CN1770465A - 有机发光二极管显示器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种有机发光二极管显示器，包括发光器件，相互分离的第一导线、第二导线和第三导线，耦合到第三导线和发光器件的第一薄膜晶体管，和耦合到第一导线和第二导线的第二薄膜晶体管。第三薄膜晶体管包括第一电极，第四薄膜晶体管包括第二电极，并且第一电极和第二电极通过在第一绝缘层中的第一接触孔相互耦合。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管显示器及其制造方法。
背景技术
随着各种电子显示装置广泛应用于各种产业中，显示装置正扮演着越来越重要的角色。
通常，显示装置以光学图像的形式把信息传送给人们，并且它们在人和电子装置之间提供了界面。
那些通过发光显示信息的显示装置称为发射型显示装置，而那些通过例如反射、散射、干涉等光调制来显示信息的显示装置称为非发射型显示装置。发射型显示装置包括阴极射线管(CRT)，等离子显示面板(PDP)，发光二极管(LED)和有机发光二极管(OLED)显示器。非发射型显示装置包括液晶显示器(LCD)，电化学显示器(ECD)和电泳图像显示器(EPID)。
自发射型OLED显示器通过激励有机材料发光来显示图像。OLED显示器包含阳极(空穴注入电极)，阴极(电子注入电极)和介于它们之间的有机发光层。当把空穴和电子注入到发光层中时，它们重组形成空穴电子对，当从受激状态转变到基态时该空穴电子对会发光。
显示器包括多个呈矩阵排列的像素，每个像素包括阳极、阴极和发光层。可以用无源矩阵(或简单矩阵)寻址或有源矩阵寻址来驱动像素。
有源矩阵OLED显示器在每个像素中典型地包括开关晶体管，驱动晶体管和存储电容器，以及阳极、阴极和发光层。驱动晶体管接收来自开关晶体管的数据电压，并驱动具有对应于在数据电压和预定电压例如电源电压之间差值的电流。来自驱动晶体管的电流进入发光层，引起具有取决于该电流的强度的发光。驱动晶体管持续驱动电流以保持发光状态。
但是，当长时间提供控制电压时，驱动晶体管的阈值电压会漂移(shift)，这会改变由驱动晶体管驱动的电流，由此改变发光器件的亮度。为了解决这一问题，可以在一个像素中使用几个晶体管。但是，在每个像素中增加晶体管的数量会降低孔径比并会提高像素的复杂性。降低了的孔径比对于高分辨率的显示装置是非常不利的。
发明内容
本发明提供一种OLED显示器，通过减少由晶体管占据的面积该显示器将具有增加的孔径比。
本发明的其它特征将在下面的描述中进行阐述，并且一部分会从该描述中明显看到，或者可以通过本发明的实施而认识到。
本发明公开了一种发光二极管显示器，包括发光器件、相互分离的第一导线、第二导线、以及第三导线，耦合到第三导线和发光器件的第一薄膜晶体管，和耦合到第一导线和第二导线的第二薄膜晶体管。第三薄膜晶体管包括第一电极，第四薄膜晶体管包括第二电极，并且第一电极和第二电极通过第一绝缘层中的第一接触孔相互耦合。
本发明还公开了一种薄膜面板，包括基板，形成在基板上的第一导电层，形成在第一导电层上的第一绝缘层，形成在第一绝缘层上的第二导电层，和形成在第二导电层上的第二绝缘层。在第一绝缘层和第二绝缘层中形成接触孔，以露出第一导电层的至少一部分和第二导电层的至少一部分。第三导电层在接触孔中形成，并将第一导电层耦合到第二导电层。
本发明还公开了一种有机发光二极管显示器的制造方法。该方法包括在基板上形成第一栅极和第二栅极，在第一栅极和第二栅极上形成第一绝缘体，在第一绝缘体上形成第一半导体和第二半导体，第一半导体和第二半导体分别与第一栅极和第二栅极重叠。在第一半导体上形成第一源极和第一漏极并相互隔开，在第二半导体上形成第二源极和第二漏极并相互隔开。沉积第二绝缘体，并刻蚀第二绝缘体和第一绝缘体，以形成至少部分露出第二栅极和第一漏极的接触孔。形成连接部件，通过接触孔耦合第二栅极和第一漏极。
