CN1671821A - 湿法脱模去除牺牲抗反射材料的组合物和方法 - Google Patents

湿法脱模去除牺牲抗反射材料的组合物和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1671821A
CN1671821A CNA038173972A CN03817397A CN1671821A CN 1671821 A CN1671821 A CN 1671821A CN A038173972 A CNA038173972 A CN A038173972A CN 03817397 A CN03817397 A CN 03817397A CN 1671821 A CN1671821 A CN 1671821A
Authority
CN
China
Prior art keywords
prescription
wet stripping
stripping composition
composition according
water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA038173972A
Other languages
English (en)
Inventor
托马斯·H·鲍姆
大卫·伯恩哈德
大卫·明斯克
梅丽莎·墨菲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Technology Materials Inc
Original Assignee
Advanced Technology Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Technology Materials Inc filed Critical Advanced Technology Materials Inc
Publication of CN1671821A publication Critical patent/CN1671821A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本发明提供了一种用于湿法脱模去除牺牲抗反射硅酸盐材料的组合物和方法，例如从其上沉积有牺牲抗反射硅酸盐材料的基片或制品上，尤其是在牺牲抗反射材料和希望不受湿法脱模组合物影响的永久硅酸盐材料一起存在的地方使用该组合物和方法。

Description

湿法脱模去除牺牲抗反射材料的组合物和方法
发明背景
发明领域
本发明涉及一种用于硅酸盐脱模的湿法脱模组合物和方法，例如，从上面沉积有牺牲抗反射硅酸盐材料的基片或制品上湿法脱模去除这些牺牲抗反射硅酸盐材料，尤其是在这些牺牲抗反射硅酸盐材料和希望不受湿法脱模组合物影响的永久性硅酸盐材料一起出现的地方去除这些牺牲抗反射硅酸盐材料。
相关技术描述
在制作集成电路的过程中，硅酸盐材料可以用作牺牲层，因为牺牲层可以在设备完成之前去除。美国专利6,365,529(转让给Intel)“Method for Patterning Dual Damascene Interconnects Using a LightAbsorbing Material”描述了在光刻构图的过程中使用染色的旋涂式玻璃(SOG)材料作为最小化反射率变化的牺牲抗反射涂层，以制作双波形花纹结构的方法。最后需要选择性地去除牺牲材料，这典型地通过使用湿浸蚀剂的湿法浸蚀来实现，与可能出现在该结构中的其它材料相比，所述材料包括层间电介质(ILD)、金属和阻挡层，湿浸蚀剂对该牺牲层表现出较高选择性。
可以充分确定的是氟化氢(HF)溶液可以用来浸蚀氧化硅材料。但是，HF溶液浸蚀氧化硅很迅速并且没有选择性，因此可能导致设备中其它含硅材料的损坏或损失，尤其是通常用作ILD的硅酸盐材料的损坏或损失。例如，这些ILD材料包括二氧化硅、氟化的硅酸盐玻璃(FSG)、和有机硅酸盐玻璃(OSG)，上述例子包括多孔和无孔材料。
为了更小心地控制氟化物溶液对氧化硅的浸蚀速度和选择性，HF酸性溶液可以用胺或其它碱如氨或烷基胺缓冲，因为缓冲作用降低了活性HF的浓度。
另外，氟化物溶液对硅酸盐玻璃的浸蚀速度和/或选择性可以通过添加特定的螯合剂到溶液中控制。螯合剂与氟化硅酸盐反应物相互作用，这样能够促进或延迟浸蚀速度。螯合剂通过对于螯合剂和基片都是特异的特定交互作用与不同的基片相互作用。这种特异性允许改变溶液对不同基片的浸蚀速度选择性。
因此，在本领域中的实质进步是提供一种具有高浸蚀速度选择性的湿清洁剂，即在牺牲硅酸盐材料和永久硅酸盐材料都存在于原始材料中的应用中，该湿清洁剂在牺牲硅酸盐材料上的高浸蚀速度和在永久硅酸盐ILD材料上的低浸蚀速度。
另外，需要提供如下类型的湿清洁剂，其利用安全、不燃的溶剂体系如表现低毒性和低可燃性特征的半水的溶剂体系。
如下文中更充分描述的，通过本发明的组合物和方法能完成这些和其它目的。
关于本发明，如下文中更充分描述的，形成本发明背景的技术状态包括以下美国专利，由此它们的公开内容以其各自的全文引入本文。
美国专利5,698,503和5,571,447(Ashland)描述了在具有pH为4至7的酸性缓冲体系中包含二醇类溶剂、氟化铵、二甲亚砜和水的清洁组合物。
美国专利5,630,904、5,962,385和6,265,309(Mitsubishi Gas)描述了用于半导体基片的残渣清洁配方，其中该清洁配方包含氟化物、溶剂和缓冲体系。
美国专利5,905,063和5,792,274(Tokyo Ohka Kogyo)描述了用于半导体基片的残渣清洁配方，其中清洁配方包含带无金属碱的氢氟酸盐、溶剂和具有pH为5至8的缓冲体系。
美国专利6,235,693和6,248,704(EKC Technology)描述了包含氟化物、水和溶剂的清洁配方，用于从半导体基片上清洁残渣，其中该清洁配方的pH为6至10。
美国专利6,365,765和6,268,457(Honeywell)描述了通过使烷氧基硅烷与有机染料反应来制备染色的旋涂式玻璃(SOG)聚合物的方法，这里的旋涂式玻璃用作牺牲抗反射涂层(SARC)。
美国专利6,365,529(Intel)描述了使用染色的旋涂式玻璃(SOG)材料作为SARC材料制作双波形花纹结构的方法。
美国专利6,306,807(ATMI)公开了从半导体基片上清洁等离子浸蚀后残渣的配方，该配方包含硼酸、胺、水和任选的二醇类溶剂或螯合剂。
美国专利6,224,785(ATMI)公开了包含氟化铵、胺、水和螯合剂的配方，该配方用于从半导体基片上清洁等离子浸蚀后残渣。
