CN1797151A - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种液晶显示装置，其包括：第一基板和第二基板；位于第一基板上的选通线；与选通线相交以限定像素区的数据线，在该选通线与数据线之间具有栅绝缘膜；薄膜晶体管，包括栅极、源极、漏极以及半导体层，在该源极与漏极之间存在沟道；在第一基板上与选通线平行的公共线；从公共线延伸到像素区中的公共电极；以及在像素区中位于栅绝缘膜上的像素电极。其中，漏极与像素电极相交叠以连接到像素电极；并且，其中，从半导体层交叠透明导电膜的区域去除半导体层。

Description

液晶显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置，更具体来说，涉及一种利用了水平电场的薄膜晶体管基板及其简化了制造工艺的制造方法。而且，本发明旨在提供一种使用该薄膜晶体管基板的液晶显示板及其简化了制造工艺的制造方法。
背景技术
通常，液晶显示器(LCD)利用电场对具有介电各向异性的液晶的透光性进行控制，从而显示画面。LCD包括利用液晶单元阵列显示画面的液晶显示板和用于驱动该液晶显示板的驱动电路。
参照图1，一种现有技术的液晶显示板包括被相互接合起来的滤色器基板10和薄膜晶体管基板20，在它们之间存在液晶24。
滤色器基板10包括被顺序地置于上玻璃基板2上的黑底4、滤色器6以及公共电极8。在上玻璃基板2上黑底4呈矩阵形状。黑底4把上玻璃基板2的一区域划分成用于滤色器6的多个单元区，并防止在相邻单元之间发生光干涉以及外部光反射。在由黑底4限定的所述多个单元区中设有滤色器6，以透射红、绿以及蓝光。由被完全涂敷在滤色器6上的透明导电层形成公共电极8，该公共电极8提供充当基准电压的公共电压Vcom(其用于驱动液晶24)。此外，在滤色器6与公共电极8之间可以设置用于平滑滤色器6的过涂层(未示出)。
薄膜晶体管基板20包括位于由下玻璃基板12上的选通线14与数据线16之间的交叉所限定的各单元区中的薄膜晶体管18和像素电极22。薄膜晶体管18响应于来自选通线14的选通信号从数据线16向像素电极22施加数据信号。像素电极22利用来自薄膜晶体管18的数据信号驱动液晶24。
具有介电各向异性的液晶24根据由像素电极22上的数据信号和来自公共电极8的公共电压Vcom所形成的电场而旋转，以控制透光性，从而实现灰度级。
此外，该液晶显示板包括用于固定滤色器基板10与薄膜晶体管基板20之间的单元间隙的间隔物(未示出)。
在液晶显示板中，通过多个掩模工艺制造滤色器基板10和薄膜晶体管基板20。一个掩模工艺可以包括许多工艺，如薄膜淀积(涂敷)、清洁、光刻、刻蚀、光刻胶剥离、检验工艺等。
由于薄膜晶体管基板包括需要多个掩模工艺的半导体工艺，所以其制造工艺复杂，这导致液晶显示板的成本增加。因此，对薄膜晶体管基板进行了研发，以减少掩模工艺的数量。
根据驱动液晶的电场方向，液晶显示器大致分成垂直电场LCD和水平电场LCD。
垂直电场液晶显示器通过被相对布置在上基板和下基板上的像素电极与公共电极之间形成的垂直电场来驱动扭转向列(TN)模式的液晶。垂直电场液晶显示器具有大孔径比的优点，而具有约90°的窄视角的缺点。
水平电场液晶显示器通过在下基板上被布置成相互平行的像素电极与公共电极之间的水平电场来驱动面内切换(IPS)模式的液晶。水平电场液晶显示器具有约160°的宽视角的优点。
水平电场液晶显示器中的薄膜晶体管基板还需要包括半导体工艺的多个掩模工艺，这导致制造工艺复杂。因此，为了降低制造成本，必须减少掩模工艺的数量。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种水平电场应用型的薄膜晶体管基板及其制造方法，和使用该薄膜晶体管基板的液晶显示板及其制造方法，其基本上克服了由于现有技术的局限和缺点而导致的一个或多个问题。
本发明的一个优点是提供一种水平电场应用型的薄膜晶体管基板及其制造方法，和使用该薄膜晶体管基板的液晶显示板及其制造方法，其适于使工艺简化。
在下面的说明中将阐述本发明的其它特征和优点，其部分地通过对以下说明的考察即可显见，或者可以通过对本发明的实践来获知。通过书面说明及其权利要求以及附图中具体指出的结构，可以实现并获得本发明的这些和其它优点。
为了实现根据本发明目的的这些和其他优点，如这里所具体实现和广泛描述的，提供了一种液晶显示装置，其包括：第一基板和第二基板；位于第一基板上的选通线；与选通线相交以限定像素区的数据线，在选通线与数据线之间具有栅绝缘膜；薄膜晶体管，包括栅极、源极、漏极以及半导体层，在该源极与漏极之间存在沟道；在第一基板上与选通线平行的公共线；从公共线延伸到像素区中的公共电极；以及在像素区中位于栅绝缘膜上的像素电极。其中，漏极与像素电极相交叠以连接到像素电极；并且其中从半导体层交叠透明导电膜的区域去除半导体层。
在本发明的另一方面中，提供了一种液晶显示装置制造方法，其包括以下步骤：设置第一基板和第二基板；在第一基板上形成包括选通线、栅极、公共线以及公共电极的第一掩模图案组的第一掩模工艺；第二掩模工艺，其包括在第一掩模图案组和半导体层上形成栅绝缘膜、在像素区处限定穿过半导体层的像素孔以及在该像素孔中形成像素电极的步骤；以及第三掩模工艺，该第三掩模工艺包括以下步骤：在第一基板上形成源/漏金属图案，该源/漏金属图案包括与选通线相交以限定像素区的数据线、连接到数据线的源极以及连接到像素电极的漏极，和使半导体图案的有源层暴露出来以在源极与漏极之间限定一沟道。
应当明白，以上一般性描述和以下详细描述都是示例性和说明性的，旨在提供对如权利要求所述的本发明的进一步说明。
附图说明
附图被包括进来以提供对本发明进一步的理解，其被并入且构成本说明书的一部分，示出了本发明多个实施例，并与说明一起用于解释本发明的原理。
附图中：
图1是示出一种现有技术的液晶显示板的结构的示意立体图；
图2是示出根据本发明第一实施例的水平电场LCD的薄膜晶体管基板的一部分的平面图；
图3A和图3B是沿图2的线II-II′、III-III′以及IV-IV′所截取的薄膜晶体管基板的剖面图；
图4是示出使用了图3所示的水平电场LCD薄膜晶体管基板的液晶显示板的数据焊盘区的剖面图；
图5A和图5B是分别用于对根据本发明实施例的水平电场LCD的薄膜晶体管基板的制造方法中的第一掩模工艺进行阐述的平面图和剖面图；