本发明还公开了一种有机发光二极管显示器的制造方法，包括在基板上形成第一栅极和第二栅极，在第一栅极和第二栅极上形成第一绝缘层，在第一绝缘层上形成第一半导体和第二半导体，第一半导体和第二半导体分别与第一栅极和第二栅极重叠。在第一绝缘层中形成接触孔，以露出第二栅极的一部分。在第一半导体上形成第一漏极和第一源极，在第二半导体上形成第二漏极和第二源极。通过接触孔将第一漏极耦合到第二栅极。
可以理解，前面的总体描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，目的是如权利要求所要求的那样对本发明提供进一步的解释。
附图说明
所含附图用于提供对本发明的进一步理解，与说明书相结合并构成说明书的一部分，该附图图示说明本发明的实施例，并和说明部分一起用于解释本发明的原理。
图1是根据本发明实施例的OLED显示器像素的等效电路图。
图2是图1的OLED显示器的布置图。
图3是沿图2中III-III线的OLED显示器的截面图。
图4、图6、图8、图10和图15是根据本发明实施例其制造方法的中间步骤中图2和图3的OLED显示器的布置图。
图5、图7、图9、图11和图16分别是沿图4、图6、图8、图10和图15中V-V、VII-VII、IX-IX、XI-XI和XVI-XVI线的OLED显示器的截面图。
图17是根据本发明另一实施例的OLED显示器的布置图。
图18是沿图17中XVIII-XVIII线的OLED显示器的截面图。
图19是根据本发明实施例其制造方法中间步骤中的图17和图18的OLED显示器的布置图。
图20是沿图19中XX-XX线的OLED显示器的截面图。
具体实施方式
下面将参考附图对本发明的实施例进行更全面的描述。不过，本发明可以用许多不同的方式实施，不应当解释为受到在此所阐述的实施例所限定。
在图中，为了清楚其见，将各层、薄膜、面板、区域等的厚度夸大了。全文中相同的标号表示相同部件。可以理解，当称例如一层、薄膜、区域或基板等部件“在另一部件上”时，可以是直接在另一部件之上，或者也可以是存在***部件。相反地，当称一个部件“直接在另一部件上”时，不存在***部件。
现在，将参考附图，对根据本发明实施例的OLED显示器及其制造方法进行描述。
首先，参考图1详细描述根据本发明实施例的OLED显示器，图1是根据本发明实施例的OLED显示器像素的等效电路图。
参考图1，OLED显示器200可以包括多条栅极总线GBL，多条数据总线DBL，多条电压传输线PSL，和多个连接到其上并基本按矩阵排列的像素。
栅极总线GBL传送栅极信号(或扫描信号)，并基本上沿行方向延伸，基本相互平行，而数据总线DBL传送数据信号，并基本沿列方向延伸，基本相互平行。
每个像素包括连接到栅极总线GBL和数据总线DBL的开关晶体管Q1，连接到开关晶体管Q1和电压传输线PSL的驱动晶体管Q2和存储电容器Cst，以及连接到驱动晶体管Q2的有机发光部件EL。
开关晶体管Q1具有连接到栅极总线GBL的栅极端G1，连接到数据总线DBL的源极端S1，和漏极端D1。驱动晶体管Q2具有连接到开关晶体管Q1的栅极端G2，连接到发光部件EL的源极端S2，和连接到电压传输线PSL的漏极端D2。作为选择，驱动晶体管的源极端S2可以连接到电压传输线PSL，而且其漏极端D2可以连接到发光部件EL。
现在，将参考图1、图2和图3对根据本发明实施例的OLED显示器结构进行详细说明。
图2是图1所示OLED显示器的布置图，图3是沿图2中III-III线的OLED显示器的截面图。