美国专利6,383,410(ATMI)公开了利用包含氟化盐、螯合剂和二醇类溶剂的组合物来选择性浸蚀氧化硅的配方。
美国专利4,343,677(Kinsbron等人)公开了利用在水/乙二醇中摩尔比为约10∶1的氟化铵/氢氟酸来浸蚀二氧化硅的配方。
但是，上面的专利中没有一个公开或提出湿法脱模以选择性去除包括染色的硅酸盐玻璃材料的牺牲抗反射涂层(SARC)的湿清洁剂或方法。因此，本发明在本领域达到了实质性进步，这将在后续描述中得到更充分的理解。
发明概述
一般地，本发明涉及一种用于湿法脱模去除硅酸材料的组合物和方法，如从包含这些牺牲抗反射硅酸盐材料、或其上面沉积有这些牺牲抗反射硅酸盐材料的材料、基片、表面或制品上去除牺牲抗反射硅酸盐材料，尤其是在牺牲抗反射材料和希望不受湿法脱模操作影响的永久硅酸盐材料一起存在的地方。
在一个方面，本发明涉及一种湿法脱模组合物，包括：
含氮的氢氟化物；
去离子水；
有机溶剂；
和任选的：
螯合剂和/或胺/羧酸缓冲剂。
含氮的氢氟化物可以为任何合适的类型，包括如氟化铵和其它胺氢氟酸盐的化合物。
本发明的另一个方面涉及一种湿法脱模组合物，包括：
0.1-40.0wt％的氟化铵(NH4F)或其它胺氢氟化物，
20-75wt％的去离子水(DIw)，
25-79wt％的有机溶剂，
0-10wt％的螯合剂，
0-20wt％的胺/羧酸缓冲剂；
其中重量百分数是基于组合物的总重量，总重量百分数不超过100wt％。
在还一个方面，本发明涉及一种选自配方A-K的湿法脱模组合物：
配方A
0.5％IDA
1.0％NH4F
98.5％混合物3∶1丙二醇∶水
配方B
1.5％IDA
1.0％NH4F
97.5％混合物3∶1丙二醇∶水
配方C
0.5％IDA
4.0％NH4F
95.5％混合物3∶1丙二醇∶水
配方D
1.5％IDA
4.0％NH4F
94.5％混合物3∶1丙二醇∶水
配方E
0.5％IDA
1.0％NH4F
25％水
73.5％二甘醇
配方F
0.5％IDA
1.0％NH4F
25％水
73.5％丙二醇甲基醚
配方G
0.5％IDA
1.0％NH4F
25％水
73.5％二甘醇甲基醚
配方H
0.5％IDA
1.0％NH4F
25％水
73.5％三甘醇甲基醚
配方I
0.5％氟化铵
2.25％NH4F
25％甲基二乙醇胺
2.75％丙二酸
25％水
69.5％二甘醇
配方J
10％N，N-二甲基二甘醇胺氢氟酸盐
25％水
65％二甘醇
配方K
40％N，N-二甲基二甘醇胺氢氟酸盐
25％水
35％二甘醇
其中，上述配方中组分的百分数按重量计算，基于配方的总重量。
本发明的又一个方面涉及一种包括半水溶剂、氟化铵和赋予组合物在SARC和ILD材料之间浸蚀速度选择性的氨基酸的湿法脱模组合物。
在另一个方面，本发明涉及一种从包含牺牲硅酸盐材料的位置浸蚀性地去除牺牲硅酸盐材料的方法，其中牺牲硅酸盐材料暴露于浸蚀剂组合物中足够长的时间，以从该位置至少部分地浸蚀性地去除牺牲硅酸盐，该浸蚀剂组合物包括：
含氮的氢氟化物；
去离子水；
有机溶剂；
和任选的：
螯合剂和/或胺/羧酸缓冲剂。
将从后继的公开内容和附加的权利要求中，本发明的其它方面、特征和优点更充分地显而易见。
发明详述及其优选实施方案
在一个例证性实施方案中，本发明提供了一种包括如下组分的湿法脱模组合物：
0.1-40.0wt％的氟化铵(NH4F)或其它氢氟胺盐，
20-75wt％的去离子水(DIW)，
25-79wt％的有机溶剂，
0-10wt％的螯合剂，
0-20wt％的胺/羧酸缓冲剂；
其中组分的百分数为按重量计的百分数，基于组合物的总重量，且其中组合物的这些组分的总重量百分数不超过100wt％。
上面指定的脱模组合物可以任选地包括附加组分，包括活性和非活性成分，例如稳定剂、分散剂、抗氧化剂、填料、渗透剂、辅助剂、添加剂、填料、赋形剂等。
在一个优选的方面，脱模组合物基本上由上面按重量百分数列举的指定组分组成，其中指定组分以在各自指定的重量百分数范围内的浓度存在于组合物中。
最优选地，脱模组合物只包含上面按重量百分数列举的指定组分，它们的浓度在各自指定的重量百分数范围内，其中组合物中存在的所有这些指定组分的重量百分数合计达100wt％。
本发明的脱模组合物中的有机溶剂可以包括任何合适的有机溶剂种类。在一个优选的方面，本发明的脱模组合物中的有机溶剂包括一种或多种下述物质：(i)二醇类如乙二醇、丙二醇、新戊二醇等，(ii)聚二醇类如聚乙二醇、聚丙二醇等，(iii)二醇醚类，或(iv)聚二醇醚类；或者在本发明的这些脱模组合物中的有机溶剂可以选择性地包括选自类(i)-(iv)中的两种或多种溶剂组分的相容混合物、掺合物或溶液。
本发明的脱模组合物中的螯合剂可以为任何合适的类型。在一个优选的方面，螯合剂包括α-氨基酸，如亚氨基二乙酸(IDA)，其结构式如下：
Figure A0381739700201
亚氨基二乙酸(IDA)
作为选择或者以不同的结合，可以使用其它的有效螯合的种类，以给脱模组合物提供具有控制SARC和ILD材料之间的浸蚀速度选择性的功能的螯合剂。
本发明的脱模组合物中的胺/羧酸缓冲剂可以为任何合适的类型，例如可以包括带有单羧酸、二羧酸和/或三羧酸的烷基胺、二烷基胺和/或三烷基胺。缓冲剂具有适当地稳定脱模组合物pH的功能，因为硅酸盐浸蚀速度强烈地依赖pH。在使用脱模组合物的过程中，缓冲剂也可以具有控制SARC和ILD材料之间浸蚀速度选择性的功能。
本发明的脱膜组合物通过相应成分的简单添加并混合到均匀状态而容易地配成。
在脱模应用中，脱模组合物以任何合适的方式被涂敷到待脱模的材料上，例如通过将脱模组合物喷涂到待脱模材料的表面、通过将材料或包括被脱模材料的制品浸渍(在大量脱模组合物中)、通过将待脱模的材料或制品与另一种材料接触，例如用脱模组合物饱和的衬垫或含纤维的吸附剂涂抹元件、或通过任何其它合适的方法、方式或技术，通过这些手段将脱模组合物与待脱模的材料脱模接触。
当应用到半导体制造操作中，本发明的脱模组合物有效地用于从上面沉积有牺牲硅酸盐材料的基片和半导体设备结构上浸蚀性地去除牺牲硅酸盐材料。例如，牺牲硅酸盐可以作为抗反射涂层涂敷到半导体设备结构上，以在光刻构图过程中最小化反射率变化。
由于本发明组合物对这些牺牲硅酸盐的选择性，相对于那些可能存在于半导体基片上并暴露于脱模组合物的其它材料，如ILD结构、金属化、阻挡层等，本发明组合物以高效的方式实现了浸蚀去除牺牲硅酸盐。
在所需的脱模作用完成之后，脱模组合物容易地从前面涂敷它的基片或制品上去除，例如通过漂洗、洗涤或其它去除步骤，这在本发明组合物的给定最终用途的应用中可能是所需的和有效的。
