CN1773354A - 一种液晶显示器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种具有提高的孔径比的多晶硅液晶显示器件以及简化的制造方法。一种液晶显示器件包括：第一基板和第二基板；位于第一基板上的栅线；与栅线交叉以限定像素区的数据线；位于栅线和数据线交叉处附近的薄膜晶体管(TFT)，该TFT具有栅极、源极和漏极；位于像素区中的像素电极，该像素电极具有在透明导电层上形成有金属层的双层结构；位于第二基板上的黑矩阵，该黑矩阵具有与像素电极和漏极部分重叠的孔径部分；以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层。

Description

一种液晶显示器件及其制造方法
本发明要求享有2004年11月12日韩国专利申请No.P2004-0092681的权益，在此引用其全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种显示器件，尤其涉及一种提高孔径比的多晶硅液晶显示器件及简化的制造方法。
背景技术
通常，液晶显示器件(LCD)器件通过根据视频信号控制光透射率来显示图像，其包括在液晶面板中呈矩阵结构的多个液晶单元。在各液晶单元中，薄膜晶体管(TFT)用作开关器件以独立施加视频信号。该TFT的有源层通常由非晶硅或多结晶硅(多晶硅)形成。由于多晶硅的载流子迁移率比非晶硅的载流子迁移率快大约百倍，因此可以用多晶硅技术在LCD面板中集成高速驱动电路。
多晶硅LCD器件通常包括设置有驱动电路的TFT基板和设置有滤色片的滤色片基板，并在其间设置有液晶。
图1所示为根据现有技术在多晶硅LCD器件中部分TFT基板的平面图，而图2所示为沿图1中I-I’线提取的TFT基板的截面图。
参照图1和图2，TFT基板包括连接到栅线2和数据线4的薄膜晶体管(TFF)30，以及连接到TFT 30的像素电极22。虽然NMOS-TFT或者PMOS-TFT可以用于TFT 30，但是下面说明采用NMOS-TFT的TFT 30。
TFT 30具有连接到栅线2的栅极6、连接到数据线4的源极，和通过贯穿保护膜18的像素接触孔20连接到像素电极22的漏极10。栅极6覆盖设置在缓冲膜12上的有源层14的沟道区14C，在栅极6和有源层14的沟道区14C之间栅绝缘膜16。源极和漏极10以同样方式形成以用与栅极6之间的层间绝缘膜26与栅极6绝缘。此外，源极和漏极10分别通过贯穿层间绝缘膜26和栅绝缘膜16的源接触孔24S和漏接源孔分别与有源层14掺杂有n+杂质的源区14S和漏区14D接触。
该多晶硅LCD器件的TFT基板可以通过如图3A到3F所示的六轮掩模工序制造。
参照图3A，在下基板1上形成缓冲膜12，然后通过第一掩模工序在缓冲膜12上形成有源层14。通过在缓冲膜12沉积非晶硅层再应用激光将其结晶为多晶硅层并其后利用第一掩模通过光刻工序和蚀刻工序对其进行构图而形成有源层14。
参照图3B，在设置有有源层14的缓冲膜12上形成栅绝缘膜16，然后通过第二掩模工序在其上形成栅线2和栅极6。然后采用栅极6作为掩模向有源层14的非重叠区中掺杂n+杂质，从而形成有源区14的源区14S和漏区14D。
参照图3C，在设置有栅线2和栅极6的栅绝缘膜16上形成层间绝缘膜26，然后通过第三掩模工序形成贯穿层间绝缘膜26和栅绝缘膜16的源接触孔24S和源接触孔24D。
参照图3D，通过第四掩模工序在层间绝缘膜26上形成包括源极和漏极10的数据线4。
参照图3E，在设置有数据线4和漏极10的层间绝缘膜26上形成保护膜18，然后通过第五掩模工序形成贯穿保护膜18的像素接触孔20以暴露出漏极10。
参照图3F，通过第六掩模工序在保护膜18上形成透明像素电极22。
如上所述，通过六轮掩模工序形成现有技术的TFT基板。由于每一掩模工序包括诸如沉积、清洁、光刻、蚀刻、光刻胶剥离和检查等的许多子工序，因此制造工序复杂并且制造成本高。
发明内容
因此，本发明提供了一种多晶硅液晶显示器件及其制造方法，其可以基本上避免由于现有技术的限制和缺点所引起的一个或多个问题。
本发明的优点是提供一种具有提高的孔径比的多晶硅液晶显示器件以及简化的制造方法。
本发明的其他特性与优点将在下列描述中阐明，部分内容可以通过描述显而易见地得出，或者通过本发明的实践来获知。本发明的目的和其他优点将通过书面描述和声明所阐述的结构以及附图得以认识和获得。
根据本发明的目的，为了达到上述以及其他优点，依照具体和广泛的描述，本发明提供了一种液晶显示器件包括：第一基板和第二基板；位于第一基板上的栅线；与栅线交叉以限定像素区的数据线；位于栅线和数据线交叉处附近的薄膜晶体管(TFT)，该TFT具有栅极、源极和漏极；位于像素区中的像素电极，该像素电极具有在透明导电层上形成有金属层的双层结构；位于第二基板上的黑矩阵，该黑矩阵具有与像素电极和漏极部分重叠的孔径部分；以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层。
根据本发明另一方面，一种液晶显示器件的制造方法包括：提供第一基板和第二基板；在第一基板上形成栅线；形成与栅线交叉以限定像素区的数据线；在栅线和数据线交叉处附近形成薄膜晶体管(TFT)，该TFT具有栅极、源极和漏极；在像素区中形成像素电极，该像素电极具有在透明导电层上形成有金属层的双层结构；在第二基板上形成黑矩阵，该黑矩阵具有与像素电极和漏极部分重叠的孔径部分；以及在第一基板和第二基板之间形成液晶层。
根据本发明再一方面，一种液晶显示器件的制造方法包括：提供第一基板和第二基板；在第一基板上形成缓冲层；在缓冲层上形成第一有源层和第二有源层；在第一有源层和第二有源层上形成第一绝缘膜；形成包括栅极、栅线、存储线和像素电极的第一导电图案，该第一导电图案具有第一在透明导电层上形成有金属层的双层结构；在第一导电图案上形成第二绝缘膜；形成暴露出第一有源层的源区和漏区的源接触孔和漏接触孔；以及形成暴露出像素电极的透明导电层的传输孔；在第二绝缘膜上形成数据线、源极和漏极；在第二基板上形成黑矩阵，该黑矩阵具有与像素电极和漏极部分重叠的孔径部分。
应理解前面的概括描述和下面的详细说明都仅是示例性和说明性的，意欲提供对权利要求所限定的本发明进一步的说明。
附图说明
本发明提供的附图用于帮助对本发明的进一步理解，构成了本说明书的一部分，说明本发明的实施方式，与文字描述内容一起用于本发明原理的阐述。
在附图中：
图1所示为根据现有技术在多晶硅LCD器件中的部分TFT基板的平面图；