可以在例如透明玻璃的绝缘基板10上形成多个栅极导体，其包括具有第一栅极G1的多条栅极总线GBL和多个第二栅极G2。
栅极总线GBL基本上横向延伸，并且第一栅极G1由栅极总线GBL向上突出。可以将栅极总线GBL连接到集成在基板10上的驱动电路(未示出)，或者该总线可以具有大面积的端部(未示出)，用于和另一层或者安装在基板10上或其他装置上的外部驱动电路相连，其它装置例如为可附加到基板10上的柔性印刷电路薄膜(未示出)。
每个第二栅极G2都与栅极总线GBL分开，并布置在两条相邻的栅极总线GBL之间。第二栅极G2包括存储电极SE，该存储电极SE向下延伸、转向右侧、然后向上延伸(见图4)。
可以用例如，含有金属例如铝和铝合金的铝，含有金属例如银和银合金的银，含有金属例如铜和铜合金的铜，含有金属例如钼和钼合金的钼，铬、钛或钽制造栅极导体GBL和G2。栅极导体GBL和G2可以具有包含带有不同物理特性的两层薄膜的多层结构。两层薄膜之一可以用包括含有金属的铝，含有金属的银，或者含有金属的铜的低电阻率金属制成，用于减少在栅极导体GBL和G2中的信号延迟或电压降。另一方面，另一薄膜可以用例如铬、钼、钼合金、钽或钛等材料制作，它们具有良好的物理、化学特性，并具有与例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等其它材料的良好导电特性。例如，两层薄膜的组合可以是下方铬薄膜、上方铝(合金)薄膜，以及下方铝(合金)薄膜、上方钼(合金)薄膜。
此外，栅极导体GBL和G2的侧面可以相对于基板10的表面倾斜大约30-80度角度。
在栅极导体GBL和G2上形成第一绝缘层220。该第一绝缘层220可以用例如SiNx和SiOx的绝缘体或例如HfO2和Al2O3的高电介质制成。
在第一绝缘层220上形成多个第一和第二半导体岛状物230和240，其可以由氢化非晶硅(“a-Si”)或者多晶体硅(“多晶硅”)制成。第一半导体岛状物230布置在第一栅极G1上，第二半导体岛状物240布置在第二栅极G2上。
分别在第一和第二半导体岛状物230和240上，布置多个第一和第二欧姆接触岛状物242和244以及多个第三和第四欧姆接触岛状物246和248。欧姆接触岛状物242、244、246和248相互分离，它们可由硅化物或者重掺杂有n型杂质的n+氢化非晶硅制成。
半导体岛状物230和240以及欧姆触点242、244、246和248的侧面相对于基板的表面倾斜大约30-80度的角度。
分别在欧姆触点242、244、246和248以及在第一绝缘层220上形成包括具有第一源极S1的多条数据总线DBL的多个数据导体、多个第一漏极D1、多条具有第二漏极D2的电压传输线PSL、和多个第二源极S2。
数据总线DBL传送数据信号，基本纵向延伸，并和栅极总线GBL交叉。每条数据总线DBL可以包括用于和另一层或外部设备连接的大面积端部(未示出)。数据总线DBL可以和用于产生数据信号的数据驱动电路(未示出)直接耦合，该数据驱动电路可以集成在基板10上。第一源极S1从数据总线DBL延伸到第一欧姆触点242上、而且第一漏极D1布置在第二欧姆触点244上，这样使得它们面向第一源极S1。第一漏极D1可以与第二栅极G2重叠，也可以不重叠。
电压传输线PSL传送驱动电压Vdd，并与数据总线DBL相邻布置，而且象数据总线DBL一样基本上纵向延伸。第二漏极D2从电压传输线PSL延伸到第三欧姆触点246上。第二源极S2布置在第四欧姆触点248上，并面向第二漏极D2。电压传输线PSL和存储电极SE重叠以形成存储电容器Cst。
