CN1692685A - 内装电子部件的组件 - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 157
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 157
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 44
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 claims description 25
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 abstract description 2
- -1 and the electrodes Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000005007 epoxy-phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 229910017944 Ag—Cu Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 2
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 2
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
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- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/1012—Auxiliary members for bump connectors, e.g. spacers
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- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
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- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2924/01022—Titanium [Ti]
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Abstract
本发明提供一种组件,它包括:具有至少二个电极的电子部件;表面上具有分别与电子部件的电极连接的电极的基板;分别使电子部件的电极与基板的电极连接的焊料;覆盖电子部件、基板表面、焊料和电极的绝缘树脂;分别设在基板表面上的、而且设在基板电极周围的焊料保护膜。一个焊料保护模,至少在电子部件和基板之间,与另一个的焊料保护膜分离。当该组件安装在主基板上时,即使绝缘树脂内的焊料熔融,焊料也不会流出至电极外。
Description
技术领域
本发明涉及装在组件内部的电子部件,特别是涉及具有布线基板、配置在其上面的电子部件和覆盖该电子部件的绝缘树脂的组件。
背景技术
近年来,使用内装电子部件的组件的小型电子机器急剧普及,该电子部件具有基板及安装在其上的多个电子部件,和覆盖该电子部件的树脂模制件。图17为内装现有的用树脂模制的电子部件的组件101的截面图。布线图形111和电极103在布线基板102的表面上形成,其表面用焊料保护膜106覆盖。在布线基板102内层形成内通路(innervia)110,内通路110与布线图形112和在布线基板102的背面形成的背面电极113电连接。在背面电极113上设有用于与主基板(图中未示)连接的焊料114。在用焊料105连接电子部件104和电极103以后,利用绝缘树脂107覆盖布线基板102的表面,使得将电子部件104包起来。在组件101的表面上设有由金属电镀形成的电磁场屏蔽层115。