图2所示为沿图1中I-I’线提取的TFT基板的截面图；
图3A到3F所示为说明图2所示薄膜晶体管基板的制造方法的截面图；
图4所示为根据本发明第一实施方法的多晶硅液晶显示器件中的部分TFT基板的平面图；
图5所示为沿图4中II-II’线提取的TFT基板的截面图；
图6A到6D所示为说明图5所示薄膜晶体管基板的制造方法的截面图；
图7所示为将第一实施方式的TFT基板170粘接到滤色片基板的组装工序的平面图；
图8所示为根据本发明第二实施方式的多晶硅液晶显示器件中的部分TFF基板的平面图；
图9所示为沿图8中III-III’线提取的TFT基板的截面图；
图10A和图10B所示分别为根据本发明第二实施方式的薄膜晶体管制造方法中第一掩模工序中的平面图和截面图；
图11A和图11B所示分别为根据本发明第二实施方式的薄膜晶体管制造方法中第二掩模工序中的平面图和截面图；
图12A和图12B所示分别为根据本发明第二实施方式的薄膜晶体管制造方法中第三掩模工序中的平面图和截面图；
图13A和图13B所示分别为根据本发明第二实施方式的薄膜晶体管制造方法中第四掩模工序中的平面图和截面图；
图14所示为将第二实施方式的TFT基板270粘接到滤色片基板的组装工序的平面图；以及
图15所示为根据本发明第三实施方式的多晶硅液晶显示器件中的部分TFF基板和组装工序的平面图。
具体实施方式
现在，详细说明本发明的各种优选实施方式，其实施例示出在附图中。
图4所示为根据本发明第一实施方式的多晶硅液晶显示器件中的部分TFT基板的平面图；以及图5所示为沿图4中II-II’线提取的TFT基板的截面图。
参照图4和图5，薄膜晶体管(TFT)基板170包括：栅线102、数据线104、连接到栅线102和数据线104的TFT 130、连接到TFF 130的像素电极122和存储电容160、以及连接到存储电容160的存储线152.虽然TFT 130即可以是NMOS-TFT也可以是PMOS-TFT，但是下面将说明采用NMOS-TFT的TFT130。
数据线104与栅线102和存储线152交叉以限定设置有像素电极122的像素区，其中数据线104与栅线102和存储线152之间层间绝缘膜118。
TFT 130响应来自栅线102的栅信号将数据线104上视频信号施加到像素电极122。为此，TFT 130包括连接到栅线的栅极106、连接到数据线104的源极、像素电极122的漏极110、以及用于限定源极和漏极110之间的沟道的第一有源层114。
与存储线152一起，栅线102和栅极106具有在透明导电层101上形成有金属层103的双层结构。
第一有源层114形成在下基板100上，并且他们之间具有缓冲膜112。第一有源层114具有：与栅极106重叠的沟道区114C，并且在沟道区114C和栅极106之间具有栅绝缘膜116；以及掺杂有n+杂质的源区114S和漏区114D。第一有源层114的源区114S和漏区114D通过贯穿层间绝缘膜118和栅绝缘膜116的源接触孔124S和漏接触孔124D连接到源极和漏极110。
像素电极122包括位于像素区中设置在栅绝缘膜116上的透明导电层101和沿透明导电层101周围的金属层103。换句话说，通过贯穿层间绝缘膜118和金属层103的传输孔120暴露出像素电极122的透明导电层101。另外，像素电极122可以仅包括透明导电层而不包括金属层103。像素电极122跨越存储电极152并连接到沿传输孔120的一侧延伸的漏极110。具体地说，漏极110连接到金属层103以及通过传输孔120暴露出来的像素电极122的透明导电层101。
TFT 130将视频信号充入到像素电极122中以相对于滤色片基板(未示出)的公共电极产生电势差。由于液晶的介电各向异性，该电势差旋转设置在薄膜晶体管基板和滤色片基板之间的液晶，从而控制由光源所输入的光通过像素电极向滤色片基板透射的光量。
存储电容160包括并联连接在存储线152和TFT 130之间的第一存储电容Cst1和第二存储电容Cst2。第一存储电容Cst1设置为使存储线152与从第一有源层114延伸出来的第二有源层150重叠，其中在存储线和第二有源层150之间具有栅绝缘膜116。第二存储电容Cst2设置为使漏极110跨越存储线152，其中在漏极110和存储线152之间具有层间绝缘膜118。由于存储电容160包括并联连接的第一存储电容Cst1和第二存储电容Cst2，因此其具有大电容量。存储电容160可以在预定的时间周期期间稳定地保持充入到像素电极122中的视频信号。
如上所述，根据本发明第一实施方式的TFT基板170中，与具有双层结构的栅线102、栅极106和存储线152一起，像素电极形成在栅绝缘膜116.因此，TFT基板可通过如图6A到6D所示的四轮掩模工序制成。
参照图6A，在下基板100上形成缓冲膜112，然后通过第一掩模工序在其上形成第一有源层114和第二有源层150。
为了形成缓冲膜112，在基板100上整个沉积诸如SiO2等的无机绝缘膜。接着，通过低压化学气相沉积(LPCVD)技术或等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术等技术在缓冲膜112上形成非晶硅薄膜，然后对其进行结晶以形成多晶硅薄膜。在非晶桂薄膜结晶以前执行脱氢工序(dehydrogenizationprocess)以消除非晶硅薄膜中存在的氢原子。
非晶硅的结晶方法大致分类在高温炉内进行热处理以结晶非晶硅的固相结晶法(SPC)和采用激光结晶非晶硅的准分子激光退火(ELA)方法。主要采用作为ELA方法例子的连续横向结晶法(SLS)结晶非晶硅薄膜，其中在该非晶硅薄膜中晶粒沿水平方向生长以提高结晶特性。SLS法采用的原理是晶粒沿与液相硅和固相硅之间的界面垂直的方向生长。因此，晶粒可以沿水平方向生长以通过控制激光束的能量和照射范围而具有预定的尺寸。然后采用第一掩模通过光刻工序和蚀刻工序对多晶硅薄膜进行构图以形成第一有源层114和第二有源层150。
参照图6B，在具有第一有源层114和第二有源层150的缓冲层112上形成栅绝缘膜116。然后，在栅绝缘膜116上形成所有具有双层结构的像素电极122、栅线102、栅极106和存储线152。
为此，在具有第一有源层114和第二有源层150的缓冲层112上依次形成栅绝缘膜116、透明导电层101和金属层103。然后，采用第二掩模通过光刻工序和蚀刻工序对透明导电层101和金属层103进行构图以形成栅线102、栅极106、存储线152和像素电极122。
此外，采用栅极106作为掩模向第一有源层114中掺杂n+杂质从而形成第一有源层114的源区114S和漏极114D。
