CN1677516A - 光盘装置 - Google Patents

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Abstract

根据记录中的RF信号取得标记级(峰值),将其除以与记录功率成比例的线性值,求得标准化峰值。然后,将求得的标准化峰值与目标值进行比较,调整记录功率的设定值。将标记级(峰值)的测定值除以线性值标进行准化后所得到的标准化峰值,随激光功率增大单调减小。因此,根据标准化峰值,可检测出记录功率的偏离方向。另外,由于在功率裕量范围中的标准化峰值级的变化较大,因此可根据标准化后的峰值级,适当地检测出记录功率的偏离量。

Description

光盘装置
技术领域
本发明涉及一种采用激光对信息进行记录及/或再生的光盘装置,特别适于在调整激光功率的设定值时采用。
背景技术
目前,CD(Compact Disc)或DVD(Digital Versatile Disc)等各种存储媒体随着商品化逐渐普及。在这些存储媒体中,由于CD-R或DVD-R等追记型媒体使用有机色染料为记录层材料,因此根据波长的变化记录层的反射率也变化。即这些媒体在记录特性上具有波长依赖性。
另一方面,半导体激光器在点亮后,随着时间变化温度上升,因此出射激光的波长也发生改变。因此,在CD-R或DVD-R等具有波长依赖性的存储媒体中,需要根据点亮后的波长变化使记录功率动态变化。对此,在日本专利第3096239号公报中记载了以记录中的RF信号为基础,使记录功率的设定值动态变化的技术。
图10表示的是记录信号和在记录中检测到的RF信号的关系。如图所示,在记录信号的空白部分中,以再生功率级(power level)将激光照射在记录层上,在标记部分中,激光功率提升为记录功率级。但是,由于在刚提升为记录功率时没有形成标记,因此将记录功率级的激光照射到空白(space)部分后之可得到相同反射光量(RF信号)。在此之后,随着记录层的温度上升开始形成标记,与此对应,反射光级(RF信号)降低,逐渐向标记形成后的反射光级(RF)信号移动。
在此,如果分别对记录功率刚提升之后的反射光级(图中空白级)、和标记部分的反射光级(图中标记级),计算出反射光强度的调制度,在记录中可实时监视记录标记的形成状态。因此,在日本专利第3096239号公报中记载的发明中,从记录中的RF信号检测这些空白级(space level)和标记级(mark level),并以反射光强度的调制度为基础,调整记录激光功率。
但是,在该调整方法中,由于空白级的产生期间非常短,因此为了检测空白级,另外需要峰值保持(peak hold)电路等特殊的硬件结构。与此相对,若不采用空白级,只根据标记级进行激光功率调整,则不需要峰值保持电路等特殊的硬件结构,实现结构的简单化,然而在这种情况下,如以下所示,会产生无法稳定进行激光功率调整的技术问题。
图11表示的是在DVD-R驱动器中,随着记录功率变化测定标记级(峰值)时的测定结果。还有,图中的峰值是反转极性后表示的(峰值低的为高反射级)。此外,在该测定结果中,同时用虚线表示记录功率和PI误差线(error line)数(1个ECC模块中的PI方向的误差线数)的关系。这里,PI误差线数是在改变记录功率进行记录后,将其再生时的参数。
参照该图可知,峰值级以记录功率变为12mW为界开始上升(即反射光级开始下降)。这表示:到12mW之前标记未形成,根据记录功率的变化反射光级提升;在此之后,标记开始形成,峰值提升(即,反射光级下降)。
虽然记录功率超过12mW后,峰值继续上升(即反射光级继续下降),但记录功率达到21mW后峰值不再变化;再进一步提升功率,反过来峰值开始下降(即反射光级开始提升)。这是由于形成某种程度的标记后,反射光就不再减小,相反,因记录功率的变化导致反射光量上升变得显著。
若将上述特性、与因PI误差引起的记录功率裕量(margin)放在一起来看,可知将记录功率设定在21mW左右的范围中比较适合。但是,由于21mW左右的范围中峰值级的变化小,因此难以检测到记录功率的偏离。此外,由于峰值级以21mW为界从增加向减少变化,因此不能根据峰值级直接检测出记录功率的偏离方向。还有,由于在光盘的内周、中周、外周位置的峰值特性中产生有较大的偏离,因此无法横跨光盘全周对激光功率进行统一调整。如上所述,只根据峰值级,无法平滑进行激光功率调整。