本发明的特征和优点通过下面的非限制性实施例得到更充分地阐明，除非特别另作说明，其中所有的部分和百分数都是按重量计。
实施例1
配方A、B、C和D按下面的描述制备，其中IDA为亚氨基二乙酸，NH4F为氟化铵(无水的)。
配方A
0.5％IDA
1.0％NH4F
98.5％混合物3∶1丙二醇∶水
配方B
1.5％IDA
1.0％NH4F
97.5％混合物3∶1丙二醇∶水
配方C
0.5％IDA
4.0％NH4F
95.5％混合物3∶1丙二醇∶水
配方D
1.5％IDA
4.0％NH4F
94.5％混合物3∶1丙二醇∶水
测定了配方A-D对涂覆在硅片上的薄膜的浸蚀速度。
硼磷酸盐硅酸盐玻璃(BPSG)和等离子体增强的化学气相沉积的四乙氧基硅酸盐(TEOS)的浸蚀速度示于下面的表1中，单位为埃/分钟(/min)。
表1 配方A-D在BPSG和TEOS薄膜上的浸蚀速度(/min)
暴露于脱模配方中的材料 配方A的浸蚀速度(/min) 配方B的浸蚀速度(/min) 配方C的浸蚀速度(/min) 配方D的浸蚀速度(/min)
BPSG 229 430 276 467
TEOS 161 372 230 541
然后测定了各个配方A-D在下列材料上的浸蚀速度：
SARC，市售染色氧化硅牺牲材料；
ILD，市售CVD多孔OSG电介质材料；
CORALTM电介质，市售自Novellus Systems的OSG低k电介质材料；和
PECVD TEOS，使用原硅酸四乙酯通过等离子增强的化学气相沉积而沉积的二氧化硅涂层。
在上面列举的材料上测定的浸蚀速度示于下面的表2中，单位为/min。
表2 配方A-D在SARC、ILD、CORAL和PECVD TEOS材料上的浸蚀速度(/min)
暴露于脱模配方的材料 配方A的浸蚀速度(/min) 配方B的浸蚀速度(/min) 配方C的浸蚀速度(/min) 配方D的浸蚀速度(/min)
SARC 335 620 539 1876
ILD 8 26 39 181
CORAL 2.5 6.5 9.4 66
PECVDTEOS 161 372 230 541
实施例2
配方E、F、G和H按下面的描述制备。
配方E
0.5％IDA
1.0％NH4F
25％水
73.5％二甘醇
配方F
0.5％IDA
1.0％NH4F
25％水
73.5％丙二醇甲基醚
配方G
0.5％IDA
1.0％NH4F
25％水
73.5％二甘醇甲基醚
配方H
0.5％IDA
1.0％NH4F
25％水
73.5％三甘醇甲基醚
然后测定了各个配方E-H在下列材料上的浸蚀速度：
SARC，和实施例1中的一样；
ILD，和实施例1中的一样；
CORAL，和实施例1中的一样；和
FSG，低k电介质的氟化硅酸盐玻璃。
在上面列举的材料上测定的浸蚀速度示于下面的表3中，单位为/min。
表3
配方E-H在SARC、ILD、CORAL和FSG材料上的浸蚀速度(/min)
暴露于脱模配方的材料 配方E的浸蚀速度(/min) 配方E的浸蚀速度(/min) 配方G的浸蚀速度(/min) 配方H的浸蚀速度(/min)
SARC 167 464 342 369
ILD 2.0 5.4 5.0 3.2
CORAL 0.2 8.0 8.3 8.2
FSGPE 114 282 173 179
实施例3
配方I(pH＝6.0)按下面的描述制备。
配方I
0.5％氟化铵
2.25％甲基二乙醇胺
2.75％丙二酸
25％水
69.5％二甘醇
然后测定了配方I在下列材料上的浸蚀速度：
CORAL，和在实施例1中一样；
AuroraTM 2.4和AuroraTM 2.7，通常市售自ASM International的ILD材料，介电常数分别为k＝2.4和k＝2.7；
LKD-5109，旋涂式多孔的低k的OSG电介质材料，市售自JSR；
OrionTM电介质，CVD的多孔的低k的OSG电介质材料，市售自Trikon；
DUO 248TM和DUO 193TM，旋涂式SARC材料(具有包含有机的光吸收生色团的硅氧烷骨架)，通常市售自Honeywell ElectronicMaterials，商业上分别用于248nm和193nm光刻法。
配方I在上面列举的材料上测定的浸蚀速度示于下面的表4中，单位为/min。
表4 配方I在DUO 193、DUO 248、Aurora 2.4、Aurora 2.7、
CORAL、LKD-5109和Orion材料上的浸蚀速度(/min)
  暴露于脱模配方中的材料   浸蚀速度(/min)
  DUO193   180
  DUO248   423
  Aurora 2.4   3
  Aurora 2.7   0
  CORAL   0
  LKD-5109   58
  Orion   8
实施例4
配方J(pH＝7.1)按下面的描述制备。
配方J
10％N，N-二甲基二甘醇胺氢氟酸盐
25％水
65％二甘醇
然后测定了配方J在下面材料上的浸蚀速度：
DUO 248TM，和实施例3中的一样；
FSG，和实施例3中的一样；
PECVD TEOS，和实施例1中的一样；和
CORAL，和实施例1中的一样。
配方J在上面列举的材料上测定的浸蚀速度示于下面的表5中，单位为/min。
表5 配方I在DUO 248、FSG、PECVD TEOS和CORAL材料上的浸蚀速度(/min)
  暴露于脱模配方中的材料   浸蚀速度(/min)
  DUO 248   262
  FSG   7.5
  PECVD TEOS   12
  CORAL   0
实施例5
配方K(pH＝8)按照下面描述的方法制备。
配方K
40％N，N-二甲基二甘醇胺氢氟酸盐
25％水
35％二甘醇
然后测定了配方K在下面材料上的浸蚀速度：
DUO 248TM，和实施例3中的一样；
FSG，和实施例3中的一样；
PECVD TEOS，和实施例1中的一样；
CORAL，和实施例1中的一样。
配方K在上面列举的材料上测定的浸蚀速度示于下面的表6中，单位为/min。
表6
配方K在DUO 248、FSG、PECVD TEOS和CORAL材料上的浸蚀速度(/min)
  暴露于脱模配方中的材料   浸蚀速度(/min)
  DUO 248   330
  FSG   2.3
  PECVD TEOS   4.5
  CORAL   1.4
上述实施例证明，本发明的脱模组合物具有高浸蚀速度选择性，在牺牲硅酸盐材料上显示了高浸蚀速度而在永久硅酸盐ILD材料上显示低浸蚀速度。因此，本发明的脱模组合物在牺牲和永久硅酸盐都存在于原始材料中的应用中非常有用。