在现有的组件101中,利用焊料或接合线(bonding wire)将电子部件104安装连接在布线基板102上。
利用接合线的安装,由于要用电线接合,安装需要比电子部件104的面积还大的面积,因此不利于电子机器的小型化。
利用焊料进行的安装,虽然电极103的端部必需有倒角,但是可以用和电子部件几乎完全相等的面积安装电子部件,因此,对电子机器的小型化有利。但是,为了防止焊料引起的短路,必需用焊料保护膜106覆盖布线基板102表面的电极以外的部分。为了防止安装时电极间的焊料引起的短路,使用的焊料量要非常少。因此,安装后的电子部件104和用焊料保护膜106覆盖的布线基板102之间的间隙107A大约只有10微米(μm)左右,当用绝缘树脂107模制电子部件104时,绝缘树脂107不能充分地进入间隙107A中,形成空间。
一旦将具有在间隙107A中形成的空间的组件101利用焊料与主基板接合,焊料105在组件101内再次熔融时,熔融的焊料105就流出间隙107A。结果,在电极103之间引起短路故障,损害组件101的功能。
为了将绝缘树脂充填在电子部件104和布线基板102之间的间隙107A中,提出了真空印刷方法。通常,粒径为数十μm的SiO2等无机填料与绝缘树脂配合。因此,即使使用真空印刷方法,要将绝缘树脂充填10μm左右的间隙107A仍很困难。
如在电子部件104和光致抗蚀剂106之间,使用粒径在10μm以下的底层填料(underfill),则可以掩埋间隙107A,但由于该底层填料使用了细分的无机填料,所以价格昂贵。
图18为内装用绝缘树脂模制的电子部件的另一个现有组件的截面图。布线图形1111和电极1103形成在布线基板1102的表面上,其表面用焊料保护膜1116覆盖。在布线基板1102的内部设有内通路1110和布线图形1112。在布线基板1102的背面设有背面电极1113和焊料1114。电子部件1104的电极1106和布线基板1102的电极1103,利用焊料1105连接,然后用绝缘树脂1107覆盖布线基板1102的表面,将电子部件1104包围起来。在组件1110的表面上设有用金属电镀制成的电磁场屏蔽层1115。
组件1100通过回流,利用焊料安装在主基板上。这时,组件1100内的焊料1105再次熔融,体积膨胀。由于焊料1105的体积膨胀,有时在使电子部件1104从电子部件1104和布线基板1102之间存在的绝缘树脂1107的一部分1107A剥离的方向上施加应力到电子部件1104上。因此,焊料1105容易从电子部件1104和绝缘树脂1107之间流出,电极1103之间可能短路。
另外,在特开2001-24312号公报,特开平11-163583号公报和特开2001-168493号公报中公开了与上述现有的组件类似的组件。
发明内容
组件包括:具有至少二个电极的电子部件;表面上具有分别与电子部件的电极连接的电极的基板;分别使电子部件的电极与基板的电极连接的焊料;覆盖电子部件、基板表面、焊料和电极的绝缘树脂;分别设在基板表面上的、而且设在基板电极周围的焊料保护膜。一个焊料保护模,至少在电子部件和基板之间,与另一个的焊料保护膜分离。
当该组件安装在主基板上时,即使绝缘树脂内的焊料熔融,焊料也不会流出至电极外。
附图说明
图1A本发明的实施方式1的组件的截面图。
图1B表示实施方式1的组件和安装它的主基板。
图2为实施方式1的组件的布线基板的俯视图。
图3为实施方式1的组件的布线基板的俯视图。
图4为本发明实施方式2的组件的布线基板的截面图。
图5为本发明实施方式3的组件的布线基板的截面图。
图6为实施方式3的组件的布线基板的俯视图。
图7为实施方式3的组件的截面图。
图8为实施方式3的组件的布线基板的俯视图。
图9为本发明实施方式4的组件的截面图。
图10为实施方式4的组件的布线基板的俯视图。
图11为实施方式4的组件的截面图。
图12为实施方式4的组件的布线基板的俯视图。
图13A为本发明的实施方式5的组件截面图。
图13B表示实施方式5的组件和安装它的主基板。
图14A为本发明的实施5~7的组件的电子部件的正视图。
图14B为实施方式5~7的组件的布线基板的截面图。
图15为实施方式6的组件的截面图。
