CN1839669A - 电磁波屏蔽层叠体及利用该电磁波屏蔽层叠体的显示装置 - Google Patents

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CN1839669A CNA2004800242081A CN200480024208A CN1839669A CN 1839669 A CN1839669 A CN 1839669A CN A2004800242081 A CNA2004800242081 A CN A2004800242081A CN 200480024208 A CN200480024208 A CN 200480024208A CN 1839669 A CN1839669 A CN 1839669A
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Abstract

一种在透明的基材(2)上设置电磁波屏蔽膜(100)的电磁波屏蔽层叠体(1),所述电磁波屏蔽膜(2)从所述基材(2)侧依次具有:由折射率为大于等于2.0的物质形成的第1高折射率层(31),以氧化锌为主要成份的第1氧化物层(32),以银为主要成份的导电层(33)以及由折射率为大于等于2.0的物质形成的第2高折射率层。

Description

电磁波屏蔽层叠体及利用该电磁波屏蔽层叠体的显示装置
技术领域
该发明涉及在基材上层叠多层的电磁波屏蔽层叠体及具有该电磁波屏蔽层叠体的显示装置。
背景技术
从等离子体显示板(PDP)的发光面发射电磁波。有时该电磁波对附近的电子设备有影响,引起误动作。因此,以往已经知道为了屏蔽电磁波而将在玻璃等基材上覆盖透明导电膜的构件设置在发光面的前面。
例如,提出了从基材侧覆盖交替层叠以含有一种或一种以上以上的金属的氧化锌(ZnO)为主要成份的氧化物层和以银(Ag)为主要成份的金属层、共计(2n+1,其中n是正整数)层的多层导电膜的PDP用保护板,还提出了钛氧化物和金属层交替层叠的层叠体等(参考专利文献1和2)。
这样的电磁波屏蔽膜一般要求具有高的可见光透射率和低的电阻值。在交替层叠氧化物层和金属层的电磁波屏蔽膜中,为了降低电阻值,一般知道增加金属层的层叠数,或者使金属层加厚。
专利文献1:国际公开第98/13850小册子
专利文献2:日本特开2000-246831号公报
发明内容
上述专利文献1有关的现有技术中,为了改善银的耐湿性,在银层中添加钯。因此出现的问题是电阻值变大。另外,若为了降低电阻值而将金属层的层叠数增加,则出现的问题是可见光透射率降低。
另外,在专利文献2有关的现有技术中,作为氧化物层使用了折射率高的材料的氧化钛。若使用像氧化钛那样的高折射率的材料,则具有的优点是即使增加层叠数,也不会降低透射率。然而,氧化钛和银交替层叠的层叠体的问题是耐湿性差。通过在银中添加钯,可以提高耐湿性,但是由于添加了钯而出现的问题是电阻值变大。
本发明是考虑了上述现有技术的问题,提供具有高可见光透射率,同时具有低电阻值和高耐湿性的低成本的电磁波屏蔽层叠体及利用了该电磁波屏蔽层叠体的显示装置。
本发明提供一种在透明的基材上设置电磁波屏蔽膜的电磁波屏蔽层叠体,所述电磁波屏蔽膜从所述基材侧依次具有:由折射率为大于等于2.0的物质形成的第1高折射率层,以氧化锌为主要成份的第1氧化物层,以银为主要成份的导电层,以及由折射率为大于等于2.0的物质形成的第2高折射率层。