发明内容
本发明的目的在于解决上述问题,提供一种不需要峰值保持电路等、特殊的硬件结构,可平滑地进行激光功率调整的光盘装置。
本发明的特征是,光盘装置中具有:取得与记录标记形成后的光盘反射光量对应的峰值级的峰值级取得模块;用与记录功率成比例的线性值对由所述峰值级取得模块取得的峰值级进行标准化,以求取标准化峰值级的标准化峰值取得模块;以及,对由所述标准化峰值级取得模块取得的标准化峰值级和目标值进行比较,调整记录激光功率的设定值的设定值调整模块。
这里,所述标准化峰值级取得模块,将由所述峰值级取得模块所取得的峰值级除以与记录功率成比例的值,以求取所述标准化峰值级。
另外,作为所述目标值,可使用将在记录激光功率设定时由所述峰值级取得模块取得的峰值级、除以与该记录激光功率成比例的所述线性值来进行标准化所求得的所述标准化峰值级。
再有,可令本发明中具有根据半导体激光器的温度变化补正所述线性值的线性值补正模块。
所述线性值补正模块,根据由设定值调整模块调整的激光功率的调整值,求得与所述半导体激光器的温度变化对应的所述线性值的补正值。
详细来说,所述线性值补正模块,根据由设定值调整模块调整的激光功率的调整值,求取因该调整变化激光功率的变化率a,根据该变化率a求取记录层的反射率的变化率r,并根据该变化率r求取所述线性值的补正率。
再有,可令本发明中具有根据半导体激光器的温度变化补正所述目标值的目标值补正模块。
所述目标值补正模块,根据由设定值调整模块调整的激光功率的调整值,求取与所述半导体激光器的温度变化对应的所述目标值的补正值。
详细来说,所述目标值补正模块,根据由设定值调整模块调整的激光功率的调整值,求取因该调整变化激光功率的变化率a,根据该变化率a求取记录层反射率的变化率r,并根据该变化率r求取所述目标值的补正率。
通过本发明,不另外需要的峰值保持电路等、特殊的硬件结构,就可平滑地进行激光功率调整。特别是,如上所述通过根据半导体激光器的温度变化对线性值或者目标值进行补正,即使因半导体激光器的温度变化令激光产生波长改变,也能适当地进行功率调整。另外,如上所述,若根据激光功率的调整值对线性值或者目标值进行补正,则可不另外配置温度传感器等、平滑地对线性值或者目标值进行补正。
如果参照以下附图来阅读以下所示的实施方式的说明,则能对本发明的所述以及其它目的、和新颖特征更加理解。
附图说明
图1表示实施方式中的光盘装置的结构。
图2是说明实施例1中的峰值级的标准化方法的图。
图3是说明实施例1中的峰值级的标准化方法的图。
图4是实施例1中的功率调整时的处理流程图。
图5是说明实施例2中的峰值级的标准化方法的图。
图6A是说明实施例2中的激光功率调整处理的图。
图6B是说明实施例3中的激光功率调整处理的图。
图7是实施例2中的功率调整时的处理流程图。
图8是实施例3中的功率调整时的处理流程图。
图9表示实施例3中的功率调整处理的验证结果。
图10表示记录信号和记录中的RF信号的关系。
图11是说明本发明的课题的图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。但是,以下的实施方式不过是本发明的一例,并不限定本发明的范围。
图1表示实施方式中的光盘装置的结构。
如图所示,光盘装置由ECC编码器101、调制电路102、激光驱动电路103、激光功率调整电路104、拾光器(pickup)105、信号放大电路106、解调电路107、ECC译码器108、伺服电路109、控制器110构成。
ECC编码器101,在输入的记录数据中付加纠错符号,并向调制电路102输出。调制电路102对输入的记录数据实施规定的调制,再生成记录信号,输出到激光驱动电路103中。激光驱动电路103,将与记录时来自调制电路102的记录信号对应的驱动信号输出到半导体激光器105a中,并将用于再生时出射单一强度激光的驱动信号输出到半导体激光器105a中。这里,激光功率被设定为通过激光功率调整电路104调整设定出的激光功率。