图6A到6C是具体阐述该第一掩模工艺的剖面图；
图7A和7B是分别用于对根据本发明实施例的水平电场LCD的薄膜晶体管基板的制造方法中的第二掩模工艺进行阐述的平面图和剖面图；
图8A到8D是示出该第二掩模工艺的剖面图；
图9A和9B是示出根据本发明实施例的水平电场应用类型的薄膜晶体管基板的制造方法中的第三掩模工艺的平面图和剖面图；
图10A到10D是示出该第三掩模工艺的剖面图；
图11是示出根据本发明第二实施例的薄膜晶体管基板的一部分的平面图；
图12是沿图11的线II-II′、III-III′以及IV-IV′所截取的薄膜晶体管基板的剖面图；
图13是示出根据本发明第三实施例的薄膜晶体管基板的一部分的平面图；
图14是沿图13的线II-II′、III-III′以及IV-IV′所截取的薄膜晶体管基板的剖面图；
图15是示出根据本发明第四实施例的薄膜晶体管基板的一部分的平面图；
图16是沿图15的线II-II′、III-III′以及IV-IV′所截取的薄膜晶体管基板的剖面图；
图17A和图17B是用于对根据本发明另一实施例的保护膜制造方法进行阐述的剖面图；以及
图18A和18B是用于对使用了根据本发明实施例的薄膜晶体管基板的液晶显示板的制造方法中的保护膜的制造方法进行阐述的剖面图。
具体实施方式
以下对本发明多个优选实施例进行详细描述，在附图中示出了它们的多个示例。
以下，参照图2到图18B对本发明多个实施例进行详细描述。
图2是示出根据本发明第一实施例的水平电场LCD的薄膜晶体管基板的结构的平面图，图3A和图3B是沿图2的线II-II′、III-III′以及IV-IV′所截取的薄膜晶体管基板的剖面图。
参照图2到图3B，水平电场LCD的薄膜晶体管基板包括：在下基板142上相互交叉的选通线102和数据线104，在它们之间具有栅绝缘膜144；薄膜晶体管106，在各交叉处连接到选通线102和数据线104；位于由选通线102与数据线104的交叉所限定的像素区中的像素电极118和公共电极122，用于形成水平电场；连接到公共电极122的公共线120；以及存储电容器Cst，在该存储电容器Cst处公共电极122交叠漏极112。此外，该薄膜晶体管基板包括连接到选通线102的选通焊盘126和连接到数据线104的数据焊盘134。
选通线102提供来自选通驱动器(未示出)的扫描信号，而数据线104提供来自数据驱动器(未示出)的视频信号。选通线102与数据线104(在它们之间具有栅绝缘膜144)相互交叉以限定像素区。
在基板142上按具有包括透明导电层的至少两个选通金属层的多层结构形成选通线102。例如，选通线102具有两层结构，其中，第一导电层101具有透明导电层，第二导电层103由不透明金属形成。第一导电层101由ITO、TO、IZO或ITZO等形成，而第二导电层103由Cu、Mo、Al、Cu合金、Mo合金以及Al合金等形成。另选地，可以仅由诸如上述层103的单个导电层形成选通线102。
薄膜晶体管106使得可以把被施加给数据线104的像素信号充到像素电极118上并响应于被施加给选通线102的扫描信号而保持该像素信号。薄膜晶体管106包括：包括在选通线102中的栅极；连接到数据线104的源极110；位于与连接到像素电极118的源极110相对的位置处的漏极112；与选通线102相交叠的有源层114，在它们之间具有栅绝缘膜144，从而在源极110与漏极112之间提供沟道；以及形成在沟道区外的有源层114上的欧姆接触层116，用于与源极110和漏极112进行欧姆接触。
此外，半导体层115包括有源层114和交叠数据线104的欧姆接触层116。
公共线120和公共电极122提供用于驱动液晶的基准电压，即，向各像素提供公共电压。
公共线120包括：在显示区中与选通线102平行的内部公共线120A；和在非显示区中连接到该内部公共线120A的外部公共线120B。公共线120具有多层结构，该多层结构中，在基板150上与上述选通线102一起布置第一导电层101和第二导电层103。另选地，可以仅由第二导电层103而非上述多层结构形成公共线120。
公共电极122位于连接到内部公共线120A的像素区内。更具体来说，公共电极122可以包括：与相邻于选通线102的漏极112相交叠的水平部分122A；和从该水平部分122A延伸到连接到内部公共线120A的像素区中的指部122B。由公共线120的第一导电层(即，透明导电层)形成公共电极122。
在存储电容器Cst中，公共电极122的水平部分122A与漏极112相交叠，在它们之间具有栅绝缘膜152和半导体层115。漏极112尽可能地与公共电极122的水平部分122A相交叠。由此，由在公共电极122与像素电极118之间的大交叠区增大存储电容器Cst的电容值，使得存储电容器Cst可以稳定地保持被充于像素电极118中的视频信号，直到施加下一信号。
将像素电极118置于并暴露在栅绝缘膜144上，以平行于公共电极122的指部122B。此外，像素电极118伸入到漏极112中以连接到漏极112，而且，像素电极118伸出以与公共线120A交叠。在此情况下，半导体层115不在漏极112与像素电极118的交叠区中。如果通过薄膜晶体管106向像素电极118施加视频信号，那么在像素电极118与被施加了公共电压的公共电极122的指部122B之间就形成了水平电场。在薄膜晶体管阵列基板与滤色器阵列基板之间由这种水平电场按水平方向所排列的液晶分子由于介电各向异性而旋转。像素区中的透光性根据液晶分子的旋转而变化，从而实现了灰度级。
此外，可以将公共电极122的指部122B和像素电极118形成为锯齿形。而且，可以沿相邻的公共电极122的指部122B将数据线形成为锯齿形。
选通线102通过选通焊盘126从选通驱动器接收扫描信号。选通焊盘126包括：从选通线102延伸的下选通焊盘电极128；和位于第一接触孔130内的上选通焊盘电极132，该第一接触孔130穿过栅绝缘膜144以连接到下选通焊盘电极128。这里，上选通焊盘电极132与像素电极118一起由透明导电层形成，并且该上选通焊盘电极132与包围第一接触孔130的栅绝缘膜144的边缘相邻接。