本发明提供一种在透明的基材上层叠2层或2层以上的电磁波屏蔽膜的电磁波屏蔽层叠体,所述电磁波屏蔽膜从所述基材侧依次具有:由折射率为大于等于2.0的物质形成的第1高折射率层,以氧化锌为主要成份的第1氧化物层,以银为主要成份的导电层以及由折射率为大于等于2.0的物质形成的第2高折射率层,其中所述电磁波屏蔽膜之间直接接触的所述第1高折射率层和所述第2高折射率层由一层整体成膜的层组成。
另外,本发明提供一种显示装置,具有显示图像用的显示面板,和在该显示面板的观看侧设置的本发明的电磁波屏蔽层叠体。
本发明的电磁波屏蔽层叠体和显示装置是具有高可见光透射率、低电阻值、高耐湿性的低成本的电磁波屏蔽层叠体和利用该电磁波屏蔽层叠体的显示装置。
附图说明
图1是本发明的电磁波屏蔽层叠体的一个实施形式的概略截面图。
具体实施方式
电磁波屏蔽层叠体
下面,在附图中示出本发明的实施形式相关的电磁波屏蔽层叠体,并加以详细说明。
第1实施形式
图1示出与本发明的第1实施形式相关的电磁波屏蔽层叠体1。其中,为了说明的方便,图1的各尺寸比与实际不同。该电磁波屏蔽层叠体1在透明的基材2上设置电磁波屏蔽膜100、·、·、·。
本实施形式中,电磁波屏蔽膜100是层叠了4层的结构。
基材
作为基材2的材质只要平滑透明,可以透过可见光线即可。例如,可以是塑料、玻璃等。
作为塑料,例如可以是聚对本二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、三乙酰纤维素、聚醚砜、聚甲基丙烯酸甲酯等。
基材2的厚度可以根据用途适当选定。例如,可以是薄膜,也可以是板状。另外,基材2可以由单一的层构成,也可以是多层的层叠体。
基材2也可以利用粘结剂等与其它玻璃板、塑料板等粘贴。例如,可以将薄膜状的塑料基材2与其它的塑料板、玻璃板等粘贴,也可以将玻璃板基材2与其它的玻璃板、塑料板等粘贴。
电磁波屏蔽膜
设置在基材2上的电磁波屏蔽膜100、·、·、·基本上分别由第1高折射率层31、设置在第1高折射率层31上的第1氧化物层32、设置在第1氧化物层32上的导电层33、以及设置在导电层33上的第2高折射率层35构成。该实施形式中,再进一步在导电层33和第2高折射率层35之间设置第2氧化物层34,分别由第1高折射率层31、第1氧化物层32、导电层33、第2氧化物层34、第2高折射率层35构成电磁波屏蔽膜100、·、·、·。
高折射率层
第1高折射率层31、·、·、·和第2高折射率层35、·、·、·由折射率为大于等于2.0的物质构成。该折射率最好为大于等于2.0、小于等于2.7。通过将第1高折射率层31、·、·、·或者第2高折射率35、·、·、·的折射率设为大于等于2.0,即使增加电磁波屏蔽膜100、·、·、·的层叠数,也可以维持高的可见光透射率。
另外,本说明书中的折射率(n)是指对波长550nm的折射率。
作为第1高折射率层31、·、·、·或第2高折射率层35、·、·、·的材料,可以举出例如氧化铌(n:2.35)、氧化钛(n:2.45)、氧化钽(n:2.1-2.2)等,其中较好为氧化铌、氧化钛,更好为氧化铌。
将第1高折射率层31、·、·、·或第2高折射率层35、·、·、·设为以氧化铌为主要成份的层,从而可以减小水的渗透量,提高电磁波屏蔽膜100、·、·、·的耐湿性。尤其是最好将第1高折射率层31、·、·、·或第2高折射率层35、·、·、·设为以氧化铌为主要成份的层,可增大上述效果。
另外,第1高折射率层31、·、·、·或第2高折射率层35、·、·、·可以是晶态,也可以是非晶态。其中,最好为非晶态。通过使第1高折射率层31、·、·、·或第2高折射率层35、·、·、·为非晶态,可以减小水通过晶界的渗透量、进一步提高电磁波屏蔽膜100、·、·、·的耐湿性。