激光功率调整电路104,通过试写等,设定记录及再生时的激光功率,同时根据从控制器110获得的调整值,对已设定的激光功率进行调整,并将该激光功率供给到激光驱动电路103中。
拾光器105,具备半导体激光器105a和光检测器105b,通过将激光汇聚在轨道上,对光盘进行数据的写入/读出。除此之外上述拾光器105还具备:用于调整照射轨道的激光的照射状态的物镜执行机构;和,用于将从半导体激光器105a出射的激光导入对物透镜中,并将来自光盘100的反射光导入光捡测器105b中的光学系等。
信号放大电路106,将从光检测器105b接收的信号进行放大以及运算处理,生成各种信号,并将此输出到相应的电路中。解调电路107,将从信号放大电路106获取的再生RF信号解调后生成再生数据,并输出到ECC译码器108中。ECC译码器108,对从调制电路107获取的再生数据实施纠错,并输出到后段电路中。
伺服电路109,根据从信号放大电路106获取的聚焦误差信号、和追踪误差信号生成聚焦伺服信号、及追踪伺服信号,并输出到拾光器105的物镜执行机构中。此外,根据从信号放大电路106获取的摆动(wobble)信号生成电机伺服信号,并输出给光盘驱动电机中。还有,根据从控制器110获取的倾斜(tilt)误差信号生成倾斜伺服信号,并输出给拾光器105的物镜执行机构。
控制器110,在内置存储器中存储各种数据,并且根据预先设定的程序控制各部分。还有,控制器110根据从信号放大电路106获取的RF信号对图10所示的标记级(峰值)进行采样,以此为基础求得透镜功率设定值的调整值,并将其供给到透镜功率调整电路104中。关于在控制器110中执行的透镜功率调整处理的具体示例,用以下的实施例依次说明。
(实施例1)
本实施例,根据记录时取得的RF信号对图10中所示的标记级(峰值)进行采样,将采样得到的峰值用与记录激光功率的大小成比例的值(线性记录功率)标准化,并以标准化后的峰值为基础、调整记录激光功率的设定值。
根据图2对本实施例中峰值的标准化处理进行说明。如图所示,M1是改变记录激光功率时的标记级(峰值)的变化特性。此外,S1表示的是标准化中使用的记录激光功率的线性值(功率线性线)。
在本实施例中,通过将标记级(峰值)除以线性记录功率,来对标记级(峰值)进行标准化。例如在图2中,通过将记录功率为Pwa时的峰值Lma除以功率线性线S1上与记录功率Pwa对应的值Lsa,将峰值Lma标准化。
图3表示的是,将图11所述的标记级(峰值)的测定值除以线性记录功率标准化后的运算结果。还有在这里,作为线性记录功率S1直接使用记录功率的值。此外,在该图中,与图11相同,同时表示出记录功率和PI误差线数(1个ECC模块中的PI误差线数)的关系。
如图所示,标准化后的峰值随着激光功率的增大单调减小。因此,能以标准化后的峰值为基础,直接检测出记录功率的偏离方向。此外,在功率裕量范围21mW左右,标准化峰值级的变化较大,由此能以标准化后的峰值为基础,平滑地检测出记录功率的偏离量。还有,如图所示,由于在光盘的内周、中周、外周位置的峰值特性中几乎没有产生偏离,因此可横跨光盘全周统一进行激光功率调整。
如上所述,若如本实施例将峰值级标准化、并以标准化后的峰值为基础对记录激光功率的设定值进行调整,则可横跨光盘全周平滑地对激光功率进行调整。
图4表示本实施例中的激光功率调整时的处理流程。
通过试写等设定记录功率Pw0(S101)后,将此时的峰值级除以记录功率Pw0,算出标准化峰值级,并将其保持作为目标峰值级TL(S102)。
之后,记录开始,若激光功率的调整时刻来到(S103:是),则将当前时刻的记录功率Pw0设定作为线性记录功率S(S104)。
然后,根据记录中的RF信号对当前时刻的标记级(峰值)进行采样,并将采样得到的峰值除以线性记录功率S,算出标准化峰值级HL(S105)。然后,将计算得到的标准化峰值级HL、与目标峰值级TL进行比较,根据其差值,调整记录功率的设定值Pw0。例如,如果标准化峰值级HL比目标峰值级TL小,则将设定值Pw0减小与差值对应的量;相反,如果标准化峰值级HL比目标峰值级TL大,则将设定值Pw0增大与差值对应的量(S106)。