图16为实施方式7的组件的截面图。
图17为现有的组件的截面图。
图18为现有的另一个组件的截面图。
具体实施方式
(实施方式1)
图1A为内装本发明的实施方式1的电子部件4的组件1的截面图。多层的布线基板2在表面2A上具有电极3和布线图形11,在内部具有布线图形12和内通路10,在背面2B形成背面电极13和焊料保护膜6。
图2为与布线基板2的一个电子部件4连接的两个电极3及其周边部分的俯视图。布线基板2的表面2A上的电极3由焊料保护膜6包围。焊料保护膜6只在电极3的周围形成,相邻的两个电极3的周围的焊料保护膜6互相离开,在电子部件4的下方不连接。这样,在电子部件4和布线基板2之间形成很大间隔的间隙。而且,在间隙中的作为第一绝缘树脂的绝缘树脂7的一部分7A,容易充填至电子部件4和布线基板2之间。另外,绝缘树脂7及其一部分7A与布线基板2直接密合。因此,树脂7、7A的树脂材料与密合力弱的焊料保护膜6相接的绝缘树脂7的面积就能变小,绝缘树脂7和布线基板2就会牢固接合。
图3为与布线基板2的多个电子部件4连接的电极3及其周边部分的俯视图。由于在电子部件4的下方以外树脂7容易充填,因此分别与互相邻近的电子部件4连接的电极3的周围的焊料保护膜6也可以连接。
布线图形11,12用Cu箔制成,但也可用由导电性树脂组成物等构成的、具有导电性的其他物质制成。
内通路10由热硬化性的导电性物质制成。作为这种导电性物质,可以使用例如将金属粒子和热硬化性树脂混合的导电性树脂的组成物。作为该金属粒子,可以使用Au、Ag或Cu。由于导电性高,Au、Ag或Cu成为优选,特别优选Cu,其导电性高,迁移(migration)小,价格便宜。作为热硬化性树脂,可以使用环氧树脂,酚醛树脂或氰酸酯树脂,但是特别优选环氧树脂,因为其耐热性高。
电子部件4利用焊料5安装在布线基板2的规定位置上。电子部件4为电阻、电容或电感等芯片状部件或振动子、滤波器等表面安装式的无源组件。
图1B表示组件1和安装上它的主基板90,组件1的焊料14与主基板90上的电极91连接。在焊料5中可以使用Pb-Sn系的共晶焊料或例如Sn-Ag-Cu系、Au-Sn系或Sn-Zn系的没有Pb的焊料。用于安装电子部件4的焊料5,和用于将组件1安装在主基板90上的焊料14,可以构成为相同的材质,也可以为不同的材质。近年来,从环境的问题考虑,希望都采用没有Pb的焊料。
绝缘树脂7完全覆盖电子部件4,绝缘树脂7由包含无机填料和热硬化性树脂的混合物构成。在无机填料中,可以使用例如Al2O3、MgO、BN、AlN、SiO2和BaTiO3。优选,无机填料在50重量%-95重量%范围内与树脂7配合。在这个范围内,绝缘树脂7可以形成电子部件4的高度以上的壁厚(例如1mm)。当无机填料比50重量%少时,绝缘树脂7的流动性大,不能形成电子部件4的高度以上的壁厚。另外,含有多于95重量%的无机填料的绝缘树脂7的流动性小,不能覆盖电子部件4,无机填料的粒径,比除去焊料保护膜6以外的布线基板2和电子部件4的间隔小,通过减小粒径,容易使绝缘树脂充填在电子部件4和布线基板2之间。在绝缘树脂7中包含的热硬化性树脂可以使用环氧树脂、酚醛树脂或氰酸酯树脂。但是特别优选环氧树脂,因为其耐热性高。
在绝缘树脂7的表面上形成起电磁场屏蔽作用的金属膜15。金属膜15使用Au、Ag、Cu、Ni、Cr、Zn、Ti、Al、Sn等金属材料中的至少一种以上而形成。
如图1A所示,利用焊料保护膜6的厚度和当用焊料5安装电子部件4时产生的电子部件4的浮起,在电子部件4和布线基板2之间形成高度约为50μm的空间。通过使绝缘树脂7中含有的无机填料的粒径比电子部件4和布线基板2的间隙50μm小,可使绝缘树脂7容易充填在电子部件4和布线基板2之间。另外,由于不需要使用粒径在10μm以下的小的无机填料,因此可以在电子部件4高度(例如1mm)以上的厚度上形成绝缘树脂7。粒径为50μm左右的无机填料价格便宜。
由于绝缘树脂7和布线基板2直接密合,因此可以减小与密合力弱的焊料保护膜6密合的绝缘树脂7的部分的面积,可以牢固地接合绝缘树脂7和布线基板2。