第1高折射率层31、·、·、·的几何学的膜厚较好为20-50nm,更好为30-40nm。第2高折射率层35的几何学的膜厚较好为20-50nm,更好为30-40nm。
另外,本实施形式中,由于形成在透明的基材2上层叠4层电磁波屏蔽膜100的结构,因此在第1层的电磁波屏蔽膜100的第2高折射率层35上直接层叠第2层的电磁波屏蔽膜100的第1高折射率层31。此时,第2高折射率层35和第1高折射率31具有互相相同的组成。图1中,分别将第2高折射率层35和第1高折射率层31合并,示为整体成膜的高折射率层200、·、·、·。另外,根据需要,也可以将第1高折射率层31和第2高折射率层35通过2次或2次以上的操作成膜。
从降低可见光反射率、另外扩大获得低反射率的波长频带的观点,最好第1层的第1高折射率层31和最后一层的第2高折射率层35的各膜厚比高折射率层200、·、·、·要薄(约1/2左右的厚度)。另外,为了调整含有基材的全体光学特性,可以适当调整各层的膜厚。
作为第1高折射率层31、·、·、·或第2高折射率层35的形成方法,可以举出例如利用金属氧化物的还原性的靶的溅射法、离子镀法、蒸镀法、CVD法等。其中,利用金属氧化铌的还原性的靶通过溅射法来形成的方法,在将氧化铌层形成在导电层33、·、·、·上时,能防止导电层33、·、·、·的氧化,能高速且大面积均匀地形成,在这方面上是有利的。
另外,这里使用的氧化铌的还原性靶是对氧化铌在化学计算的成份上缺乏氧元素的靶。具体来讲最好是具有可以用Nb2Ox(0<X<5)式表示的成份,具有导电性,且可以利用直流溅射法放电、成膜。另外,也可以采用将金属铌作为靶,在氧气气氛下进行溅射的方法。
采用还原性靶的情况下,作为溅射气体最好采用含有5-20体积百分比的氧化性气体的惰性气体。作为氧化性气体,一般可以采用氧气,但也可以采用一氧化氮、二氧化氮、一氧化碳、二氧化碳、臭氧等。
氧化物层
第1氧化物层
第1氧化物层32、·、·、·由以氧化锌作为主要成份的物质构成。将氧化锌作为主要成份的物质,其晶体结构与构成导电层33、·、·、·的银的晶体结构相近。因此,若在由以氧化锌为主要成份的材料形成的氧化物层上层叠银,则可得到结晶性好的银。一般认为结晶性好的银可以降低移动的发生。综上所述,通过将第1氧化物层32、·、·、·采用以氧化锌为主要成份的材料,能够抑制银的移动,维持第1氧化物层32、·、·、·和导电层33、·、·、·之间的附着性。通过维持附着性,可以抑制水分的进入界面,提高银的耐湿性。在本发明的电磁波屏蔽膜100、·、·、·含有(由以氧化锌为主要成份的材料形成的)第2氧化物层时,即使在由结晶性好的银形成的导电层33、·、·、·和(由以氧化锌为主要成份的材料形成的)第2氧化物层34、·、·、·之间的界面,也同样可以维持附着性,使耐湿性更好。
这里,银的移动的含义是银扩散凝聚。若银凝聚,则耐湿性变得不好,同时凝聚的部分发白,外观变差。
以氧化锌为主要成份的物质的含义是氧化锌包含大于等于80原子百分比,最好是包含大于等于90原子百分比。具体来讲,可以例举有事实上仅仅由氧化锌(ZnO)形成,也可以是以氧化锌为主要成份、并含有氧化铝(Al2O3)的氧化物(下面用AZO表示),或以氧化锌为主要成份、并含有氧化钙(Ca2O3)的氧化物(下面用GZO表示)等。其中,AZO即GZO在氧化物层耐抗性方面较好,而AZO由于与银的晶体结构接近,所以最好。