然后,记录激光功率Pw0被重新设定后,以重新设定后的记录激光功率Pw0进行记录动作(S107:否)。然后,若下一个激光功率的调整时刻到来(S103:是),则与上述相同,进行激光功率的重新设定(S104~S106)。反复进行上述调整动作直到记录动作结束(S107)。然后,记录动作结束后,激光功率调整处理也结束。
以上,根据本实施例,不需要峰值保持电路等特殊的硬件结构,就可平滑地进行激光功率调整。
(实施例2)
在上述实施例1中,是在不考虑半导体激光器的温度变化的情况下,进行激光功率调整。但是,如上述现有技术所述,由于CD-R或DVD-R等媒体的记录特性中具有波长依赖性,因此最好相应半导体激光器的温度变化带来的波长变化,适当补正激光功率的调整处理。本实施例正是考虑到该点,随着半导体激光器的温度变化,对功率线性线S进行补正。
参照图5,对本实施例中的功率线性线的补正处理进行说明。如图所示,M1是半导体激光器的温度为T1时的标记级(峰值)的变化特性。此外,S1是此时使用的功率线性线。
假设现在,温度T1时的最佳记录功率Pw0,位于变化特性M1上的A点。之后,如果半导体激光器的温度上升到T2,则标记级(峰值)的变化特性从M1向M2移动,与此相伴最佳记录功率Pw0的位置向A’移动。此时,由于功率线性线S1是与变化特性M1对应的,因此对于变化特性M2来说不适合。因此,将功率线性线从S1补正为S2,并用此S2,对标记级(峰值)的变化特性进行标准化。
图6A表示的是将功率线性线从S1补正为S2时的标准化峰值特性。如图所示,在将变化特性M1用功率线性线S1标准化后的标准化峰值特性(M1/S1)上的最佳记录功率的位置A,向将变动特性M2用功率线性线S2进行标准化后的标准化峰值特性(M2/S2)上的位置A’移动。这里,A点上的标准化峰值、和A’点上的标准化峰值是相同的值。换句话说,将功率线性线从S1向S2补正,以令A点上的标准化峰值、和A’点上的标准化峰值相同。这样,可不对激光功率调整时的目标峰值TL(激光功率设定时的标准化峰值)进行变更、补正,用初始设定的目标峰值TL对记录功率进行调整。
还有,由于本实施例是根据半导体激光器的温度变化对功率线性线进行补正,因此需要用某种方法检测出激光功率调整时刻下半导体激光器的温度。但是,半导体激光器的温度难以直接计测,虽然能检测出容器温度,但若这样则还另外需要容器温度传感器等,此外还必须考虑半导体激光器的实际温度与容器温度之间的温度差(温度传播特性)。
与此相对,在CD-R或DVD-R等媒体中,如上所述,由于因半导体激光器温度变化带来的激光波长变化,会令记录层的反射率变化,因此反过来,通过监视来自媒体的反射光量,可预测半导体激光器的温度变化。
上述预测,可根据记录时的RF信号等、表示记录层的反射率变化的信号进行。例如,可根据图10所示的标记级(峰值)或再生功率级掌握记录层的反射率变化,并据此预测半导体激光器的温度变化。
除此之外,如下所示,也可根据记录功率调整后的功率设定值,预测半导体激光器的温度变化乃至反射率变化,此外还能对线性记录功率值(功率线性线)S进行补正。
例如,在上述实施例1中,由于随着半导体激光器的温度上升产生波长变化、记录层的反射率增大,因此通过激光功率调整处理,将记录功率的设定值Pw0重新设定为大于以前的设定值。这里,虽然重新设定前的功率设定值Pw0和重新设定后的功率设定值Pw0之间的差ΔPw0,与记录层的反射率变化对应,但是该反射率变化原本是因半导体激光器的温度变化而产生的。因此,也可将该设定值的差ΔPw0作为半导体激光器的温度变化获取。
现在,假设对初始功率P1进行功率调整的结果是记录功率变为P2,则记录功率的增加率a为,
a=P2/P1  …(1)
在此,如果认为记录功率上升到P2的原因是因温度变化带来的反射光增加,那么初始的记录层的吸收率Ab1和当前时刻的记录层的吸收率Ab2满足下述关系:
Ab2=Ab1/a…(2)
由此,初始的记录层的反射率R1和当前时刻的记录层的反射率R2为:
R1=1-Ab1    …(3)
R2=1-Ab1/a  …(4)
记录层的反射率的增加率r为:
