-11-21 忠弘 大見 プラズマ処理装置
TW573053B (en) * 2001-09-10 2004-01-21 Anelva Corp Surface processing apparatus
US7780785B2 (en) * 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
JP3594583B2 (ja) * 2002-01-10 2004-12-02 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 エッチング装置及びその温度制御方法
US6916502B2 (en) * 2002-02-11 2005-07-12 Battelle Energy Alliance, Llc Systems and methods for coating conduit interior surfaces utilizing a thermal spray gun with extension arm
TWI283899B (en) * 2002-07-09 2007-07-11 Applied Materials Inc Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101981669A (zh) * 2008-03-24 2011-02-23 东京毅力科创株式会社 簇射极板以及利用簇射极板的等离子体处理装置
CN102148126A (zh) * 2009-12-31 2011-08-10 丽佳达普株式会社 具有窗口加热结构的基板处理装置
CN102148126B (zh) * 2009-12-31 2014-10-29 丽佳达普株式会社 具有窗口加热结构的基板处理装置
CN102655105A (zh) * 2011-03-04 2012-09-05 株式会社日立国际电气 衬底支撑台、衬底处理装置和用于半导体器件的制造方法
CN102655105B (zh) * 2011-03-04 2014-11-12 株式会社日立国际电气 衬底支撑台、衬底处理装置和用于半导体器件的制造方法
CN103988039A (zh) * 2011-12-09 2014-08-13 应用材料公司 用于冷却加热管的热交换器和所述冷却的方法
CN108759513A (zh) * 2011-12-09 2018-11-06 应用材料公司 用于冷却加热管的热交换器和所述冷却的方法
US10215457B2 (en) 2011-12-09 2019-02-26 Applied Materials, Inc. Heat exchanger for cooling a heating tube and method thereof
US10502466B2 (en) 2011-12-09 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Heat exchanger for cooling a heating tube and method thereof
CN103687268A (zh) * 2012-09-11 2014-03-26 株式会社岛津制作所 等离子体用高频电源及使用它的icp 发光分光分析装置
CN103687268B (zh) * 2012-09-11 2016-07-06 株式会社岛津制作所 等离子体用高频电源及使用它的icp发光分光分析装置
TWI614590B (zh) * 2015-09-14 2018-02-11 Toshiba Kk 流量調整裝置及處理裝置

Also Published As

Publication number Publication date
US20070137575A1 (en) 2007-06-21
EP1681715A1 (en) 2006-07-19
KR20060085943A (ko) 2006-07-28
CN100492600C (zh) 2009-05-27
JPWO2005045913A1 (ja) 2007-05-24
WO2005045913A1 (ja) 2005-05-19
KR100762052B1 (ko) 2007-09-28
EP1681715A4 (en) 2009-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1875467A (zh) 等离子体处理装置
CN1246887C (zh) 等离子体处理装置以及半导体制造装置
CN1229855C (zh) 等离子体处理装置
CN1298027C (zh) 等离子体处理装置
CN1277951C (zh) 表面处理装置
CN1298199C (zh) 等离子体处理方法及装置
CN1217390C (zh) 等离子体处理装置、等离子体处理方法和滞波板
CN1759473A (zh) 半导体处理用的基板保持结构和等离子体处理装置
CN1306566C (zh) 等离子体处理装置
CN1314072C (zh) 抑制电弧放电的对应等离子体喷头rf顶电极调谐的merie等离子体反应器
CN1224298C (zh) 电浆处理装置
CN1236657C (zh) 等离子体处理装置和等离子体处理方法
CN1849034A (zh) 等离子体处理装置、狭缝天线和等离子体处理方法
CN1830072A (zh) 气体处理装置和散热方法
CN100350569C (zh) 处理气体导入机构和等离子体处理装置
CN1716526A (zh) 清洗远程等离子体产生管的方法及处理衬底的设备和方法
CN101036215A (zh) 化学气相沉积反应器
CN1833296A (zh) 用于产生均匀处理速率的天线
CN101043004A (zh) 等离子体蚀刻方法
CN1745463A (zh) 等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极板和电极板制造方法
CN1230877C (zh) 等离子体装置及其制造方法
CN101048029A (zh) 微波等离子体处理装置及其制造方法、等离子体处理方法
CN112466736B (zh) 等离子体处理装置和温度控制方法
CN102376604A (zh) 真空加工设备及其温度控制方法、半导体器件加工方法
CN1659689A (zh) 蚀刻方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090527

Termination date: 20111102