CN1649100A - 高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***及其方法 - Google Patents
高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***及其方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1649100A CN1649100A CN 200410070745 CN200410070745A CN1649100A CN 1649100 A CN1649100 A CN 1649100A CN 200410070745 CN200410070745 CN 200410070745 CN 200410070745 A CN200410070745 A CN 200410070745A CN 1649100 A CN1649100 A CN 1649100A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- cleaning
- ozone
- solution
- liquid phase
- concentration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明是有关一种高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***及其方法，该方法主要利用超纯水与气相臭氧，在具有重力场的一机构环境中的气、液溶解结合制程、清洗溶液浓度动态分析制程与资料馈控技术，包含高浓度大流量液相臭氧水的制作为清洗溶液、晶圆清洗同时对溶液中臭氧、添加剂浓度与水温的动态监测，和监测值分析馈送并反应进行调整控制运作，而在维持有效晶圆表面清洗能力下，进行连续式快速的大量晶圆清洗。该***包含一液相臭氧生成机构、一储槽或清洗槽、一添加剂供应机构、一监控机构及一自动馈控机构。
Description
技术领域
本发明是涉及一种高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***及其方法，乃是涉及半导体晶圆的臭氧清洗的技术领域，特别是指一种利用气相臭氧与水溶剂在一机构中高度质传而液相溶解形成清洗溶液的臭氧水溶液，以及臭氧对晶圆材料表面进行氧化反应，配合清洗制程中，臭氧水清洗溶液浓度的监测与浓度回馈控制维持，能快速有效将半导体及光电制程有关晶圆及玻璃基板表面的光阻或其它有机附着物，加以氧化分解清洗的臭氧清洗方法及其装置。
背景技术
按，半导体晶圆的制作，在制程中所包括的每个步骤：蚀刻、氧化、沉积、去光阻以及化学机械研磨等，都是造成晶圆表面污染的来源，且晶圆表面的污染，一向是制程品质及产量的最大障碍，因此，晶圆的制程中必需经过反复多次清洗制程。且随着超大规模集成电路(VLSI，ULSI)的发展，对于晶圆洁净度要求更趋严苛。
晶圆表面洁净的目的，在于清除所有的微量污染物，包括有机物、金属附着物、微粒子等，并且控制晶圆表面形成的薄氧化膜(Thin oxide)，以及保持晶圆表面平坦与抗水、抗电状态。目前已知且常被使用的洁净方法，可概分为湿式及干式法。其中干式清洗方式，是利用高能量(如热能、电能、放射能)产生的化学反应进行表面结净处理。另该湿式法利用溶剂、酸性溶液、界面活性剂，混合纯水进行洗涤、氧化、浸蚀与溶解等清洗作业方法；此也是目前最常被采用的清洗方式。至于湿式清洗技术目前为业者普遍使用者，包括下列几种方法：
1.H2SO4/H2O2@100～130℃(SPM)，又称″Prianha Clean″，用以去除有机污染物。
2.HF或稀释HF(DHF)@20～25℃，主要用途为侵蚀氧化膜(Silicon ozide)。
3.NH4OH/H2O2/H2O@30～80℃(APM)，用于碱水与侵蚀表面，以便于清除微粒子；同时可去除有机物与金属污染物。
4.HCl/H2O2/H2O@65～85℃(HPM)，主要用于清除金属污染物。
5.H2SO4/O3/H2O@90～120℃(SOM)，可去除有机物、金属，并减少H2SO4用量。
又目前业者常使用于前段晶圆制程的清洗步骤的RCA标准清洗法(RCAStandard Clean)，即是综合前述第1～4种方法以进行对晶圆清洗处理；前述这些清洗法，对于晶圆表面有机光阻及其它固态污染物的去除，皆可达到高度的洁净效果，但是在清洗制程中，前述RCA晶圆清洗程序，据估计，每天必需耗用45,000吨(相当于十座八时晶圆厂的每日用水量)以上的超纯水，并在高温下达成效果，同时所使用的H2SO4、HCl及H2O2等药剂，将会产生上百吨强酸强碱废液(有害废弃物)排放。这些缺点常造成无尘室内(Fab)空气及废气处理***负担超荷，且化学品在高温下的挥发性，使洁净液的组成浓度不易控制，使其洁净效果减低。
再者，“制程奈米化及”、“绿色生产”是目前与将来高科技产业发展的共同趋势，包括深次米半导体、TFT-LCD、III-Vs通讯组件、超精密加工、奈米材料制造、奈米电子组件等技术，皆积极朝超精细与超洁净的方向研发，在奈米化制程环境中，任一环节的极少量污染物(如微颗粒、金属离子、有机杂质等)的存在，都可能造成制程良率极大的伤害，而这种严格的制程洁度需求，已经无法经由传统电子制程的RCA清洗程序来提供，且前述这些高水资源耗用、高污染水排放的制程，也将严重影响高科技电子产业的发展。特别是，“环境友善生产(EnvironmentallyBenign Manufacturing)”是半导体及光电产业制程未来发展的最新趋势，新式制程的研发驱动力是追求与现行技术一样好或更好的执行制程(Process Performance)，同时对环境却更洁净、更友善。
目前臭氧制造方式，包括光化学法，此项技术多使用于制造少量臭氧的应用。放电法，是一种类似自然界电击现象，因此对于空气的湿度要求很高。以及所谓的电浆法，利用含钝气的玻璃真空管，在高能量下产生电子冲击而制造臭氧。至于前述方式所制成的臭氧的用于晶圆清洗，是必需将气相臭氧溶解于纯水中形成洁净溶液来进行清洗作业，且是不同于传统工业所需的低浓度臭氧(1ppm以内至数个ppm)运用，半导体及光电清洗制程需要长时间稳定供应的中高浓度臭氧水(数十ppm范围)，因此，气相臭氧的水溶解度，对于制造含臭氧的超洁净清洗溶液是一环重要的瓶颈。且气相臭氧的溶解度低，对环境变因极敏感；而具体影响气相臭氧水溶解度的主要因素，包括气相臭氧的浓度、溶液温度及酸碱度等。
现行技术皆试图单纯以控制物理条件，使趋近热力学饱和浓度以提高臭氧溶解效率，由相关技术资料及专利发表结果，如：
在臭氧水产生***方面，有US5,971,368(臭氧水产生***设计，以pressurizedvessel提高溶解度)及DE19752769(臭氧水产生***设计，以pipeline reactor进行O3溶解)。