r=(1-Ab1/a)/(1-Ab1)  …(5)
如上所述,由于在将记录功率变为a倍时,反射光量应变为r倍,因此线性记录功率值S(功率线性线)也需要变为r倍。由此,如果设初始的线性记录功率特性为S1(Pw),当前时刻的线性记录功率特性为S2(Pw),则可通过重新设定
S2(Pw)=S1(Pw)×r  …(6)
来对记录功率进行适当调整。
再者,记录功率的变化和反射率(吸收率)的变化关系,根据媒体不同呈不一致性,因此也可通过实验或统计验证,设定记录功率的变化与反射率的变化之间的关系。根据发明者的验证,确认设定记录功率上升1%时反射率也增大1%,可良好地进行记录功率追踪。
图7表示的是,采用重新设定后的功率设定值Pw0进行功率调整时的处理流程。再者,该处理流程与图4相比,S104变更为S110。另外,新添加S111。其它的步骤与上述图4相同。
即,在上述实施例1中,当前时刻的记录功率Pw0被设定作为线性记录功率S(图4的S104);而在此处理流程中,将当前时刻的记录功率Pw0乘以补正率α后d得到的值设定作为线性记录功率S(S110)。这里,补正率α,在前1次的激光功率调整时由S111设定。即在S111中,如上所述,根据由S106重新设定得到的功率设定值Pw0、和初始设定时(S101中的设定)的功率设定值Pw0之间的变化率a,掌握记录层的反射率变化r,并以此为基础,设定线性记录功率S的补正率α(例如,补正率α=r)。
如上所述设定得到的补正率α,被在下一个激光功率调整时刻中(S103,是)用于线性记录功率S的补正。即在当前时刻的记录功率Pw0上乘以前1次求得的补正率α,设定线性记录功率S(S110)。然后,用该线性记录功率S去除当前时刻的标记级(峰值),算出标准化峰值级HL(S105)。再将算出的标准化峰值级HL与目标峰值级进行比较,重新设定记录功率的设定值Pw0(S106)。
通过本实施例,由于能对应半导体激光器的温度变化,补正标准化中使用的线性记录功率S,因此与上述实施例1相比,可更适当地进行激光功率调整。
(实施例3)
在上述实施例2中,是随着半导体激光器的温度变化,补正功率线性线S;而在本实施例中,是随着半导体激光器的温度变化,补正目标峰值级TL。
图6B表示的是,分别将图5的变化特性M1、M2除以相同的功率线性线S1来进行标准化后的标准化峰值特性。如图所示,将变动特性M1用功率线性线S1标准化后得到的标准化峰值特性(M1/S1)上的最佳记录功率的位置A,向将变化特性M2用相同的功率线性线S1标准化后得到的标准化峰值特性(M2/S1)上的位置A’移动。因此,在用标准化峰值特性(M2/S1)实施功率调整时,必须将目标峰值级从TL变更为TL’。
该变更,与上述实施例2相同,必须根据半导体激光器的温度变化进行。此时,虽然半导体激光器的温度变化,虽然可通过对半导体激光器温度或者容器温度实际测定检测出来,但是为了避免测定的困难性以及部件个数(温度传感器等)增加,可如上述实施例2所示,根据功率调整后的功率设定值预测温度变化乃至记录层反射率变化,并以此为基础,对目标峰值级TL进行补正。
即如上述实施例2中,参照式(1)~式(5)进行的说明,由于记录功率变为a倍时,反射光量应变为r倍,因此目标峰值级TL2也必须扩大为r倍。因此,若设初始功率为P1、此时的峰值为M1、进行功率调整后激光功率为P2,则目标峰值级TL重新设定为:
TL=(M1/P1)×r  …(7)
从而,可令记录功率紧随最佳功率。
图8表示的是,用重新设定前后功率设定值的变化率进行功率调整时的处理流程。该处理流程,与图4相比,新添加S120。其它的步骤与上述图4相同。
即在该处理流程中,在初始功率设定时求得的目标峰值级TL上乘以补正率α、来补正目标峰值级TL(S120),并在下一功率调整时刻用它进行功率调整(S106)。这里如上所述,根据重新设定的功率设定值Pw0(由S106重新设定)、与初始设定时的功率设定值Pw0(由S101初始设定)之间的变化率a掌握记录层的反射率变化r,来设定补正率α。
通过本实施例,由于对应半导体激光器的温度变化,补正了目标峰值级TL,因此与上述实施例1相比,可更适当地进行激光功率调整。