包含在成膜的AZO中的铝对氧化铝和氧化锌的总量是1-10原子百分比较好,更好为2-6原子百分比。一般来讲,由氧化锌单体构成的膜的内部应力大。若内部应力大,则第1氧化物层32、·、·、·容易产生裂纹,水分容易通过该部分进入。
通过使氧化铝的含量为大于等于1原子百分比,可以降低第1氧化物层32、·、·、·的内部应力,可以减少产生裂纹的可能性。通过使氧化铝的含量为大于等于10原子百分比,可以保持氧化锌的晶体结构。
第1氧化物层32、·、·、·的几何厚度较好为大于等于2nm小于等于10nm,更好为大于等于3nm小于等于6nm。通过使第1氧化物层32、·、·、·的几何厚度为小于等于10nm,由于不损伤邻接的第1高折射率层31、·、·、·的效果,故较好。
导电层33、·、·、·中,衬底对获得结晶性良好的银影响很大,故第1氧化物层32、·、·、·的几何学厚度最好厚一些。本发明的电磁波屏蔽层叠体在具有第2氧化物层时,第1氧化物层32、·、·、·的几何学厚度最好比第2氧化物层34、·、·、·的几何学厚度要厚。
第1氧化物层32、·、·、·的形成方法,可以例举有真空蒸镀法,反应性蒸镀法、离子束蒸镀法、离子电镀法、溅射法等物理气相析出法、以及等离子CVD等化学气相析出法等。其中,DC溅射法的优点有比较容易控制膜厚、在低温基材上形成也能得到实用的膜强度、容易形成大面积、利用所谓的联机型设备则容易形成层叠膜等。
第2氧化物层
第2氧化物层34、·、·、·由以金属氧化物作为主要成份的物质构成。作为金属氧化物,比较好的例举有以氧化锌为主要成份的物质、以氧化钛为主要成份的物质、以及以氧化铟为主要成份的物质等。在第2氧化层34、·、·、·采用以氧化锌为主要成份的物质时,与第1氧化物层和由银形成的导电层33、·、·、·的界面的情况相同,在由结晶性好的银形成的导电层33、·、·、·与由氧化锌为主要成份的材料形成的第2氧化物层、·、·、·的界面,能够维持附着性,耐湿性更好,因此是比较好的。
作为第2氧化物层34、·、·、·,可以例举最好是以氧化钛、AZO、GZO、氧化铟为主要成份、并含有氧化锡(SnO2)的氧化物。其中,含有AZO、GZO的氧化物层在耐久性方面较好,AZO与银的晶体结构更相近,故最好。
包含在成膜的AZO中的铝对氧化铝和氧化锌的总量是1-10原子百分比较好,更好为2-6原子百分比。一般来讲,由氧化锌单体构成的膜的内部应力大。若内部应力大,则第2氧化物层34、·、·、·上容易产生裂纹,水分容易通过该部分进入。
通过使氧化铝的含量为大于等于1原子百分比,可以降低第2氧化物层34、·、·、·的内部应力,可以减少产生裂纹的可能性。通过使氧化铝的含量为小于等于10原子百分比,可以保持氧化锌的晶体结构。
第2氧化物层34、·、·、·的几何厚度较好为大于等于1nm小于等于6nm,更好为大于等于2nm小于等于4nm。
第2氧化物层34、·、·、·的形成方法,可以例举有真空蒸镀法、反应性蒸镀法、离子束蒸镀法、溅射法、离子镀法等物理气相析出法、以及等离子CVD等化学气相析出法等。其中,DC溅射法的优点有比较容易控制膜厚、在低温基材上形成也能得到实用的膜强度、容易形成大面积、以及利用所谓的联机型设备则容易形成层叠膜等方面。
导电层
导电层33、·、·、·由以银为主要成份的物质构成。这里,以银为主要成份的物质的含义是相对于该物质中包含的全部金属,银的含量大于等于99.8原子百分比。以银为主要成份的物质可以例举有银单体、以及在银中至少掺杂钯、铂、金、铱、铑、铜及铋中的一种金属的合金。通过银的含有量为大于等于99.8原子百分比,即使减薄导电层33、·、·、·的膜厚,也可以降低电磁波屏蔽层叠体1的电阻值。进而,由于即使减少电磁波屏蔽膜100、·、·、·的层叠数,也能降低电阻值,因此可以得到电阻值低、同时可见光透射率高的电磁波屏蔽层叠体1。
