CN1805126A - 基片处理设备 - Google Patents

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CN1805126A CN 200510137082 CN200510137082A CN1805126A CN 1805126 A CN1805126 A CN 1805126A CN 200510137082 CN200510137082 CN 200510137082 CN 200510137082 A CN200510137082 A CN 200510137082A CN 1805126 A CN1805126 A CN 1805126A
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Abstract

基片处理设备包括用于接纳各自存放多张基片的整体容器的存放区、用于整体地处理多张基片的第一处理区、用于一次处理一张基片的第二处理区、以及用于在整体容器、第一处理区和第二处理区之间输送诸基片的输送装置。可以按整体地处理多张基片的方式和/或一次处理一张基片的方式处理基片。

Description

基片处理设备
技术领域
本发明涉及关于处理例如半导体晶片、用于液晶显示器的玻璃基片等(以下简称为基片)的基片的一基片处理设备。
发明背景
对于多种类型的基片处理设备,可以将处理方式广泛地分类为关于整体地处理许多(例如25)基片的批量方式和关于一次处理一基片的逐片方式。
在批量方式中,将处理中的许多基片全部浸在储存在处理箱内的处理溶液中。该方式具有基片处理的极好的大量生产特性,并保证基片处理的极好的大量生产特性,并保证基片处理的均匀质量(如日本待审查的专利公开号2001-196342所揭示的)。
在逐片或单张基片处理方式中,将处理溶液施加于在水平状态中旋转的用于处理的单张基片。这方式能够以较高精度处理基片(如在日本待审查的专利公开号2000-070873中所揭示的)。
这两方式在处理的特点上都具有优点和缺点。按照处理所要求的内容采用各方式。
在这些方式中可工作的传统设备具有下列缺点。
对于批量处理方式,有时基片显示出处理质量的不令人满意的结果。尤其是当基片的清洁工作不恰当时,在批量方式中处理的基片必须在单片方式中进一步处理,以提高处理的质量。
此外,在一系列处理过程中需要以组合的两方式处理基片时,必须制造得到为该两不同方式所设计的分开的诸基片处理设备。这造成较大安装空间的不方便和增加成本。并且,在这些基片处理设备之间输送基片时,基片一旦运动到一台设备之外,从而就面对被污染的可能。
发明内容
考虑到上述技术状态产生了本发明,它的目的是提供在关于批量方式中的处理基片的一第一处理区和关于单片方式中的处理基片的一第二处理区的一个或两个中处理基片的一基片处理设备。
按照本发明通过一基片处理设备完成了上述目的,该设备包括用于支持储存许多基片的容器的容器台;基片处理区,该区包括用于整体地处理许多基片的一第一处理部分和一次处理一张基片的一第二处理部分;在容器台、第一处理部分和第二处理部分之间输送基片的输送机构;以及用于根据基片处理状态控制用于在容器台、第一处理部分和第二处理部分之间输送基片的输送机构的输送工作的控制装置。
按照本发明,基片处理区包括用于整体地处理许多基片的一第一处理部分和用于一次处理一张基片的一第二处理部分。输送机构在控制装置的控制下从容器台将基片输送到第一处理部分或第二处理部分。从而,一基片处理设备能够以整体地处理许多基片的方式和一次处理一张基片的方式进行清洁、蚀刻、剥离和干燥处理。这样,可以用高精度处理基片。
可以将基片处理区分为两区域,第一处理部分和第二处理部分被设置成相互相对。第一处理部分被置于其中一个区域内,第二处理部分被置于另一区域内。基片处理部分被分为两个区域。第一处理部分和第二处理部分被设置在各自的区域内、相互相对。这提供了在布置基片处理区方面的较高效率,以实现较小的占地面积。输送机构的输送工作包含较少量的运动,以实现极好的输送效率。
该设备还可以包括在上述两区域之间的一分隔件。该分隔件将在诸相应区域内的环境分开,防止一区域的环境气体扩展到另一区域。从而,在这些区域中设置的第一和第二处理部分的每一部分中可以适当地处理基片。
第一处理部分可以包括用于用处理溶液处理处于垂直姿态中的多张基片的处理单元;用于在处理单元内进行处理之后干燥处于垂直姿态中的多张基片的干燥单元;用到达/离开输送机构传送和接受多张基片的、以及在水平姿态和垂直姿态之间改变多张姿态变换机构;以及用于到达/离开姿态变换机构传送和接受多张基片的、以及在处理单元和干燥单元之间输送基片的一第一处理部分的输送机构。
在第一处理部分和输送机构之间输送基片的过程中,姿态变换机构整体地改变多张基片的姿态。这提供了对处理处于垂直姿态中的多张基片的处理单元或干燥单元输送基片的方便性。第一处理部分的输送机构和在到达/离开姿态变换机构传送和接受基片时在处理单元和干燥单元之间输送基片。这进一步提高了在第一处理部分中的输送效率。
第二处理部分可以包括用于一次处理一张基片的单张基片处理单元、以及用于在输送机构和单张基片处理单元之间输送基片的一第二处理部分的输送机构。在输送机构和单张基片处理单元之间输送基片的第二处理部分的输送机构进一步提高了在第二处理部分内的输送效率。
包括在第一处理部分内的姿态变换机构可以是一第一姿态变换机构,以及该设备可以进一步包括横跨基片处理区与输送机构相对设置的、用于在第一处理部分和第二处理部分之间输送基片、以及在水平姿态和垂直姿态之间改变多张基片的一第二姿态变换机构。在第一处理部分和第二处理部分之间输送基片的过程中,第二姿态变换机构整体地改变多张基片的姿态。这提供了在第一处理部分和第二处理部分之间输送基片的方便性。对于横跨基片处理区与输送机构相对设置的第二姿态变换机构,第二姿态变换机构不可能与输送机构干涉。从而,可以相互单独地控制输送机构和第二姿态变换机构的输送操作。
输送机构可以被设置成将在第一处理部分处理过的基片输送到第二处理部分。以整体地处理多张基片的方式处理过的基片可以连续地以一次处理一张基片的方式进行处理。
输送机构可以被设置成将在第二处理部分处处理过的基片输送到第一处理部分。可以将以一次处理一张基片的方式处理过的基片连续地以整体地处理多张基片的方式进行处理。
在本发明的另一方面,基片处理设备包括用于接受存放多张基片的容器的存放区;用于整体地处理多张基片的一第一处理区;用于对多张基片一次处理一张基片的一第二处理区;以及用于在被接纳在存放区中的容器、第一处理区和第二处理区之间输送基片的输送区。
按照本发明,带有第一处理区和第二处理区的设备可以按整体地处理多张基片的方式和一次处理一张基片的方式处理基片。并且,将容纳容器的存放区的环境空气保持清洁。
第二处理区可以设置在第一处理区和存放区之间,输送区可以设置在第一处理区和存放区之间、并与第二处理区相对。在这布局中,由第一处理区、第二处理区和存放区包围输送区,这实现了缩短的输送路径。因此,可以有效地输送基片。
可以沿着基片处理设备的一长侧设置第一处理区、第二处理区和存放区。这布局允许基片处理设备的短侧比在存放区的一侧设置第一处理区和第二处理区的场合更短。还能够消除死角,用于缩小设备的占地面积。
按本发明的又一方面,基片处理设备包括用于支持存放多张基片的容器的容器台;用于整体处理多张基片的一第一处理区;用于对多张基片一次处理一张基片的一第二处理区;以及在容器台上放置的容器、第一处理区和第二处理区之间输送基片的输送区;其中第二处理区设置在第一处理区和容器台之间,以及输送区设置在第一处理区和容器台之间并与第二处理区相对。
按照本发明,带有第一处理区和第二处理区的设备能够以整体地处理多张基片的方式和一次处理一张基片的方式处理基片。并且,由第一处理区、第二处理区和存放区包围输送区,这实现了缩短的输送路径。因此,可以有效地输送基片。
按照本明的又一方面,基片处理设备包括用于支持存放多张基片的容器的容器台;用于整体地处理多张基片的一第一处理区;用于对多张基片一次处理一张基片的一第二处理区;以及用于在容器台上放置的容器、第一处理区和第二处理区之间输送基片的输送区;其中沿着基片处理设备的一长侧依次设置第一处理区、第二处理区和容器台。
按照本发明,带有第一处理区和第二处理区的设备可以按整体地处理多张基片的方式和一次处理一张基片的方式处理基片。并且,上述布局允许基片处理设备的短侧比在存放区的一侧设置第一处理区和第二处理区的场合更短。还能够消除死角,以缩小设备的占地面积。
可以将第一处理区设置成整体地清洁和干燥多张基片,以及第二处理区用于一次清洁和干燥一张基片。从而,可以按整体处理多张基片的方式和一次处理一张基片的方式清洁和干燥基片。
第二处理区可以被设置成清洁各基片的后表面上的至少边缘区域。
第二处理区还可以被设置成对多张基片一次蚀刻一张基片。
输送区可以被设置成从第二处理区输送在第二处理区内处理过的基片到达第一处理区。按照以这方式输送基片,在第一处理区内处理在第二处理区内已处理过的基片。
输送区可以被设置成从第一处理区输送在第一处理区内处理过的基片到达第二处理区。按照以这方式输送基片,在第二处理区内处理在第一处理区内已处理过的基片。
输送区可以被设置成从容器输送基片到达第二处理区,从第二处理区输送在第二处理区内处理过的基片到达第一处理区、以及从第一处理区输送在第一处理区内处理过的基片到达容器。按照以这方式输送基片,要被处理的、存放在容器内的基片在第一处理区内然后在第二处理区内处理,以及随着处理过的基片返回进入容器装载经历过这些处理的基片。
输送区可以包括用于整体地输送多张基片的输送区的输送机构;以及第二处理区可以包括用于一次清洁和干燥一张基片的单张基片处理部分、用于保持多张基片的第二处理区的基片架、以及用于在单张基片处理部分和第二处理区的基片架之间对多张基片一次输送一张基片的第二处理区的输送机构;该输送区的输送机构整体地将多张基片放置在第二处理区的基片架上和从该基片架得到多张晶片。具有输送区的输送机构的输送区整体地将多张基片输送到第二处理单元。这提供了输送基片的较高效率。第二处理区具有用于保持多张基片的、能够传送和接受基片到达/离开输送区的输送机构的第二处理区的基片架。第二输送区还具有用于对多张基片一次输送一张基片的第二输送区的输送机构。从而,能够在第二处理区的基片架和单张基片处理部分之间输送基片。
第二处理区的基片架可以包括用于在单张基片处理部分内处理之前保持多张基片的预定处理基片架,以及用于在单张基片处理部分内处理之后保持多张基片的后处理基片架;第二处理区的的输送机构对于多张基片从预处理基片架一次输送一张基片到达单张基片处理部分、以及对多张基片从单张基片处理部分一次将一张基片输送到后处理基片架;输送区的输送机构整体地将多张基片放置在预处理基片架上、以及从后处理基片架整体地取得多张基片。对于包括预处理基片架和后处理基片架的第二处理区的基片架,将输送进入第二处理区的基片放在一架子上,同时将从第二处理区输出的基片放在另一架子上。这样,在第二处理区内处理过的基片不被将要在第二处理区内处理的基片污染。
在输送区的输送机构能够输送N张基片的场合,预处理基片架在后处理基片架的各基片架可以保持数量为N的多倍的基片。从而,预处理基片架的后处理基片架的各基片架能够持有对应于由输送区的输送机构输送的数量的N倍的基片。
单张基片处理部分可以包括设置在多排中和多层中的多个处理单元,第二处理区的输送机构从预处理基片架对多张基片一次输送一张基片到达各处理单元,以及从各处理单元对多张基片一次输送一张基片到达后处理基片架。带有多个处理单元的单张基片处理部分具有较大的处理容量。由于诸处理单元垂直堆置,避免了占地面积的增加。
输送区可以包括用于整体地输送多张基片的输送区的输送机构;以及第一处理区可以包括整体地用液体处理和干燥多张基片的批量处理部分、用于保持多张基片的一第一处理区的基片架、以及用于在批量处理区和第一处理区的基片架之间整体地输送多张基片的一第一处理区的输送机构;输送区的输送机构整体地将多张基片放置在第一处理区的基片架上和从该基片架取得多张基片。对于这结构,输送区能够通过第一处理区的基片架适当地将基片输送到第一处理区。第一处理区的输送机构能够在批量处理区和第一处理区的基片架之间适当地输送基片。
输送区的输送机构可以被设置成传送和接受处于水平姿态中的基片到达/离开第一处理区的基片架;第一处理区的输送机构可以被设置成传送和接受处于垂直姿态的基片到达/离开第一处理区的基片架;以及第一处理区的基片架可以被设置成在水平姿态和垂直姿态之间整体地改变多张基片以便传送到输送区的输送机构和第一处理区的输送机构。整体地输送处于水平姿态中的多张基片的输送区的输送机构能够方便地将基片输送到存放处于水平姿态的多张基本的容器和从该容器输送基片,以及到达保持处于水平姿态的多张基片的第二处理区的基片架和从该基片架输送基片。整体地输送处于垂直姿态中的多张基片的第一处理区的输送机构能够方便地将基片输送到第一处理区的基片架和从该基片架输送基片。以及到达整体地处理处于垂直姿态的多张基片的批量处理区和从该处理区输送基片。按照本发明,第一处理区的基片架在输送区的输送机构和第一处理区的输送机构之间传送基片的过程中在水平姿态和垂直姿态之整体地改变多张基片。因此,能够在输送区的输送机构和第一处理区的输送机构之间方便地传送基片。
按照本发明的设备还可以包括将存放区与第二处理区和输送区分隔开的、以及形成与存放区中的容器相对的用于允许基片通过的通道口的分隔件,以及用于打开和关闭通道口的活门件,输送区被设置成通过通道口装载和卸载基片进入/离开存放区中的容器。分隔件和活门防止存放区的环境空气流入第二处理区和输送区。横跨第二处理区与存放区相对设置第一处理区像第二处理区和输送区那样存放区的环境气体隔开。从而,在从容器接纳基片的输送区中,或在第一和第二处理区,基片决不会被存放区的环境气体污染。
容器可以具有形成在它的一侧面的一孔口、以及用于打开和关闭的盖子,活门件具有用于连接、拆卸和保持在存放区中的容器的盖子的连接/拆卸和保持机构。由打开和关闭分隔件中通道口的活门件可拆卸容器的盖子。从而,容器的内部仅仅对输送区打开。由于容纳容器的存放区的环境空气不流入容器,在容器中的基片不受污染。
按照本发明的又一方面,基片处理设备包括用于接受各自存放多张基片的诸容器的存放区;用于整体地处理多张基片的一第一处理区;以及对于多张基片一次处理一张基片的一第二处理区;存放区包括用于保持从第一处理区可到达的容器的一第一台;用于保持从第二处理区可到达的容器的一第二台;用于在第一台和第二台之间输送容器的容器输送装置;其中第一处理区包括用于装载和卸载基片进入/离开在第一台上放置的容器的一第一输送机构;以及第二处理区包括用于装载和卸载基片进入/离开在第二台上放置的容器一第二输送机构。
按照本发明,带有第一处理区和第二处理区的设备能够以整体地处理多张基片的方式和一次处理一张基片的方式处理基片。并且,接纳容器的存放区的环境空气保持清洁。
而且,第一处理区和第二处理区被设置成借助于存放区在它们之间输送基片。基片决不在第一处理区和第二处理区之间直接传送。因此,可以相互单独地控制第一处理区和第二处理区,而不要求在该两处理区之间协调。即使在单独控制第一处理区和第二处理区的场合,可以通过控制存放区协调和控制该两处理区。
第一处理区和第二处理区分别包括第一输送机构和第二输送机构。这样,可以在存放区和第一处理区之间、以及在存放区和第二处理区之间输送基片。
容器输送装置可以被设置成从第二台将存放已在第二处理区内处理过的基片的容器输送到第一台。通过以这方式输送基片,可以在第一处理区内处理已在第二处理区内处理过的基片。
容器输送装置可以被设置成从第一台输送存放已在第一处理区内处理过的基片的容器到达第二台。通过以这方式输送基片,可以在第二处理区内处理已在第一处理区内处理过的基片。
可以在存放区的一侧设置第一处理区和第二处理区。这布局便于在存放区和第一处理区之间和在存放区和第二处理区之间传送基片。
第一处理区和第二处理区可以相互相对。对于这布局,易于从在这两处理区之间设置的存放区将基片输送到第一处理区和第二处理区。
存放区还可以包括用于保持多个容器的架子,容器输送装置具有将容器输送到该架子和从该架子输送容器的又一功能。用可到达容器输送装置的架子,存放区能够以方便的方式接纳容器。
架子可以设置在第一台和第二台之间的容器输送路径上。这布局允许容器输送装置易于到达架子。
由于沿着容器输送装置的容器输送路径设置,因此架子可以被设置成保持多个容器。从而,容器输送装置能够到达更多数量的容器,因此增加了输送的数量。由于这些容器全部设置在输送路径上,也提高输送效率。
容器输送装置可以包括用于在第一台和架子之间输送容器的一第三输送机构,以及在第二台和架子之间输送容器的一第四输送机构。分开的第三和第三输送机构能够单独地在第一台和架子、以及在第二台和架子之间输送容器,这提高了输送效率。
第三输送机构可以沿着架子的一侧运动,用于将容器装载在一侧处的架子上和从该架子卸载容器,以及第四输送机构沿着架子的另一侧可动,用于将容器装载在另一侧处的架子上和从该架子卸载容器。
由于第三输送机构和第四输送机构具有不同的输送路径,在第三输送机构和第四输送机构的操作之间不发生干涉。由于架子是从两侧通入,因此第三输送机构和第四输送机构的输送路径可以沿着架子形成。这布局保证了较高的输送效率。
第二台可以包括在架子的延伸范围上设置的多个台架,第四输送机构可以沿着架子的远离第一处理区的另一侧运动。对于在架子的延伸范围上设置的第二台,第四输送机构的输送路径可以被形成为直线。多个第二台允许在存放区和第二处理区之间增加输送的基片数量。
按照本发明的设备还可以包括将存放区与第一处理区分开的、以及形成与第一台上放置的容器相对的、用于允许基片通过的一第一通道口的一第一分隔件;用于打开和关闭第一通道口的一第一活门件;将存放区与第二处理区分开、以及形成与第二台上放置的容器相对的、用于允许基片通过的一第二通道口的一第二分隔件;以及用于打开和关闭第二通道口的一第二活门件;第一输送机构被设置成通过第一通道口整体地将多张基片装载和卸载进入/离开第一台上的容器;第二输送机构被设置成通过第二通道口对于多张基片一次将一张基片装载和卸载进入/离开在第二台上的多个容器。第一和第二分隔件和第一和第二活门件防止存放区的环境气体流入第一和第二处理区。这样,在接纳来自容器的基片的第一和第二处理区内,基片决不会被存放区的环境气体污染。
各容器可以具有在它的一侧面内的一孔口、以及用于关闭和打开该孔口的一盖子;第一活门件具有用于连接、拆卸和保持盖子的一第一连接/拆卸和保持机构;第二活门件具有用于连接、拆卸和保持盖子的一第二连接/拆卸和保持机构。用第一和第二连接/拆卸和保持机构,通过打开和关闭第一和第二通道口的第一和第二活门件各容器的盖子是可拆卸的。这样,仅仅对第一和第二处理区打开各容器的内部。由于接纳容器的存放区的环境气体不流入容器,因此容器内的基片不被污染。
第一处理区可以被设置成用于整体地清洁和干燥多张基片,以及第二处理区用于对多张基片一次清洁和干燥一张基片。那么,可以按照整体地处理多张基片的方式和按照一次处理一张基片的方式清洁和干燥容器。
第二处理区可以被设置成清洁各基片的背面上的至少边缘区域。
按照本发明的一不同方面,基片处理设备包括用于接受各自存放多张基片的诸容器的存放区;用于整体地处理多张基片的一第一处理区;用于对多张基片一次处理一张基片的一第二处理区;存放区包括用于保持从第一处理区可到达的容器的一第一台、用于保持从第二处理区可到达的容器的一第二台、用于保持从基片处理设备外部可到达的容器的一第三台、以及用于在第一台、第二台和第三台之间输送容器的容器输送装置;其中第一处理区包括用于装载和卸载基片进入/离开在第一台上放置的容器的一第一输送机构;以及第二处理区包括用于装载和卸载基片进入/离开在第二台上放置的容器的、以及设置在第一处理区和第三台之间的一第二输送机构。