参照图6C，通过第三掩模工序形成源接触孔124S、漏接触孔124D和具有传输孔120的层间绝缘膜118。
在设置有栅极106、栅线102、存储线152和像素电极122的栅绝缘膜116上形成层间绝缘膜118。然后，采用第三掩模通过光刻工序和蚀刻工序形成贯穿层间绝缘膜118和栅绝缘膜116以暴露出第一有源层114的源区114S和漏区114D的源接触孔124S和漏接触孔124D，以及形成暴露出像素电极122的传输孔120。此外，对通过传输孔120暴露出的像素电极122的金属层103进行蚀刻以暴露出透明导电层101。
参照图6D，通过第四掩模工序在层间绝缘膜118上设置包括源极和漏极110的数据线104。
通过在层间绝缘膜118上沉积源/漏金属层并且采用第四掩模通过光刻工序和蚀刻工序对该源/漏金属层进行构图而形成包括源极和漏极110的数据线104。源极和漏极110通过源接触孔124S和漏接触孔124D连接到源区114S和漏区114D。漏极110跨越存储线152延伸并且连接到通过传输孔120和透明导电层101暴露的像素电极122的金属层103。
如上所述，在根据本发明第一实施方式的TFT基板170中，像素电极122与具有双层结构的栅线102、栅极106和存储线152一起形成，从而简化制造工序(四轮掩模)。因此，该TFT基板170具有暴露出数据线104和漏极110的结构。然而，该TFT基板可以由在最后工序中在TFT基板顶上形成的有机绝缘材料的定向膜充分保护。
图7所示为将第一实施方式的TFT基板170粘接到滤色片基板的组装工序的平面图。
通过连接涂覆有下定向膜(未示出)的TFT基板170和设置有黑矩阵180的滤色片基板190来提供如图7所示的多晶硅液晶显示面板。除黑矩阵180外，滤色片基板190还包括以覆盖黑矩阵180的方法为各相应的像素区设置的滤色片，用于平滑滤色片的保护层，与TFT基板170的像素电极122形成电场的公共电极，以及用于定向液晶的上定向膜。在图7中，边界线122A示出了像素电极122的边界。
黑矩阵180包括与TFT基板170的像素电极重叠的孔径部分182，该孔径部分182透光而其余部分遮光。如图7所示，考虑到组装工序中工序容限，黑矩阵180的孔径部分182比像素电极122小几μm，并且黑矩阵180具有与漏极110相对应的突出部分，其减小孔径部分182的尺寸。
为了解决这个问题，根据本发明第二实施方式的多晶硅液晶显示面板包括如图8和图9所示的漏极210被扩大的TFT基板270。图8所示为根据本发明第二实施方法的多晶硅液晶显示器件中的部分TFT基板的平面图，而图9所示为沿图8中III-III’线提取的TFT基板的截面图。
如图8和图9所示的TFT基板270除了包括被扩大以覆盖存储线252和像素电极222之间的重叠区的漏极210之外，具有如图4和图5所示的TFT基板170相同的结构。
在poly-式TFT基板270中，在栅绝缘膜216上形成栅线202、栅电极206和存储线252，其全部具有在透明导电层201上形成有金属层203的双层结构。像素电极222包括设置在栅绝缘膜216上的透明导电层201。通过贯穿层间绝缘218的传输孔210暴露出透明导电层201。此外，像素电极222包括位于透明导电层201上的金属层203。方形的金属层203围绕在传输孔210的周边。
TFT 230包括设置在第一基板200上的缓冲膜212的第一有源层214；与第一有源层214的沟道区214C重叠的栅极206，并且在他们之间具有栅绝缘膜216，以及通过贯穿层间绝缘膜218和栅绝缘膜216的源接触孔224S和漏接触孔224D连接到第一有源导层214的源区214S和漏区214D的源极和漏极。源极可以由部分数据线形成或者也可以从数据线突出。
漏极210与存储线252重叠并在其间具有层间绝缘膜，而且通过传输孔210连接到像素电极222。更具体地说，漏极210被扩大因此其靠近数据线202并且通过传输孔220被连接到像素电极222的内侧。因此，漏极210和存储线252之间的重叠区被扩大，从而增加存储电容260的电容量。
更具体地说，存储电容260包括在存储线252和TFT 230之间并联连接的第一存储电容Cst1和第二存储电容Cst2。第一存储电容Cst1设置为使存储线252与从TFT 230的第一有源层214延伸出来的第二有源层250重叠，其中在存储线252和第二有源层250之间具有栅绝缘膜216。第二存储电容Cst2设置为使漏极210跨越存储线252，其中在漏极210和存储线252之间具有层间绝缘膜218。由于漏极210和存储线252之间的重叠区放大，所以第二存储电容Cst2的电容量增加并且从而使存储电容260的总电容量增加。因此存储电容260可以更稳定地保持充入到像素电极222中的视频信号。
此外，与存储线252和像素电极222重叠的部分漏极210位于黑矩阵(未示出)的孔径部分。因此，可以最小化或防止由于组装工艺的工艺容限所引起的孔径比降低。此外，通过黑矩阵的孔径部分所暴露出的漏极210反射外部光从而提高对比度。
因此，下面说明通过四轮掩工序制造根据本发明第二实施方式的TFT基板。图10A和图10B所示分别为根据本发明第二实施方式的薄膜晶体管制造方法中第一掩模工序中的平面图和截面图。
参照图10A和10B，在下基板200上形成缓冲膜212，然后通过第一掩模工序在其上形成第一有源层214和第二有源层250。
通过在基板200上整个沉积诸如SiO2等的无机绝缘膜形成缓冲膜212。接着，通过低压化学气相沉积(LPCVD)技术或等离子增强化学气相沉积(PECVD)技术等技术形成非晶硅薄膜，然后对其进行结晶以形成多晶硅薄膜。在非晶硅薄膜结晶以前采用脱氢工序(dehydrogenization process)减少非晶硅薄膜中存在的氢原子。
采用诸如连续横向结晶法(SLS)的激光退火(ELA)技术结晶非晶硅薄膜，其中在该非晶硅薄膜中晶粒沿水平方向生长以增大晶粒尺寸。然后采用第一掩模通过光刻工序和蚀刻工序对多晶硅薄膜进行构图以形成第一有源层214和第二有源层250。
图11A和图11B所示分别为根据本发明第二实施方式的薄膜晶体管制造方法中第二掩模工序中的平面图和截面图。
参照图11A和图11B，在具有第一有源层214和第二有源层250的缓冲层212上形成栅绝缘膜216。然后，通过第二掩模工序，在其上与具有双层结构的栅线202、栅极206和存储线252一起形成像素电极222。