导电层33、·、·、·的银的含有量较好为大于等于99.8原子百分比,进而大于等于99.9原子百分比的银单体在成本方面最好。
导电层33、·、·、·的几何学膜厚最好为5-20nm。各导电层33的几何学膜厚相同或不相同都可以。
导电层33、·、·、·的形成可以用溅射法、蒸镀法等各种方法进行。尤其,从成膜速度快、同时可以形成大面积均匀厚度的均匀质量的层的观点来讲,最好由直流溅射法形成。
为了具有充分的电磁波屏蔽性能,在基材2上层叠的电磁波屏蔽膜100的层叠数最好在2层或2层以上。通过具有2层或2层以上,可以得到充分的电磁波屏蔽性能。作好层叠3层即3层以上。另外,由于可以维持高可见光透过性,因此电磁波屏蔽膜100的层叠数最好为小于等于8层。从上述的观点可以知道层叠数为大于等于3小于等于6是最好的。
显示装置
下面,详细说明与本发明的实施形式相关的显示装置。
第2实施形式
与本发明的第2实施形式相关的显示装置具有显示图像用的显示面板和在显示面板的观看侧设置的电磁波屏蔽层叠体。
作为显示装置,可以例举有等离子体显示板(PDP)、液晶显示装置(LCD)、场致发光显示器(ELD)、阴极射线管显示装置(CRT)等。
显示图像用的显示面板的观看侧一般由玻璃基板、塑料基板等透明基板构成。作为电磁波屏蔽层叠体,只要是本发明的电磁波屏蔽层叠体,则没有特别的限制,例如可以利用第1实施形式的电磁波屏蔽层叠体。
电磁波屏蔽层叠体可以与显示面板的观看侧表面用粘结剂直接粘贴,也可以与显示面板之间隔着间隙设置。
另外,也可以在显示面板的观看侧,另外设置由玻璃、塑料等构成的前面板,在前面板的观看侧或者显示侧直接粘贴电磁波屏蔽层叠体。另外,也可以在前面板的观看侧或者显示侧与前面板之间隔着间隙设置电磁波屏蔽层叠体。
第3实施形式
与本发明的第3实施形式相关的显示装置由显示图像用的显示面板和在显示面板的观看侧表面上设置的电磁波屏蔽层叠体构成。
作为这样的显示装置,可以例举有:
(1)电磁波屏蔽膜从显示面板的观看侧表面上依次具有:由折射率为大于等于2.0的物质形成的第1高折射率层、以氧化锌为主要成份的第1氧化物层、以银为主要成份的导电层及由折射率为大于等于2.0的物质形成的第2高折射率层的显示装置,
(2)该电磁波屏蔽膜在导电层和第2高折射率层之间具有第2氧化物层的显示装置,
(3)该电磁波屏蔽膜的第1或第2高折射率层是以氧化铌为主要成份的层的显示装置,
(4)该电磁波屏蔽膜的导电层的银的含有量为大于等于99.8原子百分比的显示装置,
(5)该电磁波屏蔽膜自基材侧层叠大于等于3层的显示装置等。
此时,显示面板的观看侧一般由玻璃基板、塑料基板等透明基板构成。
另外,作为电磁波屏蔽膜,可以利用例如第1实施形式的电磁波屏蔽膜100、·、·、·。此时,在显示面板的观看侧的表面上按第1高折射率层31、第1氧化物层32、导电层33、第2氧化物层34、第2高折射率层35的顺序层叠。
电磁波屏蔽膜可以利用蒸镀法、溅射法等直接在显示面板的观看侧表面上形成。
实施例
下面,利用实施例更详细地说明本发明。
实施例1
作为透明基材,使用了是高透射率的光学用途薄膜的聚对苯二甲酸乙二酯薄膜(下面用PET表示,厚度100μm)。