本发明的脱模组合物可以容易地用合适的溶剂体系，例如具有低毒和低可燃性的半水溶剂体系配成。
因此，本发明的脱模组合物在去除牺牲硅酸盐材料领域内，例如，在集成电路设备制造中牺牲硅酸盐和永久硅酸盐材料一起存在的应用中，达到实质性进步。
尽管本发明已经在本文中参照说明性的实施方案和特征进行了各种公开，但是应理解上文描述的实施方案和特征不是用于限制本发明，其它的变化、修正和其它实施方案对本领域的普通技术人员是可以预见的。因此，本发明将被广泛地解释，与后文陈述的权利要求书一致。

Claims (53)

1.一种湿法脱模组合物，该组合物包括：
含氮的氢氟化物；
去离子水；
有机溶剂；
和任选的：
螯合剂和/或胺/羧酸缓冲剂。
2.根据权利要求1所述的湿法脱模组合物，其中含氮的氢氟化物包括氟化铵(NH4F)。
3.根据权利要求1所述的湿法脱模组合物，其中含氮的氢氟化物包括胺氢氟酸盐。
4.根据权利要求1所述的湿法脱模组合物，其中按组合物的总重量计，含氮的氢氟化物以约0.1-约40.0wt％的量存在于所述组合物中。
5.根据权利要求1所述的湿法脱模组合物，其中按组合物的总重量计，去离子水以约20-约75wt％的量存在于所述组合物中。
6.根据权利要求1所述的湿法脱模组合物，其中所述有机溶剂包括：选自(i)二醇类、(ii)聚二醇类、(iii)二醇醚类、(iv)聚二醇醚类中的一种或多种溶剂，和选自类(i)-(iv)中的两种或多种溶剂组分的相容混合物、掺合物和溶液。
7.根据权利要求5所述的湿法脱模组合物，其中所述有机溶剂包括一种或多种二醇。
8.根据权利要求6所述的湿法脱模组合物，其中所述的一种或多种二醇包括选自乙二醇、丙二醇和新戊二醇中的二醇。
9.根据权利要求5所述的湿法脱模组合物，其中所述有机溶剂包括一种或多种聚二醇。
10.根据权利要求8所述的湿法脱模组合物，其中所述的一种或多种聚二醇包括选自聚乙二醇和聚丙二醇中的聚二醇。
11.根据权利要求5所述的湿法脱模组合物，其中所述有机溶剂包括一种或多种二醇醚。
12.根据权利要求5所述的湿法脱模组合物，其中所述有机溶剂包括一种或多种聚二醇醚。
13.根据权利要求5所述的湿法脱模组合物，其中所述有机溶剂包括选自类(i)-(iv)中的两种或多种溶剂组分的相容混合物、掺合物或溶液。
14.根据权利要求5所述的湿法脱模组合物，其中按组合物的总重量计，所述有机溶剂以约25-约79wt％的量存在于所述组合物中。
15.根据权利要求1所述的湿法脱模组合物，包括螯合剂。
16.根据权利要求14所述的湿法脱模组合物，其中所述螯合剂为一种类型，以有效控制SARC和ILD材料之间的浸蚀速度选择性的量存在，该湿法脱模组合物暴露于所述SARC和ILD材料。
17.根据权利要求14所述的湿法脱模组合物，其中所述螯合剂包括α-氨基酸。
18.根据权利要求14所述的湿法脱模组合物，其中所述螯合剂包括亚氨基二乙酸(IDA)。
19.根据权利要求14所述的湿法脱模组合物，其中按组合物的总重量计，所述螯合剂以高达约10wt％的量存在于所述组合物中。
20.根据权利要求1所述的湿法脱模组合物，包括胺/羧酸缓冲剂。
21.根据权利要求19所述的湿法脱模组合物，其中所述缓冲剂为一种类型，以将脱模组合物的pH稳定在如下pH范围内的量存在，使湿法脱模组合物可有效浸蚀硅酸盐。
22.根据权利要求19所述的湿法脱模组合物，其中所述缓冲剂为一种类型，以有效控制SARC和ILD材料之间的浸蚀速度选择性的量存在，该湿法脱模组合物暴露于所述SARC和ILD材料。
23.根据权利要求19所述的湿法脱模组合物，其中所述缓冲剂包括选自烷基胺、二烷基胺、三烷基胺中的一种或多种胺。
24.根据权利要求19所述的湿法脱模组合物，其中所述缓冲剂包括选自单羧酸、二羧酸、三羧酸中的一种或多种羧酸。
25.根据权利要求19所述的湿法脱模组合物，其中按组合物的总重量计，所述缓冲剂以高达约20wt％的量存在于所述组合物中。
26.一种湿法脱模组合物，该组合物包括：
0.1-40.0wt％的氟化铵(NH4F)或其它胺氢氟酸盐，
20-75wt％的去离子水(DIW)，
25-79wt％的有机溶剂，
0-10wt％的螯合剂，
0-20wt％的胺/羧酸缓冲剂；
其中重量百分数基于组合物的总重量，总重量百分数不超过100wt％。
27.根据权利要求25所述的湿法脱模组合物，其中总重量百分数等于100wt％。
28.一种选自配方A-K的湿法脱模组合物：
配方A
0.5％IDA
1.0％NH4F
98.5％混合物3∶1丙二醇∶水
配方B
1.5％IDA
1.0％NH4F
97.5％混合物3∶1丙二醇∶水
配方C
0.5％IDA
4.0％NH4F
95.5％混合物3∶1丙二醇∶水
配方D
1.5％IDA
4.0％NH4F
94.5％混合物3∶1丙二醇∶水
配方E
0.5％IDA
1.0％NH4F
25％水
73.5％二甘醇
配方F
0.5％IDA
1.0％NH4F
25％水
73.5％丙二醇甲基醚
配方G
0.5％IDA
1.0％NH4F
25％水
73.5％二甘醇甲基醚
配方H
0.5％IDA
1.0％NH4F
25％水
73.5％三甘醇甲基醚
配方I
0.5％氟化铵
2.25％甲基二乙醇胺
2.75％丙二酸
25％水
69.5％二甘醇
配方J
10％N，N-二甲基二甘醇胺氢氟酸盐
25％水
65％二甘醇
配方K
40％N，N-二甲基二甘醇胺氢氟酸盐
25％水
35％二甘醇
其中在所述配方中组分的百分数是按重量计的，基于配方的总重量。
29.根据权利要求27所述的湿法脱模组合物，包括配方A。
30.根据权利要求27所述的湿法脱模组合物，包括配方B。
31.根据权利要求27所述的湿法脱模组合物，包括配方C。
32.根据权利要求27所述的湿法脱模组合物，包括配方D。
33.根据权利要求27所述的湿法脱模组合物，包括配方E。
34.根据权利要求27所述的湿法脱模组合物，包括配方F。
35.根据权利要求27所述的湿法脱模组合物，包括配方G。
36.根据权利要求27所述的湿法脱模组合物，包括配方H。
37.根据权利要求27所述的湿法脱模组合物，包括配方I。
38.根据权利要求27所述的湿法脱模组合物，包括配方J。
39.根据权利要求27所述的湿法脱模组合物，包括配方K。
40.一种湿法脱模组合物，该组合物包括半水溶剂、氟化铵和赋予所述组合物在SARC和ILD材料之间浸蚀速度选择性的氨基酸。
41.根据权利要求39所述的湿法脱模组合物，其中氨基酸包括亚氨基二乙酸。
42.根据权利要求39所述的湿法脱模组合物，还包括胺/羧酸缓冲剂，它们包括彼此相对比例的胺和羧酸，将组合物的pH稳定在如下范围，使组合物可有效浸蚀硅酸盐材料。