按照本发明的另一方面,基片处理设备包括用于接受各自存放多张基片的容器的存放区;用于整体地处理多张基片的一第一处理区;对于对多张基片一次处理一张基片的一第二处理区;存放区包括用于保持从第一处理区可到达的容器的一第一台、用于保持从第二处理区可到达的容器的一第二台、以及用于在第一台和第二台之间输送容器的容器输送装置;第一处理区包括用于装载和卸载基片进入/离开在第一台上放置的容器的一第一输送机构、用于整体地用溶液处理或干燥多张基片的批量处理部分;其中第二处理区包括用于装载和卸载基片进入/离开在第二台上放置的容器的、以及放置在其中设置批量处理部分的一方向和延伸范围上的一第二输送机构。
按照本发明,带有第一处理区和第二处理区的能够以整体地处理多张基片的方式和一次处理一张基片的方式处理基片。并且,接纳容器的存放区的环境空气保持清洁。
而且,将第一处理区和第二处理区设置成通过存放区在它们之间输送基片。基片决不直接在第一处理区和第二处理区之间传送。因此,即使在单独控制第一处理区和第二处理区的场合,通过控制存放区可以协调和调节这两处理区。
在第一处理区和第三台之间或在其中设置批量处理部分的方向的延伸范围上设置第二处理区的场合,基片处理设备的短侧能够比在存放区一侧设置第一处理区和第二处理区的场合更短。还能够消除死角,以缩小设备的占地面积。
第一处理区和第二处理区分别包括第一输送机构和第二输送机构。这样,可以在存放区和第一处理区之间和在存放区和第二处理区之间输送基片。
放在第一台和第二台上的容器可以具有面对相同方向的基片装载和卸载平面。从而,不要求容器输送装置围绕存放区转动容器。
按照本发明的设备还可以包括沿着容器输送装置的输送路径用于保持多个容器(当放置在其上时)的多个架子,容器输送装置输送容器到达和离开该架子。
用存放区中设置的架子,存放区可以按方便的方式接纳容器。容器输送装置能够到达更多数量的容器,从而增加输送的数量。由于这些容器全部设置在输送路径上,还提高了输送效率。
架子可以设置在第一处理区和第三台之间、并与第二处理区相对的位置中。存放区传送和接受基片到达和离开第一处理区以及第二处理区,因此包括与第二处理区相对的一部分。存放区通过在那部分内安装架子能够被制造得较紧凑。
诸架子可以具有起到第一台作用的它的一侧端。用位于与第一处理区相对的、起到第一台作用的的侧端处的其中一个架子,存放区可以被形成为比与架子分开设置第一台的场合更紧凑。
第二台可以设置在架子的延伸范围上。用设置在架子的延伸范围上的第二台,容器输送装置的输送路径可以形成为直线。
第二台可以包括垂直设置的多个台架。多个第二台允许增加在存放区和第二处理区之间输送的基片的数量。由于诸第二台垂直设置,避免了增加占地面积。
按照本发明的设备还可以包括将存放区与第一处理区分开的、以及形成与放在第一台上的容器相对的一第一通道口、用于允许基片通过的一第一分隔件;用于打开和关闭第一通道口的一第一活门件;将存放区与第二处理区分开的、以及用于形成与放在第二台上的容器相对的一第二通道口、用于允许基片通过的一第二分隔件;以及用于打开和关闭第二通道口的一第二活门件;第一输送机构被设置成通过第一通道口整体地装载和卸载基片进入/离开在第一台上的容器;第二输送机构被设置成通过第二通道口对多张基片一次装载和卸载一张基片进入/离开在第二台上的容器。第一和第二分隔件和第一和第二活门件防止存放区的环境气体流入第一和第二处理区。从而,在从容器接受基片的第一和第二处理区中,基片决不会被存放区的环境气体污染。
各容器可以具有在它的一侧形成的一孔口,以及包括用于关闭该孔口的盖子;第一活门件具有用于连接、拆卸和保持盖子的一第一连接/拆卸和保持机构;第二活门件具有用于连接、拆卸和保持盖子的一第二连接/拆卸和保持机构。用所提供的第一和第二连接/拆卸和保持机构,通过打开和关闭第一和第二通道口的第一和第二活门件容器的盖子是可拆卸的。从而,仅仅对第一和第二处理区打开容器的内部。由于接纳容器的存放区的环境气体不流入容器,因此容器内的基片不被污染。
第一处理区可以被设置成整体地清洁和干燥多张基片,以及第二处理区用于对多张基片一次清洁和处理一张基片。从而,可以按整体地处理多张基片的方式和按一次处理一张基片的方式清洁和干燥基片。
第二处理区可以被设置成清洁各基片的背面的至少边缘区域。
附图简述
为了示出本发明的目的,在附图中示出了目前较佳的若干形式,但是应该理解本发明不局限于所示的特定结构和措施。
图1是实施例1中的基片处理设备的示意平面图;
图2A是当支持基座处于水平状态时一第一姿态变换器的平面图和侧视图;
图2B是当支持基座处于垂直状态时第一姿态变换器的平面图和侧视图;
图3A是用于传送基片的一第一推动件和第一姿态变换器的前视图;
图3B是用于传送基片的第一推动件和第一姿态变换器的前视图;
图4A是示出在第一推动件和批量输送机构之间传送一组基片的前视图;
图4B是示出在第一推动件和批量输送机构之间传送该组基片的前视图;
图5是干燥单元的示意剖视图;
图6A是清洁单元的示意图;
图6B是示出在提升器和批量输送机构之间传送一组基片的示意图;
图7是清洁和干燥单元的示意图;
图8是示出基片处理设备工作的一例子的流程图;
图9是实施例2中基片处理设备的示意平面图;
图10是实施例3中基片处理设备的示意平面图;
图11是整体容器的立体图;
图12A是存放区的平面图;
图12B是存放区内部的前视图;
图13是示出存送件和输送装置的诸部分的侧视图;
图14是活门件的立体图;
图15是示出活门件工作的侧视图;
图16A示出在支持基座处于水平状态时一第一处理区的基片架的平面图(上)和侧视图(下);
图16B示出在支持基座处于垂直状态时基片架的平面图(上)和侧视图(下);
图17A是用于传送基片的推动件和基片架的前视图;
图17B是用于传送基片的推动件和基片架的前视图;
图18A示出在推动件和一第一处理区的输送机构之间传送一组基片的侧视图;
图18B示出在推动件和第一处理区的输送机构之间传送该组基片的侧视图;
图18C示出在推动件和第一处理区的输送机构之间传送诸组基片的侧视图;
图18D示出在推动件和第一处理区的输送机构之间传送诸组基片的侧视图;
图19是干燥单元的示意图;
图20A是去离子水清洁单元的示意图;
图20B是示出在过滤器和第一处理区的输送机构之间传送一组基片的示意图;
图21A是预处理基片架的平面图;
图21B是预处理基片架的前视图;
图22是处理单元的示意立体图;
图23是示出基片处理设备工作的一例子的流程图;
图24是示出实施例4中基片处理设备的示意平面图;
图25是示出实施例5中基片处理设备的示意平面图;
图26是存放区的平面图;
图27是一架的前视图;
图28是示出存放区和一第一处理区的工作的侧视图;
图29是活门件的立体图;
图30是示出活门件工作的侧视图;
图31是一第二输送机构的侧视图;
图32是示出基片处理设备工作的一例子的流程图;
图33是示出实施例6中基片处理设备的示意平面图;
图34是示出实施例7中基片处理设备的示意平面图;
图35A是存放区的平面图;
图35B是一架子的前视图;
图36是示出存放区和一第一处理区的诸部分的侧视图;
图37是一整体容器输送机构的侧视图;
图38是一第一活门件的立体图;
图39是示出第一活门件工作的侧视图;
图40是示出一第二活门件工作的侧视图;
图41是示出基片处理设备工作的一例子的流程图;以及
图42是示出实施例8中基片处理设备的示意平面图。
具体实施方式
以下将参照附图详细叙述本发明的多个较佳实施例。
实施例1
图1是实施例1中基片处理设备的示意平面图。
该基片处理设备被构造成用于执行基片或晶片W(例如半导体晶片)的预定处理(例如保护层剥离处理)。该设备总体上包括用于支持储存晶片W的盒C的盒台1、用于执行晶片W的预定处理的处理区3、以及设置盒台1和处理区3之间用于输送晶片W的输送区5。处理区3具有用于整体地处理许多晶片W的一第一处理部分3a和用于一次处理一张晶片W的一第二处理部分3b。
放置在盒台1上的各盒C包含处于水平状态和处于多层中的许多(例如25张)晶片W(以下在适当的地方可以将许多晶片W称为一组晶片W)。
输送区5包括沿着盒台上形成的输送路径11、以及设置在输送路径11上用于输送晶片W的输送机构13。输送机构13由螺杆传送机构驱动,用于沿着输送路径11水平地(图1中X方向)移动。输送机构13具有设置在它的上方位置内的两U形保持臂13a1和13a2(以下在不区分该两臂的地方统称为保持臂13a),各臂用于一次保持处于水平状态的一张晶片W。输送机构13自身还通过未示出的传动机构传动两保持臂13a,用于进行旋转运动、垂直移动、以及水平延伸和缩回。输送机构13一次将一张晶片W输送到盒C、第一处理部分3a或第二处理部分3b。
处理区3在基片上垂直于输送路径11的方向被划分为两区域。一区是第一处理部分3a,另一区是第二处理部分3b。从而,处理部分3a和3b的各部分都靠近输送区5,同时两处理部分3a和3b相互相对。分隔件7设置在两处理部分3a和3b之间,用于防止环境气体在之间流动。
第一处理部分3a具有用于传送晶片W到达输送区5的输送机构13和从该机构接受晶片的、以及在水平状态和垂直状态之间改变整个一组晶片W的姿态的一第一姿态变换器21、用于将一组晶片W整体地传送到第一姿态变换器21和从该变换器接受一组晶片的一第一推动件23,用于将一组晶片W传送到第一推动件23和从第一推动件接收一组晶片的一第一处理区的输送机构25、以及用于将一组晶片W传送到输送机构25和从该机构接受一组晶片的整体地处理该组晶片W的批量处理工位27。
将参照图2叙述第一姿态变换器21。图2A示出了当支持基座21a处于水平状态时第一姿态变换器21的平面图(上)和侧视图(下)。图2B示出了当支持基座21a处于垂直状态时第一姿态变换器21的平面图(上)和侧视图(下)。第一姿态变换器21具有支持基座21a和设置在支持基座21a上用于将诸晶片W保持在多层内的多个保持件21b。支持基座21a通过未示出的传动机构围绕在支持基座21a的近端处的水平轴线P是可枢转的。这样,支持基座21a能够采取图2A所示的水平姿态和图2B所示的垂直姿态。保持件21b还可与支持基座21a一起枢转,从而由保持件21b所保持的该组晶片W在水平姿态之间转动。
该第一姿态变换器21与输送路径11相对,用于在支持基座21a处于水平姿态时将晶片W传送到输送区的输送机构13和从该机构接受晶片。
第一推动件23设置在第一姿态变换器21旁边。由未示出的传动机构传动第一推动件23,用于产生转动、垂直移动(图1中的Z方向)和水平移动(图1中的X方向)。第一推动件23具有形成相互平行延伸的多个凹槽的它的上端,用于接触和保持全部晶片W。
参阅图3。图3A和3B是在之间传送晶片W的第一推动件23和第一姿态变换器21的前视图。当在第一推动件23和第一姿态变换器21之间传送一组晶片W时,第一姿态变换器21的支持基底21a处于垂直姿态,如图3A和3B所示。当第一推动件23从第一姿态变换器21接受该组晶片W时,如图3A所示,第一推动件23位于第一姿态变换器21之下。然后,如图3B所示,第一推动件23向上运动,从第一姿态变换器21整体地接受该组晶片W。
第一处理部分的输送机构25由未示出的传动机构传动,可沿着批量处理工位27水平移动(图1中的Y方向)。输送机构25具有水平延伸的用于整体地保持一组晶片W的一对开/闭夹25a。
输送机构25将一组晶片W传送到处于与批量处理工位27不相对的准备位置处的第一推动件23和从该推动件接受一组晶片。如图4A和4B所示,随着第一推动件23垂直移动和夹子25a采取打开/关闭动作,在第一推动件23和输送机构25之间传送该组晶片W。
批量处理工位27包括干燥单元29、清洁单元31和化学处理单元33。在该实施例中,批量处理工位27被叙述为具有从晶片W去除保护层的功能,即执行所谓保持层剥离处理。应该注意保持层(有机物质)仅用于一个例子,而不是限制性的。
参阅图5。干燥单元29是具有干燥容器29a的旋转干燥器,该干燥容器形成有用于通过一组晶片W的顶部开口和可滑动地打开和关闭顶部开口的滑动盖29b。干燥容器29a具有在其中设置的用于旋转地保持处于垂直姿态的一组晶片W的旋转保持件29c和用于垂直可动地保持该组晶片W的干燥器的推动件29d。在干燥容器29a的侧壁中形成喷嘴29e,用于提供氮气和漂洗液。此外,干燥容器29a与真空源连通,用于使它的内部减压,以及与排放处理装置连通,用于处理从干燥容器排出的废水。
干燥器的推动件29d向上运动到干燥容器29a之上,用于将一组晶片W传送到第一处理部分的输送机构25和从该机构接收一组晶片(在图5中,虚线示出了在将一组晶片W传送到输送机构25或从该机构接受一组晶片时的干燥器的推动件29d)。而且,在干燥容器29a内,干燥器的推动件29d将该组晶片W传送到旋转保持件29c和从该保持件接受该组晶片。在干燥处理之前,推进件29d下降到干燥容器29a的底部,避免与旋转中的旋转保持件29c相干涉(在图5中,实线示出了处于这状态下的干燥器的推动件29d)。
参阅图6A和6B。清洁单元31包括用于存放清洁溶液的清洁箱31a、设置在清洁箱31a的底部的用于供应清洁溶液的注入管31b、以及围绕清洁箱31a的顶部开口用于收集清洁溶液的溢流的外箱31c。并且,设置升降器35,用于将一组晶片W整体地浸没在清洁箱31a内。升降器35具有多个水平延伸的保持杆35a,用于整体地保持处于垂直姿态中的该组晶片W。由未示出的传动机构使升降器35垂直和水平可移动。
化学处理单元33具有类似于清洁单元31的结构,从而省略了它的视图。化学处理单元33包括用于存放如化学溶液的保护膜剥离剂的化学箱、设置在化学箱底部用于供应保护膜剥离剂的注入管、以及用于收集该溶液的外箱。使用以上所述的升降器35将一组晶片W整体地浸没在化学箱内。即,与清洁单元31共同使用该升降器35。
如图6B所示升降器35移动到清洁箱31a之上,用于在清洁单元31和化学处理单元33以及第一处理部分的输送机构25之间传送一组晶片W。
其次,将叙述第二处理部分3b。第二处理部分3b包括沿着分隔件7形成的一第二处理部分的输送路径41、设置在输送路径41的一侧用于处理位于水平姿态中的晶片W的单张基片处理工位43、以及用于在单张基片处理工位43和输送区的输送机构13之间一次输送一张晶片W的一第二处理部分的输送机构45。
第二处理部分的输送机构45由螺杆传送机构传动,用于沿着第二处理部分的输送路径41水平移动(图1中的Y方向)。输送机构45在它的上方位置具有两个U形保持臂45a1和45a2(以下在不区分该两臂的地方统称为保持臂45a),各臂一次保持一晶片W。还由未示出的传动机构传动两保持臂45a,用于进行转动、垂直移动和水平延伸和缩回。输送机构45在第二处理部分的输送路径41上移动到与输送区的输送路径11相对的位置,一次将一张晶片W传送到输送区的输送机构13和从该机构接受一张晶片。
在这实施例中,单张基片处理工位43具有多个(例如四个)清洁和干燥单元51a、51b、51c和51d(以下在不区分这些单元的地方统称为清洁和干燥单元51)。各清洁和干燥单元51被设置成具有与第二处理部分的输送路径41相对的它的装载孔。
参阅图7。各清洁和干燥单元51包括用于保持位于水平姿态中的一张晶片W的基片保持件53a、用于旋转基片保持件53a的电动机53b、可动地设置在晶片W之上用于传送清洁溶液的喷嘴53c、以及围绕晶片W防止清洁溶液散射的杯形件53d。在晶片W之上设置有用于对晶片W的表面向下吹清洁气体的未示出的吹除单元。
第二处理部分的输送机构45可水平移动到与各清洁和干净单元51相对的一位置。然后,两保持臂45a适当运动,用于进入各清洁和干燥单元51内装载一张晶片W。
具有上述结构的基片处理设备还包括用于在预定的基片处理状态的基础上控制一张晶片W(或一组晶片W)的输送的控制单元65。控制单元65控制输送区的输送机构13、第一姿态转换器21、第一推动件23;第一处理部分的输送机构25、以及第二处理部分的输送机构45(以下将上述输送机构统称为“输送***”)。控制单元65包括用于对基片处理执行多种计算的中央处理单元(CPU)、以及用于存放预定的基片处理状态和关于基片处理所要求的许多信息的储存介质。
以下将参照图8叙述具有以上结构的基片处理设备的工作的一例子。
(步骤S1)从盒C将晶片W输送到批量处理工位27。
将存放处于水平姿态和多层中的晶片W的盒C放在盒台1上,输送区的输送机构13朝盒C运动,并从盒C一次拿取一张晶片W。
输送机构13进行旋转和其它运动到与第一处理部分3a内的第一姿态变换器21相对。此时,第一姿态变换器21的支持基座21a处于水平姿态。输送机构13一次将一张处于水平姿态的晶片传送到第一姿态变换器21。
反复该操作,用于将25张晶片W放在第一姿态变换器21上。然后,第一姿态变换器21的支持基座21a围绕轴线P枢转成垂直姿态。被保持件21b保持的25张晶片W(在以下的操作叙述中将称为一组晶片W)也从水平姿态转到垂直姿态。
第一推动件23从第一姿态变换器21之下向上移动,并从第一姿态变换器21整体地接收该组晶片W。然后,第一推动件23进行水平和旋转运动,以运动到用于用第一处理部分的输送机构25传送的位置。此时,输送机构25处于第一推动件23之上,同时夹子25a打开。
当第一推动件23向上运动到传送位置时,使夹子25a关闭,用于接触和支持全部该组晶片W。然后,第一推动件23下降,从而输送机构25整体地接受该组晶片W。
保持该组晶片W的输送机构25水平移动到化学处理单元33以上的一位置,升降器35位于化学处理单元的附近。
升降器35向上移动,以它的保持杆35a接触和支持该组晶片W。当夹子25a随后打开时,升降器35下降,从而从输送机构25接收全部该组晶片W。
控制单元65通过操作包括输送区的输送机构13的输送***控制晶片W的上述输送。
(步骤S2)执行该组晶片W的保护膜剥离处理。
保持该组晶片W的升降器35下降进入存放保护膜剥离剂的化学箱。将该组晶片W全部浸没在保护膜剥离剂中,用于保护膜剥离处理。
当完成了预定的保护膜剥离处理时,升降器35向上运动,用于从保护膜剥离剂取出该组晶片W。然后,升降器35水平移动和下降进入清洁箱,用于将该组晶片全部浸没在清洁溶液中,以便清洁处理。
完成清洁处理之后,升降器35向上运动,从清洁溶液取出全部该组晶片W。此时,第一处理部分的输送机构25处于清洁单元31之上,同时夹子25a打开。
当升降器35向上移动到输送机构25的位置时,夹子25a关闭,以接触和支持全部该组晶片W。升降器35再次下降,从而输送机构25接受全部该组晶片W。
输送机构25水平移动到干燥单元29之上的位置。干燥单元29的滑盖29b进行滑动,并且干燥器的推动件29b向上移动到干燥容器29a的外部。当推动件29d保持全部该组晶片W时,输送机构25的夹子25a打开。推动件29d再次下降,以将该组晶片W传送到旋转保持件29c。推动件29d缩回到干燥容器29a的底部,以及滑盖29b滑动,以闭合干燥容器29a的孔。然后,执行预定的干燥处理,同时旋转处于垂直姿态下的该组晶片W。
完成干燥处理后,打开滑盖29b。推动件29d从旋转保持件29c接受全部该组晶片W,然后向上移动将该组晶片传送到第一处理部分的输送机构25。
(步骤S3)将晶片从批量处理工位27输送到单张基片处理工位43。
第一处理部分的输送机构25保持该组晶片W和运动到准备位置。使该组晶片W从输送机构运动到第一推动件23,和从第一推动件23运动到第一姿态变换器21。第一姿态转换器21将全部该组晶片W从垂直姿态旋转到水平姿态。输送区的输送机构13在与第一姿态变换器21相对的位置中进行延伸和缩回运动,用于从第一姿态变换器21一次拿取一张晶片W。带有一个保持臂13a保持一晶片W的输送机构13水平移动到第二处理部分3b,并将晶片W运动到第二处理部分的输送机构45。输送区的输送机构13返回到与第一姿态变换器21相对的位置,并反复相同的晶片输送工作。
在接受到各晶片W之后,第二处理部分的输送机构45水平移动到与清洁和干燥单元51的预定一单元相对的一位置,将晶片W带入干燥单元51内,并将晶片W放在基片保持件53a上。然后,输送机构45也返回到与输送区的输送机构13相对的位置,以反复相同的晶片输送工作,用于将晶片W装入其它清洁和干燥单元51。