溅射成膜中使用了Web coater成膜装置(平野光音(株)社)。靶的尺寸是50mm×195mm,利用辊对辊方式输送基材,即送出长条卷成的薄膜基材,通过导向辊在简形辊位置上进行溅射,通过导向辊再次卷绕。溅射电源用DC放电(AE社MDX-10K、ENI社RPG-100)进行成膜。在薄膜基材上自基材侧开始,按高折射率层(1)/氧化物层(1)/导电层/氧化物层(2)/高折射率层(2)/氧化物层(1)/导电层/氧化物层(2)/高折射率层(2)/氧化物层(1)/导电层/氧化物层(2)/高折射率层(2)/氧化物层(1)/导电层/氧化物层(2)/高折射率层(1)的顺序,将电磁波屏蔽膜成膜为4层。详细的成膜条件在表1中示出。
表1
 电磁波屏蔽膜   靶材   溅射气体(Ar/O2cm3min-1)   溅射功率   成膜压力   膜厚
 高折射率层(1)   NS-NBO   93/7   0.50kW   0.399Pa   32nm
 氧化物层(1)   AZO   100/0   0.10kW   0.798Pa   3nm
 导电层   Ag   100/0   0.15kW   0.798Pa   16nm
 氧化物层(2)   AZO   100/0   0.10kW   0.798Pa   2nm
 高折射率层(2)   NS-NBO   93/7   0.50kW   0.399Pa   64nm
高折射率层(1)及高折射率层(2)是将氧化铌(旭硝子陶瓷社制NS-NBO)作为靶并以DC放电成膜的。氧化物层(1)及氧化物层(2)是将在氧化锌上添加3质量百分比的氧化铝的材料(旭硝子陶瓷社制)作为靶并以DC放电成膜的。另外,导电层是将纯度99.9原子百分比的银用作靶并以DC放电成膜的。
另外,获得的电磁波屏蔽层叠体的氧化物层中的锌和铝的含有率与靶中所含的锌和铝的含有率几乎相同。
通过调整基材的传送速度来调整成膜速度,对于成膜速度慢的材料,重复多次来回成膜,获得所希望的膜厚。利用触针式膜厚计(Dektak3st ULVAC社代理店)测定了膜厚。获得的膜厚的结果在表1中示出。
评价
(1)可见光透射率
利用朝日分光社制Model304型透射率计测量获得的电磁波屏蔽层叠体的可见光透射率。可见光透射率的测量结果在表2中示出。
(2)电阻值
利用DELCOM社制717conductance monitor车辆获得的电磁波屏蔽层叠体的电阻值。电阻值的测量结果在表2中示出。
(3)耐湿性
在耐湿性的评价中使用了NaCl试验。首先,将2质量百分比的1微升NaCl水溶液滴入电磁波屏蔽层叠体的电磁波屏蔽膜上以后,进行干燥。然后,将带有粘接材料(ポラテクノ社制ADC2或者有泽制作所制PTR2500,厚25微米)的PET薄膜(厚度100微米)粘贴到电磁波屏蔽膜上,并在温度为60℃、相对湿度为95%的恒温恒湿槽中保存100小时后,取出并剥掉PET薄膜。用游标卡尺测量了老化剥离的部分的面积。老化面积的测量结果在表2中示出。
比较例1
在高折射率层(1)上不形成氧化物层(1),而是以与实施例1相同的成膜条件在高折射率层(1)上直接形成导电层。制作电磁波屏蔽层叠体的其它条件与实施例1相同。
利用与实施例1相同的方法对获得的电磁波屏蔽层叠体的可见光透射率、电阻值、耐湿性进行评价。可见光透射率、电阻值、耐湿性的测量结果在表2中示出。
比较例2
不形成氧化物层(1)和氧化物层(2),而是以与实施例1相同的成膜条件在高折射率层(1)和高折射率层(2)之间直接形成导电层。制作电磁波屏蔽层叠体的其它条件与实施例1相同。
利用与实施例1相同的方法对获得的电磁波屏蔽层叠体的可见光透射率、电阻值、耐湿性进行评价。可见光透射率、电阻值、耐湿性的测量结果在表2中示出。
表2
  透射率(%)   电阻值(Ω)   老化面积(mm2)