公共线120通过公共焊盘160从公共电压发生器接收公共电压。公共焊盘160具有与选通焊盘126相同的垂直结构。换句话说，公共焊盘160包括：从公共线120延伸的下公共焊盘电极162；和位于第二接触孔164内的上公共焊盘电极166，该第二接触孔164穿过栅绝缘膜144以连接到下公共焊盘电极162。上公共焊盘电极166与像素电极118一起由透明导电层形成，并且该上公共焊盘电极166与包围第二接触孔164的栅绝缘膜144的边缘相邻接。
数据线104通过数据焊盘134从数据驱动器接收像素信号。如图3A所示，由透明导电层在第三接触孔138内形成数据焊盘134，该第三接触孔138和上选通焊盘电极132一起穿过栅绝缘膜144。设有数据焊盘134的第三接触孔138延伸，以与数据线104的一部分相交叠。由此，数据线104从其与半导体层115之间的交叠部分伸入到第三接触孔138中，以连接到数据焊盘134的延伸部分。此外，如图3B所示，在栅绝缘膜144上由透明导电层形成数据焊盘134，并延伸以与数据线104相交叠。由此，数据线从其与半导体层115之间的交叠部分向数据焊盘134的延伸区伸出，以连接到数据焊盘134。
在此情况下，由于没有保护膜，数据线104暴露出来。如图4所示，为了防止数据线104暴露出来并被氧化，将数据焊盘134的延伸部分和数据线104的连接部分置于由密封胶320密封的区域内。由此，位于该密封区处的数据线104由涂敷在其上的下配向膜312所保护。
参照图4，由密封胶320将被涂敷了下配向膜312的薄膜晶体管基板与被涂敷了上配向膜310的滤色器基板300相互接合起来，并使用液晶填充位于由密封胶320密封的两块基板之间的单元间隙。在这两块基板的显示区中使用有机绝缘材料涂敷上配向膜310和下配向膜312。将密封胶320布置成不与上配向膜310和下配向膜312相接触，以增强密封胶320与基板之间的粘附力。由此，数据线104、源极110以及漏极112位于由密封胶320密封的区域内，因而由被涂敷在其上的下配向膜312以及由密封区中的液晶可以足以保护该数据线104、源极110以及漏极112。
如上所述，在根据本发明第一实施例的薄膜晶体管基板中，使用光刻胶图案通过刻蚀工艺形成包括像素电极118、上选通焊盘电极132、上公共焊盘电极166以及数据焊盘140的透明导电图案，该光刻胶图案用于限定穿过栅绝缘膜144的像素孔170和接触孔130、164以及138。由此，该透明导电图案被置于栅绝缘膜144上，并与包围对应的孔的栅绝缘膜144相邻接。
此外，与栅绝缘膜144类似地对半导体层115进行构图，然后，当形成包括数据线104、源极110以及漏极112的源/漏金属图案时去除暴露部分。此外，当形成该源/漏金属图案时，使有源层114暴露出来以在薄膜晶体管106中限定一沟道。由此，半导体层115具有仅形成在源极110与漏极112之间的沟道处和其中在源/漏金属图案与栅绝缘膜144之间的交叠区中不存在透明导电图案的区域中的结构。此外，使用等离子对暴露的有源层114的表面层124进行处理，使得可以由被SiO2氧化的表面层124保护沟道区的有源层114。
通过以下三步掩模工艺形成根据本发明第一实施例的具有上述结构的水平电场LCD的薄膜晶体管基板。
图5A和图5B是分别示出根据本发明实施例的水平电场LCD的薄膜晶体管基板的制造方法中的第一掩模工艺的平面图和剖面图，图6A到6C是用于具体阐述该第一掩模工艺的剖面图。
通过第一掩模工艺在下基板142上形成包括选通线102、下焊盘电极126、公共线120、公共电极128以及下公共焊盘电极128的第一掩模图案组。其中，除公共电极128以外的第一掩模图案组具有至少包括两个导电层的多层结构。但是，为阐述方便起见，下面仅对具有第一导电层101和第二导电层103的两层结构进行描述。公共电极122具有第一导电层101的单层结构，第一导电层101为透明导电层。使用诸如衍射曝光掩模或半调掩模等的部分透射掩模由单个掩模工艺形成具有多层结构的第一掩模图案组和所述单层结构。
参照图6A，通过诸如溅射等的淀积技术在下基板142上布置第一导电层101和第二导电层103。由诸如ITO、TO、IZO或ITZO等的透明导电材料形成第一导电层101。另一方面，第二导电层103采用由诸如Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、Mo合金、Cu合金或Al合金等的金属材料形成的单层，或具有至少两层的分层结构，如Al/Cr、Al/Mo、Al(Nd)/Al、Al(Nd)/Cr、Mo/Al(Nd)/Mo、Cu/Mo、Ti/Al(Nd)/Ti、Mo/Al、Mo/Ti/Al(Nd)、Cu合金/Mo、Cu合金/Al、Cu合金/Mo合金、Cu合金/Al合金、Al/Mo合金、Mo合金/Al、Al合金/Mo合金、Mo合金/Al合金、Mo/Al合金、Cu/Mo合金、Cu/Mo(Ti)或Cu/Mo(Ti)等。
随后，使用部分透射掩模，通过光刻法形成不同厚度的包括光刻胶图案220A和220B的第一光刻胶图案220。该部分透射掩模由以下部分组成：屏蔽部分，用于屏蔽紫外线；部分透射部分，用于利用缝图案使紫外线衍射或利用相移材料部分透射紫外线；以及全透射部分，用于完全透射紫外线。使用该部分透射掩模，通过光刻法形成包括不同厚度的光刻胶图案220A、220B以及开口区的第一光刻胶图案220。在此情况下，将相对较厚的光刻胶图案220A设置在与部分透射掩模的屏蔽部分相交叠的屏部区P1处；比光刻胶图案220A要薄的光刻胶图案220B位于与部分透射部分相交叠的部分曝光区P2处；而开口部分位于交叠全透射部分的全暴露区P3的上方。
此外，使用第一光刻胶图案220作为掩模，通过刻蚀工艺对第一导电层101和第二导电层103的暴露部分进行刻蚀，从而提供包括选通线102、下选通焊盘电极126、公共线120、公共电极122以及下公共焊盘电极128的双层结构的第一掩模图案组。
参照图6B，使用氧气(O2)等离子，通过灰化工艺减小光刻胶图案220A的厚度并去除光刻胶图案220B。此外，使用灰化后的光刻胶图案220A作为掩模，通过刻蚀工艺去除公共电极122上的第二导电层103。在此情况下，沿灰化后的光刻胶图案220A对形成图案的第二导电层103的各侧再次进行刻蚀，从而使得第一导电层101和第二导电层103具有台阶形状。因此，当第一导电层101和第二导电层103的侧面具有陡的倾斜度时，可以防止在栅绝缘膜152中可能出现的缺陷。
参照图6C，通过剥离工艺去除留在图6B的第一掩模图案组上的光刻胶图案220A。