利用以上的结构,容易在电子部件4和布线基板2之间充填绝缘树脂7,这样,当将组件1安装在主基板90上时,即使焊料5熔融,绝缘树脂7也成为防止焊料5流出的壁,可以防止在电极3之间的短路。
优选绝缘树脂7的弯曲弹性率在20Gpa以下。在绝缘树脂7的弯曲弹性率比20Gpa大的情况下,当焊料5的再熔融时的体积膨胀导致应力作用在绝缘树脂7上时,抑制焊料5的体积膨胀的应力发挥作用。这些应力互相不平衡,结果,在绝缘树脂7上产生裂纹,熔融的焊料5从该裂纹流出会使组件1的特性恶化。由于树脂7具有20Gpa以下的弯曲弹性率,伴随焊料5熔融时的体积膨胀,绝缘树脂7能够变形。这样,在绝缘树脂7中不会产生裂纹,可以防止熔融的焊料5流出。结果,不会产生因焊料造成的短路,组件1的特性不会恶化。
(实施方式2)
图4为内装本发明的实施方式2的电子部件4的组件1B的截面图。与实施方式1相同的结构用相同的符号表示,其说明省略。在电子部件4的周围形成由与图1A所示的实施方式的绝缘树脂7相同的材质制成的绝缘树脂7B。如图4所示,与实施方式1同样,只在电极3的周围形成焊料保护膜6,电子部件4和布线基板2的间隔大。在电子部件4和布线基板2之间充填绝缘树脂8。另外,形成覆盖电子部件4、绝缘树脂8和布线基板2的绝缘树脂7B。然后,在绝缘树脂7B表面上形成起电磁场屏蔽功能的金属膜15。
绝缘树脂8由含有无机填料和热硬化性树脂的混合物构成。无机填料中可以使用Al2O3、MgO、BN、AlN、SiO2和BaTiO3。无机填料在10重量%-70重量%范围内与绝缘树脂8配合。绝缘树脂8为了充填在电子部件4和布线基板2之间,必需流动性大。绝缘树脂8无需象绝缘树脂7B那样在电子部件4的外表面上形成厚壁。因此,无机填料的配合比率比绝缘树脂7B低。即,在图4所示的实施方式2的组件1B中,图1所示的实施方式1的组件1的第一绝缘树脂,由作为第二绝缘树脂的绝缘树脂8和作为第三绝缘树脂的绝缘树脂7B构成。绝缘树脂7B位于基板2相反侧的电子部件4上。
绝缘树脂8可起到在电子部件4和布线基板2之间,防止焊料5熔融时焊料流出的壁的作用。在绝缘树脂8里完全不含有无机填料的情况下,其共流动性非常大,因此焊料5容易流出,不能起壁的作用。因此,绝缘树脂8必需含有无机填料。考虑作为壁的功能和流动性,绝缘树脂8中应包含10重量%~70重量%的无机填料。这样,容易将绝缘树脂8充填在电子部件4和布线基板2之间。
与实施方式1同样,由于绝缘树脂8和布线基板2直接密合,所以它们可以互相牢固地接合。
与绝缘树脂7B同样,绝缘树脂8优选具有20Gpa以下的弯曲弹性率。在绝缘树脂8由弯曲弹性率在20Gpa以上的材料制成的情况下,在绝缘树脂8上,焊料5熔融时的体积膨胀产生的应力和抑制焊料5的体积膨胀的应力发挥作用。这些应力不平衡导致结果在绝缘树脂8中产生裂纹,熔融的焊料5从该裂纹中流出,使组件1A的特性恶化。通过使绝缘树脂8的弯曲弹性率在20Gpa以下,绝缘树脂8能伴随焊料5熔融时的体积膨胀而变形。因此绝缘树脂8不产生裂纹,可以防止熔融的焊料5流出。这样,不会产生因焊料引起的短路,组件1A的特性不会恶化。
(实施方式3)
图5为内装本发明的实施方式3的电子部件的组件1C的截面图。图6为实施方式3的组件1C的布线基板2C的俯视图。图7为实施方式3的另一个组件1D的截面图,图8为实施方式3的组件1D的布线基板2D的俯视图。与实施方式1相同的结构,用相同的符号表示,其说明省略。
如图5和图6所示,与实施方式1同样,在组件1C上,也只在布线基板2C的表面的电极3的周围形成焊料保护膜6、6C,利用焊料5安装电子部件4。还可利用焊料25安装电子部件24。
电子部件24例如为晶体管、IC、LSI等的半导体元件等表面安装型的在源部件。与实施方式1同样,在电子部件24和布线基板2之间形成电子部件4、24的高度以上壁厚的绝缘树脂7。电子部件24与布线基板2的间隔,比起作为无源部件的电子部件4和布线基板2的间隔,设定得大。电子部件24的电极23存在于与电子部件24的基板2C相对的面上,不形成电子部件4那样的焊料5的倒角。因此,焊料25象柱子一样使电子部件24和布线基板2的间隔变宽。这样,安装电子部件24的位置的布线基板2的表面,可用焊料保护膜6C覆盖电极3以外的部分。另外,在图7和图8所示的另一个组件1D中,安装电子部件24的部分只在电极3的周围形成焊料保护膜6D。