控制单元65通过操作包括输送区的输送机构13操作输送***控制如步骤S3所示的晶片的输送。
(步骤S4)执行各晶片W的清洁和干燥处理。
通过将清洁溶液从喷嘴53c传送到晶片W,同时由电动机53b旋转晶片W,执行预定的清洁处理。在完成清洁处理之后,通过使清洁气体从未示出的吹送单元向下流动到高速旋转的晶片W上执行干燥处理。晶片W从它的表面散出湿气,并变得干燥。由于在该实施例中单张基片处理工位43具有四个清洁和干燥单元51,因此能够平行地对四张晶片W进行清洁和干燥处理。
(步骤S5)将晶片W从单张晶片处理工位43输送到盒C。
当完成一系列的清洁和干燥处理时,执行与晶片装载中的过程相反的过程。即,第二处理部分的输送机构45从清洁和干燥单元51取出晶片,并使晶片W运动到输送区的输送机构13。输送机构13将晶片W装入盒C中。
控制单元65通过操作包括输送区的输送机构13的输送***控制如步骤S5所示的晶片输送。
在实施例1中的基片处理设备如以上所述具有批量处理工位27和单张基片处理工位43,并且控制单元63控制包括输送区的输送机构13的输送***。可以有选择地将晶片W输送到批量处理工位27和单张基片处理工位43。这样可以在批量处理工位27和/或在单张基片处理工位43中处理晶片W。
批量处理工位27从整体上看被设置在第一处理部分3a内,同时单张基片处理工位43从整体上看被设置在第二处理部分3b。第一处理部分3a和第二处理部分3b被形成为面对输送区的输送机构13。这布置保证了基片输送的较高效率,同时实现了较小的占地面积。
在第一处理部分3a和第二处理部分3b之间设置分隔件7,用于分开在第一处理部分3a中和在第二处理部分31中的环境,防止一处理部分的环境气体扩散到另一处理部分的区域。从而,可以在第一和第二处理部分3a和3b的每一部分中适当地处理晶片W。
在输送区的输送机构13和批量处理工位27之间输送晶片W的过程中,第一姿态变换器21改变了全部该组晶片W的姿态。这提供了将晶片W从盒C输送到处理处于垂直姿态的该组晶片W的批量处理工位27或用于存放或处理处于水平姿态中的晶片W的单张晶片处理工位43的方便。
设置第一处理部分的输送机构25,用于将全部一组晶片W装入批量处理工位27和从该工位取出该组晶片。输送机构25通过第一推动件23将全部该组晶片W传送到第一姿态变换器和从该变换器接受该组晶片。这布置进一步改进了对批量处理工位27和从该工位的输送效率。
类似地,第二处理部分的输送机构45被设置成一次将一张晶片W装入单张基片处理工位43和从该工位一次取出一张晶片。输送机构45一次将一张晶片W传送到输送区的输送机构13和从该机构一次接受一张晶片。这布置进一步改进了对单张基片处理工位43和来自该工位的输送效率。
如在步骤S1、S3和S5中所述,控制单元65控制输送***,用于从盒C取出要处理的晶片W、将晶片W装入批量处理工位27、将在批量处理工位27处理的晶片W从批量处理工位27输送到单张基片处理工位43、以及将在单张基片处理工位43处理的晶片W从单张基片处理工位43输送到盒C。这样,该组基片W在批量处理工位27被剥离保护膜之后,可以在单张基片处理工位43清洁基片W。以这方式,可以从基片W去除保护膜,并可以用高精度清洁晶片W,作为最后的处理。
单张基片处理工位43包括用于平行处理多张晶片W的多个清洁和干燥单元51。从而,单张基片处理工位43具有较大的容量,以改进基片处理设备的生产量。
批量处理工位27具有带不同功能的多个处理单元(即干燥单元29、清洁单元31和化学处理单元33)。这样,在一组晶片W正接受干燥处理时,对于其它组晶片W可以执行化学处理和清洁处理。这进一步提高了基片处理设备的生产量。
实施例2
其次将叙述本发明的实施例2。
图9是实施例2中的基片处理设备的示意平面图。对于与实施例1中相同的部分使用相同的标号识别,并省去对它们的再叙述。
在实施例2中的基片处理设备总体上包括盒台1、处理区3、输送区5和辅助输送区9。辅助输送区9被设置成横跨处理区3与输送区5相对。
辅助输送区9在其中设置有用于将晶片W传送到第二处理部分的输送机构45和从该机构接受晶片的和在水平姿态和垂直姿态之间改变全部一组晶片的姿态的一第二姿态变换器61、用于将该组晶片W传送到具有一对夹子26a的一第一处理部分的输送机构26和从该机构接受该组晶片的一第二推动件63。
第二姿态变换器61如第一姿态变换器21那样具有支持基座和多个保持件(未示出)。当该支持基座处于水平姿态时,第二姿态变换器61可围绕与第二处理部分的输送路径41相对的垂直轴线可旋转,以便将晶片W传送到第二处理部分的输送机构45和从该机构接受基片。
第二推动件63设置在第二姿态变换器61旁边。由未示出的传动机构传动第二推动件63,用于进行水平移动(图9中的X方向)。
在实施例2中的第一处理部分的输送机构26可水平移动(图9中的Y方向)到辅助输送区9,用于将晶片W传送到第二推进件63和从该推进件接受晶片。
在实施例2中的控制单元66控制还包括第二推动件63、第二推动件63和第一处理部分的输送机构26的输送***。
以下将参照图8叙述具有上述结构的实施例2中的基片处理设备的操作的一例子。除了步骤S3之外该操作与实施例1相同,在步骤S3中第一处理部分的输送机构25现在是第一处理部分的输送机构26。因此,以下将仅仅叙述步骤S3。
(步骤S3)将晶片W从批量处理工位27输送到单张基片处理工位43。
第一处理部分的输送机构26保持一组基片W和运动到辅助输送区9。第二推动件63从输送机构26下方向上运动,以接触和支持该组晶片W。然后,输送机构26的夹子打开,以及第二推进件63再次下降。其结果,该组晶片W全部被传送到第二推动件63。
第二推动件63运动到处于垂直姿态的第二姿态变换器61之上的位置。然后,第二推动件63下降,用于将该组晶片全部传送到第二姿态变换器61。
第二姿态变换器61枢转到水平姿态,同时保持该组晶片W。然后,第二姿态变换器61在一方向旋转,用于面对第二处理部分的输送路径41。
第二处理部分的输送机构45在与第二姿态变换器61相对的位置中进行延伸和缩回运动,用于从第二姿态变换器61一次拿取一张晶片W。在接受到各晶片之后,带有保持晶片W的一保持臂45a的第二处理部分的输送机构45水平移动到与清洁和干燥单元51的一预定单元相对的位置,将晶片W带入清洁和干燥单元51,以及将晶片W放在基片保持件53a上。然后,输送机构45返回到与第二姿态变换器61相对的位置,以重复相同的晶片输送操作,用于将晶片W装入其它清洁和干燥单元51。
控制单元66通过操作包括第二姿态变换器61的输送***控制如步骤S3所示的晶片W的输送。
对于如以上所述的实施例2中的基片处理设备,第二姿态变换器61在第一处理部分的输送机构26和第二处理部分的输送机构45之间输送晶片W的过程中改变该组全部晶片W的姿态。这提供了在处理垂直姿态中的晶片W的批量处理工位27和处理水平姿态中的单张基片处理工位43之间输送晶片W的方便。
由于在第二姿态变换器61和输送区的输送机构13之间不发生干涉,控制单元66能够相互单独地控制这些部分。第二姿态变换器61设置在面对第一处理部分3a和第二处理部分3b的辅助输送区9内,因此能够方便地输送晶片W。
本发明不局限于上述实施例,可以有如下的修改:
(1)在上述的每个实施例中,批量处理工位27执行保护膜剥离处理,同时单张基片处理工位43执行清洁和干燥处理。不局限于这些处理,可以按照对于晶片W所执行的处理的具体情况在设计中改变处理工位27和43。
(2)在上述各实施例中,输送区的输送机构13具有两个保持臂13a,各臂用于一次保持一张晶片W。输送机构13可以具有在多层中的诸保持臂,用于对盒C输送整个一组晶片W和从该盒输送整个该组晶片W。
(3)在上述各实施例中,批量处理工位27和单张基片处理工位43的各工位具有多个处理单元。但是,各工位可以仅仅包括一个处理单元。
(4)在上述各实施例中,控制单元65或66在晶片处理状态的基础上进行控制,以在批量处理工位27内处理晶片W,以及然后在单张基片处理工位43内处理基片W。按照关于处理晶片W的状态可以适当地改变处理顺序。例如,可以首先将晶片W输送到单张基片处理工位43,然后输送到批量处理工位27。可以将晶片W仅仅输送到单张基片处理工位43和批量处理工位27的一个工位。
(5)在上述各实施例中,将盒C放在台盒1上。代之以,可以使用能够在密封状态中存放晶片W的容器。
(6)在上述各实施例中,使用旋转干燥器作为干燥单元29。代之以,可以由一装置干燥晶片W,该装置从处理箱中存放的去离子水中向上拉起晶片W,以将IPA(异丙醇)和氮气供应给晶片W。
实施例3
其次将参照附图叙述本发明的实施例3。
图10是实施例3中的基片处理设备的示意平面图。
实施例3中的基片处理设备被设计成用于清洁、蚀刻和干燥晶片W(例如半导体晶片),以及包括用于接受诸密封的容器(称为FOUPs(前方打开的一体的容器),以下称为“整体容器”)F的存放区101,各容器用于存放多张晶片W,并包括用于处理全部多张晶片W的一第一处理区103、用于一次处理一张晶片W的一第二处理区105、以及在存放区101、第一处理区103和第二处理区105之间输送晶片W的输送区107。各整体容器F对应于本发明中的容器。存放区101、第一处理区103、第二处理区105和输送区107分别对应于本发明中的存放区、第一处理区、第二处理区和输送区。
如图10所示,第二处理区105位于第一处理区103和存放区101之间。输送区107位于第一处理区103和存放区101之间,并与第二处理区105相对。换句话说,第二处理区105和输送区107沿着存放区101的一侧设置。第二处理区105和输送区107也沿着第一处理区103的一侧设置。因此,输送区107设置在直接面对存放区101、第一处理区103和第二处理区105的位置中。
存放区101具有设置在它的侧边处的、远离输送区107和第二处理区105的、用于在其上接纳两个整体容器的支持台109。支持台109保持将装入存放区101的一整体容器F和从存放区101取出的一整体容器F。
参阅图11。图11是整体容器F的立体图。整体容器F具有在其一侧形成的开口的壳体111和可拆卸地装配在开口中的盖子113。壳体111具有在它的内壁中垂直布置形成的诸水平凹槽115,用于啮合多个(例如25个)晶片W的边缘,以支持水平姿态中的诸晶片W。盖子113具有锁闩机构117,用于在盖子113装配入开口内时将盖子113固定于壳体111。
尤其,锁闩机构117包括各自具有一有齿近端部分的两齿条117a和117b和与齿条117a和117b的齿啮合的小齿轮117c。小齿轮117c可以转动,用于分别从盖子113的上端和下端突出两齿条117a和117b。因此,将盖子113固定于壳体111,以密封整体容器F的内部。
参阅图12和13。图12A是存放区101的平面图。图12B是存放区101内部的前视图。图13是示出存放区101和输送区107的诸部分的侧视图。用于接受整体容器F的存放区101包括用于保持整体容器F的诸架子119、用于保持整体容器F的从输送区107通入的一层121、用于在诸架子119、层121和支持台109之间输送整体容器F的整体容器输送机构125。存放区101具有在它的周边设置的诸侧壁131,以将存放区101的内部与外部大气密封隔离。在本说明书中,将存放区101与输送区107和第二处理区105分开的侧壁131专门称为分隔壁131a。分隔壁131a对应于本发明中的分隔件。
如图12B所示,被架子119被设置成在上述分隔壁131a上的四垂直层。各层中的架子119具有用于一排中保持3个整体容器F的长度。从而,从整体上看12个整体容器F能够放在诸架子119上。诸架子119具有在平面图中基本上为三角形的、形成在用于保持一整体容器F的各位置处的一缺口K。该缺口K的形状对应于整体容器输送机构125的整体容器携带臂126a的在平面图中也基本上为三角形的形状。缺口K稍许大于整体容器携带臂126a的外形,并小于各整体容器F的外尺寸。
层121连接于上述分隔壁131a,用于一次保持一整体容器F。层121也形成在平面图中基本上为三角形的、与各架子119中形成的缺口为相同尺寸的缺口K。层121具有设置在之下的滑动机构122,用于可以朝向分隔壁131a和离开该壁运动。
该滑动机构122为螺杆传送机构形式,用于运动该层121,并包括与形成在层121的下表面上的凸起121a啮合的螺杆轴122a、以及用于来回转动螺杆轴122a的电动机122b。
整体容器输送机构125包括水平驱动器125a、安装在水平驱动器125a上的基座125b、相对于基座125b可垂直移动的升降杆125c、以及连接于升降杆125c的上端的铰接的机械手126。在存放区101中,螺杆轴129a和引导杆129b被放置成沿着存放区101的诸相对端之间的架子119和层121延伸。水平驱动器125a可沿着这些螺杆轴129a和导杆129b水平运动。铰接的机械手126从它的远端依次具有在平面图中基本上为三角形的、用于保持整体容器F的整体容器携带臂126a、用于保持整体容器携带臂126a在水平面中可旋转的一第一连杆126b、以及用于保持第一连杆126b在水平面中可旋转的一第二连杆126c。第二连杆126c由升降杆125c的上端支持,用于在水平面中可旋转。
整体容器携带臂126a通过第一连杆126b和第二连杆126c的弯曲相对于升降杆125c可延伸和可缩回。整体容器携带臂126a随着升降杆125c相对于基座125b垂直移动和水平驱动器125a沿着螺杆轴129a水平运动能够自由到达架子119或层121。并且,整体容器携带臂126a随着第二连杆126c相对于升降杆125c旋转以使整体容器携带臂126a围绕升降杆125c旋转能够达到支持台109。
当整体容器输送机构125将一整体容器F放在一架子119上时,保持整体容器F的整体容器携带臂126a从架子119上方下降。随着整体容器携带臂126a通过架子119的缺口K,整体容器F从整体容器携带臂126a上运动到架子119上。相反,当从架子119抬起整体容器F时,整体容器携带臂126a通过架子119的缺口K,从架子119接触整体容器F。
当整体容器输送机构125在层121上放置一整体容器F或从层121拿取一整体容器F时,如在上述架子的情况中那样可以运动整体容器携带臂126a。
放置在存放区101和支持台109之间的侧壁131在相对于放在支持台109上的整体容器F的位置中形成两孔口。这些孔口被形成为稍许大于整体容器F,用于允许整体容器F通过。由两个垂直可动的活门板133关闭该诸孔口。这些活门板133仅在整体容器输送机构125到达支持台109时垂直运动,以打开该诸孔口。因此,整体容器携带臂126a能够通过该诸孔口将整体容器F输送到支持台109和从该台输送整体容器F。通常,活门板133关闭该诸孔口,以对存放区101的内部密封。
分隔壁131a在与放置在层121上的整体容器F相对的一位置中形成基本上与整体容器F相同尺寸的单一通道口。该通道口允许输送区107从整体容器F拿出晶片,或将晶片W放置在整体容器F内。当在层121上没有整体容器F时由活门件135关闭通道口。
参阅图14。图14是活门件135的立体图。活门件135具有几乎与通道口相同尺寸的凸起,用于配合在分隔壁131a的通道口内和阻塞该通道口。活门件135具有基本上在它的中心设置的对应于设置在各容器的盖子113上提供的锁闩机构117的一连接件135a。连接件135a被形成为连接形成锁闩机构117的一部分的小齿轮117c,并在对其连接时转动小齿轮117c。以这方式,将盖子113锁定于壳体111,并允许从壳体111拆下盖子。当盖子113制成可从壳体111拆下时,在这情况中活门件135保持盖子113。活门件135和连接件135a分别对应于本发明中的活门件、以及连接/拆卸和保持机构。
活门件135通过L形臂137连接于活门传动机构139。活门传动机构139包括用于水平传动臂137的水平传动装置139a和用于垂直传动臂137的垂直传动装置139b。使螺杆传送机构作为水平传动装置139a和垂直传动装置139b。活门传动机构139引起活门件135运动到分隔壁131a和从该分隔壁水平运动和垂直运动。
将参照图15具体叙述用于打开和关闭通道口的活门件135的操作。图15是示出活门件135的操作的侧视图。当整体容器F放置在层121上时,使整体容器F与层121一起前进,以使整体容器F的盖子113运动、与关闭通道口的活门件135接触。此时,连接件135a操纵盖子113上的锁闩机构117,使盖子113可从壳体111拆下,并保持盖子113。然后,活门传动装置139下降,以及然后缩回保持盖子113的活门件135。因此,从层121上的整体容器F拆下盖子113,通过通道口朝输送区107打开整体容器F的内部。
当关闭通道口时,使保持盖子113的活门件135上升和前进,以装配进入通道口。此时,被活门件135保持的盖子113也装配进入放在层121上的整体容器F的壳体111的孔口内。连接件135a操纵锁闩机构117,使盖子113固定于壳体111。从而,通道口被关闭,并且盖子113再次附连至整体容器F。
其次,将叙述第一处理区103。第一处理区103包括用于将一组晶片W传送到输送区107和从该区接收一组晶片的基片架143、用于将整个一级晶片W传送到基片架143和从基片架接受整个一组晶片的推动件144、用于将一组晶片W传送到推动件144和从推动件接受一组晶片的一第一处理区的输送机构145、以及用于将一组晶片W传送到输送机构145和从该机构接受一组晶片的以及处理处于垂直姿态中的整个该组晶片的一批量处理部分147。基片架143具有用于在水平姿态和垂直姿态之间改变整个一组晶片W的姿态的功能。输送机构145具有用于改变在诸晶片W之间的间距的又一功能。以下将叙述各个部分。
基片架143设置在相对于输送区107的位置中。参阅图16。图16A示出了当支持基座143a处于水平姿态时基片架143的平面图(上)和侧视图(下)。图16B示出了当支持基座143a处于垂直姿态时基片架143的平面图(上)和侧视图。基片架143包括支持基座143a和设置在支持基座143a上用于保持多层中的多张(例如25张)晶片W的多个(例如4)保持件143b。通过未示出的传动机构支持基座143a可以围绕在支持基座143a的近端的水平轴线P枢转。从而,支持基座143a可以采取图16A所示的水平姿态和图16B所示的垂直姿态。保持件143b也可以与支持基座143a一起枢转,从而由诸保持件143b保持的该组晶片W在水平姿态和垂直姿态之间转动。
当支持基座143a处于水平姿态时,基片架143围绕垂直轴线可以转动,以便将一组晶片W传送到推动件和从推动件接受一组晶片。
推动件144设置在基片架143旁边。由未示出的传动机构传动推动件144,以在基片架143和第一处理区的输送机构145之间垂直地和水平地移动。推动件144具有它的上端,该上端形成相互平行延伸的许多凹槽,用于接触和保持整个一组晶片W。在该实施例中,当晶片放在基片架143上的诸晶片W之间的一半间距(以下在适当的地方称为“半间距”)处时,推动件144能够保持放在基片架143上的两倍数量(例如50)的晶片W。
参阅图17。图17A和17B是在之间传送晶片W的推动件144和基片架143的前视图。当在推动件144和基片架143之间传送一组晶片W时,基片架143的支持基座143a处于垂直姿态,如图17A所示。推动件144位于基片架143之下。那么,如图17B所示,推动件144向上运动,将放在基片架143上的该组晶片W的下端向上推,从而从基片架143接受全部该组晶片W。
由未示出的传动机构使第五处理区的输送机构145可沿着批量处理部分147水平移动。输送机构145具有水平延伸的用于保持全部一组晶片W的一对保持杆145a。输送机构145在不与批量处理部分147相对的准备位置将一组晶片W传送到推动件23和从推动件接受一组晶片。