第一栅极G1、第一源极S1、和第一漏极D1，连同第一半导体岛状物230以及一对第一和第二欧姆触点242和244，形成开关薄膜晶体管(TFT)Q1，其具有在第一源极S1和第一漏极D1之间的半导体岛状物230中形成的沟道。此外，第二栅极G2、第二源极S2、和第二漏极D2，连同第二半导体岛状物240以及一对第三和第四欧姆触点246和248，形成驱动TFTQ2，其具有在第二源极S2和第二漏极D2之间的半导体岛状物240中形成的沟道。
可以用包括铬、钼、钛、钽或其合金的耐火金属制成数据导体DBL、PSL、D1和S2。此外，它们可以具有包括低电阻率薄膜和良好接触薄膜的多层结构。例如，该多层结构可以包括钼(合金)下方薄膜、铝(合金)中间薄膜和钼(合金)上方薄膜的三层结构，或者铬/钼(合金)下方薄膜和铝(合金)上方薄膜的两层结构。
就象栅极导体GBL和G2一样，数据导体DBL、PSL、D1和S2具有相对于基板10的表面约30-80度角度的渐缩侧面。
欧姆触点242、244、246和248***在下面的半导体岛状物230和240与处于其上面的数据导体DBL、D1、PSL和S2之间，它们减少了其间的接触电阻。半导体岛状物230和240包括多个露出部分，该露出部分没有用数据导体DBL、PSL、D1和S2覆盖。
第二绝缘层340形成在数据导体DBL、PSL、D1和S2以及半导体岛状物230和240的露出部分上。第二绝缘层340可以由氮化硅或氧化硅等无机材料、感光或不感光的有机材料、或者具有小于4.0的介电常数的低电介质绝缘材料制成，该低电介质绝缘材料例如为通过等离子体增强化学蒸发沉积(PECVD)形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F。第二绝缘层340可以包括下层无机绝缘薄膜和上层有机绝缘薄膜。
第二绝缘层340具有多个接触孔CT2，露出第二源极S2。第二和第一绝缘层340和220具有多个接触孔CT1，露出位于第二栅极G2和第一漏极D1重叠部分上的第一漏极D1和第二栅极G2。
在第二绝缘层340上形成多个像素电极310和多个连接部件305。可以由例如IZO、ITO或者非晶ITO等透明导电材料制成像素电极310和连接部件305。
像素电极310通过接触孔CT2连接到第二源极S2，它们占据了由栅极总线GBL和数据总线DBL所包围的区域。
连接部件305被放置在接触孔CT1中，并和第一漏极D1以及第二栅极G2连接。由于要连接的两个导体，即第一漏极D1和第二栅极G2，相互重叠，并且把接触孔CT1设置在重叠部分处以露出两个导体，所以和在第一漏极D1和第二栅极G2两者上都提供接触孔时相比，连接两个导体所需的面积会减小。特别是，当增加晶体管的数目以改进OLED显示器特性时，由晶体管占据的面积增加以及用于连接晶体管的接触面积也增加，因此减小了孔径比。当OLED显示器的分辨率增加时，由像素电极310占据的面积增加，减小了孔径比。但是，上述连接结构降低了孔径比的减小。这样的接触结构不仅可以用于连接开关晶体管Q1和驱动晶体管Q2，还可以用于其它晶体管之间的连接。
在第二绝缘层340、像素电极310和连接部件305上形成绝缘围堰350。绝缘围堰350具有多个露出像素电极310部分的开口。
在围堰350的开口中形成多个有机发光部件320。每个有机发光部件320包括发射红、绿或蓝光的有机发光层。每个有机发光部件320还可以包括电子传输层、空穴传输层、电子注入层和空穴注入层中至少一个。
在围堰350和有机发光部件320上形成公共电极330。公共电极330可以形成在整个基板上，它可以用铝、钙、钡和镁中的至少一种制成。
作为选择，像素电极310可以用铝、钙、钡和镁中的至少一种金属制成，而公共电极330可以用透明导体制成。
像素电极310、有机发光部件320和公共电极330形成有机发光元件EL。