  实施例1   57.3   0.69   17
  比较例1   54.8   0.76   109
  比较例2   51.8   0.78   657
比较实施例1和比较例1的结果可以确认,实施例1的可见光透射率、电阻值与比较例1几乎相同,实施例1是良好的电磁波屏蔽层叠体。另外,关于利用NaCl试验的老化面积,实施例1的老化面积是比较例1的老化面积的1/6,可以确认实施例1在耐湿性方面更好。另外,从该结果可以确认,通过在高折射率(1)和导电层之间形成氧化物层(1),可以提高电磁波屏蔽膜的耐湿性。
接着,比较实施例1和比较例2的结果可以确认,实施例1的可见光透射率、电阻值与比较例2几乎相同,然而,在利用NaCl试验的老化面积方面,实施例1的老化面积是比较例2的老化面积的1/38,实施例1在耐湿性方面更好。另外,从该结果可以确认,高折射率层(1)和氧化物层(2)的存在大大有助于提高电磁波屏蔽膜的耐湿性。
从以上的结果可以确认,实施例1获得的电磁波屏蔽层叠体是可见光透射率高、电阻值低、而且耐湿性也好的电磁波屏蔽层叠体。
实施例2
除了将成膜条件设定为表3中示出的条件以外,制作电磁波屏蔽层叠体的条件与实施例1相同。
利用与实施例1相同的方法评价了获得的电磁波屏蔽层叠体的耐湿性。耐湿性的评价结果在表6中示出。
表3
 电磁波屏蔽膜   靶材   溅射气体(Ar/O2cm3min-1)   溅射功率   成膜压力   膜厚
 高折射率层(1)   NS-NBO   85/15   0.50kW   0.399Pa   30nm
 氧化物层(1)   AZO   100/0   0.10kW   0.798Pa   5nm
 导电层   Ag   100/0   0.15kW   0.798Pa   16nm
 氧化物层(2)   AZO   100/0   0.10kW   0.798Pa   2nm
 高折射率层(2)   NS-NBO   85/15   0.50kW   0.399Pa   60nm
实施例3
除了将成膜条件设定为表4中示出的条件以外,制作电磁波屏蔽层叠体的条件与实施例1相同。
利用还原型氧化钛(TXO)靶(旭硝子陶瓷社制),以DC放电成膜高折射率层(1)和(2)。
利用与实施例1相同的方法评价了获得的电磁波屏蔽层叠体的耐湿性。耐湿性的评价结果在表6中示出。
表4
 电磁波屏蔽膜   靶材   溅射气体(Ar/O2cm3min-1)   溅射功率   成膜压力   膜厚
 高折射率层(1)   TXO   93/7   10.0kW   0.399Pa   30nm
 氧化物层(1)   AZO   100/0   0.10kW   0.798Pa   5nm
 导电层   Ag   100/0   0.15kW   0.798Pa   16nm
 氧化物层(2)   AZO   100/0   0.10kW   0.798Pa   2nm
 高折射率层(2)   TXO   93/7   10.0kW   0.399Pa   60nm
比较例3
将成膜条件设定为表5中示出的条件,并且将高折射率层(1)和(2)替换为AZO层(折射率:1.93)(1)和(2),除此以外,制作电磁波屏蔽层叠体的条件与实施例1相同。
利用在氧化锌中添加3质量百分比的氧化铝(旭硝子陶瓷社制)的靶,以DC放电成膜AZO层(1)和(2)。
另外,获得的电磁波屏蔽层叠体的氧化物层中的锌和铝的含有率与靶中所含的锌和铝的含有率几乎相同。
利用与实施例1相同的方法评价了获得的电磁波屏蔽层叠体的耐湿性。耐湿性的评价结果在表6中示出。