通过在具有第一有源层214和第二有源层250的缓冲层212上整个地沉积诸如SiO2等的无机绝缘膜形成栅绝缘膜216。然后通过溅射等在栅绝缘膜216上沉积透明导电层201和金属层203。透明导电层201由氧化铟锡(ITO)、氧化锡(TO)或氧化铟锌(IZO)等构成，而金属层203由Mo、Cu、Al、Ti、Cr、MoW或者AlNd等构成。接着，采用第二掩模通过光刻工序和蚀刻工序对透明导电层201和金属层203进行构图以与像素电极222一起形成栅线202、栅极206、存储线252，其全部具有双层结构。
此外，采用栅极206作为掩模向第一有源层214中掺杂n+杂质从而形成第一有源层214的源极214S和漏极214D。第一有源层214的源极214S和漏极214D彼此相对，在源极214S和漏极214D之间具有与栅极206重叠的沟道区214C。
图12A和图12B所示分别为根据本发明第二实施方式的薄膜晶体管制造方法中第三掩模工序中的平面图和截面图。
参照图12A和图12B，通过第三掩模工序在设置有栅线202、栅极206、存储线252和像素电极222的栅绝缘膜216上形成源接触孔224S、漏接触孔224D和具有传输孔220的层间绝缘膜218。
通过在设置有栅极206、栅线202、存储线252和像素电极222的栅绝缘膜216上整个地沉积诸如SiO2等的无机绝缘材料形成层间绝缘膜218。然后，采用第三掩模通过光刻工序和蚀刻工序形成贯穿层间绝缘膜218和栅绝缘膜216以暴露出第一有源层214的源区214S和漏区214D的源接触孔224S和漏接触孔224D，以及暴露出像素电极222的传输孔220。此外，对通过传输孔220暴露出的像素电极222的金属层203进行蚀刻以暴露出透明导电层201。
图13A和图13B所示分别为根据本发明第二实施方式的薄膜晶体管制造方法中第四掩模工序中的平面图和截面图。
参照图13A和图13B，通过第四掩模工序在层间绝缘膜218上形成包括源极和漏极210的数据线204。
通过在层间绝缘膜218上沉积源/漏金属层并且采用第四掩模通过光刻工序和蚀刻工序对该源/漏金属层进行构图而形成包括源极和漏极210的数据线204。数据线204和漏极210通过源接触孔224S和漏接触孔224D连接到源区214S和漏区214D。漏极210与存储线252重叠并且通过传输孔220连接到像素电极222。此时漏极210靠近两条数据线204并且连接到像素电极222的下部分。
此外，数据线204和漏极210可以由在随后的液晶定向工序中设置在TFT基板的最上层的有机绝缘材料形成的定向膜充分保护。
图14所示为将第二实施方式的TFT基板270粘接到滤色片基板的组装工序的平面图。
通过连接涂覆有下定向膜(未示出)的TFT基板270和设置有黑矩阵280的滤色片基板290来提供如图14所示的多晶硅液晶显示面板。除黑矩阵280外，滤色片基板290还包括以覆盖黑矩阵280的方法为各相应的像素区设置的滤色片，用于平滑滤色片的保护层，与TFT基板270的像素电极222形成电场的公共电极，以及用于定向液晶的上定向膜。在图14中，边界线222A示出了像素电极222的边界。
黑矩阵280包括与TFT基板270的像素电极222重叠的孔径部分282，其中孔径部分282透光而在其余部分遮光。如图14所示，考虑到组装工序中工序容限，黑矩阵280的孔径部分282仅有左侧、右侧和上侧比像素电极122小。由于漏极的金属层，孔径部分282的下侧可以设计为不考虑对准工序容限。因此，可以最小化由于组装工序的工序容限所引起的孔径比降低。同时，通过经黑矩阵280的孔径比282所暴露出的漏极210反射外部光从而提高对比度。
图15所示为根据本发明第三实施方法的多晶硅液晶显示器件中的部分TFT基板和组装工序的平面图。
如图15所示的多晶硅液晶显示面板除了滤色片基板390的黑矩阵380还包括跨越孔径部分382下部的桥380A之外，具有如图14所示的多晶硅液晶显示面板相同的元件。
图15所示的黑矩阵380的桥380A以跨越孔径部分382的方法设置。从而孔径部分382被其分成上部和下部。漏极210具有由传输孔220的高度所引起的台阶覆盖(即，台阶部分)，该台阶覆盖可以引起漏光。从而，黑矩阵380的桥380A可以防止可以用于显示图像的光的泄漏。从而当TFT基板270被粘接在滤色片基板390时，在相对于桥380的孔径部分382上部暴露像素电极222，而其下部暴露出漏极210。因此，可以最小化由于用于组装工序的工序容限所引起的孔径比减少。同时，通过黑矩阵380的孔径部分382所暴露出的漏极210反射外部光从而提高对比度。
如上所述，通过简化的四轮工序制造根据本发明的多晶硅的TFT基板，从而降低制造成本。此外，由于漏极和存储线之间的重叠区扩大，存储电容具有更高的电容量并且可以最小化由于用于组装工序的工序容限所引起的径比降低。而且，根据本发明，通过黑矩阵的孔径部分所扩展的漏极可以反射外部光从而提高对比度。另外，当进一步提供黑矩阵的桥时，可以防止或减小由漏极的台阶覆盖所引起的漏光。
显然对于熟悉本领域的人员来说，本发明还有各种变型和改进。因此，本发明意欲覆盖所有落入所附权利要求或其等效的范围内的本发明的变型和改进。

Claims (37)

1.一种液晶显示器件，包括：
第一基板和第二基板；
位于所述第一基板上的栅线；
与所述栅线交叉以限定像素区的数据线；
位于所述栅线和数据线交叉处附近的薄膜晶体管(TFT)，所述薄膜晶体管具有栅极、源极和漏极；
位于所述像素区中的像素电极，所述像素电极具有在透明导电层上形成有金属层的双层结构；
位于所述第二基板上的黑矩阵，所述黑矩阵具有与所述像素电极和漏极部分重叠的孔径部分；以及
位于所述第一基板和第二基板之间的液晶层。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述栅线和连接到所述栅线的所述栅极具有双层结构。
3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括与所述栅线平行的存储线。
4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述存储线具有所述双层结构。
5.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，漏极沿所述存储线形成并且靠近两侧的数据线。
6.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述漏极围绕靠近所述存储线的部分像素电极。
7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述漏极与黑矩阵的孔径部分以及所述存储线和像素电极之间的重叠部分重叠。