在这样的OLED显示器中，当向数据总线DBL提供数据信号，而且向栅极总线GBL提供栅极导通电压用于导通开关晶体管Q1时，开关晶体管Q1将数据总线DBL的数据电压传送到驱动晶体管Q2的栅极端(电极)G2和存储电极Cst。驱动晶体管Q2根据在其栅极端G2和其漏极D2之间的电压从电压传输线PSL输出电流，而且存储电极Cst存储并保持电压，使得驱动晶体管Q2输出均衡的电流，直到下一个数据电压送入。
当驱动晶体管Q2输出电流时，像素电极310将空穴注入到有机发光部件320中，而且公共电极330将电子注入到有机发光部件320中。电子和空穴彼此相遇，形成空穴电子对，当该空穴电子对从激发态落到基态时有机发光部件320发光。
现在将参考图4-16以及图2和图3，对根据本发明实施例的图2和图3所示的OLED显示器的制造方法进行详细地描述。
图4、图6、图8、图10和图15是根据本发明实施例其制造方法的中间步骤中图2和图3的OLED显示器布置图。图5、图7、图9、图11和图16分别是沿图4、图6、图8、图10和图15中的V-V、VII-VII、IX-IX、XI-XI、XVI-XVI线的OLED显示器截面图。
参考图4和图5，可以通过CVD或溅射在例如透明玻璃的基板上沉积栅极金属薄膜(未示出)。然后使栅极金属薄膜形成图案，形成多个栅极导体，包括多条具有第一栅极G1的栅极总线GBL和具有存储电极SE的多个第二栅极G2。
参考图6和图7，在顺序沉积了可以由例如SiNx和SiOx的绝缘体或者例如HfO2和Al2O3的高电介质制成的第一绝缘层220，本征非晶硅层，和使用CVD的非本征非晶硅层之后，可以对非本征非晶硅层和本征非晶硅层进行光刻，在第一绝缘层220上形成多个非本征半导体岛状物243和247以及多个本征半导体岛状物230和240。
参考图8和图9，可以对导电层进行溅射或通过CVD淀积并光刻，以形成多个数据导体，其包含多条具有第一源极S1的数据总线DBL、多条具有第二漏极D2的电压传输线PSL、多个第一漏极D1、以及多个第二源极S2。这时，露出在第一源极S1和第一漏极D1之间以及在第二源极S2和第二漏极D2之间设置的非本征半导体岛状物243和247部分。
可以通过刻蚀除去没有用数据导体DBL、PSL、D1和S2覆盖的非本征半导体岛状物243和247的露出部分，以完成多个欧姆接触岛状物242、244、246和248，并露出本征半导体岛状物230和240部分。为了使半导体岛状物230和240的暴露表面稳定，随后可以进行氧等离子体处理。
由此，就完成了开关晶体管Q1和驱动晶体管Q2。
参考图10和图11，可以通过CVD等沉积第二绝缘层340，并和第一绝缘层220一起形成图案，以形成多个接触孔CT1和多个接触孔CT2，其中接触孔CT1露出第一漏极D1和第二栅极G2部分，接触孔CT2露出第二源极S2部分。
这里，第一接触孔CT1露出第一漏极D1的边缘，与那里邻接的第一绝缘层220的部分和第二栅极G2，下面将参考图12、图13和图14对此进行详细描述。
参考图12，在第二绝缘层340上形成光致抗蚀剂，该光蚀刻剂的厚度由位置决定。光致抗蚀剂包括第一部分342和第二部分344。第一部分342具有厚度T1并覆盖区域A，其包括除了对应于第一接触孔CT1区域之外的全部基板。第二部分344具有比厚度T1小的厚度T2，每块第二部分344布置在对应于第一接触孔CT1区域的区域B上。区域B包括第一漏极D1的边缘D。在区域C上不形成光致抗蚀剂，它是对应于接触孔CT1的剩余区域。
可以通过几种技术获得光致抗蚀剂由位置决定的厚度。例如，在暴露掩模上形成半透明区域以及透明区域和阻光不透明区域。半透明区域可以具有狭缝图案、格子图案、带有中级透光度或中级厚度的薄膜。当使用狭缝图案时，狭缝的宽度或者狭缝之间的距离可以比用于光刻的曝光装置(light exposer)分辨率要小。另一个例子是使用可回流性(reflowable)光致抗蚀剂。具体地说，一旦通过使用仅带有透明区域和不透明区域的常规暴露掩模形成由可回流性材料制成的光致抗蚀剂图案，那么经过回流处理会流到没有光致抗蚀剂的区域上，由此形成薄的部分。