43.根据权利要求41所述的湿法脱模组合物，其中硅酸盐材料包括染色的硅酸盐玻璃材料。
44.根据权利要求41所述的湿法脱模组合物，其中胺和羧酸的相对比例增强了所述组合物在SARC和ILD材料之间的浸蚀速度选择性。
45.一种从包括牺牲硅酸盐材料的位置浸蚀去除该牺牲硅酸盐材料的方法，该方法包括使所述牺牲硅酸盐材料暴露于浸蚀剂组合物中，该浸蚀剂组合物包括：
含氮的氢氟化物；
去离子水；
有机溶剂；
和任选的：
螯合剂和/或胺/羧酸缓冲剂，
暴露时间足以从所述位置上至少部分地浸蚀去除牺牲硅酸盐。
46.根据权利要求44所述的方法，其中所述浸蚀剂组合物包括：
0.1-40.0wt％的氟化铵(NH4F)或其它胺氢氟酸盐，
20-75wt％的去离子水(DIW)，
25-79wt％的有机溶剂，
0-10wt％的螯合剂，
0-20wt％的胺/羧酸缓冲剂，
其中重量百分数基于组合物的总重量，总重量百分数不超过100wt％。
47.根据权利要求45所述的方法，其中所述总重量百分数等于100wt％。
48.根据权利要求44所述的方法，其中所述浸蚀剂组合物选自配方A-K：
配方A
0.5％IDA
1.0％NH4F
98.5％混合物3∶1丙二醇∶水
配方B
1.5％IDA
1.0％NH4F
97.5％混合物3∶1丙二醇∶水
配方C
0.5％IDA
4.0％NH4F
95.5％混合物3∶1丙二醇∶水
配方D
1.5％IDA
4.0％NH4F
94.5％混合物3∶1丙二醇∶水
配方E
0.5％IDA
1.0％NH4F
25％水
73.5％二甘醇
配方F
0.5％IDA
1.0％NH4F
25％水
73.5％丙二醇甲基醚
配方G
0.5％IDA
1.0％NH4F
25％水
73.5％二甘醇甲基醚
配方H
0.5％IDA
1.0％NH4F
25％水
73.5％三甘醇甲基醚
配方I
0.5％氟化铵
2.25％甲基二乙醇胺
2.75％丙二酸
25％水
69.5％二甘醇
配方J
10％N，N-二甲基二甘醇胺氢氟酸盐
25％水
65％二甘醇
配方K
40％N，N-二甲基二甘醇胺氢氟酸盐
25％水
35％二甘醇
其中在所述配方中组分的百分数按重量计，基于配方的总重量。
49.根据权利要求44所述的方法，其中位置包括半导体设备结构。
50.根据权利要求48所述的方法，其中所述半导体设备结构包括ILD材料。
51.根据权利要求49所述的方法，其中牺牲硅酸盐材料包括牺牲抗反射涂层。
52.根据权利要求50所述的方法，其中牺牲抗反射涂层包括染色的硅酸盐玻璃材料。
53.根据权利要求51所述的方法，其中染色的硅酸盐玻璃材料已经应用于半导体设备结构，以使在半导体设备结构上的光刻构图过程 中的反射率变化降到最小。
CNA038173972A 2002-07-23 2003-07-16 湿法脱模去除牺牲抗反射材料的组合物和方法 Pending CN1671821A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/201,340 US6849200B2 (en) 2002-07-23 2002-07-23 Composition and process for wet stripping removal of sacrificial anti-reflective material
US10/201,340 2002-07-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1671821A true CN1671821A (zh) 2005-09-21

Family

ID=30769632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA038173972A Pending CN1671821A (zh) 2002-07-23 2003-07-16 湿法脱模去除牺牲抗反射材料的组合物和方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6849200B2 (zh)
EP (1) EP1551936A4 (zh)
JP (1) JP2005533896A (zh)
CN (1) CN1671821A (zh)
AU (1) AU2003249279A1 (zh)
TW (1) TW200408003A (zh)
WO (1) WO2004009730A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105621893A (zh) * 2014-12-01 2016-06-01 焦作飞鸿安全玻璃有限公司 蚀刻印刷玻璃的生产方法

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6828289B2 (en) * 1999-01-27 2004-12-07 Air Products And Chemicals, Inc. Low surface tension, low viscosity, aqueous, acidic compositions containing fluoride and organic, polar solvents for removal of photoresist and organic and inorganic etch residues at room temperature
US20030022800A1 (en) * 2001-06-14 2003-01-30 Peters Darryl W. Aqueous buffered fluoride-containing etch residue removers and cleaners
US8030263B2 (en) 2004-07-01 2011-10-04 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for stripping and cleaning and use thereof
US9217929B2 (en) 2004-07-22 2015-12-22 Air Products And Chemicals, Inc. Composition for removing photoresist and/or etching residue from a substrate and use thereof