利用以上的结构,组件1C、1D内部安装有源部件24和无源部件4,可实现多种功能。
(实施方式4)
图9为内部安装本发明的实施方式4的电子部件的组件1E的截面图。图10为组件1E的布线基板2E的俯视图。图11为实施方式4的另一个组件1F的截面图。图12为组件1F的布线基板2F的俯视图。与实施方式1~3相同的结构,用相同的符号表示,其说明省略。
由于作为有源部件的电子部件24的面积相对于电子部件4较大,因此,电子部件24和布线基板2的热膨胀系数的差别,容易引起连接不良。如图9所示,为了缓和热膨胀系数的差别,在电子部件24和布线基板2之间,充填热膨胀系数比电子部件24和布线基板2大的绝缘树脂9。
由于电子部件4具有焊料倒角,所以在将热膨胀系数大的绝缘树脂9充填在电子部件4和布线基板2之间时,组件1E在安装在主基板上的反流工序中,一旦达到焊料的融点以上的温度,就会由于绝缘树脂9的膨胀而导致焊料5从布线基板2上的电极3上剥离。然后,焊料5冷却至其融点以下,体积收缩,但由于绝缘树脂9的体积膨胀仍较大,焊料5就在与电极3剥离的状态下固体化。即,经过反流工序,焊料5和电极3之间引起断线。因此,绝缘树脂9不在电子部件4和布线基板2之间充填。
如图9和图10所示,利用热膨胀系数比绝缘树脂9小的绝缘树脂7,覆盖电子部件4。另外,为了控制绝缘树脂9的涂布范围,在电子部件24和电子部件4之间,形成焊料保护膜26成为防止绝缘树脂9流出的壁。
在实施方式4中,也与实施方式3同样,在安装电子部件24的位置上的布线基板2的表面上电极3以外的部分,可用焊料保护膜6E覆盖。在图11和图12所示的组件1F中,在安装电子部件24的位置上的布线基板2F的表面上,只在电极3的周围形成焊料保护膜6F。
利用以上的结构,组件1E、1F可在内部安装有源部件24和无源部件4,实现多种功能。
(实施方式5)
图13A为内部安装本发明的实施方式5的电子部件1004的组件1001的截面图。图14A表示电子部件1004。图14B表示安装在组件1001内部的布线基板1002的电极1003。
多层布线基板1002具有在其表面1002A上的电极1003和布线图形1012;内层的内通路1010;和背面1002B上的背面电极1013。在背面电极1013上设有焊料1014,在布线基板1002的背面1002B上设有包围焊料1014的焊料保护膜1016。电极1003,1013和布线图形1012由Cu箔制成,但也可用具有导电性树脂组成物等的导电性的其他物质制成。内通路1010由混合金属粒子和热硬化性树脂的导电性树脂组成物等的热硬化性的导电性物质制成。金属粒子的Au、Ag或Cu由于导电性高所以优选,Cu由于导电性高,迁移小,价格便宜,因此特别作为优选。作为热硬化性树脂,可以使用环氧树脂、酚醛树脂或氰酸酯树脂。环氧树脂由于耐热性高,所以特别作为优选。
利用焊料1005,将在两端设有电极1006的电子部件1004安装在布线基板1002上。电子部件1004由晶体管、IC、LSI等半导体元件等有源部件,或电阻、电容、电感、振动子和滤波器等表面安装型无源部件构成。
图13B表示组件1001和安装它的主基板1090。组件1001的焊料1014与主基板1090上的电极1091连接。在焊料1005中可以使用Pb-Sn系的共晶焊料,或者例如Sn-Ag-Cu系、Au-Sn系或Sn-Zn系的没有Pb的焊料,但任何一个融点都在230℃以下,电子部件1004即使为非耐热性的也可以使用。安装电子部件1004用的焊料1005和将内装电子部件的组件1001安装在主基板1090上用的焊料1014可以为相同的材质,也可以为不同的材质。近年来,当考虑环境问题时,希望焊料1005、1004都使用没有Pb的焊料。