图7A和7B是分别示出用于制造根据本发明的水平电场LCD的薄膜晶体管基板的第二掩模工艺的平面图和剖面图，图8A到8D是具体示出该第二掩模工艺的剖面图。
包括栅绝缘膜144、有源层114以及欧姆接触层116的半导体层115位于设有第一掩模图案组的下基板142上，并通过第二掩模工艺限定穿过半导体层115的像素孔170和穿过栅绝缘膜144的第一接触孔130、第二接触孔164以及第三接触孔138。此外，在相应的孔内形成包括像素电极118、上选通焊盘电极132和上公共焊盘电极166以及数据焊盘134的透明导电图案。其中，使用诸如衍射曝光掩模或半调掩模等的部分透射掩模，通过单个掩模工艺限定不同深度的像素孔170和第一接触孔130、第二接触孔164以及第三接触孔138。
参照图8A，通过诸如PECVD等的淀积技术，在设有第一掩模图案组的下基板142上顺序地形成栅绝缘膜144和包括有源层114和欧姆接触层116的半导体层115。由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机绝缘材料形成栅绝缘膜144，而由非晶硅或掺杂有n+或p+杂质的非晶硅形成有源层114和欧姆接触层116。
随后，使用部分透射掩模，通过光刻法在欧姆接触层116上形成包括具有不同厚度的光刻胶图案200A和200B的第一光刻胶图案200。该部分透射掩模由以下部分组成：屏蔽部分，用于屏蔽紫外线；部分透射部分，用于利用缝图案使紫外线衍射或利用相移材料部分透射紫外线；以及全透射部分，用于完全透射紫外线。使用该部分透射掩模，通过光刻法形成具有不同厚度的光刻胶图案200A、200B以及开口部分的第一光刻胶图案200。在此情况下，使得相对较厚的光刻胶图案200A位于与部分透射掩模的屏蔽部分相交叠的屏部区P1处；比光刻胶图案200A要薄的光刻胶图案200B位于与部分透射部分相交叠的部分曝光区P2处；而开口部分位于与全透射部分交叠的全暴露区P3处。
参照图8B，使用第一光刻胶图案200，通过刻蚀工艺形成穿过半导体层115的像素孔170和穿过栅绝缘膜144的第一接触孔130、第二接触孔164以及第三接触孔138。
例如，通过干法刻蚀工艺对由第一光刻胶图案200暴露的半导体层115和栅绝缘膜144进行刻蚀，以限定第一接触孔130、第二接触孔164以及第三接触孔138。还通过干法刻蚀工艺对第一光刻胶图案200进行灰化，从而减少光刻胶图案200A，并去除光刻胶图案200B和在光刻胶图案200B下面的半导体层115，从而限定像素孔170。具体来说，与通过各向同性干法刻蚀技术灰化后的光刻胶图案200A相比，半导体层115和栅绝缘膜144被过刻蚀了。由此，像素孔170和第一接触孔130、第二接触孔164以及第三接触孔138的边缘位于灰化后的光刻胶图案200A的边缘的内部和下方。
另选地，使用第一光刻胶图案200，通过干法刻蚀工艺形成第一接触孔130、第二接触孔164以及第三接触孔138，然后减小光刻胶图案200A的厚度，并通过灰化工艺去除光刻胶图案200B。接着，使用灰化后的光刻胶图案200A，通过湿法刻蚀工艺形成穿过半导体层115的像素孔170。半导体层115的刻蚀率大于栅绝缘膜144的刻蚀率，使得与灰化后的光刻胶图案200A相比半导体层115被过刻蚀了。
因此，与公共电极122的指部122B平行的像素孔170暴露了栅绝缘膜144；第三接触孔138暴露了下基板142；并且第一接触孔130和第二接触孔164暴露了下选通焊盘电极128和下公共焊盘电极162以及位于该下选通焊盘电极128和下公共焊盘电极162的边缘处的下基板142。可以按仅暴露下选通焊盘电极128和下公共焊盘电极162的方式形成第一接触孔130和第二接触孔164。另一方面，当通过诸如像素孔170的部分曝光掩模形成第三接触孔138时，第三接触孔138可以具有其中去除半导体层115以暴露栅绝缘膜144的结构。
参照图8C，通过诸如溅射等的淀积技术，在设有光刻胶图案200A的整个基板142上形成透明导电层117。由ITO、TO、IZO或ITZO等形成透明导电层117。由此，在像素孔170内形成了像素电极118；分别在第一接触孔130和第二接触孔164内形成了上选通焊盘电极132和上公共焊盘电极166；并在第三接触孔138内形成了数据焊盘134。在靠近像素孔170和第一接触孔130、第二接触孔164以及第三接触孔138的边缘和光刻胶图案200A的边缘处，透明导电图案具有开口。此外，像素电极118与包围像素孔170的半导体层115相接触或相隔开来。与像素孔170一起设置像素电极118，以使像素电极118与公共电极122的水平部分122A和公共线120A的一部分相交叠。将上选通焊盘电极132、上公共焊盘电极166以及数据焊盘134形成在第一接触孔130、第二接触孔164以及第三接触孔138内以与栅绝缘膜144相邻接。如图8C所示，当由部分曝光通过仅去除半导体层115形成第三接触孔138时，在栅绝缘膜144上形成数据焊盘134以使数据焊盘134与半导体层115相接触或相隔开来。因此，剥离剂可以在光刻胶图案200A与欧姆接触层116之间渗透，以便于执行去除被涂敷了透明导电层117的光刻胶图案200A的工艺，从而提高了去除效率。
参照图8D，通过去离工艺去除被涂敷了图8C所示的透明导电层117的光刻胶图案200A。
图9A和图9B是分别示出根据本发明的水平电场LCD的薄膜晶体管基板的制造方法中的第三掩模工艺的平面图和剖面图，图10A到图10D是用于具体阐述该第三掩模工艺的剖面图。
通过第三掩模工艺在具有半导体层115和透明导电图案的下基板142上形成包括数据线104、源极110以及漏极112的源/漏金属图案。此外，去除不与该源/漏金属图案相交叠的半导体层115并暴露位于源极110与漏极112之间的有源层114，从而限定薄膜晶体管106的沟道。使用诸如衍射曝光掩模或半调掩模等的部分透射掩模，通过单个掩模工艺形成源/漏金属图案和薄膜晶体管106的沟道。
参照图10A，通过诸如溅射等的淀积技术，在设有半导体层115和透明导电图案的下基板142上形成源/漏金属层。该源/漏金属层采用由诸如Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、Mo合金、Cu合金或Al合金等的金属材料形成的单层，或具有至少两层的分层结构，如Al/Cr、Al/Mo、Al(Nd)/Al、Al(Nd)/Cr、Mo/Al(Nd)/Mo、Cu/Mo、Ti/Al(Nd)/Ti、Mo/Al、Mo/Ti/Al(Nd)、Cu合金/Mo、Cu合金/Al、Cu合金/Mo合金、Cu合金/Al合金、Al/Mo合金、Mo合金/Al、Al合金/Mo合金、Mo合金/Al合金、Mo/Al合金、Cu/Mo合金或Cu/Mo(Ti)等。