在晶圆清洗***设计方面，有US5,776,296、US5,464,480(低温1～15℃)浸泡式臭氧水晶圆清洗槽体)、DE19801360(旋转式臭氧水晶圆清洗槽体，操作温度20～70℃)及JP2000058496(高温式臭氧水晶圆清洗***)。
在晶圆清洗配方设计方面，有US6,080,531[以DI-O3(约36ppm)进行含金属氧化层的organics去除]、US5,964,953[以DI-O3(数个ppm)配合NH4OH(aq)，去除Al、organics]、US5,759,971(将O3溶入0.03～0.05％HF，用作晶圆清洗液)、US5,632,847[将O3导入(HCl+HF)(aq)，以bubble型态清洗晶圆表面]、US5,626,681、EP0708480[以DI-O3(数个ppm)+HF(aq)配合brush-scrubbing，清洗polished wafer，降低microroughness]及FR2779980[将O3溶入HCl(aq)后再与HF(aq)混合，用作晶圆清洗液]。
分析前述这些臭氧水清洗溶液相关研究的专利内容，多以改良臭氧水气液接触***及清洗***温压操作范围控制，达到提高臭氧水浓度及增进反应速率目的；但是在实际应用上的效率仍未尽理想，缘因单以改变物理条件以趋近热力学的臭氧饱和浓度对增进臭氧水浓度的改进有限，且届至目前为止，对于臭氧水晶圆清洗配方研发也多集中于低浓度(数个ppm)的应用，这是现阶段臭氧水技术发展遭遇的最大技术瓶颈，也是造成至今无法在制程上普及应用的原因的一。
另一重要的原因在于前述这些专利内容，应用于晶圆清洗过程中，完全无法掌握清洗槽体内臭氧浓度分布状况或能自动进行调整；按，以往臭氧程序用在半导体制程的晶圆清洗，主要藉由高浓度气相臭氧，以分散搅拌或曝气装置将臭氧气体分散成细小气泡，以增加气液接触表面积，进而提高质传效果，但气泡仍受重力与浮力的限制，无法有效提供快速的质传效果与纯水相溶解，形成高浓度液相臭氧水。当晶圆浸入清洗槽时，会快速消耗清洗溶液中的臭氧，且在无法掌握清洗槽体内臭氧浓度分布状况或能自动进行调整的状况下，往往导致反应过程中后期的溶液中臭氧浓度不足，无法有效将晶圆表面的有机物(如光阻)或其它氧化层移除，必须延长晶圆的清洗时间，进而导致产量无法提升。更无法进行连续式的大量清洗制程作业。虽目前已有部分改良程序，藉由照射UV光加速臭氧的氧化能力，但其促进的程度仍主要取决于水溶液中的臭氧浓度，并不仅只在这UV光的照射所能具体的提升氧化的能力；在目前已知的气相臭氧与纯水溶解技术上，仍无法获得有效的突破。
发明内容
本发明的主要目的的一是，提供一种高效能臭氧水清洗半导体晶圆的方法，主要在利用含有高度液相溶解气相臭氧形成的液相臭氧，藉由臭氧氧化达到晶圆及玻璃基材表面洁净清洗的方法，其能快速有效将晶圆表面的光阻或其它有机附着物加以氧化分解。
本发明的另一主要目的所提供的一种高效能臭氧水清洗半导体晶圆的方法，能因应清洗制程中清洗溶液中臭氧浓度的变化，实时监测并回馈控制运作调整，稳定维持清洗制程的各项条件与应用参数，提高半导体制程的运转速度，并降低传统晶圆清洗法的操作繁复程度与清洗时间。
本发明的又一主要目的在提供一种高效能臭氧水清洗半导体晶圆的方法，利用对清洗溶液实时臭氧浓度的侦测与馈送控制反应，而能以连续式快速处理大量晶圆的清洗，并维持甚至控制程序的氧化分解能力，期以达到不同晶圆表面清洁程度的要求，有效且精确地控制晶圆表面氧化的特性。
本发明的再一主要目的，是提供一种高效能臭氧水清洗半导体晶圆的方法，利用氧化能力佳的臭氧，并以双氧水作为添加剂，获得不易残存且毒性较低的晶圆清洗溶液，相较于习知使用浓硫酸或其它较具危害性的药剂，得以降低大量使用具环境冲击的化学药剂，而造成化学药品处置及处理的环境问题。
为达成本发明上述目的及功效，其所采取的具体技术手段包括：
高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***，该***架构包含：
一液相臭氧生成机构；由所提供的超纯水与气相臭氧在此机构中，配合重力场运作进行高质传接触溶解，以获得高臭氧液相溶解的清洗溶液；
一储槽或清洗槽，提供前述用以清洗的水溶液的储置，与提供晶圆进行清洗的作业空间；
一添加剂供应机构，受一自动馈控机构控制，进行将添加物投入储槽或清洗槽的一机构；
一监控机构，包含液相臭气浓度、添加剂浓度、酸碱质控制及水恒温控制的监控，随时在清洗制程中，监测溶液中各种参数的最佳设定值维持，并将侦测结果回馈式透过传送技术送到一自动馈控机构进行分析与反应；
一自动馈控机构，随时接收前述监控机构所馈回的各种浓度与条件参数侦测资料，并进行分析及设定值比对，进而反应浓度、水温与酸碱值等参数，而进行维持有效清洗所设定的各项参数与条件的调整控制。
该高速离心式重力场装置所形成的重力场，是为一可藉由旋转转速的改变而获得调整，用以控制臭氧与水溶剂间的强制溶解度，来维持清洗水溶液的浓度或适用不同的清洗标的物使用。
该晶圆清洗溶液的液相臭氧浓度，是透过超纯水、气相臭氧的提供量，以及高速离心式重力场装置的转速而控制，来维持清洗水溶液的浓度或适用不同的清洗标的物使用。
本发明为达成上述目的及功效，其所采取的进一步具体技术手段包括：
高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***，是用以配合半导晶圆进行连续式大量清洗的***，该***架构包含：
一液相臭氧生成机构，进行超纯水与气相臭氧的重力场高质传接触溶解环境，以获得高臭氧液相溶解的晶圆清洗溶液；
一清洗槽，管路连结前述液相臭氧生成机构取得清洗溶液与储置，并提供晶圆浸入清洗的空间；
一添加剂供应机构，连结前述清洗槽，受控进行添加剂的添加；
一监控机构，布设于前述清洗槽中，在清洗过程中实时侦测清洗溶液各种应用参数，并回馈该资料于一自动馈控机构；
一自动馈控机构，输入并记忆溶液应用参数设定值；并接受前述监控机构侦测回馈的各种参数资料，实时的进行收集与分析、比对设定标准值，同时对于比对结果作出迅速的反应机制，进而迅速调整各项操作参数，以维持溶液具有最佳氧化分解能力，保持最有效对晶圆表面的有机物(如光阻)或其它氧化层的移除，更可以用以大量且连续式的清洗晶圆。
该晶圆清洗溶液，是采用臭氧水与添加剂混合组成的溶液使用。
该臭氧水的浓度，是透过超纯水的提供流量、液相臭氧的供应量及前述液相臭氧生成机构的转速所控制。
该液相臭氧生成机构中所形成的高速离心式重力场，是藉由一动力构件的转速调整而改变，用以控制臭氧与水溶剂间的强制溶解度，来维持清洗水溶液的浓度或适用不同的清洗标的物使用。
该清洗槽对于清洗使用过的臭氧水，是由一排放口透过管路连结超纯水导入口，以回流方式再利用。
该清洗槽进行晶圆清洗过程中，亦可配合短波长紫外光(UV)的照射，进一步提升清洗制程中，对于有机物的氧化分解速度。