8.根据权利要求7所述的器件，其特征在于，所述漏极中与所述黑矩阵的孔径部分重叠的部分反射光。
9.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述漏极跨越所述存储线连接到所述像素电极。
10.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括位于所述栅线和数据线之间的绝缘膜。
11.根据权利要求10所述的器件，其特征在于，所述像素电极通过贯穿所述绝缘膜的传输孔被暴露出来。
12.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述像素电极的金属层围绕所述传输孔的周围。
13.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，还包括位于所述源极和漏极之间的第一有源层。
14.根据权利要求13所述的器件，其特征在于，还包括重叠在从所述第一有源层延伸出的第二有源层和所述存储线之间的第一存储电容。
15.根据权利要求14所述的器件，其特征在于，还包括重叠在所述漏极和存储线之间的第二存储电容。
16.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述黑矩阵还包括跨越所述孔径部分的桥。
17.根据权利要求16所述的器件，其特征在于，所述桥覆盖所述漏极的台阶部分。
18.根据权利要求16所述的器件，其特征在于，所述桥防止在所述漏极的台阶部分漏光。
19.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述黑矩阵的孔径部分形成在所述像素电极的第一边界的外部并且在所述像素电极的第二边界的内部。
20.一种液晶显示器件的制造方法，包括：
提供第一基板和第二基板；
在第一基板上形成栅线；
形成与栅线交叉以限定像素区的数据线；
在栅线和数据线交叉处附近形成薄膜晶体管(TFT)，该薄膜晶体管具有栅极、源极和漏极；
在像素区中形成像素电极，该像素电极具有在透明导电层上形成有金属层的双层结构；
在第二基板上形成黑矩阵，该黑矩阵具有与像素电极和漏极部分重叠的孔径部分；以及
在第一基板和第二基板之间形成液晶层。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，还包括形成与栅线平行的存储线。
22.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，所述黑矩阵的孔径部分形成所述像素电极的第一边界的外部并且在所述像素电极的第二边界的内部。
23.一种液晶显示器件的制造方法，包括：
提供第一基板和第二基板；
在第一基板上形成缓冲层；
在缓冲层上形成第一有源层和第二有源层；
在第一有源层和第二有源层上形成第一绝缘膜；
形成包括栅极、栅线、存储线和像素电极的第一导电图案，所述第一导电图案
具有第一在透明导电层上形成有金属层的双层结构；
在第一导电图案上形成第二绝缘膜；
形成暴露出第一有源层的源区和漏区的源接触孔和漏接触孔，以及形成暴露出像素电极的透明导电层的传输孔；
在第二绝缘膜上形成数据线、源极和漏极；以及
在第二基板上形成黑矩阵，所述黑矩阵具有与像素电极和漏极部分地重叠的孔径部分。
24.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，所述连接到所述栅线的栅极与所述第一有源层交叉。
25.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，所述存储线与所述第二有源层重叠。
26.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，在所述栅线和存储线之间形成所述像素电极。
27.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，所在述漏极连接到所述漏区并且跨越所述存储电极连接所述像素电极。
28.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，还包括在数据线和源极和及漏极上形成定向膜。
29.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，所述形成传输孔的步骤包括：构图第二绝缘膜以限定传输孔；以及
通过经过所述传输孔蚀刻像素电极的金属层而暴露出透明导电层。
30.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，像素电极的金属层围绕像素电极和透明导电层。
31.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，所述漏极沿存储线形成并且靠近两侧的数据线。
32.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，所述漏极围绕所述像素电极靠近所述存储线的部分。
33.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，还包括形成跨越孔径部分的桥。
34.根据权利要求33所述的方法，其特征在于，所述桥覆盖所述漏极的台阶部分。
35.根据权利要求34所述的方法，其特征在于，所述桥防止在所述漏极的台阶部分漏光。
36.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，所述黑矩阵的孔径部分形成在所述像素电极的第一边界的外部并且在所述像素电极的第二边界的内部。
37.根据权利要求23所述的方法，其特征在于，还包括在第一基板和第二基板之间形成液晶层。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100414367C (zh) * 2006-11-01 2008-08-27 友达光电股份有限公司 液晶显示结构及其制造方法
CN101281325B (zh) * 2007-04-06 2010-09-29 群康科技(深圳)有限公司 液晶面板
CN101650497B (zh) * 2008-08-15 2011-03-23 胜华科技股份有限公司 液晶显示面板
CN101144983B (zh) * 2006-09-11 2011-05-04 乐金显示有限公司 液晶显示面板及其制造方法