保持杆145a具有大体五边形剖面,每个表面形成诸预定的凹槽。保持杆145a自身被支持成可转动,以改变诸相对的凹槽的布置,从而提供至少三个不同的基片保持状态。即,一第一基片保持状态Q1是其中保持杆不作用在通过诸保持杆145a之间的一组晶片W上,但允许该组晶片W正好通过。一第二基片保持状态W2是其中保持杆145a停止和保持住设置在与在诸保持杆145a之间下降的基片架143上的相同间距处的一组晶片W(以下在适当地方称为“晶片组W1”)。但是,在这状态中的保持杆145a不作用在设置在一半间距处的一组晶片W(以下在适当地方称为“晶片组W2”),而是允许这组晶片W正好通过。一第三基片保持状态Q3是其中保持杆145a停止和保持住在诸保持杆145a之间下降的组晶片组W1和晶片组W2的一组晶片W(以下在适当的地方称为“晶片组W3”)。
以下将参照图18具体叙述晶片组W如何在具有这些保持杆145a的输送机构145和推动件144之间传送。图18A、18B、18C和18D是如何在第一处理区的推动件144和输送机构145之间传送晶片组W的侧视图。
首先,诸保持杆145a处于第一基片保持状态Q1中,将保持一组晶片W的推动件144设置在保持杆145a之下的预定位置处。该组晶片W在数量和之间的间距方面与在基片架143上的相同。推动件144向上运动,通过诸保持杆145a之间。此时由推动件144保持的该组晶片W不承受诸保持杆145a的作用。该组晶片W保持在推动件144上(见图18A)。
其次,将诸保持杆145a转换到第二基片保持状态Q2,并使推动件144下降。当推动件144在诸保持杆145a之间通过时,由推动件144所保持的该组晶片W被诸保持杆145a保持住(见图18B)。
推动件144从基片架143接受不同的全部一组晶片W。此时将推动件144从在保持杆145a之下的预定位置设置到沿着保持杆145a的方向转移半个间距的位置。由推动件144保持的不同的该组晶片W自身在数量和之间的间距方面与基片架143上的相同。当在该保持杆145a之间向上运动时,由推动件144所保持的该组晶片W上升,以致处于由保持杆145a所保持的该组晶片W之间。随着推动件144通过诸保持杆145a之间,推动件144向上推动由诸保持杆145a所保持的该组晶片W,用于从诸保持杆145a接受这组晶片W。因此,推动件144现在保持了以半间距设置的一组晶片W,并对应两倍于基片架143上的晶片数量(见图18C)。
最后,将诸保持杆145a转换到第三基片保持状态Q3,并使推动件144下降。当推动件144在诸保持杆145a之间通过时,由推动件144所保持的该组晶片W被诸保持杆145a保持住(见图18D)。
上述操作实现了在第一处理区的输送机构145和推动件144之间的晶片组W的传送,以及在晶片组W的间距方面的变化。
在该实施例中的批量处理部分147包括一个干燥单元149和三个清洁单元151。各清洁单元151具有单个去离子水清洁装置153和并排设置的单个化学清洁装置155。仅以举例方式示出了批量处理部分147的该结构。可以改变批量处理部分147,以适当地执行不同的功能,例如保护膜剥离处理。
参阅图19。图19是干燥单元149的示意图。干燥单元149是具有干燥容器149a和滑动盖149b的旋转干燥器,该容器形成用于通过一组晶片W的顶部开口,滑盖可滑动以打开和关闭顶部开口。干燥容器149a具有设置在其中的用于可转动地保持处于垂直姿态的一组晶片W的旋转保持件149c、以及用垂直可动地保持该组晶片W的干燥器的推动件149d。在干燥容器149a的侧壁内形成用于供应氮气和漂洗液的喷嘴149e。并且,干燥容器149a与用于使它的内部减压的真空源连通,以及与从干燥容器149a排出处理废液的排出处理装置连通。
干燥器的推动件149d向上运动到干燥容器149a之上,用于将一组晶片传送到第一处理区的输送机构145和从该机构接受一组晶片(在图19中,虚线示出了在转送一组晶片到输送机构145或从该机构接受一组晶片时的干燥器的推动件149d)。并且,在干燥容器149a的内部,干燥器的推动件149d将该组晶片W传送到转动保持件149c和从该保持件接受该组晶片。在干燥处理之前,推动件149d下降到干燥容器149a的底部,以避免与转动中的旋转保持件149c干涉(在图19中,实线示出了在这状态中的干燥器的推动件149d)。
参阅图20,各去离子水清洁装置153包括用于存放清洁溶液的清洁箱153a、设置在清洁箱153a的底部的用于供应清洁溶液的注入管153b、以及围绕清洁箱153a的顶部开口的用于收集清洁溶液的溢流的外箱153c。
各化学处理装置155具有类似于去离子水清洁装置153的结构,因此省去了它的视图。化学处理装置155包括用于存放为一化学溶液的保护膜剥离剂的化学箱、设置在化学箱的底部中的用于供应该化学溶液的注入管、以及收集该化学溶液的外箱。例如从APM(氢氨过氧化混合物)、HPM(氢氯酸过氧化混合物)、FPM(氢氟酸过氧化混合物)、DHF(稀释的氢氟酸)和O3/DIW(臭氧水)适当地选择该化学溶液。
各去离子水清洁装置153包括在去离子水清洁装置153和化学处理装置155之间可运动的升降器157。升降器157具有水平延伸的用于接触和保持全部一组晶片W的多根(例如三根)保持杆157a。在该实施例中,保持杆157a支持以半间距设置的该组晶片W和对应于基片架143上的晶片W的数量的两倍。
当在升降器157和第一处理区的输送机构145之间传送一组晶片W时,升降器157在诸保持杆145a之间向上运动,如图20B所示,从而诸保持杆157a向上推动和保持该组晶片W。随后,诸保持杆145a转换到第一基片保持状态Q1,然后保持该组晶片W的升降器157下降,用于由升降器157完全接受该组晶片W。
在该实施例中,升降器157在化学处理装置155之上接受要在批量处理部分147中处理的一组晶片W。升降器157在去离子水清洁装置153之上将在各清洁单元151中处理的一组晶片W传送到第一处理区的输送机构145。
其次,将叙述第二处理区105。第二处理区105包括用于一次清洁和干燥一张晶片W的单张晶片处理部分171、用于保持多张晶片W的第二处理区的基片架163(以下简称为“基片架”)、以及用于在单张基片处理部分171和基片架163之间一次输送一张晶片W的一第二处理区的输送机构167。以下将叙述各组成部分。
诸基片架163是靠近输送区并排设置的有相同结构的两个架子。按照放置在其上的诸晶片W区分这两架子。其中一个架子是用于在单张基片处理部分171内处理之前保持一组晶片W的预处理基片架164。另一架子是用于在单张基片处理部分171内处理之后保持一组晶片W的后处理基片架165。
参阅图21。图21A是预处理基片架164的平面图。图21B是预处理基片架164的前视图。后处理基片架165与预处理基片架164具有相同结构,并省去它的叙述。预处理基片架164具有基座164a、以及在两层中相互堆置的两对保持件164b。诸保持件164b具有在它们的相对的内表面中形成的多个水平凹槽。通过在诸凹槽中啮合各晶片W的相对边,保持件164b支持处于水平姿态中的多张晶片W。在该实施例中,各保持件164b形成25条凹槽,从而两组保持件164b能够保持两层中的50张晶片W。这是输送区的输送机构175(以下将叙述)全部保持的晶片W的数量(即25张)的两倍。从而,预处理基片架164能够保持对应于输送区的输送机构175的两倍装载容量的晶片W的数量。
第二处理区的输送机构167具有垂直可动的基座168和从基座168延伸的相互单独被驱动的两个铰接的机械手169a和169b。各铰接的机械手169a和169b具有连接于它的远端的一对上和下U形保持臂170a和170b,各机械手用于一次保持一张晶片W。诸保持臂170a和170b可以相互单独地延伸、缩回和转动。并且,诸保持臂170a和170b可以相互同步地运动。
在该实施例中,在单张基片处理部分中执行处理之前,其中一保持臂170a一次仅保持一张晶片W。在单张基片处理部分171内执行处理之后,其它保持臂170b一次仅保持一张晶片W。以这方式,诸保持臂170a和170b具有用于保持在不同状态中的诸晶片W的诸单独的功能。即,保持臂170a仅在从预处理基片架164到单张基片处理部分171的输送中啮合,而保持臂170b仅在从单张基片处理部分171到后处理基片架165的输送中啮合。
单张基片处理部分171包括设置在两排中和两层内的四个处理单元172。
参阅图22。图22是各处理单元172的示意立体图。处理单元172包括用于保持处于水平姿态中的一张晶片W的基片保持件173a、用于转动基片保持件173a的电动机173b、可动地设置在晶片W之上用于将清洁溶液传送到晶片W的前表面的喷嘴173c、以及用于将清洁溶液传送到晶片W的后表面的后清洗喷嘴173d。在该实施例中,后清洗喷嘴173d设置在与晶片W的后表面边缘相对的位置中,用于尤其清洁晶片W的后表面的边缘区。由一杯形件(未示出)围绕晶片W,用于防止清洁溶液的扩散。未示出的吹送单元设置在晶片W之上,用于对晶片W的表面向下吹清洁气体。
再次参阅图10和15。输送区107具有设置在其中的输送区的输送机构175。该输送机构175包括水平的传动装置175a、安装在水平传动装置175a上的基座175b、相对于基座175b垂直可动的升降杆175c、以及连接于升降杆175c的上端的铰接的机械手176。螺杆轴177a和形成水平传动装置175a的运动路径的导杆177b被放置成从存放区101延伸到第一处理区103。铰接的机械手176具有在它的远端处的输送臂176a。输送臂176a包括垂直设置的25个手柄状部分176b,各手柄状部分具有平行水平延伸的用于保持处于水平姿态中的多张晶片W的两个保持件。输送臂176a相对于升降杆175c可以延伸、缩回和转动,以及可以相对基座175b垂直运动。
在由活门件135拆下放置在层121上的整体容器F的盖子113之后,输送区的输送机构175使输送臂176a进行进入通道口。然后,将全部一组晶片W装入整体容器F或从整体容器F取出一组晶片。输送区的输送机构175还起作用,以将全部一组晶片W装在第一处理区103的基片架143和第二处理区105的预处理和后处理基片架164和165上和从该些架上取出一组晶片。
以下将参照图23叙述具有以上结构的基片处理设备的工作的例子。
(步骤S101)将晶片W从存放区输送到第二处理区。
整体容器输送机构125将存放要被处理的一组晶片W的整体容器F从架子119输送到层121。放置在层121上的整体容器F在滑动运动之后使盖子113由活门件135拆去。输送区的输送机构175通过通道口从整体容器F取出全部该组晶片W,并将全部该组晶片W输送到预处理基片架164。
在输送区的输送机构175从整体容器F取出该组晶片W之后,活门件135向前和向上运动,以装配进入通道口,并将盖子113连接和固定于整体容器F的壳体111。
(步骤S102)在第二处理区内一次处理一张晶片W。
第二处理区的输送机构的保持臂170a从预处理基片架164将一张基片W输送到其中一个处理单元172。
处理单元172中的基片保持件173a保持处于水平姿态中的被带入处理单元172的晶片W。然后,电动机173b驱动,用于旋转基片保持件173a。从喷嘴173a传送清洁溶液,用于清洁晶片W的前表面,以及从后清洁喷嘴173d清洁晶片W的后表面的边缘区域。当完成预定的清洁处理时,通过使清洁气体从未示出的吹送单元向下流动到高速转动的晶片W上执行干燥处理,以从晶片W的表面散去潮气和使晶片W干燥。
当在处理单元172中对一晶片W完成预定的处理时,第二处理区的输送机构167的保持臂170b将晶片W从处理单元172输送到后处理基片架165。
(步骤S103)将晶片W从第二处理区输送到第一处理区。
输送区的输送机构175从后处理基片架165取得全部该组晶片W,并将整个该组晶片W传送到第一处理区的基片架143。
(步骤S104)在第一处理区内整体地处理诸晶片W。
首先,基片架143围绕垂直轴线转动。随后,支持基座143a围绕在它的近端处的水平轴线P枢转,以采取垂直姿态。随着这运动,由保持件143b所保持的25张晶片W也从水平姿态枢转到垂直姿态。(在以下的操作叙述中,将晶片称为晶片组W“)。
推动件144向上运动,以向上推动放在基片架143上的晶片组W的下端,从而从基片架143上整体地接受该晶片组W。推动件144在基片架143的诸保持件143b之间向上运动,以从基片架143上整体地接受该晶片组W。推动件144运动到处于准备中的第一处理块的输送机构145之下的预定位置。
推动件144在第一处理区的输送机构145的诸保持杆145a之间垂直运动,从而晶片组W从推动件144转移到输送机构145。
并且,推动件144再从基片架143接受一不同的晶片组W。随着放入由输送机构145已经保持的晶片组之间,推动件144将该不同的晶片组W传送到输送机构145。其结果,由输送机构145所保持的诸晶片W之间的间距被改变为放在基片架143上的诸晶片W之间的间距的一半。
保持该晶片组W的输送机构145水平移动到其中升降器157处于旁边的其中一个化学清洁装置155之上的位置。
升降器157向上运动,它的保持杆157a接触和支持该组晶片W。然后,升降器157在转换到第一基片保持状态Q1的诸保持杆145a之间下降,由从输送机构145整体地接受该组晶片W。
保持该组晶片W的升降器157下降到存放化学清洁装置155的化学溶液的化学箱内。该组晶片W整体地被浸没在化学溶液中。从而,在该组晶片W上整体地执行化学清洁处理。
当完成预定的化学清洁处理时,升降器157向上运动,从化学箱向上拉起该组晶片W。然后,升降器157水平运动和下降到去离子水箱153a中。从而,在该组晶片W上整体地执行去离子水清洁处理。
当完成清洁处理时,升降器157向上运动,从去离子水箱153a向上拉起该组晶片W。升降器157笔直向上运动到去离子水清洁装置153之上的位置,用于将该组晶片W传送到第一处理区的输送机构145。
输送机构145水平运动到干燥单元149之上的位置。干燥单元149的滑盖149b滑动,干燥器的推动件149d从干燥容器149a的内部向上运动。推动件149d总体地保持该组晶片W,并再次下降以将该组晶片W传送到旋转保持件149c。推动件149d缩回到干燥容器149a的底部。滑盖149b滑动以关闭干燥容器149a的开口。从而,执行了预定的干燥处理,同时将该组晶片W转动成垂直姿态。
在完成干燥处理时,打开滑盖149b。推动件149d从转动保持件149c整体地接受该组晶片W,并向上运动以将该组晶片W传送到第一处理区的输送机构145。
干燥处理的完成标志着在第一处理区103内该组晶片W的批量处理的结束。然后,以相反的次序传送该组晶片W,从第一处理区的输送机构145到推动件144,以及从推动件144到基片架143。当从第一处理区的输送机构145将该组晶片W传送到推动件144时,诸晶片W之间的间距从一半间距变化到放在基片架143上的诸晶片W之间的间距。
(步骤S 105)将晶片从第一处理区输送到存放区。
输送区的输送机构175从第一处理区103的基片架143整体地接受该组晶片W,并水平运动到存放区101。此时,事先已将一空的整体容器F放在层121上,并且已由活门件拆下了整体容器F的盖子113。输送机构175将该组晶片W整体地通过分隔壁131a的通道口装入整体容器F内。
随后,活门件135向上和向前运动,以装配进入通道口,并将盖子113连接和固定于整体容器F的壳体111。
如以上所述的在实施例3中的基片处理设备具有第一处理区103和第二处理区105,以及输送区107能够选择地将晶片W输送到第一处理区103和第二处理区105。从而,可以以用于整体地处理多张晶片W的批量处理方式和以用于一次处理一张晶片W的单张基片处理方式处理晶片W。
在该实施例中,第一处理区103和第二处理区105两者被构造成执行晶片W的清洁处理。这提供了处理的较高质量(结果),同时保证晶片清洁处理的极佳的生产量。
在一次处理一张晶片W的第二处理区105中的各处理单元172具有后清洁喷嘴173d(图22)。这样,能够处理各晶片W的一部分(例如晶片W的后表面的边缘区)。在清洁整张晶片W时第二处理单元105能够仅对所要求的部分施加所要求的清洁处理。这提高了第二处理区105的生产量。
将输送区107设置在由存放区101、第一处理区103和第二处理区105围绕的位置中。这布局缩短了它的输送路径,以保证较高的输送效率。
输送区107包括具有设置在多层中的诸手柄状件176b的输送臂176a。从而,输送臂176a能够整体地输送多张晶片W,以进一步提高输送效率。
第一处理区103和第二处理区105包括分别用于整体地保持多张晶片W的基片架143和诸基片架163。这样,当它们到达/离开以上所述的输送臂176a时两处理区103和105能够传送和接受晶片W(即不要求晶片W的姿态改变)。输送区107能够平稳地将晶片W输送到第一处理区103和第二处理区105。
尤其,第二处理区105具有分别设置的预处理基片架164和后处理基片架165。各架子能够保持对应于由输送臂176a所保持的晶片W的数量的两倍的晶体W的数量。从而,输送区的输送机构175能够将一组晶片W连续地输送到第二处理区105和从第二处理区输送一组晶片,以促使输送效率进一步提高。这结构还可以避免在晶片W之间的污染,例如处理过的晶片W被要处理的晶片W污染。
单张晶片处理区171包括四个处理单元,以具有较大的处理容量。由于这些处理单元172设置在两排中和在两层中,避免占地面积的增加。
由于沿着基片处理设备的长侧边按序地设置第一处理区103、第二处理区105和存放区101,因此缩小了占地面积。在存放区101的一侧设置第一处理区103和第二处理区105的场合,按照由第一处理区103和第二处理区105所占据的面积之间的差异将形成一死角,使它难于缩小占地面积。
使用密封型式的整体容器F作为存放晶片W的容器,从而晶片W不可能被围绕整体容器F的环境空气污染。通过为盖子113设置的锁闩机构117用较高的可靠性密封各整体容器F。
为接受整体容器F设置的存放区101便于控制整体容器F。例如,可以易于控制存放在存放区101中的多个整体容器F,用于先进先出。并且,借助于经过形成在架子119和层121中的缺口K的整体容器输送机构125的整体容器携带臂126a能够将整体容器F放置在架子119和层121上和从这些架子和层移去整体容器F。这特征允许存放区101具有紧凑的结构。
围绕存放区101形成的侧壁131能够使存放区101内的环境空气保持清洁。另方面,分隔壁131防止存放区101的环境空气流到第一处理区103、第二处理区105和输送区107。这样,从整体容器F拿出的晶片W没有被污染。
形成在分隔存放区101和输送区107的分隔壁131a中的通道口由活门件135关闭,以防止存放区101的环境空气流入输送区107。并且,由打开和关闭分隔壁131a的通道口的活门件135连接和拆下各整体容器F的盖子。从而,各整体容器F的内部仅敞开到输送区107。因此存放在整体容器F中的或从其中拿出的或装入整体容器F的晶片W不被污染。
在分隔存放区101和支持台109的侧壁131中形成的两孔口由两个活门件133关闭,以使存放区101中的环境空气保持清洁。
在第一处理区103中,基片架143具有在水平姿态和垂直姿态之间整体地改变一组晶片W的功能。因此,在水平姿态中从输送区107接纳的一组晶片W能够被传送到批量处理部分147,用于在垂直姿态中处理。
当在推动件144和第一处理区的输送机构145之间传送一组晶片W时,改变了在诸晶片W之间的间距。由于能够增加在批量处理部分147中整体地处理的晶片W的数量,因此第一处理区103具有较高的生产率。
实施例4
其次将叙述本发明的实施例4。
图24是实施例4中基片处理设备的示意平面图。使用相同的标号表示与实施例3中相同的部分,并将不再对其叙述。
实施例4中的基片处理设备包括关于支持各自用于存放多张晶片W的诸容器C(即称为开放型盒,以下简单地称为“盒”)的支持台110、用于整体地处理多张晶片W的一第一处理区103、用于一次处理一张晶片W的一第二处理区105、以及用于在支持台110、第一处理区103和第二处理区105之间输送晶片W的输送区107。各盒C和支持台110分别对应于本发明中的容器和容器台。