该添加剂供应机构所提供的添加剂是采用过氧化氢(H2O2，双氧水)。
该监控机构，包括：
一液相及气相臭氧浓度侦测单元，用以取样与浓度分析在清洗槽中臭氧水的液相及气相臭气浓度；
一添加剂浓度侦测单元，用以取样并分析清洗槽中溶液的添加剂浓度；
一酸碱值侦控单元，进行溶液酸碱值的量测与资料讯号的收集；
一水温侦控单元，随时量测溶液的温度并进行恒温的控制。
该自动馈控机构，是采用具快速应答且降低控制偏差的方式进行对各项操作参数的调整，并得对前述监控机构所侦测取得的回馈资料，进行反应而输出控制讯号，用以对气相臭氧产生浓度、动力构件转速与气、液进料比，及添加剂添加剂量、pH值及水温等参数条件的回馈控制调整，使得清洗槽中的清洗溶液，能维持为稳定的液相臭氧浓度、添加剂浓度、pH值及水温等是在最佳的晶圆清洗条件。
本发明为达成上述目的及功效，其所采取的进一步具体技术手段包括：
高效能臭氧水清洗半导体晶圆的方法，该方法包括：
提供一高浓度液相臭氧清洗溶液；
提供一前述液相臭氧清洗溶液与添加剂储置混合的储槽；
将晶圆浸入前述储槽；
以前述液相臭氧清洗溶液与添加剂混合液，氧化清洗晶圆表面；
前述晶圆清洗制程中，实时监测前述混合溶液的各溶剂与条件参数，并馈送至一自动馈控机构；
由该自动馈控机构收集、分析比对前述馈送参数资料，并实时应答进行迅速的反应机制，进而迅速调整各项操作参数，以维持溶液具有最佳氧化分解能力，保持最有效对晶圆表面的有机物(如光阻)或其它氧化层的移除，更可以用以大量且连续式的清洗晶圆。
该晶圆清洗过程的参数侦侧，是藉由布设在前述储槽中的监测机构进行对包括液相臭氧浓度侦测、添加剂浓度侦测、溶液酸碱值侦测及溶液温度侦测，再将侦测资料回馈到自动馈控机构。
该自动馈控机构的参数调整控制，包括气相臭氧产生浓度、形成重力场的转速与气、液进料比、添加剂添加剂量与添加速度、pH值及水温等参数条件的回馈控制调整，使得清洗溶液，能维持为稳定的液相臭氧浓度、添加剂浓度、pH值及水温等是在最佳的晶圆清洗条件。
本发明为达成上述目的及功效，其所采取的进一步具体技术手段包括：
高效能臭氧水清洗半导体晶圆的方法，是在一清洗槽中，利用液相臭氧溶液与过氧化氢的混合液作为晶圆清洗溶液，用以氧化分解清洗晶圆表面；以及利用监测机构实时侦测前述清洗溶液中各溶剂与条件的参数，并馈送至自动馈控机构进行实时的参数调整控制，以维持溶液具有最佳氧化分解能力，保持最有效对晶圆表面的有机物(如光阻)或其它氧化层的移除，更可以用以大量且连续式的清洗晶圆。
该臭氧水进行高度重力场高质传接触溶解的环境，是由一液相臭氧生成机构所提供，该液相臭氧生成机构所提供的重力场环境是一个可调整的环境，以进行不同臭氧浓度的臭氧水，以适用于不同的清洗标的物使用。
在一较佳的实施例中，前述的液相臭氧生成机构是采用一种高速离心式重力旋转填充床，利用此高效率分离装置，由超重力技术运作以强化气相臭氧与超纯水的质传接触与溶解效果，形成高液相溶解的高浓度臭氧水作为清洗溶液。并可利用该机构的重力场调整，控制臭氧与水溶剂间的强制溶解度，来维持清洗水溶液的浓度或适用不同的清洗标的物使用。
在另一较佳实例中，该清洗作业使用的添加剂是采用过氧化氢(H2O2，双氧水)，该添加剂可以提高对晶圆表面有机物的氧化分解能力。
为能弥补传统清洗法的缺失，同时能达到至少相等的洁净效果，近十年来已陆续出现以臭氧代替其它化学品的清洗法。臭氧为强氧化性气体、不稳定气体且具强烈腐蚀性等特性的气体，可以添加触媒剂，如氧化锰(MnO2)，藉以迅速破坏，因此不但可以减少清洗的步骤，更能减少清洗制程中对环境安全的负面影响。而且臭氧水用于晶圆清洗是需要具备下列的技术特性：
(一)高洁净度：现场(on-site)制造，没有贮存输送污染问题，且可取代清洗制程使用的H2O2，避免金属污染疑虑。
(二)高制程效率：可制造高纯度超薄(＜20A)gate oxide，其品质优于现行热氧化程序的效能(thermal oxidation process performance)，是0.13μm制程以降所必须。
(三)低污染排放：能大幅度(甚至完全)取代RCA晶圆洁净制程所使用的
H2SO4、HCl及H2O2等药剂，减少废酸(有害废弃物)排放，并能节省清洗制程超纯水用量达20％。
因此，利用臭氧水的清洗，被视为最具潜力的新世代IC制程技术中的一环，可被应用在UPW微量TOC reduction，photoresist removal、post-etch cleaning、post-CMPcleaning、pre-gate cleaning及ultra-thin gate oxide growth等制程。
附图说明
图1是本发明一较佳实施例***清洗方法的流程图；
图2是本发明一较佳实施例***的架构图；
图3是本发明液相臭氧生成机构的结构图；
图4是本发明液相臭氧生成机构中旋转主体的结构图；
图5是本发明液相臭氧生成机构中旋转主体的侧视图。
具体实施方式
本发明是有关一种利用高浓度大流量臭氧水的产生制程，形成液相臭氧水提供为清洗溶液，并在一储槽或清洗槽进行晶圆的清洗作业，同时在清洗过程中，透过液溶浓度与条件等参数动态分析技术，随时掌握清洗槽体内各种参数如臭氧与添加剂浓度、酸碱值与水温等环境条件的监测，且利用取得的参数产生回馈式控制，自动调整各种参数，使达到维持清洗槽最佳浓度分布效果，而在维持有效晶圆表面清洗能力下，进行连续式快速的大量晶圆清洗。
本发明的较佳实施例将前述的高效能臭氧水清洗半导体晶圆的方法的主要技术内容适当揭示于以下所列举的一较佳实施例中，并利用该较佳实施例***将本发明的主要技术内容予以适当实施。
图1、2揭示本发明一较佳实施例高效能臭氧水清洗半导体晶圆***的运作流程图与架构图。本案较佳实施例的高效能臭氧水清洗半导体晶圆***，该***架构主要是由一液相臭氧生成机构1，提供气相臭氧与超纯水的溶解产生臭氧水溶液；一清洗槽2，用以储放臭氧水并进行晶圆的浸入清洗作业；一添加剂供应机构3，提供清洗过程中添加剂的供应与供应速度控制；一监控机构4，用以在清洗过程中随时监测各浓度与环境条件的应用参数；及一自动馈控机构5，收集前述监控机构4所回馈的侦测值进行分析比对，并实时应答控制浓度调整运作所组成。其中，
该液相臭氧生成机构1，主要在提供气相臭氧与超纯水的溶解形成高浓度臭氧水的产生机构；如图2及图3所揭示的具体实施例中，该液相臭氧生成机构1是为一高速离心式重力场装置，具有在主体外壳11中产生一高速旋转下产生的离心式重力场坏境，形成一可将超纯水切碎成小液滴或雾状条件，进而与逆向传送的气相臭氧，进行完全的溶解、搅拌混合，并快速地溶解气相臭氧的一质传机制，获得高浓度液相臭氧水溶液。
在其它具体的实施例结构中，该液相臭氧生成机构1是采用一高重力旋转填充床配置使用，以在填充床所提供的高重力旋转环境中，促进液相超纯水与气相臭氧的高度溶解混合成臭氧水，作为本发明的晶圆清洗溶液。