绝缘树脂1007完全覆盖电子部件1004,而且完全进入电子部件1004和布线基板1002之间。绝缘树脂1007由包含无机填料和热硬化性树脂的混合物制成。无机填料中可以使用Al2O3、MgO、BN、AlN、SiO2和BaTiO3等。无机填料在50重量%-95重量%范围内,与绝缘树脂1007配合。在这个范围内,绝缘树脂1007可以以在电子部件1004的高度以上的壁厚(例如1mm)而形成。当少于50重量%时,绝缘树脂1007的流动性大,不能维持具有上述壁厚的形状。形成含有多于95重量%的无机填料的绝缘树脂1007较困难。无机填料的粒径比布线基板1002和电子部件1004的间隔L1小。通过减少粒径,就可以使绝缘树脂1007充填在电子部件1004和布线基板1002之间。在绝缘树脂1007中含有的热硬化性树脂中,优选环氧树脂、酚醛树脂或氰酸酯树脂。由于环氧树脂耐热性高,所以特别作为优选。
在绝缘树脂1007的表面上形成起电磁场屏蔽作用的金属膜1015。金属膜1015使用Au、Ag、Cu、Ni、Cr、Zn、Ti、Al、Sn等金属材料中的至少一种以上制成。
如图14A和图14B所示,在组件1001中,电子部件1004的电极1006的间隔SC,和布线基板1002的电极1003的间隔SS满足SC≥SS的关系。当将组件1001安装在主基板上,焊料1005熔融时,由焊料1005熔融造成的体积膨胀产生的应力,根据上述关系,使电子部件1004和布线基板1002之间的绝缘树脂1007的一部分1007A压紧在电子部件1004上。这样,焊料1005不从电子部件1004和绝缘树脂1007之间流出。不会产生由焊料1005熔融造成的电极间短路。
另外,焊料1005的电子部件1004的下表面与焊料1005的电子部件1004的下方的外轮廓1005A所夹的角度α为90°以上的钝角。焊料1005的外部轮廓和电极1003形成的角度β为90°以下的锐角。也就是说,焊料1005的外部轮廓1005A,随着接近布线基板1002,从电子部件1004各自向相互接近的方向延伸。这样,在电子部件1004存在的下方的焊料1005部分膨胀,使电子部件1004和布线基板1002之间的绝缘树脂1007的一部分1007A压紧在电子部件1004上。因此,电子部件1004和绝缘树脂1007A的界面可靠地密合,焊料1005不会流出。这样,由于绝缘树脂1007和布线基板1002都为树脂,当硬化绝缘树脂1007时,可使布线基板1002和绝缘树脂1007牢固地接合。所以,即使对于由焊料1005的膨胀产生的应力,布线基板1002和绝缘树脂1007也可以十分牢固地接合,焊料1005不向这些界面流出。
使电子部件1004的下表面,即,与焊料1005相对的表面和焊料1005的外轮廓形成的角度α不为锐角很重要。
另外,为了缓和焊料1005的膨胀的影响,绝缘树脂1007由具有20Gpa以下的低弯曲弹性率的材质构成。
(实施方式6)
图15为内装本发明的实施方式6的电子部件1006的组件1001A的截面图,与实施方式5相同的结构用相同的符号表示,其说明省略。
如图15所示,与实施方式5同样,电子部件1004的电极1006的间隔SC和布线基板1002的电极1003的间隔SS满足SC≥SS的关系。另外,与电子部件1004的焊料1005相对的面和焊料1005的外部轮廓所成的角度α在90°以上。在布线基板1002的上表面上作出焊料保护膜1017。但在与电子部件1004相对的布线基板1002的部分上不作出焊料保护膜1017。这样,在电子部件1004和布线基板1002之间可以形成大的空间,由于这个空间,绝缘树脂1007可以可靠地充填在电子部件1004和布线基板1002之间。
焊料1005的外轮廓和电极1003的面所成的角度β为小于90°的锐角,因此即使焊料1005熔融使焊料1005膨胀,焊料保护膜1017也可以起到防止焊料1005流出的壁的作用。
如上所述,利用焊料保护膜1017,即使焊料1005熔融膨胀,也可以防止它从电子部件1004和布线基板1002之间流出,可防止电极1003、1006的短路。
(实施方式7)
图16为内装本发明的实施方式7的电子部件1004的组件1001B的截面图。与实施方式5相同的结构,用相同的符号表示,其说明省略。
与实施方式5同样,在组件1001B中,电子部件1004的电极1006的间隔SC和布线基板1002的电极1003的间隔SS,满足关系SC≥SS。另外,与电子部件1004的布线基板1002相对的面和焊料1005的外轮廓形成的角度α在90°以上。