如图24所示,沿着第一处理区103的一侧设置第二处理区105和输送区107。将支持台110设置在输送区107的远离第二处理区105的侧面。因此,输送区107被设置在直接面对第一处理区103、第二处理区105和支持台110的位置中。在输送区107和支持台110之间不设置隔离环境空气的分隔壁或类似物。
支持台110保持如沿着输送区107方向设置的两个盒子C。各盒子C存放处于水平姿态中的和处于多层中的多张晶片W。存放在盒子C内的晶片W暴露于盒子C外部的环境空气。
输送区107将晶片W输送到放在支持台110上的盒子C和从该盒子输送晶片。更具体地,当输送区的输送机构175水平移动到相对于放在支持台110上的盒子C的位置时,输送机构175的输送臂176a前进到盒子C。输送臂176a整体地将多张晶片W装入盒子C或从该盒卸下多张晶片。
按照实施例4中,开放型的盒子C也可应用于具有第一处理区103和第二处理区105的基本处理设备。通过省去用于容纳盒C的结构(即对应于实施例3中的存放区101的结构)可以简化基片处理设备。
本发明不局限于上述诸实施例,可以如下修改:
(1)在以上所述的实施例3和4中,批量处理部分147和单张基片处理部分171被构造成执行清洁和干燥处理,但这不是限制性的。例如,批量处理区147可以被构造成执行保护膜剥离处理。单张基片处理区171可以被构造成执行蚀刻和成形处理。
在所述的操作例子中,晶片W首先被输送到第二处理区105,然后输送第一处理区103。这次序不是限制性。可以按照对晶片W所执行的处理自由地选择次序。
(2)在以上所述的实施例3和4中,批量处理区147和单张基片处理区171的各区具有多个处理单元。仅在举例方式给出了处理单元的数量,可以适当地改变处理单元的数量。也可以适当地改变在叙述中给出的晶片W的数量和其它数值。
(3)在以上所述的实施例3中,输送区107被设置成将晶片W输送到放在存放区101中的层121上的单个整体容器F和从该整体容器F输送晶片。代之以,可以设置多个层121,用于输送区107将晶片W输出到多个整体容器F和从这些整体容器F输送晶片。这将提高输送到存放区101的和从该区输送的效率。
(4)在以上所述的实施例3和4中,使用旋转干燥器作为干燥单元149。代之以,借助于将晶片W从去离子水中向上拉起同时将IPA(异丙醇)施加于晶片W的装置可以干燥晶片W。
实施例5
其次将叙述本发明的实施例5。
图25是实施例5中基片处理设备的示意平面图。用相同的标号表示与以上诸实施例中相同的部分,并不再对它们叙述。
实施例5中的基片处理设备被设计成执行晶片的预定处理,并包括用于接纳整体容器F的存放区201、用于整体地处理多张晶片W的一第一处理区203、以及用于一次处理一张晶片W的一第二处理区205。各整体容器F对应于本发明中的容器。
如图25所示,在存放区201的侧面设置第一处理区203和第二处理区205。因此,存放区201直接面对第一处理区203和第二处理区205。
存放区201具有在它的远离第一处理区203和第二处理区205的一侧设置的用于在其上接纳四个整体容器F的支持台209。支持台209支持将装入存放区201内的整体容器F和从存放区201内取出的整体容器F。
参阅图26、27和28。图26是存放区201的平面图。图27是架子219的前视图。图28是示出存放区201和第一处理区203的一部分的侧视图。用于接受整体容器F的存放区201包括用于保持整体容器F的架子219、用于保持出入第一处理区203的整体容器F的第一台架221、用于保持出入第二处理区205的整体容器F的三个第二台架223、用于在架子219和第一台架221之间输送整体容器F的一第一整体容器输送机构225、以及用于在支持台209、架子219和第二台架223之间输送整体容器F的一第二整体容器输送机构227。存放区201具有在它的周边设置的将存放区201的内部与外部环境密封隔离的侧壁231。在这说明中,将存放区201与第一处理区203分开的侧壁231称为分隔壁231a,以及将存入区201与第二处理区205分开的侧壁231称为分隔壁231b。
架子219设置在基本上在存放区201的中心和在与第一处理区203相对的位置处,并具有垂直方向的四层。架子219包括相互等间距分开和直立设置的五个侧板219a、以及连接于侧板219a的十六对相对的接受件219b。可以将一整体容器F放在一对接受件219b上,同时整体容器F的相对端搁置在诸接受件219b上。从而,从总体上看架子219能够保持十六个整体容器F,每层放置四件整体容器F。每对接受件219b在之间具有大于第一和第二整体容器输送机构225和227的整体容器携带臂226a和228a的宽度的、小于整体容器F的宽度的间距。因此,整体容器携带臂226a和228a能够垂直地通过各对接受件219b之间。
第一台架221设置在第一分隔壁231a附近,用于一次保持一个整体容器F。第一台架221在平面图中是C形(或通道形状),用于允许整体容器携带臂226a垂直地通过它的中央。第一台架221具有在它的侧向设置的可朝向和离开第一分隔壁231a运动的滑动机构222。
该滑动机构222为螺杆传送机构形式,用于运动第一台架221,并包括与在第一台架221的一侧形成的凸起221啮合的螺杆轴222a和未示出的用于来回转动螺杆轴222a的电动机。第一台架221对应于本发明中的第一台。
沿着第二分隔壁231b水平设置三个第二台架223,各层用于一次保持一个整体容器F。各第二台架223在平面图中是C形(或通道形),用于允许整体容器携带臂228a垂直地通过它的中央。各第二台架223具有未示出的在其下设置的可朝向和离开第二分隔壁231b的滑动机构。该滑动机构像滑动机构222那样为螺杆传送机构。各第二台架223对应于本发明中的第二台。
如图28所示,第一整体容器输送机构225包括水平传动装置225a、安装在水平传动装置225a上的基座225b、相对于基座225b垂直可动的升降器225c、以及连接于升降杆225c的上端的铰接的机械手226。在存放区201中,螺杆轴229a和导杆229b被设置成沿着架子219在架子219和第一处理区203之间延伸。螺杆轴229a和导杆229b延伸到第一台架附近的位置。水平传动装置225a沿着这些螺杆轴229a和导杆229b水平可动。铰接的机械手226从它的远端按序具有在平面图中基本上为三角形的用于保持整体容器F的整体容器携带臂226a、用于保持整体容器携带臂226a的在水平面中可转动的一第一连杆226b、以及用于保持第一连杆226b的水平面中可转动的一第二连杆226c。由升降杆225c的上端支持第二连杆226c,该连杆在水平面中可转动。
通过第一连杆226b和第二连杆226c的弯曲整体容器F携带臂226a可相对于升降杆225c延伸和缩回。第二连杆226也可相对于升降杆225c转动,围绕升降杆225c旋转携带臂226a。当升降杆225c相对于基座225b垂直运动、并且水平传动装置225a沿着螺杆轴229a水平运动时,整体容器F携带臂226a可自由地运动到相对于架子219或层221的位置。
当第一整体容器输送机构225将一整体容器F放在架子219上时,保持整体容器F的整体容器携带臂226a从一对接受件219b之上下降。随着整体容器携带臂226a在该对接受件219b之间通过时,整体容器F从整体容器携带臂226a转移到架子219上。相反,当从一对接受件219b取得一整体容器F时,整体容器携带臂226a从该对接受件219b之下上升。随着整体容器携带臂226a在该对接受件219b之间通过,从架子219接受整体容器F。
当第一整体容器输送机构225将一整体容器F放在第一台架221或从第一台架221拿取一整体容器F时,如在上述架子219的情况中那样整体容器携带臂226a可以运动。第一整体容器输送机构225对应于本发明中的第三输送机构。
第二整体容器输送机构227具有像第一整体容器输送机构225那样的相同结构。即,如图28中括弧内所标注的,第二整体容器输送机构227包括水平传动装置227a、安装在水平传动装置227a上的基座227b、相对于基座227b可垂直运动的升降杆227c、以及连接于升降杆227c的上端的铰接的机械手228。铰接的机械手226具有整体容器携带臂228a、第一连杆228b和一第二连杆228c。整体容器携带臂228a可相对于升降杆227c可以延伸、缩回和旋转,并相对于基座227b可垂直运动。
形成第二整体容器输送机构227的输送路径的螺杆轴230a和导杆230b被设置成沿着架子219的远离第一处理区203(或第二处理区205)的侧面延伸。螺杆轴230a和导杆230b从相对于支持台209的位置延伸到相对于第二处理区205的位置。从而,螺杆轴230a和导杆230b超过相对于架子219形成的第一整体容器输送机构225的输送路径的螺杆轴229a和导杆229b。
第二整体容器输送机构227在支持台209、架子219和第二台架223之间输送整体容器F。当对支持台209、架子219和第二台架223传送整体容器F和从它们接受整体容器F时,如在第一整体容器F输送机构225的情况中那样垂直可动。第二整体容器输送机构227对应于本发明中的第四输送机构。
在存放区201和支持台209之间的侧壁231上、在对应于支持台209上放置的诸整体容器F的位置中形成四个孔。这些孔被形成为稍大于整体容器F,以允许整体容器F通过。由四个垂直可动的活门板233关闭这些孔。仅仅在第二整体容器输送机构227进入到支持台209时活门板233才垂直运动,以打开这些孔。因此,整体容器携带臂226a能够通过这些孔将整体容器F输送到支持台209和从该支持台输送整体容器F。通常,存放区201的内部被紧密密封。
第一分隔壁231a在与第一台架221上放置的整体容器F相对的位置中形成基本上与整体容器F相对同尺寸的一个第一通道口。这第一通道口允许在整体容器F和第一处理区203之间输送的晶片W通过。当第一台架221上没有整体容器F时由一第一活门件235关闭第一通道口。
参阅图29。图29是第一活门件235的立体图。第一活门件235具有与第一通过口几乎相同尺寸的凸起,以便装配入和阻塞第一通道口。第一活门件235基本上在它的中央具有对应于各容器的盖子113上设置的锁闩机构117的一第一连接件235a。连接件235a的形状被确定为用于连接形成锁闩机构117的一部分的小齿轮117c,并在对其连接时转动小齿轮117c。以这方式,将盖子113锁定于壳体111,并允许从壳体111拆下盖子。当盖子113被制成为从壳体111上可拆下来时,第一活门件235保持在这情况中的盖子113。第一活门件235和第一连接件235a分别对应于本发明中的第一活门件和第一连接/拆卸和保持机构。
第一活门件235通过L形臂237连接于活门传动装置239。活门传动装置239包括用于水平传动臂237的水平传动装置239a和用于垂直传动臂237的垂直传动装置239b。使用螺杆传送机构作为水平传动装置239a和垂直传动装置239b。活门传动装置239引起第一活门件235运动到分隔壁231a和从该壁运动离开和垂直运动。
以下将参阅图30具体叙述关于打开和关闭第一通道口的第一活门件235的操作。图30是示出第一活门件235的操作的侧视图。当在第一台架221上放置一整体容器F时,整体容器F与第一台架221一起前进,用于运动与关闭第一通道口的第一活门件接触的整体容器F的盖子。此时,第一连接件235a操作在盖子113上的锁闩机构117,使盖子113从壳体111上拆下,并保持盖子113。然后,活门传动装置239下降,然后缩回保持盖子113的第一活门件。因此,从第一台架221上的整体容器F拆下盖子113,通过第一通道口朝第一处理区203打开整体容器F的内部。
当关闭第一通道口时,使保持盖子113的第一活门件235上升和前进以装配进入第一通道口。此时,由第一活门件235保持的盖子113还被装配进入在第一台架221上的整体容器F的壳体111的孔口内。第一连接件235a操作锁闩机构117,用于将盖子113固定于壳体111。这样,第一通道口被关闭和盖子113再次连接于整体容器F。
第二分隔壁231b在与第二台架223上放置的诸整体容器F相对的诸位置中形成基本上与整体容器F相同尺寸的三个第二通道口。这些第二通道口允许在整体容器F和第二处理区205之间输送的晶片W通过。当第二台架223上没有整体容器F时由三个第二活门件236关闭诸第二通道口。
第二活门件236具有与第一活门件235相同的结构。即,如图29括弧中的标号所示,各第二活门件236基本上在它的中央具有用于操作锁闩机构117的一第二连接件236a。由活门传动装置(未示出)通过L形臂238支持各第二活门件236。诸第二活门件236相互单独地可水平和垂直运动。通过前进、缩回和垂直运动各第二活门件236,打开和关闭相应的第二通道口。此时,连接或拆卸在第二通道口附近设置的整体容器F的盖子113。各第二活门件236和第二连接件236a分别对应于本发明中的第二活门件和第二连接/拆卸和保持机构。
其次,将叙述第一处理区203。第一处理区203包括用来将诸晶片W整体地携带进入和移出在第一台架221上放置的整体容器F的一第二输送机构241、用于将一组晶片W传送到第一输送机构241的和从该机构接受一组晶片的一基片架143、用于将该组晶片W整体地传送到基片架143和从该基片架接受该组晶片的推动件244、用于将该组晶片W整体地传送到推进件244和从该推进件接受该组晶片的一第一处理区的输送机构145、以及用于将该组晶片W传送到输送机构145和从输送机构145接受该组晶片的并整体地处理在垂直姿态中的该组晶片W的批量处理区147。基片架143具有用于在水平姿态和垂直姿态之间整体地改变该组晶片W的姿态的又一功能。第一处理区的输送机构145具有用于改变在诸晶片W之间的间距的又一功能。以下将叙述各组成部分。
如图30所示,第一输送机构241包括固定于横跨第一分隔壁231a与第一台架相对的位置中的基座241a、以及安装在基座241a上的铰接的机械手241b、铰接的机械手241b在它的远端具有输送臂242。由铰接的机械手241b传动输送臂242,以相对于基座241a延伸、缩回和转动。支持臂242包括设置在多层中的和平行水平延伸的用于保持处于水平姿态中的多张晶片(以下在适当的地方称为一组晶片W)的诸对手柄状件242a。手柄状件242a的层数较佳地对应于存放在各整体容器F中的晶片W的数量,在该实施例中为25层。
在由第一活门件235拆下了在第一台架221上放置的整体容器F的盖子113之后,第一输送机构241使输送臂242前进进入第一通道口。然后,将一组晶片W整体地装入整体容器F和从整体容器F取出一组晶片。输送臂242可转动,用于将处于水平姿态中的一组晶片W整体地传送到设置在第一输送机构241旁边的基片架143或从该基片架接受一组晶片。
其次,将叙述第二处理区205。第二处理区205包括用于一次将一张晶片W装入诸第二台架223中的一个上放置的整体容器F和从该整体容器F一次传送一张晶片的一第二输送机构261、用于一次将一张晶片W传送到第二输送机构261和从该机构一次接受一张晶片的一第二处理区的输送机构267、以及用于一次清洁和干燥从第二处理区的输送机构267接受的一张晶片W的单张基本处理部分171。以下将叙述各组成部分。
参阅图31。图31是第二输送机构261的侧视图。第二输送机构261包括水平传动装置262a、安装在水平传动装置262a上的基座262b、相对于基座262b可垂直运动的升降杆262c、以及连接于升降杆262c的上端的铰接的机械手263。第二处理区205具有设置在与存放区201相对的位置中的、沿着第二分隔壁231b延伸的螺杆轴265a和导杆265b。这些螺杆轴265a和导杆265b延伸在与三个第二台架223相对的一区域上。水平传动装置262a沿着螺杆轴265a和导杆265b水平可动。
铰接的机械手263在它的远端具有用于保持一张晶片W的I形保持臂263a。通过铰接的机械手263保持臂263a可以延伸、缩回和旋转。并且,通过水平传动装置262a和升降杆262c保持臂263c可以垂直和水平运动。
用以上所述的结构,第二输送机构261进行如下的操作。首先,其中一个第二活门件236拆下在相应的第二台架223上放置的一整体容器F的盖子113。第二输送机构261水平运动到与该整体容器F相对的位置,并且保持臂263a垂直运动到对应于在整体容器F内的一张晶片W的高度。保持臂263a前进进入第二通道口,并到达存放在整体容器F内的一张晶片W之下的位置。保持臂263a在其上保持该晶片W。然后,保持臂263a缩回,以从整体容器F取出该晶片W。一旦取出晶片W,第二输送机构261水平运动到与以下叙述的第二处理区的输送机构267相对的位置,并将所拿取的晶片W传送到第二处理区的输送机构267。
在从第二处理区的输送机构267接受一张晶片W时,第二输送机构261将该晶片W输送进入一整体容器F。
第二处理区的输送机构267具有安装在垂直可动的基座上的相互单独被传动的两个铰接的机械手。各铰接的机械手具有连接到它的远端的保持臂270a和270b,各保持臂用于一次操作一张晶片W。保持臂270a和270b为U形,用于方便地将晶片W传送到I形保持臂263a和从该I形保持臂接受晶片。保持臂270a和270b可以相互单独地延伸、缩回和旋转。并且,保持臂270a和270b可以相互同步地垂直运动。
第二处理区的输送机构267一次将一张晶片W传送到第一输送机构261和从第一输送机构一次接受一张晶片,并将晶片装入单张基片处理区171和从该处理区取出晶片。
在这实施例中,第二处理区的输送机构267的其中一保持臂270a在单张基片处理区171中对其执行处理专门地一次保持一张晶片W。另一保持臂270b在单张基本处理部分171内对其执行处理之后专门地一次保持一张晶片W。以这方式,保持臂270a和270b对于不同状态中的晶片W具有单独的功能。
单张基片处理部分171包括围绕第二处理部分的输送机构167的四个方向中设置的四个处理单元172。
将参照图32叙述具有上述结构的基片处理设备的操作的例子。
<步骤S201>从存放区将晶片W输送到第二处理区。
第二整体容器输送机构227从架子219将存放要处理的一组晶片W的一整体容器F输送到其中一个第二台架223。在滑动之后,放在第二台架223上的整体容器F具有被对应于第二台架223的第二活门件236拆下的盖子113。第二输送机构261的保持臂263a通过第二通道口从整体容器F一次取得一张晶片W。
在第二输送机构261重复该操作以从整体容器F取得全部晶片之后,第二活门件236向前和向上运动以装配入第二通道口,并将盖子113连接和固定于整体容器F的壳体111。这完成了从存放区201将晶片W输送到第二处理区205的工作。
由第二输送机构261一次从整体容器F拿下一张晶片的诸晶片W被一次一张地从第二输送机构261传送到第二处理区的输送机构267。第二处理区的输送机构267用它的接受各晶片W的保持臂270a将该晶片W输送到其中一处理单元172。
<步骤S202>在第二处理区中一次处理一张晶片W。
在处理单元172内对晶片执行预定的处理。
<步骤S203>从第二处理区将晶片W输送到存放区。
在处理单元172中对各张晶片W完成了预定的处理时,第二处理区的输送机构167将晶片W放在保持臂270b上,并从处理单元172输送晶片W。
第二输送机构261接受晶片W,并水平向后运动到与第二台架223相对的位置。事先在第二台架223上放置了一空的整体容器F,并由第二活门件236已拆下了整体容器F的盖子113。第二输送机构261将该组晶片W一次一张地通过第二通道口装入整体容器F。当诸晶片W已放在整体容器F内的全部凹槽115内时,第二活门件236向上和向前运动,以关闭第二通道口,并将盖子113连接和固定于整体容器F的壳体111。这完成了从第二处理区205将晶片W输送到存放区201的工作。