随后，使用部分透射掩模，通过光刻法在源/漏金属层上形成具有不同厚度的包括光刻胶图案210A和210B的第三光刻胶图案210。该部分透射掩模由以下部分组成：屏蔽部分，用于屏蔽紫外线；部分透射部分，用于利用缝图案使紫外线衍射或利用相移材料部分透射紫外线；以及全透射部分，用于完全透射紫外线。使用该部分透射掩模，通过光刻法形成包括不同厚度的光刻胶图案210A、210B以及开口部分的第三光刻胶图案210。在此情况下，将相对较厚的光刻胶图案210A形成在与部分透射掩模的屏蔽部分相交叠的屏部区P1处；将比光刻胶图案210A要薄的光刻胶图案210B形成在与部分透射部分相交叠的部分曝光区P2(即，待设置沟道的区域)处；而将开口部分设置在与全透射部分相交叠的全曝光区P3处。
此外，使用第三光刻胶图案210，通过刻蚀工艺对源/漏金属层进行构图，以使包括数据线104和漏极112的源/漏金属图案与源极110成为整体。例如，通过湿法刻蚀工艺对源/漏金属层进行构图，使得与第三光刻胶图案210相比该源/漏金属图案具有过刻蚀结构。源/漏金属图案的漏极112与像素电极118的一部分相交叠，该像素电极118与公共电极122的水平部分122A相交叠，以使漏极112连接到像素电极118。数据线104与被置于第三接触孔138内的数据焊盘134相交叠，以连接到数据焊盘134。
参照图10B，对通过第三光刻胶图案210暴露的半导体层115进行刻蚀，使得半导体层115仅存在于其与第三光刻胶图案210交叠的区域中。例如，使用第三光刻胶图案210作为掩模，通过干法刻蚀工艺对暴露的半导体层115进行刻蚀。由此，半导体层115存在于其与用于形成源/漏金属图案的第三光刻胶图案210交叠的位置处，以与源/漏金属图案相交叠，并具有这样的结构，即，其中半导体层115的边缘比源/漏金属图案的边缘伸出得更远。结果，源/漏金属图案和半导体层115具有台阶形状。
参照图10C，使用氧气(O2)等离子，通过灰化工艺减小光刻胶图案210A的厚度并去除图10B所示的光刻胶图案210B。可以把这种灰化工艺与用于对暴露的半导体层115进行刻蚀的干法刻蚀工艺合并起来，以在同一室内执行这两个工艺。进而，使用灰化后的光刻胶图案210A，通过刻蚀工艺去除暴露的源/漏金属图案和欧姆接触层116。由此，源极110与漏极112相隔开来，并完成了具有在它们之间暴露了有源层114的沟道的薄膜晶体管106。
此外，由SiO2对通过使用氧气(O2)等离子的表面处理工艺而暴露出来的有源层114的表面进行氧化。由此，可以由被SiO2氧化的表面层124保护限定了薄膜晶体管106的沟道的有源层114。
参照图10D，通过剥离工艺去除图10C所示的光刻胶图案210A。
如上所述，根据本发明第一实施例的水平电场LCD的薄膜晶体管基板的制造方法可以减少使用三轮掩模工艺的工艺数量。
图11是示出根据本发明第二实施例的薄膜晶体管基板的一部分的平面图，图12是沿图11的线II-II＇、III-III′以及IV-IV′所截取的薄膜晶体管基板的剖面图。
图11和图12所示的薄膜晶体管基板具有与图2和图3A所示的薄膜晶体管基板相同的要素，除了以下不同之外：数据焊盘234具有与选通焊盘126相同的垂直结构；并且前者还包括接触电极252，该接触电极252用于连接从数据焊盘234向数据线104延伸的数据链路250。因此，将略去对相同要素的阐述。
参照图11和图12，数据焊盘234包括：下数据焊盘电极236，形成在基板142上；和上数据焊盘电极240，被置于第三接触孔238内以连接到与选通焊盘126类似的下数据焊盘电极236，该第三接触孔238穿过栅绝缘膜144以暴露下数据焊盘电极236。
数据链路250按与数据线104相交叠的方式从数据焊盘234的下电极236延伸并通过穿过栅绝缘膜144的第四接触孔254暴露出来。数据链路250通过被置于第四接触孔254内的接触电极252连接到数据线104。
通过第一掩模工艺与下选通焊盘电极128一起形成下数据焊盘电极236和数据链路250。通过第二掩模工艺与第一接触孔130一起形成第三接触孔238和第四接触孔254。在第二掩模工艺中，分别在第三接触孔238和第四接触孔254内与上选通焊盘电极132一起形成上数据焊盘电极240和接触电极252。上数据焊盘电极240和接触电极252与包围第三接触孔238和第四接触孔254的栅绝缘膜144的边缘相邻接。
此外，将数据线104置于由密封胶所密封的区域内，从而可以由被涂敷在其上的配向膜或由密封区中的液晶保护该数据线104。至此，用于将数据线104连接到数据链路250的接触电极252位于密封区内。
图13是示出根据本发明第三实施例的薄膜晶体管基板的一部分的平面图，图14是沿图13的线II-II′、III-III′以及IV-IV′所截取的薄膜晶体管基板的剖面图。
除了将上数据焊盘电极240与在第三接触孔238内沿数据链路250延伸的接触电极252形成为整体之外，图13和图14所示的薄膜晶体管基板具有与图11和图12所示的薄膜晶体管基板相同的要素。因此，将略去对相同要素的阐述。
参照图13和图14，数据焊盘234的第三接触孔238沿数据链路250延伸以交叠数据线104。由此，在第三接触孔238内将上数据焊盘电极240与接触电极252形成为整体结构以连接到数据线104。上数据焊盘电极240和接触电极252与包围第三接触孔238的栅绝缘膜144的边缘相邻接。
图15是示出根据本发明第四实施例的薄膜晶体管基板的一部分的平面图，图16是沿图15的线II-II′、III-III′以及IV-IV′所截取的薄膜晶体管基板的剖面图。
图15和图16所示的薄膜晶体管基板具有与图13和图14所示的薄膜晶体管基板相同的要素，除了前者还包括在除选通焊盘126和数据焊盘234所处的位置的焊盘区之外的阵列区上形成保护膜150以外。因此，将略去对相同要素的阐述。
参照图15和图16，在设有源/漏金属图案的基板142上形成保护膜150，以去除在其中形成有选通焊盘126和数据焊盘134的焊盘区处的源/漏金属图案。由与栅绝缘膜144类似的无机绝缘膜形成保护膜150。另选地，可以由丙烯酸有机化合物、BCB(苯并环丁烯)、PFCB(全氟环丁烷)等形成保护膜150。