只在电极1003的周围形成焊料保护膜27。当用焊料1005将电子部件1004安装在布线基板1002上时,焊料保护膜27可防止因焊料1005流出造成的电极1003、1006的短路不良。又由于焊料保护膜27只在电极1003的周围形成,因此,电子部件1004和布线基板1002之间的空间宽大。利用这个空间,可以可靠地将绝缘树脂1007充填在电子部件1004和布线基板1002之间。
另外,布线基板1002的电极1006与电子部件1004相对的面,和焊料1005的外轮廓所成的角度β为小于90°的锐角,即使焊料1005熔融膨胀,焊料保护膜27也可起到防止焊料1005流出的壁的作用。
如上所述,利用焊料保护膜27,即使焊料1005熔融时膨胀,也可防止因焊料1005从电子部件1004和布线基板1002之间流出造成的电极1003、1006的短路不良。
另外,实施方式5~7的组件的焊料1005的形状也适用于实施方式1~4的组件的焊料5,具有同样效果。
产业上利用的可能性
利用本发明的内装电子部件的组件,可将绝缘树脂可靠地充填在电子部件和布线基板之间。这样,在将组件安装在主基板上时,可防止熔融的焊料流出至电极外。
Claims (24)
1.一种组件,其特征在于,具有:
具有第一和第二电极的第一电子部件;
在第一表面上具有分别与所述第一电子部件的所述第一和第二电极连接的第三和第四电极的基板;
分别与所述第一电子部件的所述第一和第二电极以及所述基板的所述第三和第四电极连接的第一和第二焊料;
覆盖所述第一电子部件、所述基板的所述第一面、所述第一和第二焊料、以及所述第一到第四电极的第一绝缘树脂;
设在所述基板的所述第一面上,而且设在所述第三电极周围的第一焊料保护膜;和
设在所述基板的所述第一面上,而且设在所述第四电极周围,至少是在所述第一电子部件和所述基板之间,与所述第一焊料保护膜分离的第二焊料保护膜。
2.如权利要求1所述的组件,其特征在于,
所述第一和第二焊料保护膜分别只设在所述第三和第四电极的周围。
3.如权利要求1所述的组件,其特征在于,
所述第一绝缘树脂含有:
热硬化性树脂;和
具有比所述基板和所述第一电子部件的间隔小的粒径的、50重量%~95重量%的无机填料。
4.如权利要求1所述的组件,其特征在于,
所述第一绝缘树脂具有:
设在所述第一电子部件和所述基板以及所述第一和第二焊料之间的第二绝缘树脂;和
与所述第二绝缘树脂的组成不同第三绝缘树脂,
所述第一电子部件位于所述第三绝缘树脂和所述基板之间。
5.如权利要求4所述的组件,其特征在于,
所述第二绝缘树脂具有:
热硬化性树脂;和
具有比所述基板和所述第一电子部件的间隔小的粒径的、10重量%~70重量%的无机填料。
6.如权利要求4所述的组件,其特征在于,
所述第二绝缘树脂具有20GPa以下的弯曲弹性率。
7.如权利要求4所述的组件,其特征在于,
还具有覆盖所述第三绝缘树脂的全表面的金属膜。
8.如权利要求1所述的组件,其特征在于,
所述第一绝缘树脂具有20GPa以下的弯曲弹性率。
9.如权利要求1所述的组件,其特征在于,还包括:
具有第五和第六电极的第二电子部件;
设在所述基板的所述第一面上,分别与所述第二电子部件的所述第五和第六电极连接的第七和第八电极;
分别与所述第二电子部件的所述第五和第六电极以及所述基板的所述第七和第八电极连接的第三和第四焊料;和
设在所述第二电子部件和所述基板之间的第二绝缘树脂,
所述第一树脂覆盖所述第一和第二电子部件、所述基板的所述第一面、所述第一到第四焊料、以及所述第一到第八电极。
10.如权利要求9所述的组件,其特征在于,
所述第一树脂具有:
设在所述第二部件和所述基板之间,覆盖所述第三和第四焊料的第二绝缘树脂;和
与所述第二绝缘树脂的组成不同,覆盖所述第二绝缘树脂的第三绝缘树脂,
所述第一和第二电子部件位于所述第三绝缘树脂和所述基板之间。
11.如权利要求10所述的组件,其特征在于,
还具有,设在所述基板的所述第一面上,且设在所述第二和第三绝缘树脂的边界上的焊料保护膜的壁。
12.如权利要求10所述的组件,其特征在于,
还具有,设在所述基板的所述第一面上,分别设在所述第七和第八电极周围的第三和第四焊料保护膜。