<步骤S204>将整体容器F从第二台架输送到第一台架。
第二整体容器输送机构227将存放在第二处理区205内已处理过的晶片W的整体容器F从第二台架223输送到架子219。
在将整体容器F放在架子219上之后,第一整体容器输送机构225再将整体容器F从架子219输送到第一台架221。当整体容器F被放在第一台架221时,第一台架221朝第一分隔壁231a滑动,以将整体容器F的盖子113放置成与第一活门件235接触。
<步骤S205>从存放区将晶片W输送到第一处理区。
第一活门件235缩回和下降,以从放在第一台架221上的整体容器F拆下盖子113,并打开第一通道口。第一输送机构241的保持臂242通过第二通道口从整体容器F整体地拿取诸晶片W。
在从整体容器F拿出该组晶片W之后,第一活门件235再次装配进入第一通道口,用于将盖子111连接和固定于整体容器F的壳体111。
第一输送机构241将所拿取的仍旧处于水平姿态的晶片组W放在基片架143上。所放置的该组晶片W通过推动件144、第一处理区的输送机构145和升降器157输送到其中一个清洁单元151。
<步骤S206>在第一处理区中整体地处理诸晶片W。
在清洁单元151中该组晶片W接受预定的处理。然后,将该组晶片W输送到干燥单元149,以在其中被干燥。
<步骤S207>从第一处理区将晶片W输送到存放区。
在批量处理区147中经受了一系列处理的该组晶片W通过输送区的输送机构145、推动件144和基片架143被输送到第一输送机构241。
第一输送机构241接受该组晶片,并转动面向第一台架221。此时,已在第一台架221上放置了一空的整体容器F,并已由第一活门件235拆下了整体容器F的盖子113。第一输送机构241通过分隔壁231a的第一通道口将该组晶片W整体地装入整体容器F内。
随后,第一活门件235向上和向前运动,以关闭第一通道口,并将盖子113连接和固定于整体容器F的壳体111。
第一整体容器输送机构225和第二整体容器输送机构227将含有在第一处理区203内处理过的晶片W的整体容器F从第一台架221通过架子219输送到支持台209。
在实施例5中如上所述的基片处理设备具有第一处理区203和第二处理区205,以及能够有选择地将晶片W从存放区201输送到第一处理区203和第二处理区205。从而,晶片W可以按批量处理方式整体地处理多张晶片W和按单张基片处理方式一次处理其中一张晶片W。
借助于存放区201在第一处理区203和第二处理区205之间输送晶片W。晶片W决不在第一处理区203和第二处理区205之间直接传送。因此,第一处理区203和第二处理区205的总控制不要求在该两处理区之间协调,而是能够单独地控制这两区。通过控制在存放区201中的整体容器F的输送可以协调和控制这两处理区。
如以上所述,在存放区201的侧面设置第一处理区203和第二处理区205。这布局便于在存放区201和第一处理区203之间和在存放区201和第二处理区205之间输送晶片W。
第一处理区203和第二处理区205分别具有第一输送机构241和第二输送机构261。从而,可以在存放区201和第一处理单元203之间和在存放区201和第二处理区205之间输送晶片W。
而且,设置三个第二台架223用于在其上接受整体容器F,以便在这些整体容器F和第二处理单元205之间输送晶片W。这实现了在第二处理区205和存放区201之间所输送的晶片W的质量的提高。
带有在其中设置的架子219的存放区201能够以方便的方式容纳许多整体容器F。并且,可以从相对侧通到架子219,以及第一整体容器输送机构225和第二整体容器输送机构227可沿着架子219的相对侧水平运动。这样,第一和第二输送机构225和227能够有效地到达架子219,而不会相互干扰。第一和第二整体容器输送机构225和227能够单独地输送整体容器F。
第二台架223设置在该架子219的延伸范围上。这布局允许第二整体容器输送机构227的运输路径是笔直的,从而提高了输送效率。并且,第一台架221设置在第一整体容器输送机构225的输送路径的一端。这提高了第一整体容器输送机构225的输送效率。
在该实施例中,第一处理区203和第二处理区205被构造成用于执行晶片W的清洁处理。这提供了处理的较高质量(结果),同时保证晶片清洁处理的很高的生产量。
由在诸对接受件219b之间垂直通过的整体容器携带臂226a和228a将整体容器F放在架子219上和从该架子取得整体容器F。这特征允许存放区201具有紧凑的结构。
所述的设备具有第一分隔壁231a和第二分隔壁231b、以及用于关闭在分隔壁231a和231b中形成的第一和第二通道口的第一和第二活门件335和336。这些组成部分防止存放区201的环境空气流到第一处理区203和第二处理区205。从而,整体容器F取出的晶片没有被污染。
由活门板233关闭分开存放区201和支持台209的侧壁231中形成的孔口,以保持存放区201中的环境空气清洁。
实施例6
其次将叙述本发明的实施例6。
图33是实施例6中基片处理设备的示意平面图。利用相同标记表示与以上诸实施例中相同的部分,并不再叙述它们。
如图33所示,如在实施例5中那样在存放区201的一侧设置第一处理区203和第二处理区205。但是,第二处理区205比在实施例5中具有较小的宽度。因此,存放区201内第二台架223的数量减少至两个。
在第二处理区205中,第二输送机构266的保持臂266a仅通过铰接的机械手的操作能够到达放在各第二台架223上的整体容器F。因此,不要求第二输送机构266沿着第二分隔壁231b水平运动。
在该实施例中,第二输送机构266垂直于第二分隔壁231b水平运动,用于将晶片W传送到第二处理区的输送机构267和从该机构接受晶片。
单张晶片处理区171具有设置在两排中和在两层内的诸处理单元172。
按照如上所述的实施例6,该基片处理设置具有较小的占地面积。第二输送机构266能够省去用于沿着第二分隔壁231b水平运动的结构。
本发明不局限于上述诸实施例,可以有如下的修改:
(1)在上述实施例5和6中,在存放区201的一侧设置第一处理区203和第二处理区205。本发明不局限于这布局。例如,第一处理区203和第二处理区205可以横跨存放区201相互相对。在这情况下,在存放区201的一侧设置第一处理区203,以及在另一侧设置第二处理区205。也在这布局中,存放区201能够在第一和第二处理区203和205之间方便地传送晶片W。
(2)在上述实施例5和6中,输送整体容器F到支持台209的是第二整体容器输送机构227。可以改变这布局,使第一整体容器输送机构225将整体容器F输送到支持台。在这情况下,第一整体容器输送机构225的输送路径是沿着架子219的与支持台209相对的一侧布局,并且第一台架221设置在架子的延伸范围上。第二整体容器输送机构227的输送路径在架子219的与第二处理区205相对的一侧布置,同时第二台架223布局在这输送路径的一端或相对端。
(3)在上述实施例5和6中,第二处理区205包括第二输送机构266和第二处理区的输送机构267。这不是限制的。例如,可以省去第二处理区的输送机构267,同时第二输送机构266直接在第二台架223上放的整体容器F和单张基片处理区171之间输送晶片W。
第二输送机构266被构造成一次输送一张晶片W,但可以修改成整体地输送多张晶片W。
第二处理区205还可以包括用于临时支持由第二输送机构266所输送的晶片W的架子。这允许第二输送机构更平稳地输送晶片W。
(4)在所述操作例子中,晶片是首先被输送到第二处理区205,然后输送到第一处理区203。这次序不是限制性的。可以按照对晶片W所执行的处理自由地选择次序。
(5)在上述实施例5中,存放区201包括一第一台架221和多个第二台架223,但这不是限制性的。例如,存放区201可以包括多个第一台架221和一个第二台架223。
实施例7
其次将叙述本发明的实施例7。
图34是实施例7的基片处理设备的示意平面图。使用相同的标号表示与以上诸实施例中相同的部分,并不再对它们叙述。
实施例7中的基片处理设备被设计成执行晶片W的预定处理,并包括用于接受整体容器F的存放区301、用于整体地处理多张晶片W的一第一处理区303、以及用于一次处理一张晶片W的一第二处理区305。各整体容器对应于本发明中的容器。
如图34所示,第二处理区305设置在第一处理区303和形成存放区301的一部分的支持台309(以下将叙述)之间。换句话说,第二处理区305设置在其中设置形成第一处理区303的一部分的批量处理部分147的方向延伸范围上。因此,沿着基片处理设备的一侧设置第一处理区303和第二处理区305。在该实施例中的存放区301在平面图中为与第一处理区303和第二处理区305相对的L形。
参阅图35、36和37。图35A是存放区301的平面图。图35B是架子319的前视图。图36是示出存放区301和第一处理区303的诸部分的侧视图。图37是整体容器输送机构325的侧视图。容纳整体容器F的存放区301包括用于接受被支持于该基片处理设备的整体容器F的支持台309、用于当设置在其上时支持多个整体容器F的诸架子319、用于支持从第一处理区303进入的整体容器F的一第一台架321、用于支持从第二处理区305进入的整体容器F的第二台架323、用于传送整体容器F到支持台309的和从该支持台接受整体容器F的一第三层381、以及用于在支持台309、架子319和第一第二和第三层321、323和381之间输送整体容器F的整体容器输送机构325。存放区301具有除了支持台309之外它的区域(以下在适当的地方称为“存放区310”)的周边设置的侧壁331,以将存放区310与外部环境密封隔离。在这说明中,与第一台架321相对的侧壁331称为一第一分隔壁331a、与第二台架323相对的侧壁331称为一第二分隔壁331b。
在存放区301的侧向设置支持台309,该台能够支持两个整体容器F。支持台309支持要被送入存放区301的一整体容器F、以及从存放区301取出的一整体容器F。支持台309对应于本发明中的第三台。在支持台309和第一处理区303之间延伸的方向中、沿着存放区301的远离第二处理区305的一侧设置多个架子319。从而,诸架子319与第二处理区305相对。在该实施例中,沿着侧壁331的最远离第二处理区305的一侧(该侧在图35A中标记“331S”、并在以下将称为“侧壁331S”)、并平行于在支持台309和第一处理区303之间延伸的方向的侧壁331(即垂直于第一分隔壁331a的侧壁331)设置诸架子319。
由侧壁331S支持的多个接受件319a形成架子319。整体容器F可以放在两个相邻的水平的接受件319a上,同时整体容器F的相对端搁置在接受件319a上。诸架子319布置成垂直方向的四层。下方的两层各自能够保持水平设置的四个整体容器F。上方的两层各自保持两个整体容器F。这样,全部所有的架子319一起能够保持12个整体容器F。
在诸接受件319a之间的间距大于整体容器输送机构235的整体容器携带臂326a的宽度、并小于整体容器F的宽度。因此,整体容器携带臂326a能够在各对接受件319b之间垂直通过。
一第一台架321安装在第一处理区303附近的架子319之上和侧向形成的未占用的空间内。第一台架321在平面图中是C形(或通道形状),以形成用于允许整体容器携带臂326a在其间垂直通过的一中央缺口。由侧壁331S通过滑动机构322支持第一台架321,以便相对于侧壁331S水平可动。第一台架321一次保持出入第一处理区303的一整体容器F,并将该整体容器F朝第一分隔壁331a运动和离开该壁运动。
滑动机构322为螺杆传送机构的形式,用于运动第一台架321,并包括与在第一台架321的侧面上形成的凸起321a啮合的螺杆轴322b以及未示出的用于来加转动螺杆轴322b的电动机。
第一台架321还具有架子319的功能。例如,当仅仅操作第二处理区305和存放区301时,能够将第一台架321用作为架子319。第一台架321对应于本发明中的第一台。
两个第二台架323被垂直设置在横跨整体容器输送机构325的输送路径与架子319相对的位置,并与第二分隔壁331b相对。如第二台架323在平面图中是C形(或通道形状),以形成用于允许整体容器F携带臂326a在其中垂直通过的中央缺口。各第二台架323由第二分隔壁331b附近的侧壁331通过滑动机构324支持。从而,诸第二台架323相对于侧壁331相互单独地可水平运动。像滑动机构322一样,滑动机构324是螺杆传送机构。各第二台架223对应于本发明中的第二台。
一第三台架381安装在支持台309附近的架子319之上和侧向形成的未被占用的空间内。第三台架381在平面图中是C形(或通道形状),以形成用于允许整体容器携带臂326a在其间垂直通过的中央缺口。第三台架381由侧壁331S通过滑动机构322支持,以便可相对于侧壁331S可垂直运动。第三台架381一次传送一整体容器F到达支持台309和从该支持台一次接受一整体容器。在支持台上放置的两个整体容器F中,仅仅靠近第三台架381的整体容器F被传送或接受。
将参照图35简单地叙述在第三台架381和支持台309之间输送整体容器F的操作。如图35所示,支持台309具有用于保持整体容器F的L形整体容器操纵臂391。该臂391通过未示出的传动机构可朝向和离开第三台架381运动。当第三台架381下降到整体容器操纵臂391之下的位置时,保持整体容器F的臂391向前运动到第三台架381的缺口。然后,第三台架381上升到整体容器操纵臂391之上。从而整体容器F从整体容器操纵臂391转移到第三台架381。在整体容器F被转移之后,整体容器操纵臂391缩回到支持台309。
如图37所示,整体容器输送机构325包括水平传动装置325a、安装在水平传动装置325a上的基座325b、相对于基座325b可垂直运动的升降杆325c、以及连接于升降杆325c的上端的铰接的机械手326。存放区301具有基本上设置在它的中央的和沿着架子319延伸的螺杆轴329a和导杆329b。螺杆轴329a和导杆329b具有位于支持台309和第一处理区303附近的它的相对端。水平传动装置325a沿着螺杆轴32a和导杆329b水平可动。铰接的机械手326从它的远端顺序地具有在平面图中基本上为三角形用于保持整体容器F的整体容器携带臂326a、用于保持整体容器携带臂326a的在水平面内可转动的一第一连杆326b、以及用于保持第一连杆326b的在水平面内可转动的一第二连杆326c。第二连杆326c由升降杆325c的上端支持成在水平面内可转动。
通过第一连杆326b和第二连杆326c的弯曲整体容器携带臂326b可相对于升降杆325c延伸和缩回。通过第二连杆326c相对于升降杆325c的转动整体容器携带臂326a可围绕升降杆325c转动。随着水平传动装置325a沿着螺杆轴329a水平运动,整体容器携带臂326a能够自由地运动到与支持台309、架子319、第一台架321、第二台架323和第三台架381相对的位置。在与支持台309相对的位置中,整体容器携带臂326a仅仅可以到达在支持台309上放置的诸整体容器F的、在输送路径的延伸范围上有的整体容器F。
当整体容器输送机构325将整体容器F放在架子319上时,保持整体容器F的整体容器携带臂326a在诸接受件319a之间下降。随着整体容器携带臂326a在诸接受件319a之间通过,整体容器F从整体容器携带臂326a转移到架子319a。相反,当从架子319向下取得整体容器F时,整体容器携带臂326a在保持整体容器F的诸接受件319a之间上升。随着整体容器携带臂326a在诸接受件319a之间通过,从架子319接受整体容器F。
当整体容器F输送机构325到达第一台架321、第二台架323、第三台架381或支持台309时,整体容器携带臂326a可以上升,如在上述的架子319的情况中那样。整体容器输送机构325对应于本发明中的输送装置。
设置在支持台309和存放区域310之间的侧壁131形成在与支持台309上放置的整体容器F相对的位置中的两个孔口。其中一个孔口被形成得比另一个孔口大,以允许整体容器操纵臂391进入。这些孔口被形成为稍大于整体容器F,以允许整体容器F通过。由两个垂直可动的活门板333关闭这些孔口。这些活门板333仅仅在支持台309和整体容器输送机构325或第三台架381之间输送整体容器F垂直运动以打开这些孔口。通常,活门件333关闭这些孔口,以密封存放区域310的内部。
第一分隔壁331a在与第一台架321上放置的整体容器F相对的位置中形成与整体容器F基本相同尺寸的单个第一通道口。第一通道口允许在整体容器F和第一处理区303之间输送的晶片W通过。当第一台架321上没有整体容器F时由一第一活门件335关闭第一通道口。
参阅图38。图38是第一活门件335的立体图。第一活门件335具有几乎与第一通道口相同尺寸的一凸起,以装配入和阻塞第一通道口。第一活门件335基本上在它的中央具有对应于在各容器的盖子113上设置的锁闩机构117的一第一连接件335a。第一连接件335a被形成为连接形成为锁闩机构117的一部分的小齿轮117c,并当对其连接时转动小齿轮118c。以这方式,盖子113被锁定于壳体111,并允许从壳体111拆卸时,第一活门件335保持处于此状态的盖子113。第一活门件335和第一连接件335a分别对应于本发明中的活门件和第一连接/拆卸和保持机构。
第一活门件335通过L形臂337连接于活门传动装置339。活门传动装置339包括用于水平传动臂337的水平传动装置339a、以及用于垂直传动臂337的垂直传动装置339b。使用螺杆传送机构作为水平传动装置339a和垂直传动装置339b。活门传动装置339引起第一活门件335朝向和离开第一分隔壁331a运动和垂直运动。
以下将参照图39具体叙述用于打开和关闭第一通道口的第一活门件335的操作。图39是示出第一活门件335的操作的侧视图。当将一整体容器F放在第一台架321时,整体容器F与第一台架121一起前进,以便使与关闭第一通道口的第一活门件335接触的整体容器F的盖子113运动。此时,第一连接件335a操作盖子113上的锁闩机构117,使盖子113可从壳体111上拆卸,并保持盖子113。然后,活门传动装置339下降和然后缩回保持盖子113的第一活门件135。因此,从第一台架321上的整体容器F拆下盖子113,通过第一通道口朝第一处理区303打开整体容器F的内部。
当关闭第一通道口时,保持盖子113的第一活门件135上升和前进,以装配进入第一通道口。此时,由第一活门件135保持的盖子113也被装配进入在第一台架321上放置的整体容器F的壳体的孔口。第一连接件335a操纵锁闩机构117,用于将盖子113固定于壳体111。从而,关闭了第一通道口和盖子113再次连接于整体容器F。
第二分隔壁331b在与第二台架323上放置的整体容器F相对的位置形成与整体容器F基本上相同尺寸的两个第二通道口。第二通道口允许在整体容器F和第二处理区305之间输送的晶片W通过。在第二台架323上没有整体容器F时由两个第二活门件336关闭第二通道口。
第二活门件336具有与第一活门件335相同的结构。即,如图38中的括弧内的标记所示,各第二活门件336基本上在它的中央具有用于操纵锁闩机构117的第二连接件336a。第二连接件336a被形成为连接形成为锁闩机构117的一部分的小齿轮117c,并当对其连接时转动小齿轮117c。以这方式,将盖子113锁定于壳体111,并允许它从壳体111拆下。当将盖子113制成为可从壳体111拆下时,第一活门件335保持处于该状态中的盖子113。第一活门件335和第一连接件335a分别对应于本发明中的活门件和第一连接/拆卸和保持机构。
提供L形臂338,用于可连接于两个第二活门件336中的一个和从一活门件分开。未示出的活门传动装置水平地和垂直地传动臂338。从而,臂338不同于固定地支持第一活门件335的臂337。各第二活门件336和第二连接件336a分别对应于本发明中的活门件和第二连接/拆卸和保持机构。