参考图13，通过使用光致抗蚀剂342和344作为刻蚀掩模除去第二绝缘层340的暴露部分，由此露出第一绝缘层220。随后，除去光致抗蚀剂的薄部分344以露出下面第二绝缘层340部分。
参考图14，除去第二绝缘层340和第一绝缘层220的暴露部分，以露出第一漏极D1和第二栅极G2。这里，将刻蚀的结束点选择在当露出第一漏极D1和第二栅极G2的时候，使得可以不除去第一漏极D1边缘D附近的第一绝缘层220部分。换言之，第一绝缘层220的边缘E延伸越过第一漏极D1边缘D，或者将第一漏极D1的边缘D布置在第一绝缘层220上。这是为了防止切底部，在该切底部处当除去第一漏极D1边缘D附近的第一绝缘层220部分时，位于第一漏极D1下面的第一绝缘层220部分会去掉。
可以依次刻蚀第二绝缘层340、光致抗蚀剂的薄部分344、和第一绝缘层220。可以选择同时刻蚀光致抗蚀剂342和344以及绝缘层220和340的条件。在这种条件下，可以减小厚部342的厚度T1，最好确定厚度T1使得在露出第一漏极D1和第二栅极G2之前不会除去厚部342。可以通过控制曝光时间、光量或者在光致抗蚀剂和第一及第二绝缘层之间选择性地刻蚀来调节光致抗蚀剂342和344的厚度。
参考图15和图16，可以通过溅射等方式在第二绝缘层340上布置透明导电膜，接着进行光刻以形成多个像素电极310和多个连接部件305。通过第二接触孔CT2将像素电极310连接到第二源极S2，并且在第一接触孔CT1中将连接部件305耦合到第一漏极D1和第二栅极G2。这里，如果在第一接触孔CT1处第一漏极D1下面出现底切，连接部件305可能无法连接到那里。但是，在本实施例中，第一绝缘层220延伸越过第一漏极D1的边缘D以形成阶梯形轮廓，由此防止底切问题和产生连接部件305的断接。
再次参考图2和图3，可以设置无机或有机绝缘体并刻上图案，部分地形成露出像素电极310的围堰350。
在像素电极310上形成许多能够发出红、绿或蓝光的有机发光部件320，并在其上形成公共电极330。在该实施例中，用透明的ITO或IZO制成像素电极310以向发光部件320中注入空穴，并用铝、钙、钡和镁中的至少一种制成公共电极330以将电子注入到发光部件320中。
可以在公共电极330上形成封装或保护层(未示出)，以保护有机发光部件320不被氧化或受潮。保护层可以由有机材料、无机材料或者它们的叠层形成。
接下来，将详细介绍根据本发明另一实施例的OLED显示器。
图17是根据本发明另一实施例的OLED显示器的布置图，图18是沿图17中XVIII-XVIII线的OLED显示器截面图。
参考图17和图18，根据本实施例的OLED显示器层状结构与图2和图3中所示的类似。
也就是说，在基板10上形成具有栅极G1的多条栅极总线GBL和具有存储电极SE的多个第二栅极G2，并依次在其上形成第一绝缘层220、多个第一和第二半导体岛状物230和240、以及多个第一到第四欧姆触点242、244、246和248。在欧姆触点242、244、246和248以及第一绝缘层220上形成具有第一源极S1的多条数据总线DBL、多个第一漏极D1、具有第二漏极D2的多条电压传输线PSL和多个第二源极S2，并在其上形成第二绝缘层340。在第二绝缘层340上形成露出第二源极S2部分的多个接触孔CT2和多个像素电极310。在第二绝缘层340和像素电极310上形成围堰350、多个有机发光部件320、和公共电极330。
与图2和图3中的OLED显示器不同，根据本实施例的OLED显示器的第一绝缘层220具有露出第二栅极G2的多个接触孔CT3，并且第一漏极D1通过该接触孔CT3与第二栅极G2连接。此外，在本实施例中没有连接部件。