图9表示的是将上述处理流程(图8)应用于DVD+R驱动器中时的验证结果。
该验证结果,是边在55℃恒温槽实施功率调整,边测定对DVD+R媒体进行全周记录时的记录功率、和已记录的信号的β值的变化得到的。再者,在该验证中,设记录功率上升1%时反射率也增大1%,求得反射率变化r。此外,作为目标峰值级TL的补正率α,直接采用反射率变化r。还有,在标准化中使用的线性峰值S,直接使用功率调整时的激光功率。
根据该图,调整记录功率在22.5mW到24mW的范围内波动,可知此时的β值以±0.02左右的误差收敛。由此,可知如果根据上述处理流程,可适当地进行功率追随。
以上,虽然对本发明中的实施方式进行了说明,但是本发明并不限定于有关的实施方式,也可进行其它各种变更。
例如,在上述实施方式中,虽然表示的是直接使用功率调整时的记录功率作为线性功率值S的处理流程,但线性功率S的设定方法并不限定于此,如果是与记录功率的增大成比例增大,则可适用除此之外的设定方法。
此外,在上述实施例2、3所示的处理流程中,虽然是根据功率调整后的功率设定值,求得线性记录功率S或者目标峰值级TL的补正率α,并在下一次功率调整时应用该补正率α,从而补正线性记录功率S或目标峰值级TL,但是也可将该补正率α应用于当前的功率调整而不是下一次功率调整,来进行功率调整。
即,不用补正率α补正、暂时求出功率调整后的功率设定值,根据求得的功率设定值求取线性记录功率S或者目标峰值级TL的补正率α,再用该补正率α对线性记录功率S或者目标峰值级TL进行补正,并用补正后的线性记录功率S或者目标峰值级TL,求得该功率调整时的最终功率设定值。这样,与上述实施例2、3所示的流程中、延迟一次对线性记录功率S或者目标峰值级TL进行补正的情况相比,可更适当地进行功率调整。
除此之外,本发明的实施方式,在权利要求中所示的记录的思想的范围内,可适当地进行各种变更。

Claims (9)

1、一种光盘装置,其特征在于,具有:
峰值级取得模块,其取得与记录标记形成后的光盘反射光量对应的峰值级;
标准化峰值取得模块,其用与记录功率成比例的线性值对由所述峰值级取得模块取得的峰值级进行标准化,以求取标准化峰值级;以及,
设定值调整模块,其对由所述标准化峰值级取得模块取得的标准化峰值级和目标值进行比较,调整记录激光功率的设定值。
2、根据权利要求1所述的光盘装置,其特征在于,
所述标准化峰值级取得模块,将由所述峰值级取得模块所取得的峰值级除以与记录功率成比例的值,以求取所述标准化峰值级。
3、根据权利要求1所述的光盘装置,其特征在于,
设定所述目标值为,将在记录激光功率设定时由所述峰值级取得模块取得的峰值级、除以与该记录激光功率成比例的所述线性值来进行标准化所求得的所述标准化峰值级。
4、根据权利要求1至3的任一项所述的光盘装置,其特征在于,
还具有线性值补正模块,其根据半导体激光器的温度变化补正所述线性值。
5、根据权利要求4所述的光盘装置,其特征在于,
所述线性值补正模块,根据由设定值调整模块调整的激光功率的调整值,求得与所述半导体激光器的温度变化对应的所述线性值的补正值。
6、根据权利要求5所述的光盘装置,其特征在于,
所述线性值补正模块,根据由设定值调整模块调整的激光功率的调整值,求取因该调整变化的激光功率的变化率a,根据该变化率a求取记录层反射率的变化率r,并根据该变化率r求取所述线性值的补正率。
7、根据权利要求1至3的任一项所述的光盘装置,其特征在于,
还具有目标值补正模块,其根据半导体激光器的温度变化补正所述目标值。
8、根据权利要求7所述的光盘装置,其特征在于,
所述目标值补正模块,根据由设定值调整模块调整的激光功率的调整值,求取与所述半导体激光器的温度变化对应的所述目标值的补正值。
9、根据权利要求8所述的光盘装置,其特征在于,
所述目标值补正模块,根据由设定值调整模块调整的激光功率的调整值,求取因该调整变化的激光功率的变化率a,根据该变化率a求取记录层反射率的变化率r,并根据该变化率r求取所述目标值的补正率。
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