WO2015024332A1 (zh) * 2013-08-19 2015-02-26 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、阵列基板、像素结构及其制造方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970073403A (ko) * 1996-05-20 1997-12-10 구형우 헛개나무 추출물을 함유하는 음료 조성물과 이의 제조방법
KR20040021927A (ko) * 2002-09-06 2004-03-11 차재영 호깨나무와 홍삼 추출물을 이용한 건강 보조식품프로헤파-알지의 개발
KR101066489B1 (ko) * 2004-11-12 2011-09-21 엘지디스플레이 주식회사 폴리형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US7410842B2 (en) * 2005-04-19 2008-08-12 Lg. Display Co., Ltd Method for fabricating thin film transistor of liquid crystal display device
KR101197053B1 (ko) * 2005-09-30 2012-11-06 삼성디스플레이 주식회사 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101192626B1 (ko) * 2006-05-12 2012-10-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판과, 이의 제조 방법 및 이를 구비한 표시 장치
KR101250789B1 (ko) * 2006-06-30 2013-04-08 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 제조방법
KR20080006316A (ko) * 2006-07-12 2008-01-16 삼성전자주식회사 유기 박막 트랜지스터와 그의 제조 방법
WO2008117395A1 (ja) * 2007-03-26 2008-10-02 Pioneer Corporation 有機半導体素子及びその製造方法
CN100461379C (zh) * 2007-03-29 2009-02-11 友达光电股份有限公司 液晶显示器的像素结构及其制造方法
US9041202B2 (en) * 2008-05-16 2015-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method of the same
KR101494315B1 (ko) * 2008-08-12 2015-02-17 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI361330B (en) * 2008-11-03 2012-04-01 Au Optronics Corp Method for forming pixel structure of transflective liquid crystal display device
KR101048987B1 (ko) * 2009-12-10 2011-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR101822563B1 (ko) * 2010-12-08 2018-03-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN103149760B (zh) * 2013-02-19 2015-03-11 合肥京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管阵列基板、制造方法及显示装置
CN103367248A (zh) * 2013-07-01 2013-10-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、制备方法以及显示装置
EP3161899A4 (en) 2014-06-30 2017-12-27 Black & Decker Inc. Battery pack for a cordless power tools
KR102278604B1 (ko) * 2014-08-29 2021-07-19 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
KR102360783B1 (ko) 2014-09-16 2022-02-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102284756B1 (ko) 2014-09-23 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102230713B1 (ko) * 2014-11-17 2021-03-19 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN104505391B (zh) * 2014-12-23 2017-06-27 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板及其制造方法和显示面板
KR102326370B1 (ko) * 2015-06-02 2021-11-16 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US10834815B2 (en) * 2015-12-01 2020-11-10 Japan Aviation Electronics Industry, Limited Printed wiring line, electronic device, touch panel, gravure plate, printed wiring line formation method, touch panel production method, and electronic device production method