13.如权利要求12所述的组件,其特征在于,
所述第三和第四焊料保护膜至少在所述第二电子部件和所述基板之间互相分离。
14.如权利要求12所述的组件,其特征在于,
所述第三和第四焊料保护膜,至少在所述第二电子部件和所述基板之间连接。
15.如权利要求10所述的组件,其特征在于,
所述第二绝缘树脂的热膨胀系数比所述第三绝缘树脂的热膨胀系数大。
16.如权利要求9所述的组件,其特征在于,
所述第七和第八电极的间隔,在所述第五和第六电极的间隔以下。
17.如权利要求1所述的组件,其特征在于,
所述第三和第四电极的间隔在所述第一和第二电极的间隔以下。
18.如权利要求1所述的组件,其特征在于,
还具有覆盖所述第一绝缘树脂的全表面的金属膜。
19.一种组件,其特征在于,包括:
具有第一和第二电极的电子部件;
在第一面上具有分别与所述电子部件的所述第一和第二电极连接的、以所述第一和第二电极的间隔以下的间隔设置的第三和第四电极的基板;
分别与所述电子部件的所述第一个和第二电极、以及所述第三和第四电极连接的第一和第二焊料;和
覆盖所述电子部件、所述基板的所述第一面、以及所述第一和二个焊料的绝缘树脂。
20.如权利要求19所述的内装电子部件的组件,其特征在于,
所述第一和第二焊料在所述电子部件与所述基板之间的第一和第二个外轮廓,随着接近所述布线基板,从所述电子部件,向相互接近的方向延伸。
21.如权利要求19所述的组件,其特征在于,还具有:
设在所述基板的所述第一面上,设在所述第三电极周围的第一焊料保护膜;和
设在所述基板的所述第一面上,至少在所述电子部件和所述基板之间与所述第一焊料保护膜分离,设在所述第四电极周围的第二焊料保护膜。
22.如权利要求21所述的组件,其特征在于,
所述第一和第二焊料保护膜只设在所述第三和第四电极周围。
23.如权利要求19所述的组件,其特征在于,
还具有,设在所述基板的第二面上,与所述第三电极电结合的第五电极。
24.如权利要求19所述的组件,其特征在于,
还具有覆盖所述绝缘树脂的全表面的金属膜。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP372227/2002 | 2002-12-24 | ||
JP2002372227A JP4350366B2 (ja) | 2002-12-24 | 2002-12-24 | 電子部品内蔵モジュール |
JP2003199254A JP4341321B2 (ja) | 2003-07-18 | 2003-07-18 | 電子部品内蔵モジュール |
JP199254/2003 | 2003-07-18 | ||
PCT/JP2003/016427 WO2004060034A1 (ja) | 2002-12-24 | 2003-12-22 | 電子部品内蔵モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1692685A true CN1692685A (zh) | 2005-11-02 |
CN1692685B CN1692685B (zh) | 2012-05-23 |
Family
ID=32810884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2003801001779A Expired - Lifetime CN1692685B (zh) | 2002-12-24 | 2003-12-22 | 内装电子部件的组件 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4350366B2 (zh) |
CN (1) | CN1692685B (zh) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CX01 | Expiry of patent term | ||
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Granted publication date: 20120523 |