以下将参照图40叙述用于打开和关闭第二通道口的各第二活门件336的操作。图40是示出第二活门件336的操作的侧视图。由未示出的活门传动装置传动臂338,用于与其中一活门件336(即图40中的上活门件336)相结合。结合的第二活门件336缩回、然后下降。从而拆下整体容器F的盖子113,通过第二通道口对第二处理区305打开整体容器F的内部。两个第二通道口不同时打开。
其次,将叙述第一处理区303。第一处理区303包括用于整体地将诸晶片W带入第一台架321上放置的整体容器F内和从该整体容器F取出诸晶片的一第一输送机构341、用于到达/离开第一输送机构341传送和接受一组晶片W的基片架143、用于到达/离开基片架143传送和接受该组晶片W的推动件144、用于到达/离开推动件144整体地传送和接受该组晶片W的一第一处理区的输送机构145、以及用于到达/离开输送机构145传送和接受该组晶片W以及整体地处理垂直资态中的该组晶片W的一批量处理部分147。基片架143具有用于在水平姿态和垂直姿态之间整体地改变该组晶片W的姿态的又一功能。第一处理区的输送机构145具有用于改变在诸晶片W之间的间距的又一功能。以下将叙述各组成部分。
第一输送机构341包括固定于横跨第一分隔壁331a与第一台架321相对的一位置的基座341a、安装在基座341a上的铰接的机械手341b。铰接的机械341b具有在它的远端的输送臂342。由铰接的机械手341b传动输送臂342,用于相对于基座341a延伸、缩回和旋转。输送臂342包括设置在多层中的水平平行延伸的用于保持处于水平姿态中的多张晶片W(以下在适当的地方称为一组晶片W)的诸对手柄状件342a。诸手柄状件342a的层数较佳地对应于各整体容器F中存放的晶片W的数量,在该实施例中是25层。
如图39所示,在由第一活门335拆下第一台架321上放置的整体容器F的盖子113之后,第一输送机构341使输送臂342前进进入第一通道口。然后,一组晶片W整体地被带入整体容器F或从整体容器F取出。输送臂342可旋转,用于到达/离开在第一输送机构341旁边设置的基片架143整体地传送或接受处于水平姿态的一组晶片W。
其次,将叙述第二处理区305。第二处理区305包括用于一次将一张晶片W带入其中一个第二台架上放置的整体容器F内和从该整体容器F一次取出一张晶片的一第二输送机构361、用于到达/离开第二输送机构361一次传送和接受一张晶片W的一第二处理区的输送机构367、以及用于每一次清洁和干燥从第二处理区的输送机构367接受的一张晶片W的单张晶片处理部分171。以下将叙述各组成部分。
如图34和40所示,第二输送机构361包括一可动基座362、以及安装在可动基座362的上端上的两个铰接的机械手363a和363b。各铰接的机械手363a和363b具有在它的远端的用于保持单张晶片W的U形保持臂364a和364b。
各保持臂364a或364b通过铰接的机械手363a或363b可以相互单独地延伸、缩回和旋转。并且,保持臂364a和364b通过可动基座362可以相互同步垂直运动。
第二输送机构361在第二台架323上放置的整体容器F和单张基片处理部分171之间一次输送一张晶片W。
在该实施例中,在单张基片处理部分171内处理之前,第二输送机构361的保持臂364a和364b的一个(例如保持臂364a)仅仅保持一张晶片W,以及在单张基片处理部分171内处理之后另一个保持臂(例如保持臂364b)仅仅保持一张晶片W。以这方式,使用不同保持臂364a和364b保持不同状态下的晶片W。
尤其,第二输送机构361的操作如下所述。首先,诸第二活门件336的其中一个拆下在第二台架323的一相应台架上放置的整体容器F的盖子113。保持臂364a旋转和垂直运动到与该整体容器F相对的位置。然后保持臂364a前进进入第二通道口,到达整体容器F内存入的一张晶片W之下的位置。保持臂363a缩回,以从整体容器F取出该晶片W。一旦取出该晶片W,第二输送机构361就旋转和进行其它运动,用于将该晶片W送到单张基片处理部分171。
当从单张基片处理部分171输送一张晶片W时,使用保持臂364b。将被输送的晶片W返回到在第二台架323上放置的整体容器F。
单张基片处理部分171具有设置在两排中和在两层内的四个处理单元172。处理单元172被设置第二输送机构361的一侧。
以下将参照图41叙述具有上述结构的基片处理设备的操作的例子。
<步骤S301>将晶片W从存放区输送到第二处理区。
与臂338结合的和保持整体容器F的盖子113的第二活门件336缩回、然后下降。这打开了第二通道口和拆下了盖子113。
第二输送机构361使保持臂364a前进通过第二通道口进入整体容器F、一次拿取一张晶片W。将从整体容器F拿取的各晶片W装入其中一个处理单元172。
在第二输送机构361重复从整体容器F拿取全部晶片W的这操作之后,第二活门件336向前和向上运动,以装配进入第二通道口,以及将盖子113连接和固定于整体容器F的壳体111。这完成了将晶片W从存放区301输送到第二处理区305的工作。
<步骤S302>在第二处理区内一次处理一张晶片W。
在处理单元172内,对于晶片W执行预定的处理。
<步骤S303>将晶片W从第二处理区输送到存放区。
当在处理单元172内对各张晶片W完成预定处理时,第二输送机构361将晶片W放在保持臂364b上,并从处理单元172输送晶片W。
第二输送机构361转动到与第二台架323相对的位置。事先已将一空的整体容器F放在其中一个第二台架323上,以及已由第二活门件336拆下了整体容器F的盖子113。第二输送机构361通过第二通道口一次将该组晶片W中的一张装入整体容器F。当将诸晶片W已放入整体容器F中的全部凹槽115内时,第二活门件236向上和向前运动,以关闭第二通道口,并将盖子113连接和固定于整体容器F的壳体111。这完成了将晶片W从处理区305输送到存放区301的工作。
<步骤S304>将整体容器F从第二台架输送到第三台架。
整体容器输送机构325将存放在第二处理区305内已处理过的晶片W的整体容器从第二台架323输送到第一台架321。
当整体容器F已放在第一台架321上时,第一台架321朝第一分隔壁331a滑动,用于将整体容器F的盖子113放置成与第一活门件335接触。
<步骤S305>将晶片W从存放区输送到第一处理区。
第一活门件335缩回和下降,以从第一台架上放置的整体容器F拆下盖子113,并打开第一通道口。第一输送机构341的保持臂342通过第二通道口从整体容器F整体地取出诸晶片W。
在从整体容器F取出该组晶片W之后,再次将第一活门件335装入第一通道口,以将盖子113连接和固定于整体容器F的壳体111。
第一输送机构341将仍旧保持在水平姿态中的所取得的该组晶片W放在基片架143上。通过推动件144、第一处理区的输送机构145和升降器157将所放置的该组晶片W输送到其中一个清洁单元151。
<步骤S306>在第一处理区内整体地处理诸晶片W。
在清洁单元151内该组晶片W接受预定的处理。然后,将该组晶片W输送到干燥单元149,以在其中干燥。
<步骤S307>将晶片W从第一处理区输送到存放区。
将在批量处理部分147中经历了一系列处理的该组晶片W通过输送区的输送机构145、推动件144和基片架143输送到第一输送机构341。
第一输送机构341接受该组晶片,并转动以面对第一台架321。此时,已在第一台架321上放置了一空的整体容器F,以及已由第一活门件335拆下了整体容器F的盖子113。第一输送机构341通过分隔壁331a的第一通道口整体地将该组晶片W装入整体容器F。
随后,第一活门件335向上和向前运动,以关闭第一通道口,并将盖子113连接一固定于整体容器F的壳体111。
整体容器输送机构325将含有在第一处理区303中处理过的晶片W的整体容器F从第一台架321输送到支持台309。
在实施例7中的基片处理设备如以上所述具有第一处理区303和第二处理区305,以及能够有选择地将晶片W从存放区301输送到第一处理区303和第二处理区305。这样,可以以用于整体地处理多张晶片W的批量处理方式和用于一次处理诸晶片W的一张的单张基片处理方式处理晶片。
借助于存放区301可以在第一处理区303和第二处理区305之间输送晶片W。决不直接在第一处理区303和第二处理区305之间输送晶片W。因此,不要求在两处理区协调第一处理区303和第二处理区305的总控制,而是能够单独地控制这些区。通过在存放区301中控制整体容器F的输送可以协调和控制这两处理区。
如所述那样,在存放区301的侧面设置第一处理区303和第二处理区305。这布局便于在存放区301和第一处理区303之间和在存放区301和第二处理区305之间传送晶片W。
在第一处理区303和支持台309之间设置第二处理区305。与在存放区301的一侧设置第一处理区303和第二处理区305的情况比较,这布局实现了基片处理设备的短侧的缩短。这布局还能够消除死角,以减少占地面积。
并且,垂直提供和设置两个第二台架323实现了在第二处理区305和存放区301之间所输送的晶片W的质量的提高,同时阻止了占地面积的增加。
在第一处理区303和支持台309之间和在与第二处理区305相对的位置中设置的架子319允许存入区301更紧凑。
在整体容器输送机构325的输送路径的一侧设置架子319和在另一侧设置第二台架323,以及在该输送路径的一端设置支持台309。这布局允许输送路径是较短的直线,并仅要求一整体容器输送机构325。这达到了较高的输送效率。
由于诸整体容器F(或诸盖子113)始终面对相同的方向,因此存放区301不需要用于转动整体容器F的机构。
在架子319的侧面靠近第一处理区303设置第一台架321。从而,有效地利用了在存放区301内的空间,使存放区301更紧凑。
在架子319的侧面靠近支持台309设置了用于到达/离开支持台309传送和接受整体容器F的第三台架。这提供了关于设置架子319和有效使用存放区301内的空间的较大的自由度。
当整体容器F放在架子319上或从该架子拿取整体容器F时,在诸接受件319a之间垂直运动整体容器携带臂326a。这特征允许存放区301具有紧凑的结构。
在该实施例中,第一处理区303和第二处理区305被构造成用于执行晶片W的清洁处理。这提供了处理的较高质量(效果),同时保证水清洁处理的较高的生产量。
所述设备具有第一分隔壁331a和第二分隔壁331b、以及用于关闭在分隔壁331a和331b中形成的第一和第二通道口的第一和第二活门件335和336。这些组成部分防止存放区301的环境空气流入第一处理区303和第二处理区305。从而,从整体容器F取出的晶片W没有被污染。
两个第二活门件336共同享用单个臂338和一个活门传动装置。这实现了减少所要求的另件的数量。
由活门板333关闭在侧壁331中形成的、分开存放区301和支持台309的孔口,以形成存放区301内的环境空气清洁。
实施例8
其次将叙述本发明的实施例8。
图42是实施例8中基片处理设备的示意平面图。使用相同的标号表示与以上诸实施例中相同的部分,并不再对它们叙述。
如图42所示,实施例8中的基片处理设备像在实施例7中那样具有在第一处理区303和形成存放区301的一部分的支持台309(以下将叙述)之间设置的第二处理区305。换句话说,第二处理区305设置在其中布置形成第一处理区303的一部分的批量处理部分147的方向中的延伸范围上。因此,沿着基片处理设备的一侧设置第一处理区303和第二处理区305。在该实施例中的存放区301的平面图中为L形,以与第一处理区303和第二处理区305相对。
但是,在实施例8中的存放区301内的整体容器输送机构325的输送路径和第二处理区305内的单张基片处理部分171的设置与实施例7中的不同。
存放区301包括支持台309、架子319、一个第一台架321、两个第二台架323、以及用于在支持台309、架子319、以及第一和第二台架321和323之间输送整体容器F的整体容器输送机构325。存放区301不包括对应于在实施例7中所述的第三台架381的结构。整体容器输送机构325运动到在支持台309上放置的全部整体容器F。从而,支持台309不要求在实施例7中所述的整体容器操纵臂391。
架子319和第一和第二台架321和323沿着平行于支持台309的一直线并列。在这实施例中,架子319和第一和第二台架321和323设置在沿着一第二分隔壁331b延伸的一直线上设置。
第一台架321水平可运动到对应于在第一分隔壁331a和第二分隔壁331b之间的一间距的一距离上,从而在其上放置的整体容器F内的该组晶片W可以被输送到第一处理区303。
在相对于第二分隔壁331b的位置中水平设置两个第二台架323。
架子319被设置在第一和第二台架321和323之间、在垂直方向的四层中用于保持全部四个整体容器F。可以在沿着第二分隔壁331b延伸的一直线上的不与第一和第二台架321和323干涉的任何适当位置中设置架子319。
形成整体容器输送机构325的输送路径的螺杆轴329a和导杆329b设置在支持台309和沿着第二分隔壁331b延伸的直线(即在其上并列架子319和第一和第二台架321和323的直线)之间。螺杆轴329a和导杆329b具有通过与支持台309、架子319、以及第一和第二台架321和323相对的区域延伸的它的相对端。
第二分隔壁331b形成水平设置的与诸第二台架323对应的两个第二通道口。由两个第二活门件336打开和关闭这两个第二通道口。各第二活门件336由一臂(未示出)固定地支持。由一单独的活门传动装置单独地传动各臂。
在第二处理区305内的单张基片处理部分171包括堆置在两层中的相互相对的两套处理单元172,同时在其间带有第二输送机构361。
本发明不局限于上述诸实施例,而是可以有下列修改。
(1)在所述的操作例子中,首先将晶片W输送到第二处理区305,然后输送到第一处理区303。这次序不是限制性的。可以按照对晶片W执行的处理自由地选择顺序。
(2)在以上所述的实施例7和8中,第二输送机构361被构造成一次输送诸晶片中的一张晶片。可以修改第二输送机构361以整体地输送多张晶片W。
而且,第二处理区305还可以包括用于临时保持由第二输送机构361输送的晶片W的架子。这允许第二输送机构361更平稳地输送晶片W。
(3)在以上所述的实施例7中,存放区301包括一第一台架321和多个第二台架323,但是不是限制性的。例如,存放区301可以包括多个第一台架321和一个第二台架323。
本发明可以体现为其它特定型式而不偏离它的原理和基本特性,应该指出是所附权利要求书而不是以上说明书指出了本发明的范围。

Claims (87)

1.一基片处理设备,该设备包括:
用于支持存放多张基片的一容器的一容器台;
包括用于整体地处理多张基片的一第一处理部分、以及用于对多张基片一次处理一张基片的一第二处理部分的一基片处理区;
用于在所述容器台、所述第一处理部分和所述第二处理部分之间输送诸基片的一输送机构;以及
用于根据基片处理状态控制用于在所述容器台、所述第一处理部分和所述第二处理部分之间输送诸基片的所述输送机构的一输送操作的一控制装置。
2.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述基片处理区被分为两个区域,所述第一处理部分和所述第二处理部分被设置成相互相对,所述第一处理部分被设置在其中一个区域中,以及所述第二处理部分被设置在另一区域中。
3.如权利要求2所述的设备,其特征在于,还包括在所述两区域之间的一分隔件。
4.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述第一处理部分包括:
用一处理溶液处理处于垂直姿态中的多张基片的一处理单元;
用于在所述处理单元内被处理之后干燥处于垂直姿态中的多张基片的一干燥单元;
用于传送和接受多张基片到达/离开所述输送机构、以及在水平姿态和垂直姿态之间变换多张基片的一姿态变换机构;以及
用于传送和接受多张基片到达/离开所述姿态变换机构、以及在所述处理单元和所述干燥单元之间输送多张基片的一第一处理部分的输送机构。
5.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述第二处理部分包括用于一次处理一张基片的一单张基片处理单元、以及用于在所述输送机构和所述单张基片处理单元之间输送多张基片的一第二处理部分的输送机构。
6.如权利要求4所述的设备,其特征在于,包括在所述第一处理部分内的所述姿态变换机构是一第一姿态变换机构,所述设备还包括横跨所述基片处理区与所述输送机构相对设置的、用于在所述第一处理部分和所述第二处理部分之间输送多张基片的、以及在水平姿态和垂直姿态变换多张基片的一第二姿态变换机构。
7.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述输送机构被设置成将已在所述第一处理部分处理过的多张基片输送到所述第二处理部分。
8.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述输送机构被设置成将已在所述第二处理部分处理过的多张基片输送到所述第一处理部分。
9.一基片处理设备,该设备包括:
用于接受存放多张基片的一容器的一存放区;
用于整体地处理多张基片的一第一处理区;
用于对多张基片一次处理一张基片的一第二处理区;以及
用于在所述存放区内所接受的所述容器、所述第一处理区和所述第二处理区之间输送多张基片的一输送区。
10.如权利要求9所述的设备,其特征在于,将所述第二处理区设置在所述第一处理区和所述存放区之间,以及所述输送区被设置在所述第一处理区和所述存放区之间、并与所述第二处理区相对。
11.如权利要求9所述的设备,其特征在于,沿着基片处理设备的一长侧设置所述第一处理区、所述第二处理区和所述存放区。
12.如权利要求9所述的设备,其特征在于,所述第一处理区被设置成整体地清洁和干燥多张基片,以及第二处理区被设置成对多张基片一次清洁和干燥一张基片。
13.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述第二处理区被设置成清洁各基片的背面上的至少边缘区域。
14.如权利要求12所述的设备,其特征在于,所述第二处理区还被设置成对多张基片一次蚀刻一张基片。
15.如权利要求9所述的设备,其特征在于,所述输送区被设置成从所述第二处理区输送已在所述第二处理区内处理过的多张基片到达所述第一处理区。
16.如权利要求9所述的设备,其特征在于,所述输送区被设置成从所述第一处理区输送已在所述第一处理区内处理过的多张基本到达所述第二处理区。
17.如权利要求9所述的设备,其特征在于,所述输送区被设置成将多张基片从所述容器输送到所述第二处理区、从所述第二处理区将已在所述第二处理区内处理过的多张晶片输送到所述第一处理区、以及从所述第一处理区将已在所述第一处理区内处理过的多张基片输送到达所述容器。
18.如权利要求9所述的设备,其特征在于,
所述输送区包括用于整体地输送多张基片的一输送区的输送机构;以及
所述第二处理区包括:
用于对多张基片一次清洁和干燥一张基片的一单张基片处理部分;
用于保持多张基片的一第二处理区的基片架;
用于在所述单张基片处理部分和所述第二处理区的基片架之间对多张基片一次输送一张基片的一第二处理区的输送机构;
所述输送区的输送机构整体地将多张基片放置在所述第二处理区的基片架上和从该基片架取得多张基片。
19.如权利要求18所述的设备,其特征在于,
所述第二处理区的基片架包括:
用于在单张基片处理部分内处理之前保持多张基片的一预处理基片架;以及
用于在单张基片处理部分内处理之后保持多张基片的一后处理基片架;
所述第二处理区的输送机构从所述预处理基片架对多张基片一次输送一张基片到达所述单张基片处理部分,以及从所述单张基片处理部分对多张基片一次输送一张基片到达所述后处理基片架;
所述输送区的输送机构整体地将多张基片放在所述预处理基片架上,以及从所述后处理基片架整体地取得多张基片。