通过第四掩模工艺或通过与待形成在最上层中的配向膜相同的橡皮图章印刷***形成保护膜150。此外，在基板142上完全形成保护膜150，然后，在将基板142接合到滤色器基板之后，通过使用配向膜作为掩模的刻蚀工艺或通过使用滤色器基板作为掩模的刻蚀工艺去除位于焊盘区处的保护膜150。
第一，当使用第四掩模工艺时，在设有源/漏金属图案的基板142上完全形成保护膜150。可以通过PECVD、旋涂、无旋涂等形成保护膜150。此外，通过光刻法和使用第四掩模的刻蚀工艺对保护膜150进行构图，以使得保护膜150在焊盘区处形成开口。
第二，使用橡皮图章印刷技术仅在处焊盘区以外的阵列区上印刷保护膜150，该橡皮图章印刷技术也是形成待置于保护膜150上的配向膜的方法。换句话说，通过在设有源/漏金属图案的基板142上布置橡皮掩模然后使用橡皮图章印刷技术仅在处焊盘区以外的阵列区上印刷绝缘材料，形成保护膜150。
第三，使用被置于保护膜150上的配向膜，通过刻蚀工艺去除位于焊盘区处的保护膜150。更具体来说，如图17A所示，在基板142上完全形成保护膜150，并使用橡皮图章印刷方法在保护膜150上形成配向膜152。随后，如图17B所示，使用配向膜152作为掩模，通过刻蚀工艺去除位于焊盘区处的保护膜150。
第四，使用滤色器基板作为掩模，通过刻蚀工艺去除位于焊盘区处的保护膜150。更具体来说，如图18A所示，通过密封胶320把设有保护膜150并具有被置于该保护膜150上的下配向膜312的薄膜晶体管基板接合到设有上配向膜310的滤色器基板300。接着，如图18B所示，使用滤色器基板300作为掩模，通过刻蚀工艺去除位于焊盘区处的保护膜150。在此情况下，通过使用等离子的刻蚀工艺去除位于焊盘区处的保护膜150，或通过把其中薄膜晶体管基板被接合到滤色器基板300的液晶显示板浸入充有腐蚀液体的刻蚀槽去除位于焊盘区处的保护膜150。
如上所述，根据本发明，借助于第一部分透射掩模，与第一掩模图案组的其他要素的多层结构一起形成公共电极的单层结构。
此外，根据本发明，使用第二部分透射掩模，通过单个掩模工艺对半导体层和栅绝缘膜同时进行构图，以设置不同深度的多个孔，并通过使用去离工艺去除用于掩模工艺的光刻胶图案，在该多个孔内设置透明导电图案。
而且，根据本发明，当形成源/漏金属图案时对与栅绝缘膜同时构造图案的半导体层再次进行刻蚀，以去除该半导体层的暴露部分；通过使用第三部分透射掩模使源极与漏极之间的有源层暴露出来以限定薄膜晶体管的沟道。由此，半导体层存在于薄膜晶体管的沟道中和与源/漏金属图案和栅绝缘膜相交叠的区域内。
此外，根据本发明，通过印刷技术、第四掩模工艺、使用配向膜作为掩模的刻蚀工艺或使用滤色器基板作为掩模的刻蚀工艺等，进一步在焊盘区中设置保护膜开口。
因此，通过三步掩模工艺或四步掩模工艺，可以简化根据本发明的薄膜晶体管的制造方法，从而降低了材料和设备成本并提高了生产率。
对于本领域的技术人员来说显而易见，可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下对本发明进行各种变型和修改。由此，本发明旨在覆盖本发明的变型和修改，只要它们落在所附权利要求及其等同物的范围内。
本申请要求于2004年12月31日在韩国提交的韩国专利申请No.P2004-118597的利益，其通过引用结合于此。

Claims (75)

1、一种液晶显示装置，其包括：
第一基板和第二基板；
位于第一基板上的选通线；
与选通线相交以限定像素区的数据线，在该选通线与数据线之间具有栅绝缘膜；
薄膜晶体管，包括栅极、源极、漏极以及半导体层，在该源极与漏极之间存在沟道；
在第一基板上与选通线平行的公共线；
从公共线延伸到像素区中的公共电极；以及
在像素区中位于栅绝缘膜上的像素电极。
其中，漏极与像素电极相交叠以连接到像素电极；并且
其中，从半导体层与透明导电膜交叠的区域去除半导体层。
2、如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述选通线和公共线至少具有两个导电层，所述公共电极由所述公共线的透明导电层的延伸形成。
3、如权利要求2所述的装置，其特征在于，所述至少两个导电层具有所述透明导电层。
4、如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述像素电极与公共线相交叠。
5、如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述选通线和公共线由金属层形成。
6、如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括其中所述漏极交叠所述公共电极的一部分的存储电容器。
7、如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述像素电极连接到所述漏极，其中该漏极交叠所述公共电极。
8、如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述存储电容器还包括位于所述漏极与栅绝缘膜之间的交叠部分处的半导体层。
9、如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：
连接到所述选通线、公共线以及数据线中的任何一条线的焊盘，
其中，该焊盘包括：
位于第一基板上的下焊盘电极；和
在接触孔中的上焊盘电极，其连接到该下焊盘电极，该接触孔穿过所述栅绝缘膜以暴露该下焊盘电极。
10、如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述下焊盘电极连接到所述选通线和公共线中的至少一条线。
11、如权利要求9所述的装置，其特征在于，还包括：
数据链路，从所述下焊盘电极延伸以交叠数据线；和
位于穿过所述栅绝缘膜以暴露该数据链路的第二接触孔中的接触电极，从而将该数据链路连接到数据线。
12、如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述接触孔与所述上焊盘电极沿所述数据链路一起延伸以与第二接触孔成为一体，并且所述上焊盘电极与所述接触电极是一整体。