在图2和图3中所示OLED显示器的许多上述特征都适用于图17和图18的OLED显示器。
下面将参考图19和图20，以及图17和图18，对根据本发明实施例的图17和图18中OLED显示器的制造方法进行详细描述。
图19是根据本发明实施例的制造方法的中间步骤中的图17和图18所述的OLED显示器的布置图，图20是沿图19中的XX-XX线的OLED显示器截面图。
参考图19和图20，在基板10上形成包含第一栅极G1的多条栅极总线GBL，和包含存储电极SE的多个第二栅极。
可以使用CVD依次沉积第一绝缘层220、本征非晶硅层和非本征非晶硅层。如上参考图12、图13和图14所述，使用提供狭缝等的光掩模形成包含具有不同厚度的两部分的光致抗蚀剂(未示出)。刻蚀三层以形成多个接触孔CT3、多个本征半导体岛状物230和240、以及多个非本征半导体岛状物243和247。这时，在对应于接触孔CT3的区域上没有光致抗蚀剂。此外，在对应于本征半导体岛状物230和240以及非本征半导体岛状物243和247的区域上设置光致抗蚀剂的厚部，在其余部分上设置光致抗蚀剂的薄部。对光致抗蚀剂厚度的适当选择允许选择性刻蚀第一绝缘层220、本征非晶硅层和非本征非晶硅层。由此，如图20所示，可以选择性地刻蚀第一绝缘层220，形成接触孔CT3，而不需刻蚀第一绝缘层220的其它部分。
接下来，如图17所示，形成包含第一源极S1的多条数据总线DBL，多个第一漏极D1、多个第二源极S2、和包含第二漏极D2的多条电压传输线PSL。在这种情况下，第一漏极D1包含通过接触孔CT3连接第二栅极G2的部分。
随后，如上所述，形成具有接触孔CT2的第二绝缘层340、多个像素电极310、围堰350、多个有机发光部件320、和公共电极330。
如上所述，开关晶体管的漏极通过一个接触孔连接到驱动晶体管的栅极，由此减少用于连接两个电极的面积并增大孔径比。
本领域技术人员将会清楚，在不脱离本发明精神和范围的情况下，能够在本发明中进行各种修改和变化。因此，本发明希望覆盖该发明的修改和变化，它们处在所附的权利要求及其等效含义的范围中。
Claims (26)
1、一种发光二极管显示器，包括：
发光器件；
相互分离的第一导线、第二导线、和第三导线；以及
连接到第三导线和发光器件的第一薄膜晶体管、连接到第一导线和第二导线的第二薄膜晶体管，
其中第三薄膜晶体管包括第一电极，而第四薄膜晶体管包括第二电极，并且第一电极和第二电极通过第一绝缘层中的第一接触孔相互连接。
2、如权利要求1所述的发光二极管显示器，其中第一电极布置在第一绝缘层下方，第二电极布置在第一绝缘层上并由第二绝缘层覆盖，该第二绝缘层具有露出第一接触孔和第二电极的至少一部分的第二接触孔。
3、如权利要求2所述的发光二极管显示器，其中第二电极在第二接触孔中和第一电极重叠。
4、如权利要求3所述的发光二极管显示器，其中第二接触孔露出第一绝缘层在第二电极边缘附近的部分。
5、如权利要求2所述的发光二极管显示器，还包括通过第一接触孔和第二接触孔连接到第一电极和第二电极的连接部件。
6、如权利要求5所述的发光二极管显示器，其中从第二电极到第一电极形成阶梯状轮廓。
7、如权利要求5所述的发光二极管显示器，其中发光器件包括：
连接到第一薄膜晶体管的像素电极；
形成在像素电极上的发光部件；和
形成在发光部件上的公共电极。
8、如权利要求7所述的发光二极管显示器，其中连接部件由和像素电极相同的层形成。
9、如权利要求7所述的发光二极管显示器，其中发光部件包括有机材料。
10、如权利要求7所述的发光二极管显示器，还包括形成在像素电极上的围堰，其中在该围堰的开口中形成发光部件。