前述液相臭氧生成机构1，如图3所示，在具体实施例结构中，包括有一主体外壳11，提供一个中空的封闭空间以进行重力场环境的气、液溶解运作；一配合气密封轴12而轴组在前述主体外壳11内的旋转主体13，旋转主体13上配置有多数个填充物档板131；一驱动前述旋转主体13旋转运作的动力构件14，如马达配置采用；一超纯水喷头15，套置于前述旋转主体13的轴部中央，并与超纯水导入口16相连结，作为超纯水的导入并旋转主体13内形成喷洒运作；一臭氧气导入口17，用以连结臭氧产生器62以取得气相臭氧气的导入；一臭氧水导出口18，用以连结清洗槽2提供高浓度臭氧水；一气体压力旁路19，透过管路连结一气相臭气分析单元10，在液相臭氧生成机构1运作中随时侦测分析所导入的臭氧气浓度参数。此外，该液相臭氧生成机构1的各进水口、出水口、进气口、排气口，与其它需阻隔水、气进出的管路或相关的细部气密性构造等，因均直接采用常用的气密构件配置，故均予省略未示。
又，前述该液相臭氧生成机构1的旋转主体11，在一具体实施例架构中，是呈一堆栈盘形态的结构体，如图4及图5所示，包括一由填充物阻隔网组成所界定的旋转体外壁111，与同样由填充物阻隔网组成所界定的一旋转体内壁112。于其间可填充惰性材质的填充材料，如塑料球、不锈钢金属网、玻璃球、陶瓷填充物、金属氧化物锭材或其它可分散水溶液与气体的材料结构。而为保持高速旋转时填充床主体的强度，必须以旋转体支撑固定构件113如螺丝，进行对旋转体外壁111与旋转体内壁112的固定。
前述液相臭氧生成机构1所用以混合溶解产生臭氧水的材料来源，包括管路连结的纯水供应器61，提供超纯水的导入；一臭氧产生器62，用以生成并提供臭氧输入到液相臭氧生成机构1中，并在该液相臭氧生成机构1中配合高速离心式重力旋转运作，可增加气、液接触的停留时间，并改变气、液界面的微观重力环境，同时透过液相臭氧生成机构1大量增加气、液接触的质传面积，可有效提升臭氧在水溶液中的溶解度，并降低质传臭氧至平衡液相臭氧浓度所需的时间，更可藉由动力构件14转速的调整，而改变液相臭氧生成机构1内的重力场；前述经液相臭氧生成机构1所产生的高浓度臭氧水溶液，将透过连结管路输送到清洗槽2。
一清洗槽2，主要在提供前述液相臭氧生成机构1所产生清洗溶液的臭氧水储置，与提供晶圆浸入进行清洗作业的空间；该清洗槽2在具体的实施例结构中，是采用一筒形容器，透过管路与前述液相臭氧生成机构1的臭氧水导出口18连结，以取得作为清洗溶液的臭氧水。而经过使用后的臭氧水，则可由一排放口20排出，或将其引回***中，配合超纯水导入口16，以回流方式再利用。
一添加剂供应机构3，是透过管路直接与前述清洗槽2连结，用以在清洗过程中受控制的进行添加剂的添加。在本发明具体实施例中所采用的添加剂，以过氧化氢(H2O2)添加为最佳，可以提高对晶圆表面有机物的氧化分解能力。
一监控机构4，主要是晶圆在清洗槽2进行清洗过程中，用以随时的监测清洗溶液中各种浓度的参数；此机构4包括：一液相臭氧浓度侦测单元41、添加剂浓度侦测单元42、酸碱值侦控单元43及水温侦控单元44。该液相臭氧浓度侦测单元41被布设在清洗槽2中，是在侦测清洗槽2中臭氧水的液相臭气浓度，并在具体实施例配置上，可以采用一液相臭气分析仪使用，得以进行液相臭氧的取样与浓度分析；一添加剂浓度侦测单元42，同样是在清洗槽2中取样并分析该添加剂的浓度是否在设定值范围内；一酸碱值侦控单元43，利用该pH值侦测器431在清洗槽2中进行酸碱值的量测，并由pH值控制器432进行资料讯号的收集；以及一水温侦控单元44，随时量测溶液的温度，并进行恒温的控制。前述监控机构4的各种侦测或量测结果资料讯号，将会自动馈送到一自动馈控机构5，进行分析与比对与反应控制运作。
一自动馈控机构5，得配合软件程序的设计对前述监控机构4所侦测取得的回馈资料，配合各种浓度或温度标准值的设定与记忆，由该自动馈控机构5进行侦测回馈资料的收集，以及与前述设定值比对，同时对于比对结果有未达标准者，即进行反应而输出控制讯号进行机构运作的控制。
前述该自动馈控机构5，在一较佳的具体实施例配置架构中，可使用一般PID参数控制或是硬化参数控制或类神经网络的学习型控制方式，主要以能快速应答且降低控制偏差的方式进行对各项操作参数的调整。
前述该自动馈控机构5经获得前述监控机构4的液相臭氧浓度侦测单元41，对清洗槽2内臭氧水清洗溶液的液相臭氧浓度的侦测结果，经比对分析后并根据晶圆清洗制程条件如设定的标准值，进而调整液相臭氧生成机构1的动力构件14转速，以及臭氧产生器62的电压值或纯水供应器61的出水流量，使产生设定浓度的臭氧水导入清洗槽2内使用。或依据侦测回馈的添加剂浓度资料，反应并控制添加剂供应机构3的添加重与速度。
根据本发明前述一较佳实施例的高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***，在利用该***用以晶圆清洗的方法，请参阅图1、2所绘示的本发明的一较佳实施例的高效能臭氧水清洗半导体晶圆的方法的运作流程图与架构流程图。
首先，由液相臭氧生成机构1运作产生液相臭氧水清洗溶液，即利用该高重力旋转填充床，提供具有提高气相臭氧与液相超纯水的接触表面积及改变接触质传时的环境条件，以进行气、液高度溶解结合形成高浓度的臭氧水。
在具体的运作过程包括：激活液相臭氧生成机构1管路连结的纯水供应器61，使超纯水经超纯水导入口16导入位于液相臭氧生成机构1内，藉由超纯水喷头15喷向旋转主体13，透过旋转主体13在动力构件14的旋转驱动，利用离心力从填充物档板131向外甩出。而在旋转主体131与超纯水进料口16间则以气体压力旁路包覆，并由气密轴封12隔绝，以利旋转填充床的气密与压力维持，压力变化亦可从压力表或由压差显示器进行直接观察。臭氧气则由臭氧产生器62产生，并经由管路连结液相臭氧生成机构1的臭氧气导入口17输入高重力旋转填充床，从液相臭氧生成机构1设计的气液进料方向可得知，臭氧气体与超纯水进料，是采取逆向流动的质传接触，超纯水由液相臭氧生成机构1顶部的超纯水进料口16导入，由底部臭氧水溶液出口18流出，以利使用。臭氧气体则从液相臭氧生成机构1的侧面臭氧气体入口17导入，透过在填充床旋转主体11内的强制气液质传，残余的臭氧气体会从液相臭氧生成机构1顶部的气体压力旁路19释放。
如此，即可藉由液相臭氧生成机构1的高速旋转，产生的高重力环境及强制提高的表面接触机会，有效促进气相臭氧与超纯水溶剂的接触质传，而在高速旋转的旋转主体13的各填充材间，超纯水溶剂会被剪力切碎成小液滴，甚至雾状的条件，进而与逆向传送的气相臭氧，进行完全的溶解混合，可有效产生搅拌混合作用，并快速地溶解气相臭氧。透过此一质传机制，可有效且快速将臭氧溶解于水溶剂中，形成本发明适用于晶圆清洗使用的清洗溶液主要组成物，同时经由液相臭氧生成机构1的底部臭氧水溶液出口18流出输送到前述清洗槽2储置。
同时也激活添加剂供应装置3，依设定的最佳浓度比例的添加剂如过氧化氢(H2O2)，添加到前述的清洗槽2中，与臭氧水混合组成清洗溶液，并将待清洗的晶圆浸入清洗槽2中，利用臭氧水与添加剂组成的混合溶液，来进行晶圆表面的氧化分解清洗。
前述晶圆在浸入清洗槽2中进行清洗的过程中，本发明***中监测机构4的各个侦测单元41、42、43、44，也同时开始随时的各种应用参数侦测；透过液相臭氧浓度侦测单元41对清洗槽2内溶液中臭氧浓度的侦测取样与分析；添加剂浓度侦测单元42，同样是在清洗槽2中取样并分析该添加剂的浓度；酸碱值侦控单元43在清洗槽2中进行酸碱值的量测；以及水温侦控单元44随时量测溶液的温度等，实时的侦测取得溶液及清洗槽2内各种参数，并将所侦测取得的资料，回馈送到本发明***的自动馈控机构5，以进行参数的分析、比对。
本发明***中的自动馈控机构5对于经由前述监测机构4所侦测取得的各项参数，也将实时的进行收集与分析、比对设定标准值，并对于比对结果作出迅速的反应机制，进而迅速调整各项操作参数，如液相臭氧生成机构1产生的气相臭氧产生浓度，以及转速与气液进料比、过氧化氢添加剂量、pH值及水温等条件，使得清洗槽2中的清洗溶液，能维持为稳定的液相臭氧浓度、添加剂浓度、pH值及水温等是在最佳的晶圆清洗条件，更能承受瞬间大量的晶圆清洗负荷，并快速进行应答，且稳定维持清洗槽内的液相臭氧浓度，提升晶圆清洗效率并降低电力能源消耗，同时降低化学清洗药品的使用量，此亦可降低半导体厂运作时对环境的冲击，降低耗水重。
根据本发明前述实施高效能臭氧水清洗半导体晶圆的方法。可以获得高浓度及高溶解度的气、液溶解臭氧水溶液，应用于晶圆的清洗，且可以获得极佳的快速有效将晶圆表面的光阻或其它有机附着物加以氧化分解；更可随时进行清洗中溶液浓度的监测与回馈控制，相较于习知臭氧水清洗方法，不会存在晶圆浸入而快速消耗清洗溶液中的臭氧，导致反应过程中后期的溶液中臭氧浓度不足，无法有效将晶圆表面的有机物(如光阻)或其它氧化层移除的问题，而本发明则可以透过清洗过程中，随时对清洗槽2中溶液的各种应用参数与含量浓度的侦测与回馈进行补充控制，特别是使臭氧浓度能持续的维持在最佳的晶圆清洗氧化分解能力，保持最有效对晶圆表面的有机物(如光阻)或其它氧化层的移除，更可以用以大量且连续式的清洗晶圆。
在另一较佳的具体实施例中，本发明的液相臭氧生成机构1中产生液相臭氧水，及晶圆在清洗槽2进行清洗过程中，亦可以配合短波长紫外光(UV)的照射，进一步提升清洗制程中，对于有机物的氧化分解速度，并能充分利用溶入超纯水中的臭氧与过氧化氢，有效进行非循环式清洗流程，并将残余臭氧及过氧化氢对环境的冲击降至最低。
本发明所提供的高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***及其方法，务须确实了解此处所宣布的实施例，是用来解释而非用来过度限制本发明的申请专利范围，未在此处所述的其它实施例与申请，均视为在本发明的范围内。在此亦务须确实了解，虽然已经讨论了本案高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***及其方法的特定实施方式，但执行大部份类似功能的这些实施结构，仍为本发明的申请专利范围所要保护的范畴内。
Claims (17)
1.一种高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***，是用以配合半导晶圆进行连续式大量清洗的***，该***架构包含：
一液相臭氧生成机构，进行超纯水与气相臭氧的重力场高质传接触溶解环境，以获得高臭氧液相溶解的晶圆清洗溶液；
一清洗槽，管路连结前述液相臭氧生成机构取得清洗溶液与储置，并提供晶圆浸入清洗的空间；
一添加剂供应机构，连结前述清洗槽，受控进行添加剂的添加；
一监控机构，布设于前述清洗槽中，在清洗过程中实时侦测清洗溶液各种应用参数，并回馈该资料于一自动馈控机构；
一自动馈控机构，输入并记忆溶液应用参数设定值；并接受前述监控机构侦测回馈的各种参数资料，实时的进行收集与分析、比对设定标准值，同时对于比对结果作出迅速的反应机制，进而迅速调整各项操作参数，以维持溶液具有最佳氧化分解能力，保持最有效对晶圆表面的有机物(如光阻)或其它氧化层的移除，更可以用以大量且连续式的清洗晶圆。
2.根据权利要求1所述的高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***，其特征在于，该晶圆清洗溶液，是采用臭氧水与添加剂混合组成的溶液使用。
3.根据权利要求2所述的高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***，其特征在于，该臭氧水的浓度，是透过超纯水的提供流量、液相臭氧的供应量及前述液相臭氧生成机构的转速所控制。
4.根据权利要求1所述的高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***，其特征在于，该液相臭氧生成机构中所形成的高速离心式重力场，是藉由一动力构件的转速调整而改变，用以控制臭氧与水溶剂间的强制溶解度，来维持清洗水溶液的浓度或适用不同的清洗标的物使用。
5.根据权利要求1所述的高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***，其特征在于，该清洗槽对于清洗使用过的臭氧水，是由一排放口透过管路连结超纯水导入口，以回流方式再利用。
6.根据权利要求1所述的高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***，其特征在于，该清洗槽进行晶圆清洗过程中，亦可配合短波长紫外光(UV)的照射，进一步提升清洗制程中，对于有机物的氧化分解速度。
7.根据权利要求1所述的高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***，其特征在于，该添加剂供应机构所提供的添加剂是采用过氧化氢(H2O2，双氧水)。
8.根据权利要求1所述的高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***，其特征在于，该监控机构，包括：
一液相及气相臭氧浓度侦测单元，用以取样与浓度分析在清洗槽中臭氧水的液相及气相臭气浓度；
一添加剂浓度侦测单元，用以取样并分析清洗槽中溶液的添加剂浓度；
一酸碱值侦控单元，进行溶液酸碱值的量测与资料讯号的收集；
一水温侦控单元，随时量测溶液的温度并进行恒温的控制。
9.根据权利要求1所述的高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***，其特征在于，该自动馈控机构，是采用具快速应答且降低控制偏差的方式进行对各项操作参数的调整，并得对前述监控机构所侦测取得的回馈资料，进行反应而输出控制讯号，用以对气相臭氧产生浓度、动力构件转速与气、液进料比，及添加剂添加剂量、pH值及水温等参数条件的回馈控制调整，使得清洗槽中的清洗溶液，能维持为稳定的液相臭氧浓度、添加剂浓度、pH值及水温等是在最佳的晶圆清洗条件。
10.一种高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***，该***架构包含：
一高速离心式重力场装置，进行超纯水与气相臭氧的重力场高质传接触溶解环境，以获得高臭氧液相溶解的晶圆清洗溶液；
一储槽，管路连结前述液相臭氧生成机构取得清洗溶液储置；
一添加剂供应机构，连结前述清洗槽，受控进行添加剂的添加；
一监控机构，布设于前述清洗槽中，在清洗过程中实时侦测各种清洗溶液应用参数，并回馈该资料于一自动馈控机构；
一自动馈控机构，含有溶液应用参数设定值，接受前述监控机构侦测回馈的各种参数资料，实时的进行收集与分析、比对设定标准值，并对于比对结果作出迅速的反应机制，进而迅速调整各项操作参数，以维持溶液具有最佳氧化分解能力，保持最有效对晶圆表面的有机物(如光阻)或其它氧化层的移除，更可以用以大量且连续式的清洗晶圆。
11.根据权利要求10所述的高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***，其特征在于，该高速离心式重力场装置所形成的重力场，是为一可籍由旋转转速的改变而获得调整，用以控制臭氧与水溶剂间的强制溶解度，来维持清洗水溶液的浓度或适用不同的清洗标的物使用。
12.根据权利要求10所述的高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***，其特征在于，该晶圆清洗溶液的液相臭氧浓度，是透过超纯水、气相臭氧的提供量，以及高速离心式重力场装置的转速而控制，来维持清洗水溶液的浓度或适用不同的清洗标的物使用。
13.一种高效能臭氧水清洗半导体晶圆的方法，该方法包括：
提供一高浓度液相臭氧清洗溶液；
提供一前述液相臭氧清洗溶液与添加剂储置混合的储槽；
将晶圆浸入前述储槽；
以前述液相臭氧清洗溶液与添加剂混合液，氧化清洗晶圆表面；
前述晶圆清洗制程中，实时监测前述混合溶液的各溶剂与条件参数，并馈送至一自动馈控机构；
由该自动馈控机构收集、分析比对前述馈送参数资料，并实时应答进行迅速的反应机制，进而迅速调整各项操作参数，以维持溶液具有最佳氧化分解能力，保持最有效对晶圆表面的有机物(如光阻)或其它氧化层的移除，更可以用以大量且连续式的清洗晶圆。
14.根据权利要求13所述的高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***，其特征在于，该晶圆清洗过程的参数侦侧，是藉由布设在前述储槽中的监测机构进行对包括液相臭氧浓度侦测、添加剂浓度侦测、溶液酸碱值侦测及溶液温度侦测，再将侦测资料回馈到自动馈控机构。
15.根据权利要求13所述的高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***，其特征在于，该自动馈控机构的参数调整控制，包括气相臭氧产生浓度、形成重力场的转速与气、液进料比、添加剂添加剂量与添加速度、pH值及水温等参数条件的回馈控制调整，使得清洗溶液，能维持为稳定的液相臭氧浓度、添加剂浓度、pH值及水温等是在最佳的晶圆清洗条件。
16.一种高效能臭氧水清洗半导体晶圆的方法，是在一清洗槽中，利用液相臭氧溶液与过氧化氢的混合液作为晶圆清洗溶液，用以氧化分解清洗晶圆表面；以及利用监测机构实时侦测前述清洗溶液中各溶剂与条件的参数，并馈送至自动馈控机构进行实时的参数调整控制，以维持溶液具有最佳氧化分解能力，保持最有效对晶圆表面的有机物(如光阻)或其它氧化层的移除，更可以用以大量且连续式的清洗晶圆。
17.根据权利要求16所述的高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***，其特征在于，该臭氧水进行高度重力场高质传接触溶解的环境，是由一液相臭氧生成机构所提供，该液相臭氧生成机构所提供的重力场环境是一个可调整的环境，以进行不同臭氧浓度的臭氧水，以适用于不同的清洗标的物使用。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2004100707451A CN100349266C (zh) | 2004-07-23 | 2004-07-23 | 高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***及其方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2004100707451A CN100349266C (zh) | 2004-07-23 | 2004-07-23 | 高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***及其方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1649100A true CN1649100A (zh) | 2005-08-03 |
| CN100349266C CN100349266C (zh) | 2007-11-14 |
Family
ID=34868976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB2004100707451A Expired - Fee Related CN100349266C (zh) | 2004-07-23 | 2004-07-23 | 高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***及其方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN100349266C (zh) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102184841A (zh) * | 2010-12-17 | 2011-09-14 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 晶圆代工机台超纯水回收方法及*** |
| CN102208327A (zh) * | 2011-01-30 | 2011-10-05 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 半导体清洗液管理装置及方法 |
| CN102847688A (zh) * | 2011-06-30 | 2013-01-02 | 株式会社荏原制作所 | 基板清洁方法 |
| US8709165B2 (en) | 2010-12-03 | 2014-04-29 | Lam Research Ag | Method and apparatus for surface treatment using inorganic acid and ozone |
| CN103771027A (zh) * | 2014-01-21 | 2014-05-07 | 上海和辉光电有限公司 | 臭氧水水箱 |
| CN104103548A (zh) * | 2013-04-02 | 2014-10-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 有源区衬垫氧化前的晶片预清洗方法 |
| CN106057645A (zh) * | 2016-06-20 | 2016-10-26 | 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 | 锗单晶抛光片的清洗方法 |
| CN109300773A (zh) * | 2018-08-15 | 2019-02-01 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 晶圆的表面处理方法 |
| CN109354112A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-02-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 清洗设备 |
| CN110676153A (zh) * | 2019-09-20 | 2020-01-10 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 太阳能电池、臭氧溶液施加装置及太阳能电池的制备方法 |
| CN111766904A (zh) * | 2020-07-06 | 2020-10-13 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种清洗设备及臭氧浓度控制方法 |
| CN113782415A (zh) * | 2021-08-12 | 2021-12-10 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种栅氧预清洗方法 |
| CN116046078A (zh) * | 2023-03-31 | 2023-05-02 | 东莞市楷德精密机械有限公司 | 一种半导体清洗设备的故障监测预警方法及*** |
| CN116560328A (zh) * | 2023-07-10 | 2023-08-08 | 江苏晨达半导体科技有限公司 | 一种半导体设备控制***的优化方法及*** |
| CN116666198A (zh) * | 2023-07-26 | 2023-08-29 | 恒超源洗净科技(深圳)有限公司 | 一种半导体器件全自动超声波清洗方法及*** |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3575859B2 (ja) * | 1995-03-10 | 2004-10-13 | 株式会社東芝 | 半導体基板の表面処理方法及び表面処理装置 |
| DE69916728T2 (de) * | 1998-08-28 | 2005-04-28 | Mitsubishi Materials Corp. | Verfahren zur Reinigung eines Halbleitersubstrats |
| JP3557601B2 (ja) * | 1999-07-15 | 2004-08-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄・乾燥処理装置及びその方法 |
| JP2001149947A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-05 | Ishimori Seisakusho:Kk | 高純度オゾン水製造装置 |
| JP2003236481A (ja) * | 2002-02-14 | 2003-08-26 | Toshiba Corp | 洗浄方法、洗浄装置ならびに半導体装置の製造方法およびアクティブマトリックス型表示装置の製造方法 |
| JP4039662B2 (ja) * | 2002-08-13 | 2008-01-30 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 半導体基板又は素子の洗浄方法 |
-
2004
- 2004-07-23 CN CNB2004100707451A patent/CN100349266C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8709165B2 (en) | 2010-12-03 | 2014-04-29 | Lam Research Ag | Method and apparatus for surface treatment using inorganic acid and ozone |
| TWI447801B (zh) * | 2010-12-03 | 2014-08-01 | Lam Res Ag | 使用無機酸及臭氧之表面處理方法與設備 |
| US9653328B2 (en) | 2010-12-03 | 2017-05-16 | Lam Research Ag | Method and apparatus for surface treatment using inorganic acid and ozone |
| CN102184841A (zh) * | 2010-12-17 | 2011-09-14 | 无锡华润上华半导体有限公司 | 晶圆代工机台超纯水回收方法及*** |
| CN102208327A (zh) * | 2011-01-30 | 2011-10-05 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 半导体清洗液管理装置及方法 |
| CN102208327B (zh) * | 2011-01-30 | 2012-11-14 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 半导体清洗液管理装置及方法 |
| CN102847688A (zh) * | 2011-06-30 | 2013-01-02 | 株式会社荏原制作所 | 基板清洁方法 |
| CN104103548A (zh) * | 2013-04-02 | 2014-10-15 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 有源区衬垫氧化前的晶片预清洗方法 |
| CN103771027A (zh) * | 2014-01-21 | 2014-05-07 | 上海和辉光电有限公司 | 臭氧水水箱 |
| CN106057645A (zh) * | 2016-06-20 | 2016-10-26 | 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 | 锗单晶抛光片的清洗方法 |
| CN109300773A (zh) * | 2018-08-15 | 2019-02-01 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 晶圆的表面处理方法 |
| CN109354112A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-02-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 清洗设备 |
| CN109354112B (zh) * | 2018-10-15 | 2021-11-02 | Tcl华星光电技术有限公司 | 清洗设备 |
| CN110676153A (zh) * | 2019-09-20 | 2020-01-10 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 太阳能电池、臭氧溶液施加装置及太阳能电池的制备方法 |
| CN111766904A (zh) * | 2020-07-06 | 2020-10-13 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种清洗设备及臭氧浓度控制方法 |
| CN113782415A (zh) * | 2021-08-12 | 2021-12-10 | 上海华力集成电路制造有限公司 | 一种栅氧预清洗方法 |
| CN116046078A (zh) * | 2023-03-31 | 2023-05-02 | 东莞市楷德精密机械有限公司 | 一种半导体清洗设备的故障监测预警方法及*** |
| CN116560328A (zh) * | 2023-07-10 | 2023-08-08 | 江苏晨达半导体科技有限公司 | 一种半导体设备控制***的优化方法及*** |
| CN116560328B (zh) * | 2023-07-10 | 2023-10-13 | 江苏晨达半导体科技有限公司 | 一种半导体设备控制***的优化方法及*** |
| CN116666198A (zh) * | 2023-07-26 | 2023-08-29 | 恒超源洗净科技(深圳)有限公司 | 一种半导体器件全自动超声波清洗方法及*** |
| CN116666198B (zh) * | 2023-07-26 | 2024-01-12 | 恒超源洗净科技(深圳)有限公司 | 一种半导体器件全自动超声波清洗方法及*** |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN100349266C (zh) | 2007-11-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100349266C (zh) | 高效能臭氧水清洗半导体晶圆的***及其方法 | |
| CN1163946C (zh) | 清洗电子元件或其制造设备的元件的方法和装置 | |
| EP0860866B1 (en) | Cleaning of semiconductor wafers and microelectronics substrates | |
| CN1059878C (zh) | 电子元件的清洗方法及装置 | |
| CN1636640A (zh) | 清洁方法 | |
| CN103537453B (zh) | 一种蓝宝石衬底晶片抛光后的超声清洗方法 | |
| CN1944613A (zh) | 一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其清洗方法 | |
| CN1214535A (zh) | 半导体基片的处理***及处理方法 | |
| CN1450606A (zh) | 半导体圆片清洗设备 | |
| KR100389917B1 (ko) | 산화성 물질을 포함하는 아노드 수 및/또는 환원성 물질을포함하는 캐소드 수를 사용하는 반도체 제조를 위한 습식공정 및 이 공정에 사용되는 아노드수 및/또는 캐소드수 | |
| CN1622281A (zh) | 半导体器件的制造方法及用于剥离抗蚀剂的清洗装置 | |
| TW200303581A (en) | Method and apparatus for cleaning and drying semiconductor wafer | |
| CN1788338A (zh) | 衬底处理方法和衬底处理装置 | |
| CN1276271A (zh) | 特超声清洗半导体晶片中的去离子水温控去气 | |
| JP2006187757A (ja) | 高速遠心式オゾン水生成方法とシステム | |
| JP2008182188A (ja) | 電子材料用洗浄液および洗浄方法 | |
| CN103418574B (zh) | 超声清洁方法以及超声清洁装置 | |
| US20040226582A1 (en) | Apparatus and method for substrate processing | |
| CN1351523A (zh) | 半导体晶片兆赫声波清洗用去离子水的控温充气 | |
| TWI262827B (en) | Cleaning device and method of bubble reaction | |
| CN1311520C (zh) | 晶片清洗方法与设备 | |
| CN1096400A (zh) | 清洗半导体器件的方法及其清洗半导体器件的设备 | |
| Han et al. | Megasonic cleaning of blanket and patterned samples in carbonated ammonia solutions for enhanced particle removal and reduced feature damage | |
| CN101049598A (zh) | 高压湿清洗方法 | |
| TW201815694A (zh) | 碳酸氫水及將其使用於清洗的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20071114 Termination date: 20190723 |