US7682458B2 (en) * 2005-02-03 2010-03-23 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous based residue removers comprising fluoride
US7867779B2 (en) 2005-02-03 2011-01-11 Air Products And Chemicals, Inc. System and method comprising same for measurement and/or analysis of particles in gas stream
US7888302B2 (en) * 2005-02-03 2011-02-15 Air Products And Chemicals, Inc. Aqueous based residue removers comprising fluoride
US20060183055A1 (en) * 2005-02-15 2006-08-17 O'neill Mark L Method for defining a feature on a substrate
SG10201504423QA (en) * 2005-06-07 2015-07-30 Entegris Inc Metal and dielectric compatible sacrificial anti-reflective coating cleaning and removal composition
KR20080015027A (ko) * 2005-06-13 2008-02-15 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 금속 규화물 형성 후 금속 또는 금속 합금의 선택적인제거를 위한 조성물 및 방법
TWI339780B (en) 2005-07-28 2011-04-01 Rohm & Haas Elect Mat Stripper
TW200722505A (en) 2005-09-30 2007-06-16 Rohm & Haas Elect Mat Stripper
JP2009512194A (ja) * 2005-10-05 2009-03-19 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド ポストエッチング残渣を除去するための酸化性水性洗浄剤
US20070099806A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Stewart Michael P Composition and method for selectively removing native oxide from silicon-containing surfaces
CN101356629B (zh) * 2005-11-09 2012-06-06 高级技术材料公司 用于将其上具有低k介电材料的半导体晶片再循环的组合物和方法
US20070151949A1 (en) * 2006-01-04 2007-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor processes and apparatuses thereof
US7534753B2 (en) * 2006-01-12 2009-05-19 Air Products And Chemicals, Inc. pH buffered aqueous cleaning composition and method for removing photoresist residue
US20080125342A1 (en) * 2006-11-07 2008-05-29 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for cleaning memory device structures
SG177915A1 (en) * 2006-12-21 2012-02-28 Advanced Tech Materials Liquid cleaner for the removal of post-etch residues
US7879783B2 (en) * 2007-01-11 2011-02-01 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning composition for semiconductor substrates
EP2268765A4 (en) * 2008-03-07 2011-10-26 Advanced Tech Materials UNSELECTIVE OXIDIZE WET CLEANING AGENT AND USE
US8101561B2 (en) 2009-11-17 2012-01-24 Wai Mun Lee Composition and method for treating semiconductor substrate surface
JP2013533631A (ja) 2010-07-16 2013-08-22 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド エッチング後残渣を除去するための水性洗浄剤
JP6101421B2 (ja) 2010-08-16 2017-03-22 インテグリス・インコーポレーテッド 銅または銅合金用エッチング液
TWI502065B (zh) 2010-10-13 2015-10-01 Entegris Inc 抑制氮化鈦腐蝕之組成物及方法
JP5933950B2 (ja) 2011-09-30 2016-06-15 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 銅または銅合金用エッチング液
SG11201403556WA (en) 2011-12-28 2014-07-30 Advanced Tech Materials Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
CN104508072A (zh) 2012-02-15 2015-04-08 安格斯公司 用于cmp后去除的组合物及使用方法