20.如权利要求19所述的设备,其特征在于,在所述输送区的输送机构能够输送N张基片的场合,所述预处理基片架和所述后处理基片架的各基片架能够保持数量为N的倍数的多张基片。
21.如权利要求19所述的设备,其特征在于,
所述单张基片处理部分包括在多排中和在多层中设置的多个处理单元;
所述第二处理区的输送机构从所述预处理基片架对多张基片一次输送一张基片到达各所述处理单元,以及从各所述处理单元对多张基片一次输送一张基片到达所述后处理基片架。
22.如权利要求9所述的设备,其特征在于,
所述输送区包括用于整体地输送多张基片的一输送区的输送机构;以及
所述第一处理区包括:
用于整体地液体处理和干燥多张基片的一批量处理部分;
用于保持多张基片的一第一处理区的基片架;以及
用于在所述批量处理部分和所述第一处理区的基片架之间整体地输送多张基片的一第一处理区的输送机构;
所述输送区的输送机构整体地将多张基片放置在所述第一处理区的基片架上和从该基片架取得多张基片。
23.如权利要求22所述的设备,其特征在于,
所述输送区的输送机构被设置成传送和接受处于水平姿态中的多张基片到达/离开所述第一处理区的基片架;
所述第一处理区的输送机构被设置成传送和接受处于垂直姿态的多张基片到达/离开所述第一处理区的基片架;以及
所述第一处理区的基片架被设置成在水平姿态和垂直姿态之间整体地变换多张基片,以便传送到所述输送区的输送机构和所述第一处理区的输送机构。
24.如权利要求9所述的设备,其特征在于,还包括:
将所述存放区与所述第二处理区和所述输送区分开的、以及形成与所述存放区中的所述容器相对的、以允许多张基片通过的一通道口的一分隔件;以及
用于打开和关闭所述通道口的一活门件;
所述输送区被设置成通过所述通道口将多张基片装载和卸载进入/离开所述存放区内的所述容器。
25.如权利要求24所述的设备,其特征在于,所述容器具有在它的一侧形成的一孔口,以及用于关闭所述孔口的一盖子,所述活门件具有用于连接、拆卸和保持在所述存放区内的所述容器的所述盖子的一连接/拆卸和保持机构。
26.一基片处理设备,该设备包括:
用于支持存放多张基片的一容器的一容器台;
用于整体地处理多张基片的一第一处理区;
用于对多张基片一次处理一张基片的一第二处理区;以及
用于在所述容器台上放置的所述容器、所述第一处理区和所述第二处理区之间输送多张基片的一输送区;
其中所述第二处理区设置在所述第一处理区和所述容器台之间,以及所述输送区设置在所述第一处理区和所述容器台之间并与所述第二处理区相对。
27.如权利要求26所述的设备,其特征在于,所述第一处理区被设置成整体地清洁和干燥多张基片,以及所述第二处理区被设置成对多张基片一次清洁和干燥一张基片。
28.如权利要求27所述的设备,其特征在于,所述第二处理区被设置成清洁各基片的背面上的至少边缘区域。
29.如权利要求27所述的设备,其特征在于,所述第二处理区还被设置成对多张基片一次蚀刻一张基片。
30.如权利要求26所述的设备,其特征在于,所述输送区被设置成从所述第二处理区输送已在所述第二处理区内处理过的多张基片到达所述第一处理区。
31.如权利要求26所述的设备,其特征在于,所述输送区被设置成从所述第一处理区输送已在所述第一处理区内处理过的多张基本到达所述第二处理区。
32.如权利要求26所述的设备,其特征在于,所述输送区被设置成将多张基片从所述容器输送到所述第二处理区、从所述第二处理区将已在所述第二处理区内处理过的多张晶片输送到所述第一处理区、以及从所述第一处理区将已在所述第一处理区内处理过的多张基片输送到达所述容器。
33.如权利要求26所述的设备,其特征在于,
所述输送区包括用于整体地输送多张基片的一输送区的输送机构;以及
所述第二处理区包括:
用于对多张基片一次清洁和干燥一张基片的一单张基片处理部分;
用于保持多张基片的一第二处理区的基片架;
用于在所述单张基片处理部分和所述第二处理区的基片架之间对多张基片一次输送一张基片的一第二处理区的输送机构;
所述输送区的输送机构整体地将多张基片放置在所述第二处理区的基片架上和从该基片架取得多张基片。
34.如权利要求33所述的设备,其特征在于,
所述第二处理区的基片架包括:
用于在单张基片处理部分内处理之前保持多张基片的一预处理基片架;以及
用于在单张基片处理部分内处理之后保持多张基片的一后处理基片架;
所述第二处理区的输送机构从所述预处理基片架对多张基片一次输送一张基片到达所述单张基片处理部分,以及从所述单张基片处理部分对多张基片一次输送一张基片到达所述后处理基片架;
所述输送区的输送机构整体地将多张基片放在所述预处理基片架上,以及从所述后处理基片架整体地取得多张基片。
35.如权利要求34所述的设备,其特征在于,在所述输送区的输送机构能够输送N张基片的场合,所述预处理基片架和所述后处理基片架的各基片架能够保持数量为N的倍数的多张基片。
36.如权利要求34所述的设备,其特征在于,
所述单张基片处理部分包括在多排中和在多层中设置的多个处理单元;
所述第二处理区的输送机构从所述预处理基片架对多张基片一次输送一张基片到达各所述处理单元,以及从各所述处理单元对多张基片一次输送一张基片到达所述后处理基片架。
37.如权利要求26所述的设备,其特征在于,
所述输送区包括用于整体地输送多张基片的一输送区的输送机构;以及
所述第一处理区包括:
用于整体地液体处理和干燥多张基片的一批量处理部分;
用于保持多张基片的一第一处理区的基片架;以及
用于在所述批量处理部分和所述第一处理区的基片架之间整体地输送多张基片的一第一处理区的输送机构;
所述输送区的输送机构整体地将多张基片放置在所述第一处理区的基片架上和从该基片架取得多张基片。
38.如权利要求37所述的设备,其特征在于,
所述输送区的输送机构被设置成传送和接受处于水平姿态中的多张基片到达/离开所述第一处理区的基片架;
所述第一处理区的输送机构被设置成传送和接受处于垂直姿态的多张基片到达/离开所述第一处理区的基片架;以及
所述第一处理区的基片架被设置成在水平姿态和垂直姿态之间整体地变换多张基片,以便传送到所述输送区的输送机构和所述第一处理区的输送机构。
39.一基片处理设备,该设备包括:
用于支持存放多张基片的一容器的一容器台;
用于整体地处理多张基片的一第一处理区;
用于对多张基片一次处理一张基片的一第二处理区;以及
用于在所述容器台上放置的所述容器、所述第一处理区和所述第二处理区之间输送多张基片的一输送区;
其中沿着基片处理设备的一长侧按序设置所述第一处理区、所述第二处理区和所述容器台。
40.如权利要求39所述的设备,其特征在于,所述第一处理区被设置成整体地清洁和干燥多张基片,以及所述第二处理区被设置成对多张基片一次清洁和干燥一张基片。
41.如权利要求40所述的设备,其特征在于,所述第二处理区被设置成清洁各基片的背面上的至少边缘区域。
42.如权利要求40所述的设备,其特征在于,所述第二处理区被还设置成对多张基片一次蚀刻一张基片。
43.如权利要求39所述的设备,其特征在于,所述输送区被设置成从所述第二处理区输送已在所述第二处理区内处理过的多张基片到达所述第一处理区。
44.如权利要求39所述的设备,其特征在于,所述输送区被设置成从所述第一处理区输送已在所述第一处理区内处理过的多张基本到达所述第二处理区。
45.如权利要求39所述的设备,其特征在于,所述输送区被设置成将多张基片从所述容器输送到所述第二处理区、从所述第二处理区将已在所述第二处理区内处理过的多张晶片输送到所述第一处理区、以及从所述第一处理区将已在所述第一处理区内处理过的多张基片输送到达所述容器。
46.如权利要求39所述的设备,其特征在于,
所述输送区包括用于整体地输送多张基片的一输送区的输送机构;以及
所述第二处理区包括:
用于对多张基片一次清洁和干燥一张基片的一单张基片处理部分;
用于保持多张基片的一第二处理区的基片架;
用于在所述单张基片处理部分和所述第二处理区的基片架之间对多张基片一次输送一张基片的一第二处理区的输送机构;
所述输送区的输送机构整体地将多张基片放置在所述第二处理区的基片架上和从该基片架取得多张基片。
47.如权利要求46所述的设备,其特征在于,
所述第二处理区的基片架包括:
用于在单张基片处理部分内处理之前保持多张基片的一预处理基片架;以及
用于在单张基片处理部分内处理之后保持多张基片的一后处理基片架;
所述第二处理区的输送机构从所述预处理基片架对多张基片一次输送一张基片到达所述单张基片处理部分,以及从所述单张基片处理部分对多张基片一次输送一张基片到达所述后处理基片架;
所述输送区的输送机构整体地将多张基片放在所述预处理基片架上,以及从所述后处理基片架整体地取得多张基片。
48.如权利要求47所述的设备,其特征在于,在所述输送区的输送机构能够输送N张基片的场合,所述预处理基片架和所述后处理基片架的各基片架能够保持数量为N的倍数的多张基片。
49.如权利要求47所述的设备,其特征在于,
所述单张基片处理部分包括在多排中和在多层中设置的多个处理单元;
所述第二处理区的输送机构从所述预处理基片架对多张基片一次输送一张基片到达各所述处理单元,以及从各所述处理单元对多张基片一次输送一张基片到达所述后处理基片架。
50.如权利要求39所述的设备,其特征在于,
所述输送区包括用于整体地输送多张基片的一输送区的输送机构;以及
所述第一处理区包括:
用于整体地液体处理和干燥多张基片的一批量处理部分;
用于保持多张基片的一第一处理区的基片架;以及
用于在所述批量处理部分和所述第一处理区的基片架之间整体地输送多张基片的一第一处理区的输送机构;
所述输送区的输送机构整体地将多张基片放置在所述第一处理区的基片架上和从该基片架取得多张基片。
51.如权利要求50所述的设备,其特征在于,
所述输送区的输送机构被设置成传送和接受处于水平姿态中的多张基片到达/离开所述第一处理区的基片架;
所述第一处理区的输送机构被设置成传送和接受处于垂直姿态的多张基片到达/离开所述第一处理区的基片架;以及
所述第一处理区的基片架被设置成在水平姿态和垂直姿态之间整体地变换多张基片,以便传送到所述输送区的输送机构和所述第一处理区的输送机构。
52.一基片处理设备,该设备包括:
用于接受各自存放多张基片的多个容器的一存放区;
用于整体地处理多张基片的一第一处理区;以及
用于对多张基片一次处理一张基片的一第二处理区;
所述存放区包括:
用于保持多个容器的一第一台,以便从所述第一处理区可到达;
用于保持多个容器的一第二台,以便从所述第二处理区可到达;以及
用于在所述第一台和所述第二台之间输送多个容器的一容器输送装置;
其中所述第一处理区包括用于装载和卸载多张基片进入/离开放在所述第一台上的多个容器的一第一输送机构;以及
所述第二处理区包括用于装载和卸载多张基片进入/离开放在所述第二台上的多个容器的一第二输送机构。
53.如权利要求52所述的设备,其特征在于,所述容器输送装置被设置成从所述第二台输送存放已在所述第二处理区内处理过的多张基片的多个容器到达所述第一台。
54.如权利要求52所述的设备,其特征在于,所述容器输送装置被设置成从所述第一台输送存放已在所述第一处理区内处理过的多张基片的多个容器到达所述第二台。
55.如权利要求52所述的的设备,其特征在于,在所述存放区的一侧设置所述第一处理区和所述第二处理区。
56.如权利要求52所述的设备,其特征在于,所述第一处理区和所述第二处理区相互相对。
57.如权利要求52所述的设备,其特征在于,所述存放区还包括用于保持多个容器的一架子,所述容器输送装置具有用于将多个容器输送到达和离开所述架子的又一功能。
58.如权利要求57所述的设备,其特征在于,所述架子被设置在所述第一台和所述第二台之间的一容器输送路径上。
59.如权利要求57所述的设备,其特征在于,所述架子被设置成当沿着所述容器输送装置的一容器输送路径设置时保持多个容器。
60.如权利要求57所述的设备,其特征在于,所述容器输送装置包括用于在所述第一台和所述架子之间输送多个容器的一第三输送机构、用于在所述第二台和所述架子之间输送容器的一第四输送机构。
61.如权利要求57所述的设备,其特征在于,所述第三输送机构沿着所述架子的一侧可以运动、用于在所述一侧将多个容器装载到所述架子上和从该架子卸载多个容器,以及所述第四输送机构沿着所述架子的另一侧可以运动、用于在所述另一侧将多个容器装载到所述架子上和从该架子卸载多个容器。
62.如权利要求61所述的设备,其特征在于,所述第二台包括在所述架子的延伸范围上设置的多个台架,所述第四输送机构沿着所述架子的远离所述第一处理区的所述另一侧可以运动。
63.如权利要求52所述的设备,其特征在于,还包括:
将所述存放区与所述第一处理区分开的、以及形成与在所述第一台上放置的多个容器相对地用于允许多张基片通过的一第一通道口的一第一分隔件;
用于打开和关闭所述第一通道口的一第一活门件;
将所述存放区与所述第二处理区分开的、以及形成与在所述第二台上放置的多个容器相对的用于允许多张基片通过的一第二通道口的一第二分隔件;
用于打开和关闭所述第二通道口的一第二活门件;
所述第一输送机构被设置成通过所述第一通道口整体地将多张基片装载和卸载进入/离开在所述第一台上的所述多个容器;
所述第二输送机构被设置成通过所述第二通道口对多张基片一次装载和卸载一张基片进入/离开在所述第二台上的所述多个容器。
64.如权利要求63所述的设备,其特征在于,
各所述容器具有在它的一侧中形成的一孔口,以及用于关闭所述孔口的一盖子;
所述第一活门件具有用于连接、拆卸和保持所述盖子的一第一连接/拆卸和保持机构;
所述第二活门件具有用于连接、拆卸和保持所述盖子的一第二连接/拆卸和保持机构。
65.如权利要求52所述的设备,其特征在于,所述第一处理区被设置成整体地清洁和干燥多张基片,以及所述第二处理区被设置成对多张基片一次清洁和干燥一张基片。
66.如权利要求65所述的设备,其特征在于,所述第二处理区被设置成清洁各基片的一背面上的至少边缘区域。
67.一基片处理设备,该设备包括:
用于接受各自存放多张基片的多个容器的一存放区;
用于整体地处理多张基片的一第一处理区;以及
用于对多张基片一次处理一张基片的一第二处理区;
所述存放区包括:
用于保持多个容器的一第一台,以便从所述第一处理区可到达;
用于保持多个容器的一第二台,以便从所述第二处理区可到达;
用于保持多个容器的一第三台,以便从所述基片处理设备的外部可到达;以及
用于在所述第一台和所述第二台以及所述第三台之间输送多个容器的一容器输送装置;
其中所述第一处理区包括用于装载和卸载多张基片进入/离开放在所述第一台上的多个容器的一第一输送机构;以及
所述第二处理区包括用于装载和卸载多张基片进入/离开放在所述第二台上的多个容器的、以及设置在所述第一处理区和所述第三台之间的一第二输送机构。
68.如权利要求67所述的设备,其特征在于,放在所述第一台和所述第二台上的多个容器具有面对相同方向的它的基片装载和卸载平面。
69.如权利要求67所述的设备,其特征在于,还包括沿着所述容器输送装置的一输送路径设置的、用于保持当设置在其上时的多个容器的多个架子,所述容器输送装置输送多个容器到达和离开所述多个架子。
70.如权利要求69所述的设备,其特征在于,所述第一处理区和所述第三台之间、与所述第二处理区相对的一位置处设置所述的多个架子。
71.如权利要求70所述的设备,其特征在于,所述多个架子具有起到所述第一台作用的它们的一侧端。
72.如权利要求69所述的设备,其特征在于,所述第二台设置在所述多个架子的一延伸范围上。
73.如权利要求67所述的设备,其特征在于,所述第二台包括垂直设置的多个台架。
74.如权利要求67所述的设备,其特征在于,还包括:
将所述存放区与所述第一处理区分开的、以及形成与在所述第一台上放置的多个容器相对地用于允许多张基片通过的一第一通道口的一第一分隔件;
用于打开和关闭所述第一通道口的一第一活门件;
将所述存放区与所述第二处理区分开的、以及形成与在所述第二台上放置的多个容器相对的用于允许多张基片通过的一第二通道口的一第二分隔件;
用于打开和关闭所述第二通道口的一第二活门件;
所述第一输送机构被设置成通过所述第一通道口整体地将多张基片装载和卸载进入/离开在所述第一台上的所述多个容器;
所述第二输送机构被设置成通过所述第二通道口对多张基片一次装载和卸载一张基片进入/离开在所述第二台上的所述多个容器。
75.如权利要求74所述的设备,其特征在于,
各所述容器具有在它的一侧中形成的一孔口,以及用于关闭所述孔口的一盖子;
所述第一活门件具有用于连接、拆卸和保持所述盖子的一第一连接/拆卸和保持机构;
所述第二活门件具有用于连接、拆卸和保持所述盖子的一第二连接/拆卸和保持机构。
76.如权利要求67所述的设备,其特征在于,所述第一处理区被设置成整体地清洁和干燥多张基片,以及所述第二处理区被设置成对多张基片一次清洁和干燥一张基片。
77.如权利要求76所述的设备,其特征在于,所述第二处理区被设置成清洁各基片的背面上的至少边缘区域。
78.一基片处理设备,该设备包括:
用于接受各自存放多张基片的多个容器的一存放区;
用于整体地处理多张基片的一第一处理区;以及
用于对多张基片一次处理一张基片的一第二处理区;
所述存放区包括:
用于保持多个容器的一第一台,以便从所述第一处理区可到达;
用于保持多个容器的一第二台,以便从所述第二处理区可到达;以及
用于在所述第一台和所述第二台之间输送多个容器的一容器输送装置;
所述第一处理区包括:
用于将多张基片装载和卸载进入/离开在所述第一台上放置的一容器的一第一输送装置;以及
用于整体地用一溶液处理和干燥多张基片的一批量处理部分;
其中所述第二处理区包括用于将多张基片装载和卸载进入/离开在所述第二台上放置的一容器的、并设置在其中设置所述批量处理部分的一方向的一延伸范围上的一第二输送机构。
79.如权利要求78所述的设备,其特征在于,放在所述第一台和所述第二台上的多个容器具有面对相同方向的它的基片装载和卸载平面。
80.如权利要求78所述的设备,其特征在于,还包括沿着所述容器输送装置的一输送路径设置的、用于保持当设置在其上时的多个容器的多个架子,所述容器输送装置输送多个容器到达和离开所述多个架子。
81.如权利要求80所述的设备,其特征在于,所述多个架子具有起到所述第一台作用的它们的一侧端。
82.如权利要求80所述的设备,其特征在于,所述第二台设置在所述多个架子的一延伸范围上。
83.如权利要求78所述的设备,其特征在于,所述第二台包括垂直设置的多个台架。
84.如权利要求78所述的设备,其特征在于,还包括:
将所述存放区与所述第一处理区分开的、以及形成与在所述第一台上放置的多个容器相对地用于允许多张基片通过的一第一通道口的一第一分隔件;用于打开和关闭所述第一通道口的一第一活门件;
将所述存放区与所述第二处理区分开的、以及形成与在所述第二台上放置的多个容器相对的用于允许多张基片通过的一第二通道口的一第二分隔件;
用于打开和关闭所述第二通道口的一第二活门件;
所述第一输送机构被设置成通过所述第一通道口整体地将多张基片装载和卸载进入/离开在所述第一台上的所述多个容器;
所述第二输送机构被设置成通过所述第二通道口对多张基片一次装载和卸载一张基片进入/离开在所述第二台上的所述多个容器。
85.如权利要求84所述的设备,其特征在于,
各所述容器具有在它的一侧中形成的一孔口,以及用于关闭所述孔口的一盖子;
所述第一活门件具有用于连接、拆卸和保持所述盖子的一第一连接/拆卸和保持机构;
所述第二活门件具有用于连接、拆卸和保持所述盖子的一第二连接/拆卸和保持机构。
86.如权利要求78所述的设备,其特征在于,所述第一处理区被设置成整体地清洁和干燥多张基片,以及所述第二处理区被设置成对多张基片一次清洁和干燥一张基片。
87.如权利要求86所述的设备,其特征在于,所述第二处理区被设置成清洁各基片的背面上的至少边缘区域。
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