表5
  电磁波屏蔽膜   靶材   溅射气体(Ar/O2cm3min-1)   溅射功率   成膜压力   膜厚
  AZO层(1)   AZO   97/3   0.50kW   0.399Pa   30nm
  氧化物层(1)   AZO   100/0   0.10kW   0.798Pa   5nm
 导电层   Ag   100/0   0.15kW   0.798Pa   16nm
 氧化物层(2)   AZO   100/0   0.10kW   0.798Pa   2nm
 AZO层(2)   AZO   97/3   0.50kW   0.399Pa   60nm
表6
 老化面积(mm2)
  实施例2   8.2
  实施例3   21.7
  比较例2   71.9
在利用氧化铌作为高折射率层的材料的实施例2与利用氧化钛作为高折射率层的材料的实施例3中,只有滴下NaCl的周边老化,老化面积小。比较氧化铌和氧化钛,老化面积是用氧化铌的一方小,耐久性也更好。将高折射率层替换为AZO层的比较例3中,不仅是滴下NaCl的周围老化,而且从滴下部分到成膜面的很宽的区域中产生裂缝,老化面积增大。
工业上的实用性
本发明的电磁波屏蔽层叠体可以用作为显示装置等的滤光片。
标号说明
1电磁波屏蔽层叠体
2基材
31第1高折射率层
32第1氧化物层
33导电层
34第2氧化物层
35第2高折射率层
100电磁波屏蔽膜
200整体成膜的高折射率层

Claims (10)

1.一种在透明的基材上设置电磁波屏蔽膜的电磁波屏蔽层叠体,其特征在于,
所述电磁波屏蔽膜从所述基材侧依次具有:由折射率为大于等于2.0的物质形成的第1高折射率层;
以氧化锌为主要成份的第1氧化物层;
以银为主要成份的导电层;以及
由折射率为大于等于2.0的物质形成的第2高折射率层。
2.如权利要求1所述的电磁波屏蔽层叠体,其特征在于,
所述电磁波屏蔽膜在所述导电层和所述第2高折射率层之间具有第2氧化物层。
3.如权利要求1或2所述的电磁波屏蔽层叠体,其特征在于,所述第1或第2高折射率层是以氧化铌为主要成份的层。
4.如权利要求1、2或3所述的电磁波屏蔽层叠体,其特征在于,所述导电层的银的含有量为大于等于99.8原子百分比。
5.如权利要求2-4中任一项所述的电磁波屏蔽层叠体,其特征在于,所述第2氧化物层是以氧化锌为主要成份的氧化物层。
6.如权利要求1-5中任一项所述的电磁波屏蔽层叠体,其特征在于,所述电磁波屏蔽膜从所述基材侧层叠3层或3层以上。
7.一种在透明的基材上电磁波屏蔽膜层叠2层或2层以上的电磁波屏蔽层叠体,其特征在于,
所述电磁波屏蔽膜从所述基材侧依次具有:由折射率为大于等于2.0的物质形成的第1高折射率层;
以氧化锌为主要成份的第1氧化物层;
以银为主要成份的导电层;以及
由折射率为大于等于2.0的物质形成的第2高折射率层,
其中所述电磁波屏蔽膜之间直接接触的所述第1高折射率层和所述第2高折射率层由一层整体成膜的层形成。
8.如权利要求7所述的电磁波屏蔽层叠体,其特征在于,所述各电磁波屏蔽膜在所述导电层和所述第2高折射率层之间具有第2氧化物层。
9.如权利要求7或8所述的电磁波屏蔽层叠体,其特征在于,所述第1或第2高折射率层是以氧化铌为主要成份的层。
10.一种显示装置,其特征在于,具有显示图像用的显示面板,和
在该显示面板的观看侧设置的如权利要求1-9中任一项所述的电磁波屏蔽层叠体。
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