CN106940503B (zh) * 2016-01-05 2020-04-24 群创光电股份有限公司 显示设备
TWI560486B (en) * 2016-01-05 2016-12-01 Innolux Corp Display panel
KR102526611B1 (ko) 2016-05-31 2023-04-28 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20200032594A (ko) 2018-09-18 2020-03-26 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06250217A (ja) * 1993-02-24 1994-09-09 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
KR970003717B1 (ko) 1993-07-16 1997-03-21 엘지반도체 주식회사 반도체 장치의 금속배선 형성방법
KR100297706B1 (ko) 1993-07-30 2001-10-24 윤종용 다결정실리콘박막트랜지스터
KR970008589B1 (ko) 1994-01-11 1997-05-27 주식회사 유공 글리콜에테르의 제조방법
KR970011966B1 (ko) 1994-10-12 1997-08-08 엘지전자 주식회사 브이씨알의 위상오차 검출에 의한 오토트랙킹 방법
KR0169385B1 (ko) * 1995-03-10 1999-03-20 김광호 블랙 매트릭스 구조가 가능한 액정용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법
JP3744980B2 (ja) * 1995-07-27 2006-02-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
KR0175408B1 (ko) 1995-10-17 1999-02-18 김광호 액정표시장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
KR0161461B1 (ko) 1995-11-22 1999-01-15 김광호 폴리실리콘 박막트랜지스터 액정디스플레이 제조 방법
KR0177785B1 (ko) 1996-02-03 1999-03-20 김광호 오프셋 구조를 가지는 트랜지스터 및 그 제조방법
KR100192593B1 (ko) 1996-02-21 1999-07-01 윤종용 폴리 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법
KR0184509B1 (ko) 1996-05-22 1999-04-15 김광호 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
DE69728029T2 (de) * 1996-12-16 2005-02-24 Ngk Insulators, Ltd., Nagoya Anzeigegerät
WO1999047972A1 (fr) * 1998-03-19 1999-09-23 Seiko Epson Corporation Dispositif d'affichage et dispositif de projection a cristaux liquides
KR100538295B1 (ko) 1998-10-13 2006-03-07 삼성전자주식회사 폴리 실리콘 액정표시장치 구동장치
KR100500631B1 (ko) 1998-10-23 2005-11-25 삼성전자주식회사 박막트랜지스터의 제조방법_
KR100541274B1 (ko) 1998-10-23 2006-03-09 삼성전자주식회사 박막트랜지스터
KR100571037B1 (ko) 1998-11-06 2006-08-30 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 소자 제조 방법
KR100278606B1 (ko) 1998-12-22 2001-03-02 윤종용 박막트랜지스터
KR100355713B1 (ko) 1999-05-28 2002-10-12 삼성전자 주식회사 탑 게이트 방식 티에프티 엘시디 및 제조방법
JP5020428B2 (ja) * 1999-08-30 2012-09-05 三星電子株式会社 トップゲート形ポリシリコン薄膜トランジスター製造方法
KR100697262B1 (ko) 1999-08-30 2007-03-21 삼성전자주식회사 탑 게이트형 폴리실리콘 박막트랜지스터 기판의 제조방법
KR100697263B1 (ko) 1999-08-30 2007-03-21 삼성전자주식회사 탑 게이트형 폴리실리콘 박막트랜지스터 제조방법
JP4781518B2 (ja) * 1999-11-11 2011-09-28 三星電子株式会社 反射透過複合形薄膜トランジスタ液晶表示装置
KR100307456B1 (ko) 1999-12-08 2001-10-17 김순택 박막 트랜지스터의 제조 방법
KR100307457B1 (ko) 1999-12-09 2001-10-17 김순택 박막 트랜지스터의 제조 방법
KR100307459B1 (ko) 1999-12-14 2001-10-17 김순택 박막트랜지스터 제조방법
JP2001257350A (ja) * 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
US6690437B2 (en) * 2000-04-18 2004-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
US7804552B2 (en) * 2000-05-12 2010-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device with light shielding portion comprising laminated colored layers, electrical equipment having the same, portable telephone having the same