JP2015517691A (ja) 2012-05-18 2015-06-22 インテグリス，インコーポレイテッド 窒化チタンを含む表面からフォトレジストを剥離するための組成物およびプロセス
KR102118964B1 (ko) 2012-12-05 2020-06-08 엔테그리스, 아이엔씨. Iii-v 반도체 물질을 세척하기 위한 조성물 및 이를 사용하는 방법
JP6363116B2 (ja) 2013-03-04 2018-07-25 インテグリス・インコーポレーテッド 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物および方法
SG11201509933QA (en) 2013-06-06 2016-01-28 Advanced Tech Materials Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
US10138117B2 (en) 2013-07-31 2018-11-27 Entegris, Inc. Aqueous formulations for removing metal hard mask and post-etch residue with Cu/W compatibility
EP3039098B1 (en) 2013-08-30 2020-09-30 Entegris, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
WO2015095175A1 (en) 2013-12-16 2015-06-25 Advanced Technology Materials, Inc. Ni:nige:ge selective etch formulations and method of using same
KR102352475B1 (ko) 2013-12-20 2022-01-18 엔테그리스, 아이엔씨. 이온-주입된 레지스트의 제거를 위한 비-산화성 강산의 용도
US10475658B2 (en) 2013-12-31 2019-11-12 Entegris, Inc. Formulations to selectively etch silicon and germanium
TWI659098B (zh) 2014-01-29 2019-05-11 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 化學機械研磨後配方及其使用方法
US11127587B2 (en) 2014-02-05 2021-09-21 Entegris, Inc. Non-amine post-CMP compositions and method of use
CN109399947B (zh) * 2018-10-11 2020-01-31 海南大学 减反射玻璃及其制备方法
JP7395795B1 (ja) 2022-03-14 2023-12-11 日本化薬株式会社 処理液およびその使用方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4343677A (en) * 1981-03-23 1982-08-10 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for patterning films using reactive ion etching thereof
JPS6039176A (ja) * 1983-08-10 1985-02-28 Daikin Ind Ltd エッチング剤組成物
JPS63283028A (ja) * 1986-09-29 1988-11-18 Hashimoto Kasei Kogyo Kk 微細加工表面処理剤
US5981454A (en) * 1993-06-21 1999-11-09 Ekc Technology, Inc. Post clean treatment composition comprising an organic acid and hydroxylamine
DE4303136C1 (de) * 1993-02-04 1994-06-16 Mtu Friedrichshafen Gmbh Verfahren zur Herstellung von Schmelzcarbonat-Brennstoffzellen
JP3074634B2 (ja) * 1994-03-28 2000-08-07 三菱瓦斯化学株式会社 フォトレジスト用剥離液及び配線パターンの形成方法
US5571447A (en) * 1995-03-20 1996-11-05 Ashland Inc. Stripping and cleaning composition
JP3236220B2 (ja) * 1995-11-13 2001-12-10 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物
US5698503A (en) * 1996-11-08 1997-12-16 Ashland Inc. Stripping and cleaning composition
JP3408090B2 (ja) * 1996-12-18 2003-05-19 ステラケミファ株式会社 エッチング剤
US6224785B1 (en) * 1997-08-29 2001-05-01 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous ammonium fluoride and amine containing compositions for cleaning inorganic residues on semiconductor substrates
WO1998056726A1 (en) * 1997-06-13 1998-12-17 Cfmt, Inc. Methods for treating semiconductor wafers
JPH1167632A (ja) * 1997-08-18 1999-03-09 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 半導体装置用洗浄剤