11、如权利要求1所述的发光二极管显示器，其中第一薄膜晶体管和第三薄膜晶体管是相同的晶体管，而第二薄膜晶体管和第四薄膜晶体管是相同的晶体管。
12、如权利要求11所述的发光二极管显示器，其中第二薄膜晶体管还包括耦合到第一导线的第三电极和耦合到第二导线的第四电极，并且该第二薄膜晶体管响应于定时信号通过第二电极输出数据信号，该数据信号通过第二导线提供到第四电极，该定时信号通过第一导线提供到第三电极，和
第一薄膜晶体管还包括耦合到第三导线的第五电极和耦合到发光器件的第六电极，并基于提供到第一电极的数据信号的电平通过第六电极输出驱动电流。
13、如权利要求12所述的发光二极管显示器，其中发光器件包括：
从第一薄膜晶体管接收驱动电流的第一显示电极；
耦合到第一显示电极的有机发光部件；和
耦合到有机发光部件的第二显示电极，
其中第一显示电极和第二显示电极向有机发光部件提供电荷，而有机发光部件根据该电荷发光。
14、如权利要求13所述的发光二极管显示器，其中第三导线传输电压。
15、如权利要求14的发光二极管显示器，还包括存储电容器，其连接在第五电极和第一电极之间，并存储和保持在数据信号和来自第三导线的电压之间的电压差。
16、如权利要求1所述的发光二极管显示器，其中第一电极和第二电极通过第一接触孔相互连接。
17、如权利要求1所述的发光二极管显示器，其中第一绝缘层***在第一电极和第二电极之间。
18、一种薄膜面板，包括：
基板；
形成在基板上的第一导电层；
形成在第一导电层上的第一绝缘层；
形成在第一绝缘层上的第二导电层；
形成在第二导电层上的第二绝缘层；
在第一绝缘层和第二绝缘层中形成的接触孔，其露出第一导电层的至少一部分和第二导电层的至少一部分；和
在接触孔中形成并将第一导电层耦合到第二导电层的第三导电层。
19、如权利要求18所述的薄膜面板，其中该薄膜面板包括有机发光二极管显示面板。
20、一种有机发光二极管显示器的制造方法，包括：
在基板上形成第一栅极和第二栅极；
在第一栅极和第二栅极上形成第一绝缘体；
在第一绝缘体上形成第一半导体和第二半导体，第一半导体和第二半导体分别与第一栅极和第二栅极重叠；
在第一半导体上形成第一源极和第一漏极并相互隔开，并在第二半导体上形成第二源极和第二漏极并相互隔开；
沉积第二绝缘体；
刻蚀第二绝缘体和第一绝缘体以形成露出第二栅极和第一漏极的至少一部分的接触孔；和
形成通过接触孔连接第二栅极和第一漏极的连接部件。
21、如权利要求20所述的方法，还包括在第二绝缘体上形成有机发光器件，其中该有机发光器件连接到第二源极。
22、如权利要求20所述的方法，其中第一漏极和第二栅极重叠。
23、如权利要求20所述的方法，其中刻蚀第二绝缘体和第一绝缘体以形成接触孔的步骤包括：
用包含第一部分和第二部分的光致抗蚀剂进行光刻，第一部分覆盖除了接触孔之外的基板，第二部分对应于在接触孔中第一漏极的边缘，
其中第一部分比第二部分厚。
24、如权利要求23所述的方法，其中光刻法包括：
通过利用一个光掩模进行曝光而形成光致抗蚀剂。
25、一种有机发光二极管显示器的制造方法，包括：
在基板上形成第一栅极和第二栅极；
在第一栅极和第二栅极上形成第一绝缘层；
在第一绝缘层上形成第一半导体和第二半导体，第一半导体和第二半导体分别与第一栅极和第二栅极重叠；
在第一绝缘层中形成接触孔，该接触孔露出第二栅极的一部分；和
在第一半导体上形成第一漏极和第一源极，在第二半导体上形成第二漏极和第二源极，通过接触孔将第一漏极耦合到第二栅极。
26、如权利要求25所述的方法，还包括：
形成第二绝缘层；和
在第二绝缘层上形成有机发光器件，
其中将有机发光器件耦合到第二源极。
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