KR100623989B1 (ko) * 2000-05-23 2006-09-13 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그의 수리 방법
KR100693246B1 (ko) 2000-06-09 2007-03-13 삼성전자주식회사 탑 게이트형 폴리실리콘 박막트랜지스터 제조방법
KR20020009188A (ko) 2000-07-25 2002-02-01 윤종용 반도체 제조에서의 식각 방법
KR100414225B1 (ko) 2000-09-19 2004-01-07 삼성전자주식회사 패널 배선을 이용하여 데이터를 전송하는 액정 디스플레이장치
KR100590264B1 (ko) 2001-03-02 2006-06-15 삼성에스디아이 주식회사 오프셋영역을 갖는 씨모스 박막 트랜지스터 및 그의제조방법
KR100437473B1 (ko) 2001-03-02 2004-06-23 삼성에스디아이 주식회사 엘디디 구조를 갖는 씨모스 박막 트랜지스터 및 그의제조방법
KR100582724B1 (ko) 2001-03-22 2006-05-23 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치용 표시 소자, 이를 이용한 유기전계발광 디바이스 및 평판 디스플레이용 표시 소자의제조 방법
KR100686331B1 (ko) 2001-04-04 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치용 박막 트랜지스터의 제조 방법
KR100600845B1 (ko) 2001-04-12 2006-07-14 삼성에스디아이 주식회사 평판 표시장치 제조 방법
KR100437475B1 (ko) 2001-04-13 2004-06-23 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치용 표시 소자 제조 방법
KR100740932B1 (ko) * 2001-04-20 2007-07-19 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판, 그의 제조 방법 및 액정 표시 장치
KR100456137B1 (ko) * 2001-07-07 2004-11-08 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조방법
KR100806891B1 (ko) * 2001-07-10 2008-02-22 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR100774561B1 (ko) 2001-07-13 2007-11-08 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 유기전계발광 디바이스
KR100542982B1 (ko) 2001-10-09 2006-01-20 삼성에스디아이 주식회사 결정화방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법
US6900856B2 (en) * 2002-12-04 2005-05-31 Lg. Philips Lcd Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR100870701B1 (ko) * 2002-12-17 2008-11-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100887671B1 (ko) * 2002-12-23 2009-03-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
KR100945442B1 (ko) * 2003-02-28 2010-03-05 엘지디스플레이 주식회사 씨오티 구조 반투과형 액정표시장치
KR100961944B1 (ko) * 2003-03-28 2010-06-10 삼성전자주식회사 색필터 표시판 및 액정 표시 장치
TW588462B (en) * 2003-03-31 2004-05-21 Quanta Display Inc Method of fabricating a thin film transistor array panel
US7482208B2 (en) * 2003-09-18 2009-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel and method of manufacturing the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101144983B (zh) * 2006-09-11 2011-05-04 乐金显示有限公司 液晶显示面板及其制造方法
CN100414367C (zh) * 2006-11-01 2008-08-27 友达光电股份有限公司 液晶显示结构及其制造方法
CN101281325B (zh) * 2007-04-06 2010-09-29 群康科技(深圳)有限公司 液晶面板
CN101650497B (zh) * 2008-08-15 2011-03-23 胜华科技股份有限公司 液晶显示面板
WO2015024332A1 (zh) * 2013-08-19 2015-02-26 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、阵列基板、像素结构及其制造方法

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Publication number Publication date
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