13、如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述上焊盘电极和所述接触电极由与栅绝缘膜相邻接并包围对应的孔的透明导电层形成。
14、如权利要求11所述的装置，其特征在于，在所述数据线与所述接触电极之间的接触部分位于当把第一基板与第二基板接合起来时由密封胶密封的区域内。
15、如权利要求12所述的装置，其特征在于，在所述数据线与所述接触电极之间的接触部分位于当把第一基板与第二基板接合起来时由密封胶密封的区域内。
16、如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：
在穿过所述栅绝缘膜的接触孔中由透明导电层形成的数据焊盘，该数据焊盘连接到数据线，
其中，该数据焊盘与栅绝缘膜相邻接并包围所述接触孔。
17、如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括由位于所述栅绝缘膜上的透明导电层形成的数据焊盘，该数据焊盘连接到数据线。
18、如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述数据线位于当把第一基板与第二基板接合起来时由密封胶密封的区域内。
19、如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述数据线位于当把第一基板与第二基板接合起来时由密封胶密封的区域内。
20、如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述薄膜晶体管的沟道包括通过等离子表面处理而氧化的表面层。
21、如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述数据线、源极以及漏极具有源/漏金属图案。
22、如权利要求21所述的装置，其特征在于，所述半导体层和所述源/漏金属图案一起具有一形状。
23、如权利要求9所述的装置，其特征在于，还包括位于第一基板上的保护膜，其中该保护膜在焊盘区处具有一开口。
24、如权利要求23所述的装置，其特征在于，还包括位于所述保护膜上的配向膜。
25、如权利要求24所述的装置，其特征在于，所述保护膜具有与所述配向膜相同的图案。
26、如权利要求16所述的装置，其特征在于，还包括位于第一基板上的保护膜，其中该保护膜在焊盘区处具有一开口。
27、如权利要求26所述的装置，其特征在于，还包括位于所述保护膜上的配向膜。
28、如权利要求27所述的装置，其特征在于，所述保护膜具有与所述配向膜相同的图案。
29、如权利要求17所述的装置，其特征在于，还包括位于第一基板上的保护膜，其中该保护膜在焊盘区处具有一开口。
30、如权利要求29所述的装置，其特征在于，还包括位于所述保护膜上的配向膜。
31、如权利要求30所述的装置，其特征在于，所述保护膜具有与所述配向膜相同的图案。
32、如权利要求9所述的装置，其特征在于，还包括位于第一基板上的保护膜，该保护膜具有与第二基板相同的图案并在焊盘区处开口。
33、如权利要求16所述的装置，其特征在于，还包括位于第一基板上的保护膜，该保护膜具有与第二基板相同的图案并在焊盘区处开口。
34、如权利要求17所述的装置，其特征在于，还包括位于第一基板上的保护膜，该保护膜具有与第二基板相同的图案并在焊盘区处开口。
35、如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括在第一基板与第二基板之间的液晶层。
36、一种液晶显示装置制造方法，其包括以下步骤：
设置第一基板和第二基板；
在第一基板上形成包括选通线、栅极、公共线以及公共电极的第一掩模图案组的第一掩模工艺；
第二掩模工艺，其包括以下步骤：在第一掩模图案组和半导体层上形成栅绝缘膜，在像素区处限定穿过半导体层的像素孔，以及在该像素孔中形成像素电极；以及
第三掩模工艺，该第三掩模工艺包括以下步骤：在第一基板上形成源/漏金属图案，该源/漏金属图案包括与选通线相交以限定像素区的数据线、源极以及漏极，和使半导体图案的有源层暴露出来以在源极与漏极之间限定一沟道。
37、如权利要求36所述的方法，其特征在于，所述选通线、栅极以及公共线至少具有包括透明导电层的两个导电层，并且所述公共电极由所述公共线的透明导电层的延伸形成。
38、如权利要求36所述的方法，其特征在于，所述像素电极交叠所述公共线。
39、如权利要求36所述的方法，其特征在于，第一掩模工艺包括以下步骤：
在第一基板上形成所述至少两个导电层；
使用部分透射掩模通过光刻法形成不同厚度的光刻胶图案；
使用该光刻胶图案通过刻蚀形成包括所述公共电极的第一掩模图案组；以及
对所述公共电极进行刻蚀以保留透明导电层。
40、如权利要求36所述的方法，其特征在于，第三掩模工艺包括使所述半导体层与所述像素电极相交叠。
41、如权利要求40所述的方法，其特征在于，所述半导体层交叠除所述源/漏图案与所述像素电极之间的交叠部分之外的部分。
42、如权利要求36所述的方法，其特征在于，第三掩模工艺包括以下步骤：
在第一基板上形成包括数据线和栅极的源/漏金属图案，该源/漏金属图案与所述源极是一整体；
对通过该源/漏金属图案暴露出来的半导体层进行刻蚀；以及
使所述源极与漏极之间的有源层暴露出来并限定所述沟道。
43、如权利要求36所述的方法，其特征在于，第三掩模工艺包括以下步骤：
在第一基板上形成源/漏金属层并在该源/漏金属层上形成不同厚度的光刻胶图案；
使用包括所述数据线和所述漏极的光刻胶图案对该源/漏金属层进行构图；
对通过所述光刻胶图案暴露出来的半导体层进行刻蚀；以及
通过所述光刻胶图案使所述源极与漏极之间的有源层暴露出来以形成所述沟道。
44、如权利要求36所述的方法，其特征在于，第三掩模工艺还包括形成其中所述漏极与所述公共电极的一部分交叠的存储电容器。
45、如权利要求36所述的方法，其特征在于：
第一掩模工艺还包括形成连接到所述选通线和公共线中的至少一条线的下焊盘电极的步骤，并且
第二掩模工艺还包括形成用于暴露所述该下焊盘电极的接触孔并在该接触孔中形成连接到该下焊盘电极的上焊盘电极的步骤。
46、如权利要求36所述的方法，其特征在于：
第一掩模工艺还包括在第一基板上形成连接到数据线的数据链路和下焊盘电极的步骤；并且