US6280651B1 (en) * 1998-12-16 2001-08-28 Advanced Technology Materials, Inc. Selective silicon oxide etchant formulation including fluoride salt, chelating agent, and glycol solvent
JPH11323394A (ja) * 1998-05-14 1999-11-26 Texas Instr Japan Ltd 半導体素子製造用洗浄剤及びそれを用いた半導体素子の製造方法
KR20010025043A (ko) * 1998-05-18 2001-03-26 바누치 유진 지. 반도체 기판용 스트립팅 조성물
US6248704B1 (en) * 1999-05-03 2001-06-19 Ekc Technology, Inc. Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices
US6268457B1 (en) * 1999-06-10 2001-07-31 Allied Signal, Inc. Spin-on glass anti-reflective coatings for photolithography
US6329118B1 (en) * 1999-06-21 2001-12-11 Intel Corporation Method for patterning dual damascene interconnects using a sacrificial light absorbing material
US6453914B2 (en) * 1999-06-29 2002-09-24 Micron Technology, Inc. Acid blend for removing etch residue
US6562726B1 (en) * 1999-06-29 2003-05-13 Micron Technology, Inc. Acid blend for removing etch residue
US6235693B1 (en) * 1999-07-16 2001-05-22 Ekc Technology, Inc. Lactam compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices
US6344432B1 (en) * 1999-08-20 2002-02-05 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures
JP2001100436A (ja) * 1999-09-28 2001-04-13 Mitsubishi Gas Chem Co Inc レジスト剥離液組成物
KR100341828B1 (ko) * 2000-05-06 2002-06-26 박호군 표면 박피가 가능한 전단변형장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105621893A (zh) * 2014-12-01 2016-06-01 焦作飞鸿安全玻璃有限公司 蚀刻印刷玻璃的生产方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005533896A (ja) 2005-11-10
EP1551936A1 (en) 2005-07-13
EP1551936A4 (en) 2008-04-16
TW200408003A (en) 2004-05-16
US20040016904A1 (en) 2004-01-29
WO2004009730A1 (en) 2004-01-29
US6849200B2 (en) 2005-02-01
AU2003249279A1 (en) 2004-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1671821A (zh) 湿法脱模去除牺牲抗反射材料的组合物和方法
CN1575328A (zh) 用于清洗半导体基质上无机残渣含有铜特效腐蚀抑制剂的含水清洗组合物
CN1170903C (zh) 含有机添加剂的钽障壁浆液
CN1918698A (zh) 半导体装置用基板的洗涤液及洗涤方法
CN1290961C (zh) 用于化学机械抛光的水分散体和半导体设备的生产方法
CN1267972C (zh) 半导体基板洗涤剂和洗涤方法
CN1420161A (zh) 基片表面洗净液及洗净方法
CN1064986C (zh) 一种清洗和腐蚀电子显示器以及衬片的组合物
JP6963684B2 (ja) 半導体装置の製造においてケイ素−ゲルマニウム／ケイ素積層体からケイ素およびケイ素−ゲルマニウム合金を同時に除去するためのエッチング溶液
CN1639846A (zh) 半导体器件用基板的清洗液及清洗方法
JP5335183B2 (ja) 研磨用組成物及び研磨方法
CN1712506A (zh) 半导体部件清洗用组合物及半导体装置的制造方法
CN1723273A (zh) 清洗剂组合物、半导体晶片的清洗和制造方法、以及半导体晶片
CN1543592A (zh) 亚砜吡咯烷(啉)酮链烷醇胺剥离和清洗组合物
CN1426452A (zh) 洗涤剂组合物
JP4918939B2 (ja) 半導体ドライプロセス後の残渣除去液及びそれを用いた残渣除去方法
KR20190124285A (ko) 화학 기계적 연마 후 제제 및 사용 방법
CN101075570A (zh) 化合物半导体衬底及其检测方法和表面处理方法和制造化合物半导体晶体的方法
CN1920671A (zh) 光致抗蚀剂残渣、聚合物残渣除去组合物和残渣除去方法
CN1706925A (zh) 干蚀刻后的洗涤液组合物及半导体装置的制造方法
CN1670147A (zh) 碱性后化学机械平面化清洗组合物
CN1922102A (zh) 用于制备含f2气体的方法和装置以及用于制品表面改性的方法和装置
CN1828843A (zh) 以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法
CN1828841A (zh) 基板表面的处理方法、基板的清洗方法及程序
CN1929096A (zh) 等离子体灰化方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication