CN1944613A - 一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其清洗方法 - Google Patents

Abstract

一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于它是由可以同时起到pH值调制剂、络合剂、缓蚀剂、分散剂及助氧剂作用的有机碱、能够起到降低溶液表面张力、增强质量传递、去除金属离子作用的表面活性剂和水共同组成，其中有机碱占40～45％，表面活性剂占7～15％，水占40～53％。清洗方法为先在清洗中加入8～15倍去离子水，在50～60℃超声清洗5～10分钟，清洗两次；再用去离子水在50～60℃超声漂洗5～10分钟，漂洗两次，然后喷淋、烘干。本发明的优越性在于：1.清洗剂能够克服刷片清洗和RCA清洗自身难以克服的缺点，达到较好的清洗效果；2.工艺简单，操作方便；3.满足环保要求。

Description

一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其清洗方法

(一)技术领域：

本发明涉及一种清洗剂，特别是一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其清洗方法。

(二)背景技术：

随着微电子技术的发展，ULSI集成度迅速提高器件的特征尺寸不断减小，对于芯片表面沾污的要求更加严格。在甚大规模集成电路的制备过程中，芯片的表面状态及洁净度是影响器件质量与可靠性的最重要的因素之一。污染物对半导体器件的影响是复杂的，并且还依赖于污染物本身的性质和数量。封装和掩模的操作过程中的颗粒污染是一种最普通的污染。比如，微电子器件衬底表面的吸附物在p-n结扩散制作或离子注入时形成钉子模型，处于颗粒下面的硅片不能得到掺杂，导致低击穿、管道击穿。颗粒还会牢固得吸附在晶片表面，在淀积薄膜时嵌入其中。在淀积过程中，颗粒污染会导致针孔、微小裂缝等。在后续的步骤中，当多层布线形成后，颗粒会导致相邻导线的短路或断路。晶片表面存在污染薄膜会破坏淀积膜与晶片表面的粘附；它们还会分解出有害的副产物。晶片表面的金属污染物(如铁和铜)在热处理的过程中会很快扩散到硅中。如果它们存在于晶片表面并且扩散到硅体中，就会导致界面的结构缺陷，在后续的氧化和外延层生长过程中出现缺陷堆积，提高p-n结的漏电流，降低少数载流子的寿命。

目前，较先进的日本SPEED、FAM、美国MEMC等公司，采取抛光片抛光后在颗粒形成化学键合吸附前，迅速用双面刷片机刷洗，获得了较洁净表面，但存放时间短(必须在2小时内刷洗，否则颗粒超标，不合格)、设备价格昂贵(每台30～40万美元)、效率低(一片片依次刷洗，每单位需多台)、易造成损伤(返修率高)，又有化学、键合吸附的存在。

RCA(美国无线电公司)湿法化学清洗(即使用I号液、II号液、III号液的清洗方法)是湿法清洗技术的基础，在全世界范围得到广泛应用，是公认的目前较为理想的硅片清洗方法。但是随着集成度的提高和器件特征尺寸的减小，RCA清洗已经难以满足甚大规模集成电路的要求，主要是因为RCA清洗存在自身难以克服的缺陷。I号液为氢氧化铵/过氧化氢/去离子水(NH₄OH/H₂O₂/H₂O，简称AMP，65～80℃)，其配比为1∶1∶5或1∶2∶5。I号液具有碱性、氧化性和络合性，它能去除部分有机物、光刻胶、残留膜和部分重金属离子。I号液主要是去除吸附于芯片表面的颗粒，碱可以和SiO₂反应生成可溶解于水的盐类。同时I号液对SiO₂的腐蚀性还可以使得附着在硅片表面的颗粒脱离表面，被液体托起有利于颗粒的去除。利用I号液中H₂O₂的氧化性和NH₄OH的络合性可以将金属杂质氧化为络合物。但是I号液也存在一些问题，其中最主要的一个问题就是I号液在去除颗粒、有机物和金属离子的同时也对硅片表面进行氧化和腐蚀。由于腐蚀是不均匀的，外面腐蚀的速率比较快而内部的腐蚀速率比较慢，所以很容易造成腐蚀的不均匀，即造成硅片表面平整度差。而且H₂O₂在碱性介质或高pH值条件下容易造成金属污染物在芯片上的沉积。如果H₂O₂浓度不够则氨水会腐蚀硅片，造成花斑。由于I号液含有NH₄OH，还会有刺激性的气味产生。另外，I号液去除粒径较大的颗粒效果较好，但是目前ULSI的制备要求去除硅片表面粒径在0.1μm以下的颗粒，这样I号液清洗就很难达到要求。目前所用的改进技术主要是采用稀释的办法，这种办法虽然可以在一定程度上提高硅片的表面平整度，但是清洗的效率较低，而且对于清洗0.1μm以下的颗粒，仍然不能达到理想的效果。II号液为盐酸/过氧化氢/去离子水(HCl/H₂O₂/H₂O，简称HPM，65-80℃)，其配比为1∶1∶6或1∶2∶8。II号液具有酸性、氧化性、络合性和溶解性。它能除去Na⁺、Fe³⁺、S以及金属杂质Au、Ag、Cu、Hg、Co、Cd、Pt等。II号液的主要作用是去除金属离子，其作用是使衬底上的金属形成可溶盐或络合物而被去除。利用盐酸的弱酸性，将金属氧化物、氢氧化物、碳酸盐等变为金属氯化物，而且利用过氧化氢的氧化性和盐酸的络合性可以将金属杂质氧化为氯化物或络合物。但是II号液去除金属离子有一定的局限性。III号液为硫酸/过氧化氢/去离子水(H₂SO₄/H₂O₂/H₂O，简称SPM，100-130℃)。III号液具有酸性和氧化性。其作用是去除有机物、光刻胶和酸性可溶杂质。但是III号液很容易造成炭化，使得表面发黑对环境造成污染。

根据RCA清洗所存在的问题近些年研究人员提出了不同的改进措施：

改进方案一：将I号液稀释到1∶1∶20在35～42℃进行超声清洗8分钟，然后用改进的II号液(HF∶HCl∶H₂O＝1∶1∶200)在23℃进行超声清洗8分钟，之后用含有臭氧的水(水中臭氧含量大于7ppm)在23℃进行漂洗8分钟。最后进行干燥。这种方法可以降低清洗后晶片的表面粗糙度，但是晶片表面吸附的微小颗粒仍然难以去除。

改进方案二：OAM清洗法。将HF和柠檬酸溶解到超纯水中，然后将臭氧溶解在混合溶液中，在清洗的过程中O₃在溶液中的含量很稳定。这种方法虽然可以去除晶片表面的颗粒和金属离子，但是对有机物的去除不理想，而且操作较为复杂，清洗过程不容易控制。

(三)发明内容：

本发明的目的在于设计一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其清洗方法，它能克服刷片清洗和RCA清洗的缺点，达到较好的清洗效果，而且工艺简单，操作方便，满足环保要求，是一种应用于电子信息领域的涉及到化学、机械、物理等多重学科的新型清洗方法。

本发明的技术方案：一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于它是由能够起到pH值调节剂作用的有机碱和起到降低表面张力、增强质量传递、去除金属离子作用的多种表面活性剂共同组成。

上述所说的由多种表面活性剂和有机碱组成的清洗剂等都能够实现类似功能：表面活性剂诸如：聚氧乙烯系非离子表面活性剂、多元醇酯类非离子表面活性剂、高分子及元素有机系非离子表面活性剂类；有机碱类诸如：多羟多胺、胺碱、羟胺、醇胺。

上述所说的作为由多种表面活性剂和有机碱构成的清洗剂能够包括五种成分：

成分I：有机碱，包括多羟多胺、胺碱和醇胺。作为pH值调节剂，氢氧根在溶液中缓慢释放，起到均匀腐蚀的作用，并且根据结构相似相溶原理，能够去除一部分有机污染物，并且具有络合作用，能够去除颗粒和金属离子污染；

成分II：非离表面活性剂，包括脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚和聚氧乙烯酯。降低溶液的表面张力，使清洗剂能够全面铺展在液晶显示器的表面及夹缝中，其亲水基和憎水基相互配合，能够将吸附在液晶显示表面及夹缝中污染物托起，并且在表面形成保护层，防止污染物二次吸附；

成分III：非离表面活性剂，包括脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚和聚氧乙烯酯。起到强渗透作用，能够降低溶液表面张力，并且使得清洗剂能够渗透到芯片表面和有机污染物之间，达到去除污染物的目的；

成分IIII：螯合剂；

成分V：去离子水；

配比：成分I占40％～45％，成分II占1.5％～2％，成分III占5％～10％，成分IIII占0.5～1％，成分V占50％～52％。

一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂的清洗方法，其特征在于它是由以下步骤构成：

步骤(1)：首先清洗工艺第一步为清洗剂清洗，将第一槽中放入清洗剂并加入8～15倍去离子水，室温清洗，将硅片装入花篮，浸泡在其中，大约5～10分钟，可以配合超声波作用；

步骤(2)：清洗工艺第二步为清洗剂清洗，清洗剂加入8～15倍去离子水放入第二槽，加热到50～60℃，将硅片花篮从一槽中取出，放入二槽，进行超声，大约5～10分钟；

步骤(3)：清洗工艺第三步为去离子水超声，将去离子水放入第三槽，加热到50～60℃，将硅片花篮从二槽中取出，放入三槽，进行超声，大约5～10分钟；

步骤(4)：清洗工艺第四步为去离子水超声，将去离子水放入第四槽，加热到50～60℃，将硅片花篮从三槽中取出，放入四槽，进行超声，大约5～10分钟；

步骤(5)：清洗工艺第七步为喷淋，用温度为50～60℃的去离子水对芯片进行喷淋，时间为2～5分钟；

步骤(6)：清洗工艺第八步为烘干，用热风或红外进行烘干，时间为3～5分钟。

上述所说的步骤(6)中的烘干可用热风或红外进行烘干。

本发明的工作原理在于：利用有机碱作为pH值调节剂，同时根据结构相似相溶原理，有机碱能够溶解有机污染物，同时还能够起到降低络和作用；采用特选的表面活性剂降低表面张力并且增加芯片表面的质量传输，起到均匀清洗的目的；利用高效渗透剂能够渗透到硅片和污染物之间，将污染物从硅片表面解吸，达到去除的目的；选择具有十三个螯合环、不含金属离子的螯合剂能够和几十种金属离子形成大分子螯合物，达到去除金属离子沾污的目的。

水溶性清洗剂完全溶解于水，在超声作用下能够去除残留在硅片表面各种有机污染物、颗粒以及金属离子等。超声水洗过程能够将残留在硅片上的清洗剂和其他残留物去除。再通过喷淋和烘干得到洁净的芯片表面。

通过实验确立优先吸附的数学模型：t＝Kr²/f₁f₂S其中t：吸附时间；f₁：吸附体表面力场场强；f₂：吸附质表面力场场强；r：吸附质与吸附体间距；S：吸附质被吸附的面积；K：与介质特性和温度有关的常数。吸附时间越短越优先吸附。吸附质与吸附体距离的平方与吸附时间成正比，距离越近越优先吸附；吸附质、吸附体力场越强越优先吸附；吸附质的面积越大越优先吸附。

在清洗剂中采用一种特选的有机碱，采用有机碱作为pH值调节剂，有机碱的氢氧根在溶液中缓慢电离，能够腐蚀硅片表面去除吸附在硅片表面的颗粒污染物，同时可以保证腐蚀的均匀性，清洗后不改变硅片表面粗糙度；根据结构相似相溶的原理，有机碱能够去除硅片表面的有机污染物；同时有机碱还具有络合作用，能够去除部分金属离子。有机碱同时作为pH值调制剂、络合剂、缓蚀剂、分散剂、助氧剂实现了一剂多用。清洗剂中采用特选的非离子表面活性剂实现优先吸附，并在芯片表面形成保护层，防止污染物的二次吸附，能有效去除颗粒等污染物。清洗剂中的渗透剂不但能够降低溶液的表面张力，而且具有很强的渗透能力，能够渗透到硅片和污染物之间，将污染物托起，使其脱离硅片表面，达到去除的目的。采用具有高效螯合剂，与金属离子形成大分子稳定的螯合物，能够有效去除几十种金属离子。

本发明的优越性在于：1、清洗剂中加入了特选的渗透剂，能够降低清洗剂的表面张力，增强清洗剂的渗透性，对硅片有很好的清洗效果；2、清洗剂中选用有机碱，能够提高清洗剂均匀腐蚀蚀的性质，保证清洗的一致性；3、清洗剂中的有机碱属于有机物，能够根据结构相似相溶原理，能够溶解芯片表面的有机污染物；4、清洗剂中的有机碱能够降低溶液中的表面张力；5、清洗剂中选用的表面活性剂和渗透剂能够很好得降低清洗剂的表面张力、同时具有水溶性好、渗透力强、无污染等优点；6、清洗剂中的表面活性剂能够增强质量传递，保证清洗的均匀性，降低芯片表面粗糙度；7、清洗剂中选用高效螯合剂，具有十三个以上螯合环，无金属离子沾污，能够和几十种金属离子形成稳定的螯合物。8、清洗剂中选用的化学试剂，不污染环境，不易燃烧，属于非破坏臭氧层物质，满足环保要求；8、工艺简单，操作方便；11、满足环保要求。

(四)附图说明：

图1为本发明所涉一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其清洗方法中的表面活性剂的分散作用。

图2本发明所涉一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂的清洗方法工艺流程示意图。

图3本发明所涉一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其清洗方法与RCA清洗方法去除硅片表面颗粒情况对比。

图4RCA清洗方法去除硅片表面有机物电子扫描显微镜光谱图。

图5本发明所涉一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其清洗方法去除硅片表面有机物电子扫描显微镜光谱图。

图6分光光度计测量的RCA清洗后硅片表面残留有机物光谱图。

图7分光光度基测量本发明所涉一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及其清洗方法清洗后硅片表面残留有机物光谱图。

(五)具体的实施例：

实施例1：一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于它是由可以同时起到pH值调制剂、络合剂、缓蚀剂、分散剂、助氧剂等作用的有机碱和能够起到降低溶液表面张力、增强质量传递、去除金属离子作用的多种表面活性剂共同组成。

所说的清洗剂中包括五种成分：

成分I：选择有机碱中的三乙醇胺，(HOCH₂CH₂)₃

成分II：选择聚氧乙烯醚类表面活性剂中的脂肪醇聚氧乙烯(20)醚(平平加O-20)，RO(CH₂CH₂O)₂₀H R＝C_12-18H_25-37；

成分III：选择聚氧乙烯醚类渗透剂中的环氧乙烷和高级脂肪醇的缩合物(JFC) R-O(C₂H₄O)_nH

成分IIII：乙二胺四乙酸二钠盐(EDTA)

成分V：H₂O；

四种成分的配比为：成分I占40％，成分II占2％，成分III占8％，成分IIII占50％。

一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂的清洗方法，其特征在于它是由以下步骤构成：

步骤(1)：首先清洗工艺第一步为清洗剂清洗，将第一槽中放入清洗剂并加入8倍去离子水，室温清洗，将硅片装入花篮，浸泡在其中，大约5分钟，可以配合超声波作用；

步骤(2)：清洗工艺第二步为清洗剂清洗，清洗剂加入8倍去离子水放入第二槽，加热到50～60℃，将硅片花篮从一槽中取出，放入二槽，进行超声，大约5分钟；

步骤(3)：清洗工艺第三步为去离子水超声，将去离子水放入第三槽，加热到60℃，将硅片花篮从二槽中取出，放入三槽，进行超声，大约5分钟；

步骤(4)：清洗工艺第四步为去离子水超声，将去离子水放入第四槽，加热到60℃，将硅片花篮从三槽中取出，放入四槽，进行超声，大约5分钟；

步骤(5)：清洗工艺第五步为喷淋，用温度为60℃的去离子水对芯片进行喷淋，时间为2分钟；

步骤(6)：清洗工艺第六步为烘干，用热风或红外进行烘干，时间为3分钟。

上述所说的步骤(6)中的烘干可用热风或红外进行烘干。

实施例2：一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于它是由可以同时起到pH值调制剂、络合剂、缓蚀剂、分散剂、助氧剂等作用的有机碱和能够起到降低溶液表面张力、增强质量传递、去除金属离子作用的多种表面活性剂共同组成。

所说的清洗剂中包括五种成分：

成分I：选择有机碱中的四甲基氢氧化胺；

成分II：选择聚氧乙烯失水山梨糖醇单油酸酯(吐温-80)；

成分III：选择辛醇聚氧乙烯醚

成分IIII：二乙二胺四乙酸四羟乙基乙二胺盐

成分V：H₂O；

四种成分的配比为：成分I占40％，成分II占2％，成分III占8％，成分IIII占50％。

一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂的清洗方法，其特征在于它是由以下步骤构成：

步骤(1)：首先清洗工艺第一步为清洗剂清洗，将第一槽中放入清洗剂并加入15倍去离子水，室温清洗，将硅片装入花篮，浸泡在其中，大约10分钟，可以配合超声波作用；

步骤(2)：清洗工艺第二步为清洗剂清洗，清洗剂加入15倍去离子水放入第二槽，加热到50～60℃，将硅片花篮从一槽中取出，放入二槽，进行超声，大约10分钟；

步骤(3)：清洗工艺第三步为去离子水超声，将去离子水放入第三槽，加热到50℃，将硅片花篮从二槽中取出，放入三槽，进行超声，大约10分钟；

步骤(4)：清洗工艺第四步为去离子水超声，将去离子水放入第四槽，加热到50℃，将硅片花篮从三槽中取出，放入四槽，进行超声，大约10分钟；

步骤(5)：清洗工艺第五步为喷淋，用温度为50℃的去离子水对芯片进行喷淋，时间为5分钟；

步骤(6)：清洗工艺第六步为烘干，用热风或红外进行烘干，时间为5分钟。

上述所说的步骤(6)中的烘干可用热风或红外进行烘干。

实施例3：一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于它是由可以同时起到pH值调制剂、络合剂、缓蚀剂、分散剂、助氧剂等作用的有机碱和能够起到降低溶液表面张力、增强质量传递、去除金属离子作用的多种表面活性剂共同组成。

所说的清洗剂中包括五种成分：

成分I：选择有机碱中的六羟基乙二胺；

成分II：选择壬基酚聚氧乙烯醚；

成分III：失水山梨醇油酸酯

成分IIII：乙二胺四乙酸二钠盐(EDTA)

成分V：H₂O；

四种成分的配比为：成分I占40％，成分II占2％，成分III占8％，成分IIII占50％。

一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂的清洗方法，其特征在于它是由以下步骤构成：

步骤(1)：首先清洗工艺第一步为清洗剂清洗，将第一槽中放入清洗剂并加入10倍去离子水，室温清洗，将硅片装入花篮，浸泡在其中，大约7分钟，可以配合超声波作用；

步骤(2)：清洗工艺第二步为清洗剂清洗，清洗剂加入10倍去离子水放入第二槽，加热到50～60℃，将硅片花篮从一槽中取出，放入二槽，进行超声，大约7分钟；

步骤(3)：清洗工艺第三步为去离子水超声，将去离子水放入第三槽，加热到55℃，将硅片花篮从二槽中取出，放入三槽，进行超声，大约7分钟；

步骤(4)：清洗工艺第四步为去离子水超声，将去离子水放入第四槽，加热到55℃，将硅片花篮从三槽中取出，放入四槽，进行超声，大约7分钟；

步骤(5)：清洗工艺第五步为喷淋，用温度为55℃的去离子水对芯片进行喷淋，时间为3.5分钟；

步骤(6)：清洗工艺第六步为烘干，用热风或红外进行烘干，时间为4分钟。

上述所说的步骤(6)中的烘干可用热风或红外进行烘干。

实施例4：一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于它是由可以同时起到pH值调制剂、络合剂、缓蚀剂、分散剂、助氧剂等作用的有机碱和能够起到降低溶液表面张力、增强质量传递、去除金属离子作用的多种表面活性剂共同组成。

所说的清洗剂中包括五种成分：

成分I：选择有机碱中的羟乙基乙二胺；

成分II：选择聚乙二醇；

成分III：妥尔油二乙醇胺

成分IIII：二乙二胺四乙酸四羟乙基乙二胺盐

成分V：H₂O；

四种成分的配比为：成分I占40％，成分II占2％，成分III占8％，成分IIII占50％。

一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂的清洗方法，其特征在于它是由以下步骤构成：

步骤(1)：首先清洗工艺第一步为清洗剂清洗，将第一槽中放入清洗剂并加入12倍去离子水，室温清洗，将硅片装入花篮，浸泡在其中，大约8分钟，可以配合超声波作用；

步骤(2)：清洗工艺第二步为清洗剂清洗，清洗剂加入12倍去离子水放入第二槽，加热到50～60℃，将硅片花篮从一槽中取出，放入二槽，进行超声，大约8分钟；

步骤(3)：清洗工艺第三步为去离子水超声，将去离子水放入第三槽，加热到52℃，将硅片花篮从二槽中取出，放入三槽，进行超声，大约8分钟；

步骤(4)：清洗工艺第四步为去离子水超声，将去离子水放入第四槽，加热到52℃，将硅片花篮从三槽中取出，放入四槽，进行超声，大约8分钟；

步骤(5)：清洗工艺第五步为喷淋，用温度为52℃的去离子水对芯片进行喷淋，时间为4分钟；

步骤(6)：清洗工艺第六步为烘干，用热风或红外进行烘干，时间为3.5分钟。

上述所说的步骤(6)中的烘干可用热风或红外进行烘干。

Claims (10)

1、一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于它是由可以同时起到pH值调制剂、络合剂、缓蚀剂、分散剂及助氧剂作用的有机碱，能够起到降低溶液表面张力、增强质量传递的表面活性剂，能够去除金属离子的螯合剂和水共同组成，其中有机碱占40～45％，表面活性剂占5～10％，螯合剂占0.5～1％，水占40～53％。