第二掩模工艺还包括形成第一和第二接触孔以暴露所述下焊盘电极和所述数据链路的步骤，和在相应的接触孔中形成连接到所述下焊盘电极的上焊盘电极和连接到所述数据链路和数据线的接触电极的步骤。
47、如权利要求46所述的方法，其特征在于，第一接触孔与所述上焊盘电极沿所述数据链路一起延伸以与第二接触孔成为一体，并且所述上焊盘电极与所述接触电极是一整体。
48、如权利要求45所述的方法，其特征在于，包括所述上焊盘电极和所述接触电极中的至少一个电极的透明导电图案与包围对应孔的栅绝缘膜相邻接。
49、如权利要求46所述的方法，其特征在于，包括所述上焊盘电极和所述接触电极中的至少一个电极的透明导电图案与包围对应孔的栅绝缘膜相邻接。
50、如权利要求46所述的方法，其特征在于，所述数据线与所述接触电极之间的接触区位于当把第一基板与第二基板接合起来时由密封胶密封的区域内。
51、如权利要求47所述的方法，其特征在于，所述数据线与所述接触电极之间的接触区位于当把第一基板与第二基板接合起来时由密封胶密封的区域内。
52、如权利要求36所述的方法，其特征在于，第二掩模工艺还包括以下步骤：
形成穿过所述半导体层和所述栅绝缘膜的接触孔以交叠数据线；和
在该接触孔中形成连接到数据线的焊盘。
53、如权利要求52所述的方法，其特征在于，所述焊盘与包围所述接触孔的栅绝缘膜相邻接。
54、如权利要求52所述的方法，其特征在于，所述数据线位于当把第一基板与第二基板接合起来时由密封胶密封的区域内。
55、如权利要求36所述的方法，其特征在于，第三掩模工艺还包括使用等离子对所述薄膜晶体管的沟道进行表面处理以氧化所述表面层的步骤。
56、如权利要求36所述的方法，其特征在于，所述半导体层和所述源/漏金属图案具有一形状。
57、如权利要求45所述的方法，其特征在于，第二掩模工艺包括以下步骤：
在所述半导体层上形成光刻胶图案；
使用该光刻胶图案作为掩模形成所述像素孔和所述接触孔；
在该光刻胶图案上形成透明导电膜，并在所述像素孔和所述接触孔中形成对应的透明导电图案；以及
去除形成有该透明导电膜的光刻胶图案。
58、如权利要求57所述的方法，其特征在于，所述半导体层和所述栅绝缘膜被过刻蚀，使得所述像素孔和所述接触孔的边缘位于所述光刻胶图案的下方。
59、如权利要求57所述的方法，其特征在于，还包括第四掩模工艺，该第四掩模工艺用于在第一基板上形成保护膜并且该保护膜在焊盘区处具有开口。
60、如权利要求57所述的方法，其特征在于，还包括在具有所述源/漏金属图案的第一基板上形成保护膜使得该保护膜在焊盘区处具有开口的步骤。
61、如权利要求57所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在具有所述源/漏金属图案的第一基板上形成保护膜；
在该保护膜上形成配向膜；以及
使用该配向膜作为掩模通过刻蚀去除位于焊盘区处的保护膜。
62、如权利要求57所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在第一基板上形成保护膜；
通过密封胶把第二基板与第一基板接合起来；以及
使用第二基板作为掩模通过刻蚀去除位于焊盘区处的保护膜，该保护膜具有开口。
63、如权利要求46所述的方法，其特征在于，第二掩模工艺包括以下步骤：
在所述半导体层上形成光刻胶图案；
使用该光刻胶图案作为掩模形成所述像素孔和所述接触孔；
在该光刻胶图案上形成透明导电膜，并在所述像素孔和所述接触孔中形成对应的透明导电图案；以及
去除形成有该透明导电膜的光刻胶图案。
64、如权利要求63所述的方法，其特征在于，所述半导体层和所述栅绝缘膜被过刻蚀，使得所述像素孔和所述接触孔的边缘位于所述光刻胶图案的下方。
65、如权利要求63所述的方法，其特征在于，还包括第四掩模工艺，该第四掩模工艺用于在第一基板上形成保护膜并且该保护膜在焊盘区处具有开口。
66、如权利要求63所述的方法，其特征在于，还包括在具有所述源/漏金属图案的第一基板上形成保护膜使得该保护膜在焊盘区处具有开口的步骤。
67、如权利要求63所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在具有所述源/漏金属图案的第一基板上形成保护膜；
在该保护膜上形成配向膜；以及
使用该配向膜作为掩模通过刻蚀去除位于焊盘区处的保护膜。
68、如权利要求63所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在第一基板上形成保护膜；
通过密封胶把第二基板与第一基板接合起来；以及
使用第二基板作为掩模通过刻蚀去除位于焊盘区处的保护膜，该保护膜具有开口。
69、如权利要求52所述的方法，其特征在于，第二掩模工艺包括以下步骤：
在所述半导体层上形成光刻胶图案；
使用该光刻胶图案作为掩模形成所述像素孔和所述接触孔；
在该光刻胶图案上形成透明导电膜，并在所述像素孔和所述接触孔中形成对应的透明导电图案；以及
去除形成有该透明导电膜的光刻胶图案。
70、如权利要求69所述的方法，其特征在于，所述半导体层和所述栅绝缘膜被过刻蚀，使得所述像素孔和所述接触孔的边缘位于所述光刻胶图案的下方。
71、如权利要求69所述的方法，其特征在于，还包括第四掩模工艺，该第四掩模工艺用于在第一基板上形成保护膜并且该保护膜在焊盘区处具有开口。
72、如权利要求69所述的方法，其特征在于，还包括在具有所述源/漏金属图案的第一基板上形成保护膜使得该保护膜在焊盘区处具有开口的步骤。
73、如权利要求69所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在具有所述源/漏金属图案的第一基板上形成保护膜；
在该保护膜上形成配向膜；以及
使用该配向膜作为掩模通过刻蚀去除位于焊盘区处的保护膜。
74、如权利要求69所述的方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在第一基板上形成保护膜；
通过密封胶把第二基板与第一基板接合起来；以及
使用第二基板作为掩模通过刻蚀去除位于焊盘区处的保护膜，该保护膜具有开口。
75、如权利要求36所述的方法，其特征在于，还包括在第一基板与第二基板之间形成液晶层的步骤。
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