2、根据权利要求1所说的一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于作为有机碱包括多羟多胺、胺碱、醇胺。

3、根据权利要求1所说的一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于作为表面活性剂包括：聚氧乙烯系非离子表面活性剂、多元醇酯类非离子表面活性剂、高分子及元素有机系非离子表面活性剂。

4、根据权利要求3所说的聚氧乙烯系非离子表面活性剂，包括：聚氧乙烯烷基酚、聚氧乙烯脂肪醇、聚氧乙烯脂肪酸酯、聚氧乙烯胺和聚氧乙烯酰胺；多元醇酯类非离子表面活性剂包括：乙二醇酯、甘油酯、聚氧乙烯多元醇酯；高分子及元素有机系非离子表面活性剂包括：环氧丙烷均聚物、元素有机系聚醚和聚氧乙烯无规共聚物。

5、一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂及清洗方法，其特征在于它是由以下步骤构成：

步骤(1)：首先清洗工艺第一步为清洗剂清洗，将第一槽中放入清洗剂并加入8～15倍去离子水，室温清洗，将硅片装入花篮，浸泡在其中，大约5～10分钟，配合超声波作用；

步骤(2)：清洗工艺第二步为清洗剂清洗，清洗剂加入8～15倍去离子水放入第二槽，加热到50～60℃，将硅片花篮从一槽中取出，放入二槽，进行超声，大约5～10分钟；

步骤(3)：清洗工艺第三步为去离子水超声，将去离子水放入第三槽，加热到50～60℃，将硅片花篮从二槽中取出，放入三槽，进行超声，大约5～10分钟；

步骤(4)：清洗工艺第四步为去离子水超声，将去离子水放入第四槽，加热到50～60℃，将硅片花篮从三槽中取出，放入四槽，进行超声，大约5～10分钟；

步骤(5)：清洗工艺第七步为喷淋，用温度为50～60℃的去离子水对芯片进行喷淋，时间为2～5分钟；

步骤(6)：清洗工艺第八步为烘干，用热风或红外进行烘干，时间为3～5分钟。

6、根据权利要求5所说的一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂的清洗方法，其特征在于所说的步骤(6)中的烘干可用热风或红外进行烘干。

7、根据权利要求2和3所说的一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于：

清洗剂中包括三种成分：

成分I：选择有机碱中的三乙醇胺，(HOCH₂CH₂)₃

成分II：选择聚氧乙烯醚类表面活性剂中的脂肪醇聚氧乙烯(20)醚(平平加O-20)，RO(CH₂CH₂O)₂₀H R＝C_12-18H_25-37；

成分III：选择聚氧乙烯醚类渗透剂中的环氧乙烷和高级脂肪醇的缩合物(JFC)R-O(C₂H₄O)_nH

成分IIII：乙二胺四乙酸二钠盐(EDTA)

成分V：H₂O；

四种成分的配比为：成分I占40％，成分II占2％，成分III占8％，成分IIII占50％。

8、根据权利要求2和3所说的一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于：

清洗剂中包括三种成分：

成分I：选择有机碱中的四甲基氢氧化胺；

成分II：选择聚氧乙烯失水山梨糖醇单油酸酯(吐温-80)；

成分III：选择辛醇聚氧乙烯醚

成分IIII：二乙二胺四乙酸四羟乙基乙二胺盐

成分V：H₂O；

四种成分的配比为：成分I占40％，成分II占2％，成分III占8％，成分IIII占50％。

9、根据权利要求2和3所说的一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于：

清洗剂中包括三种成分：

成分I：选择有机碱中的六羟基乙二胺；

成分II：选择壬基酚聚氧乙烯醚；

成分III：失水山梨醇油酸酯

成分IIII：乙二胺四乙酸二钠盐(EDTA)

成分V：H₂O；

四种成分的配比为：成分I占40％，成分II占2％，成分III占8％，成分IIII占50％。

10、根据权利要求2和3所说的一种用于集成电路衬底硅片的清洗剂，其特征在于：

清洗剂中包括三种成分：

成分I：选择有机碱中的羟乙基乙二胺；

成分II：选择聚乙二醇；

成分III：妥尔油二乙醇胺

成分IIII：二乙二胺四乙酸四羟乙基乙二胺盐

成分V：H₂O；

四种成分的配比为：成分I占40％，成分II占2％，成分III占8％，成分IIII占50％。

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